Tema 2. Circuitos con Diodos.

rev4
TEMA 2
Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones
Universidad de Murcia
1
CIRCUITOS CON DIODOS
Profesores:
Germán Villalba Madrid
Miguel A. Zamora Izquierdo
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
CONTENIDO
• Introducción
• Conceptos básicos de semiconductores. Unión pn.
• Diodo real. Ecuación del diodo. Recta de carga.
• Diodos zener.
• Modelos del diodo
– Modelo del diodo ideal.
– Modelo completo del diodo.
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2
– Modelo completo del diodo.
– Modelo del diodo zener.
• Otros tipos de diodos.
• Circuitos con diodos
– Rectificadores. Filtrado.
– Circuitos recortadores.
– Circuitos fijadores.
– Circuitos lógicos con diodos.
• Estabilizadores de tensión zener.
• Conmutación y comportamiento en alta frecuencia. Capacidades.
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INTRODUCCION
• El diodo es el dispositivo electrónico más simple. Es un semiconductor
de dos terminales (Ánodo y Cátodo) que ofrece una baja resistencia
del orden de los mΩ en una polarización y del orden de los GΩ en la
otra. Esto lo convierte en un componente adecuado como rectificador.
• El diodo exhibe una relación no lineal entre la tensión entre sus
terminales y la corriente que circula por él. En el análisis de circuitos
con diodos, se pueden realizar algunas aproximaciones que faciliten la
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con diodos, se pueden realizar algunas aproximaciones que faciliten la
resolución del sistema.
• Se estudian también algunos diodos de uso especial, como son los
zener, LED, fotodiodos y Schottky.
• Los diodos permiten desarrollar circuitos con distintas aplicaciones,
destacando la rectificación, en cualquiera de sus variantes.
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CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
• Materiales válidos para la fabricación de dispositivos electrónicos de
estado sólido: silicio, germanio y arseniuro de galio.
• Semiconductor Intrínseco (puro)
– Cada par de átomos forma un enlace covalente con cada uno de los
cuatro átomos cercanos (disposición tetraédrica). Electrones de la capa de
valencia (grupo 4).
– A 0º K, no existen electrones libres.
– A 300º K, los electrones libres permiten flujo de una corriente si se aplica
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– A 300º K, los electrones libres permiten flujo de una corriente si se aplica
una ddp. (Tiene mayor R que un conductor eléctrico).
– Concentración de huecos (np) igual a concentración de electrones libres
(ni) en un material puro.
– Ambos tipos de portadores contribuyen al flujo de corriente.
– Generación: a mayor temperatura, mayor velocidad de generación de
electrones libres y huecos (energía térmica).
– Recombinación: el hueco y el electrón libre se combinan formando un
enlace covalente.
– La conductividad de un semiconductor intrínseco aumenta con la Tª.
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CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS
• Semiconductor Extrínseco (impurificado)
– Tipo N: impurezas donantes de electrones. Portadores mayoritarios
(electrones); Portadores minoritarios (huecos).
• n concentración de electrones.
• p concentración de huecos
• Nd concentración átomos donantes.
– Tipo P: impurezas aceptadoras de electrones (aportan huecos).
Portadores mayoritarios (huecos); Minoritarios (electrones).
D
N p n + =
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• Na concentración átomos aceptadores
• Ley de acción de masas: en un tipo n, el valor de p se reduce (mayor
probabilidad de recombinación). Se cumple que el producto de la
concentración de huecos por la de electrones libres es constante a
una temperatura dada:
– En el material intrínseco:
p n N
A
= +
i i
i i i
n p
n pn n p pn
=
= ⇒ =
2
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UNION pn NO POLARIZADA
• Una unión pn consiste en un único cristal semiconductor al cual se le han
añadido impurezas de manera que se obtiene un zona p y otra n.
• Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar
físicamente la unión, se tendría una distribución de portadores según se
indica en la figura.
• El elevado gradiente de
concentración hueco-electrón a
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concentración hueco-electrón a
lo largo de la unión, inicia un
proceso de difusión, creando
una zona de carga espacial
en la zona de unión.
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DIFUSION PORTADORES EN UNION NO POLARIZADA
La zona de carga espacial
surge por la difusión de
portadores mayoritarios
desde las zonas de mayor a
menor concentración.
El efecto principal del campo
eléctrico de la zona de carga
espacial es una barrera de
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espacial es una barrera de
potencial que impide la
circulación de electrones.
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UNION PN EN POLARIZACION INVERSA
• Un diodo está inversamente polarizado,
si la tensión aplicada aumenta la zona
de carga espacial.
• Los portadores mayoritarios son atraídos
por cada uno de los terminales del
generador.
• Si la tensión externa inversa es mayor
de unas décimas de voltio, la corriente
de los portadores mayoritarios se reduce
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de los portadores mayoritarios se reduce
casi a cero.
• Así, la corriente inversa estará formada por los portadores minoritarios, que
al ser muy pocos, da lugar a una corriente pequeña, e independiente del
valor de la tensión inversa aplicada.
• Sin embargo, al depender la concentración de los portadores minoritarios de
la generación térmica, a medida que aumente ésta, también aumentará el
valor de la corriente inversa.
• Si la tensión inversa es suficientemente alta, el campo eléctrico es capaz de
romper los enlaces covalentes, lo que produce una gran cantidad de pares
hueco-electrón, y por tanto, un gran flujo de corriente inversa.
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UNION PN EN POLARIZACION DIRECTA
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• La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos,
y la debida a los electrones.
• A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unión, la corriente
predominante corresponde a los huecos en la zona p, y a los electrones en la
zona n.
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DIODO REAL - CARACTERISTICAS
• Característica del diodo.
– Posee dos terminales (Ánodo y Cátodo).
– Polarización DIRECTA:
• Si Vd es > 0 voltios.
– Polarización INVERSA:
• Si Vd < 0 voltios.
• En Directa la corriente fluye con facilidad.
• En Inversa, al alcanzar la región de
ruptura o zona de avalancha, el flujo de
corriente es elevado siempre y cuando no se
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corriente es elevado siempre y cuando no se
exceda la potencia máxima de disipación.
• Designación características:
– Vr: tensión inversa.
– If(av): corriente media directa.
– If(rms): corriente eficaz directa
– Vf: caída de tensión directa.
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DIODO REAL – ECUACION DEL DIODO
• La ecuación del diodo (ecuación de Shockley) es:
• Donde:
– La tensión térmica es
– Is es la corriente de saturación inversa.
– n es el coeficiente de emisión entre 1 y 2.
• En la región de polarización directa, los diodos de Si de pequeña señal
conducen muy poca corriente (menos de 1 mA) hasta que se aplica
una tensión de 0,6 a 0,7 voltios (a temperatura ambiente).
) 1 (
/
− =
T D
nV v
S D
e I i
q T k V
T
/ =
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una tensión de 0,6 a 0,7 voltios (a temperatura ambiente).
• A partir de dicha tensión (Vumbral), la corriente incrementa
rápidamente a pequeños aumentos de tensión.
• La respuesta del diodo de Si a variaciones de temperatura es
de aproximadamente -2 mV/ºK.
• En la región inversa la corriente es aproximadamente de 1 nA. Si T
aumenta, también aumenta la I.
• En la zona de ruptura, la corriente aumenta rápidamente. Existen
diodos especiales para trabajar en dicha zona (diodos Zener).
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DIODO REAL – RECTA DE CARGA
• Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff:
• Conocido el valor de Vss, R y la
curva característica del diodo, se
puede obtener el punto de trabajo
del circuito.
• La recta de carga se obtiene a
partir de los puntos de corte de la
D D SS
v Ri V + =
Fig. .- Polarización diodo.
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partir de los puntos de corte de la
ecuación obtenida con los ejes
coordenados:
– Si id = 0 -> Vd = Vss; (pto A)
– Si Vd = 0 -> id = Vss / R; (pto B)
• Uniendo los dos puntos A y B, se
obtiene la recta de carga.
• El punto de trabajo es la
intersección entre la característica
del diodo y la recta de carga.
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RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO
• En la zona de polarización positiva, antes de Vumbral la pendiente de
la recta que se aproxima a la característica tiende a cero
(conductancia); por tanto, su resistencia será elevada. Si se sobrepasa
la Vu, la pendiente es muy grande, y por tanto, la resistencia
reducida. Así, la pendiente de la curva se modifica según sea el punto
Q en el que se encuentre el diodo.
• Suponiendo que la tensión continua de alimentación hace que el diodo
trabaje en un punto de reposo, punto Q, y superponiendo una
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trabaje en un punto de reposo, punto Q, y superponiendo una
pequeña señal alterna, su comportamiento se aproximará al de una
resistencia según:
T
D
T
S D
D
D
D S
S
D
nV
v
nV
v
T
S
D
D
Q
D
D
d
nV
i
nV
I i
dv
di
I I oniendo y do sustituyen
I
i
e como e
nV
I
dv
di
dv
di
r
T
D
T
D

+
=
<<
+ = =
(
(
¸
(

¸

|
|
¹
|

\
|
=

sup
1
1
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DIODO IDEAL
• Es un modelo útil que permite simplificar el
análisis por medio de las siguientes
aproximaciones:
– En polarización directa, el diodo actúa como
un cortocircuito. (R = 0 ohmios).
– En polarización inversa, el diodo se comporta
como un circuito abierto. (R = infinito)
• En la Fig. , se representa la característica i -
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• En la Fig. , se representa la característica i -
v de un diodo ideal.
• Obsérvese, que en este modelo no existe
una tensión umbral en directa necesaria para
el inicio de la conducción de corriente.
• En el análisis con diodos ideales, primero se supondrá cuales están en corte
y en conducción. Posteriormente, si id es positiva en los diodos en
conducción, y Vd negativa en los supuestamente en corte, la suposición
inicial será correcta.
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MODELO COMPLETO DEL DIODO
• En este modelo, se sustituye el diodo por un diodo ideal, en serie con
una fuente de tensión de valor la tensión umbral, y la resistencia en
directa.
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OTROS TIPOS DE DIODOS
• Diodos LED (Light Emiter Diode – Diodo Emisor de Luz)
– El diodo LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero
que al ser atravesado por una corriente emite luz proporcionalmente a la cantidad
de corriente que circula.
– Existen diodos que emiten luz de diferentes longitud de onda según el material del
que están construidos. Existen diodos led Rojos, Amarillos, Verde, Ambar e
Infrarrojos.
– La caída de tensión en directa está en el rango de 1,5 voltios a 2,2 voltios,
aproximadamente.
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aproximadamente.
• Fotodiodos
– Realiza la función inversa al LED.
– Si se polariza en inversa, y recibe energía luminosa, la cantidad de corriente inversa
será proporcional a la intensidad incidente. (Es debida a los pares hueco-electrón
generados por los fotones).
• Diodo Schottky
– Se usan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida.
• Diodo Zener
– Trabajan en la zona de ruptura inversa.
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CIRCUITOS CON DIODOS
• Ejemplo análisis de un circuito simple con diodos:
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CIRCUITOS RECTIFICADORES
• Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente
continua (unidireccional). También se conoce como convertidor AC-DC
• Tipos:
– Rectificadores de media onda
– Rectificadores de onda completa
• Con trafo de toma intermedia (dos diodos).
• Con puente de diodos (cuatro diodos).
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• Con puente de diodos (cuatro diodos).
• Conceptos básicos de Transformadores Ideales
– Trafo
– Trafo con toma intermedia
• Relación Vmax & Vef
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RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
• Cuando la tensión es positiva (intervalo ), el diodo se encuentra
polarizado en directa, y conducirá la corriente (caída de 0.7 V).
• Cuando la tensión es negativa, el diodo se polariza inversamente, no dejando
pasar corriente. En este intervalo el diodo soporta la tensión inversa impuesta
por la entrada.
• Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff, a los dos casos anteriores, se obtiene:
– En directa, prácticamente la caída de tensión de la alimentación está en bornes de
la carga.
π ω ≤ ≤ t 0
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la carga.
– En inversa, la caída de tensión la acapara el diodo por no circular corriente.
(a) Diagrama del circuito
(b) Tensión de la fuente
en función del tiempo
(c) Tensión de la carga
en función del tiempo
Diodo ideal 0,7 V
Diodo
real
V
m
sen (ω ωω ω t)
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RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
• La tensión de entrada es senoidal según:
• El valor medio de la tensión Vo(dc) se obtiene realizando la integral:
• La corriente media para una carga resistiva R, se obtiene por la Ley
de Ohm.
• El valor de la tensión eficaz (rms) será:
t sen V v
m S
ω =
∫ ∫
= = = =
π π
π
ω ω
π
ω
π
0 0
) (
318 , 0 ) (
2
1
) (
2
1
m
m
m O DC O
V
V
t d t sen V t d v V
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• El valor de la tensión eficaz (rms) será:
• La frecuencia de salida es igual a la de entrada
m
m
m rms O
V
V
t d t sen V V 5 , 0
2
) (
2
1
0
2 2
) (
= = =

π
ω ω
π
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RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRAFO DE TOMA
INTERMEDIA
• Consiste en dos rectificadores de media
onda con fuentes de tensión desfasadas
180º.
• El trafo aísla (respecto de tierra) a la
carga de la corriente alterna de entrada.
• Durante el ciclo positivo, conduce el diodo
A; durante el ciclo negativo, el diodo B
conduce rectificando la señal.
• Voltaje medio o de continua:
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• Voltaje medio o de continua:
• Frecuencia de salida
π
m
DC O
V
V
2
) (
=
in out
f f 2 =
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RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODOS
• Ciclo positivo de la entrada, los diodos A y B conducen.
• Ciclo negativo de la entrada, los diodos D y C conducen.
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• Valor medio
• Frecuencia de salida
• La configuración en Puente ofrece las siguientes ventajas:
– El valor del condensador para un cierto rizado, es la mitad; con lo cual se reduce el
tamaño y el precio del sistema.
– La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para el de
media onda, reduciendo así el espacio ocupado por los diodos y el coste del diseño.
π / 2
) ( m DC O
V V =
in out
f f 2 =
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FILTRADO DE LA SEÑAL RECTIFICADA
• La tensión de salida de un rectificador tiene una componente continua (valor
medio), y una parte fluctuante (componentes senoidales de varias frecuencias
o armónicos).
• Se utilizan filtros de continua: L, C y LC. (L y LC en fuentes de alimentación; C
en circuitos integrados).
• Análisis de un filtro L (superposición):
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• En el circuito de continua, el valor de la tensión corresponde a la tensión
media. A 0Hz la reactancia inductiva es cero.
• Al aumentar la frecuencia XL se hace más grande (XL aumenta con el número
de armónico)
• El filtro L produce una tensión de salida continua igual al valor medio de la
tensión rectificada.
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FILTRO CON CONDENSADOR A LA ENTRADA
• El condensador permite el paso de bajas
frecuencias hacia la carga, e impide el paso de
las altas frecuencias. (Filtro Paso Bajo).
• El diodo sólo conducirá cuando la tensión de
entrada sea superior a la tensión mantenida por
el condensador.
• Mientras la constante de tiempo R
load
C sea
mucho mayor que el periodo, el condensador
permanece casi totalmente cargado y la tensión
en la carga es aproximadamente Vm
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en la carga es aproximadamente Vm
• Se obtiene una componente continua, y sobre
ella, una componente alterna, cuyo valor de
rizado máximo depende del filtro,
• El valor del rizado será:
y en valor eficaz, el rizado es:
siendo F = fin (Hz) en m.o. y 2fin en o.c. y p.d.
CF
I
V
ef r
2 2
) (
=
FC I V T I Q C V Q
r r
/ , = ⇒ ⋅ = ⋅ =
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CIRCUITOS RECTIFICADORES. VOLTAJE DE PICO INVERSA
p
V VPI 2 =
t sen V v
p
ω =
2
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p
V VPI =
p
V VPI =
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
CIRCUITOS RECORTADORES
• Los circuitos recortadores son
aquellos que recortan una porción
de la señal de entrada.
• En el ejemplo, si la tensión de
entrada es superior a 6v, o inferior
a –9v, recorta a dichos valores la
señal de salida.
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señal de salida.
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CIRCUITOS FIJADORES
• Añaden una componente continua a una señal de entrada de CA.
• Se obliga a los picos a tener un valor especificado.
• En el ejemplo, el condensador desacopla la señal de entrada CA de la
alimentación DC. Si la señal de entrada intenta forzar un valor de
tensión superior a –5V, el diodo entrará en conducción.
• El condensador se carga con la tensión máxima de la fuente, y en el
siguiente ciclo el diodo no conduce y el condensador se encontrará en
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siguiente ciclo el diodo no conduce y el condensador se encontrará en
serie con la fuente.
• La constante de tiempo
RC debe ser unas 10
veces mayor que el
periodo de la señal.
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
• En el ejemplo, se muestra como crear dos puertas lógicas de 3
entradas haciendo uso de diodos.
CIRCUITOS LOGICOS CON DIODOS
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• No todas las funciones lógicas se pueden realizar con diodos; por
ejemplo, el inversor.
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
DIODOS ZENER O DIODOS DE AVALANCHA
• Trabajan en la zona de ruptura inversa. Dos tipos:
– Ruptura de avalancha (Aprox. Vz <= 5v).
– Ruptura zener (Aprox. Vz > 5v).
• Se usan para mantener constante la tensión en un punto.
• Características del diodo zener:
– 1.8 v < Vz < 200 v (comercialmente)
– Pmax: potencia máxima del diodo zener.
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– Pmax: potencia máxima del diodo zener.
– Izmin: intensidad mínima que polariza el zener en inversa.
– Izmax: Pmax / Vz
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MODELO DEL DIODO ZENER CON DIODOS IDEALES
• En este modelo, se sustituye el
zener por dos diodos ideales en
paralelo, incluyendo en la rama
inversa una fuente de tensión con
valor la tensión zener.
• Se le puede incluir en serie una Rz.
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• Se le puede incluir en serie una Rz.
Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4
ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER
• Los reguladores de tensión se
utilizan para suministrar una
tensión constante a la carga,
aunque fluctúe la tensión de
alimentación.
• La regulación de entrada:
• La regulación de carga:
% 100 Re
arg
×


=
SS
a c
V
V
fuente gulación
% 100 arg Re
arg arg sin
×

=
a c plena a c
V
V V
a c gulación
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• La regulación de carga:
arga c plena
V
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ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER
• Características Zener:
– Vz: tensión zener
– Izk: intensidad zener mínima para superar la “rodilla” de la
característica y mantener así la Vz
– Izt: intensidad de prueba.
– Izm: intensidad zener máxima.
• Polarización y cálculo de R (valor óhmico y potencia).
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• Polarización y cálculo de R (valor óhmico y potencia).
• Cálculo de la Rcmin.
• Cálculo de la Vin máxima y mínima para R dado.
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ESTABILIZACION DE TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER
• Si en el circuito anterior, R=1k, y se utiliza un zener con las
características del gráfico. Determinar la tensión de salida para Vss =
15 v y para 20 voltios. Determinar el porcentaje de regulación de
entrada.
% 10 % 100
5
5 . 0
% 100 Re = =


= x x
V
V
entrada de gulación
SS
CARGA
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CONMUTACION Y COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA
• Los dispositivos electrónicos de alta velocidad precisan que el cambio
de estados de conducción y no conducción sea rápido.
• El almacenamiento de carga (capacidad) de la unión pn, afectará
negativamente a dicho requisito.
• La capacidad (no lineal) en una unión pn se puede deber a:
– Capacidad de transición: está asociada al almacenamiento de carga en
la zona de carga espacial, en polarización inversa.
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la zona de carga espacial, en polarización inversa.
– Capacidad de difusión: aparece a causa de los portadores minoritarios
almacenados en los lados opuestos de la unión con polarización directa.
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CAPACIDAD DEL DIODO - CONMUTACION
• A medida que la tensión de polarización inversa aumenta, la carga
almacenada en la zona de carga espacial también aumenta.
• La carga en la zona espacial es similar a la carga almacenada en un
condensador de placas paralelas.
– Cj: capacidad de transición.
– Cdif: capacidad de difusión.
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CONTENIDO • • • • • Introducción Conceptos básicos de semiconductores. Unión pn. Diodo real. Ecuación del diodo. Recta de carga. Diodos zener. Modelos del diodo
– Modelo del diodo ideal. – Modelo completo del diodo. – Modelo del diodo zener.

• Otros tipos de diodos. • Circuitos con diodos
– – – – Rectificadores. Filtrado. Circuitos recortadores. Circuitos fijadores. Circuitos lógicos con diodos.

• Estabilizadores de tensión zener. • Conmutación y comportamiento en alta frecuencia. Capacidades.
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Tema 2. Circuitos con Diodos. rev4

INTRODUCCION • El diodo es el dispositivo electrónico más simple. Es un semiconductor de dos terminales (Ánodo y Cátodo) que ofrece una baja resistencia del orden de los m en una polarización y del orden de los G en la otra. Esto lo convierte en un componente adecuado como rectificador. • El diodo exhibe una relación no lineal entre la tensión entre sus terminales y la corriente que circula por él. En el análisis de circuitos con diodos, se pueden realizar algunas aproximaciones que faciliten la resolución del sistema. • Se estudian también algunos diodos de uso especial, como son los zener, LED, fotodiodos y Schottky. • Los diodos permiten desarrollar circuitos con distintas aplicaciones, destacando la rectificación, en cualquiera de sus variantes.

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Circuitos con Diodos. Electrones de la capa de valencia (grupo 4).Tema 2. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 4 . – Generación: a mayor temperatura. no existen electrones libres. mayor velocidad de generación de electrones libres y huecos (energía térmica). – Concentración de huecos (np) igual a concentración de electrones libres (ni) en un material puro. • Semiconductor Intrínseco (puro) – Cada par de átomos forma un enlace covalente con cada uno de los cuatro átomos cercanos (disposición tetraédrica). – Ambos tipos de portadores contribuyen al flujo de corriente. rev4 CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS • Materiales válidos para la fabricación de dispositivos electrónicos de estado sólido: silicio. – A 300º K. (Tiene mayor R que un conductor eléctrico). los electrones libres permiten flujo de una corriente si se aplica una ddp. – La conductividad de un semiconductor intrínseco aumenta con la Tª. – A 0º K. – Recombinación: el hueco y el electrón libre se combinan formando un enlace covalente. germanio y arseniuro de galio.

• p concentración de huecos • Nd concentración átomos donantes. Se cumple que el producto de la concentración de huecos por la de electrones libres es constante a una temperatura dada: – En el material intrínseco: pn = pi ni ⇒ pn = ni2 pi = ni Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 5 .Tema 2. Minoritarios (electrones). • Na concentración átomos aceptadores NA + n = p • Ley de acción de masas: en un tipo n. Portadores mayoritarios (huecos). rev4 CONCEPTOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS • Semiconductor Extrínseco (impurificado) – Tipo N: impurezas donantes de electrones. n = p + ND • n concentración de electrones. Portadores minoritarios (huecos). – Tipo P: impurezas aceptadoras de electrones (aportan huecos). Circuitos con Diodos. Portadores mayoritarios (electrones). el valor de p se reduce (mayor probabilidad de recombinación).

inicia un proceso de difusión. Circuitos con Diodos. • El elevado gradiente de concentración hueco-electrón a lo largo de la unión.Tema 2. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 6 . creando una zona de carga espacial en la zona de unión. se tendría una distribución de portadores según se indica en la figura. Si estuviera formado por dos cristales independientes. antes de conformar físicamente la unión. rev4 UNION pn NO POLARIZADA • • Una unión pn consiste en un único cristal semiconductor al cual se le han añadido impurezas de manera que se obtiene un zona p y otra n.

El efecto principal del campo eléctrico de la zona de carga espacial es una barrera de potencial que impide la circulación de electrones.Tema 2. Circuitos con Diodos. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 7 . rev4 DIFUSION PORTADORES EN UNION NO POLARIZADA La zona de carga espacial surge por la difusión de portadores mayoritarios desde las zonas de mayor a menor concentración.

también aumentará el valor de la corriente inversa. la corriente de los portadores mayoritarios se reduce casi a cero. • Si la tensión externa inversa es mayor de unas décimas de voltio. un gran flujo de corriente inversa. • Los portadores mayoritarios son atraídos por cada uno de los terminales del generador. si la tensión aplicada aumenta la zona de carga espacial. la corriente inversa estará formada por los portadores minoritarios. da lugar a una corriente pequeña.Tema 2. y por tanto. al depender la concentración de los portadores minoritarios de la generación térmica. que al ser muy pocos. Si la tensión inversa es suficientemente alta. lo que produce una gran cantidad de pares hueco-electrón. a medida que aumente ésta. rev4 UNION PN EN POLARIZACION INVERSA Un diodo está inversamente polarizado. Sin embargo. e independiente del valor de la tensión inversa aplicada. Así. el campo eléctrico es capaz de romper los enlaces covalentes. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia • • • • 8 . Circuitos con Diodos.

la corriente predominante corresponde a los huecos en la zona p. y a los electrones en la zona n. A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unión. Circuitos con Diodos.Tema 2. rev4 UNION PN EN POLARIZACION DIRECTA • • La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los huecos. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 9 . y la debida a los electrones.

En Inversa. al alcanzar la región de ruptura o zona de avalancha. • • • En Directa la corriente fluye con facilidad. – Polarización DIRECTA: • Si Vd es > 0 voltios. If(rms): corriente eficaz directa Vf: caída de tensión directa. Designación características: – – – – Vr: tensión inversa. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 10 . Circuitos con Diodos.CARACTERISTICAS • Característica del diodo. If(av): corriente media directa. el flujo de corriente es elevado siempre y cuando no se exceda la potencia máxima de disipación. rev4 DIODO REAL . – Polarización INVERSA: • Si Vd < 0 voltios. – Posee dos terminales (Ánodo y Cátodo).Tema 2.

6 a 0. los diodos de Si de pequeña señal conducen muy poca corriente (menos de 1 mA) hasta que se aplica una tensión de 0. rev4 DIODO REAL – ECUACION DEL DIODO iD = I S (e vD / nVT − 1) • La ecuación del diodo (ecuación de Shockley) es: • Donde: – La tensión térmica es – Is es la corriente de saturación inversa. • La respuesta del diodo de Si a variaciones de temperatura es de aproximadamente -2 mV/ºK. Circuitos con Diodos. • En la región inversa la corriente es aproximadamente de 1 nA. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 11 . la corriente aumenta rápidamente. VT = k T / q • En la región de polarización directa. • A partir de dicha tensión (Vumbral). Existen diodos especiales para trabajar en dicha zona (diodos Zener). también aumenta la I. Si T aumenta.7 voltios (a temperatura ambiente). • En la zona de ruptura. – n es el coeficiente de emisión entre 1 y 2.Tema 2. la corriente incrementa rápidamente a pequeños aumentos de tensión.

El punto de trabajo es la intersección entre la característica del diodo y la recta de carga. R y la curva característica del diodo. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 12 ..Polarización diodo. se obtiene la recta de carga. (pto B) • Fig. rev4 DIODO REAL – RECTA DE CARGA • • Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff: VSS = RiD + vD Conocido el valor de Vss. . se puede obtener el punto de trabajo del circuito.Tema 2. (pto A) – Si Vd = 0 -> id = Vss / R. La recta de carga se obtiene a partir de los puntos de corte de la ecuación obtenida con los ejes coordenados: – Si id = 0 -> Vd = Vss. Circuitos con Diodos. • • Uniendo los dos puntos A y B.

rev4 RESISTENCIA DINAMICA DEL DIODO • En la zona de polarización positiva. Circuitos con Diodos. su comportamiento se aproximará al de una −1 resistencia según:  di   r d =  D      dvD  Q    diD I = S e nVT dvD nVT vD vD nVT como e = iD +1 IS sustituyendo y sup oniendo I S << I D diD iD + I S i = ≈ D dvD nVT nVT Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 13 . Si se sobrepasa la Vu. la pendiente de la curva se modifica según sea el punto Q en el que se encuentre el diodo. y por tanto. la pendiente es muy grande. y superponiendo una pequeña señal alterna.Tema 2. su resistencia será elevada. Así. por tanto. antes de Vumbral la pendiente de la recta que se aproxima a la característica tiende a cero (conductancia). • Suponiendo que la tensión continua de alimentación hace que el diodo trabaje en un punto de reposo. la resistencia reducida. punto Q.

se representa la característica i v de un diodo ideal. • En el análisis con diodos ideales. el diodo se comporta como un circuito abierto. (R = infinito) • • En la Fig. el diodo actúa como un cortocircuito. la suposición inicial será correcta. Obsérvese. Circuitos con Diodos. rev4 DIODO IDEAL • Es un modelo útil que permite simplificar el análisis por medio de las siguientes aproximaciones: – En polarización directa. (R = 0 ohmios). Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 14 . .Tema 2. si id es positiva en los diodos en conducción. Posteriormente. – En polarización inversa. primero se supondrá cuales están en corte y en conducción. que en este modelo no existe una tensión umbral en directa necesaria para el inicio de la conducción de corriente. y Vd negativa en los supuestamente en corte.

Circuitos con Diodos.Tema 2. y la resistencia en directa. en serie con una fuente de tensión de valor la tensión umbral. rev4 MODELO COMPLETO DEL DIODO • En este modelo. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 15 . se sustituye el diodo por un diodo ideal.

– Si se polariza en inversa. (Es debida a los pares hueco-electrón generados por los fotones). Verde. aproximadamente. – La caída de tensión en directa está en el rango de 1. que trabaja como un diodo común. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 16 . • • Diodo Schottky – Se usan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida. rev4 OTROS TIPOS DE DIODOS • Diodos LED (Light Emiter Diode – Diodo Emisor de Luz) – El diodo LED es un tipo especial de diodo. Existen diodos led Rojos.2 voltios. Circuitos con Diodos. • Fotodiodos – Realiza la función inversa al LED. Diodo Zener – Trabajan en la zona de ruptura inversa. Amarillos.5 voltios a 2.Tema 2. – Existen diodos que emiten luz de diferentes longitud de onda según el material del que están construidos. la cantidad de corriente inversa será proporcional a la intensidad incidente. pero que al ser atravesado por una corriente emite luz proporcionalmente a la cantidad de corriente que circula. y recibe energía luminosa. Ambar e Infrarrojos.

Tema 2. rev4 CIRCUITOS CON DIODOS • Ejemplo análisis de un circuito simple con diodos: Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 17 . Circuitos con Diodos.

Tema 2. Circuitos con Diodos. • Con puente de diodos (cuatro diodos). rev4 CIRCUITOS RECTIFICADORES • Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente continua (unidireccional). También se conoce como convertidor AC-DC • Tipos: – Rectificadores de media onda – Rectificadores de onda completa • Con trafo de toma intermedia (dos diodos). • Conceptos básicos de Transformadores Ideales – Trafo – Trafo con toma intermedia • Relación Vmax & Vef Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 18 .

• Diodo ideal 0. la caída de tensión la acapara el diodo por no circular corriente.7 V). a los dos casos anteriores. En este intervalo el diodo soporta la tensión inversa impuesta por la entrada. se obtiene: – En directa.Tema 2. Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff. prácticamente la caída de tensión de la alimentación está en bornes de la carga.7 V Vmsen (ω t) Diodo real (b) Tensión de la fuente en función del tiempo (c) Tensión de la carga en función del tiempo 19 (a) Diagrama del circuito Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia . el diodo se encuentra polarizado en directa. y conducirá la corriente (caída de 0. el diodo se polariza inversamente. – En inversa. Cuando la tensión es negativa. Circuitos con Diodos. no dejando pasar corriente. rev4 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA • • Cuando la tensión es positiva (intervalo 0 ≤ ωt ≤ π ).

rev4 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA • La tensión de entrada es senoidal según: vS = Vm sen ωt • El valor medio de la tensión Vo(dc) se obtiene realizando la integral: VO ( DC ) 1 = 2π ∫ π 0 1 vO d (ωt ) = 2π ∫ π 0 Vm sen ωt d (ωt ) = Vm π = 0. Circuitos con Diodos.318Vm • La corriente media para una carga resistiva R. se obtiene por la Ley de Ohm.5Vm 2 2 m 2 • La frecuencia de salida es igual a la de entrada Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 20 . • El valor de la tensión eficaz (rms) será: VO ( rms ) 1 = 2π ∫ π 0 Vm V sen ωt d (ωt ) = = 0.Tema 2.

el diodo B conduce rectificando la señal. Voltaje medio o de continua: • • • VO ( DC ) = • Frecuencia de salida 2Vm π f out = 2 f in Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 21 . Durante el ciclo positivo. conduce el diodo A. durante el ciclo negativo. Circuitos con Diodos. El trafo aísla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de entrada. rev4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRAFO DE TOMA INTERMEDIA • Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensión desfasadas 180º.Tema 2.

los diodos D y C conducen. reduciendo así el espacio ocupado por los diodos y el coste del diseño. Circuitos con Diodos. • • • Valor medio VO ( DC ) = 2Vm / π f out = 2 f in Frecuencia de salida La configuración en Puente ofrece las siguientes ventajas: – – El valor del condensador para un cierto rizado.Tema 2. los diodos A y B conducen. con lo cual se reduce el tamaño y el precio del sistema. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 22 . rev4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE DE DIODOS • • Ciclo positivo de la entrada. La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para el de media onda. Ciclo negativo de la entrada. es la mitad.

(L y LC en fuentes de alimentación. C en circuitos integrados). Al aumentar la frecuencia XL se hace más grande (XL aumenta con el número de armónico) El filtro L produce una tensión de salida continua igual al valor medio de la tensión rectificada. y una parte fluctuante (componentes senoidales de varias frecuencias o armónicos).Tema 2. rev4 FILTRADO DE LA SEÑAL RECTIFICADA • La tensión de salida de un rectificador tiene una componente continua (valor medio). C y LC. Análisis de un filtro L (superposición): • • • • • En el circuito de continua. el valor de la tensión corresponde a la tensión media. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 23 . A 0Hz la reactancia inductiva es cero. Se utilizan filtros de continua: L. Circuitos con Diodos.

Circuitos con Diodos. rev4 FILTRO CON CONDENSADOR A LA ENTRADA • El condensador permite el paso de bajas frecuencias hacia la carga. Q = I ⋅ T ⇒ Vr = I / FC Vr ( ef ) = I 2 2CF siendo F = fin (Hz) en m. y p. y 2fin en o. y sobre ella. e impide el paso de las altas frecuencias. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 24 . el condensador permanece casi totalmente cargado y la tensión en la carga es aproximadamente Vm Se obtiene una componente continua. cuyo valor de rizado máximo depende del filtro. El diodo sólo conducirá cuando la tensión de entrada sea superior a la tensión mantenida por el condensador.o. el rizado es: • • • • Q = Vr ⋅ C . El valor del rizado será: y en valor eficaz.Tema 2. una componente alterna.d.c. Mientras la constante de tiempo RloadC sea mucho mayor que el periodo. (Filtro Paso Bajo).

rev4 CIRCUITOS RECTIFICADORES. Circuitos con Diodos.Tema 2. VOLTAJE DE PICO INVERSA v2 = V p sen ωt VPI = 2V p VPI = V p VPI = V p Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 25 .

si la tensión de entrada es superior a 6v. rev4 CIRCUITOS RECORTADORES • Los circuitos recortadores son aquellos que recortan una porción de la señal de entrada.Tema 2. • En el ejemplo. o inferior a –9v. recorta a dichos valores la señal de salida. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 26 . Circuitos con Diodos.

Tema 2. • La constante de tiempo RC debe ser unas 10 veces mayor que el periodo de la señal. el condensador desacopla la señal de entrada CA de la alimentación DC. el diodo entrará en conducción. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 27 . Si la señal de entrada intenta forzar un valor de tensión superior a –5V. • Se obliga a los picos a tener un valor especificado. • En el ejemplo. • El condensador se carga con la tensión máxima de la fuente. rev4 CIRCUITOS FIJADORES • Añaden una componente continua a una señal de entrada de CA. Circuitos con Diodos. y en el siguiente ciclo el diodo no conduce y el condensador se encontrará en serie con la fuente.

Tema 2. por ejemplo. Circuitos con Diodos. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 28 . • No todas las funciones lógicas se pueden realizar con diodos. el inversor. rev4 CIRCUITOS LOGICOS CON DIODOS • En el ejemplo. se muestra como crear dos puertas lógicas de 3 entradas haciendo uso de diodos.

Vz > 5v). Dos tipos: – Ruptura de avalancha (Aprox.Tema 2.8 v < Vz < 200 v (comercialmente) Pmax: potencia máxima del diodo zener. rev4 DIODOS ZENER O DIODOS DE AVALANCHA • Trabajan en la zona de ruptura inversa. • Se usan para mantener constante la tensión en un punto. Izmin: intensidad mínima que polariza el zener en inversa. Circuitos con Diodos. Vz <= 5v). • Características del diodo zener: – – – – 1. – Ruptura zener (Aprox. Izmax: Pmax / Vz Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 29 .

se sustituye el zener por dos diodos ideales en paralelo. Circuitos con Diodos. Se le puede incluir en serie una Rz. rev4 MODELO DEL DIODO ZENER CON DIODOS IDEALES • • En este modelo.Tema 2. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 30 . incluyendo en la rama inversa una fuente de tensión con valor la tensión zener.

Tema 2. ∆Vc arg a ×100% aunque fluctúe la tensión de Re gulación fuente = ∆VSS alimentación. La regulación de entrada: • • Re gulación c arg a = La regulación de carga: Vsin c arg a − V plena c arg a V plena c arg a ×100% Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 31 . Circuitos con Diodos. rev4 ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER • Los reguladores de tensión se utilizan para suministrar una tensión constante a la carga.

Tema 2. • Cálculo de la Rcmin. rev4 ESTABILIZACION DE LA TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER • Características Zener: – Vz: tensión zener – Izk: intensidad zener mínima para superar la “rodilla” de la característica y mantener así la Vz – Izt: intensidad de prueba. • Polarización y cálculo de R (valor óhmico y potencia). Circuitos con Diodos. – Izm: intensidad zener máxima. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 32 . • Cálculo de la Vin máxima y mínima para R dado.

y se utiliza un zener con las características del gráfico. R=1k.5 x 100% = x100% = 10% ∆VSS 5 Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 33 . rev4 ESTABILIZACION DE TENSION DE SALIDA MEDIANTE ZENER • Si en el circuito anterior. Circuitos con Diodos. Determinar la tensión de salida para Vss = 15 v y para 20 voltios. Determinar el porcentaje de regulación de entrada.Tema 2. Re gulación de entrada = ∆VCARGA 0.

Tema 2. • El almacenamiento de carga (capacidad) de la unión pn. en polarización inversa. Circuitos con Diodos. afectará negativamente a dicho requisito. – Capacidad de difusión: aparece a causa de los portadores minoritarios almacenados en los lados opuestos de la unión con polarización directa. Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 34 . • La capacidad (no lineal) en una unión pn se puede deber a: – Capacidad de transición: está asociada al almacenamiento de carga en la zona de carga espacial. rev4 CONMUTACION Y COMPORTAMIENTO EN ALTA FRECUENCIA • Los dispositivos electrónicos de alta velocidad precisan que el cambio de estados de conducción y no conducción sea rápido.

Departamento de Ingeniería de la Información y Comunicaciones Universidad de Murcia 35 . rev4 CAPACIDAD DEL DIODO . Circuitos con Diodos. • La carga en la zona espacial es similar a la carga almacenada en un condensador de placas paralelas.Tema 2.CONMUTACION • A medida que la tensión de polarización inversa aumenta. la carga almacenada en la zona de carga espacial también aumenta. – Cj: capacidad de transición. – Cdif: capacidad de difusión.

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