KEGIATAN BELAJAR 1

PENGERTIAN SEMIKONDUKTOR
Lembar Informasi 1. Struktur Atom Semikonduktor Operasi semua komponen benda padat seperti dioda, LED,

Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya (solid state) didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Secara umum

semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnit, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitive. Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga Dalam struktur atom, mengelilingi inti.

partikel dasar, yaitu: neutron, proton, dan elektron. sedangkan elektron-elektron yang bermuatan

proton dan neutron membentuk inti atom yang bermuatan positip dan negatip

Elektron-elektron ini tersusun berlapis-lapis. silikon dan germanium.

Struktur atom dengan model

Bohr dari bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan adalah

Gambar 1. Struktur Atom (a) Silikon; (b) Germanium 1

Seperti ditunjukkan pada Gambar 1 atom silikon mempunyai elektron yang mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom germanium mempunyai 32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral)
-19

jumlah elektron dalam orbit sama dengan jumlah proton dalam inti. Muatan listrik sebuah elektron adalah: - 1.602 proton adalah: + 1.602
-19

C dan muatan sebuah

C.

Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron valensi. valensi. Atom silikon dan germanium masing mempunyai empat elektron Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium Empat elektron

disebut juga dengan atom tetra-valent (bervalensi empat).

valensi tersebut terikat dalam struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron valensi akan membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atom-atom yang bersebelahan. pembahasan. Si elektron valensi Si Si Si Si Si Struktur kisi-kisi kristal silikon murni dapat pada Gambar 2 guna memudahkan digambarkan secara dua dimensi

ikatan kovalen

Si

Si

Si

Gambar 2. Struktur Kristal Silikon dengan Ikatan Kovalen

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja elektron valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi apabila diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut

2

cukup kuat untuk memisahkan elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut menjadi bebas atau disebut dengan elektron bebas. ruang terdapat kurang lebih 1.5 x 10
10

Pada suhu
3

elektron bebas dalam 1 cm bahan elektron bebas pada germanium.

silikon murni (intrinsik) dan 2.5 x 10

13

Semakin besar energi panas yang diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen, dengan kata lain konduktivitas bahan meningkat. 2. Semikonduktor Tipe N Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping)

dengan bahan bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut. Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian

(impuritas) bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan dopan yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, Struktur kisi-kisi kristal bahan silikon type n dapat dilihat pada Si Si Si dan pospor. Gambar 3.

Si atom antimoni (Sb) Si

Sb

Si elektron valensi kelima

Si

Si

Gambar 3. Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe N 3

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi mendapatkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon

sedangkan elektron valensi yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom depan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi lima disebut dengan atom donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya. Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas) cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. jumlah elektron bebasnya (pembawa Pada bahan type n disamping mayoritas) meningkat, ternyata

jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun.

Hal ini disebabkan karena

dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun. Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti pada Gambar 4. Jarak antara pita konduksi dengan

level energi donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. bebas. Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka semua

elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi elektron
energi

pita konduksi 0.01eV (Ge); 0.05eV (Si) level energi donor Eg = 0.67eV (Ge); 1.1eV (Si)

pita valensi

Gambar 4. Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N 4

maka menjadi ion yang bermuatan positip. Dan pembawa minoritasnya + ion donor + + + + + + pembawa mayoritas + Gambar 5. Dengan demikian sebuah atom bervalensi tiga Atom bervalensi tiga (trivalent) akan menyumbangkan sebuah hole. disebut juga atom akseptor. maka akan diperoleh semikonduktor type p. Struktur kisi-kisi kristal semikonduktor (silikon) type p adalah seperti Gambar 6. karena atom ini siap untuk menerima elektron. Karena bisa dipenuhi. Karena jumlah hole dan 5 . pembawa minoritas digambarkan dengan tanda positip. Bahan dopan yang bervalensi tiga tersebut dan indium. secara keseluruhan kristal semikonduktor type n ini adalah netral. galium. Bahan Semikonduktor Tipe N 3. Sehingga berupa hole. Karena atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi elektron bebas). Semikonduktor Tipe P Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ketidak-murnian) bervalensi tiga. atom dopan mempunyai tiga elektron valensi. Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas. Seperti halnya pada semikonduktor type n. dalam Gambar 6 adalah atom Boron (B) .Bahan semikonduktor type n dapat dilukiskan seperti pada Gambar 5. maka hanya tiga ikatan kovalen yang Sedangkan tempat yang seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong (membentuk hole) dan bisa ditempati oleh elektron valensi lain. misalnya boron.

Sehingga digambarkan dengan tanda 6 . Karena atom-atom akseptor telah menerima elektron. muatan mayoritas.elektronnya sama. Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe P Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada Gambar 7. maka menjadi ion yang bermuatan negatip.05 eV untuk silikon. Si Si Si Si atom Boron (B) B Si hole Si Si Si Gambar 6. Dengan demikian hanya dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi elektron valensi untuk Oleh karena itu pada suhur ruang banyak sekali jumlah hole di pita valensi yang merupakan pembawa muatan. Jarak antara level energi akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron. Bahan semikonduktor type p dapat dilukiskan seperti pada Gambar 8. meningkatkan jumlah Pada bahan type p. hole merupakan pembawa Karena dengan penambahan atom dopan akan hole sebagai pembawa muatan. menempati hole di level energi akseptor.01 eV untuk germanium dan 0.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe P pembawa minoritas ion akseptor - pembawa mayoritas - - Gambar 8. 0. 1.05eV (Si) pita valensi Gambar 7. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor intrinsik? 4.negatip. Pembawa mayoritas berupa hole dan pembawa minoritasnya berupa elektron.01eV (Ge). Apa arti dari elektron valensi? 3. Bahan Semikonduktor Tipe P Lembar Latihan 1. Jelaskan pengertian dari bahan semikonduktor! 2. Sebutkan beberapa contoh semikonduktor bervalensi tiga! 7 .67eV (Ge).1eV (Si) level energi akseptor 0. energi pita konduksi Eg = 0.

sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (depletion region). Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling meniadakan. (b) Daerah Pengosongan. (c) Simbol Dioda 8 .KEGIATAN BELAJAR 2 KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR Lembar Informasi 1. hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung untuk berkombinasi. Dioda Semikonduktor Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor type p dan type n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n. Struktur Dioda Semikonduktor (a) Pembentukan Sambungan. ion akseptor ion donor (a) - tipe p - + + + + + + + + tipe n elektron dan hole berkombinasi daerah pengosongan (b) tipe p - - - + + + + + + + + + + + + + tipe n (c) Anoda (A) Katoda (K) Gambar 9.

Dioda Diberi Bias Mundur Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi tegangan negatip. Namun proses ini tidak berlangsung terus. ekivalen pada daerah pengosongan ini penghalang (barrier potential). K mundur adalah pemberian tegangan negatip baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu Dengan kata lain. maka elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup positip baterai menjauhi persambungan.2 untuk germanium dan 0. Sehingga daerah pengosongan 9 . tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip (VA< 0). daerah pengosongan A tipe p - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + K Is tipe n A + K Gambar 10. Lihat Gambar 9. Demikian juga karena pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan positip. maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup negatip baterai menjauhi persambungan. Tegangan atau potensial dengan tegangan disebut Besarnya tegangan penghalang ini adalah 0. Bias Mundur (Reverse Bias) Bias dioda. Gambar 10 menunjukkan dioda diberi bias mundur. karena potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan mengahalanginya. 2.6 untuk silikon.Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatip dan pada sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip.

maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias). Pada suhu ruang. daerah pengosongan A yang disebabkan oleh pembawa mayoritas akan mengalir. makin besar harga Is. Besarnya arus ini dipengaruhi oleh Makin tinggi temperatur. maka pembawa mayoritas dari bahan tipe p (hole) akan tertarik oleh kutup dengan negatip elektron baterai melewati persambungan bahan tipe dan n). Dengan pemberian polaritas tegangan seperti pada Gambar 11. Bias Maju (Foward Bias) Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke terminal katoda (K). Arus ini dikatakan jenuh karena dengan cepat mencapai harga maksimum tanpa dipengaruhi besarnya temperatur. Gambar 11 menunjukan dioda diberi bias maju.semakin lebar. dan dalam skala nano-amper untuk dioda silikon. yakni VA-K positip. Oleh karena itu daerah pengosongan terlihat Dan arus dioda semakin menyempit pada saat dioda diberi bias maju. Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan tipe p) dan hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir arus jenuh mundur (reverse saturation current) atau Is. besarnya Is ini dalam skala mikro-amper untuk dioda germanium. berkombinasi (pembawa mayoritas Demikian juga elektronnya akan tertarik oleh kutup positip baterai untuk melewati persambungan. yaitu ID. Dioda Diberi Bias Maju 10 . dan arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir. A tipe p - - + + + + + + + + + + + + K ID tipe n K + - Gambar 11. tegangan baterai. 3. Dengan demikian VA-K adalah positip atau VA-K > 0.

sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (elektron) dan dari bahan tipe n (hole) akan berkombinasi dan menghasilkan Is. Kurva Karakteristik Dioda Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K dapat dilihat pada kurva karakteristik dioda (Gambar 12). maka potensial penghalang (barrier potential) pada persambungan akan teratasi. Tegangan cut-in (Vγ) ini kira-kira sebesar Dengan 0.2 Is(Ge)=1µA Si Ge 0. yakni bila VA-K positip. yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si).2 Volt untuk dioda germanium dan 0. Gambar 12 menunjukan dua macam kurva.6 VA-K (Volt) Gambar 12. Pada saat dioda diberi bias maju. maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vγ). maka secara praktis besarnya arus yang mengalir pada dioda ditentukan oleh ID. 4. pemberian tegangan baterai sebesar ini. Arah Is dan ID adalah berlawanan.6 Volt untuk dioda silikon. ID (mA) Ge Si Is(Si)=10nA 0. Kurva Karakteristik Dioda 11 . Namun karena Is jauh lebih kecil dari pada ID.

VD = beda tegangan pada dioda (volt) n = konstanta. yaitu: ID = Is [e dimana: ID = arus dioda (amper) Is = arus jenuh mundur (amper) e = bilangan natural. Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus. Sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA. dua kurva. Disini juga terdapat Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda germanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah 1 µA.VT) . 1 untuk Ge. yaitu untuk dioda germanium dan silikon. Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan (VD/n. Pada saat mencapai tegangan break-down ini. Shockley. tegangan break-down ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.1] 12 .Bagian kiri bawah dari grafik pada Gambar 12 merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan bias mundur. dan ≈ 2 untuk Si VT = tegangan ekivalen temperatur (volt) Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur. Kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang Pada dioda biasa pencapaian lainnya sehingga arusnya semakin besar.. maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (breakdown) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba. tingkat doping dan geometri dioda. pembawa minoritas dipercepat hingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom.. 2.71828.

Namun karena dalam pemakaian suatu komponen dioda. Voltmeter dan Amperemeter DC…………………………1 unit 13 .parameter persamaan: fisik dioda. Diode 1N 4002……………………………………………. faktor doping dan persambungan adalah tetap. Sedangkan harga VT ditentukan dengan kT VT =  q dimana: k = konstanta Boltzmann.381 x 10-23 J/K (J/K artinya joule per derajat kelvin) T = temperatur mutlak (kelvin) q = muatan sebuah elektron. Lembar Kerja Alat dan Bahan: 1.602 x 10-19 C o C atau 273 + 25 = 298 K. Sumber Daya 12 V DC…………………………………… 1 Unit 3. Lampu LED…………………………………………………1 buah 4. Is. dan temperatur.602 x 10-19 C Pada temperatur ruang. maka yang perlu mendapat perhatian serius adalah pengaruh temperatur. 1. Sebagaimana telah disebutkan bahwa arus jenuh mundur. 25 besarnya VT yaitu: (1. 1.02569 J/C ≅ 26 mV Harga VT adalah 26 mV ini perlu diingat untuk pembicaraan selanjutnya. persambungan. dapat dihitung = 0. 1 buah 2. dipengaruhi oleh beberapa faktor seperti: doping.381 x 10-23 J/K)(298K) VT =  1.

4.Kesehatan dan Keselamatan Kerja 1. Hati-hati dalam penggunaan peralatan pratikum!.0 untuk rangkaian dibawah Simpul No. . 3. Langkah Kerja: 1. Setelah dinilai benar hubungkan dengan sumber tegangan DC 12 Volt. simpul pengukuran yang diamati adalah: • adalah: • Simpul No. Untuk pengukuran arus. Bacalah dan pahami petunjuk pratikum pada lembar kegiatan belajar!. 2 s/d No. 5 ini. Siapkanlah Gambar rangkaian serta alat dan bahan yang diperlukan pada rangkaian dibawah ini ! 1 . 2 s/d No. 2 Lampu LED X 0 2. Rakitlah rangkaian seperti Gambar diode tidak terbalik anode dan rangkaian pada instruktur ! di atas. . simpul pengukuran yang diamati 6. 0 14 . Lakukanlah kembali langkah No. usahakan agar komponen katodenya dan periksakan hasil 3. 2 Sedangkan pengukuran tegangan. 2. serta masukkan data pengamatan pada Tabel 1! 1 2 X Lampu LED . Lakukanlah pengamatan pada simpul pengukuran yang ada serta catatlah hasil pengukuran tersebut pada Tabel 1! 5. Periksalah terlebih dahulu semua komponen aktif maupun pasif sebelum digunakan !.

2. Bias maju Bias mundur A1 (Ampere) (2) Keterangan (Kondisi Lampu) Lembar Latihan 1. Tabel 1. Bagaimana arus pada dioda yang diberi bias maju? 15 . Bagaimana dioda semikonduktor dibentuk? 2.7. Bagaimana arus pada dioda yang diberi bias mundur? 3. Pengamatan Diode No. Kondisi yang diamati V1 (Volt) (2-0) 1. Jika telah selesai semua maka lepaskan sumber DC dari rangkaian dan kembalikan semua alat dan bahan ke tempat semula.

707 Vm √2 Tegangan (arus) efektif atau rms (root-mean-square) adalah tegangan (arus) yang terukur oleh voltmeter (amper-meter). Penyearah Setengah Gelombang Dioda Penyearah semikonduktor yang paling banyak sederhana digunakan adalah sebagai penyearah penyearah. puncak atau tegangan maksimum. setengah Gambar gelombang. Dari persamaan tersebut. 13 menunjukkan rangkaian penyearah setengah gelombang. maka hanya setengah gelombang saja yang akan disearahkan. maka pada pembahasan penyearah ini Vγ diabaikan. Karena harga Vm pada umumnya jauh lebih besar dari pada Vγ (tegangan cut-in dioda). Prinsip kerja penyearah setengah gelombang adalah bahwa pada saat sinyal input berupa siklus positip maka dioda mendapat bias maju sehingga arus (i) mengalir ke beban (RL). Rangkaian penyearah setengah gelombang mendapat masukan dari skunder trafo yang berupa sinyal ac berbentuk sinus. vi = Vm Sin ωt (Gambar 13 (b)). Hubungan antara tegangan puncap Vm dengan tegangan efektif (Veff ) atau tegangan rms (Vrms) adalah: Vm Veff = Vrms =  = 0. Melihat dari namanya. dan sebaliknya bila sinyal input 16 . Vm merupakan tegangan Harga Vm ini hanya bisa diukur langsung pada gelombangnya.KEGIATAN BELAJAR 3 PENGGUNAAN DIODA SEMIKONDUKTOR Lembar Informasi 1. dengan CRO yakni dengan melihat Sedangkan pada umumnya harga yang tercantum pada skunder trafo adalah tegangan efektif. yaitu yang terdiri dari sebuah dioda.

berupa siklus negatip maka dioda mendapat bias mundur sehingga tidak mengalir arus.jika 0 ≤ ωt ≤ π (siklus positip) . Penyearah Setengah Gelombang (a) Rangkaian. (c) Arus Beban Arus dioda yang mengalir melalui beban RL (i) dinyatakan dengan: i = Im Sin ωt i=0 dimana: . Bentuk gelombang tegangan input (vi) ditunjukkan pada (b) dan arus beban (i) pada (c) dari Gambar 13.jika π ≤ ωt ≤ 2π (siklus negatip) . Vm Im =  Rf + RL 17 . vd masukan sinyal ac vi i RL (a) vi i Vm Idc 0 π 2π 0 Im π 2π (c) (b) Gambar 13. (b) Tegangan Skunder Trafo.

Bila gelombang... (Gambar c). diperhatikan namun arah meskipun sinyal keluaran adalah keluaran dari penyearah setengah gelombang ini adalah sama dengan Karena jarak dari puncak masih berbentuk positip gelombangnya sama. Arus yang mengalir ke beban (i) terlihat pada Gambar (c) Apabila arah Frekuensi sinyal bentuknya sudah searah (satu arah) yaitu positip semua. satu ke puncak berikutnya adalah sama. yaitu Berarti harga rata-ratanya tidak lagi nol seperti halnya arus Arus rata-rata ini (Idc) bolak-balik.318 Im π .. namun ada suatu harga tertentu.. secara matematis bisa dinyatakan: 1 2π Idc =  i dωt 2π 0 Untuk penyearah setengah gelombang diperoleh: 1 π Idc =  Im Sin ωt dt 2π 0 Im Idc =  ≅ 0. 18 . yang umumnya nilainya lebih kecil dari RL. frekuensi input (dari jala-jala listrik) yaitu 50 Hz. sehingga arus dioda tidak mengalir atau i = 0....Resistansi dioda pada saat ON (mendapat bias maju) adalah Rf.. dioda dibalik. (mendapat bias mundur) resistansinya besar Pada saat dioda OFF sekali atau dalam pembahasan ini dianggap tidak terhigga. maka arus yang mengalir adalah negatip.

untuk memperoleh hasil yang lebih teliti.Tegangan keluaran dc yang berupa turun tegangan dc pada beban adalah: Vdc = Idc. maka tegangan cut-in dioda (Vγ) perlu dipertimbangkan. maka: Vm = Im. yaitu: Vdc = 0.RL Vdc =  π Apabila harga Rf jauh lebih kecil dari RL.RL Sehingga: Vm Vdc =  ≅ 0.318 Vm π Apabila penyearah bekerja pada tegangan Vm yang kecil.RL Im. Tegangan maksimum yang harus ditahan oleh dioda ini sering disebut dengan istilah PIV (peak-inverse voltage) atau tegangan puncak 19 . yang berarti Rf bisa diabaikan.318 (Vm .Vγ) Dalam perencanaan rangkaian penyearah yang juga penting untuk diketahui adalah berapa tegangan maksimum yang boleh diberikan pada dioda.

diabaikan. Hal ini karena pada saat dioda mendapat bias mundur (balik) maka tidak arus yang mengalir dan semua tegangan dari skunder trafo berada pada dioda. Bentuk gelombang dari sinyal pada dioda dapat dilihat pada Gambar 14. dibanding RL. Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT Rangkaian penyearah gelombang penuh ada dua macam. (mendapat Sehingga pada saat siklus positip dimana dioda sedang turun tegangannya Sedangkan saat siklus negatip. 2. PIV untuk penyearah setengah gelombang ini adalah: PIV = Vm Vd 0 π 2π Vm Gambar 14 Bentuk Gelombang Sinyal pada Dioda Bentuk gelombang sinyal pada dioda seperti Gambar 14 dengan anggapan ON bahwa Rf bias dioda maju). yaitu dengan menggunakan trafo CT (center-tap = tap tengah) dan dengan 20 . dioda sedang OFF (mendapat bias mundur) sehingga tegangan puncak dari skunder trafo (Vm) semuanya berada pada dioda. terlihat karena nilainya kecil adalah sekali nol.balik.

dan sebaliknya. (b) Sinyal Input.sistem jembatan. maka iL menjadi satu arah (15 c). Kedua keluaran ini masing-masing dihubungkan ke D1 dan D2. Gambar 15 menunjukkan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan menggunaka trafo CT. (a) Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan Trafo CT. (c) Arus Dioda dan Arus Beban 0 π (c) 2π 21 . Dengan demikian D1 dan Namun karena arus i1 dan i 2 melewati tahanan beban (RL) dengan arah yang sama. D1 i1 iL masukan sinyal ac Vi Vi D2 i2 RL VL i1 (a) vi Im 0 V i2 π 2π 0 π 2π π Im 0 iL (b) Idc 2π Im Gambar 15. sehingga saat D1 mendapat sinyal siklus positip maka D1 mendapat sinyal siklus negatip. Terminal skunder dari Trafo CT mengeluarkan dua buah tegangan keluaran yang sama tetapi fasanya berlawanan dengan titik CT sebagai titik tengahnya. D2 hidupnya bergantian.

maka memperoleh hasil yang lebih teliti. maka Rf bisa diabaikan.636 Im π dan 2Im. untuk Dengan cara penurunan yang sama.RL =  π Apabila harga Rf jauh lebih kecil dari RL. maka tegangan cut-in dioda (Vγ) perlu dipertimbangkan.Terlihat penuh ini dengan merupakan jelas bahwa rangkaian dua buah penyearah penyearah gelombang setengah Sehingga gabungan gelombang yang hidupnya bergantian setiap setengah siklus. sehingga: 2Vm Vdc =  ≅ 0. diperoleh: 2Im Idc =  ≅ 0.636 Vm π Apabila penyearah bekerja pada tegangan Vm yang kecil. arus maupun tegangan rata-ratanya adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang.Vγ) Tegangan puncak inverse yang dirasakan oleh dioda adalah sebesar 2Vm. yaitu:0 Vdc = 0.636 (Vm .RL Vdc = Idc. dimana D1 sedang hidup (ON) dan D2 sedang mati (OFF). Misalnya pada saat siklus positip. maka jumlah tegangan yang berada pada dioda D2 yang sedang OFF tersebut adalah dua kali dari tegangan 22 .

D4 D1 rangkaian dasarnya adalah masukan sinyal ac D3 D2 RL (a) D4 D1 i1 i1 Im D3 i1 D2 (b) i2 RL 0 i2 π 2π D1 π D4 i2 D3 D (c) Im Gambar 16. Penyearah Gelombang Penuh dengan Jembatan (a) Rangkaian Dasar. Sehingga PIV untuk masing-masing dioda dalam rangkaian penyearah dengan trafo CT adalah: PIV = 2Vm 3. (c) Saat Siklus Negatip. atau bahkan bisa juga tanpa menggunakan trafo. (d) Arus Beban Idc 0 RL Im 0 il 2π π (d) 2π 23 . (b) Saat Siklus Positip. seperti pada Gambar 16.]skunder trafo. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan Penyearah gelombang penuh dengan sistem jembatan ini bisa menggunakan sembarang trafo baik yang CT maupun yang biasa.

Dengan demikian arus yang mengalir ke beban (iL) merupakan penjumlahan dari dua arus i1 dan i2. yaitu dari ujung atas RL menuju ground. karena mendapat bias mundur Sehingga arus i1 mengalir melalui D1. dan D3. Besarnya arus rata-rata pada beban adalah sama seperti penyearah gelombang penuh dengan trafo CT.2Vγ) Harga 2Vγ ini diperoleh karena pada setiap siklus terdapat dua buah dioda yang berhubungan secara seri. dengan menempati paruh waktu masing-masing (Gambar 16 d).D1 dan D3 hidup (ON). Pada penyearah gelombang penuh dengan sistem jembatan ini PIV masing-masing dioda adalah: PIV = Vm 24 .636 Im. dan D4. Untuk harga Vdc dengan memperhitungkan harga Vγ adalah: Vdc = 0. Disamping harga 2Vγ ini.636 (Vm .D2 dan D4 mati (OFF). RL. karena mendapat bias maju . Pada saat rangkaian jembatan mendapatkan bagian positip dari siklus sinyal ac. perbedaan lainnya dibanding dengan trafo CT adalah harga PIV.D1 dan D3 mati (OFF). Arah arus i1 dan i2 yang melewati RL sebagaimana terlihat pada Gambar 16 b dan c adalah sama. Sedangkan apabila jembatan memperoleh bagian siklus negatip. karena mendapat bias mundur Sehingga arus i2 mengalir melalui D2.Prinsip kerja rangkaian penyearah gelombang penuh sistem jembatan dapat dijelaskan melalui Gambar 16.D2 dan D4 hidup (ON). maka (Gambar 16 c): . RL. maka (Gambar 16 b): . karena mendapat bias maju . yaitu: Idc = 2Im/π = 0.

dan bagian positip akan dipotong (berarti clipper positip) 2. Perhatikan arah dioda bila arah dioda ke kanan. Gambarlah sinyal output dengan sumbu nol pada level baterai (yang sudah ditentukan pada langkah 2 di atas) 4. Batas pemotongan sinyal adalah pada sumbu nol semula (sesuai dengan sinyal input) 25 . diodanya dianggap ideal. yaitu: seri dan paralel. maka bagian positip dari sinyal input akan dilewatkan. maka bagian negatip dari sinyal input akan dilewatkan. Secara umum rangkaian clipper dapat digolongkan menjadi dua. Perhatikan polaritas baterai (bila ada) 3. Dioda Semikonduktor Sebagai Pemotong (clipper) Rangkaian clipper (pemotong) digunakan untuk memotong atau menghilangkan sebagian sinyal masukan yang berada di bawah atau di atas level tertentu. dan bagian negatip akan dipotong (berarti clipper negatip) . Sedangkan untuk masingDalam analisa ini masing jenis tersebut dibagi menjadi clipper negatip (pemotong bagian negatip) dan clipper positip (pemotong bagian positip). Rangkaian clipper seri berarti diodanya berhubungan secara seri dengan beban. Petunjuk untuk menganalisa rangkaian clipper seri adalah sebagai berikut: 1. sedangkan clipper paralel berarti diodanya dipasang paralel dengan beban. penyearah setengah Contoh sederhana dari rangkaian clipper adalah gelombang.bila arah dioda ke kiri. Rangkaian ini memotong atau menghilangkan sebagian sinyal masukan di atas atau di bawah level nol.4.

Rangkaian Clipper Seri Positif vi Vi Vm VB D Vo R -VB vO VB Vi D Vo vO +VB R Gambar 18. Rangkaian Clipper Seri Negatip 26 .Rangkaian clipper seri positip adalah seperti Gambar 17 dan rangkaian clipper seri negatip adalah Gambar 18. vi Vi Vm R -VB vO Vo VB D VB Vi D Vo R vO +V Gambar 17.

Gambarlah sinyal output dengan sumbu nol sesuai dengan input. Batas pemotongan sinyal adalah pada level baterai. maka bagian positip dari sinyal input akan dipotong (berarti clipper positip) . Perhatikan polaritas baterai (bila ada). 3. Rangkaian clipper paralel positip adalah seperti Gambar 19 dan rangkaian clipper paralel negatip adalah Gambar 20. Perhatikan arah dioda. 4. vi Vi Vm R Vo D VB +V vO R Vi D VB -VB Vo vO Gambar 19.Petunjuk sebagai berikut: untuk menganalisa rangkaian clipper paralel adalah 1. maka bagian negatip dari sinyal input akan dipotong (berarti clipper negatip) 2. bila arah dioda ke bawah. Rangkaian Clipper Paralel Positip 27 .bila arah dioda ke atas.

dan resistor. Dioda Semikonduktor Sebagai Penggeser (clamper) Rangkaian Clamper (penggeser) digunakan untuk menggeser suatu sinyal ke level dc yang lain. ditambahkan sebuah baterai. Dalam analisa ini dianggap didodanya adalah ideal. Sebuah rangkaian clamper sederhana (tanpa baterai) terdiri atas sebuah R. disamping itu bisa pula Harga R dan C harus dipilih sedemikian rupa sehingga konstanta waktu RC cukup besar agar tidak terjadi pengosongan muatan yang cukup berarti saat dioda tidak menghantar. 28 .vi Vi Vm R Vo D VB -VB vO R Vi D VB Vo vO +V Gambar 20. D. dioda. dan C terlihat pada Gambar 21. Rangkain Clamper paling tidak harus mempunyai sebuah kapasitor. Rangkaian Clipper Paralel Negatip 5.

Pada saat 0 .vi +V Vi C Vo D R Vo 0 T/2 T -V (a) (b) 0 T/2 T -2V (c) C + Vo + V R V + R C + Vo (d) (e) Gambar 21. karena RC dibuat cukup lama. karena dioda ideal). Sinyal output 29 . Kapasitor mengisi muatan dengan cepat melalui tahanan dioda yang rendah (seperti hubung singkat. Rangkaian Clamper Sederhana Gambar 21 (a) adalah gelombang kotak yang menjadi sinyal input rangkaian clamper (b). sehingga Dioda menghantar (ON). sehingga dioda tidak menghantar (OFF) (Gambar e). Kapasitor membuang muatan Sehingga pengosongan Pada saat ini sinyal output pada R adalah nol sangat lambat. Kemudian saat T/2 .T/2 sinyal input adalah positip sebesar +V.T sinyal input berubah ke negatip. (Gambar d). tegangan ini tidak berarti dibanding dengan sinyal output.

yaitu sebesar -2V (Gambar c). Besarnya penggeseran ini bisa divariasi dengan menambahkan sebuah baterai secara seri dengan dioda. Disamping itu arah penggeseran juga bisa dinuat kearah positip dengan cara membalik arah dioda. C Vi D V B R Vo Vo V B 0 T/2 T 2V Vo C Vi D V B R 2V 0 T/2 T V B Vo Gambar 22. Beberapa rangkaian clamper negatip dan positip dapat dilihat pada Gambar 22.merupakan penjumlahan tegangan input -V dan tegangan pada kapasitor V. Rangkaian Clamper Negatip dan Positip 30 . Terlihat pada Gambar 21 c bahwa sinyal output merupakan bentuk gelombang kontak (seperti gelombang input) yang level dc nya sudah bergeser kearah negatip sebesar -V.

simpul pengukuran yang diamati adalah: v Simpul No. 2.. Trafo step down……………………………………. Lakukanlah pengamatan pada simpul pengukuran yang ada serta catatlah hasil pengukuran tersebut pada Tabel 2! 5. 2 (untuk DC) s/d No. 3.. Buatlah rangkaian penyearah setengah gelombang seperti Gambar 13a. Untuk pengukuran tegangan dengan CRO. Bacalah dan pahami petunjuk pratikum pada lembar kegiatan belajar!. Dioda IN 4002………………………………………. 0 (untuk ground) Sedangkan pengukuran tegangan dengan Voltmeter. Amatilah tegangan skuder trafo dengan CRO dan catatlah hasil pengukuran tersebut pada Tabel 2. 1 unit 1 unit 1 buah 1 buah 1 buah Kesehatan dan Keselamatan Kerja 1. Periksalah terlebih dahulu semua komponen aktif maupun pasif sebelum digunakan !. 3.Lembar Kerja Alat dan Bahan 1. 4.0 31 . Hati-hati dalam penggunaan peralatan pratikum!. Setelah dinilai benar hubungkan dengan sumber tegangan AC 220 Volt. 4. Osiloskop……………………………………………. 3. 2. 1 (untuk DC) s/d No. 5. 0 (untuk ground) v Simpul No. Multimeter…………………………………………… 2. simpul pengukuran yang diamati adalah: v Simpul No. Resistor 1 KΩ………………………………………. 1 s/d No. Langkah Kerja 1.

Jelaskan prinsip kerja penyearah gelombang penuh system jembatan! 32 . 9.v Simpul No.0 6. 8. Jelaskan prinsip kerja penyearah gelombang penuh dengan trafo CT! 4. 2 s/d No. Sebutkan macam-macam penggunaan dioda semikonduktor! 2. Percobaan tentang penyearah gelombang penuh telah selesai maka lepaskanlah semua rangkaian. Percobaan tentang penyearahan setengah gelombang telah selesai maka lepaskanlah semua rangkaian. 7. Buatlah rangkaian penyearah gelombang penuh sistem jembatan seperti Gambar 16a. Tabel 2. Ulangi langkah-langkah 3-5. Penyearahan Gelombang Penyearahan Komponen yang diamati Transformator Beban Resistor Transformator Beban Resistor V1 (Volt) (1-0) V2 (Volt) (2-0) Hasil Keluaran CRO Penyearahan ½ Gelombang Penyearahan Geleombang Penuh Lembar Latihan 1. Jelaskan prinsip kerja penyearah setengah gelombang! 3.

Perubahan pada arus basis IB memberikan perubahan yang diperkuat pada arus kolektor untuk tegangan emitor-kolektor VCE yang diberikan. Karakteristik Transistor Daya 33 . berikut ini. Perbandingan kedua arus ini dalam orde 15 sampai 100. Simbol untuk transistor dapat dilihat pada Gambar 23a dan Gambar 23b. karakteristik transistor dapat digambarkan seperti Gambar 24. Gambar 23a.KEGIATAN BELAJAR 4 TRANSISTOR DAN PENGGUNAANNYA Lembar Informasi Transistor merupakan peralatan yang mempunyai 3 lapis N-P-N atau P-N-P. Simbol Transistor Daya Sedangkan Gambar berikut ini. dan 23b. Dalam rentang operasi. arus kolektor IC merupakan fungsi dari arus basis IB.

Adapun kerja transistor yang berfungsi sebagai switching ini. selalu berada pada daerah jenuh (saturasi) dan daerah cut off (bagian yang diarsir pada Gambar 24). Titik Q (titik kerja transistor) dapat diperoleh dari persamaan sebagai berikut : Persamaan garis beban = Y = Vce = Vcc – Ic x RL Jadi untuk Ic = 0. maka tegangan negatif. Vcc-nya positif. maka Vce = Vcc dan untuk Vce = 0. maka diperoleh Ic = Vcc/RL Apabila harga-harga untuk Ic dan Ice sudah diperoleh. sedangkan untuk jenis PNP tegangannya Gambar 25. Transistor dapat bekerja pada daerah 34 . Pada umumnya transistor berfungsi sebagai suatu switching (kontak on-off). maka dengan menggunakan karakteristik transistor yang bersangkutan. Rangkaian Transistor Arus Ib (misalnya Ib1) yang diberikan dengan mengatur Vb akan memberikan titik kerja pada transistor. Jika digunakan untuk jenis NPN.Salah satu cara pemberian tegangan kerja dari transistor dapat dilakukan seperti pada Gambar 25. Pada saat itu transistor akan menghasilkan arus collector (Ic) sebesar Ic dan tegangan Vce sebcsar Vce1. akan diperoleh titik kerja transistor atau titik Q.

(I saturasi) yang cukup besar pada rangkaian switching ini. sedangkan apabila Vb=V1 dan dengan mengatur Rb dan R1 sedemikian rupa. umumnya RL didisain sedemikian rupa sehingga RL mempunyai tahanan yang kecil. dapat dilakukan dengan memberikan tegangan Vb yang berupa pulsa. apabila dijelaskan adalah sebagai berikut (lihat Gambar 25 dan Gambar 26) : 1. Pada kondisi Vb = V1. harga Ic = 0.2 volt). Pada keadaan ini Vce adalah kira-kira sama dengan nol (Vsat = 0. dengan cara melakukan pengaturan tegangan Vb dan rangkaian pada basisnya (tahanan Rb) dan juga tahanan bebannya (RL). Bentuk output Vce yang terjadi pada Gambar 26. Pada kondisi Vb = 0. dan berdasarkan persamaan loop : Vcc+ IcR1 + Vce= 0.jenuh dan daerah cut off-nya. Gambar 26. Pulsa Trigger dan Tegangan Output Vce Apabila Vb = 0. dihasilkan Vce= +Vcc 2. sehingga menghasilkan arus Ib yang akan menyebabkan transistor dalam keadaan jenuh. Untuk mendapatkan on-off yang bergantian dengan periode tertentu. maka transistor off (cut off). seperti pada Gambar 26. 35 . harga Vce= 0 dan Iv = I saturasi Untuk mendapatkan arus Ic.

Osiloskop dua kanal (dual trace) ……………………………. 4. Rakitlah rangkaian transistor sebagai sakelar seperti pada Gambar diagram di bawah ini ! A V Sumber 16 V dc A X Saklar Lampu 36 .……………. 6. Ampermeter ……………………………………………………. Periksalah dan uji transistor dan resistor dengan Ohmmeter sebelum digunakan ! 2.. Jangan menghidupkan catu daya sebelum rangkaian diperiksa secara cermat. Multimeter ………………………………………………………. 1 buah 1 buah 7. Kabel penghubung ……………………….Lembar Kerja Alat dan Bahan : 1 unit 1 unit 1 buah 1. Resistor 200 Ω 2 A ……………………………………………. 3. Langkah Kerja: 1.. 2. 3. Segera kembalikan saklar pemilih alat ukur Multimeter dari posisi Ohm ke posisi Vac setelah melakukan pengukuran dengan besaran Ohmmeter. secukupnya Kesehatan dan Keselamatan Kerja: 1. Transistor BC 547 ………………………………………………. Catu daya 16 V AC ……………………………………………. 1 buah 5. Hati-hatilah dalam pemakaian alat ukur ! 2.

Pengaturan Tegangan Posisi Saklar Kondisi yang diamati A1 (ampere) A2 (ampere) kondisi lampu Saklar Tertutup Saklar Terbuka Tegangan keluaran 2 Vpp Tegangan keluaran 4 Vpp Tegangan keluaran 2 Vpp Tegangan keluaran 4 Vpp Lembar Latihan 1. Setelah rangkaian diperiksa secara cermat dan tidak ada kesalahan pada rangkaian. Gambarkanlah bentuk kedua gelombang tersebut ! 8.3. Gambarkan bentuk gelombang keluaran dari frekuensi generator pada osiloskop ? 37 . Aturlah tegangan dari generator fungsi hingga tegangan keluaran adalah 2 Vpp dan frekuensi = 5 KHz ! 5. Lakukanlah langkah-langkah percobaan tersebut di atas dengan menaikkan tegangan keluaran generator fungsi hingga 4 Vpp ! 9. kembalikanlah alat dan bahan ke tempatnya semula! Tabel 3. Jelaskanlah prinsip kerja rangkaian di atas? 2. catatlah hasil pengukuran tersebut ke Tabel 3! 6. Amatilah pada layar osciloscope bentuk gelombang kotak dari FG dan ukurlah tegangan kolektor-emitor saat sakelar terbuka dan catatlahlah data tersebut kedalam Tabel 3! 7. hubungkanlah saklar dan catu daya ! 4. Ukurlah besaran arus kolektor dan arus basis. Selesai percobaan.

Jelaskan prinsip kerja rangkaian pemotong (clipper)! 8. Jelaskan prinsip kerja rangkaian penggeser (clamper)! B. Bagaimana untuk memperoleh semikonduktor tipe N? 3. Kriteria Kelulusan No 1 2 Kriteria Aspek Kognitif Kebenaran rangkaian Langkah kerja dan kecepatan kerja Perolehan data. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor intrinsik? 2. Jelaskan yang dimaksud dioda diberi bias maju! 6.LEMBAR EVALUASI A. Pertanyaan 1. Apa yang dimaksud dengan tegangan patah? 7. Jelaskan yang dimaksud dioda diberi bias mundur! 5. Bagaimana untuk memperoleh semikonduktor tipe P? 4. analisis data dan interpretasi Keselamatan Kerja Skor (1-10) Bobot 3 2 Syarat lulus : Nilai minimal 70 Nilai Ket. 3 1 4 3 5 1 38 .

Arus pada dioda yang diberi bias mundur adalah kecil sekali atau yang disebut dengan arus bocor. tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif. cahaya atau medan magnit. Arus pada dioda yang diberi bias maju adalah besar karena disebabkan oleh pembawa muatan mayoritas.LEMBAR KUNCI JAWABAN A. dan indium. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah. Elektron valensi adalah jumlah elektron yang menempati orbit terluar dari struktur atom suatu bahan. hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung untuk berkombinasi. Bahan semikonduktor yang bervalensi tiga misalnya boron. sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (depletion region). KEGIATAN BELAJAR 2. 1. 4. 1. karena terbatasnya jumlah pembawa muatan hole maupun elektron bebas. galium. B. 39 . Hole dan elektron yang berkombinasi ini saling meniadakan. 2. 3. 2. Semikonduktor intrinsik adalah bahan semikonduktor murni (belum diberi campuran/pengotoran) dimana jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama. 3. Semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur. KEGIATAN BELAJAR 1. Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor type p dan type n.

karena mendapat bias maju . dan sebaliknya. maka (Gambar 16 c): . Peinsip kerja rangkaian penyearahan gelombang penuh sistem dengan trafo CT dapat dijelaskan melalui Gambar 15. sehingga saat D1 mendapat sinyal siklus positip maka D1 mendapat sinyal siklus negatip. 4. maka iL menjadi satu arah. pemotong (clipper). Kedua keluaran ini masing-masing dihubungkan ke D1 Dengan demikian dan D2.D1 dan D3 mati (OFF). karena mendapat bias mundur Sehingga arus i2 mengalir melalui D2. 2. Prinsip jembatan kerja rangkaian dijelaskan penyearah melalui gelombang Gambar 16. maka (Gambar 16 b): .D2 dan D4 hidup (ON). 1. dan penggeser (clamper). Beberapa penggunaan dioda semikonduktor yang penting adalah sebagai penyearah. dan D4. Terminal skunder dari Trafo CT mengeluarkan dua buah tegangan keluaran yang sama tetapi fasanya berlawanan dengan titik CT sebagai titik tengahnya.D1 dan D3 hidup (ON). 3. KEGIATAN BELAJAR 3. Prinsip kerja penyearah setengah gelombang adalah bahwa pada saat sinyal input berupa siklus positip maka dioda mendapat bias maju sehingga arus (i) mengalir ke beban (RL). karena mendapat bias maju .D2 dan D4 mati (OFF). karena mendapat bias mundur Sehingga arus i1 mengalir melalui D1. D1 dan D2 hidupnya bergantian. RL. penuh Pada sistem saat dapat rangkaian jembatan mendapatkan bagian positip dari siklus sinyal ac. Sedangkan apabila jembatan memperoleh bagian siklus negatip.C. 40 . dan D3. dan sebaliknya bila sinyal input berupa siklus negatip maka dioda mendapat bias mundur sehingga tidak mengalir arus. RL. Namun karena arus i1 dan i2 melewati tahanan beban (RL) dengan arah yang sama.

3. Secara umum prinsip kerja dari rangkaian transistor sebagai saklar adalah sebagai berikut : Pada saat saklar telah terhubung. 1. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah. Diode mendapatkan bias mundur apabila pemberian tegangan negatip baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu dioda. KEGIATAN BELAJAR 4.Arah arus i1 dan i2 yang melewati RL sebagaimana terlihat pada Gambar 16 b dan c adalah sama. yaitu dari ujung atas RL menuju ground. merupakan Dengan demikian arus yang mengalir ke beban (iL) penjumlahan dari dua arus i1 dan i2. Bahan semikonduktor tipe P diperoleh dengan cara memberi doping (pengotoran) bahan semikonduktor bervalensi tiga kepada semikonduktor murni. PEMBAHASAN LEMBAR EVALUASI 1. 2. D. dengan menempati paruh waktu masing-masing. pada transistor telah terjadi pemicuan arus pada basis yang mengakibatkan terjadi aliran arus pada kolektor ke emitor. Semikonduktor intrinsik adalah bahan semikonduktor murni (belum diberi campuran/pengotoran) dimana jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama. anoda katoda VA-K adalah negatip (VA-K < 0). Bahan semikonduktor tipe N diperoleh dengan cara memberi doping (pengotoran) bahan semikonduktor bervalensi lima kepada semikonduktor murni. tegangan 41 . Sedangkan jika saklar terbuka maka pada basis tidak diperoleh arus pemicuan tetapi masih ada arus yang melewati kolektor. 4. karena terbatasnya jumlah pembawa muatan hole maupun elektron bebas. Dengan kata lain.

maka suatu saat akan mencapai (break-down) dimana arus Is akan naik dengan tiba-tiba. dan resistor. 8. sederhana gelombang. Rangkaian clipper (pemotong) adalah suatu rangkaian yang digunakan untuk memotong atau menghilangkan sebagian sinyal masukan yang berada di bawah atau di atas level tertentu. 42 . disamping itu bisa pula ditambahkan sebuah baterai. Dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias) apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke terminal katoda (K). Rangkaian Clamper (penggeser) adalah suatu rangkaian yang digunakan untuk menggeser suatu sinyal ke level dc yang lain. Tegangan patah terjadi apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus. dari rangkaian Rangkaian clipper ini adalah penyearah atau memotong Contoh setengah Dengan demikian VA-K adalah menghilangkan sebagian sinyal masukan di atas atau di bawah level nol. positip atau VA-K > 0. Rangkain Clamper paling tidak harus mempunyai sebuah kapasitor. Harga R dan C harus dipilih sedemikian rupa sehingga konstanta waktu RC cukup besar agar tidak terjadi pengosongan muatan yang cukup berarti saat dioda tidak menghantar. dioda.5. 6. 7.

NJ: Prentice-Hall. Inc. Herman DS. Integrated devices: discrete and integrated. and Carpenter. Tokyo: McGraw-Hill. (1996). Electronic Devices and Circuit Theory. Inc. Floyd. 5th ed. Electric Circuits Fundamentals. Singapore: McGraw-Hill. Stephen.DAFTAR PUSTAKA Boylestad and Nashelsky. Malvino. Inc. Yogyakarta: FPTK IKIP Yogyakarta. Savant. Electronic Circuit Design: An Engineering Approach. Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems. Electronic Principles 5th Edition. (1993). (1992). Engelwood Cliffs.P. (1972). Menlo Park. F. (1987). Inc. Elektronika: Teori dan Penerapan. Inc. A. Milman & Halkias. NJ: Prentice-Hall. 43 . (1990). New York: Merrill Publishing Co. Englewood Cliffs. CA: The Benjamin/Cummings Publishing Company. Roden. (1991). T.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful