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Fisica dei Materiali per l'Elettronica

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Here is one great set of notes by my friend (and also now practically coauthor of this collection) Alberto Tibaldi. This document is about statistics, quantistic mechanical physics, general physics and semiconductor physics.
Licence: You can copy and use this document as you like as long as you quote the author (and if you let us know doing so we'll be grateful to you)
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05/08/2014

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ducibilit`a

Abbiamo finora descritto metodologie per la misura della resistenza di un

semiconduttore; vogliamo ora studiare metodi per misurare altri parametri,

quali energy gap, mobilit`a elettronica e conducibilit`a elettrica. Avevamo in

precedenza, nel nostro modello teorico, detto che:

σ = e(e +h) = e(µeNe,Ce−E

C−E

F

kT

+ µhNh,Ve

E

V −E

F

kT

)

Consideriamo un semiconduttore intrinseco: in questo caso, il livello di

Fermi sar`a a met`a tra le due bande, e si pu`o dire che:

EF = EC + EV

2 =⇒(EC −EF) = (EF −EV)

Da ci`o, si pu`o dire che:

σ = σ0e− Eg

2kT

; σ0 = q(µeNe,C + µhNh,V)

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Ci saranno in sostanza due grandezze da misurare: le mobilit`a elettroniche

µ e le densit`a di portatori di carica N. Per poterli misurare, `e possibile

sfruttare un particolare effetto, ossia l’Effetto Hall; il metodo di misura basato

su tale effetto si chiama per l’appunto Misura Hall.

Le forze in gioco saranno la forza elettrica, e la forza magnetica (forza di

Lorentz):

F = qE+ qv×B

Vediamo in due parole che cosa capita: ad un certo punto, la forza elet-

trica causata dal campo E e quella magnetica provocata dal campo B rag-

giungeranno l’equilibrio, e arriveranno in una situazione in cui il flusso di

cariche non sar`a pi`u deflesso, ossia spostato dalla sua direzione data dal

versore ux, e la differenza di potenziale ∆V sar`a misurabile.

V = EHW

Si genera un campo elettrico stazionario, comunemente detto Campo Hall,

indicato con EH, che bilancia la forza del campo elettrico Ey, deflettente

l’intensit`a di corrente ix. Data la carica fondamentale q, e la densit`a di

carica ρ, vediamo che:

i =vd·S; J =vd

Sappiamo che la forza magnetica e la forza elettrica si eguagliano, e che

quindi la risultante del Campo Hall e del campo elettrico Ey `e nulla. Cer-

chiamo dunque di quantificare il campo Hall, in modo da poter studiare la

misura dei parametri del nostro semiconduttore; poich`e il campo Hall agisce

solo in una direzione, consideriamolo scalare anzich`e vettoriale: EH EH;

discorso analogo per la densit`a di corrente: J Jx

EH = 1

eqvd×B; vd = Jx

;

Si noti che tuttavia, vd ⊥B; possiamo dunque dire che |v×B|=|v||B|

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Troviamo alla fine che:

EH = JxBz

= RHJxBz

Questo parametro RH `e detto anche resistenza Hall, ed `e cos`ı definito:

• Nel caso di un drogaggio tipo p: RH = 1

qp;

• Nel caso di un drogaggio tipo n: RH = 1

qn.

Avrei bisogno della resistivit`a del sistema, per poter calcolare la con-

ducibilit`a come suo inverso; dobbiamo calcolare o misurare RH, la resistenza

R del semiconduttore, e verificare che:

R = ρ l

S =⇒ρ = RWt

S = Vx
ix

· 1

Wt

σ = 1

ρ = qpµpp = RH

ρ

Quella che misuriamo, in realt`a, `e la cosiddetta mobilit`a Hall: essa `e

leggermente diversa dalla mobilit`a elettronica reale, perch`e la presenza di un

campo magnetico B modifica i meccanismi di scattering, e dunque modifica

il nostro sistema. Vale per`o una relazione interessante, che dice che:

µH =

Noi approssimiamo r ∼ 1, e cos`ı in pratica ricaviamo mediante questo

metodo la mobilit`a elettronica.

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Capitolo 11

Propriet`a ottiche dei

semiconduttori

Abbiamo finora parlato di propriet`a elettriche dei semiconduttori; preoccu-

piamoci ora di un altro tipo di propriet`a molto utili in elettronica, ossia

le propriet`a ottiche; introdurremo sostanzialmente due teorie: un modello

semiclassico, ed un modello puramente quantistico.

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