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Zona Norte
.






Prof. Jefferson Pereira da Silva
Apostila de Eletrônica de Potência
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APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
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Índice

1. Eletrônica de potência ............................................................................ 2
1.1. Definição ................................................................................................. 2
1.2. Chaves semicondutoras de potência ...................................................... 2
1.3. Tipos de circuitos de eletrônica de potência ........................................... 2
1.4. Aplicações da eletrônica de potência ..................................................... 2
2. Dispositivos de potência: características e funcionamento ..................... 3
2.1. Diodos de potência ................................................................................. 3
2.2. Transistor bipolar de junção (TJB) ............................................................... 5
2.3. Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) ......... 6
2.4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ................................................... 7
2.5. Retificador controlado de silício (SCR) ........................................................ 8
2.6. TRIAC .......................................................................................................... 13
3. Dispositivos e circuitos de disparo ............................................................... 15
3.1. DIAC ............................................................................................................ 15
3.2. Transistor de unijunção (UJT) ...................................................................... 15
3.3. Oscilador de relaxação com UJT ................................................................. 16
3.4. CIs para disparo ........................................................................................... 18
4. Dispositivos de proteção e circuitos ............................................................. 19
4.1. Varistores ..................................................................................................... 19
4.2. Fusíveis ........................................................................................................ 20
4.3. Transformadores de pulso ........................................................................... 21
4.4. Acopladores ópticos ..................................................................................... 23
5. Conversores AC/DC (retificadores) ............................................................. 24
5.1. Retificadores monofásicos não controlados ................................................ 24
5.2. Retificadores monofásicos controlados ....................................................... 25
6. Conversores DC/DC (choppers) ………………………………………………. 28
6.1. Choppers step-down (buck) ……………………………………………………. 29
6.2. Choppers step-up (boost) ………………………………………………………. 30
6.3. Choppers buck-boost …………………………………………………………… 32
7. Conversores DC/AC (inversores) ................................................................ 34
7.1. Funcionamento de inversores monofásicos ................................................ 36
8. Chaves estáticas .......................................................................................... 37
8.1. Definição e aplicações ................................................................................. 37
8.2. Comparação com relés eletromecânicos ..................................................... 38
8.3. Relé de estado sólido (SSR) ........................................................................ 39
9. Bibliografia ................................................................................................... 41




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APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
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1. Eletrônica de Potência

1.1 Definição

A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de
potência, como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em
níveis altos de potência aplicados à indústria. Essa conversão é normalmente de AC para DC ou
vice-versa, enquanto os parâmetros controlados são tensão, corrente e frequência. Portanto, a
eletrônica de potência pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve três
campos básicos: a potência, a eletrônica e o controle.


1.2 Chaves semicondutoras de potência

As chaves semicondutoras de potência são os elementos mais importantes em circuitos
de eletrônica de potência. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como
chaves em circuitos de eletrônica de potência são:

Diodos;
Transistores bipolares de junção (BJTs);
Transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs);
Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs);
Retificadores controlados de silício (SCRs);
Triacs;


1.3 Tipos de circuitos de eletrônica de potência

Os circuitos de eletrônica de potência (ou conversores, como são usualmente
chamados) podem ser divididos nas seguintes categorias:

1. Retificadores não controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou
trifásica em uma tensão DC e são usados diodos como elementos de retificação.

2. Retificadores controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou trifásica
em uma tensão variável e são usados SCRs como elementos de retificação.

3. Choppers DC (DC para DC) – converte ums tensão DC fixa em tensões DC variáveis.

4. Inversores (DC para AC) – converte uma tensão DC fixa em uma tensão monofásica ou
trifásica AC, fixa ou variável, e com frequências também fixas ou variáveis.

5. Conversores cíclicos (AC para AC) – converte uma tensão e frequência AC fixa em uma
tensão e frequência AC variável.

6. Chaves estáticas (AC ou DC) – o dispositivo de potência (SCR ou triac) pode ser
operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecânicas
e eletromagnéticas tradicionais.


1.4 Aplicações da Eletrônica de Potência

A transferência de potência elétrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada
pela variação da tensão de alimentação (com o uso de um transformador variável) ou pela
inserção de um regulador (como uma chave).
Os dispositivos semicondutores utilizados como chaves têm a vantagem do porte
pequeno, do custo baixo, da eficiência e da utilização para o controle automático da potência.
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A aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência vem
crescendo incessantemente. Os dispositivos como diodo de potência, transistor de potência,
SCR, TRIAC, IGBT etc, são usados como elementos de chaveamento e controle de fornecimento
de energia de máquinas e motores elétricos.
Dentre as aplicações cotidianas mais comuns se destaca o controle microprocessado de
potência.




Fig. 01 - Controle microprocessado de potência


Os equipamentos de informática, tais como a fonte de alimentação chaveada do PC, o
estabilizador, o no-break, etc, utilizam como elementos principais dispositivos semicondutores
chaveadores (Mosfets, IGBTs, TJBs, etc).




Fig. 02 - No-break

Fig. 03 - Fonte Chaveada de PC



2. Dispositivos de potência: características e funcionamento

2.1 Diodos de potência

O material ativo mais comum para a construção do diodo é o silício, um material
semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja resistência decresce com
o aumento da temperatura.
O silício é um elemento do grupo IV da tabela periódica e tem quatro elétrons na última
órbita em sua estrutura atômica.
Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco elétrons na última órbita,
haverá um elétron livre na estrutura do cristal. O elétron livre possibilita um grande aumento na
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condução e, como o elétron é uma carga negativa, esse material é conhecido como
semicondutor tipo N.
Se ao silício for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com três elétrons
na sua última órbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um
elétron. Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e
possibilita um grande aumento na condução; esse material dopado é conhecido como
semicondutor tipo P.
O grau de dopagem (adição de impurezas) é da ordem de 10
7
átomos. Em
semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente é de elétrons e a minoria é de
lacunas. O contrário aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade
do semicondutor tipo N ou P é aumentada muito se comparada ao silício puro.
O diodo mostrado abaixo é formado pela junção dos materiais dos tipos N e P. Desta
forma, só há passagem de corrente elétrica quando for imposto um potencial maior no lado P
do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta junção (V¸), é necessária
uma d.d.p. com valor acima de 0,6V (em diodos de sinal) para que haja a condução. Em diodos
de potência, esta tensão necessária gira em torno de 1 a 2V.









Figura 04 – Símbolo do diodo


Na figura 05 vemos o aspecto físico de um diodo de potência caracterizado pelo anodo
rosqueado.


Figura 05 – Aspecto físico do diodo de potência


Principais valores nominais para os diodos

Tensão de pico inversa (PIV)

O valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse voltage – PIV) é a tensão
inversa máxima que pode ser ligada nos terminais do diodo sem ruptura. Se for excedido a PIV
nominal, o diodo começa a conduzir na direção inversa e pode ser danificado no mesmo
instante. Os valores nominais da PIV são de dezenas a milhares de volts, dependendo do tipo
do diodo. Os valores nominais da PIV são também chamados de tensão de pico reversa (PRV)
ou tensão de ruptura (VBR).


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Corrente direta média máxima (I
f(avg)Max
)

A corrente direta média máxima é a corrente máxima que um diodo pode aguentar com
segurança quando estiver diretamente polarizado. Os diodos de potência estão disponíveis com
valores nominais que vão desde alguns poucos a centenas de ampères.

Tempo de recuperação reverso (t
rr
)

O tempo de recuperação reverso de um diodo é bastante significativo em aplicações de
chaveamento em alta velocidade. Um diodo real não passa, em um único instante, do estado de
condução para o estado de não-condução. Nesse momento, uma corrente inversa flui por breve
período, e o diodo não desliga até que a corrente inversa caia a zero.
O intervalo durante o qual a corrente inversa flui é denominado de tempo de
recuperação reverso. Durante este período, são removidos os portadores de carga armazenados
na junção quando a condução direta cessou.
Os diodos são classificados como de recuperação rápida e lenta com base nos tempos
de recuperação. Esses tempos vão da faixa de microssegundos, nos diodos de junção PN, a
várias centenas de nanossegundos em diodos de recuperação rápida, como o Schottky.
Os diodos de recuperação rápida são utilizados em aplicações de alta frequencia, tais
como inversores, choppers e nobreaks.
A figura abaixo mostra um caso onde o diodo conduzia a corrente direta (I
F
) e que,
depois de desligado, existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso (I
RR
).



Figura 06 – Tempo de recuperação reverso


Temperatura máxima da junção (T
j(Max)
)

Este parâmetro define a temperatura máxima que o diodo pode suportar, na junção,
sem apresentar defeito. As temperaturas nominais de diodos de silício estão normalmente na
faixa de -40ºC a +200ºC. A operação em temperaturas mais baixas costuma resultar em um
desempenho melhor. Os diodos são em geral montados em dispositivos dissipadores de calor
para que haja melhora nas condições nominais de temperatura.

Corrente máxima de surto (I
FSM
)

O valor nominal da corrente direta máxima de surto é a corrente máxima que o diodo
pode suportar durante um transitório fortuito ou diante de um defeito no circuito.

2.2 Transistor bipolar de junção (TJB)

Um transistor bipolar é um dispositivo de três camadas P e N (P-N-P ou N-P-N), cujos
símbolos são mostrados na figura 07.






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Figura 07 – Transistor bipolar de junção


A figura seguinte mostra as correntes e tensões inerentes aos dois tipos de TJB’s:











Figura 08 – Correntes e tensões no TJB


Aplicando-se as leis de Kirchoff para corrente e tensão, teremos as seguintes equações:

- NPN ou PNP: I
E
= I
C
+ I
B

- NPN ou PNP: I
C
= |I
B

- NPN: V
CE
= V
BE
+ V
CB

- PNP: V
EC
= V
EB
+ V
BC



Para o TJB trabalhar como chave eletrônica é preciso polarizá-lo nas regiões de corte e
saturação e como amplificador, na região ativa.
De modo geral, o TJB de potência segue os mesmos parâmetros do transistor de sinal.
Algumas características são próprias devido aos níveis de correntes e tensões que o dispositivo
trabalha, por exemplo:

a) o ganho (|) varia entre 15 e 100;
b) operação como chave, variando entre os estados de corte e saturação;
c) tensão e corrente máximas de coletor de 700V e 800A, respectivamente;
d) tensão de saturação é de 1,1V para um transistor de silício.
e) tensão de bloqueio reverso entre coletor e emissor em torno de 20V, de modo que o
impede de trabalhar em AC.


2.3 Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET)

O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de
potência é um dispositivo para uso como chave em níveis de potência. Os terminais principais
são o dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo controlada pela
tensão entre a porta e a fonte. Abaixo é mostrado o símbolo do MOSFET:

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Figura 09 – Símbolo do MOSFET

O MOSFET é um transistor de chaveamento rápido, caracterizado por uma alta
impedância de entrada, apropriado para potências baixas (até alguns quilowatts) e para
aplicações de alta frequência (até 100kHz).
Um MOSFET tem aplicações importantes em fontes de alimentação chaveadas, nas
quais frequências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais
econômicos, além de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulação por
largura de pulso – PWM (ver item 6).
Os MOSFETs estão disponíveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os
dispositivos em canal N têm valores nominais de corrente e tensão mais altos. A figura 08
mostra a simbologia de um dispositivo em canal N.
Devido à alta resistência de porta, a corrente de controle é praticamente nula,
propiciando um controle de condução entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no
terminal de porta. Ainda, pela baixíssima necessidade de corrente de controle, é possível
comutar a condução do MOSFET através de circuitos microcontrolados.
O MOSFET é bem mais rápido nas comutações que o TJB, entretanto fornece mais
perdas de condução na saturação.
O MOSFET infelizmente sozinho não consegue bloquear uma tensão reversa entre
dreno e fonte. Isto de deve ao um diodo acoplado internamente a sua estrutura em
antiparalelo. Este diodo é chamado de diodo de corpo e serve para permitir um caminho de
retorno para a corrente para a maioria das aplicações de chaveamento. Este diodo é visto na
figura 10.



Figura 10 – Detalhe do diodo de corpo


2.4 Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as características de baixa queda de
tensão de saturação do TJB com as excelentes características de chaveamento e simplicidade
dos circuitos de controle da porta do MOSFET. O símbolo do IGBT é mostrado a seguir:



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Figura 11 – Símbolo do IGBT

Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicações de alta tensão, nas quais as perdas na
condução precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de chaveamento
dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as dos TJBs, são menores que as dos MOSFETs.
Portanto, as frequências máximas de chaveamento possíveis com IGBT ficam entre as dos TJBs
e as dos MOSFETs. Ao contrário do que ocorre no MOSFET, o IGBT não tem qualquer diodo
reverso interno. Assim, sua capacidade de bloqueio para tensões inversas é muito ruim. A
tensão inversa máxima que ele pode suportar é de menos de 10 V.


2.5 Retificador controlado de silício (SCR)

O SCR é um dispositivo de três terminais, chamados de anodo (A), catodo (K) e gatilho
(G), como mostra a figura a seguir:











Figura 12 – Retificador controlado de silício

A seguir vemos o aspecto físico mais comum do SCR de potência. A figura mostra o
anodo sendo o terminal rosqueado e dois rabichos: o catodo, mais grosso, e o gatilho, mais
fino.











Figura 13 – Aspecto físico do SCR de potência

Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo terminal de gatilho. No SCR,
apesar da tensão ser positiva, o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula). Só
quando for aplicado um pulso de gatilho, é que o SCR passará a conduzir corrente,
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comportando-se como um curto-circuito. Para observar este fato melhor é mostrada a curva
deste dispositivo.

Características e parâmetros

Observando-se a curva da figura 14, pode-se distinguir três regiões:

Polarização reversa: com VAK<0, praticamente não há corrente reversa. A corrente
reversa depende do tipo de SCR. Nos de baixa corrente, a corrente reversa é da ordem de
dezenas a centenas de µA e nos de alta corrente, a corrente reversa pode chegar a centenas de
mA.

Polarização direta em bloqueio: nesta região, há várias curvas parametrizadas pela
corrente de gatilho IG. Quando IG = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a tensão seja
inferior a VBO (tensão de disparo ou breakover voltage). Quando VAK= VBO, o SCR dispara e a
corrente cresce, sendo limitada pela resistência de carga, colocada em série com o SCR.

Polarização direta em condução: para que o SCR permaneça nesta região, é
necessário que a corrente de anodo atinja um valor mínimo de disparo IL (latching current
ou corrente de disparo). Caso esse valor não seja atingido, após o disparo, o SCR volta ao
estado de bloqueio.















Figura 14 – Curva característica do SCR

Pela curva do SCR, vê-se que, quanto maior o valor da corrente de gatilho, tanto menor
a tensão VAK necessária para disparar o SCR. Isso é verdade até o limite de IG = IGT (corrente
de gatilho com disparo). IGT é a mínima corrente de gatilho que garante o disparo do
SCR com tensão direta de condução VT. Com IGT aplicada, é como se o SCR fosse um
diodo.
Na região de polarização direta em condução, a queda de tensão do dispositivo é em
torno de 1,5V.
Após o disparo, sendo estabelecida a condução (IA>IL), a corrente de gatilho poderá
ser removida que este continuará em condução. O SCR só voltará ao bloqueio se a corrente IA
cair abaixo de IH (corrente de manutenção ou holding current), ou se VAK < 0.


Métodos de acionamento

O nível mínimo de tensão e corrente necessário para o disparo do SCR é uma função da
temperatura da junção. De maneira genérica, quanto menor a temperatura de junção, maior
será a corrente e menor será a tensão necessária ao gatilhamento.
A corrente e tensão de gatilho estão sujeitas a um valor máximo, mas no disparo
devem ultrapassar um valor mínimo. O produto entre a tensão e corrente de gatilho dá um
nível de potência para o qual um máximo é estabelecido.
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Métodos de disparo sem aplicação do pulso de gatilho

Além da aplicação do pulso de gatilho, o SCR pode ser disparado de outras formas.
Normalmente, esses disparos são indesejados, pois, em alguns casos, podem destruir o
dispositivo.

Disparo por sobretensão

Se aumentarmos a tensão VAK a ponto de atingir o valor VBO, o SCR entrará em
condução, mesmo sem a aplicação da corrente de gatilho. Este processo de disparo, nem
sempre destrutivo, raramente é utilizado na prática.

Disparo por variação de tensão

Um capacitor armazena carga elétrica e a corrente que carrega o capacitor relaciona-se
com a tensão pela expressão:
t
v
C i
A
A
=


Ou seja, para haver variação de tensão no capacitor (Av), em um intervalo de tempo
(At), é necessário circular uma corrente i pelo capacitor. Quando a variação de tensão é muito
pequena e o intervalo de tempo muito pequeno, essa expressão muda para:
dt
dv
C i =


Em um SCR polarizado diretamente, na junção J
2
existem íons positivos de um lado e
íons negativos do outro. Isto é como um capacitor carregado, como mostra a figura 15.











Figura 15 – Detalhe do efeito capacitivo na junção do SCR

Assim, mesmo não havendo pulso no gatilho, fechando-se a chave CH1, a capacitância
da junção J
2
fará com que circule corrente de gatilho. Como a variação é muito grande (de zero
para V), a corrente resultante será muito grande. Essa corrente poderá ser suficiente para
estabelecer o processo de condução do SCR.
Esse disparo é normalmente indesejado e pode ser evitado pela ação de um circuito de
proteção chamado de SNUBBER. Este circuito é mostrado na figura 16.








Figura 16 – Circuito de proteção SNUBBER

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Disparo por outros meios

Há a possibilidade do SCR entrar no estado de condução, sem a aplicação do pulso de
gatilho, por aumento de temperatura ou por intensidade de incidência de luz ou radiação no
dispositivo. No segundo caso, há um dispositivo próprio chamado de LASCR (Light Activated
Silicon Controlled Rectifier). Além do disparo por luz, esse dispositivo também é acionado pelo
gatilho. Podemos ver na fig. 17 os detalhes deste dispositivo.

Figura 17 – Detalhes do LASCR


Métodos de bloqueio

Bloquear ou comutar um SCR, significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que
ele retorna à condução. Ou seja, o bloqueio estará completo, quando a corrente no sentido
direto for anulada e a reaplicação de tensão direta, entre anodo e catodo, não provocar o
retorno do SCR ao estado de condução.

Bloqueio natural

Quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de IH, chamada de corrente de
manutenção (holding current), o SCR é bloqueado. A corrente de manutenção tem um valor
baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor do que a corrente nominal do dispositivo.
Em circuito CA, em algum momento a corrente passa pelo zero da rede, levando o SCR
ao bloqueio.

Exemplo: Bloqueio pelo Zero da Rede










Figura 18 – Bloqueio pelo zero da rede

Bloqueio forçado

Em vez de aguardar a passagem de corrente pelo zero da rede para bloquear um SCR,
pode-se fazer o bloqueio através de dois meios:

1º: diminuir o fluxo de corrente direta para um valor abaixo de IH;
2º: aplicar tensão reversa.

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Após o bloqueio, deve-se garantir que a tensão não seja reaplicada ao SCR
imediatamente. Isto restabeleceria o processo de condução do dispositivo. A tensão reaplicada
deve aumentar segundo um parâmetro dv/dt, definido nas folhas de dados fornecidos pelo
fabricante.

Exemplo: Bloqueio por Chave








Figura 19 – Bloqueio por chave

Exemplo comentado: Bloqueio por Capacitor








Figura 20 – Bloqueio por capacitor

Com CH
1
e CH
2
abertas, o SCR está bloqueado, a lâmpada apagada e o capacitor
descarregado.
Fechando-se CH
1
, alimenta-se o circuito de gatilho. O SCR dispara e lâmpada acende.
Além da corrente da lâmpada, o SCR conduz também a corrente de carga do capacitor
C
1
, conforme se vê abaixo:









Figura 21 – Processo de carga do capacitor C1

O capacitor carrega-se de forma exponencial, com uma constante de tempo t = R
1
. C
1
.
Ou seja, passado um tempo correspondente a t, o capacitor carrega-se com aproximadamente
2/3 da tensão que o alimenta. No caso deste circuito, com cerca de 5t o capacitor estará
totalmente carregado com 12V.
Se CH
2
for fechada, a tensão acumulada no capacitor polarizará reversamente o SCR
levando-o ao bloqueio, de acordo com a figura 22.










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Figura 22 – Polarização reversa do SCR através do capacitor


2.6 TRIAC

Para se evitar a necessidade de utilização de dois SCRs em antiparalelo, foi
desenvolvido o TRIAC.
TRI (triodo ou dispositivo de três terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome
deste elemento, cuja principal característica é permitir o controle de passagem de corrente
alternada.
O símbolo é dado por:









Figura 23 – Símbolo do triac


Características e parâmetros

Sua curva característica é mostrada a seguir:

















Figura 24 – Curva característica do triac

Pela curva característica, pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos dois
sentidos de polarização.
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As condições de disparo são análogas ao do SCR. Podendo ser disparado com corrente
de gatilho positiva ou negativa. Em condução, apresenta-se quase como um curto-circuito
com queda de tensão entre 1V e 2V.
Os terminais são chamados de anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2 (A2 ou MT2) e
gatilho (G).
O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de tensão e sentido de corrente,
desta forma ele opera nos quatro quadrantes, tomando-se o terminal A1 como referência. Vê-
se este fato na figura 25.










Figura 25 – Quadrantes de polarização do triac

A sensibilidade ao disparo varia conforme o quadrante, em função das diferenças nos
ganhos de amplificação, em cada caso. Normalmente, o primeiro quadrante é o de maior
sensibilidade ao disparo e o quarto, o de menor.

O TRIAC em corrente alternada

Os circuitos a seguir mostram, como exemplo, aplicações simples do TRIAC em
corrente alternada.

a) Controle em Onda-Completa com TRIAC










Figura 26

b) Controle de Potência numa carga










Figura 27




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3. Dispositivos e circuitos de disparo

3.1 DIAC

Quando o TRIAC é usado como dispositivo de controle, é frequentemente utilizado um
DIAC como dispositivo de disparo, conforme pode ser visto na figura 28.









Figura 28 – Controle de disparo com DIAC

O DIAC (Diode Alternative Currente) é uma chave bidirecional disparada por tensão.
Normalmente, a tensão de disparo dos DIACs ocorre entre 20 e 40V. A sua curva característica
está mostrada a seguir, junto com seus símbolos mais utilizados:






















Figura 29 – Detalhes do DIAC

No circuito da figura 28, a rede R
1
, R
2
e C
1
defasa a tensão sobre C
1
. O capacitor se
carrega até atingir a tensão VD de disparo do DIAC. Quando isso ocorre, o DIAC entra em
condução e cria um caminho de baixa impedância para o capacitor descarregar-se sobre o
gatilho do TRIAC. A corrente de descarga do capacitor é suficientemente elevada para
conseguir disparar TRIACs de baixa potência, mesmo com valores relativamente baixos de
capacitância.

3.2 Transistor de unijunção (UJT)

O UJT é um dispositivo semicondutor de três terminais com apenas uma junção PN.
A estrutura física e a simbologia do UJT são mostradas na figura 30.



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Figura 30 – Detalhes do UJT


Para facilitar a análise do funcionamento do UJT é utilizado o circuito visto a seguir.











Figura 31 – Circuito equivalente do UJT

Na figura acima, o diodo representa a junção PN do emissor. O caminho B
2
-B
1
(Base 2
e Base 1) é dividido em duas partes: a primeira, rb2, que é a resistência entre o ponto central
x e o terminal B
2
e a segunda, formada por uma resistência fixa r
s
e outra variável r
n
, sendo
rb1 = r
s
+ r
n
.
A soma das resistências rbb = rb1 + rb2 corresponde à resistência da barra entre os
terminais B
1
e B
2
.

3.3 Oscilador de relaxação com UJT

O circuito tradicional de disparo usando o UJT é chamado de oscilador de
relaxação, mostrado na figura 32.













Figura 32 – Oscilador de relaxação

O UJT tem dois parâmetros importantes: Tensão de Disparo (VP) e Tensão de Vale
(VV). O primeiro diz o valor de tensão necessário para fazer conduzir o caminho entre o emissor
(E) e a base 1 (B
1
). O segundo informa o valor de tensão que, após a entrada em condução,
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bloqueia o citado caminho. Em outras palavras, estes parâmetros indicam o início e o fim do
disparo do UJT.
Analisando o circuito da figura 32, vamos considerar inicialmente o capacitor
descarregado. Ao ligarmos a fonte VBB ao circuito, o capacitor começará a se carregar
exponencialmente. Enquanto o valor da tensão do capacitor não alcançar o valor do parâmetro
VP, o UJT estará bloqueado, isto é, passará uma pequena corrente pelo caminho entre os
terminais de base. Esta corrente, por sua vez, irá produzir uma pequena queda de tensão no
resistor RB
1
.
No momento que a tensão do capacitor atinge o parâmetro VP, o UJT começará a
conduzir através do caminho emissor e base1. Neste instante inicial de condução, a resistência
interna deste caminho é baixíssima, proporcionando a elevação da corrente e, ao mesmo
tempo, a descarga do capacitor. É o que chamamos de resistência negativa.
Este surto de corrente inicial é transitório, pois a resistência do caminho E-B
1
torna-se
gradativamente maior até o ponto em que a tensão do capacitor cai até o parâmetro VV. Deste
modo, o UJT sai de condução proporcionando uma nova recarga do capacitor.
O circuito, portanto, é oscilatório, sendo as formas de onda de VE, VB1 e VB2 como
mostradas abaixo:

























Figura 33 – Sinais de tensão no oscilador de relaxação

Em B1, aparece um pulso de tensão que é utilizado para o disparo de SCRs e TRIACs,
conforme ilustra o circuito da figura 34.











Figura 34 – Geração de pulsos de disparo de tiristores através do oscilador de relaxação

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3.4 CIs para disparo

Há circuitos integrados (CIs), específicos ou não para esta finalidade, que geram sinais
de tensão e corrente direcionados ao disparo de tiristores. Estes sinais são periódicos e podem
ser controlados, em termos de frequência e amplitude.
São comumente utilizados para o controle de pulsos de disparos de tiristores
dispositivos como microcontroladores, processadores digitais de sinais (DSPs) e, principalmente,
o CI TCA 785 produzido pela Siemens.

Circuito integrado TCA 785
A grande utilização de circuitos tiristorizados, associada à similaridade dos circuitos de
disparo, deu margem ao aparecimento de circuitos integrados de disparo. A finalidade desses
circuitos é a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais compactos e
confiáveis. Em muitos aparelhos usados industrialmente, destaca-se a utilização do CI TCA 785
da Siemens. A figura 35(a) mostra a pinagem e a figura 35(b), o diagrama de blocos do TCA
785.








Figura 35(a)



















Figura 35(b)

De acordo com os valores dos componentes externos ao TCA 785, pode-se gerar pulsos
para acionar tiristores com controle do ângulo de disparo (o) sincronizados com a rede elétrica
(60 Hz). A largura dos pulsos pode ser de 30µs ou de 180º-o, como mostrado na figura 36.
Esta figura ainda mostra que o ângulo de disparo (o) é controlado basicamente pelo tempo de
carga do capacitor C
R
e pelo valor da tensão de controle V
C
. O pulso largo (180º-o) serve para
disparar tiristores em cargas altamente indutivas, onde a corrente de gatilho necessita de um
tempo maior para garantir a condução do tiristor.

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Figura 36 – Sinais de tensão do TCA 785

Para um aprofundamento nas características do TCA 785, consulte o livro “Estude e Use
– Dispositivos Semicondutores – Tiristores” [3].


4. Dispositivos de proteção e circuitos

4.1 Varistores
Um varistor ou VDR (do inglês Voltage Dependent Resistor) é um componente
eletrônico cujo valor de resistência elétrica é uma função da tensão aplicada nos seus terminais.
Isto é, a medida que a diferença de potencial sobre o varistor aumenta, sua resistência diminui.
Os VDRs são geralmente utilizados como elemento de proteção contra transientes de
tensão em circuitos, tal como em filtros de linha. Assim eles montados em paralelo ao circuito
que se deseja proteger, por apresentarem uma característica de "limitador de tensão",
impedindo que surtos de pequena duração cheguem ao circuito, e no caso de picos de tensão
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de maior duração, a alta corrente que circula pelo dispositivo faz com que o dispositivo de
proteção (disjuntor ou fusível), desarme, desconectando o circuito da fonte de alimentação

Figura 37 – Varistor utilizado como proteção contra surtos de tensão


4.2 Fusíveis
Os fusíveis são dispositivos que protegem os circuitos elétricos contra danos causados
por sobrecargas de corrente, que podem provocar até incêndios, explosões e choques elétricos.
Os fusíveis são aplicados geralmente nos circuitos domésticos e na indústria leve.
O funcionamento do fusível baseia-se no princípio segundo o qual uma corrente que
passa por um condutor gera calor proporcional ao quadrado de sua intensidade. Quando a
corrente atinge a intensidade máxima tolerável, o calor gerado não se dissipa com rapidez
suficiente, derretendo um componente e interrompendo o circuito.
O tipo mais simples é composto basicamente de um recipiente tipo soquete, em geral
de porcelana, cujos terminais são ligados por um fio curto (elemento fusível), que se derrete
quando a corrente que passa por ele atinge determinada intensidade. O chumbo e o estanho
são dois metais utilizados para esse fim. O chumbo se funde a 327º C e o estanho, a 232º C.
Se a corrente for maior do que aquela que vem especificada no fusível: 10A, 20A, 30A, etc, o
seu filamento se funde (derrete).


Figura 38 – Fusível de uso geral (esquerda) e utilizado em automóveis (direita)
O fusível de cartucho, manufaturado e lacrado em fábrica, consiste de um corpo oco
não condutivo, de vidro ou plástico, cujo elemento condutor está ligado interiormente a duas
cápsulas de metal e os terminais são localizados nas extremidades (figura 39).


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Figura 39 – Fusível de cartucho

4.3 Transformadores de Pulso

Os transformadores de pulso são especialmente projetados para transmitir os pulsos de
disparo aos tiristores.
A figura abaixo dá um exemplo de utilização de transformador de pulso num circuito de
disparo com UJT:



Figura 40 – Uso do Trafo de pulso para isolação de pulsos de disparo

O projeto dos transformadores de pulso deve atender a algumas condições, entre as quais a
de o acoplamento entre primário e secundário deve ser o mais perfeito possível. É que no
disparo, a corrente injetada no gatilho propaga-se transversalmente no material semicondutor
do SCR. Durante essa propagação, as áreas atingidas vão se tornando condutoras, deixando
circular a corrente de anodo. A figura seguinte simboliza a propagação da área condutora.


Figura 41
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Se o acoplamento não for adequado, durante o disparo, a área condutora pode não se
espalhar rapidamente, fazendo com que a corrente de anodo se concentre toda em uma área
pequena. É o que chamamos de ponto quente. Isto tende a queimar o SCR.
Quando a carga for indutiva, haverá um intervalo entre o instante de disparo e o momento
em que realmente o SCR entrará em condução. Desta forma, deve-se manter o pulso aplicado
por um intervalo de tempo razoável, para garantir que o SCR esteja em condições de disparo
no momento adequado.
Isto resulta em pulsos largos, que tendem a saturar o núcleo do transformador de pulso.
Para evitar essa saturação, usa-se um esquema chamado de disparo por pulsos de alta
frequência. O pulso largo é transformado em um trem de pulsos de alta frequência, conforme
visto abaixo:



Figura 42 – Trem de pulsos para minimizar a saturação do Trafo de pulso

A tensão VGD é o pulsou tensão de gatilho desejada. Trata-se de uma tensão de baixa
frequência, que tende a saturar o transformador e distorcer a tensão aplicada ao gatilho.
A tensão VGP é uma tensão com envoltória VGD e possui alta frequência quando há
necessidade de se aplicar pulso no gatilho.
Para exemplificar este método, vejamos a figura 43 na página seguinte.

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Figura 43 – Circuito utilizando o Trafo de pulso

O circuito acima utiliza o CI 555, montado na sua configuração astável, gera um sinal de alta
frequência (5 a 10 kHz) em sua saída (pino 3), cujo valor depende de R1, R2 e C1. Após passar
pela porta lógica AND, o sinal é amplificado pelo transistor e acoplado ao SCR através do
transformador de pulso. O diodo D1 evita que apareçam sobretensões no transistor, quando
este cortar. Neste instante, a energia armazenada no núcleo do transformador é dissipada pelo
resistor de 33O. No secundário do transformador, D2 retifica os pulsos, impedindo que seja
aplicada tensão negativa ao gatilho do SCR.

4.4 Acopladores Ópticos

Outra maneira de isolar pulsos de disparo é através de um LED infravermelho e um
fotodetector. O fotodetector pode ser um transistor ou até um SCR ou TRIAC, arranjados
num mesmo invólucro. A figura seguinte ilustra duas possibilidades.



Figura 44 – Acopladores ópticos

O inconveniente em usar acopladores ópticos com transistor é a necessidade de uma fonte
adicional, para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente de gatilho.
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O exemplo abaixo utiliza o MOC3011 da Motorola para acionar uma carga resistiva via um
TRIAC.

Figura 45 – Detalhe do MOC3011

Desejando acionar o TRIAC Q1, o sistema digital deve fornecer nível lógico “1” à
entrada de controle da porta NAND. Assim, o pino 2 do MOC3011 vai para nível lógico “0” e o
LED D2 fica polarizado diretamente, disparando o fotodetector Q2 e, como conseqüência, o
TRIAC Q1.


5. Conversores AC/DC (retificadores)

5.1 Retificadores monofásicos não controlados

A retificação é o processo de converter tensão e corrente alternadas em tensão e
corrente contínuas. Um retificador não controlado usa apenas diodos como elementos de
retificação. A amplitude da tensão de saída DC é determinada pela amplitude da tensão de
alimentação AC. Entretanto, a saída da tensão DC contém componentes AC significativas, as
quais recebem o nome de ondulação. Para eliminar a ondulação, costuma-se inserir um filtro
capacitivo após o retificador.
Os tipos de retificador não controlados e estudados na disciplina de Eletrônica Analógica
são o meia-onda, onda completa com derivação (tap) central e onda completa em ponte.




Figura 46(a) – Retificado meia-onda


Figura 46(b) – Retificado OC com tap central





Figura 46(c) – Retificado OC em ponte


Figura 46(d) – Retificado OC em ponte com filtro capacitivo


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5.2. Retificadores Monofásicos Controlados

Os circuitos retificadores são aqueles que transformam um sinal AC em um sinal DC não
constante. Eles podem ser não controlados e controlados. Os primeiros utilizam os diodos
semicondutores de potência como elementos retificadores, não havendo, portanto, controle do
ângulo de disparo. Os retificadores controlados têm como elementos retificadores geralmente
os SCRs, possibilitando o controle do ângulo de disparo e, consequentemente, o controle da
potência entregue à carga. Neste material estudaremos os retificadores controlados de meia
onda e de onda completa.


Retificador controlado de meia onda

A figura 47 mostra um circuito retificador de meia onda com carga resistiva.











Figura 47 – Retificador de meia onda monofásico controlado com carga resistiva

O comportamento das tensões e corrente de carga é mostrado a seguir:





























Figura 48 – Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva

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Observa-se que durante o semiciclo positivo, o SCR ficará diretamente polarizado e
conduzirá se o pulso de acionamento for aplicado ao gatilho. Se o SCR passar a conduzir
(instante t
0
), uma corrente fluirá na carga e a tensão de saída (V
0
) será aproximadamente igual
à tensão de entrada. No instante em que o semiciclo torna-se igual a igual a zero, o SCR
cortará, ficando assim até o próximo disparo no semiciclo positivo. Neste semiciclo, o ângulo
em que o SCR fica bloqueado (o) é chamado de ângulo de disparo e o ângulo em que fica
conduzindo (u) de ângulo de condução.
A figura 49 mostra um circuito retificador em meia onda com carga resistiva e indutiva
(caso mais comum):


Figura 49 – Retificador controlado com carga resistiva e indutiva

Se o SCR for acionado com um ângulo de disparo igual a o, a corrente na carga
aumentará devagar, uma vez que a indutância forçará a corrente se atrasar em relação à
tensão. A tensão na carga será positiva e o indutor estará armazenando energia em seu campo
magnético. Quando a tensão aplicada se tornar negativa, o SCR ficará polarizado reversamente.
Entretanto, a energia armazenada no campo magnético do indutor retornará e manterá uma
corrente direta através da carga. A corrente continuará a fluir até | (denominado de ângulo de
avanço), quando então o SCR entrará no estado de bloqueio. A tensão no indutor mudará de
polaridade e a tensão na carga ficará negativa. Em consequência disso, a tensão média na
carga vai se tornar menor do que seria se a carga fosse uma resistência pura. As formas de
onda para este circuito são mostradas abaixo.


Figura 50 - Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva


Para cortar a porção negativa da tensão na carga instantânea e amenizar a ondulação
da corrente de carga, utiliza-se um diodo de retorno (free-wheeling diode ou FWD). Este
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diodo tem por função dissipar a energia armazenada no indutor durante o tempo em que o SCR
estiver bloqueado. O circuito com o FWD e as formas de onda estão mostrados nas figuras 51
e 52.


Figura 51 – Detalhe do diodo de retorno


Figura 52 - Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva com FWD


Retificador controlado de onda completa

Para as cargas resistivas (iluminação incandescente, aquecedores, fornos etc), como
vimos, há a necessidade de um diodo de retorno (FWD), pois não existe (a princípio) uma
indutância. Porém, para efeito de dinamizar o nosso estudo, iremos abordar neste tópico
apenas cargas RL, ou seja, que necessitam de um diodo de retorno. Um circuito retificador com
carga RL e FWD é visto na figura 53.
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Figura 53 – Retificador OC controlado com FWD

No circuito na figura acima são disparados aos pares (SCR
1
/SCR
4
e SCR
2
/SCR
3
), com um
ângulo de disparo igual a o. Os valores médios para a tensão e corrente na carga são o dobro
dos valores do retificador de meia onda. As formas de onda são mostradas abaixo:



Figura 54 – Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva


6. Conversores DC/DC (choppers)

O conversor DC/DC ou chopper é usado para obter uma tensão DC variável a partir de
uma fonte de tensão DC constante. O valor médio da tensão de saída varia quando se altera a
proporção do tempo no qual a saída fica ligada à entrada. Essa conversão pode ser obtida pela
combinação de um indutor ou capacitor e um dispositivo de estado sólido que opere no modo
de chaveamento em alta frequência.
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A técnica de chaveamento usada em choppers é denominada de PWM (pulse-width
modulation – modulação por largura de pulso). Há dois tipos básicos de choppers: step-
down ou buck e step-up ou boost.
Antes de sermos apresentados de fato aos circuitos choppers, veremos a técnica de
chaveamento PWM. Neste método, a largura do pulso alto (T
ON
) varia enquanto o período de
chaveamento total T é constante. A figura 55 mostra como as formas de onda de saída variam
à medida que o ciclo de trabalho (tempo de duração de T
ON
) aumenta e, por consequência, o
valor médio (V average) da tensão também aumenta.



Figura 55 – Modulação por largura de pulsos (PWM)


6.1 Chopper step-down (buck)

O chopper step-down (buck) se caracteriza pela tensão média de saída (VO) ser menor
que a tensão de entrada (VI). A configuração básica deste tipo de chopper é mostrada abaixo.











Figura 56 – Chopper buck

Enquanto a chave S (que pode ser qualquer elemento chaveador como SCR, transistor
bipolar, MOSFET operando em PWM) estiver fechada, o diodo ficará polarizado reversamente e
o indutor armazenando energia em forma de campo magnético. Nesta situação temos que
Vo=Vi.
Quando a chave abrir, a tensão VL torna-se negativa impondo o diodo D ficar em
condução até que a energia do indutor se descarregue ou que a chave S volte a fechar. Nesta
situação temos que Vo<Vi, pois a parcela relativa a VL diminui a soma Vo=VL+VR.
A figura seguinte esclarece estes comportamentos.

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Figura 57 – Funcionamento do chopper buck

As formas de onda das correntes e tensões deste circuito são vistas na figura 58.





















Figura 58 – Formas de onda no chopper buck


6.2 Chopper step-up (boost)

No circuito boost, a tensão de saída pode variar desde a fonte de tensão até diversas
vezes a fonte de tensão. O circuito básico deste chopper é mostrado na figura 59.

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Figura 59 - Chopper boost

Na fig. 60, quando a chave S passar para o estado de condução, o indutor ficará
conectado à alimentação. A tensão no indutor (VL) pulará no mesmo instante para a fonte de
tensão Vi, mas a corrente no indutor Ii aumentará de maneira linear e armazenará energia no
campo magnético. Quando a chave for aberta, a corrente cairá de forma violenta e a energia
armazenada no indutor será transferida para o capacitor, através do diodo D. A tensão induzida
no indutor VL mudará de polaridade, somando-se à fonte de tensão para aumentar a tensão de
saída VO (mesma tensão do capacitor). Portanto, a energia armazenada no indutor será
liberada para a carga. Quando S for fechada, D se tornará inversamente polarizado, a energia
do capacitor fornecerá a tensão na carga e o ciclo se repetirá.



Figura 60 - Funcionamento do chopper boost


As formas de onda deste circuito são mostradas na fig. 61 da página seguinte.

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Figura 61 - Formas de onda no chopper boost


6.3 Chopper buck-boost

O circuito chopper buck-boost combina os conceitos dos choppers anteriores. A tensão
de saída pode ser mais alta, igual ou menor que a tensão de entrada. Uma inversão de
polaridade na tensão de saída também pode ocorrer. Como visto nas situações anteriores, a
chave pode ser qualquer dispositivo de chaveamento controlado, tal como um TJB ou IGBT.
Vemos na fig. 62(a) a configuração do chopper buck-boost. Quando a chave S estiver
ligada, o diodo D ficará inversamente polarizado e i
D
será nula. O circuito pode ser simplificado,
como mostra a fig. 62(b). A tensão no indutor é igual à tensão de entrada e a corrente no
indutor i
L
aumenta de modo linear com o tempo. Quando S estiver desligada, a fonte será
desconectada. A corrente no indutor não poderá variar de imediato; logo, polarizará o diodo
diretamente e fornecerá um caminho para a corrente na carga. A tensão de saída se tornará
igual à tensão no indutor. O circuito pode ser simplificado, como mostra a fig. 62(c). As formas
de onda de tensão e de corrente são apresentadas na fig. 63.






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Figura 62 – Diagrama e funcionamento do chopper buck-boost





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Figura 63 – Formas de onda no chopper buck-boost


7. Conversores DC/AC (inversores)

Os inversores são circuitos estáticos (isto é, não têm partes móveis) que convertem
potência DC em potência AC com a frequência e tensão ou corrente de saída desejada. A
tensão de saída tem uma forma de onda periódica que, embora não-senoidal, pode, com uma
boa aproximação, chegar a ser considerada como tal. Dentre os vários tipos de inversores
destacamos os de fonte de tensão (VSI – Voltage source inverters) que são utilizados nas
fontes de tensão de funcionamento contínuo (UPS – Uninterruptible power supplies).
O circuito básico para gerar um sinal AC a partir de um DC, monofásico, é mostrado na
figura seguinte:

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Figura 64 – Esquema básico do inversor

As chaves S
1
e S
2
ligam e desligam a fonte DC à carga de modo alternado, o que
produz uma forma de onda retangular de tensão AC. O circuito anterior é chamado de inversor
de meia ponte por ter apenas dois elementos chaveadores. Uma vez que as chaves têm
terminais positivo e negativo, a combinação das duas chaves fornecem os quatro estados
mostrados na figura 65.


Figura 65 – Estados das chaves no inversor

Quando os estados 1 e 3 são repetidos de maneira alternada, uma tensão de onda
quadrada é gerada na carga, como mostra a figura 66(a). Se os estados 2 e 4, que fazem a
tensão na carga ficar em zero, são usados, obtém-se uma onda em degrau ou forma de onda
quase quadrada, como pode ser observado na figura 66(b).



Figura 66 – Forma de onda de tensão na carga


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7.1 Funcionamento de inversores monofásicos

A figura 67 mostra um inversor monofásico com carga RL que usa SCRs como chaves. A
tensão de saída é uma forma de onda retangular, com um ciclo de trabalho de 50%. A forma
de onda da corrente na saída tem forma exponencial. Quando a tensão de saída for positiva, a
corrente crescerá exponencialmente. Durante o ciclo seguinte, quando a tensão de saída for
negativa, a corrente cairá exponencialmente.
A função dos diodos de retorno é fornecer um caminho de volta para a corrente de
carga, quando as chaves estiverem desligadas. Logo após SCR
2
e SCR
3
passarem para o estado
desligado em t=0, por exemplo, os diodos D
1
e D
4
irão ligar. A corrente de carga começará em
um valor negativo e crescerá exponencialmente a uma taxa dada pela constante de tempo da
carga (t = L/R). A fonte de corrente DC, nesse período, é invertida e flui de fato para a fonte
DC. Quando a corrente na saída chega a zero, D
1
e D
4
passam para o estado desligado e SCR
1

e SCR
4
, para o ligado. A corrente continua a crescer e alcança o valor máximo em t=T/2,
quando SCR
1
e SCR
4
passam para o estado desligado. A tensão na saída se inverte, mas a
corrente na saída continua a fluir na mesma direção. A corrente na saída somente pode fluir
através dos diodos D
2
e D
3
, que ligam a fonte DC à carga , o que gera tensão inversa. A energia
armazenada no indutor retorna à fonte DC e a corrente na saída agora cai de seu valor máximo
e chega a zero. Logo que a corrente de carga parar, SCR
2
e SCR
3
podem conduzir para fornecer
potência à carga. A corrente alcança seu valor máximo negativo em t=T e o ciclo se repete.
A figura 68 apresenta as formas de onda de tensão e corrente. Também mostrados nas
formas de onda estão os dispositivos que conduzem durante os vários intervalos. Observe, na
forma de onda da fonte de corrente (indutor), que esta fica positiva quando as chaves
conduzem e quando há potência entregue pela fonte. Mas se torna negativa quando os diodos
conduzem e quando há potência absorvida pela fonte.



Figura 67 – Inversor monofásico com carga resistiva e indutiva


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Figura 68 – Formas de onda de tensão e corrente



8. Chaves estáticas

8.1 Definições e aplicações

Uma chave estática comuta a potência para a carga, liga e desliga, mas não a modifica
em nenhum outro aspecto. A característica duplamente estável dos dispositivos semicondutores
(como os tiristores) – isto é, a existência de dois estados estáveis (condução e não condução) –
sugere que esses dispositivos podem ser usados como chaves sem contatos. As aplicações no
campo do chaveamento estático incluem chaves liga/desliga, disjuntores, relés de estado sólido,
contactores e outros semelhantes. Um caso típico de operação de uma chave estática é a
aplicação de tiristores no chaveamento de uma carga, como observado na fig. 69.


Figura 69 – Aplicações de chaves estáticas
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8.2 Comparação com relés eletromecânicos

Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relação aos relés
eletromecânicos e a outros dispositivos mecânicos de chaveamento. Para a devida comparação,
vejamos o que são os relés eletromecânicos.

Relés Eletromecânicos

A estrutura simplificada de um relé eletromecânico é mostrada na figura 70.

Figura 70 – Estrutura do relé eletromecânico

Nas proximidades de um eletroimã é instalada uma armadura móvel que tem por
finalidade abrir ou fechar um jogo de contatos. Quando a bobina é percorrida por uma corrente
elétrica é criado um campo magnético que atua sobre a armadura, atraindo-a. Nesta atração
ocorre um movimento que ativa os contatos, os quais podem ser abertos ou fechados.
Isso significa que, através de uma corrente de controle aplicada à bobina de um relé,
podemos abrir ou fechar os contatos de uma determinada forma, controlando assim as
correntes que circulam por circuitos externos. Quando a corrente deixa de circular pela bobina
do relé o campo magnético criado desaparece, e com isso a armadura volta a sua posição inicial
pela ação da mola.
Os relés se dizem energizados quando estão sendo percorridos por uma corrente em
sua bobina capaz de ativar seus contatos, e se dizem desenergizados quando não há corrente
circulando por sua bobina. A aplicação mais imediata de um relé com contato simples é no
controle de um circuito externo ligando ou desligando-o, conforme mostra a próxima figura.
Observe o símbolo usado para representar este componente.



Figura 71 – Relé utilizado no acionamento de carga AC sob o comando de um sinal DC


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39
Uma das características do relé é que ele pode ser energizado com correntes muito
pequenas em relação à corrente que o circuito controlado exige para funcionar. Isso leva a
possibilidade de controlarmos circuitos de altas correntes como motores, lâmpadas e máquinas
industriais, diretamente a partir de dispositivos eletrônicos fracos como transistores, circuitos
integrados, foto-resistores etc. A corrente fornecida diretamente por um transistor de pequena
potência da ordem de 0,1A não conseguiria controlar uma máquina industrial, um motor ou
uma lâmpada, mas pode ativar um relé e através dele controlar a carga de alta potência.
Outra característica importante dos relés é a segurança dada pelo isolamento do
circuito de controle em relação ao circuito que está sendo controlado. Não existe contato
elétrico entre o circuito da bobina e os circuitos dos contatos do relé, o que significa que não há
passagem de qualquer corrente do circuito que ativa o relé para o circuito que ele controla.
Se o circuito controlado for de alta tensão, por exemplo, este isolamento pode ser importante
em termos de segurança.

Chaves estáticas x Relés eletromecânicos

Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relação aos demais
dispositivos de chaveamento. Vejamos algumas:

1. Propicia velocidades de chaveamento extremamente altas, porque a chave liga de
imediato.
2. A operação é tranquila porque não há partes móveis e não ocorrem centelhas.
3. A interferência eletromagnética (EMI) é minimizada.
4. A vida útil é bem maior.
5. É imune a vibrações e choques mecânicos.
6. É pequena e leve.
7. Pode ser controlada eletronicamente.
8. O custo é baixo.
9. Na comutação, não há trepidação.
10. Oferece maior segurança e confiabilidade.
11. Oferece a possibilidade de controle à distância e de potência entregue à carga.


8.3. Relés de estado sólido (SSR)

Os SSRs diferem dos relés eletromecânicos pelo fato de não apresentarem partes
mecânicas móveis. A estrutura interna de um SSR é feita de semicondutores, assim ele pode
operar em grandes velocidades, comparado a um relé eletromecânico.
Há duas categorias de SSRs: módulos I/O e chaves estáticas. Ambas são
largamente são largamente utilizadas na indústria, sendo a primeira para baixas potências e
empregada como interface entre o comando digital e pequenas cargas (solenóides, lâmpadas,
eletroválvulas, etc.). As chaves estáticas possuem o mesmo princípio de funcionamento dos
módulos I/O, porém são projetadas para operar com cargas de alta potência (grandes motores,
por exemplo).
Os semicondutores que formam os SSRs podem ser TJBs, MOSFETs, SCRs e outros
tantos. Ainda, há SSRs monofásicos e trifásicos que trabalham tanto em DC como em AC. A
figura seguinte mostra dois tipos de SSRs: um com comando DC e o outro com comando AC.
Deve ser observada a isolação ótica entre o comando de entrada e a saída.

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Figura 72 – Módulos I/O de potência









































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9. Bibliografia


1. AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência.Prentice Hall, 2000.

2. LANDER, Cyril W. Eletrônica Industrial – Teoria e Aplicações – 2ª Edição. MAKRON
Books do Brasil Editora Ltda. 1996.

3. ALMEIDA, José Luis Antunes de. Estude e Use – Dispositivos Semicondutores –
Tiristores. Editora Érica.







































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Índice
1. 1.1. 1.2. 1.3. 1.4. 2. 2.1. 2.2. 2.3. 2.4. 2.5. 2.6. 3. 3.1. 3.2. 3.3. 3.4. 4. 4.1. 4.2. 4.3. 4.4. 5. 5.1. 5.2. 6. 6.1. 6.2. 6.3. 7. 7.1. 8. 8.1. 8.2. 8.3. 9. Eletrônica de potência ............................................................................ Definição ................................................................................................. Chaves semicondutoras de potência ...................................................... Tipos de circuitos de eletrônica de potência ........................................... Aplicações da eletrônica de potência ..................................................... Dispositivos de potência: características e funcionamento ..................... Diodos de potência ................................................................................. Transistor bipolar de junção (TJB) ............................................................... Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) ......... Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ................................................... Retificador controlado de silício (SCR) ........................................................ TRIAC .......................................................................................................... Dispositivos e circuitos de disparo ............................................................... DIAC ............................................................................................................ Transistor de unijunção (UJT) ...................................................................... Oscilador de relaxação com UJT ................................................................. CIs para disparo ........................................................................................... Dispositivos de proteção e circuitos ............................................................. Varistores ..................................................................................................... Fusíveis ........................................................................................................ Transformadores de pulso ........................................................................... Acopladores ópticos ..................................................................................... Conversores AC/DC (retificadores) ............................................................. Retificadores monofásicos não controlados ................................................ Retificadores monofásicos controlados ....................................................... Conversores DC/DC (choppers) ………………………………………………. Choppers step-down (buck) ……………………………………………………. Choppers step-up (boost) ………………………………………………………. Choppers buck-boost …………………………………………………………… Conversores DC/AC (inversores) ................................................................ Funcionamento de inversores monofásicos ................................................ Chaves estáticas .......................................................................................... Definição e aplicações ................................................................................. Comparação com relés eletromecânicos ..................................................... Relé de estado sólido (SSR) ........................................................................ Bibliografia ................................................................................................... 2 2 2 2 2 3 3 5 6 7 8 13 15 15 15 16 18 19 19 20 21 23 24 24 25 28 29 30 32 34 36 37 37 38 39 41

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1.

Eletrônica de Potência

1.1 Definição A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de potência, como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em níveis altos de potência aplicados à indústria. Essa conversão é normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parâmetros controlados são tensão, corrente e frequência. Portanto, a eletrônica de potência pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve três campos básicos: a potência, a eletrônica e o controle. 1.2 Chaves semicondutoras de potência As chaves semicondutoras de potência são os elementos mais importantes em circuitos de eletrônica de potência. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como chaves em circuitos de eletrônica de potência são: Diodos; Transistores bipolares de junção (BJTs); Transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs); Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs); Retificadores controlados de silício (SCRs); Triacs; 1.3 Tipos de circuitos de eletrônica de potência Os circuitos de eletrônica de potência (ou conversores, como são usualmente chamados) podem ser divididos nas seguintes categorias: 1. Retificadores não controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou trifásica em uma tensão DC e são usados diodos como elementos de retificação. 2. Retificadores controlados (AC para DC) – converte uma tensão monofásica ou trifásica em uma tensão variável e são usados SCRs como elementos de retificação. 3. Choppers DC (DC para DC) – converte ums tensão DC fixa em tensões DC variáveis. 4. Inversores (DC para AC) – converte uma tensão DC fixa em uma tensão monofásica ou trifásica AC, fixa ou variável, e com frequências também fixas ou variáveis. 5. Conversores cíclicos (AC para AC) – converte uma tensão e frequência AC fixa em uma tensão e frequência AC variável. 6. Chaves estáticas (AC ou DC) – o dispositivo de potência (SCR ou triac) pode ser operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecânicas e eletromagnéticas tradicionais. 1.4 Aplicações da Eletrônica de Potência A transferência de potência elétrica de uma fonte pela variação da tensão de alimentação (com o uso de inserção de um regulador (como uma chave). Os dispositivos semicondutores utilizados como pequeno, do custo baixo, da eficiência e da utilização para para uma carga pode ser controlada um transformador variável) ou pela chaves têm a vantagem do porte o controle automático da potência.

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A aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência vem crescendo incessantemente. Os dispositivos como diodo de potência, transistor de potência, SCR, TRIAC, IGBT etc, são usados como elementos de chaveamento e controle de fornecimento de energia de máquinas e motores elétricos. Dentre as aplicações cotidianas mais comuns se destaca o controle microprocessado de potência.

Fig. 01 - Controle microprocessado de potência

Os equipamentos de informática, tais como a fonte de alimentação chaveada do PC, o estabilizador, o no-break, etc, utilizam como elementos principais dispositivos semicondutores chaveadores (Mosfets, IGBTs, TJBs, etc).

Fig. 02 - No-break

Fig. 03 - Fonte Chaveada de PC

2. Dispositivos de potência: características e funcionamento
2.1 Diodos de potência O material ativo mais comum para a construção do diodo é o silício, um material semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja resistência decresce com o aumento da temperatura. O silício é um elemento do grupo IV da tabela periódica e tem quatro elétrons na última órbita em sua estrutura atômica. Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco elétrons na última órbita, haverá um elétron livre na estrutura do cristal. O elétron livre possibilita um grande aumento na
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Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva. que pode receber um elétron. Se for excedido a PIV nominal. O contrário aplica-se a semicondutor tipo P. o diodo começa a conduzir na direção inversa e pode ser danificado no mesmo instante. como o elétron é uma carga negativa. dependendo do tipo do diodo.d. Se ao silício for acrescentada uma impureza trivalente. Em semicondutores tipo N. Dependendo da dopagem. é necessária uma d. Figura 04 – Símbolo do diodo Na figura 05 vemos o aspecto físico de um diodo de potência caracterizado pelo anodo rosqueado.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE condução e. surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina.6V (em diodos de sinal) para que haja a condução. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 4 . um elemento com três elétrons na sua última órbita. com valor acima de 0. a maioria dos portadores de corrente é de elétrons e a minoria é de lacunas. a condutividade do semicondutor tipo N ou P é aumentada muito se comparada ao silício puro.p. Figura 05 – Aspecto físico do diodo de potência Principais valores nominais para os diodos Tensão de pico inversa (PIV) O valor nominal da tensão de pico inversa (peak inverse voltage – PIV) é a tensão inversa máxima que pode ser ligada nos terminais do diodo sem ruptura. Os valores nominais da PIV são também chamados de tensão de pico reversa (PRV) ou tensão de ruptura (VBR). só há passagem de corrente elétrica quando for imposto um potencial maior no lado P do que no lado N. esse material dopado é conhecido como semicondutor tipo P. esse material é conhecido como semicondutor tipo N. Em diodos de potência. Os valores nominais da PIV são de dezenas a milhares de volts. Desta forma. O diodo mostrado abaixo é formado pela junção dos materiais dos tipos N e P. e possibilita um grande aumento na condução. conhecida como lacuna. Devido a uma barreira de potencial formada nesta junção (V). O grau de dopagem (adição de impurezas) é da ordem de 10 7 átomos. esta tensão necessária gira em torno de 1 a 2V.

como o Schottky. O intervalo durante o qual a corrente inversa flui é denominado de tempo de recuperação reverso. em um único instante. Os diodos são classificados como de recuperação rápida e lenta com base nos tempos de recuperação. uma corrente inversa flui por breve período. são removidos os portadores de carga armazenados na junção quando a condução direta cessou. A figura abaixo mostra um caso onde o diodo conduzia a corrente direta (I F) e que. Durante este período. nos diodos de junção PN. e o diodo não desliga até que a corrente inversa caia a zero. Um diodo real não passa. Os diodos de recuperação rápida são utilizados em aplicações de alta frequencia. Os diodos de potência estão disponíveis com valores nominais que vão desde alguns poucos a centenas de ampères. do estado de condução para o estado de não-condução. Esses tempos vão da faixa de microssegundos. tais como inversores.2 Transistor bipolar de junção (TJB) Um transistor bipolar é um dispositivo de três camadas P e N (P-N-P ou N-P-N). existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso (I RR). Figura 06 – Tempo de recuperação reverso Temperatura máxima da junção (Tj(Max)) Este parâmetro define a temperatura máxima que o diodo pode suportar. Os diodos são em geral montados em dispositivos dissipadores de calor para que haja melhora nas condições nominais de temperatura. Tempo de recuperação reverso (trr) O tempo de recuperação reverso de um diodo é bastante significativo em aplicações de chaveamento em alta velocidade. cujos símbolos são mostrados na figura 07. na junção. 2.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Corrente direta média máxima (If(avg)Max) A corrente direta média máxima é a corrente máxima que um diodo pode aguentar com segurança quando estiver diretamente polarizado. As temperaturas nominais de diodos de silício estão normalmente na faixa de -40ºC a +200ºC. choppers e nobreaks. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 5 . Corrente máxima de surto (IFSM) O valor nominal da corrente direta máxima de surto é a corrente máxima que o diodo pode suportar durante um transitório fortuito ou diante de um defeito no circuito. Nesse momento. depois de desligado. A operação em temperaturas mais baixas costuma resultar em um desempenho melhor. sem apresentar defeito. a várias centenas de nanossegundos em diodos de recuperação rápida.

tensão de saturação é de 1. Algumas características são próprias devido aos níveis de correntes e tensões que o dispositivo trabalha.1V para um transistor de silício. Os terminais principais são o dreno e a fonte. tensão e corrente máximas de coletor de 700V e 800A. operação como chave. teremos as seguintes equações: NPN ou PNP: IE = IC + IB NPN ou PNP: IC = IB NPN: VCE = VBE + VCB PNP: VEC = VEB + VBC Para o TJB trabalhar como chave eletrônica é preciso polarizá-lo nas regiões de corte e saturação e como amplificador. variando entre os estados de corte e saturação. com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo controlada pela tensão entre a porta e a fonte. tensão de bloqueio reverso entre coletor e emissor em torno de 20V. 2. por exemplo: a) b) c) d) e) o ganho () varia entre 15 e 100. de modo que o impede de trabalhar em AC. respectivamente. o TJB de potência segue os mesmos parâmetros do transistor de sinal.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 07 – Transistor bipolar de junção A figura seguinte mostra as correntes e tensões inerentes aos dois tipos de TJB’s: Figura 08 – Correntes e tensões no TJB Aplicando-se as leis de Kirchoff para corrente e tensão. Abaixo é mostrado o símbolo do MOSFET: APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 6 . De modo geral.3 Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) O transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico (MOSFET) de potência é um dispositivo para uso como chave em níveis de potência. na região ativa.

Os MOSFETs estão disponíveis no mercado nos tipos canal N e canal P.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 09 – Símbolo do MOSFET O MOSFET é um transistor de chaveamento rápido. Entretanto. apropriado para potências baixas (até alguns quilowatts) e para aplicações de alta frequência (até 100kHz). Este diodo é chamado de diodo de corpo e serve para permitir um caminho de retorno para a corrente para a maioria das aplicações de chaveamento. propiciando um controle de condução entre dreno e fonte a partir de uma tensão aplicada no terminal de porta. O símbolo do IGBT é mostrado a seguir: APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 7 .4 Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as características de baixa queda de tensão de saturação do TJB com as excelentes características de chaveamento e simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET. A figura 08 mostra a simbologia de um dispositivo em canal N. Ainda. O MOSFET é bem mais rápido nas comutações que o TJB. os dispositivos em canal N têm valores nominais de corrente e tensão mais altos. a corrente de controle é praticamente nula. Devido à alta resistência de porta. entretanto fornece mais perdas de condução na saturação. Isto de deve ao um diodo acoplado internamente a sua estrutura em antiparalelo. caracterizado por uma alta impedância de entrada. além de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulação por largura de pulso – PWM (ver item 6). Este diodo é visto na figura 10. nas quais frequências altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais econômicos. pela baixíssima necessidade de corrente de controle. é possível comutar a condução do MOSFET através de circuitos microcontrolados. Um MOSFET tem aplicações importantes em fontes de alimentação chaveadas. Figura 10 – Detalhe do diodo de corpo 2. O MOSFET infelizmente sozinho não consegue bloquear uma tensão reversa entre dreno e fonte.

Figura 13 – Aspecto físico do SCR de potência Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo terminal de gatilho. chamados de anodo (A). Assim.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 11 – Símbolo do IGBT Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicações de alta tensão. 2. apesar da tensão ser positiva. Ao contrário do que ocorre no MOSFET. são menores que as dos MOSFETs. e o gatilho. Só quando for aplicado um pulso de gatilho. Portanto. como mostra a figura a seguir: Figura 12 – Retificador controlado de silício A seguir vemos o aspecto físico mais comum do SCR de potência. mais grosso. Embora as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as dos TJBs. No SCR. sua capacidade de bloqueio para tensões inversas é muito ruim. catodo (K) e gatilho (G). nas quais as perdas na condução precisam ser mantidas em valores baixos. o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula).5 Retificador controlado de silício (SCR) O SCR é um dispositivo de três terminais. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 8 . A figura mostra o anodo sendo o terminal rosqueado e dois rabichos: o catodo. A tensão inversa máxima que ele pode suportar é de menos de 10 V. o IGBT não tem qualquer diodo reverso interno. as frequências máximas de chaveamento possíveis com IGBT ficam entre as dos TJBs e as dos MOSFETs. mais fino. é que o SCR passará a conduzir corrente.

sendo limitada pela resistência de carga. Caso esse valor não seja atingido.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE comportando-se como um curto-circuito. quanto maior o valor da corrente de gatilho. a corrente reversa é da ordem de dezenas a centenas de A e nos de alta corrente. Características e parâmetros Observando-se a curva da figura 14. O produto entre a tensão e corrente de gatilho dá um nível de potência para o qual um máximo é estabelecido. desde que a tensão seja inferior a VBO (tensão de disparo ou breakover voltage). Figura 14 – Curva característica do SCR Pela curva do SCR. A corrente reversa depende do tipo de SCR. após o disparo. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 9 . o SCR volta ao estado de bloqueio. há várias curvas parametrizadas pela corrente de gatilho IG. pode-se distinguir três regiões: Polarização reversa: com VAK<0. Com IGT aplicada. Polarização direta em bloqueio: nesta região. Na região de polarização direta em condução. a queda de tensão do dispositivo é em torno de 1.5V. sendo estabelecida a condução (IA>IL). tanto menor a tensão VAK necessária para disparar o SCR. o SCR dispara e a corrente cresce. praticamente não há corrente reversa. a corrente de gatilho poderá ser removida que este continuará em condução. Métodos de acionamento O nível mínimo de tensão e corrente necessário para o disparo do SCR é uma função da temperatura da junção. Isso é verdade até o limite de I G = IGT (corrente de gatilho com disparo). O SCR só voltará ao bloqueio se a corrente I A cair abaixo de IH (corrente de manutenção ou holding current). o SCR permanece bloqueado. IGT é a mínima corrente de gatilho que garante o disparo do SCR com tensão direta de condução VT. Polarização direta em condução: para que o SCR permaneça nesta região. colocada em série com o SCR. quanto menor a temperatura de junção. é necessário que a corrente de anodo atinja um valor mínimo de disparo IL (latching current ou corrente de disparo). vê-se que. Após o disparo. Para observar este fato melhor é mostrada a curva deste dispositivo. Quando V AK= VBO. A corrente e tensão de gatilho estão sujeitas a um valor máximo. a corrente reversa pode chegar a centenas de mA. mas no disparo devem ultrapassar um valor mínimo. De maneira genérica. é como se o SCR fosse um diodo. Quando IG = 0. Nos de baixa corrente. maior será a corrente e menor será a tensão necessária ao gatilhamento. ou se VAK < 0.

a capacitância da junção J2 fará com que circule corrente de gatilho. o SCR pode ser disparado de outras formas. mesmo sem a aplicação da corrente de gatilho. Esse disparo é normalmente indesejado e pode ser evitado pela ação de um circuito de proteção chamado de SNUBBER. Quando a variação de tensão é muito pequena e o intervalo de tempo muito pequeno. Figura 16 – Circuito de proteção SNUBBER APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 10 . pois. o SCR entrará em condução. esses disparos são indesejados. para haver variação de tensão no capacitor (v). é necessário circular uma corrente i pelo capacitor. essa expressão muda para: iC dv dt Em um SCR polarizado diretamente. Este circuito é mostrado na figura 16. como mostra a figura 15. Isto é como um capacitor carregado. Normalmente. Como a variação é muito grande (de zero para V). em um intervalo de tempo (t). Este processo de disparo. Figura 15 – Detalhe do efeito capacitivo na junção do SCR Assim. Disparo por sobretensão Se aumentarmos a tensão VAK a ponto de atingir o valor VBO. nem sempre destrutivo. a corrente resultante será muito grande. podem destruir o dispositivo.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Métodos de disparo sem aplicação do pulso de gatilho Além da aplicação do pulso de gatilho. Essa corrente poderá ser suficiente para estabelecer o processo de condução do SCR. mesmo não havendo pulso no gatilho. Disparo por variação de tensão Um capacitor armazena carga elétrica e a corrente que carrega o capacitor relaciona-se com a tensão pela expressão: iC v t Ou seja. fechando-se a chave CH1. raramente é utilizado na prática. na junção J 2 existem íons positivos de um lado e íons negativos do outro. em alguns casos.

levando o SCR ao bloqueio. normalmente cerca de 1000 vezes menor do que a corrente nominal do dispositivo. o bloqueio estará completo. A corrente de manutenção tem um valor baixo. No segundo caso. significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que ele retorna à condução. em algum momento a corrente passa pelo zero da rede. por aumento de temperatura ou por intensidade de incidência de luz ou radiação no dispositivo. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 11 . não provocar o retorno do SCR ao estado de condução. há um dispositivo próprio chamado de LASCR (Light Activated Silicon Controlled Rectifier). Bloqueio natural Quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de IH. quando a corrente no sentido direto for anulada e a reaplicação de tensão direta. esse dispositivo também é acionado pelo gatilho. Exemplo: Bloqueio pelo Zero da Rede Figura 18 – Bloqueio pelo zero da rede Bloqueio forçado Em vez de aguardar a passagem de corrente pelo zero da rede para bloquear um SCR. o SCR é bloqueado. chamada de corrente de manutenção (holding current). Em circuito CA. Podemos ver na fig. Além do disparo por luz. sem a aplicação do pulso de gatilho. 2º: aplicar tensão reversa. Ou seja. 17 os detalhes deste dispositivo. entre anodo e catodo.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Disparo por outros meios Há a possibilidade do SCR entrar no estado de condução. Figura 17 – Detalhes do LASCR Métodos de bloqueio Bloquear ou comutar um SCR. pode-se fazer o bloqueio através de dois meios: 1º: diminuir o fluxo de corrente direta para um valor abaixo de IH.

APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 12 . o SCR está bloqueado. o SCR conduz também a corrente de carga do capacitor C1. Ou seja. C1. definido nas folhas de dados fornecidos pelo fabricante. passado um tempo correspondente a . conforme se vê abaixo: Figura 21 – Processo de carga do capacitor C1 O capacitor carrega-se de forma exponencial. com uma constante de tempo  = R1 . com cerca de 5 o capacitor estará totalmente carregado com 12V. alimenta-se o circuito de gatilho. Isto restabeleceria o processo de condução do dispositivo. de acordo com a figura 22. a tensão acumulada no capacitor polarizará reversamente o SCR levando-o ao bloqueio. Exemplo: Bloqueio por Chave Figura 19 – Bloqueio por chave Exemplo comentado: Bloqueio por Capacitor Figura 20 – Bloqueio por capacitor Com CH1 e CH2 abertas.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Após o bloqueio. deve-se garantir que a tensão não seja reaplicada ao SCR imediatamente. Fechando-se CH1. o capacitor carrega-se com aproximadamente 2/3 da tensão que o alimenta. Se CH2 for fechada. a lâmpada apagada e o capacitor descarregado. O SCR dispara e lâmpada acende. A tensão reaplicada deve aumentar segundo um parâmetro dv/dt. No caso deste circuito. Além da corrente da lâmpada.

TRI (triodo ou dispositivo de três terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome deste elemento. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 13 . pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos dois sentidos de polarização.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 22 – Polarização reversa do SCR através do capacitor 2. foi desenvolvido o TRIAC.6 TRIAC Para se evitar a necessidade de utilização de dois SCRs em antiparalelo. cuja principal característica é permitir o controle de passagem de corrente alternada. O símbolo é dado por: Figura 23 – Símbolo do triac Características e parâmetros Sua curva característica é mostrada a seguir: Figura 24 – Curva característica do triac Pela curva característica.

Em condução. o primeiro quadrante é o de maior sensibilidade ao disparo e o quarto. aplicações simples do TRIAC em corrente alternada. desta forma ele opera nos quatro quadrantes. em cada caso. O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de tensão e sentido de corrente. Os terminais são chamados de anodo 1 (A1 ou MT1). Figura 25 – Quadrantes de polarização do triac A sensibilidade ao disparo varia conforme o quadrante. anodo 2 (A2 ou MT2) e gatilho (G). tomando-se o terminal A1 como referência. Normalmente. o de menor. Podendo ser disparado com corrente de gatilho positiva ou negativa. a) Controle em Onda-Completa com TRIAC Figura 26 b) Controle de Potência numa carga Figura 27 APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 14 . como exemplo. Vêse este fato na figura 25. apresenta-se quase como um curto-circuito com queda de tensão entre 1V e 2V.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE As condições de disparo são análogas ao do SCR. em função das diferenças nos ganhos de amplificação. O TRIAC em corrente alternada Os circuitos a seguir mostram.

A sua curva característica está mostrada a seguir. Quando isso ocorre. Normalmente. A estrutura física e a simbologia do UJT são mostradas na figura 30. é frequentemente utilizado um DIAC como dispositivo de disparo. conforme pode ser visto na figura 28.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 3. o DIAC entra em condução e cria um caminho de baixa impedância para o capacitor descarregar-se sobre o gatilho do TRIAC. Figura 28 – Controle de disparo com DIAC O DIAC (Diode Alternative Currente) é uma chave bidirecional disparada por tensão. junto com seus símbolos mais utilizados: Figura 29 – Detalhes do DIAC No circuito da figura 28. R2 e C1 defasa a tensão sobre C1. a tensão de disparo dos DIACs ocorre entre 20 e 40V. O capacitor se carrega até atingir a tensão VD de disparo do DIAC. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 15 . 3. A corrente de descarga do capacitor é suficientemente elevada para conseguir disparar TRIACs de baixa potência.2 Transistor de unijunção (UJT) O UJT é um dispositivo semicondutor de três terminais com apenas uma junção PN.1 DIAC Quando o TRIAC é usado como dispositivo de controle. mesmo com valores relativamente baixos de capacitância. a rede R1. Dispositivos e circuitos de disparo 3.

que é a resistência entre o ponto central x e o terminal B2 e a segunda. mostrado na figura 32. O segundo informa o valor de tensão que. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 16 . o diodo representa a junção PN do emissor. 3. formada por uma resistência fixa rs e outra variável rn. rb2. O caminho B2-B1 (Base 2 e Base 1) é dividido em duas partes: a primeira. após a entrada em condução. O primeiro diz o valor de tensão necessário para fazer conduzir o caminho entre o emissor (E) e a base 1 (B1).3 Oscilador de relaxação com UJT O circuito tradicional de disparo usando o UJT é chamado de oscilador de relaxação. Figura 31 – Circuito equivalente do UJT Na figura acima. A soma das resistências rbb = rb1 + rb2 corresponde à resistência da barra entre os terminais B1 e B2. Figura 32 – Oscilador de relaxação O UJT tem dois parâmetros importantes: Tensão de Disparo (VP) e Tensão de Vale (VV). sendo rb1 = rs + rn.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 30 – Detalhes do UJT Para facilitar a análise do funcionamento do UJT é utilizado o circuito visto a seguir.

Este surto de corrente inicial é transitório.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE bloqueia o citado caminho. é oscilatório. sendo as formas de onda de VE. o UJT sai de condução proporcionando uma nova recarga do capacitor. passará uma pequena corrente pelo caminho entre os terminais de base. o UJT começará a conduzir através do caminho emissor e base1. VB1 e VB2 como mostradas abaixo: Figura 33 – Sinais de tensão no oscilador de relaxação Em B1. irá produzir uma pequena queda de tensão no resistor RB1. Ao ligarmos a fonte VBB ao circuito. Deste modo. O circuito. conforme ilustra o circuito da figura 34. isto é. Em outras palavras. No momento que a tensão do capacitor atinge o parâmetro V P. Analisando o circuito da figura 32. a resistência interna deste caminho é baixíssima. o UJT estará bloqueado. portanto. Enquanto o valor da tensão do capacitor não alcançar o valor do parâmetro VP. Neste instante inicial de condução. Figura 34 – Geração de pulsos de disparo de tiristores através do oscilador de relaxação APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 17 . a descarga do capacitor. o capacitor começará a se carregar exponencialmente. estes parâmetros indicam o início e o fim do disparo do UJT. proporcionando a elevação da corrente e. vamos considerar inicialmente o capacitor descarregado. por sua vez. aparece um pulso de tensão que é utilizado para o disparo de SCRs e TRIACs. ao mesmo tempo. É o que chamamos de resistência negativa. Esta corrente. pois a resistência do caminho E-B1 torna-se gradativamente maior até o ponto em que a tensão do capacitor cai até o parâmetro VV.

principalmente. Estes sinais são periódicos e podem ser controlados. específicos ou não para esta finalidade.4 CIs para disparo Há circuitos integrados (CIs). que geram sinais de tensão e corrente direcionados ao disparo de tiristores. destaca-se a utilização do CI TCA 785 da Siemens. pode-se gerar pulsos para acionar tiristores com controle do ângulo de disparo () sincronizados com a rede elétrica (60 Hz). Em muitos aparelhos usados industrialmente. O pulso largo (180º-) serve para disparar tiristores em cargas altamente indutivas. Esta figura ainda mostra que o ângulo de disparo () é controlado basicamente pelo tempo de carga do capacitor CR e pelo valor da tensão de controle VC. processadores digitais de sinais (DSPs) e. A figura 35(a) mostra a pinagem e a figura 35(b). o diagrama de blocos do TCA 785. o CI TCA 785 produzido pela Siemens. Circuito integrado TCA 785 A grande utilização de circuitos tiristorizados. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 18 . em termos de frequência e amplitude. A finalidade desses circuitos é a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torná-los mais compactos e confiáveis. São comumente utilizados para o controle de pulsos de disparos de tiristores dispositivos como microcontroladores. onde a corrente de gatilho necessita de um tempo maior para garantir a condução do tiristor. como mostrado na figura 36. associada à similaridade dos circuitos de disparo. deu margem ao aparecimento de circuitos integrados de disparo.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 3. Figura 35(a) Figura 35(b) De acordo com os valores dos componentes externos ao TCA 785. A largura dos pulsos pode ser de 30s ou de 180º-.

e no caso de picos de tensão APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 19 . Isto é. por apresentarem uma característica de "limitador de tensão". impedindo que surtos de pequena duração cheguem ao circuito. Assim eles montados em paralelo ao circuito que se deseja proteger. a medida que a diferença de potencial sobre o varistor aumenta. Dispositivos de proteção e circuitos 4. 4. sua resistência diminui.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 36 – Sinais de tensão do TCA 785 Para um aprofundamento nas características do TCA 785.1 Varistores Um varistor ou VDR (do inglês Voltage Dependent Resistor) é um componente eletrônico cujo valor de resistência elétrica é uma função da tensão aplicada nos seus terminais. Os VDRs são geralmente utilizados como elemento de proteção contra transientes de tensão em circuitos. consulte o livro “Estude e Use – Dispositivos Semicondutores – Tiristores” [3]. tal como em filtros de linha.

o seu filamento se funde (derrete).2 Fusíveis Os fusíveis são dispositivos que protegem os circuitos elétricos contra danos causados por sobrecargas de corrente. manufaturado e lacrado em fábrica. a alta corrente que circula pelo dispositivo faz com que o dispositivo de proteção (disjuntor ou fusível). O tipo mais simples é composto basicamente de um recipiente tipo soquete. etc. que podem provocar até incêndios. 30A. consiste de um corpo oco não condutivo. que se derrete quando a corrente que passa por ele atinge determinada intensidade. Figura 38 – Fusível de uso geral (esquerda) e utilizado em automóveis (direita) O fusível de cartucho. Os fusíveis são aplicados geralmente nos circuitos domésticos e na indústria leve. o calor gerado não se dissipa com rapidez suficiente. cujo elemento condutor está ligado interiormente a duas cápsulas de metal e os terminais são localizados nas extremidades (figura 39). Se a corrente for maior do que aquela que vem especificada no fusível: 10A. explosões e choques elétricos. desarme. O chumbo se funde a 327º C e o estanho. O funcionamento do fusível baseia-se no princípio segundo o qual uma corrente que passa por um condutor gera calor proporcional ao quadrado de sua intensidade. de vidro ou plástico. derretendo um componente e interrompendo o circuito. cujos terminais são ligados por um fio curto (elemento fusível). a 232º C. desconectando o circuito da fonte de alimentação Figura 37 – Varistor utilizado como proteção contra surtos de tensão 4. Quando a corrente atinge a intensidade máxima tolerável. 20A. O chumbo e o estanho são dois metais utilizados para esse fim.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE de maior duração. em geral de porcelana. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 20 .

a corrente injetada no gatilho propaga-se transversalmente no material semicondutor do SCR.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 39 – Fusível de cartucho 4. É que no disparo. Figura 41 APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 21 . A figura seguinte simboliza a propagação da área condutora. entre as quais a de o acoplamento entre primário e secundário deve ser o mais perfeito possível. A figura abaixo dá um exemplo de utilização de transformador de pulso num circuito de disparo com UJT: Figura 40 – Uso do Trafo de pulso para isolação de pulsos de disparo O projeto dos transformadores de pulso deve atender a algumas condições. deixando circular a corrente de anodo. Durante essa propagação. as áreas atingidas vão se tornando condutoras.3 Transformadores de Pulso Os transformadores de pulso são especialmente projetados para transmitir os pulsos de disparo aos tiristores.

O pulso largo é transformado em um trem de pulsos de alta frequência. haverá um intervalo entre o instante de disparo e o momento em que realmente o SCR entrará em condução. Para evitar essa saturação. vejamos a figura 43 na página seguinte.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Se o acoplamento não for adequado. deve-se manter o pulso aplicado por um intervalo de tempo razoável. Desta forma. É o que chamamos de ponto quente. que tendem a saturar o núcleo do transformador de pulso. conforme visto abaixo: Figura 42 – Trem de pulsos para minimizar a saturação do Trafo de pulso A tensão VGD é o pulsou tensão de gatilho desejada. fazendo com que a corrente de anodo se concentre toda em uma área pequena. usa-se um esquema chamado de disparo por pulsos de alta frequência. Para exemplificar este método. Quando a carga for indutiva. durante o disparo. a área condutora pode não se espalhar rapidamente. que tende a saturar o transformador e distorcer a tensão aplicada ao gatilho. Isto tende a queimar o SCR. A tensão VGP é uma tensão com envoltória VGD e possui alta frequência quando há necessidade de se aplicar pulso no gatilho. Trata-se de uma tensão de baixa frequência. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 22 . para garantir que o SCR esteja em condições de disparo no momento adequado. Isto resulta em pulsos largos.

montado na sua configuração astável. D2 retifica os pulsos. arranjados num mesmo invólucro. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 23 .4 Acopladores Ópticos Outra maneira de isolar pulsos de disparo é através de um LED infravermelho e um fotodetector. a energia armazenada no núcleo do transformador é dissipada pelo resistor de 33.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 43 – Circuito utilizando o Trafo de pulso O circuito acima utiliza o CI 555. O diodo D1 evita que apareçam sobretensões no transistor. R2 e C1. Neste instante. A figura seguinte ilustra duas possibilidades. gera um sinal de alta frequência (5 a 10 kHz) em sua saída (pino 3). quando este cortar. cujo valor depende de R1. O fotodetector pode ser um transistor ou até um SCR ou TRIAC. para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente de gatilho. impedindo que seja aplicada tensão negativa ao gatilho do SCR. 4. Figura 44 – Acopladores ópticos O inconveniente em usar acopladores ópticos com transistor é a necessidade de uma fonte adicional. o sinal é amplificado pelo transistor e acoplado ao SCR através do transformador de pulso. Após passar pela porta lógica AND. No secundário do transformador.

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE O exemplo abaixo utiliza o MOC3011 da Motorola para acionar uma carga resistiva via um TRIAC. A amplitude da tensão de saída DC é determinada pela amplitude da tensão de alimentação AC. a saída da tensão DC contém componentes AC significativas. costuma-se inserir um filtro capacitivo após o retificador.1 Retificadores monofásicos não controlados A retificação é o processo de converter tensão e corrente alternadas em tensão e corrente contínuas. onda completa com derivação (tap) central e onda completa em ponte. Um retificador não controlado usa apenas diodos como elementos de retificação. disparando o fotodetector Q2 e. como conseqüência. Figura 46(a) – Retificado meia-onda Figura 46(b) – Retificado OC com tap central Figura 46(c) – Retificado OC em ponte Figura 46(d) – Retificado OC em ponte com filtro capacitivo APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 24 . o pino 2 do MOC3011 vai para nível lógico “0” e o LED D2 fica polarizado diretamente. o TRIAC Q1. 5. Entretanto. Assim. Para eliminar a ondulação. Conversores AC/DC (retificadores) 5. Os tipos de retificador não controlados e estudados na disciplina de Eletrônica Analógica são o meia-onda. Figura 45 – Detalhe do MOC3011 Desejando acionar o TRIAC Q1. o sistema digital deve fornecer nível lógico “1” à entrada de controle da porta NAND. as quais recebem o nome de ondulação.

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 5. portanto.2. consequentemente. Neste material estudaremos os retificadores controlados de meia onda e de onda completa. Retificador controlado de meia onda A figura 47 mostra um circuito retificador de meia onda com carga resistiva. Figura 47 – Retificador de meia onda monofásico controlado com carga resistiva O comportamento das tensões e corrente de carga é mostrado a seguir: Figura 48 – Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 25 . Os primeiros utilizam os diodos semicondutores de potência como elementos retificadores. controle do ângulo de disparo. Os retificadores controlados têm como elementos retificadores geralmente os SCRs. não havendo. o controle da potência entregue à carga. possibilitando o controle do ângulo de disparo e. Eles podem ser não controlados e controlados. Retificadores Monofásicos Controlados Os circuitos retificadores são aqueles que transformam um sinal AC em um sinal DC não constante.

uma corrente fluirá na carga e a tensão de saída (V 0) será aproximadamente igual à tensão de entrada. Figura 50 . quando então o SCR entrará no estado de bloqueio. ficando assim até o próximo disparo no semiciclo positivo.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Observa-se que durante o semiciclo positivo. a tensão média na carga vai se tornar menor do que seria se a carga fosse uma resistência pura. Este APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 26 . A tensão na carga será positiva e o indutor estará armazenando energia em seu campo magnético.Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva Para cortar a porção negativa da tensão na carga instantânea e amenizar a ondulação da corrente de carga. a corrente na carga aumentará devagar. A corrente continuará a fluir até  (denominado de ângulo de avanço). o SCR cortará. Neste semiciclo. A tensão no indutor mudará de polaridade e a tensão na carga ficará negativa. A figura 49 mostra um circuito retificador em meia onda com carga resistiva e indutiva (caso mais comum): Figura 49 – Retificador controlado com carga resistiva e indutiva Se o SCR for acionado com um ângulo de disparo igual a . Entretanto. Em consequência disso. Quando a tensão aplicada se tornar negativa. o SCR ficará diretamente polarizado e conduzirá se o pulso de acionamento for aplicado ao gatilho. o ângulo em que o SCR fica bloqueado () é chamado de ângulo de disparo e o ângulo em que fica conduzindo () de ângulo de condução. a energia armazenada no campo magnético do indutor retornará e manterá uma corrente direta através da carga. No instante em que o semiciclo torna-se igual a igual a zero. utiliza-se um diodo de retorno (free-wheeling diode ou FWD). As formas de onda para este circuito são mostradas abaixo. uma vez que a indutância forçará a corrente se atrasar em relação à tensão. o SCR ficará polarizado reversamente. Se o SCR passar a conduzir (instante t0).

aquecedores. fornos etc). para efeito de dinamizar o nosso estudo.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE diodo tem por função dissipar a energia armazenada no indutor durante o tempo em que o SCR estiver bloqueado. ou seja. que necessitam de um diodo de retorno. Um circuito retificador com carga RL e FWD é visto na figura 53. pois não existe (a princípio) uma indutância. há a necessidade de um diodo de retorno (FWD). Figura 51 – Detalhe do diodo de retorno Figura 52 .Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva com FWD Retificador controlado de onda completa Para as cargas resistivas (iluminação incandescente. Porém. iremos abordar neste tópico apenas cargas RL. O circuito com o FWD e as formas de onda estão mostrados nas figuras 51 e 52. como vimos. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 27 .

As formas de onda são mostradas abaixo: Figura 54 – Comportamento da tensão e corrente na carga resistiva e indutiva 6. Conversores DC/DC (choppers) O conversor DC/DC ou chopper é usado para obter uma tensão DC variável a partir de uma fonte de tensão DC constante. Os valores médios para a tensão e corrente na carga são o dobro dos valores do retificador de meia onda. Essa conversão pode ser obtida pela combinação de um indutor ou capacitor e um dispositivo de estado sólido que opere no modo de chaveamento em alta frequência. O valor médio da tensão de saída varia quando se altera a proporção do tempo no qual a saída fica ligada à entrada. com um ângulo de disparo igual a . APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 28 .INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 53 – Retificador OC controlado com FWD No circuito na figura acima são disparados aos pares (SCR1/SCR4 e SCR2/SCR3).

A configuração básica deste tipo de chopper é mostrada abaixo. a tensão VL torna-se negativa impondo o diodo D ficar em condução até que a energia do indutor se descarregue ou que a chave S volte a fechar. o valor médio (V average) da tensão também aumenta. A figura seguinte esclarece estes comportamentos. o diodo ficará polarizado reversamente e o indutor armazenando energia em forma de campo magnético. Nesta situação temos que Vo=Vi. Antes de sermos apresentados de fato aos circuitos choppers.1 Chopper step-down (buck) O chopper step-down (buck) se caracteriza pela tensão média de saída (VO) ser menor que a tensão de entrada (VI). por consequência. veremos a técnica de chaveamento PWM. pois a parcela relativa a VL diminui a soma Vo=VL+VR. Nesta situação temos que Vo<Vi. MOSFET operando em PWM) estiver fechada. Figura 56 – Chopper buck Enquanto a chave S (que pode ser qualquer elemento chaveador como SCR. transistor bipolar. Figura 55 – Modulação por largura de pulsos (PWM) 6. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 29 . a largura do pulso alto (TON) varia enquanto o período de chaveamento total T é constante. Neste método. Quando a chave abrir. A figura 55 mostra como as formas de onda de saída variam à medida que o ciclo de trabalho (tempo de duração de TON) aumenta e. Há dois tipos básicos de choppers: stepdown ou buck e step-up ou boost.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE A técnica de chaveamento usada em choppers é denominada de PWM (pulse-width modulation – modulação por largura de pulso).

Figura 58 – Formas de onda no chopper buck 6. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 30 . O circuito básico deste chopper é mostrado na figura 59. a tensão de saída pode variar desde a fonte de tensão até diversas vezes a fonte de tensão.2 Chopper step-up (boost) No circuito boost.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 57 – Funcionamento do chopper buck As formas de onda das correntes e tensões deste circuito são vistas na figura 58.

a energia armazenada no indutor será liberada para a carga. D se tornará inversamente polarizado.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 59 . 61 da página seguinte. somando-se à fonte de tensão para aumentar a tensão de saída VO (mesma tensão do capacitor). Portanto. através do diodo D. Quando S for fechada. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 31 . A tensão no indutor (VL) pulará no mesmo instante para a fonte de tensão Vi. mas a corrente no indutor Ii aumentará de maneira linear e armazenará energia no campo magnético.Chopper boost Na fig. Quando a chave for aberta. a corrente cairá de forma violenta e a energia armazenada no indutor será transferida para o capacitor. quando a chave S passar para o estado de condução. 60. o indutor ficará conectado à alimentação. A tensão induzida no indutor VL mudará de polaridade.Funcionamento do chopper boost As formas de onda deste circuito são mostradas na fig. a energia do capacitor fornecerá a tensão na carga e o ciclo se repetirá. Figura 60 .

62(b). O circuito pode ser simplificado. A tensão no indutor é igual à tensão de entrada e a corrente no indutor iL aumenta de modo linear com o tempo. O circuito pode ser simplificado. como mostra a fig. A tensão de saída pode ser mais alta. 62(c).Formas de onda no chopper boost 6.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 61 . Quando a chave S estiver ligada. igual ou menor que a tensão de entrada. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 32 . As formas de onda de tensão e de corrente são apresentadas na fig.3 Chopper buck-boost O circuito chopper buck-boost combina os conceitos dos choppers anteriores. Uma inversão de polaridade na tensão de saída também pode ocorrer. a fonte será desconectada. Como visto nas situações anteriores. 62(a) a configuração do chopper buck-boost. 63. tal como um TJB ou IGBT. a chave pode ser qualquer dispositivo de chaveamento controlado. como mostra a fig. Quando S estiver desligada. A corrente no indutor não poderá variar de imediato. logo. o diodo D ficará inversamente polarizado e iD será nula. polarizará o diodo diretamente e fornecerá um caminho para a corrente na carga. A tensão de saída se tornará igual à tensão no indutor. Vemos na fig.

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 62 – Diagrama e funcionamento do chopper buck-boost APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 33 .

com uma boa aproximação. O circuito básico para gerar um sinal AC a partir de um DC. Conversores DC/AC (inversores) Os inversores são circuitos estáticos (isto é. Dentre os vários tipos de inversores destacamos os de fonte de tensão (VSI – Voltage source inverters) que são utilizados nas fontes de tensão de funcionamento contínuo (UPS – Uninterruptible power supplies). monofásico. não têm partes móveis) que convertem potência DC em potência AC com a frequência e tensão ou corrente de saída desejada. embora não-senoidal. pode. chegar a ser considerada como tal. é mostrado na figura seguinte: APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 34 .INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 63 – Formas de onda no chopper buck-boost 7. A tensão de saída tem uma forma de onda periódica que.

a combinação das duas chaves fornecem os quatro estados mostrados na figura 65. que fazem a tensão na carga ficar em zero. Se os estados 2 e 4. uma tensão de onda quadrada é gerada na carga. O circuito anterior é chamado de inversor de meia ponte por ter apenas dois elementos chaveadores. obtém-se uma onda em degrau ou forma de onda quase quadrada. o que produz uma forma de onda retangular de tensão AC. como pode ser observado na figura 66(b). são usados. como mostra a figura 66(a). Figura 66 – Forma de onda de tensão na carga APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 35 .INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 64 – Esquema básico do inversor As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte DC à carga de modo alternado. Figura 65 – Estados das chaves no inversor Quando os estados 1 e 3 são repetidos de maneira alternada. Uma vez que as chaves têm terminais positivo e negativo.

A figura 68 apresenta as formas de onda de tensão e corrente. A corrente alcança seu valor máximo negativo em t=T e o ciclo se repete. Logo que a corrente de carga parar. A corrente continua a crescer e alcança o valor máximo em t=T/2. na forma de onda da fonte de corrente (indutor). Quando a tensão de saída for positiva. Figura 67 – Inversor monofásico com carga resistiva e indutiva APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 36 . nesse período. Observe. Mas se torna negativa quando os diodos conduzem e quando há potência absorvida pela fonte.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 7. a corrente cairá exponencialmente. A energia armazenada no indutor retorna à fonte DC e a corrente na saída agora cai de seu valor máximo e chega a zero. quando a tensão de saída for negativa. quando SCR1 e SCR4 passam para o estado desligado. Logo após SCR 2 e SCR3 passarem para o estado desligado em t=0. quando as chaves estiverem desligadas. D1 e D4 passam para o estado desligado e SCR1 e SCR4. A fonte de corrente DC. que ligam a fonte DC à carga .1 Funcionamento de inversores monofásicos A figura 67 mostra um inversor monofásico com carga RL que usa SCRs como chaves. A forma de onda da corrente na saída tem forma exponencial. Durante o ciclo seguinte. os diodos D1 e D4 irão ligar. o que gera tensão inversa. a corrente crescerá exponencialmente. com um ciclo de trabalho de 50%. A corrente de carga começará em um valor negativo e crescerá exponencialmente a uma taxa dada pela constante de tempo da carga ( = L/R). mas a corrente na saída continua a fluir na mesma direção. é invertida e flui de fato para a fonte DC. que esta fica positiva quando as chaves conduzem e quando há potência entregue pela fonte. A corrente na saída somente pode fluir através dos diodos D2 e D3. Quando a corrente na saída chega a zero. para o ligado. por exemplo. A tensão de saída é uma forma de onda retangular. Também mostrados nas formas de onda estão os dispositivos que conduzem durante os vários intervalos. A função dos diodos de retorno é fornecer um caminho de volta para a corrente de carga. SCR 2 e SCR3 podem conduzir para fornecer potência à carga. A tensão na saída se inverte.

mas não a modifica em nenhum outro aspecto. disjuntores. As aplicações no campo do chaveamento estático incluem chaves liga/desliga. liga e desliga. relés de estado sólido. Chaves estáticas 8.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 68 – Formas de onda de tensão e corrente 8. Um caso típico de operação de uma chave estática é a aplicação de tiristores no chaveamento de uma carga. 69. como observado na fig. Figura 69 – Aplicações de chaves estáticas APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 37 . contactores e outros semelhantes.1 Definições e aplicações Uma chave estática comuta a potência para a carga. A característica duplamente estável dos dispositivos semicondutores (como os tiristores) – isto é. a existência de dois estados estáveis (condução e não condução) – sugere que esses dispositivos podem ser usados como chaves sem contatos.

através de uma corrente de controle aplicada à bobina de um relé. Quando a corrente deixa de circular pela bobina do relé o campo magnético criado desaparece. Para a devida comparação. A aplicação mais imediata de um relé com contato simples é no controle de um circuito externo ligando ou desligando-o. e com isso a armadura volta a sua posição inicial pela ação da mola.2 Comparação com relés eletromecânicos Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relação aos relés eletromecânicos e a outros dispositivos mecânicos de chaveamento. conforme mostra a próxima figura. e se dizem desenergizados quando não há corrente circulando por sua bobina. Relés Eletromecânicos A estrutura simplificada de um relé eletromecânico é mostrada na figura 70. Os relés se dizem energizados quando estão sendo percorridos por uma corrente em sua bobina capaz de ativar seus contatos. Figura 70 – Estrutura do relé eletromecânico Nas proximidades de um eletroimã é instalada uma armadura móvel que tem por finalidade abrir ou fechar um jogo de contatos. controlando assim as correntes que circulam por circuitos externos. os quais podem ser abertos ou fechados. Figura 71 – Relé utilizado no acionamento de carga AC sob o comando de um sinal DC APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 38 . Observe o símbolo usado para representar este componente. vejamos o que são os relés eletromecânicos. Nesta atração ocorre um movimento que ativa os contatos. podemos abrir ou fechar os contatos de uma determinada forma. Quando a bobina é percorrida por uma corrente elétrica é criado um campo magnético que atua sobre a armadura. Isso significa que.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 8. atraindo-a.

este isolamento pode ser importante em termos de segurança. 8. 5.). há SSRs monofásicos e trifásicos que trabalham tanto em DC como em AC. 10. eletroválvulas. Pode ser controlada eletronicamente. Ambas são largamente são largamente utilizadas na indústria. É pequena e leve. Há duas categorias de SSRs: módulos I/O e chaves estáticas. comparado a um relé eletromecânico. É imune a vibrações e choques mecânicos. mas pode ativar um relé e através dele controlar a carga de alta potência. Relés de estado sólido (SSR) Os SSRs diferem dos relés eletromecânicos pelo fato de não apresentarem partes mecânicas móveis. 3. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 39 . Os semicondutores que formam os SSRs podem ser TJBs. Na comutação. A estrutura interna de um SSR é feita de semicondutores. um motor ou uma lâmpada. As chaves estáticas possuem o mesmo princípio de funcionamento dos módulos I/O.3. Ainda. A figura seguinte mostra dois tipos de SSRs: um com comando DC e o outro com comando AC. 4. Vejamos algumas: 1.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Uma das características do relé é que ele pode ser energizado com correntes muito pequenas em relação à corrente que o circuito controlado exige para funcionar. Oferece a possibilidade de controle à distância e de potência entregue à carga. foto-resistores etc. Chaves estáticas x Relés eletromecânicos Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relação aos demais dispositivos de chaveamento. Se o circuito controlado for de alta tensão. O custo é baixo. Deve ser observada a isolação ótica entre o comando de entrada e a saída. Outra característica importante dos relés é a segurança dada pelo isolamento do circuito de controle em relação ao circuito que está sendo controlado. A corrente fornecida diretamente por um transistor de pequena potência da ordem de 0. o que significa que não há passagem de qualquer corrente do circuito que ativa o relé para o circuito que ele controla. 9. A operação é tranquila porque não há partes móveis e não ocorrem centelhas. 7. Isso leva a possibilidade de controlarmos circuitos de altas correntes como motores. Propicia velocidades de chaveamento extremamente altas. circuitos integrados. lâmpadas. sendo a primeira para baixas potências e empregada como interface entre o comando digital e pequenas cargas (solenóides.1A não conseguiria controlar uma máquina industrial. porém são projetadas para operar com cargas de alta potência (grandes motores. assim ele pode operar em grandes velocidades. por exemplo. lâmpadas e máquinas industriais. etc. SCRs e outros tantos. 8. diretamente a partir de dispositivos eletrônicos fracos como transistores. 6. porque a chave liga de imediato. 11. MOSFETs. A interferência eletromagnética (EMI) é minimizada. Não existe contato elétrico entre o circuito da bobina e os circuitos dos contatos do relé. A vida útil é bem maior. não há trepidação. por exemplo). Oferece maior segurança e confiabilidade. 2.

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE Figura 72 – Módulos I/O de potência APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 40 .

MAKRON Books do Brasil Editora Ltda. 1996. Cyril W. 2000. LANDER. 2.Prentice Hall. Eletrônica Industrial – Teoria e Aplicações – 2ª Edição. Ashfaq. José Luis Antunes de. Editora Érica. Eletrônica de Potência.INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE 9. AHMED. Bibliografia 1. 3. Estude e Use – Dispositivos Semicondutores – Tiristores. ALMEIDA. APOSTILA DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA 41 .