You are on page 1of 24

GNE PLLER Giri Gne pillerinin almasnn daha iyi anlalabilmesi iin baz temel teorik bilgilerin hazrlanmasnda

fayda vardr. Gne pilleri, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntren yar iletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen gne pillerinin alanlar 100 cm2 civarnda, kalnlklar zellikle en yaygn olan silisyum gne pillerinde 0.2 0.4 mm arasndadr. Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerine k dt zaman ularnda elektrik gerilimi oluur. Pillerin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelen gne enerjisidir. Deniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gndeki nm iddeti maksimum 1000 W/M2 civarndadr. Yreye bal olarak 1m2ye den gne enerjisi miktar ylda 800-2600 KWh arasnda deiir. Bu enerji, gne pilinin yapsna bal olarak %5 - %70 arasnda bir verimle elektrik enerjisine evrilebilir. G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak bir yzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl ya da fotovoltail modl ad verilir. Gerekirse bu modller birbirlerine seri ya da paralel balanarak, fotovoltaik bir dizi oluturabilir. Maddenin Yaps ve Yar letkenler Bilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli yrngelerde dolanan elektronlardan meydana gelmitir. Bu ykler, d tesir yoksa birbirini dengeler. Elektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa, orantl olarak potansiyel ve kinetik enerji tarlar. En d yrnge de maksimum 2, sonrakinde 8 ve ncde 18 elektron bulunabilir. Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli sayda elektron bulunduran enerji bandlarnda bulunurlar. Dardan enerji alan.bir elektron bir st seviyedeki banda kabilir. Daha dk banda geen elektron da dar enerji yayar. Son tabaka elektronlarna valans (denge) elektronlar denir ve cisimlerin kimyasal bileikler yapmalarn temin eder. Son tabakas dolmam bir atomun, bir baka cisme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr. tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar. Termik enerji verilirse, elektronun yrngesi etrafnda titreimi arttrr.

Elektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, ne de absorblar. Bir elektron, uyarmla, atomu terk edecek enerji kazanp ayrlabilir. Atom (+) iyon ekline geer (ekil 1).

ekil 1. Bir Yar letkenin Yaps

zoleli atomda (gazlarda) elektronlar, belirli bir enerji bandn igal ederler. Bir kristalin atomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. Atomlar, birbirlerine ok yakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden enerji bandlar zerinde bulunurlar. rnein; bir germanyum atomunda, tek bir atom ele alnrsa atom temel haldedir. Mutlak sfr, scaklkta, elektron minimum enerji seviyesine sahiptir. Germanyum kristalinde ise, mutlak sfr scaklkta, temel seviyenin yerini valans band alr. Bundan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da yksek enerjili iletkenlik band bulunur. Bu scaklkta Ge kristalinde iletkenlik bandnda hibir elektron bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr (ekil 2.).

ekil 2. Enerji Bandlar

Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi iin, 2

iletkenlik seviyesine elektron

temin edilmelidir. Bunun iin gerekli enerji 0.7 eV civarndadr. Fotoelektrik olay iin Eg , kristalin sourabilecei minimum enerjisini gsterir. Buna kar, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin edecek, iletkenlik bandnda ok sayda elektron bulunur. Elmas iin E=7 eV' luk enerji ile elektron yasak band geilebilir. Bunun iin malzemeye byk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. Bu ise malzemeyi tahrip eder. Yar iletkenlerde, yasak band gemek iin (1 eV) yeterlidir, oda scaklnda kristal atomlarndan birka tanesinin elektronlar, iletkenlik bandna geer ve iletkenlii salar. Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir ve o da iletkenlie katlm olur. Bir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimiyle meydana gelmitir. yonik badan farkl olan bu birlemeye Kovalant ba denir. Valans elektronlar, kovalant ba iinde, bir atomdakinden daha dk enerji seviyesindedir. Kristali bozmak iin, bu enerji fark kadar enerji gerekir. Bu kristalin kararlln gsterir. Deney sonularna gre; Mutlak sfr civarnda, yar iletkenin hibir elektronu serbest deildir. Bu scaklkta sadece iletken ve yaltkan vardr. Scaklk arttka, yar iletkende serbest elektronlar oluur ve cisim iletken hale geer. Serbest elektronlarn younluu, scaklkla artar. Yar iletkende z iletkenlik scaklkla artar. ki atomu birbirine balayan valans elektronlarn serbest hale gemesi iin gerekli enerji; metaller iin sfr, yaltkanlar iin birok elektron volt, yar iletkenler iin 1 eV civarndadr. a. N Tipi Yar letken: letkenlik tipini deitirmek iin Si ve Ge iine, periyodik cetvelin III ve V. grup elementleri ilave edilir. Bunlar bo valans elektronu bulundururlar (Arsenik, Bor, Fosfor, Antimuan gibi). Ergimi halde bulunan Gea (milyonda bir) arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu, bir Ge atomu yerini alacak ve 4 elektronuyla kovalant ba tekil edilecek, 5. 3

valans elektronu serbest kalp iletkenlii temin edecektir. letkenlik (-) ykle temin edildii iin N tipi yar iletken ismini alr. Bu elektronlar, oda scaklnda, iletkenlik bandna ular. b. P Tipi yar letken: Ergimi germanyuma, III. gruptan valans elektronu bulunduran elemanlar ilave edilerek yaplr (ndium, Galyum...). katlama srasnda indium atomlar kristal rg iinde Ge atomunun yerini alr. Kovalan ba iin 3 elektron mevcuttur ve komu atomdan bir elektron kaparak ba oluturur. Komu atomda bir boluk olumutur. Bu ise elektron hareketine sebep olur. Bir yar iletkenin kullanlabilme maksimum scakl, aktivasyon enerjisiyle artar. Kullanabilme maksimum frekans, yk tayclarn hareketlilii ile artar. P N Kava Bir monokristal yar iletkenliinin P tipinden N tipine gei blgesidir. Bu blge kristalleme srasnda oluturulur. N blgesinde, termik uyarmla aznlkta olan boluk ve ounlukta olan elektron ykleri ve (+) iyonize atomlar vardr (ekil 3).

ekil 3. P N Kavann Oluumu

P blgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarmla bulunabilen aznlk elektron ve ounluk elektron boluklar vardr. ki eleman temasa geirildiinde, N blgesindeki elektrolar (ounluktadr) P tipi blgeye hareket eder. P blgesindeki elektron boluklar da N blgesine hareket eder. Bylece N tipi blgedeki atomlar (+), P tipi blgedeki atomlar (-) olarak iyonlam olur. Bunlar, kristal iinde sabit yk merkezleri olutururlar. Kavan her iki yznde iyonize olmu atomlar, kristal iinde, yn Nden Pye doru olan bir elektrik alan meydana getirirler. Bu blge gei blgesidir ve serbest ykler yoktur. Kavaktaki bu potansiyel fark, Pden Nye geecek boluklar ve Nden Pye geecek elektronlar iin bir potansiyel 4

duvar tekil eder. Nden ayrlacak bir elektron, arkasnda kendini geri aran bir boluk brakr ve nndeki P tipi blgedeki (-) ykler elektronu pskrtr (ekil4).

ekil4. P N Kava ve Akm

zet olarak, P-N kavanda meydana gelen elektrik alan, kavak civarndaki elektronu, Pden Nye doru iter (Ndeki elektronu geri pskrtr, Pdeki elektronu Nye iletir). Kavan enerji band, ekil 5.deki gibidir. N blgesinde, valans ve iletkenlik band enerjileri, Pdekilerden dktr.

ekil 5. P N Kavanda Enerji Band

Enerjisi yeterli bir k demeti (h.f >Eg. N Planck sabiti, f frekans), P-N kava zerine drld zaman, foton elektronlarla karlap enerji verebilir. Serbest elektronlar, valans elektronlarnn ancak 1/104 kadar olduundan, bu ihtimal zayftr. Foton, muhtemel valans elektronu ile karlar ve ona enerjisini brakarak iletkenlik bandna karr. Elektron, arkasnda bir elektron boluu brakr. Olay A-B aralnda ise; elektron, oluan elektrik alanla N blgesine, boluk da P blgesine itilir. Olay kavaa yakn N blgesinde olumusa, boluk yine P blgesine gtrlr. Kavaktan uzakta oluan elektron boluk, zamanla birbirini bulacaktr. Sonu 5

olarak P tipi blge (+), N tipi blge (-) yklenmi ve bir potansiyel domutur. Fotovoltaik Pil ekil 6da grld gibi, foton absroblanmasyla yk tayclar ounlukta olduklar blgelere srklenirler. Kavaktan Is akm geer ve N(-), Pde (+) yklenmi olur. Is akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn alalmasna sebep olur. D devre ak ise (akm yoksa) Pden Nye akm geer ve kavak potansiyel duvar tekrar ykselir; P blgesi (-), N blgesi (+) yklenir. Sonra tekrar foton absorblanarak olay devam eder. Bu durumda Is = I olur.

ekil 6. Fotovoltaik Pilin Yaps D devreden akm geerse Is = I IL olacak ekilde darya elektrik enerjisi alnr. ekil 7 de bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. En yksek foton enerjisi yeil k iin h.f = 2.5 eV civarndadr. P-N kavandaki temas potansiyeli, elektronlar daha yksek potansiyele karan batarya rol oynamaktadr.

ekil 7. Fotovoltaik Pil Edeer Elektrik Devresi

Gne Pili eitleri Bakr bakroksit ve gm yar iletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardr: 6

a. Selenyum Gne Pili: Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyod gibi halojenlerle kartrlp P tipi yar iletken oluturulur. Bunun zerine iyi iletken ve yar iletken / yar geirgen bir gm tabaka birka mikron kalnlnda kaplanarak P-N kava oluturulur. ekil 8da bir selenyum gne pilinin yaps grlmektedir. Bu pillerin 50 kullanlmamalar tavsiye olunur.
0

Cnin zerinde

ekil 8. Selenyum Gne Pilinin Yaps

b. Silisyum Gne Pili: Uzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bu trdendir. Silisyum SiO2 halindeki kumdan elde edilir. Kk bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. Belli hzda dndrlerek potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi ile gne pili elde edilir. Eriyik iine P tipi yar iletkenlik malzemeleri katlr. P tipi kristaller dilimler eklinde kesilir. Scakl kontrol edilen P2O5 li difzyon frnnda N tipi yar iletkenle 10-4 - 105 m. Derinlie kadar difzyon temin edilerek P-N kava oluturulur. Silisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre, daha byk ak devre direnci salar. Buna kar silisyumlu pillerin spektral cevab daha azdr ve kzltesi nlara kadar uzanmaz. Akkor k kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim kk olmasna ramen daha byk akm salar. Gne nlar iin ise silisyum pil daha uygundur.

Gne pilleri, pahal olduklar iin ulalmas g yerlerde kullanlmaktadr. Metalik iletkenlerin normal scaklktaki zdirenleri 1.6x10-6 150x10-6 ohm.cm aralnda deitii halde iyi bir yaltkann zdirenci 1012 1018 ohm.cm arasnda deiir. zdirenleri 10-3 107 ohm.cm arasnda olan elemanlar da yar iletkenlerdir. yar 7

iletkenlerin zdirenleri ok dk scaklklarda yaltkanlarnkine yakndr. metallerin aksine, yar iletkenler scak bir ortamda, soukta olduklarndan daha iletkendirler. baka bir deyile yar iletkenlerin zdirenleri scaklk arttka azalr ve deiim katsays metallerinkinden 10 kat daha byktr. Gne pillerinin almalar ile ilgili teoriyi ksaca u ekilde zetleyebiliriz. Metallerde atom says kadar serbest elektron iletkenlii temin eder. Yaltkan kristallerde ise elektronlar dk enerjili valans bandnda bulunur. Bunlar iletken hale getirmek iin elektron bulunmayan yasak enerji bantlarn geecek ekilde elektronlarna enerji verilmelidir. Bu enerji 5-9 eV civarndadr. Birbirleriyle kovalant ba tekil ederek balanm yaltkan kristal atomlar iine (milyonda birka deerinde) III veya V. grup elementlerden katlrsa baz kristal atomlarnn yerini bu elementler alacaktr. V. grupla oluan yapda, katk elemanlarnn 4 elektronu, yaltkan kristal atomunun 4 elektronunu mterek kullanarak, d devresini tamamlayp kovalant ba oluturacak ve bir elektronu akta kalp iletkenlie katlacaktr. Yar iletken N tipidir ve elektronun iletkenlik bandna gemesi iin gerekli enerji bir elektron volt civarndadr. Kristalleme III. grup elemanlar ile yaplrsa elementin 3 elektronu yaltkan kristal atomunkilerle mterek ba kuracak ve yakn komu atomdan bir elektron kapp 4.c ban tamamlarken orada bir elektron boluu brakacaktr. Bu da P tipi yar iletkendir ve iletkenlik iin 1,2 1,5 eV enerji gerekir. Gne Pili Edeer emas ve Gne Panelleri Bilindii gibi, gne pili bir yar iletken dzenektir. ounluk yk tayclar elektronlardan oluan N tipi ile ounluk yk tayclar oyuklardan oluan P tipi yar iletken yan yana getirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d devreden bir akm geebilmektedir (ekil 9).

ekil 9. Gne Pili P-N yar iletken kavanda, elektronlar P tipi blgeye geerek birleme yzeyine yakn blgelerde boluk yk taycdaki elektron eksikliini tamamlayp (-) iyonlar olutururken N tipi blgede de (+) iyon duvar oluacaktr. D tesir olmazsa bu enerji duvar akmn gemesini nleyecektir. In demeti bu blgeye derse, yk tayc 8

elektronlar ok az oranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektrona enerjisini brakacak ve onu P tipi blgeye doru itecektir. D devre akm ise Pden Nye doru olacaktr (ekil 10).

ekil 10. P N Kavann Oluturulmas ve Kavaa Den Foton Enerjisi ile letkenlik Temini Bir gne pilinde N tipi blgede elektron reten bir elektromotif kuvveti dnlebilir. ekil 11 de fiziksel edeer devre grlmektedir. Devre elemanlar bir elektromotor kuvvet, bir i diyot ve bir i diren eklinde sembolize edilebilir.

ekil 11. Gne Pili Edeer Elektrik emas

Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda, birim alan bana belirli bir akm ve voltaj retirler. stenen bir enerji iin bir ok pili seri ve paralel olarak balamak gerekir. Bylece gne panelleri oluturulur. ekil 11 de edeer emas verilen gne pilinde d devre akm iddeti ve ulardaki gerilim llebilir. Ayarlanabilir bir d direnle, gerilim ve akm ak devreden ksa devreye kadar deitirilerek ekil 12 deki gerilim akm iddeti erileri elde edilebilir. 1 cm lik pil gnelenme alan iin nm iddeti 0.5 1.0 kw/m arasnda deiirken, optimum alma noktalar ve sabit yk erisi bu ekilde gsterilmitir. lmler 27 0C scaklkta yaplm olup yzey scakl arttka gerilim der. Akm iddeti, gne nm younluu ve pil nm alan ile orantl olarak deiir. Scakln voltaja tesiri 0.022w/ 0C orannda olmaktadr. ekil 13te 40 adet seri balanm 10x10 cm ebadnda pilin, 1 kw/m nm artlarnda akm iddeti gerilim 9

karakteristii deiik scaklklar iin verilmitir.

ekil 12. 34 Wattlk Bir Gne Pilinde Akm-Gerilim Erileri (Yzey Scakl 27 0C in)

Bir gne panelinde g adaptasyonunun optimizasyonu iin arj ve kullanma devresine, ayarlanabilen direnler eklenmelidir. Gne pili i direnci uygun olmal, ar gnelenme halinde fazla enerji kullanan ikinci bir devre bulunmaldr. Yk direnci veya arj reglatr giri direnci, nma gre deiebilmelidir. 12 volt, 35 ampersaat kurun akler, sv kayplar ve kendiliinden dearjlar az olduundan bu amala kullanmlar uygundur.

Gne Pillerinin Yaps Tek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl 10 gramdan azdr. Pilin st yzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplayacak ve malzemesi 10

genellikle bakr olan n kontaklar vardr. Bunlar negatif kontaklardr. Kontaklarn altnda 150 mm kalnlnda, yansma zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. Bu tabaka olmazsa, silisyum, zerine den snmn te birine yakn ksmn yanstacaktr. Bu kaplama tabakas, pil yzeyinden olan yansmay nler. Pilin on yzeyi, normal olarak yansyan n bir ksmn daha yakalayabilmek amacyla, piramitler ve konikler eklinde dizayn edilmitir. Yanstc olmayan kaplamann altnda, pilin elektrik akmnn ortaya kt yap bulunur. Bu yap, iki farkl katman halindedir. N-katman, fosfor atomlar eklenmi silisyumdan oluan ve pilin negatif tarafn oluturan katmandr. P-katman ise, bor atomlar eklenmi silisyumdan olumu, pilin pozitif tarafdr. ki katman arasnda, PN kava denilen, pozitif ve negatif ykl elektronlarn karlat bir blge bulunur. Pilin arka yzeyinde, elektronlarn girdii pozitif kontak grevi gren arka kontak yer alr.

ekil 13. Tipik Bir Silisyum Gne Pilinin n Yz

retilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketiciye sunulmaktadr. Ortam scakl 25 0C ortalama nm iddeti 1000 W/m vee Hava-Ktle oran 1,5 olarak test koullar belirlenmitir. Hava-ktle oran, gne nmnn geirilme orann gsteren atmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu durumda, bu oran, l olarak alnr. Atmosfer tarafndan emilen nmn oranna bal olarak, pilin retecei elektrik miktar da deieceinden, bu oran nemli bir parametredir.

Tipik bir silisyum gne pili, 0.5 volt kadar elektrik retebilir. Pilleri birbirine seri balayarak retilen gerilim deerini arttrmak olasdr. Genellikle, 30-36 adet gne pili, 15-17 voltluk bir k gc vermek iin birlikte balanabilir, ki bu voltaj deeri de, 12 voltluk bir aky arj etmek iin yeterlidir. Farkl k gleri verecek ekilde imal 11

edilmi, farkl byklklerde gne pilleri bulmak olasdr.

Silisyum pillerin seri

balanmas ile modller, modllerin birbirine balanmas ile rgler oluur. Her modl, paralel veya seri balanabilmesine olanak verecek ekilde, balant kutusuyla birlikte dizayn edilir. Gne pilinin kolayca krlabilmesi ve rettii gerilimin ok dk olmas gibi, sakncalarnn giderilmesi gerekir. Pillerin birbirlerine balanmas ile oluan modller koruyucu bir ereve iine alnmlardr ve kullanlabilecek dzeyle gerilim retirler. Modlde bulunan pil says, k gcn belirler. Genellikle, 12 voltluk akler iarj etmek iin 30-36 adet silisyum gne pilinin balanmas ile bir modl olusa bile, daha yksek k gleri iin daha byk modller yaplabilir. En basit sistem, bir modl v ebuna bal bir ak veya elektrik motorundan olumu bir sistemdir.

ekil 14. Pillerden Modl ve rglerin Yaplmas Modllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya panel ad verilir. Bir modlden elde edilen gc arttrmak iin bavurulan bir yaplanma biimidir. Bu ekilde, k gc, 12,24,48 V veya daha yksek olabilir. Birden fazla panelin kullanld bir sistemde, paneller, kontrol cihazna veya ak grubuna, birlikte balanabilecekleri gibi, her panel tek olarak da balanabilir. Bu durumda, bakm kolayl olacaktr. Sistemde kullanlan, fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise rg denilmektedir. rgnn ok byk olduu uygulamalarda, daha kolay yerletirme ve k kontrol iin sistem, alt-rg gruplarna ayrlabilir. rg, bir modlden oluabilecei gibi 100.000 veya daha fazla modlden de ulaabilir.

Gne Pili Trleri Gne pili teknolojisi, kullanlan maddeler ve yapm trleri asndan son derece zengindir. Gne pili yapm iin u anda kullanlmakta olan bir dzineden fazla maddenin yan sra, yzlerce maddenin de zerinde allmaktadr. Belli bal gne pili 12

trleri aada anlatlmaktadr. 1. Kristal Silisyum Gne Pilleri Silisyum yar iletken zellikleri tipik olarak gsteren ve gne pili yapmnda en ok kullanlan bir maddedir ve uzun yllarda bu konumunu koruyacak gibi grnmektedir. Fotovoltaik zellikleri daha stn olan baka maddeler de olmakla birlikte, silisyum hem teknolojisinin stnl nedeniyle hem de ekonomik nedenlerle tercih edilmektedir. 2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri lk ticari gne pillerinde, CHROZALSK kristal ekme teknii ile bytlen tek kristal yapl silisyum kullanlmtr. Fotovoltaik endstride hala en ok kullanlan yntem olan bu teknikte ncelikle ark frnlarnda silisyum oksit eitli kimyasal ve termal reaksiyonlardan geirilerek saf silisyum elde edilir. Daha sonra silisyum eriyie ekirdek denen tek kristal yapl bir silisyum paras batrlr. Bu ekirdek eriyikten karldnda souyan silisyum eriyik, ekirdein zerine kle eklinde ylm olur. Bu silisyum kle olmaz bir keski ile dilimlere ayrlr. Bu, iki aamada olur. nce kle dikdrtgen bloklar eklinde kesilir. Daha sonra bu bloklar dilimlere ayrlarak pil eklinde ilenir. Verimleri %15 civarndadr. Yapm srasnda malzeme kaybnn ok fazla olmas bu pillerin dezavantajdr. 3. Semisristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri Bu tip piller, sv silisyumun soutulmasyla elde edilen kmelenmi kk silisyum kristallerinden oluur. Bu pillerin verimleri %14 civarnda olup, kmelenmi silisyum taneciklerinin snrlarndaki kayplar baldr. 4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri Bu piller, malzeme kaybnn azaltlmas amacyla levha halinde silisyum tabakalarndan yaplrlar. eitli yntemlerle (Efg, Dendritik a) elde edilen bu piller, halen gelitirme aamasndadr. Verimleri laboratuar artlarnda %13-14 arasndadr. 5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri Bu piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yaplp, yaplar polikristal zellik gsterir. Halen laboratuar aamasndaki bu pillerin verimleri %10dur.

13

6. nce Film Gne Piller Bu teknikte, absorban zellii daha iyi olan maddeler kullanlarak daha iyi olan maddeler kullanlarak daha az kalnlkta (tek kristalin 1-500 kalnlnda) gne pilleri yaplr. rnein amorf silisyum gne pillerinin absorbsiyon katsays kristal silisyum gne pillerinin katsaysndan daha fazladr. Dalga boyu katsays 0.7 mikrondan kk bir blgedeki gne radyasyonu 1 mikron kalnlnda amorf silisyum ile absorblanabilirken, kristal silisyumda ise ayn radyasyonu absorblamak iin 500 mikron kalnlkta malzeme kullanlmas gerekmektedir. Bu yzden amorf yapl gne pillerinde daha az malzeme kullanlr ve montaj kolayl nedeniyle bir avantaj salar. 7. Amorf Silisyum Gne Pilleri Amorf silisyum gne pilleri (a-Si), ince film gne pili teknolojisinin en nde gelen rneidir. lk yaplan a-Si piller Schottky bariyer yapsnda iken, daha sonralar p-in yaplar gelitirilmitir. P-i-n yapsndaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kapl iletken bir yzeyin zerine ktrme yntemi ile yaplr, bu yzeyin arkas daha sonra metalle kaplanr. Verimleri %5-8 arasndadr. Ancak bu piller, ksa zamanda bozunuma urayarak klar azalr. 8. Dier Yaplar Bakr indiyum diselenit (CuInSe) maddesinden yaplan ve verimleri %13 civarnda olan piller halen gelime aamasndadr ve daha kararl ka sahip olduu iin absorban zellii yksek, verimleri de %12 civarndadr. Bu gne kadar elde edilen en yksek verime (%24) galyum arsenitten yaplan piller ulamtr. Bu madde ile eitli trde piller elde edilebilmekle birlikte, pahal olduu iin pillerin, gne spektrumunun daha byk bir blmnden yararlanabilmesi amac ile denenen bir yntem ise, birden fazla ince film yapsnn st ste konmasyla elde edilen ok eklemli film yaplardr. Bunlarn dnda, gne nmnn yksek verimli pillerin zerine optik olarak younlatran sistemler zerinde almalar yaplmaktadr. Bu tr sistemlerde gnein hareketini izleyen dzeneklerin yan sra, gne n kran (mercek) ya da yanstan (ayna) eleman kullanlr. Gne Pili Nasl alr Yar iletken bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bu bandlar valans band ile iletkenlik band adn alrlar. Bu yasak enerji aralna eit 14

veya daha byk enerjili bir foton yar iletken tarafndan sorulduu zaman, enerjisi valans banttaki bir elektrona vererek elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece elektron-hol ifti oluur. Bu olay, PN eklem gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmi ise elektron-hol iftleri buradaki elektrik alan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili elektronlar N blgesine, holleri de P blgesine iten bir pompa gibi alr. Birbirlerinden ayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sre yeniden bir fotonun pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yar iletkenin i ksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri oluturulmaktadr. Fakat gerekli elektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar. Gneten Elektrik retmenin Yararlar Elektrik retimi iin pek ok yntem olmasna karlk, gne pilleri ile elektrik retiminin baz yararlar vardr. Bunlar aada ksac aklanmtr. Mevcut sistemlerden farkl olarak en byk yarar, Herhangi bir fosil yakt veya balant gerektirmeden bamsz olarak elektrik retebilmesidir. Kullanlan yakt, her yerde ve bedava bulmak mmkndr. Tama ve depolama gibi sorunlar yoktur. Sistemde kullanlan hareketli paralar ok az olduundan ok az bakm gerektirirler. Elektrik retiminde kullanlan dier sistemler (jeneratrler, rzgar veya hidroelektrik trbinleri vs) dzenli olarak bakma gerek duyarlar. Eer, pv sisteminiz kompleks ise, bir para bakm gerekebilir; ancak, genel olarak, bu sistemler iin "bakmsz" demek yanl olmayacaktr. Dier elektrik retim sistemleriyle karlatrldklarnda, belki de en byk yararlar gvenilir olmalardr. Hareketli paralar ya ok azdr; ya da yoktur. imekler, gl rzgarlar veya kum frtnalar, nem ve s, kar veya buz gibi doa olaylarna dayankldrlar. Enerjiyi kullanmak istendii yerde retmek olasdr. Bylece enerjiyi tamak gerekmez. ebekenin ulamad, rnein, GSM vericilerinin yerletirildii yerlerde, bu sistemi kullanmak olasdr. Enerji kayna ile kullanm yeri arasnda, uzun kablolar ve balarn elemanlar olmadndan arada oluabilecek g kaybndan kanlm olur. Bu sistemle, ok 15

sayda tketim noktas beslenmek istendii zaman bile yerel kayplar yok denecek kadar azdr. Modler bir sistem olduu iin g k kolaylkla arttrlabilir. Mevcut modllere yenilerinin eklenmesi ile sistem, artan g gereksinimini karlayabilecek duruma getirilebilir.

SONU Gne pilleri evre dostu ve tkenmez enerji kayna gneten, insan mr boyunca elektrik retirler. Trkiye ylda ortalama 2600 saat gnelenme zamanyla gne enerjisinden ekonomik olarak yararlanlabilen bir lkedir. 16

Bir gne pili sistemi dizayn etmek iin sistemin kurulaca blge ve retilmek istenen enerji miktarnn bilinmesi gerekir. Sistem, arzu edilen zel koullarda gz nne alnarak istenen koullarda dizayn edilebilir. Gne pillerinin kullanm alanlarnn banda aydnlatma ve haberleme gelmektedir. Yerleim merkezlerine uzak yerlerdeki GSM vericilerinin ve radyo istasyonlarnn enerjilerini karlamak iin ideal zmdr. Sizi ebeke bamllndan, jeneratrlerin bakm ve iletme masraflarndan kurtarr.

KAYNAKLAR 1. UYAREL, Do. Dr. A. Ycel Z, Yrd. Do. Dr. Etem Sait (G.. Teknik Eitim Fakltesi, Tesisat Eitimi Anabilim Dal Bakan), Gne Enerjisi ve Uygulamalar, Birsen Yaynevi, Ankara, Kasm 1987. 17

2. YILDIRIM, Blent AKKOYUNLU Tamer SEZER Ahmet, Bir Binann Gne Pili Destekli Gne Kollektrleriyle Istlmas, S.D.., Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Makine Mhendislii Blm, Bitirme devi, Isparta, 1995.

18

19

NDEKLER GNE PLLER..................................................................................................................1 Giri....................................................................................................................................1 Maddenin Yaps ve Yar letkenler..................................................................................1 P N Kava...............................................................................................................4 Fotovoltaik Pil....................................................................................................................6 Gne Pili eitleri............................................................................................................6 a. Selenyum Gne Pili: ................................................................................................7 b. Silisyum Gne Pili: ................................................................................................7 Gne Pili Edeer emas ve Gne Panelleri................................................................8 Gne Pillerinin Yaps....................................................................................................10 Gne Pili Trleri.............................................................................................................12 1. Kristal Silisyum Gne Pilleri.................................................................................13 2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri........................................................................13 3. Semisristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri.....................................................13 4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri................................................................................13 5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri...........................................................................13 6. nce Film Gne Piller.............................................................................................14 7. Amorf Silisyum Gne Pilleri.................................................................................14 8. Dier Yaplar...........................................................................................................14 Gne Pili Nasl alr...................................................................................................14 Gneten Elektrik retmenin Yararlar..........................................................................15 SONU................................................................................................................................16 KAYNAKLAR....................................................................................................................17

EKLLER LSTES GNE PLLER..................................................................................................................1 Giri....................................................................................................................................1 Maddenin Yaps ve Yar letkenler..................................................................................1 ekil 1. Bir Yar letkenin Yaps..........................................................................................2 ekil 2. Enerji Bandlar..........................................................................................................2 P N Kava...............................................................................................................4 ekil 3. P N Kavann Oluumu....................................................................................4 ekil4. P N Kava ve Akm.......................................................................................5 ekil 5. P N Kavanda Enerji Band............................................................................5 Fotovoltaik Pil....................................................................................................................6 ekil 6. Fotovoltaik Pilin Yaps...........................................................................................6 ekil 7. Fotovoltaik Pil Edeer Elektrik Devresi................................................................6 Gne Pili eitleri............................................................................................................6 a. Selenyum Gne Pili: ................................................................................................7 ekil 8. Selenyum Gne Pilinin Yaps...............................................................................7 b. Silisyum Gne Pili: ................................................................................................7 Gne Pili Edeer emas ve Gne Panelleri................................................................8 ekil 9. Gne Pili.................................................................................................................8 ekil 10. P N Kavann Oluturulmas ve Kavaa Den Foton Enerjisi ile letkenlik Temini....................................................................................................................................9 ekil 11. Gne Pili Edeer Elektrik emas......................................................................9 ekil 12. 34 Wattlk Bir Gne Pilinde Akm-Gerilim Erileri........................................10 (Yzey Scakl 27 0C in)...............................................................................................10 Gne Pillerinin Yaps....................................................................................................10 ekil 13. Tipik Bir Silisyum Gne Pilinin n Yz.........................................................11 ekil 14. Pillerden Modl ve rglerin Yaplmas.............................................................12 Gne Pili Trleri.............................................................................................................12 1. Kristal Silisyum Gne Pilleri.................................................................................13 2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri........................................................................13 3. Semisristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri.....................................................13 4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri................................................................................13 5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri...........................................................................13 6. nce Film Gne Piller.............................................................................................14 7. Amorf Silisyum Gne Pilleri.................................................................................14 8. Dier Yaplar...........................................................................................................14 Gne Pili Nasl alr...................................................................................................14 Gneten Elektrik retmenin Yararlar..........................................................................15 SONU................................................................................................................................16 ii

KAYNAKLAR....................................................................................................................17

T.C. SLEYMAN DEMREL NVERSTES MHENDSLK MMARLIK FAKLTES MAKNE MHENDSL BLM

GNE PLLER

SEMNER II.

iii

DANIMAN r. Gr. Mehmet ZDE

HAZIRLAYAN Olcay EMR 9911002043

ISPARTA 2002

iv