P. 1
bab06-bahan-semikonduktor

bab06-bahan-semikonduktor

|Views: 18|Likes:
Published by Fahrul Bakri

More info:

Published by: Fahrul Bakri on May 31, 2012
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as RTF, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/07/2013

pdf

text

original

6

BAHAN SEMIKONDUKTOR

dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atom-atom

tetanggan

Gambar 6.1 Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi

ar 1,1

eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K),

sejumla

54 ELEKTRONIKA DASAR

dan daerah yang ditempati elektron bebas mem Akibat adanya dua pembawa muatan tersebut.4 * 101 9 Konsentrasi intrinsik.39 0. yang biasa disebut sebagai "arus sebagai berikut drift" dapat dituliskan adanya dua partikel masing-masing bermuatan positif dan negatif yang bergerak dengan arah y kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif. jumlah lubang sama dengan jumlah elektron atau dituliskan sebagai (6.1) n dan p = konnsentrasi elektron dan lubang (m ? n dan ? p = konduktivitas (S cm 1) ? = n + n p ? p ) q= ( ? (a) 3 ) mobilitas elektron dan lubang (m 2V1s1) Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak.Proses aliran muatan ini. maka pada semikonduktor murni. Beberapa properti dasar silikon dan germanium diperlihatkan pada tabel 6.1 ??????????? ?????? ? ? Germanium 0. besarnya rapat arus dinyatakan sebagai: J = dimana (n ? n + p? p )? ? q ? (6. ?p(m 2 V ?1 0.048 0.135 0.67 ? ? ? Mobilitas elektron. ? i ( m) 2300 Resistivitas energi menunjukkan tereksitasinya elektron ke pita konduksi dan meninggal 0. i(m ? ) Gambar 6.46 56 ELEKTRONIKA DASAR Bahan Semikonduktor 55 .5 * 10 1 6 2.1.2) n=p=n i dimana nidisebut sebagai konsentrasi intrinsik.2 a) Strukturnkristal3 silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen ? us dan b) Diagram pitaintrinsik.1 Beberapa(b) properti dasar silikon dan germanium pada 300 K ????????? Properti Energi terlarang/gap (eV) ?? Silikon 1.19 ? s ?1 ) 1. ??? ??????????? ? ? ? ? ? ? ???????? ??????????? Tabel 6. ?n(m 2 V ? 1 s ? 1 ) Mobilitas lubang.

3). Elemen sem Tabel 6.tabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat gambar 6. dan tersisa sebuah elektron yang tidak Bahan Semikonduktor 57 .3 Elemen semikonduktor pada tabel periodik ron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap.

Secara skematik semikonduktor tipe.memberikan elektron. perhatikan letak tingka tor murni. maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor.3.3 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima osisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe- n. misalnya silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi 58 ELEKTRONIKA DASAR .n digambarkan seperti terlihat pada gambar 6. (a) ????P???? ?UVWXY ?( (b) Z ? ?? VW[WU } }X ^_i???t?n???1 a ? ? ? ? ? ? ? ? ?????????? ? ? Gambar 6.

Karena atom p (a) (b) ? ?i ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ?? ? ? ?? ?? ? ? ?? ? ? ? ?? ?q rs ts ? ? ? q ? ?? ? Gambar 6.uktor tipe.p karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yang netral. perhatikan letak ti Bahan Semikonduktor 59 .4 a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi tiga n posisi salah satu atom silikon dan b) Struktur pita energi semikonduktor tipe- p.

3) Dalam kondisi setimbang.dinyatakan dalam elektron volt atau eV. jika salah satu dinaikkan (melalui proses doping). besamya laju generasi adalah sama dengan besarnya laju rekombinasi. sebaliknya R akan berharga tinggi jika tersedia elektron dan lubang dalam jumlah yan R=rnp dimana r menyatakan konstanta proporsionalitas bahan. Pada semikonduktor murni (silikon atau germanium) berlaku rnipi =rn i2 g=g atau i =R 2 i (6. T tinggi lubang yang bergerak cenderung harga rendah. (6.5) atau dengan kata lain perkalian konsentrasi elektron dan lubang menghasilkan suatu konstanta. Energi dalam bentuk temperatur T dinyatakan dengan kT. 60 ELEKTRONIKA DASAR .4) np = n i (6. d Jika energi gap eVGberharga kecil dan temperatur maka laju generasi termal akan tinggi. yang lain harus berkurang.

7) Dengan cara yang sama pada semikonduktor tipe-p berlaku 2 pp ? NA dan n p ni NA (6. k nn ? ND Dengan demikian konsentrasi lubang akan menjadi mengecil.praktis semua atom donor atau aseptor terionisasi pada suhu ruang. Pada semikonduktor tipe- n.8) dimana pp = konsentrasi lubang pada tipe. yaitu sebesar 2 2 (6.6) ni pn = nn ni ND (6.p konsentrasi elektron pada tipe. sedan Bahan Semikonduktor 61 .p konsentrasi atom aseptor np = NA = salnya konsentrasi elektron pada salah satu sisi bidang lebih besar dibandingkan sisi yang lain.

namun gerakan tersebut bukan karena adanya gaya tolak.9) sJika dn/dx berharga positif. Dengan cara yang sama untuk lubang d J p = qD ? p dp dx (6. on pada arah -x menghasilkan arus positif pada arah +x. Seperti haln ? n= ? p = q Dn Dp kT (6.11) 62 ELEKTRONIKA DASAR . ).10) mempunyai konsentrasi lebih tinggi.dn J n =qD n dx konstanta difusi untuk elektron (m 2 1 (6.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->