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MOSFET E IGBT

1 QUE ES UN MOSFET? CARACTERÍSTICAS GENERALES
Un MOSFET es un tipo de transistor FET. La palabra MOSFET significa transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor . Es un dispositivo controlado por voltaje que requiere solo una pequeña corriente de entrada. Los tiempos de conmutación son muy altos, del orden de nanosegundos. El problema de los MOSFET es el fallo por descargas electrostáticas.
Figura 1. Estructura del MOSFET de agotamiento canal n.

Es posible clasificar a este tipo de transistores en 2 debido a su modo de operación: de tipo incremental o enriquecimiento y de tipo decremental o agotamiento. Para cada uno de estos tipos existen dos categorías adicionales: de canal n y canal p. Los MOSFET poseen tres terminales: compuerta, drenaje y fuente. CARACTERÍSTICAS GENERALES A continuación se enumeran algunas de las características generales de los MOSFET más importantes: 1) Impedancia de entrada muy alta, debido a la capa aislante de óxido de silicio. 2) Corriente de fuga (en compuerta) muy pequeña, del orden de los nanoamperes. 3) Ganancia en corriente (relación entre la corriente de drenaje y corriente entrada de la compuerta) muy alta, típicamente de 109. 4) No existe conexión eléctrica directa entre la compuerta y el canal (ya sea n o p). TIPOS DE MOSFET Agotamiento Canales n y p. En la figura 1 se muestra la estructura t símbolo de este MOSFET. Está conformado de un substrato (normalmente conectado a la fuente) de silicio tipo p y dos tipo n dopados. La compuerta se aísla del canal mediante una pequeña capa de óxido. El voltaje de compuerta a fuente, denominado VGS, puede ser positivo o negativo. Si es suficientemente negativo, el canal se agotará y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, denominada IDS. En cambio, si VGS es positivo el canal se ensancha e IDS aumenta.

Para un MOSFET de agotamiento canal p solamente se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS, mostrando su estructura la figura 2.

Figura 2. Estructura del MOSFET de agotamiento canal p.

Enriquecimiento Canales n y p. Un MOSFET de enriquecimiento canal n no posee un canal físico, mostrado en la figura 3. Si VGS es positivo, existirá una acumulación importante de electrones debajo de la capa de óxido y si es mayor o igual a un voltaje de umbral VT, se formará un canal virtual n y la corriente fluirá del drenaje a la fuente.

Figura 3. Estructura del MOSFET de enriquecimiento canal n.

En un MOSFET de enriquecimiento canal p, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten, mostrando su estructura en la figura 4.

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rápido que un BJT, pero su velocidad de conmutación es menor a la presentada en los MOSFET.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] M. Rashid. Electrónica de Potencia: Circuitos y Aplicaciones. 2da Edición. [2] R. Boylestad. Electrónica: Teoría y Circuitos. 6ta Edición.
Figura 4. Estructura del MOSFET de enriquecimiento canal p

DISPOSITIVOS COMERCIALES A continuación se nombrarán algunos de los MOSFET comerciales: SCH2815 (canal n de propósito general), IRF7750 (canal p dual), IRFY9130C (canal p de potencia), CP357X (canal n de pequeña señal), IRF840 (canal n de potencia).

2 QUE ES UN IGBT?
Un IGBT es un dispositivo que combina las ventajas de los BJT y los MOSFET. Posee una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas pérdidas de conducción en estado activo como los BJT. En la figura 5 se muestra la estructura interna de un IGBT. Dicha estructura es idéntica a las de los MOSFET, excepto en el substrato p.

Figura 5. Estructura interna de un IGBT.

Su comportamiento es más cercano al de un BJT que al de un MOSFET, debido a que tal substrato se encarga de colocar los portadores minoritarios en la región n. Un IGBT está fabricado con cuatro capas alternadas PNPN y se puede enganchar como un tiristor. EL IGBT se controla por voltaje como un MOSFET. Posee menores pérdidas de conmutación y conducción. Por su parte, comparte varias características de los MOSFET: facilidad de excitación de compuerta, corriente pico, capacidad y resistencia. Un IGBT es más

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