You are on page 1of 24

JEDNOSPOJNI TRANZISTORI UJT

Jednospojni tranzistor (Unijunction Transistor - UJT, stari naziv - dvobazna dioda) ima samo j jedan PN spoj, pa se njegove karakteristike p j, p j g veoma razlikuju od onih koje ima bipolarni tranzistor. tranzistor Postoji veoma izra`en napon praga iza koga nastaje negativna naponsko - strujna karakteristika. Zbog toga je jednospojni k kt i tik Zb t j j d j i tranzistor veoma pogodan kao generator razli~itih talasnih oblika, kao naponski p , , komparator, vremensko rele, kao i za upravljanje tiristorima i trijacima.

Baza (B2) RB2 Ubb Emiter (E) p+ Ue Ue U Ue=UEB1 Baza (B1) a) Ie Ip b) Ie RB1 E A Ud Ubb= UB2B1

B2 (+) N

B1 () (-)

Struktura jednospojnog tranzistora mo`e j p j g da bude: {tapi~asta, kockasta i planarna. Planarna struktura je savremena, jeftina, savremena jeftina visokopouzdana i pogodna za postavljanje u ku}i{te. Ona omogu}uje velikoserijsku automatsku proizvodnju a proizvodnju, tranzistori izra|eni planarnim postupkom imaju pobolj{ane karakteristike.

Rad jednospojnog tranzistora lak{e se mo`e razumeti ako se posmatra {tapi~asta struktura ekvivalentna {ema predstavlja UJT samo u oblasti u kojoj je struja emitera jednaka ili manja od struje vrha.

Kada se na UJT priklju~i napon UB2B1 struja p j p j }e po~eti da te~e kroz silicijumski {tapi} od B2 ka B1. [tapi} ima unutra{nju otpornost RBB ( B1 otpornost je u oba smera izme|u 4 i 12 k) i struja k j uti~e u bazu 2 ima vrednost: t j koja ti~ b i d t

I B2

U B2 B1 R BB

Deo napona UB2B1 pojavi}e se u ta~ki A p p j u kojoj je emitor legiran na silicijumskoj plo~ici, plo~ici a ovaj deo se ozna~ava sa . Napon u ta~ki A je UB2B1, a emitorski spoj je polarisan u nepropusnom smeru. Zbog toga kroz emitorski spoj proti~e vrlo mala inverzna struja zako~enja IEO (reda 10 do 50nA), tako da je ulazna otpornost nekoliko M) M).

Kada se napon emitora UE sada pove}ava od nule u pozitivnom smeru dosti}i }e u jednom trenutku vrednost napona u ta~ki A uve}anom za pad napona UD na diodi, tj. PN spoj je polarisan u propusnom smeru. Napon emitora j p u ovoj ta~ki zove se napon vrha i ozna~ava sa U P.
UP = UD + UB2B1.

PN spoj je sada polarisan u propusnom smeru, pa se {upljine injektuju iz emitora u silicijumski {tapi}. Elektri~no polje, koje nastaje unutar {tapi}a usled priklju~enog napona UB2B1, ima takav smer da se injektovane {upljine kre}u prema izvodu baze1. Isti broj elektrona bi}e injektovan preko izvoda baze 1 da bi se odr`ala elektri~na ravnote`a. Po{to se pove}ava koncentracija elektrona i {upljina u delu silicijumskog {tapi}a izme|u baze 1 i emitora to }e se i provodnost ovog dela {tapi}a pove}ati, odnosno smanjiti otpornost. Ovaj proces se naziva "modulacija

provodnosti.

Sl.6.2 Ekvivalentne {eme UJT-a a) za oblast negativne

otpornosti, b) za oblast zasi}enja, c) oznaka UJT-a.

E Ud

Ie A Rb2 B2 Rsat Ubb= UB2B1 Ue Rn B1 Ip Ie Iv Sl. 5.2 a) Ie Iv b) E Ud Ue Rsat Ie RB2 Ubb= UB2B1 A

B2

Ib2 B2 Ie E UEB1 UB2B1 B1

B1 c)

Smanjivanje otpornosti je lavinski proces, pa UJT u toj oblasti ima negativnu otpornost. Ekvivalentna {ema za ovu oblast k k i ik UJT-a d je na sl. bl karakteristike data j l 6. . 6.2a.

Pri strujama emitora manjim ili j j j jednakim struji vrha IP otpornost RBB mo`e da se podeli na dva dela, RB1 i RB2 prema izrazima:
RB1 = RBB RBB.

RB2 = RBB RB1.

U P U D R B1 U B2 B1 R BB

Ovaj odnos zavisi od temperature i strukture UJT-a.

Emitorska karakteristika UJT a UJT-a.

U oblasti negativne otpornosti, tj. pri g p , j p strujama emitora ve}im od struje vrha IP, za otpornost RB1mo`emo smatrati da se sastoji od konstantnog dela RS i promenljivog dela Rn, gde je RS otpornost zasi}enja, a Rn negativna zasi}enja otpornost (otpornost se smanjuje pri pove}anju struje emitora).

Otpornost Rn bi}e jednaka nuli kada se koncentracija {upljina u silicijumskom {tapi}u pove}a na pribli`no 1016 nosioca po kubnom santimetru. Tada je otpornost santimetru izme|u emitora i baze 1 jednaka otpornosti zasi}enja RS (RB1=RS) i UJT ne radi vi{e u oblasti negativne otpornosti.

Ta~ka na emitorskoj karakteristici u kojoj RB1 dosti`e svoju minimalnu vrednost naziva se dolina ili ulegnu}e i ozna~ava se sa IV. Napon doline ozna~ava se sa UV. d li

Ako se emitorska struja pove}ava preko IV UJT dolazi u tzv. oblast zasi}enja u tzv kojoj je struja emitora linearna funkcija napona emitora. Ekvivalentna {ema za i k i l { ovu oblast data je na sl. 6.2b. ob s d s . 6. b.

Na sl. 6.3 prikazana j stati~ka emitorska p je karakteristika za neku konstantnu vrednost napona UB2B1. Oblast levo od vrha naziva se oblast zako~enja j i u najve}em delu ove oblasti emitor je polarisan u nepropusnom smeru, a tek u blizini vrha malo p p polarisan u propusnom smeru. Oblast izme|u vrha i doline, u kojoj je emitor polarisan u propusnom smeru i dolazi do modulacije provodnosti, naziva se "oblast negativne otpornosti". oblast otpornosti Oblast desno od doline, u kojoj je struja emitora ograni~ena otporno{}u RS, naziva se "oblast oblast

zasi}enja.

Kriva koja se dobija kada je struja baze 2 jednaka nuli (IB2=0) u stvari je 0) karakteristika silicijumske diode polarisane u propusnom smeru. l i

Parametri vr{ne ta~ke IP, UP. IP


I struja vrha IP i napon vrha UP smanjuju p se kada temperatura raste. Promene UP u zavisnosti od temperature mogu da se svedu na minimum dodavanjem otpornika R2 u kolo baze 2.

Polarizacija UJT a UJT-a.


+ R2 B2 Ubb UJT N Ue R1 B1

Sl.5.4

Parametri doline IV , UV.


I struja doline IV i napon doline UV opadaju kada se temperatura okoline pove}ava. Ove veli~ine zavise i od me|ubaznog napona UB2B1 i rastu kada se | b k d o pove} v . on pove}ava.

jednospojni tranzistori veoma retko koriste kao prekida~i u ~istim aktivnim kolima bez reaktivnih elemenata, ve} se gotovo uvek upotrebljavaju u kolima u kojima postoji odre|ena RC konstanta, a u tom slu~aju vremena uklju~ivanja, (a l ~ j klj ~i j ( naro~ito isklju~ivanja) u velikoj meri j j ) j zavise od veli~ine kapaciteta kondenzatora kol konden atora u kolu emitora CE.

You might also like