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Transistor Es

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Transistores 1

Transistores
Introdução
Em 1947, John Bardeen e Walter Brattain, sob a supervisão de William Shockley no
AT&T Bell Labs, demonstraram que uma corrente fluindo no sentido de polaridade direta
sobre uma junção semicondutora PN poderia controlar a corrente de polaridade reversa sobre
um terceiro eletrodo montado muito próximo ao primeiro contato. Este dispositivo de controle
de corrente recebeu o nome de transistor como uma forma contraída das palavras “resistor de
transferência” (do inglês, TRANSfer reSISTOR) e como ele opera com elétrons e lacunas
como portadores de carga recebeu o nome de transistor bipolar. Um outro dispositivo
semicondutor de controle é o transistor de efeito de campo FET (Field Effect Transistor), cujo
controle da corrente é realizado por meio de um campo elétrico induzido na região condutora;
como ele opera majoritariamente com apenas um tipo de portador, também é denominado de
transistor unipolar.
Fig. 1 Fotografia do aparato experimental de teste do primeiro transistor, inventado em
1947, por Brattain, Bardeen e Shockley.
Tipos de transistores
Os transistores podem ser classificados de acordo com o tipo de portador de carga
utilizado para transporte de corrente. Sob esse ponto de vista, existem dois tipos de
transistores: os bipolares e os unipolares. Enquanto os bipolares utilizam-se de elétrons livre E
lacunas como portadores de carga, os transistores unipolares utilizam-se de elétrons livres OU
lacunas como portadores de carga. A Fig. 2 ilustra os tipos de transistores bipolares e
unipolares existentes, que serão descritos neste capítulo.
Transistores 2
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'
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'
¹
¹
'
¹
P Canal
N Canal
ento Enriquecim
P Canal
N Canal
Depleção
MOSFET
P Canal
N Canal
JFET
UNIPOLARES
PNP
NPN
BIPOLARES
ES TRANSISTOR
Fig. 2 Tipos e classificação dos transistores.
O transistor bipolar
O esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN (designado pela sigla BJT –
bipolar junction transistor) está mostrado na Fig. 3. Ele é caracterizado por duas junções PN,
sendo que o semicondutor tipo P, comum às duas junções é denominado “base”. O
semicondutor tipo N de uma das junções, com alto nível de dopagem, é denominado
“emissor”, enquanto que o outro semicondutor tipo N com baixo nível de dopagem é chamado
“coletor”.
O coletor, levemente
dopado, está "positivo"e
atrai os elétrons vindos do
emissor
A base está pobre
de lacunas
O emissor, altamente
dopado, está "rico"
de elétrons
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

e
l
é
t
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n
s
-
-
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N
-
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-
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-
-
-
-
+
+ + +
+
P
N
-
-
I baixa
B
I alta
C
I alta
E
-
+
-
+
Corrente de elétrons
Corrente de elétrons
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

e
l
é
t
r
o
n
s
Corrente convencional (+)
Corrente convencional (+)
Corrente convencional (+)
C
o
r
r
e
n
t
e

c
o
n
v
e
n
c
i
o
n
a
l

(
+
)
Fig. 3 Esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN.
Transistores 3
O emissor é a região rica em portadores de carga; sua tarefa é enviar os portadores
para a base e dali para o coletor. O coletor como o nome diz, coleta os portadores que
atravessam a base. A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do
emissor para o coletor.
As regiões tipo N contém elétrons livres como portadores majoritários, enquanto que
a região tipo P contém lacunas como portadores majoritários. O nome transistor bipolar vem
do fato que ambos os portadores (elétrons livres e lacunas) tomam parte do fluxo de corrente
que atravessa o dispositivo.
N
P
N
Coletor
Emissor
Base
C
E
B
Fig. 4 Estrutura, circuito equivalente e símbolo para o transistor bipolar NPN.
Circuito para caracterização do transistor bipolar NPN
C
E
B
A
A
V
+ -
+
- i
V
i
B
C
CE
Fig. 5 Circuito para caracterização de transístor bipolar NPN
Transistores 4
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0
2
4
6
8
10
12
14
16

C
o
r
r
e
n
t
e

d
o

c
o
l
e
t
o
r
,

i
C

(
m
A
)
120 µA
100 µA
80 µA
60 µA
40 µA
20 µA
i
B
= 0 µA


Tensão entre coletor e emissor, V
CE
(V)
Fig. 6 Família de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN.
Transistor PNP
O transistor bipolar PNP opera de maneira análoga ao transístor NPN, porém com
fluxo de portadores majoritários de cargas sendo as lacunas.
O coletor, levemente
dopado, está "negativo" e
atrai as lacunas vindas do
emissor
A base está pobre
de elétrons
O emissor, altamente
dopado, está "rico"
de lacunas
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

l
a
c
u
n
a
s
P
-
-
-
-
+
+
+
+
+
N
P
I baixa
B
I alta
C
I alta
E
-
+
Corrente de lacunas (+)
C
o
r
r
e
n
t
e

d
e

l
a
c
u
n
a
s

(
+
)
Corrente de lacunas (+)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
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+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ + +
+
+
+
+
+
+
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+ +
+ +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
+
Fig. 7 Esquema do funcionamento do transístor bipolar PNP.
Transistores 5
P
N
P
Coletor
Emissor
Base
C
E
B
Fig. 8 Estrutura, circuito equivalente e símbolo para o transistor bipolar PNP.
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
-120 µA
-100 µA
-80 µA
-60 µA
-40 µA
-20 µA
i
B
= 0 µA

C
o
r
r
e
n
t
e

d
o

c
o
l
e
t
o
r
,

i
C

(
m
A
)

Tensão entre coletor e emissor, V
CE
(V)
Fig. 9 Família de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN.
Tabela 1Códigos e especificações de alguns transistores bipolares.
TIPO POL VCE0 IC (mA) P (mW) hFE α α IC (mA) Aplicações
BC107 NPN 45 100 300 110-450 2 200 AF/ uso geral
BC108 NPN 20 100 300 110-800 2 200 AF/ uso geral
BC109 NPN 20 100 300 200-800 100 200 AF/ baixo ruído
BC327 PNP 45 500 800 100-600 100 700 AF/ até 1W
BC328 PNP 25 500 800 100-600 100 700 AF/ até 1W
BC337 NPN 45 500 800 100-600 100 700 AF
BC338 NPN 25 500 800 100-600 100 700 AF
BC368 NPN 20 1000 800 85-375 500 500 AF/ até 3 W
BC369 PNP 20 1000 800 85-365 500 500 AF
BC546 NPN 65 100 500 110-450 2 600 AF/ uso geral
BC547 NPN 45 100 500 110-800 2 600 AF/ uso geral
BC548 NPN 30 100 500 10-800 2 600 AF/ uso geral
BC549 NPN 30 100 500 200-800 2 600 AF/ baixo ruído
BC557 PNP 45 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
BC558 PNP 30 100 500 75-475 2 650 AF/ uso geral
AF = usado na faixa de freqüência de áudio.
Transistores 6
1, 27
1, 27
Base
Col etor
Emi ssor
5, 2
4, 2
5, 2
Base
Col etor
Emi ssor
Transi stor: Encapsul amento pl ásti co TO-92
Transistores bipolares de pequeno sinal:
• Família BC106 (obsoleto preferido)
• BC182/BC212 (Uso geral)
• 2SA1085/2SC2547 (Baixo ruído e alta tensão)
Transistores NPN - 2SC2545 / 6 / 7
2SC2545 2SC2546 2SC2547 unidades
V
ce
60 90 120 V
I
c
100 100 100 mA
P
c
400 400 400 mW
h
fe
250 – 1200 250 – 1200 250 – 800 min – max
f
T
90 90 90 MHz
C
b
3 3 3 pF
e
n
0,5 0,5 0,5 nV / Hz
1/2
Transistores PNP - 2SA1083 / 4 / 5
2SA1083 2SA1084 2SA1085 unidades
V
ce
60 90 120 V
I
c
100 100 100 mA
P
c
400 400 400 mW
h
fe
250 – 800 250 – 800 250 – 800 min – max
f
T
90 90 90 MHz
C
b
3,5 3,5 3,5 pF
e
n
0,5 0,5 0,5 nV / Hz
1/2
Transistores 7
Circuitos de polarização de transistores bipolares
Como visto nas Figuras 6 e 9, o transistor bipolar necessita de uma corrente de
polarização da base para colocar o dispositivo na região de operação. Por outro lado, a
corrente de base modula a corrente que flui entre o coletor e o emissor.
i
B
V
BB
V
CC
V
CE
+
-
+
-
R
B
R
C
i
C
+
-
+
-
V
BE
Fig. 10 Circuito de polarização da base.
-V
A
i
C
V
CE
i = 0
B
i
B1
i
B2
i
B3
i
B4
0
Região de saturação
Região de corte
Região ativa
Fig. 11 Esquema de curva característica para transistores bipolares reais.
Relações corrente-tensão para o transistor bipolar NPN operando na região ativa:
T BE
V / V
S C
e I i · (1)
Definindo o ganho de corrente β de emissor comum como:
Transistores 8
B
C
i
i
· β (2)
vem que:
T BE
V / V S C
B
e
I i
i

,
_

¸
¸
β
·
β
· (3)
À partir da definição de α:
E
C
i
i
· α (4)
obtém-se:
T BE
V / V
S
C
E
e I
i
i α ·
α
· (5)
Aplicações
O transistor pode ser empregado de muitas maneiras, mas basicamente ele
desempenha duas funções: amplificação e chaveamento. No caso da amplificação, podemos
fazer uma analogia com uma torneira: girando a torneira, podemos controlar o fluxo de água,
tornando-o mais forte ou mais fraco. No caso do chaveamento, podemos imaginar o transistor
como um interruptor de luz: ligando o interruptor, a luz se acende; desligando o interruptor, a
luz se apaga. Da mesma forma que a torneira controla o fluxo de água, o transistor controla o
fluxo de corrente elétrica. E da mesma forma que o interruptor “chaveia” (liga ou desliga) a
luz, o transistor pode chavear corrente elétrica. A grande diferença, contudo, da torneira e do
interruptor para o transistor é que nos dois primeiros o controle é feito pelas nossas mãos. Já
no transistor, o controle da amplificação e do chaveamento é feito por corrente elétrica. Ou
seja, no transistor bipolar temos corrente elétrica controlando corrente elétrica.
Isso é importante por diversos motivos: em primeiro lugar, com o controle sendo
feito por corrente elétrica, consegue-se num transistor uma velocidade de operação milhares de
vezes mais rápida do que nossas mãos. Em segundo lugar, o transistor pode ser acoplado a
outras fontes de sinal elétrico, como uma antena, um microfone, ou mesmo um outro
transistor. Por fim, sendo controlado por corrente, o transistor pode funcionar como uma
“chave eletrônica”, sem partes móveis, muito mais rápida e eficiente do que os antigos relés
(chaves eletro-mecânicas).
O transistor como amplificador
Amplificação de sinal é um dos propósitos básicos da eletrônica. Idealmente, na
entrada de um circuito amplificador temos um sinal de baixa intensidade, cuja amplitude é
aumentada sem haver distorção na forma de onda, conforme ilustrado na Fig. 12.
Transistores 9
AMPLIFICADOR
FONTE DE POTÊNCIA CC
Sinal de saída
Fig. 12 Esquema de um amplificador
O transistor de efeito de campo (FET)
O transistor de efeito de campo (FET – field effect transistor) é um dispositivo
semicondutor cuja corrente de operação depende do campo elétrico aplicado no seu terminal
de controle, diferentemente do transistor bipolar, cuja corrente que flui entre o emissor e o
coletor é controlada por corrente injetada no terminal base.
O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar:
1. Sua operação depende apenas do fluxo de portadores majoritários. São, portanto,
dispositivos unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de carga) e por isso
recebe também, o nome de transistor unipolar;
2. São relativamente imunes à radiação;
3. Possuem uma grande resistência de entrada, tipicamente da ordem de megaohms;
4. Apresentam menor ruído comparado aos transistores bipolares;
5. Eles não apresentam tensão residual (tensão de offset) para corrente de dreno nula;
6. Apresentam estabilidade térmica.
A desvantagem do FET é o seu pequeno produto ganho × faixa de passagem
(bandwidth) em comparação ao transistor bipolar.
Existem dois tipos de transistor de efeito de campo: o FET de junção (JFET –
junction field effect transistor) e o FET de porta isolada (IGFET – insulated-gate field effect
transistor) mais comumente chamado MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect
transistor).
O transistor de efeito de campo de junção (JFET)
JFET canal P: portadores são lacunas
O JFET opera no modo de depleção, isto é, uma tensão aplicada no terminal porta
pode remover os portadores de carga presentes no canal N. Por exemplo, o transistor
mostrado na Fig. 4 conduzirá normalmente do terminal fonte para o terminal dreno. O canal N
contém elétrons livres em quantidade suficiente para suportar o fluxo de corrente. Se a tensão
da porta se tornar negativa, os elétrons livres serão empurrados para fora do canal N, pois
cargas iguais se repelem. Isto deixa o canal com poucos elétrons livres e a sua resistência
Transistores 10
aumentará várias vezes, reduzindo assim a corrente entre dreno e fonte. Na realidade, se a
tensão no terminal porta se tornar negativo, o dispositivo pode ser desligado e nenhuma
corrente fluirá. Existem algumas diferenças importantes entre transistores bipolares e
unipolares, a principal delas é que o transistor bipolar é controlado por corrente, e o transistor
unipolar é controlado por tensão.
O JFET é o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso
atualmente, em função das melhores características do MOSFET. Sua aplicação é restrita aos
circuitos discretos, nos quais é utilizado tanto como amplificador como chave. Nos circuitos
integrados as suas aplicações estão limitadas aos estágios de entrada diferencial de alguns
amplificadores operacionais para os quais deseja-se uma alta impedância de entrada em
comparação aos transistores bipolares.
P P
Dreno (D)
Fonte (S)
Porta (G)
Canal
N
G
S
D
Fig. 13 (a) FET junção canal N e (b) símbolo do JFET canal N.
Região de depleção
Porta tipo P+
Porta tipo P+
Dreno
Canal tipo N
Fonte
V
DD
V
GG
i
G
i
S
i
D
Fig. 14 Estrutura básica de um transistor de efeito de campo canal P. As polaridades normais
das fontes de tensão V
DD
(dreno-fonte) e V
GG
(porta-fonte) estão mostradas.
Transistores 11
V
V
A
+
-
+
-
I
D
V
GG
V
DD
V
DS
V
GS
+
-
Fig. 15 Circuito para caracterização de JFET canal N.
N N
Dreno (D)
Fonte (S)
Porta (G)
Canal
P
G
S
D
Fig. 16 (a) FET junção canal P e (b) símbolo do JFET canal P.
Transistores 12
Fig. 17 Curvas V-I características de um JFET canal N.
O transistor de efeito de campo MOSFET
N
+
N
+
S
u
b
s
tr
a
to
tip
o
P
C
a
n
a
l P
P
o
r
t
a
(
G
)
F
o
n
t
e
(
S
)
D
r
e
n
o
(
D
)
SiO
2
Terminal do
substrato (B)
Fig. 18 Transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor (MOSFET) ou FET de porta
isolada (IGFET).
Transistores 13
Fig. 19 Princípio de funcionamento do MOSFET no modo enriquecimento.
DRENO ( D)
FONTE ( S)
PORTA ( G)
SUBSTRATO
(B)
MOSFET CANAL N
DRENO ( D)
FONTE ( S)
PORTA ( G)
SUBSTRATO
(B)
MOSFET CANAL P
Fig. 20 (a) Curvas V-I características e (b) curva de transferência (para VDS = 10 V) para um
NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de depleção quanto no modo de
enriquecimento (Millman, 1967).
Transistores 14
Circuitos digitais que empregam lógica CMOS
A utilização de FETs como dispositivos lógicos tem diversas vantagens sobre os
dispositivos baseados em transistores bipolares, particularmente devido à alta resistência do
terminal porta (G). Este fato acarreta em baixa dissipação de energia, da ordem de
1 mW/porta. Quando um FET canal p é utilizado complementarmente a um FET canal n,
apenas uma fonte é necessária, daí o nome de semicondutores de óxido metálico
complementares CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). A Fig. 19 apresenta
um circuito CMOS utilizado como porta lógica inversora em circuitos digitais.
V
in
+V
DD
V
out
Q
1
Q
2
Fig. 21 Circuito CMOS de uma porta lógica inversora.
Parâmetros operacionais das portas lógicas CMOS:
V
DD
= 3 a 15 V, P
d
= 0,3 Mw, τ
d
= 200 ns, V
NM
= 0,4 V
DD
Estado lógico “1” ≅ V
DD
e estado lógico “0” = 0 V.
A lógica CMOS oferece algumas vantagens substanciais, tais como: baixa dissipação
de energia, excelente margem de ruído e elevada capacitância. Esta última característica,
embora reduza a velocidade do dispositivo, por outro lado torna-o bastante insensível à fonte
de potência utilizada. Ainda, pode-se aumentar a sua margem de ruído aumentando-se o valor
de V
DD
.
Transistores 15
Fig. 22 Esquema de uma memória de computador RAM utilizando CMOSFET.
Fig. 23 Fotomicrografia de um circuito integrado CMOS.
Transistores 16
Comparação entre o transistor bipolar e o MOSFET.
Tendo em vista as características dos transistores bipolares e os FET estudados aqui,
seria ilustrativo comparar os dois tipos de transistores disponíveis comercialmente para a
mesma faixa de operação. A Tabela 2, extraída do livro “The art of electronics” , apresenta
um quadro comparativo entre diferentes tipos de transistores.
Em geral, MOSFET de potência são alternativas mais atraentes do que os transistores
bipolares. Embora eles custem mais caro, para a mesma capacidade, eles são mais simples de
operar e possuem uma área de operação segura mais ampla do que os BJTs. Geralmente, os
BJTs tem melhor desempenho em baixos sinais do que os MOSFETs. Em compensação, na
faixa de 10-50 A/0-100 V, os MOSFETs tem melhor desempenho. Observe na Tabela 2 a
enorme corrente de base necessária para trazer o BJT para saturação – 10% ou mais do valor
da corrente do coletor. Comparativamente, o MOSFET requer apenas 10 V de polarização da
porta (corrente zero). Naturalmente, os MOSFETs de potência tem capacitância maior do que
os BJTs para a mesma corrente; em algumas aplicações (particularmente se o tempo de
chaveamento for importante) é necessário considerar o produto da capacitância pela tensão de
saturação como figura de mérito do dispositivo.
Tabela 2 Comparativo entre transistores bipolares e FET comerciais (Horowitz, 1993).
V
sat
máx. (V)
Classe Tipo i
C
, i
D
25
o
C 125
o
C i
B
, V
GS
C
out
máx.
(10 V)
Preço
(US$/100 pç)
60V, 0,5A
60V, 10A
100V, 50A
400V, 15A
NPN: 2N4400
NMOS: VNO610
NPN: 2N3055
NMOS: MTP3055A
NPN: 2N6274
NMOS: VNE003A
NPN: 2N6547
NMOS: IRF350
0,5A
0,5A
10A
10A
20A
20A
15A
15A
0,75
2,5
3
1,5
1
0,7
1,5
3
0,8
4,5
÷
2,3
1,4
1,1
2,5
6
50mA
10V
3,3A
10V
2A
10V
2A
10V
8pF
25pF
600pF
300pF
600pF
3000pF
500pF
900pF
0,09
0,43
0,65
0,57
11,00
12,50
4,00
12,60
Referências bibliográficas
DIEFENDERFER, A.J. Principles of electronic instrumentation. Philadelphia, PA: Sauders
College Publishing, 1979.
HOROWITZ, P., HILL, W. The art of electronics. New York: Cambridge University Press,
1993.
MALMSTADT, H.V., ENKE, C.G. Electronics for scientists: principles and experiments for
those who use instruments. New York: W.A. Benjamin, 1962.
Transistores 17
MILLMAN, J. & HALKIAS, C.C. Electronic devices and circuits (International student
edition). Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha, 1967.
SCHULER, C.A. Electronics principles and applications. New York: McGraw-Hill, 1985.
SEDRA, A.S., SMITH, K.C. Microeletrônica. São Paulo: Makron Books, 2000.
REZENDE, S.M. A física de materiais e dispositivos eletrônicos. Recife, PE: Editora
Universitária da UFPE, 1996.

Ele é caracterizado por duas junções PN.-. 2 Tipos e classificação dos transistores.. está "positivo"e atrai os elétrons vindos do emissor I B baixa + - + + + P + + --. comum às duas junções é denominado “base”.. O semicondutor tipo N de uma das junções.-..-. 3 Esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN.....-... está "rico" de elétrons I Corrente convencional (+) E alta Corrente de elétrons Fig.-.. enquanto que o outro semicondutor tipo N com baixo nível de dopagem é chamado “coletor”.-.N .-... 3. altamente dopado.-.- O emissor. levemente dopado..-. Transistores 2 ...---. sendo que o semicondutor tipo P.-... O transistor bipolar O esquema do funcionamento do transistor bipolar NPN (designado pela sigla BJT – bipolar junction transistor) está mostrado na Fig... é denominado “emissor”..-.  NPN BIPOLARES   PNP      Canal N JFET     Canal P   TRANSISTOR ES      Canal N  UNIPOLARES   Depleção      Canal P MOSFET     Enriquecim ento Canal N      Canal P     Fig.--..-. com alto nível de dopagem..--.. Corrente de elétrons Corrente convencional (+) I C alta + Corrente convencional (+) Corrente de elétrons Corrente convencional (+) Corrente de elétrons A base está pobre de lacunas N O coletor..

enquanto que a região tipo P contém lacunas como portadores majoritários. 5 Circuito para caracterização de transístor bipolar NPN Transistores 3 . Circuito para caracterização do transistor bipolar NPN A iC C + A iB B V VCE - E + - Fig. A base atua como região de controle do fluxo de portadores de carga do emissor para o coletor. 4 Estrutura. As regiões tipo N contém elétrons livres como portadores majoritários. O coletor como o nome diz. C N P N Coletor Base Emissor B E Fig. coleta os portadores que atravessam a base. sua tarefa é enviar os portadores para a base e dali para o coletor.O emissor é a região rica em portadores de carga. O nome transistor bipolar vem do fato que ambos os portadores (elétrons livres e lacunas) tomam parte do fluxo de corrente que atravessa o dispositivo. circuito equivalente e símbolo para o transistor bipolar NPN.

porém com fluxo de portadores majoritários de cargas sendo as lacunas. está "negativo" e atrai as lacunas vindas do emissor + P + I B baixa + . está "rico" de lacunas I E alta Corrente de lacunas (+) Fig. 6 Transistor PNP Família de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN.16 14 120 µA 100 µA 80 µA 60 µA Corrente do coletor.N ++ + + + ++ + + + + ++ + ++ + + + ++ P + ++ + + ++ + + ++ + ++ + ++ + + ++ + +++ + ++ + + + + + + ++ + + ++ + + + + + + ++ + + + + + A base está pobre de elétrons O emissor. levemente dopado. Corrente de lacunas (+) I C alta + + + + + Corrente de lacunas (+) + + Corrente de lacunas + O coletor. altamente dopado. Transistores 4 . O transistor bipolar PNP opera de maneira análoga ao transístor NPN. iC (mA) 12 10 8 6 4 40 µA 20 µA 2 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 iB = 0 µA Tensão entre coletor e emissor. 7 Esquema do funcionamento do transístor bipolar PNP. VCE (V) Fig.

8 Estrutura.C P N P Coletor Base Emissor B E Fig. TIPO POL VCE0 IC (mA) P (mW) hFE α IC (mA) Aplicações BC107 NPN 45 100 BC108 NPN 20 100 BC109 NPN 20 100 BC327 PNP 45 500 BC328 PNP 25 500 BC337 NPN 45 500 BC338 NPN 25 500 BC368 NPN 20 1000 BC369 PNP 20 1000 BC546 NPN 65 100 BC547 NPN 45 100 BC548 NPN 30 100 BC549 NPN 30 100 BC557 PNP 45 100 BC558 PNP 30 100 AF = usado na faixa de freqüência de áudio. iB = 0 µA 0 -2 -20 µA -4 -40 µA -6 -8 -10 -12 -14 -16 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0 -60 µA -80 µA -100 µA -120 µA Tensão entre coletor e emissor. 9 Família de curvas VI do coletor para um transistor bipolar NPN. 300 300 300 800 800 800 800 800 800 500 500 500 500 500 500 110-450 110-800 200-800 100-600 100-600 100-600 100-600 85-375 85-365 110-450 110-800 10-800 200-800 75-475 75-475 2 2 100 100 100 100 100 500 500 2 2 2 2 2 2 200 200 200 700 700 700 700 500 500 600 600 600 600 650 650 AF/ uso geral AF/ uso geral AF/ baixo ruído AF/ até 1W AF/ até 1W AF AF AF/ até 3 W AF AF/ uso geral AF/ uso geral AF/ uso geral AF/ baixo ruído AF/ uso geral AF/ uso geral Transistores Corrente do coletor. circuito equivalente e símbolo para o transistor bipolar PNP. iC (mA) 5 . VCE (V) Fig. Tabela 1 Códigos e especificações de alguns transistores bipolares.

5 2SA1084 90 100 400 250 – 800 90 3.2 Coletor E m issor E m issor 1.5 unidades V mA mW min – max MHz pF nV / Hz1/2 Transistores PNP .2 Coletor 5.5 0.Transistor: Encapsulamento plástico TO-92 4.5 0.5 2SC2546 90 100 400 250 – 1200 90 3 0.5 unidades V mA mW min – max MHz pF nV / Hz1/2 Transistores 6 .2SA1083 / 4 / 5 2SA1083 Vce Ic Pc hfe fT Cb en 60 100 400 250 – 800 90 3.5 0.5 2SC2547 120 100 400 250 – 800 90 3 0.5 2SA1085 120 100 400 250 – 800 90 3.2 Base Base 5.27 1.27 Transistores bipolares de pequeno sinal: • Família BC106 (obsoleto preferido) • BC182/BC212 (Uso geral) • 2SA1085/2SC2547 (Baixo ruído e alta tensão) Transistores NPN .2SC2545 / 6 / 7 2SC2545 Vce Ic Pc hfe fT Cb en 60 100 400 250 – 1200 90 3 0.

Relações corrente-tensão para o transistor bipolar NPN operando na região ativa: i C = I S e VBE / VT Definindo o ganho de corrente β de emissor comum como: Transistores 7 (1) . i C Região de saturação i B4 i B3 i Região ativa B2 i B1 Região de corte iB = 0 V CE -V A 0 Fig. o transistor bipolar necessita de uma corrente de polarização da base para colocar o dispositivo na região de operação. R C i R + C B + + + - VCE VBE - - VC C i VB B B Fig.Circuitos de polarização de transistores bipolares Como visto nas Figuras 6 e 9. 10 Circuito de polarização da base. 11 Esquema de curva característica para transistores bipolares reais. a corrente de base modula a corrente que flui entre o coletor e o emissor. Por outro lado.

podemos fazer uma analogia com uma torneira: girando a torneira. podemos imaginar o transistor como um interruptor de luz: ligando o interruptor. no transistor bipolar temos corrente elétrica controlando corrente elétrica. muito mais rápida e eficiente do que os antigos relés (chaves eletro-mecânicas). E da mesma forma que o interruptor “chaveia” (liga ou desliga) a luz. Transistores 8 . sendo controlado por corrente. A grande diferença. desligando o interruptor. na entrada de um circuito amplificador temos um sinal de baixa intensidade. a luz se apaga. conforme ilustrado na Fig. consegue-se num transistor uma velocidade de operação milhares de vezes mais rápida do que nossas mãos. podemos controlar o fluxo de água. Isso é importante por diversos motivos: em primeiro lugar. No caso da amplificação. um microfone. ou mesmo um outro transistor. Por fim. da torneira e do interruptor para o transistor é que nos dois primeiros o controle é feito pelas nossas mãos. mas basicamente ele desempenha duas funções: amplificação e chaveamento. o transistor controla o fluxo de corrente elétrica. com o controle sendo feito por corrente elétrica. como uma antena. cuja amplitude é aumentada sem haver distorção na forma de onda. Ou seja. tornando-o mais forte ou mais fraco. a luz se acende. 12. Em segundo lugar. o transistor pode chavear corrente elétrica. Já no transistor. O transistor como amplificador Amplificação de sinal é um dos propósitos básicos da eletrônica. contudo. sem partes móveis.i β= C iB vem que: i I  i B = C =  S e VBE / VT β β    À partir da definição de α: i α= C iE obtém-se: i i E = C = αI S e VBE / VT α (2) (3) (4) (5) Aplicações O transistor pode ser empregado de muitas maneiras. o transistor pode funcionar como uma “chave eletrônica”. No caso do chaveamento. Idealmente. Da mesma forma que a torneira controla o fluxo de água. o transistor pode ser acoplado a outras fontes de sinal elétrico. o controle da amplificação e do chaveamento é feito por corrente elétrica.

portanto. o transistor mostrado na Fig. Sua operação depende apenas do fluxo de portadores majoritários. 3. Possuem uma grande resistência de entrada. tipicamente da ordem de megaohms. A desvantagem do FET é o seu pequeno produto ganho × faixa de passagem (bandwidth) em comparação ao transistor bipolar. Isto deixa o canal com poucos elétrons livres e a sua resistência Transistores 9 . uma tensão aplicada no terminal porta pode remover os portadores de carga presentes no canal N. o nome de transistor unipolar. 2. Se a tensão da porta se tornar negativa. 4 conduzirá normalmente do terminal fonte para o terminal dreno. pois cargas iguais se repelem. Apresentam menor ruído comparado aos transistores bipolares.AMPLIFICADOR Sinal de saída FONTE DE POTÊNCIA CC Fig. 12 Esquema de um amplificador O transistor de efeito de campo (FET) O transistor de efeito de campo (FET – field effect transistor) é um dispositivo semicondutor cuja corrente de operação depende do campo elétrico aplicado no seu terminal de controle. 4. dispositivos unipolares (trabalham apenas com um tipo de portador de carga) e por isso recebe também. Existem dois tipos de transistor de efeito de campo: o FET de junção (JFET – junction field effect transistor) e o FET de porta isolada (IGFET – insulated-gate field effect transistor) mais comumente chamado MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). São. O canal N contém elétrons livres em quantidade suficiente para suportar o fluxo de corrente. São relativamente imunes à radiação. Apresentam estabilidade térmica. O FET tem diversas vantagens sobre o transistor bipolar: 1. os elétrons livres serão empurrados para fora do canal N. O transistor de efeito de campo de junção (JFET) JFET canal P: portadores são lacunas O JFET opera no modo de depleção. isto é. Eles não apresentam tensão residual (tensão de offset) para corrente de dreno nula. cuja corrente que flui entre o emissor e o coletor é controlada por corrente injetada no terminal base. 6. 5. Por exemplo. diferentemente do transistor bipolar.

Existem algumas diferenças importantes entre transistores bipolares e unipolares. e o transistor unipolar é controlado por tensão. em função das melhores características do MOSFET. a principal delas é que o transistor bipolar é controlado por corrente. 13 (a) FET junção canal N e (b) símbolo do JFET canal N.aumentará várias vezes. Sua aplicação é restrita aos circuitos discretos. o dispositivo pode ser desligado e nenhuma corrente fluirá. 14 Estrutura básica de um transistor de efeito de campo canal P. Transistores 10 . O JFET é o mais simples tipo de transistor dentre todos eles e tem pequeno uso atualmente. Região de depleção iG Dreno Porta tipo P+ Fonte Canal tipo N Porta tipo P+ iD iS VDD V GG Fig. As polaridades normais das fontes de tensão VDD (dreno-fonte) e VGG (porta-fonte) estão mostradas. Nos circuitos integrados as suas aplicações estão limitadas aos estágios de entrada diferencial de alguns amplificadores operacionais para os quais deseja-se uma alta impedância de entrada em comparação aos transistores bipolares. Na realidade. Dreno (D) D Canal Porta (G) P N P G S Fonte (S) Fig. nos quais é utilizado tanto como amplificador como chave. reduzindo assim a corrente entre dreno e fonte. se a tensão no terminal porta se tornar negativo.

ID A + V VG G V GS V + DS V - DD + V Fig. 16 (a) FET junção canal P e (b) símbolo do JFET canal P. Transistores 11 . 15 Circuito para caracterização de JFET canal N. Dreno (D) D Canal Porta (G) N P N G S Fonte (S) Fig.

Transistores 12 .Fig. 17 Curvas V-I características de um JFET canal N. 18 Transistor de efeito de campo metal óxido semicondutor (MOSFET) ou FET de porta isolada (IGFET). O transistor de efeito de campo MOSFET t Fon N+ Can e (S ) Por G) ta ( Dre no (D) SiO2 al P Sub N+ stra to ti po P Terminal do substrato (B) Fig.

Transistores 13 . 20 (a) Curvas V-I características e (b) curva de transferência (para VDS = 10 V) para um NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de depleção quanto no modo de enriquecimento (Millman. DRENO (D) DRENO (D) PORTA (G) SUBSTRATO (B) PORTA (G) SUBSTRATO (B) FONTE (S) FONTE (S) MOSFET CANAL N MOSFET CANAL P Fig. 19 Princípio de funcionamento do MOSFET no modo enriquecimento. 1967).Fig.

daí o nome de semicondutores de óxido metálico complementares CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Parâmetros operacionais das portas lógicas CMOS: VDD = 3 a 15 V. particularmente devido à alta resistência do terminal porta (G). Ainda. da ordem de 1 mW/porta. pode-se aumentar a sua margem de ruído aumentando-se o valor de VDD. por outro lado torna-o bastante insensível à fonte de potência utilizada. A Fig. +VDD Q1 Vin Q2 Vout Fig. tais como: baixa dissipação de energia. embora reduza a velocidade do dispositivo. excelente margem de ruído e elevada capacitância. Quando um FET canal p é utilizado complementarmente a um FET canal n. Transistores 14 . τd = 200 ns.Circuitos digitais que empregam lógica CMOS A utilização de FETs como dispositivos lógicos tem diversas vantagens sobre os dispositivos baseados em transistores bipolares. Este fato acarreta em baixa dissipação de energia.3 Mw. VNM = 0. Pd = 0.4 VDD Estado lógico “1” ≅ VDD e estado lógico “0” = 0 V. Esta última característica. 21 Circuito CMOS de uma porta lógica inversora. apenas uma fonte é necessária. 19 apresenta um circuito CMOS utilizado como porta lógica inversora em circuitos digitais. A lógica CMOS oferece algumas vantagens substanciais.

Fig. 22 Esquema de uma memória de computador RAM utilizando CMOSFET. 23 Fotomicrografia de um circuito integrado CMOS. Fig. Transistores 15 .

H.5 1 0. P. iD 0.5A 10A 10A 20A 20A 15A 15A Vsat máx.57 11.4 1.09 0.3A 10V 2A 10V 2A 10V Cout máx.65 0. Tabela 2 Comparativo entre transistores bipolares e FET comerciais (Horowitz. Principles of electronic instrumentation. Classe 60V.5  2. os MOSFETs tem melhor desempenho.3 1. PA: Sauders College Publishing. Philadelphia. eles são mais simples de operar e possuem uma área de operação segura mais ampla do que os BJTs.8 4.5 6 iB. em algumas aplicações (particularmente se o tempo de chaveamento for importante) é necessário considerar o produto da capacitância pela tensão de saturação como figura de mérito do dispositivo.00 12. os MOSFETs de potência tem capacitância maior do que os BJTs para a mesma corrente. os BJTs tem melhor desempenho em baixos sinais do que os MOSFETs. The art of electronics. 50A 400V. Observe na Tabela 2 a enorme corrente de base necessária para trazer o BJT para saturação – 10% ou mais do valor da corrente do coletor. 0. para a mesma capacidade. Em compensação.V. 1962. (V) 25oC 125oC 0. 10A 100V. MALMSTADT. Em geral. C. A.1 2. HOROWITZ. Electronics for scientists: principles and experiments for those who use instruments. VGS 50mA 10V 3.G.. 1979. 1993. apresenta um quadro comparativo entre diferentes tipos de transistores. HILL.7 1. W.Comparação entre o transistor bipolar e o MOSFET. A Tabela 2. New York: Cambridge University Press. extraída do livro “The art of electronics” .60 60V.5A Tipo NPN: 2N4400 NMOS: VNO610 NPN: 2N3055 NMOS: MTP3055A NPN: 2N6274 NMOS: VNE003A NPN: 2N6547 NMOS: IRF350 iC. Geralmente. Tendo em vista as características dos transistores bipolares e os FET estudados aqui.43 0. Embora eles custem mais caro. ENKE.. Naturalmente.5 3 0. Transistores 16 . seria ilustrativo comparar os dois tipos de transistores disponíveis comercialmente para a mesma faixa de operação.75 2. o MOSFET requer apenas 10 V de polarização da porta (corrente zero).50 4.A.5 3 1. (10 V) 8pF 25pF 600pF 300pF 600pF 3000pF 500pF 900pF Preço (US$/100 pç) 0. New York: W. MOSFET de potência são alternativas mais atraentes do que os transistores bipolares.5A 0.00 12. Benjamin. Comparativamente. na faixa de 10-50 A/0-100 V.J. 15A Referências bibliográficas DIEFENDERFER. 1993).

REZENDE. A física de materiais e dispositivos eletrônicos. Microeletrônica. New York: McGraw-Hill. Tokyo: McGraw-Hill Kogakusha. PE: Editora Universitária da UFPE. Electronic devices and circuits (International student edition).C. C. SCHULER. SMITH. Electronics principles and applications. São Paulo: Makron Books. Transistores 17 . 1996.. 1985.S. 1967. K.C.M. 2000. A. Recife. & HALKIAS. SEDRA.MILLMAN. J.A. S. C.

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