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ELECTRONICA DE POTENCIA I

Universidad Francisco de Paula Santander Facultad de Ingenieras Ingeniera Electrnica Ingeniera Electromecnica
Versin Abril 2012
1

UNIDAD I
CONCEPTOS BASICOS DE ELECTRONICA DE POTENCIA

1.1 NATURALEZA Y APLICACIONES DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Electrnica De Potencia

Circuitos Semiconductores componentes Electrnica Y Dispositivos

Fig 1.01 La Electrnica de Potencia(6).

La Electrnica de Potencia es un saber de la ingeniera, que utiliza los conceptos, mtodos y teoras de la Electrnica (analgica y digital), la Teora de Control y la Electrotecnia (circuitos elctricos,medidas, y mquinas elctricas, sistemas de distribucin y transmisin), para convertir y controlar la energa elctrica disponible, generalmente alterna trifsica o monofsica con diferentes niveles de voltaje, en la clase de energa requerida por la carga.

La electrnica de potencia moderna se origina ,con la invencin del SCR en 1958 por General Electric. En aos sucesivos aparecen el TRIAC y otros thyristores, y se desarrollan los transistores de potencia (BJT, MOSFET, IGBT). Finalizando la dcada de los 80s aparece el MCT. Los circuitos de control se optimizan en la dcada de los 90s con las tecnologas FPGA y ASIC. El propsito de la electrnica de potencia se obtiene mediante los sistemas de electrnica de potencia, que se caracterizan por una alta eficiencia. La alta eficiencia repercute en ahorro en el consumo de energa, y adems las bajas prdidas de potencia permiten reducir el volumen y el peso del sistema de electrnica de potencia(S.E.P.)

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1.2 SISTEMA DE ELECTRONICA DE POTENCIA (SEP)


1.2.1 DIAGRAMA DE BLOQUES
Energa elctrica disponible Filtro De Entrada Convertidor Circuito de potencia Flujo de Potencia

Energa elctrica modificada y controlada Filtro


De Salida Carga

Actuadores De los DSP

Circuito de Control

Transductores

Fig. 1.02 Diagrama de bloques de un SEP(5) 1.2.2 FUNCIONES Y ELEMENTOS DE LOS BLOQUES DE UN SEP
DENOMINACION FUNCION Reducir la cantidad de armnicos de corriente en la fuente y minimizar las interferencias electromagnticas. Transformar la naturaleza de la energa elctrica, utilizando dispositivos semiconductores de potencia(DSP) como interruptores. Adecuar la forma de onda de voltaje del convertidor, al requerido por la carga Adecuar en potencia las seales de control,a los requerimientos de los DSP. Implementar la estrategia de control del convertidor Transformar las variables mecnicas,elctricas, trmicas, etc, de la carga, en seales elctricas. ELEMENTOS Capacitores Inductores

Filtro de Entrada

Convertidor (circuito de potencia)

Filtros de Salida

Dispositivos semiconductores de potencia Thyristores Transistores de potencia Hbridos Capacitores Inductores Transformador de pulso Optoacopladores Transistores

Actuadores de los DSP Circuito de control

Transductores

Carga

Microcontroladores Electrnica discreta Transformadores de instrumentos Termistores Tacmetros Encoders Transformar la energa Motores, Hornos, Lmparas, elctrica en energa mecnica, Procesos electroqumicos, etc. qumica, lumnica, trmica.

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1.3 FUENTES DE ENERGIA PRIMARIA

1.3.1 RED DE SUMINISTRO DE VOLTAJE ALTERNO Se dispone de una red de voltaje alterno de f= 60 hz, en los pases americanos con diferentes niveles de voltaje; En baja tensin se normalizan los siguientes voltajes; 120, 120/240, 208/120,480/227 voltios. La alimentacin en baja tensin se realiza mediante acometida area o subterrnea. Los conductores areos de la acometida, van desde un poste hasta el contador elctrico. a)Acometida subterrnea(10) En la acometida subterrnea, se conectan los conductores a las lneas reas de distribucin, y se bajan por una tubera hasta tierra, y se llevan en forma subterrnea hasta el contador.

En las instalaciones industriales se dispone a travs de una subestacin de 13,2 o 34,5kv, de voltajes en media tensin de 440/254 o 480/277v. El valor lmite b) Acometida area(10) de perturbacin del voltaje es 10% del valor nominal, el de la es 1Hz y el Fig 1.03 Acometidas en baja tensin frecuencia desequilibrio admitido es 2%.

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1.3.2 BATERIAS

Son fuentes de energa recargables. Las ms comunes son las de plomo cido y la de nquel cadmio; por consideraciones econmicas, la ms utilizada es la de plomo-cido, conformada por un nodo de bixido de plomo, ctodo de plomo y electrolito de cido sulfrico diluido en agua. El circuito equivalente para modo pasivo lo conforman: Vint= Potencial electroqumico interno; depende de la temperatura y la concentracin del electrolito; Rdes ,modela el proceso de descarga interna; Rint , modela la resistencia del electrolito y la estructura interna (celdas) , depende de la temperatura y concentracin del electrolito. Cint modela la capacitancia de las placas; Rw y Lw, son la resistencia y la inductancia de los cables externos. En el circuito equivalente en modo activo, Vint representa la fuerza electromotriz interna de la batera, de naturaleza, electroqumica ; depende de la temperatura y de la concentracin del electrolito. Un valor tpico de Rint= 0,1 , para la batera de 12 voltios. Lw tiene valor de 500nH/m, cuando la relacin D/r = 10; D= distancia entre cables, r = radio de cable.

a) Estructura fsica

b) Circuito equivalente para el modo pasivo (carga)(6).

Rdes

c) Circuito equivalente para el modo activo (fuente)(6). Fig. 1.04 Circuitos equivalentes de la batera de cido plomo.

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1.3.3 GENERADOR EOLICO(2) Se utiliza la energa del viento, para generar energa elctrica. Los elementos de un aerogenerador son: Palas del rotor (PR): El diseo, es similar al ala de un avin, su longitud depende de la potencia (20 metros para 600Kw). Fig. 1.05 Elementos de un aerogenerador.(2) Caja de transmisin (CT) o tren de engranajes, multiplica por casi 50 la velocidad de las palas. La tendencia es a eliminarlas para reducir peso y mejorar eficiencia. El generador asncrono (GA) o generador de induccin: la potencia actual es de hasta 4Mw. La conexin del aerogenerador a la red (Fig. 1.06), se realiza rectificando el voltaje trifsico del generador elico, y acoplando el voltaje DC mediante un convertidor DC/AC(inversor), a la red alterna de suministro elctrico. El control del proceso de acoplamiento se hace mediante un microprocesador

GA

Fig. 1.06 Conexin del aerogenerador a la red (2)

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1.3.4 GENERADOR FOTOVOLTAICO

Utiliza la energa solar para generar energa elctrica (DC), mediante muchas celdas solares asociadas en serie y en paralelo. La tecnologa actual de las celdas es en base a semiconductores, y la eficiencia es del 14 al 20%. Se investiga la utilizacin de materiales orgnicos. Fig. 1.07 Panel solar Una limitacin del sistema es su costo superior, con respecto a otras alternativas de generacin.
G. F. Cargas C. A.

A. P.

Cargas C. D.

Un elemento esencial del sistema de generacin fotovoltaico (Fig. 1.08) es el acondicionador de potencia (A.P.) cuyas funciones son la conversin CD/CA y la regulacin de carga de la batera. El generador auxiliar (GA) ,mayoritariamente es un grupo electrgeno, que sirve de respaldo al generador fotovoltaico (GF) y las bateras tienen como funcin, regular la produccin de energa de acuerdo a la demanda.

Red C. A. G. A. Bateras

Fig.1.08 Sistema de generacin fotovoltaico(2)

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1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y MAGNETICOS


1.4.1 EL CAPACITOR 1.4.1.1 GENERALIDADES El capacitor est conformado por 2 placas conductoras, separadas por un material dielctrico, en donde se establece una polarizacin dielctrica. El valor de la capacitancia ideal es:

C =

A d

Q V
(1.01)

= Permitividad elctrica del aislamiento. A = rea de las placas paralelas. d = distancia entre placas. Q = carga elctrica de cada placa. V = Voltaje aplicado a las placas. = Conductividad del dielctrico La corriente que un capacitor intercambia con un circuito es:

ic
a) Geometra del capacitor de placas paralelas

dq dt

d ( Cv ) dt

=C

dv dt

(1.02)

Se conocen tres clases de capacitores: De dielctrico normal, electrolticos y de doble capa. El capacitor real difiere del ideal en 4 aspectos: , a)Existe i para V = Vdc. b)Existe una L que puede generar resonancia. c)Se descarga naturalmente, al desconectarlo de la fuente c) Presenta prdidas de potencia.
9

Fig. 1.09 El capacitor

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1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y MAGNETICOS


1.4.1.2 MODELO CIRCUITAL DEL CAPACITOR(6) Las caractersticas reales del capacitor se representan, en el circuito equivalente general (fig1.10 a). Rw y Lw modelan la resistencia e inductancia, de los alambres conductores de conexin. Rf modela la resistencia de fuga, responsable de la descarga del capacitor y C es la capacitancia. Mediante asociaciones serie y paralelo del circuito equivalente general, se puede reducir al circuito equivalente serie normalizado(fig. 1.10 b) 1 tan ESR = R W + (1 . 03 ) 2 2 wC R C f ESR=Resistencia equivalente serie d ESL = LW ; R = (1.04) f A ESL=Inductancia equivalente serie

a) Circuito equivalente general de un capacitor

b) Circuito serie normalizado

tan =

ESR X

1 w

(1.05)

=ngulo de prdidas=Diferencia entre el desfase ideal de la corriente(90) y el desfase real. Fig. 1.10 Modelo circuital del capacitor Para

LW C el capacitor

se

comporta como un inductor

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1.4 MODELAMIENTO DE COMPONENTES ELECTRICOS Y MAGNETICOS


1.4.1.3 CLASES DE CAPACITORES Los capacitores se caracterizan por los siguientes valores nominales : Cn, Tole rancia de Cn, Vn, Vp, In , Ifuga, y factor de prdidas(tan ). Los capacitores electrolticos tienen como dielctrico xido de aluminio(fig 1.10a) o de tntalo. Tienen valores altos de ESL, y ESR(Rf es baja) , y su voltaje nominal es hasta de 500V, con a) Electrolticos capacitancias de cientos de F. Son de baja confiabilidad y se aplican en filtros DC de entrada y salida, y en procesos que requieran tiempos cortos de almacenamiento de energa. Los de plstico tienen alta resistencia de aislamiento (pequeas corrientes de fuga) y alta temperatura. Dependiendo de la armadura, pueden ser tipo M(metal) o MKT(metal vaporizado).Los b)Plstico metalizados de poliester (fig 1.10 b) presentan bajos valores de C (hasta 10F)y valores altos de Vn (40Kv).Se aplican en filtros DC, para suprimir los transitorios de conmutacin. El MKT se utiliza en aplicaciones hasta de 600 V Los metalizados de polipropileno tienen valores altos de Vn e In y se aplican en convertidores resonantes. Los cermicos(fig1.10c) tienen un rango c)Crmico de C entre 1p y 1F, pero varan Fig. 1.10 Clases de capacitores considerablemente con la temperatura ,voltaje y el tiempo

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1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES Se forma con 2 circuitos elctricos, acoplados con un circuito de material ferromagntico de permeabilidad . El flujo encadenado ()al circuito 1 de N1 espiras es

=N 1 1 1
d1

=m+ 1 d1

(1.06)

m =flujo mutuo =flujo de dispersin del devanado 1

Para el circuito 2 a) Circuito


m

=N 2 2 2

=m+ d2 (1.06b) 2

Rm

Aplicando la ley de Ampere al circuito magntico, sobre la trayectoria media lm se obtiene:


N i 2 2

N i 11

H . dl = J ds s l
=N i N i = 11 2 2 m l BA m = m m = N im 1 A Bl

(1.07)

b) Modelo del circuito magntico

(1.08)

m =Reluctancia del circuito magntico


Fig. 1.11 El transformador A=rea seccional del circuito magntico El circuito equivalente de la ecuacin 1.08 se muestra en la fig. 1.11b

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1.4.2 EL TRANSFORMADOR
1.4.2.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES Se define:
N =Ld i 1 1 d 1 1

(1.09)

De 1.06 y 1.09
N 1 = 1 (N1i1 N2i2) + N1d1 m

(1.10)

d d V = 1 V = 2 (1.11) 1 2 dt dt
De la ley de Faraday y 1.10 y 1.11

a) Circuito

d d 1; V = N 2 (1.12) V =N 1 1 dt 2 2 dt
De ec. 1.08 y 1.10 y 1.11

N 2 di N N di V =( 1 +L ) 1 1 2 2 1 m d1 dt m dt di di 2 V = (Lm + L ) 1 + L 12 dt 1 d1 dt

N2 Lm = 1 m
c) Circuito equivalente Se define

NN L = 12 12 m
L = Lm + L 11 d1

di di 2 V = (L ) 1 L 1 11 dt 12 dt
Fig. 1.11 El transformador Por analoga se obtiene:

(1.13 a)

di di 2 V = (L ) 1 L 2 21 dt 22 dt
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(1.13b)
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1.4.2.2 EL TRANSFORMADOR IDEAL Conductor ideal: rcu = 0; Material magntico ideal: = Los puntos de polaridad ( ), representan los puntos del transformador, cuyos potenciales tienen simultneamente la misma polaridad. Si = L m = m = 0 i m = 0

= d
V i a = = 1 = 2 N2 V2 i1 N1

= d
N1 N2

2
=

= 0;
i2 i1

De 1.09

a =

2 (1.14)

Fig. 1.12 Modelo circuital del transformador ideal.

De 1.12

a =

N N

1 2

V V

1 2

(1.15)

Las ecuaciones 1.14 y1.15,son el modelo matemtico del transformador ideal

1.4.2.3 ACOPLAMIENTO DE IMPEDANCIAS

De 1.14 y 1.15

V aV 2 V2 2 (1.16) Z1 = 1 = 2 = a = a Z2 I1 I 2 /a I2

En el primario se del secundario, cuadrado de transformacin ( a

refleja la impedancia multiplicada por el la relacin de

Fig. 1.13 Transformacin de impedancias.

El transformador permite el cambio de la impedancia de la fuente.

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1.4.2.4 MATERIAL MAGNETICO REAL El material magntico real ( finito) se caracteriza por la curva B-H (lnea media de la curva de histresis).B es proporcional al Voltaje inducido y H a B Im ; = (1.17) H es variable. La curva se linealiza(lnea en rojo) a una recta de pendiente promedia, y otra de pendiente nula,(saturacin Fig. 1.13 Curva de magnetizacin. (Bs). 1.4.2.5 MODELO DEL TRANSFORMADOR DE PERMEABILIDAD FINITA

i1(t)
+ v d1 1

i 2 (t )

+ d2 v2

Se modela el transformador con material magntico real( finito), pero sin prdidas de energa en el hierro (se ignoran corrientes parsitas y el fenmeno de histresis ) y conductor elctrico ideal.). De 1.09 = finito finito i , L 0 m m d
N 1 di m 1 V '= L m im = V ' dt 1 dt Lm 1 im = N i + N i 1 1 2 2

(1.18)

Fig. 1.14 Flujos con finito.

(1.19)

i Ld 1 1
V 1

i1

N V 1

L
2

d2

im

Lm

V 2

V 2

Fig. 1.15 Modelo circutal con finito.

dB 1 T Bs V '= N A 0 dB = 2 V1 ' dt 1 1 dt N A 0 1 Si los voltio-segundo ( V1 dt ) que se aplican al primario, durante medio ciclo sobrepasan un lmite, B se incrementa hasta alcanzar la saturacin(condicin de corto circuito)

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1.4.2. 6 TRANSFORMADOR DE PULSOS (1)

Se utiliza para aislar elctricamente el circuito de control, del circuito de potencia de un convertidor de E.P. Generalmente el nmero de espiras del primario, es igual al del secundario. a) Circuito equivalente. La funcin del transformador es la de transmitir el pulso de control, y convertirlo en un pulso de disparo del dispositivo semiconductor. El voltaje aplicado al transformador durante el tiempo que dure la seal de control ,debe satisfacer la ecuacin 1.20 ,para que el ncleo no se sature 1 t 0 V 1 dt B sat N A 1 (1.21) Al aplicarle el pulso, el transformador se comporta de acuerdo al circuito equivalente para alta frecuencia (HF), y pasado el perodo transitorio, la salida del transformador corresponde al circuito equivalente de baja frecuencia.(BF) C1 y C2 son capacitancias propias de cada bobinado, y Ca es la capacitancia interdevanado.

b) Circuito equivalente a BF.

c) Circuito equivalente a HF.


Flanco

d) Formas de Onda Fig. 1.16 Transformador de pulsos.

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1.4.3 EL INDUCTOR
1.4.3.1 ASPECTOS CONSTRUCTIVOS Y OPERACIONALES Un inductor es un circuito elctrico (bobina) arrollado sobre un ncleo magntico, de lminas de acero al silicio (baja frecuencia), o ferrita (alta frecuencia). Los ncleos pueden ser de diferente forma: toroidal, E-E, EI, C, etc. Aplicando la ley de Ampere al inductor toroidal(fig 1.18).

H dl = J ds s lm B H l m = Ni = lm
Definicin :

(1.22)

Fig. 1.17 Ncleos Magnticos

2 NBAn N A n (1.23) L= = = i i lm
= f (B ) L = f (i)
Ley de Faraday :

d dB di (1.24) V (t) = = NA =L L dt dt dt
L se opone a temporales de electromagntica) . Si : los i cambios (inercia

B Bs(saturacin)
Fig. 1.18 Inductor Toroidal

dB = 0 VL = 0 dt

La saturacin del ncleo magntico equivale a cortocircuitar el inductor


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1.4.3.2 COMPORTAMIENTO DEL INDUCTOR 1.4.3.2.1 EXCITACIN SENOIDAL

v(t) = 2Vsenwt = NA n
B=
=

dB dt

2 V wt sen(wt)d(w t) wNA n 0
2V 2fNA n cos wt = B m cos wt

V = VL = 4 .44 fNA n B m (1.25) B m Bs


La relacin VL/f debe permanecer constante , para impedir saturacin

Fig. 1.19 Excitacin senoidal

1.4.3.2.2 EXCITACIN ALTERNA CUADRADA v(t) = V (-V) 0 < t < T/2 T/2 < t < T

V (t) = V
para t = T a) Circuito

(t) =

d dt

= max min = 2 max


max = NA n B max
.VL 2 NA n B max T 2 = v( t )
(1.26)

b) Formas de onda Fig.1.20 Excitacin alterna cuadrada

VL = 4 NA f B n max

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1.4.3.3 PERDIDAS DE POTENCIA EN COMPONENTES MAGNETICOS PERDIDAS POR HISTERESIS Se genera por el proceso de inversin no elstico de los dipolos magnticos, al invertirse H. W disipada por ciclo = (volumen del ncleo)*(rea del lazo de histresis)

Ph = Kh f Bm * Volumen ncleo (1.27)


Fig. 1.21 Lazo de histresis

1.6 < < 2.0

PERDIDAS POR CORRIENTES PARASITAS Las generan las corrientes inducidas dentro del ncleo ferromagntico, por el flujo variable del componente magntico. Para reducir las prdidas, se incrementa la resistividad del material magntico(se adiciona silicio). En alta frecuencia se utilizan cermicas magnticas (ferritas).

Fig. 1.22 Corrientes parsitas PERDIDAS EN EL COBRE

Se generan por efecto Joule en la resistencia del conductor. La resistencia vara con la frecuencia (efecto piel).Debido a la inductancia interna de los hilos centrales del conductor, la corriente se concentra en la periferia del conductor ,al aumentar la frecuencia.

Fig. 1.23 Efecto Piel

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1.4.3.4 MODELO CIRCUITAL DEL INDUCTOR

(efecto Joule). Rn : modela las prdidas en el ncleo Rn di magntico, debido a los fenmeno Rn VL = L V de histresis y corrientes parsita. V L dt Rn = f ( B m ,frecuencia) , L: modela el almacenamiento de energa en el campo magntico. L = f (geometra, i) Fig. 1.24 Modelo Circuital 1.4.3.5 CALCULO DE LA INDUCTANCIA SIN ENTREHIERRO
A (1.28) W a = L w H w = N cu Ku A cu = rea del conductor de cobre Ku = Factor de utilizacin de la ventana N= Nmero de espiras De 1.28
N =
Lw

Rcu Rcu

Rcu :modela las prdidas en el cobre

Hw

Wa K u Wa K uJ = A cu I e

; N NA nB NAnBmax L= = = = (1.29) i i i i max


An

Se asume lineal magnetizacin De 1.28 y 1.29 Fig1.25 Caracterizacin del ncleo. Wa A n K u B J m L = i I max e Wa=LwHw
An = rea seccional del ncleo WaAn = rea producto

la

curva

de

(1.30)

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1.5 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES IDEALES


1.5.1 DIODOS - TIRISTORES
CONDICIONES OPERATIVAS COMO INTERRUPTOR

DISPOSI TIVOS

SIMBOLO

CARACTERISTICAS V-I IDEAL

DIODO

v AK > 0 v AK < 0

i >0 i =0

Son Soff

SCR

v AK > 0 v AK > 0
i

iGK > 0 iGK = 0

i>0 i=0

ig
TRIAC

VMT MT2 <0 ig < 0 1 ig > 0 VMT MT2 >0 ig < 0 1

i >0 Son i >0 Son

i VMT MT2 <0 g > 0 S 1 i g = 0 i =0 off

GTO

V AK > 0 V AK > 0 V AK > 0

iGK > 0 iGK < 0 iGK = 0

i > 0 Son i = 0 Soff i = 0 Soff

MCT

V AK > 0 VGK < 0 V AK < 0 VGK > 0 V AK > 0 VGK = 0

i > 0 Son S i = 0 off i = 0 Soff

Tabla 1.01 Smbolo, Caracterstica v-i ideal de dodos y tiristores.


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1.5.2 TRANSISTORES DE POTENCIA

DISPOSITIVO S

SIMBOLO

CARACTERISTICAS V-I IDEAL

CONDICIONES OPERATIVAS COMO INTERRUPTOR

BJT(NPN)

iB > 0 iB 0

iC > 0 iC = 0

Son Soff

MOSFET CANAL N

VGS > 0 VGS 0

iD > 0 iD = 0

Son Soff

IGBT

VGE > 0 VGE 0

iC > 0 iC = 0

Son Soff

SIT

VGS > 0 VGS 0

iD > 0 iD = 0

Son Soff

Tabla 1.02 Smbolo, Caracterstica v-i ideal de transistores


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1.5.3 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA(14)

CONMUTACIN DEL TIRISTOR

CONMUTACIN DEL GTO/MCT/SITH

CONMUTACIN DEL TRANSISTOR

CONMUTACIN DEL MOSFET/IGBT

Tabla 1.03 Caracterstica de control de dispositivos semiconductores.


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1.6 CIRCUITOS EXCITADOS POR FUENTES CONTINUAS


1.6.1 CIRCUITO RC

E = V = iR + S
Si

1 C

idt + VC t = 0
t

Vc (t = 0) = 0
i = VS R VR = VS e t RC e RC

(1.31)

a) Circuito.

t V C = V S 1 e RC (1.32)

Definicin: = RC =Constante de tiempo


V = V 1 e C S

b) Forma de onda de Vc.

Para t = , Vc = 0.632Vs t Vs Vs i= e Im = R R En t=0+ el capacitor se comporta como un corto circuito. Para

t = , i = 0,368 Im

3 t = 5, i = 7 10 Im Se considera t = 5 , el fin del proceso transitorio

c) Forma de onda de Fig. 1.26 Circuito RC.

ic

En t = 5 , el capacitor se compor ta como un circuito abierto


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1.6.2 CIRCUITO RL

E = Vs = iR + L
Si
i =

di dt

+ i ( t = 0)

i(t = 0) = 0
VS R

1 e

R t L

VR = VS 1 e

R t L

) )

(1.33)

VL = VS e

R t L

(1.34)

Definicin: =
Para

L Constante de tiempo R

t=
i = Im(1 e t ) = 0, 632 Im

Im =

Vs R

En t=0+ el inductor se comporta como circuito abierto. t VL = VS e Para


t = , VL = 0, 368 Vs t = 5 , VL = 7 10 3 Vs

Se considera t = 5 proceso transitorio.

el fin del

Fig. 1.27 Circuito RL

En t = 5 , el inductor se comporta como un corto circuito.


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1.6.3 CIRCUITO LC

di 1 E = V = L + idt +Vc( t = 0) S dt C
i t=0 =0

Vc t = 0 = 0
El circuito oscila con una frecuencia angular de . 1 Wo = LC Se transfiere la energa del campo magntico del inductor a la del capacitor y viceversa.

i = Vs

senw t o L

(1.35)

VL = Vs cos w o t

(1.36)

Vc = Vs (1 cos w o t ) (1.37)

En t =

c) Forma de onda de Vc.

, se invierte el voltaje 2 en el inductor, y el voltaje en el capacitor es la suma del voltaje de la fuente, ms el del inductor.

LC

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1.6.4 CIRCUITO LC DE FUNCIONAMIENTO LIBRE

VL + VC = 0

di L

idt = 0

a) Circuito.

VC t = 0 = VC o
0 = LsI ( s ) +
Is = VC 0

dt

1 sC

Vc Is + s
1 2 w0 = LC

L s 2 + 1 LC

wo = Frecuencia angular de oscilacin

i t = Vc o
= Vc

()
I

C L

senw o t

(1.38)

C o L
senw t

i t = I

m o Vc = VL = VCo cos w o t (1.39)


Este circuito se utiliza para el apagado forzado de los SCR, cuado se utilizan en circuitos de corriente continua.

()

b) Forma de onda de i, Vc,VL


Fig. 1.29 Circuito LC oscilante.

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27

1.7 MODELAMIENTO DE INTERRUPTORES


1.7.1 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR IDEAL S abierto( i = 0 para cualquier Vab).

S cerrado( Vab. = 0 para cualquier i). Fig. 1.30 Interruptor ideal. 1.7.2 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR REAL S abierto; i muy pequeo para Vab Vnom S cerrado;,Vab pequeo para i I

nom

Fig. 1.31 Interruptor real.

Los interruptores se caracterizan por valores nominales de voltaje y corriente, que no se pueden sobrepasar. Los semiconductores de potencia se comportan en un SEP, como interruptores reales.

1.7.3 CARACTERISTICAS DE UN INTERRUPTOR EN CONMUTACION El interruptor conmuta a una frecuencia de conmutacin (fc)

fc = 1 / T c
Se define relacin de trabajo (D).

(1.40)

D =
Fig. 1.32. Interruptor conmutado

ton = tiempo que dura S cerrado toff = (1 D )Tc toff= tiempo que dura S abierto. (1.42)

on Tc

(1.41)

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28

1.8 CIRCUITOS CONMUTADOS CON EXCITACIN CONSTANTE


1.8.1 CIRCUITO RESISTIVO

VR = Voltaje medio en el resistor

VR =

1 Tc

Tc V R dt 0

V = DE R

(1.43)

Fig. 1.33 Circuito resistivo 1.8.2 CIRCUITO CAPACITIVO

Al cerrar S a) Circuito no operativo.

1 C

idt =

I C

(1.44)

Al abrir S, desaparece el camino para la corriente, y el voltaje de la fuente tiende a infinito.

b) Circuito modificado

Se debe modificar el circuito, adicionando un resistor en paralelo a la fuente de corriente.

El voltaje en el capacitor no es peridico, sino que crece indefinidamente. Fig. 1.34 Circuito capacitivo .
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29

1.8.3 CIRCUITO INDUCTIVO


+

Al cerrar S ( t = 0 ) Si

i( t = 0 ) = 0
i = E t L

VL = L

di dt

= E

(1.45)

a) Circuito no operativo Al abrir S en t = t1

E + i (t = t1 ) = 0 i( t = t1 ) = t1 L La corriente desaparece sbitamente

di dt
b) Circuito modificado

VL

(1.46)

El circuito no es operativo (colapsa el aislamiento) Se adiciona en antiparalelo con el inductor, un dodo (dodo de rueda libre) para que la corriente sea una funcin continua ( di/dt es de valor finito).El dodo provee un camino para la corriente La corriente en el inductor crece indefinidamente ,al aumentar el tiempo. Este comportamiento no ocurre en la realidad.

c) Forma de onda de iL Fig. 1.35 Circuito inductivo

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30

1.8.4 CIRCUITO R L El dodo de rueda libre provee continuidad en la corriente al abrir S. En regimen permanente la conmutacin peridica del interruptor , hace que las variables corriente y voltaje sean peridicas i L (t) = i L (t + T)

t+T t+T T < V L >= 0 V L dt = L di L = L t t (1.47)


a) Circuito.

El voltaje promedio del inductor en rgimen permanente es nulo. Aplicando Kirchhoff para voltajes promedios < V >= DE =< VL > + < VR >=< i L R > d (1.48) < i L >= DE R Para

0 t DTC

i L t

E < i L R > ; t = DTc


E (1 D ) DT C L

(1.49)

i L

Para

DT t T C C

(1.50)

b) Formas de onda

iL t

< i L > R; t = (1 D)Tc


DETC (1 D) L

Fig. 1.36 Circuito R L

iL =

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31

1.8.5 CIRCUITO RC La conmutacin del interruptor hace que las variables de corriente y voltaje sean peridicas, con perodo igual al de conmutacin

V ( t ) = Vc t + T
C

i c = C dV dt c
a) Circuito (1.51 La corriente promedia en un capacitor en rgimen permanente es nula. Aplicando Kirchhoff de corrientes, para valores promedios i = i + i = DI d c R2
V = V = i R = DIR d c R2 2 2

t +T t +T t i c dt = Ct dV = Ti c = 0 c

Para
Vc t

0 t DT c
= I < Vd > R2 I (1 D ) DTc C Vc t = < iR2 >

Vc =

(1.52)

b) Formas de onda en rgimen permanente Fig. 1.37 Circuito R C conmutado

DTc t Tc ; C

Vc =

DTc (1 D ) I C

(1.53)

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32

1.9 CARACTERISTICAS DE SEALES


1.9.1 SEALES PERIODICAS BIPOLARES Se define por perodo de una seal peridica al intervalo de tiempo en el cual la variable adquiere el mismo valor v(t) = v (t + T) T = perodo La seal bipolar es positiva negativa dentro del perodo. Se define valor medio de la seal a a) Seal alterna cuadrada y (1.54)

< v >=

1 T vdt =Valor medio (1.55) T 0

Si la seal es simtrica con respecto al eje de las abscisas el valor medio es nulo. Se define valor eficaz o rms a 1 T 2 (1.56) Ve = 0 v dt T El valor eficaz se asocia a la transferencia de energa Para la seal alterna cuadrada b) Seal senoidal

Ee = E
Para la seal senoidal

(1.57)

Fig. 1.38 Seal peridica bipolar

V Ve = m 2

(1.57b)

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33

1.9.2 SEAL PERIODICA UNIPOLAR

< i

>=

1 T i(dt) T 0

El valor medio se asocia con transferencia de carga

Si i =< i > +i(t) (1.58) i=Componente alterna de i sobre <i>.


Fig. 1.39 Seal peridica unipolar Factor de rizado Fr = 1.9.3 SEAL PERIODICA PWM

Ie ' (1.59) <i>

Factor de forma F =

<i >

Ie

(1.60)

La modulacin del ancho de pulso(PWM) se refiere al control del valor promedio local de una variable conmutada
v A= t t T v A ( )d (1.61) c Tc 1

Duracin del pulso=dTc Para la fig. 1.40, d vara de acuerdo a una ley senoidal En los convertidores conmutados a alta frecuencia de E.P. ,las variables presentan componentes de AF debido a la conmutacin ,y de BF debido a los cambios de la carga o de la fuente
34

Fig 1.40 Seal peridica PWM

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1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIN SENOIDAL Y CARGA LINEAL


1.10.1 CIRCUITO R-L REGIMEN TRANSITORIO

di V s = V m senwt = iR + L dt
Si

i ( t = 0 ) = Io

Rt V V is = (Io + m sen )e L + m sen(wt ) Z Z


(1.62)

z = (wL)2 + R 2 = tg1(wL R)
REGIMEN PERMANENTE

(1.63)

i s = I m sen ( wt ) V I p ( t ) = v s i s = m m cos (1 cos 2 wt ) 2


Vm I m sen sen2wt 2
(1.64)

Se define potencia activa o real a la potencia promedio consumida en el circuito

p =

1 T p ( t ) = V e I e cos T 0

(1.65)

<p> se asocia al flujo neto de energa

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35

1.10 CIRCUITOS CON EXCITACIN SENOIDAL Y CARGA LINEAL


1.10.1 CIRCUITO R-L La potencia reactiva q(t) se expresa por

q ( t ) = V e I e sen sen 2 wt

(1.66)

<q(t)> = 0 (No aporta a la transferencia de energa.). La demanda de q(t) se asocia a la generacin de campos magnticos

c) Diagrama fasorial

i s = I m sen ( wt ) =imag { I m e j I s =I e ( e ) ( fasor )


La corriente atrasa al voltaje.

j jwt e }
(1.67)

El diagrama fasorial del circuito (fig 1.40 c) muestra la posicin relativa de la corriente en el circuito, en relacin con el voltaje en un plano complejo Se define potencia aparente(S)

S = P + jQ

S = Vs Is * P K p = = cos S
d) Tringulo de potencias Fig. 1.40 Circuito RL excitacin senoidal

= Ve I e cos + jVe I esen


(1.68) (1.69)

Kp = Factor de potencia

EL tringulo de potencias(fig 1.40 d) muestra la relacin entre las tres potencias

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36

1.10.2 CIRCUITO R - L - C REGIMEN PERMANENTE


iS iC

Vs = Vmsenwt
1 = i R + L L = i c dt L dt C is = i L + i R di

iL Es

(1.70)

a) Circuito

V is = m sen(wt ) Z
Z = ( R + JXL ) Xc ; = tg 1 X L Xc R

(1.71)

iL

Los requerimientos de potencia reactiva del capacitor y del inductor son opuestos en el tiempo(contrafase).El inductor retorna potencia reactiva a la fuente cuando el capacitor la solicita .

b) Diagrama fasorial

tg =

(Q L Q c ) P P P 2
(1.72)

JQL S

J (QL QC) JQC

d) Tringulo de potencias Fig. 1.41 Circuito R LC ccn excitacin senoidal

2 (1.73) + (Q L Q c ) Los requerimientos de reactivos de una carga R L, asociados a la generacin del campo magntico(B), se pueden proveer mediante los reactivos demandados por un capacitor ,asociados a la generacin de l campo elctrico(E.)En E.P. ocurren situaciones, en las cuales la demanda de reactivos no esta asociada a la generacin de campo elctrico o magntico.
37

cos =

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1.11 FLUJO DE POTENCIA EN REDES NO LINEALES Y EXCITACIN NO SENOIDAL


v i = Vo + A n cos(nwt) + Bn sen(nwt) n=1 = Vo + Vn sen(nwt + n ) (1.74) n=1 n = tan 1 A n Bn

Fig. 1.42 Formas de onda de un circuito no lineal con excitacin no senoidal.

2 2 Vn = A n + Bn i i = I o + A m cos(mwt) + Bmsen(mwt m=1 (1.75) = I o + I msen(mwt + m ) m=1 2 2 1 A m m = tan ; Vm = A m + Bm Bm

1 T 1 < P >= Pi = 0 pdt = v i i i dt T T 2 2 0 sen(nx)sen (mx)dx = 0 cos(nx)cos (mx)dx = mn 2 0 sen(mx)cos (nx)dx = 0 0 mn con mn= 1 m=n V I V I Pi = Vo I o + 1 1 cos( 1 1 ) + 2 2 cos( 2 2 ) + 2 2

(1.76)

(1.77) Solamente las componentes de igual frecuencia de la corriente y el voltaje, contribuyen a la transferencia de energa.

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38

1.12 FACTOR DE POTENCIA Y DISTORSION DE CIRCUITOS CON FUENTE SENOIDAL Y CARGA NO LINEAL

En una carga no lneal, si la excitacin (voltaje) es senoidal, la respuesta (corriente) no es senoidal ,y si la potencia de la carga es pequea comparada con la fuente, la distorsin de la corriente afecta muy poco al voltaje.

v s = 2Vsen( wt ) i s = 2I n sen( nwt + n ) n=0 < P >= P = 1 T 0 v s i s dt = VI1 cos 1 T

Fig. 1.43 Formas de onda de un circuito no lineal y excitacin I1 senoidal cos1 = Fd F S P = Fp S = VI e Ie

(1.78)
(1.78a) (1.78b) (1.78c)

Fp = P S F = cos1 Fd = I1 I e Ie = THD = THD = Ie 2 2 In n =1

Factor de potencia Factor de desfasamiento Factor de distorsin Corriente eficaz de la fuente Distorsin total de armnicos =
In n 1 2 I1 2

(1.79)

(1.80)

1 2 1 I1 Fd INGENIERO GERMAN GALLEGO. ELECTRONICA DE POTENCIA I. UNIDAD I. UFPS = (

I1

Ie 2 ) 1 = I1

(1.81)
39

1.13 FILTROS
1.13.1 FILTRO DE ENTRADA La naturaleza de la carga y el modo de operacin del convertidor, distorsionan la corriente de entrada( i e ) al convertidor (THD 0) que demanda de la fuente, lo que produce armnicos de corriente que generan interferencia electromagntica y una condicin de transferencia de energa indeseable para la fuente. El filtro de entrada ideal debe producir una corriente en la fuente ( i s ) libre de armnicos (THD = 0), para evitar la interferencia electromagntica en los equipos adyacentes, y mejorar la transferencia de energa, reduciendo el THD y el factor de potencia

a) Diagrama de bloques

b) Formas de onda Fig. 1.44 Filtro de entrada 1.13.2 FILTRO DE SALIDA

a) Diagrama de bloques

El voltaje de salida del convertidor (Vd ) presenta una forma de onda con un Fr diferente de cero. En algunos convertidores la carga requiere un voltaje continuo ( Fr = 0), en otros un voltaje senoidal , y el filtro de salida ideal, debe transformar el voltaje de salida del convertidor, al voltaje ideal requerido por la carga.

b) Formas de onda Fig. 1.45 Filtro de salida de un SEP.


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40

1.14 TOPOLOGIAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES


1.14.1 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON CUATRO INTERRUPTORES
P

+
N

Vac = Vmsenwt N
P

vd

Los interruptores P cierran cuando se inicia el semiciclo positivo, y los N con el semiciclo negativo. Los interruptores P y N son complementarios (Dp+Dn=1) y (Dp= Dn) El voltaje promedio en la carga es :

v d =

a )Circuito

1 V sen(wt)d(w t) 0 m 2V m (1.82) < v >= d

La serie de Fourier de Vd es :

2V vd = m

b) Forma de onda
P
+

(1.83) 4V 1 m cos (nwt ) n=2,4..(n 1)(n+1)


L

V ac

N
N

v d

El armnico dominante es n=2.Para minimizar ste armnico se utiliza un Filtro LC La funcin de L es atrapar los arm nicos de voltaje y la funcin de C es servir de by-pass a los armnicos de corriente , para minimizar el factor de rizado en la carga El clculo de L y C se har en la unidad III

V dc

c) Convertidor con filtro LC Fig. 1.46 Convertidor CA/CD no controlado.

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1.14 TOPOLOGIAS DE CIRCUITOS CONVERTIDORES


1.14.2 CONVERTIDOR CA/CD NO CONTROLADO CON DOS INTERRUPTORES Se requieren dos fuentes conectadas en serie(dos arrollamientos iguales del secundario) y dos interruptores un P y un N(fig. 1.47 a) .Al iniciarse el semiciclo positivo cierra P, y al iniciarse el semiciclo negativo cierra N.Lasfuentes trabajan alternadamente . v ac = V m sen(wt)

a )Circuito

1 V m senwtd(wt) 0 2V m < v >= d v d =


La serie de Fourier de v es : d (1.82)

vd =

(1.83) 4V 1 m cos (nwt ) n=2,4..(n 1)(n+ 1)

2V m

b) Forma de onda

Fig. 1.47 Convertidor CA/CD no controlado con 2 interruptores

Cada fuente transporta corriente solamente durante un semiciclo. La operacin de este convertidor es idntica al convertidor que utiliza 4 interruptores .En la prctica las dos fuentes en serie se obtienen con un transformador, cuyo secundario tenga una derivacin (tap)intermedio(fig.1.47 a)

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1.14.3 CONVERTIDOR CA/CD CONTROLADO Los interruptores P, cierran en wt = , despus de iniciado el semiciclo positivo, y los interruptores N cierran en wt = + . Los interruptores P y N son complementarios (Dp +Dn=1) ,y tienen idntica relacin de trabajo(Dp= Dn) S a) Circuito
L R Vd = = 10 w id Id

1 + Vm senwtd(wt)

2 V cos m

(1.84)

b) Forma de onda del voltaje de salida.


is

Para menor a 90 V d es positivo y la energa fluye de CA a CD, en regimen permanente(Rectificador).Para menor a 180 mayor a 90 ,V d es negativo y la y energa fluye de CD a CA en regimen transitorio(Inversor)

La naturaleza altamente inductiva de la carga( wL 10 R ) distorsiona la corriente c) Forma de onda de corriente de la fuente alterna, trasformndola en en la fuente. una corriente alterna rectangular. Fig. 1.48 Convertidor CA/CD controlado. Los interruptores deben tener capacidad para soportar voltaje bipolar.

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1.14.4 CONVERTIDOR CD/CA CONMUTACION A BAJA FRECUENCIA Si Va es de baja frecuencia ,los interruptores conmutan a baja frecuencia. Los interruptores deben tener capacidad bidireccional de corriente.

Vac =
a) Circuito

2 2 Vdc d(wt)
(1.85)

2 = V 1 dc
L 2 >> R w v a

El estado va = 0 (S1 y S3,o S2 y S4 cerrados) tiene una duracin de 2. Si se pueden ignorar los

armnicos de ia

i a = Ia1sen(wt 1 ); 1 = tan
b) Voltaje de salida.

1 wL R

Ia = 1

Va 1 2 1 ; Va1 = 0 Va senwtd(wt) 2 2 (wL) + R

2Vdc senwtd(wt) = = 4Vdc cos


(1.86) (1.87)

Va I a P = P = 1 1 cos1 2 c)Formas de onda 2 8Vdc 2 cos cos1 Fig. 1.49 Convertidor CD/CA P = 2 2 2 (wL) + R conmutado a baja frecuencia.

(1.88)

1 depende de la naturaleza de la carga.


es la variable de control de la potencia
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1.14.5 CONVERTIDOR CD/CA CON MODULACION DEL ANCHO DE PULSO ( PWM) Los interruptores S1 y S2 conmutan a alta frecuencia con una relacin de trabajo(d) variable, segn una ley senoidal.S3 y S4 conmutan a baja frecuencia.S1 funciona con S4 y S2 con S3 d(t) = K |sen(wt)| (1.89) K = magnitud de modulacin. Es la amplitud de la seal rectificada de sen(wt) del circuito de control La frecuencia del voltaje en la carga es la de conmutacin de S3 y S4 La forma de onda de Vd esta conformada por pulsos, cuya duracin vara con una ley senoidal, lo que determina que el valor promediado durante el tiempo que dura el pulso(valor promedio local) es senoidal El inductor acta como filtro para la corriente de alta frecuencia. La amplitud de la fundamental del voltaje en la carga, se vara con K. Todos los interruptores deben tener capacidad bidireccional de corriente, para permitir el flujo de potencia reactiva de la carga a la fuente.

S1

L
+

R
vd

S2

a) Circuito de potencia

b) Formas de onda en la carga(5)

c) Formas de onda del circuito de control(5) Fig. 1.50 Convertidor CD/CA PWM

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1.14.6 CONVERTIDOR CD/CA RESONANTE

Utiliza dos interruptores conmutados y un filtro resonante(L-C) en serie con la carga ,cuya funcin de trasferencia vara significativamente con la frecuencia.

Z = R + jwL + 1 jwC 2 = 1 w LC + jwCR jwC jwC (1.90) Y( jw) = 1 w 2LC + jwCR

w=Frecuencia de conmutacin de los


interruptores = frecuencia angular del voltaje en la carga

4Vdc (1.91) sen(nwt) n n=1,3,5 v ac = v a Y(jw)R Si w = 1 = w o (resonancia ) LC Vac Va = 4 Vdc (1.92) 1 V =Amplitud de la componente a1 va =
fundamental. Variando w se regula entregada a la carga. la potencia

Esta topologa se utiliza con alta frecuencia de conmutacin, para aplicacin en hornos de induccin.

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1.14.7 CONVERTIDORES CD/CD ALTA FRECUENCIA DE CONMUTACION 1.14.7.1 CONVERTIDOR CD/CD DIRECTO

D es la relacin de trabajo de S1 y por ser complementario, la relacin de trabajo de S 2 es 1 D. Si la transferencia de energa es de 1 hacia 2, se infiere: . v i >0 v i <0 11 2 2 v1 > 0 i1 > 0; v 2 > 0 i 2 < 0 Se denomina convertidor directo, por que hay un camino para la corriente DC entre el puerto 1 y el 2.
< v S2 > + < v L >= < v 2 > = V2 , V2 = < v S2 > = DV1 ;0 D 1.0 (1.93)
V < V (convertidor reductor.)Si el flujo 2 1

de energa es de 2 a 1, el convertidor es elevador. Para minimizar el rizado de corriente en el puerto de entrada ( i1 ), se coloca un capacitor a la entrada, y para minimizar el rizado del voltaje de salida ( v2) ,se coloca un inductor en serie con la carga. Para minimizar el tamao del filtro (L, C), se utilizan altas frecuencias de conmutacin, en el orden de decenas de Khz,. Una aplicacin tpica de este convertidor(fly-back) es en la fuente de poder de TV, computadoras etc.

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1.14.7.2 CONVERTIDOR CD/CD INDIRECTO

No existe un camino para la corriente DC, entre el puerto 1 y el 2. Si la transferencia de energa es del puerto 1 al 2, se infiere v i >0 v i <0 11 2 2 De la forma de onda de V L ,se infiere:
V DT + V2 (1 D)T = 0 1 V2 = V 1 D 1 D

(1.94)

El convertidor invierte el voltaje;


D 0 , 5 V2 > V1

Si

(elevador)

s2

D 0 , 5 V2 < V1 (reductor) Si L atrapa los armnicos de voltaje, para que no aparezcan en el puerto de salida (V2).

C1 y C 2

forman un bypass a las armnicas de corriente, para que no aparezcan en el puerto de entrada( i1 C1 contribuye a reducir la impedancia del puerto 1. El convertidor cambia de reductor a elevador variando la relacin de trabajo.

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1.14.7.3 CONVERTIDOR CD/CD CON ENCADENAMIENTO CA

Los convertidores de alta frecuencia de conmutacin tienen un lmite para el voltaje de salida, debido al parmetro de esfuerzos (Vpico * Ipico) de los semiconductores. a) Diagrama de bloques Para obtener relaciones altas entre el voltaje de salida al de entrada, se utiliza. a) Un convertidor CD/CA b) Un transformador para cambiar el nivel de voltaje y aislar elctricamente la salida de la entrada.

c) Un convertidor CA/CD

b)Formas de onda Fig. 1.54 Convertidor CD/CD con encadenamiento en CA.

La desventaja es el mayor costo por duplicidad de semiconductores, filtros y sistemas de control.

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1.14.8 CONVERTIDORES CA/CA


1.14.8.1 CONVERTIDOR CA/CA CONTROLADOR CA El controlador CA es la topologa ms simple del convertidor CA/CA. Se modifica el voltaje eficaz de C.A. en la salida, eliminando pedazos simtricos del semiciclo positivo y del negativo del voltaje de entrada.

Vm sin(wt)

a) Circuito

Vm

Vd = Vm

2 2 2 Vm sen wtd(wt) 2 (1.95) 1 ( + sen 2 ) 2

2 Para carga resistiva


-Vm

Fp =

P S

= 1

1 2

sen2 (1.96)

b) Forma de onda

c) Factor de potencia Fig. 1.55 Controlador CA

,el ngulo de disparo,es un factor operativo. La frecuencia del voltaje de salida es la misma frecuencia de entrada. La potencia reactiva que demanda este sistema, no est asociada a la generacin de campos magnticos. Las aplicaciones tpicas del controlador son para regular la luz incandescente (dimmer) y para controlar la velocidad de pequeos motores universales (mquinas de coser, herramientas porttiles)
50

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1.14.8.2 CONVERTIDOR CA/CA CICLOCONVERTIDOR Utiliza una topologa idntica al convertidor CA/CD. Para que V2 sea positivo, se cierran los interruptores P cuando V1 es positivo, y los interruptores N cuando V1 es negativo. El voltaje V2 ser negativo si se cierran los interruptores P cuando V1 es negativo y los N cuando V1 es positivo. Si los interruptores P estn sincronizados con el inicio del semiciclo positivo y los N con el inicio del semiciclo negativo ( = 0), la forma de onda de Vd se muestra en la fig1.55b.

VS

Vs =V1 senw 1 t

V =V sen w t 2 2 d

a) circuito

b)Forma de onda con =0

Si se controla el ngulo, al cual se cierran los interruptores () de acuerdo a una ley senoidal , = K senwt, la forma de onda de Vd se muestra en la fig 1.52c.El valor promedio local resulta una senoidal

c) Formas de onda con variando senoidalmente Si el filtro cumple con Fig. 1.56 Cicloconvertidor
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2 L 2 >> >> w2 R w1

V2

es casi senoidal

51

1.14.8.3 CONVERTIDOR CA/CA CON ENCADENAMIENTO CD

Utiliza un convertidor CA/CD y un convertidor CD/CA encadenados en CD, por un capacitor o por una batera. Si el encadenamiento CD utiliza un capacitor V2 y w2 son diferentes de V1 y w1. S el convertidor se utiliza como variador de velocidad de motores polifsicos de induccin, V2 y w2 deben ser variables y se debe mantener constante la relacin V2/w2 ,para impedir la saturacin del circuito magntico del motor, en el caso que se utilice el control escalar para la variacin de la velocidad

a) Diagrama de bloques

b) Formas de onda. Fig. 1.57 Convertidor CA/CA con encadenamiento CD.

S el encadenamiento CD utiliza una batera y si V1=V2 , el convertidor se denomina UPS (sistema de potencia no interrumpida) , y se utiliza para alimentar las cargas crticas de una instalacin elctrica ,que requieren de una confiabilidad de 100%, en la continuidad de la energa (rea de quirfanos de un hospital, sala de computacin, etc).

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1.15 IMPLEMENTACION DE UN INTERRUPTOR POR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR(5)

a) Circuito

El convertidor de electrnica de potencia se conforma por una matriz de interruptores ,que se implementan por dispositivos semiconductores de potencia .La implementacin de un interruptor por un dispositivo semiconductor, se realiza de acuerdo al siguiente procedimiento: a) Se definen para el interruptor la polaridad del voltaje (Vs) y la corriente (is ). Se determina del circuito en donde se ubica el interruptor, el grfico Vs is Se compara el grfico Vs is del interruptor, con los grficos Vd id , de los diferentes dispositivos semiconductores disponibles.

b) b) iN vN del interruptor N c)

c) id vd de un dodo con polarizacin directa Fig. 1.58 Implementacin del interruptor N en un convertidor CD/CD directo reductor.

Para el caso del interruptor N, de un convertidor CD/CD directo reductor, se muestra el grfico iN VN del interruptor, y el grfico iD VD de un dodo con polarizacin directa. Al compararlos se concluye, que el grfico iN vN corresponde al de un dodo con polarizacin inversa

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BIBLIOGRAFIA
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ACTIVIDADES TEORIA
1)Describir la naturaleza y el propsito de la Electrnica de Potencia 2)Dibujar el diagrama de bloques de un SEP, y explicar la funcin de cada bloque y enumerar los elementos que lo conforman. 3)Por qu se normalizan los valores eficaces de los voltajes en las redes de servicio?Cual es el criterio para utilizar estos voltajes? 4)Dibujar e interpretar los circuitos equivalentes en modo activo y pasivo de la batera cido-plomo 5)Dibujar y analizar la conexin de un aerogenerador a la red de servicio elctrico. 6Qu es un panel solar?Cmo se conecta un sistema fotovoltaico con la red de servicio elctrico? 7)Cmo se define un capacitor ideal?Cuales son las diferencias con el capacitor real? 8)Dibujar e interpretar el circuito equivalente general del capacitor real y deducir a partir de este circuito el equivalente serie. Proponer un procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente, 9)Qu es el ngulo de prdidas de un capacitor?Cmo se define? 10)Describir aspectos constructivos ,caractersticas y aplicaciones de los capacitores de :a)Electrolticos. b) Plstico. c)Cermica. 11)Cules son los flujos magnticos que se originan en un transformador?Por qu se originan? Qu representan? 12)Qu se entiende por corriente de magnetizacin de un transformador?Cmo se define?Qu representa? 13)Escribir para el primario y el secundario de un transformador, las ecuaciones que describen su comportamiento desde la teora circuital 14)Dibujar e interpretar el modelo circuital del transformador ideal. 15)Qu se entiende por acoplamiento de impedancias? 16)Dibujar e interpretar la curva de magnetizacin de un material magntico real. 17)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un transformador ,con permeabilidad finita e ignorando las resistencias. Proponer un procedimiento experimental para determinar el circuito equivalente

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ACTIVIDADES TEORIA
18)Qu situacin conduce a la saturacin del transformador?Cules son las consecuencias? 19)Interpretar la forma de onda del voltaje en el secundario de un transformador de pulsos ,utilizando el circuito equivalente del transformador de pulsos. 20)Deducir el valor de la inductancia de un toroide. 21)Deducir la cada de voltaje en inductor excitado por :a)Un voltaje alterno senoidal;b)Un voltaje alterno cuadrado 22)Definir para un componente magntico: a)Prdidas por histresis ;b)Prdidas por corrientes parsitas, c)Prdidas en el cobre. 23)Para cada una de las prdidas anteriores , se pide determinar los factores que las determinan, e indicar las soluciones que pueden aminorarlas. 23)Dibujar e interpretar el modelo circuital de un inductor real. Proponer un procedimiento experimental ,para determinar el circuito equivalente del inductor real. 24)Demostrar que el Area-producto de un ncleo, es directamente proporcional a la inductancia del inductor construido sobre ese ncleo. 25)Dibujar e interpretar la caracterstica v-i de los siguientes semiconductores de potencia: SCR, Triac, GTO, MCT,IGBT,MOSFET canal n; BJT pnp. 26)Dibujar e interpretar la caracterstica de control de los siguientes semiconductores :SCR,GTO,MCT,IGBT 27)Cules son las diferencias entre el interruptor real y el ideal?. 28)Cmo se caracteriza a un interruptor conmutable? 30)Demostrar que en un circuito conmutado, el valor promedio del voltaje en un inductor y el valor promedio de la corriente en un capacitor ,son nulos. 31)Para el circuito R- L conmutado (fig 1.36a), se pide demostrar que la variacin de corriente en la carga, es menor al aumentar la frecuencia de conmutacin.

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ACTIVIDADES TEORIA 32)Para formas de onda peridicas se pide :a)Definir :1)Perodo;2)Voltaje eficaz;3)Voltaje promedio;4)Factor de rizo;5)Factor de forma;6)Valor promedio local de una variable conmutada PWM; b)Indicar una aplicacin para cada uno de los conceptos definidos en a).c)Cul es la relacin entre el factor de forma y el factor de rizado? 33)Demostrar que en un circuito R-L con fuente alterna senoidal, la potencia reactiva no transfiere energa. 34)Por qu es posible compensar los requerimientos de potencia reactiva de un inductor ,con los requerimientos de potencia reactiva de un capacitor.? 35)Deducir paso a paso, la ecuacin 1.77. 36)Definir para un SEP los siguientes conceptos: a)Factor de potencia; b)Factor de distorsin; c)Distorsin total de armnicas. 37)Deducir la relacin entre el THD y Kd de un circuito. 38)Por qu en un SEP se deben instalar filtros a la entrada y salida del convertidor?Cul es la funcin de estos filtros? 39)Para el convertidor CA/CD no controlado de 4 interruptores ,se pide :a)Justificar que los interruptores se pueden implementar por dodos. b)Determinar el factor de rizo y de forma ,del voltaje de salida. 40)Para el convertidor CA/CD no controlado de 2 interruptores (fig 1.47 a)se pide determinar: a) el factor de potencia de la fuente; b)Cmo se puede implementar las 2 fuentes utilizando un transformador? 41)Para el convertidor CA/CD controlado(fig 1.48 a) se pide:a)Describir la operacin. b)Determinar los semiconductores que pueden implementar los interruptores. c)Por qu el circuito funciona como inversor durante un tiempo limitado?Qu se debera hacer para que trabaje en rgimen permanente? 42)Para el convertidor CD/CA conmutado a baja frecuencia(fig 1.49a) se pide :a)Describir la operacin. b)Determinar los semiconductores que pueden implementar los interruptores, c) Deducir y analizar la expresin para la potencia trasferida por el convertidor 43)Para el convertidor CD/CA PWM(fig 1.50a) se pide :a)Describir la operacin. b)Cmo se puede variar la magnitud del voltaje de alterna? Justificar la respuesta.
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ACTIVIDADES TEORIA
44)Hacer un anlisis comparativo entre el convertidor CD/CA, PWM y el de baja frecuencia de conmutacin. 45)Para el convertidor CD/CA resonante(fig 1.51a) se pide :a)Describir la operacin. b)Deducir los semiconductores que pueden implementar los interruptores. c)Cul es el orden de las frecuencias a utilizar ?Por qu? 46)Para el convertidor CD/CD directo(fig 1.52 a) se pide: a)Deducir la relacin entre el voltaje de salida y el de entrada. b)Deducir los semiconductores que pueden implementar a los interruptores. 47)Para el convertidor CD/CD indirecto (fig 1.53 a) se pide: a)Indicar la razn para la denominacin de indirecto. b)Deducir la relacin voltaje de salida al voltaje de entrada. c)Determinar los semiconductores que pueden implementar a los interruptores. 48)Cul es la frecuencia utilizada en el convertidor CD/CD con encadenamiento CA(fig 1.54 a)?Por qu? 49)Para el convertidor CA/CA tipo controlador CA(fig 1.55 a) se pide a)Deducir el semiconductor qie puede implementar al interruptor. b)Determinar la potencia reactiva del convertidor? c)Cmo es posible que si la carga es resistiva, exista una potencia reactiva? 50)Para el convertidor CA/CA cicloconvertidor (fig 1.56 a) se pide :a)Describir la operacin b)Deducir que tipo de semiconductor se puede utilizar como interruptor. 51 En que casos se utiliza un convertidor CA/CA con encadenamiento en CD?

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PROBLEMAS

1)Se requiere de un inductor de las siguientes caracteristcas : L=50 mH;f=9 khz;V=20Vrms. (Excitacin senoidal) Se propone para construir este inductor un ncleo toroidal, de material pulverizado anlogo al molypermalloy de MAGNETICS,de permeabilidad relativa de 125 , y densidad de campo magntico mxima (Bmax) de 0.15 T y con la siguiente geometra: Dimetro exterior=26.9 mm. Dimetro interno=11.1mm. Espesor=0.4mm. Area seccional rectangular El bobinado se construye con un factor de utilizacin de 0.4 y se selecciona una densidad de corriente para el alambre magneto de 500 A/(cm)2. Se pregunta: a)Sirve el ncleo propuesto para resolver el problema? b)Cul es el calibre del conductor a utilizar en el bobinado? c)Cuntas espiras debe tener la bobina? d)Si se utiliza este inductor como filtro (se conecta en serie ,cual es el valor de la inductancia ?
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PROBLEMAS

i1(t)
+ v d1 1

i (t ) 2

+ d 2 v2

2)La caracterstica de placa de un transformador de lminas de acero al silicio, muestra la siguiente informacin:500 VA,208/24 V,60hz. Se mide la corriente de vaco y resulta de 0.2 A. La corriente en el primario al ocurrir un cortocircuito en el secundario es de 240 A , se pide: a)Dibujar el circuito equivalente del transformador ignorando las resistencias. Indicar los valores de los parmetros del circuito equivalente. b)Argumentar por qu se requiere conocer los puntos de polaridad del transformador. c)Sugerir un procedimiento para determinar los puntos de polaridad del transformador. d)Cul es el mximo valor de voltiosegundo que se le puede aplicar al trasformador si se asume que la densidad de campo magntico de operacin es el 80% del valor de saturacin

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PROBLEMAS

Problema 3

3)Para el circuito de la figura adjunta, E=100V , R=20 ,D=0.4 y Tc=1ms. Se pide responder: a)Cul es la funcin del dodo?Qu ocurrira si no existiera? b)S el rizado pico-pico de la corriente(i) es del 5%Cual debeser el valor de la inductancia? c)Cual es la potencia disipada en el circuito?

4)Para el convertidor CA/CD controlado de la figura adjunta vs= Vs senwt se pide determinar el factor de potencia de la fuente para: a)L muy grande b)L muy pequeo

Problema 4

80 v = 120 2 senwt; i = sen(nwt) n n =1

5)El Sistema de Electrnica de Potencia de la figura adjunta, presenta las siguientes variables de corriente y voltaje:

Problema 5

Se pide determinar:a) El factor de potencia;B) La distorsin total de armnicas

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PROBLEMAS
6)En el convertidor DC/DC de la fig el flujo de energa es del lado 2 al 1.L=10mH;V2=100V;I2=20A;V1=160V .Los interruptores conmutan a 20Khz y la variacin del voltaje en el puerto de salida es 5%. Se pide: a)Deducir los interruptores que pueden implementar a los interruptores. b) Determinar las relaciones de trabajo de los interruptores. c)Determinar la mxima variacin de corriente en el puerto de entrada. d)Valor de la capacitancia. Problema 6

Problema 7

7)Para el convertidor resonante de la figura adjunta, L=159H; C=0.25F; Vdc=100 V ;R=5 . Se pide determinar para la frecuencia de resonancia: a)Potencia entregada a la carga. b)Amplitud de la tercera armnica del voltaje en la carga. Si la frecuencia de conmutacin es tres veces la de resonancia ,cuanto vale la potencia entregada a la carga

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PROBLEMAS

8)En el convertidor AC/DC de la figura adjunta, Vs=170sen(120t)V.R=5 .La corriente en la carga debe ser constante. Los interruptores P cierran en wt=30 y los N en wt=210. Se pide: a)Cul debe ser el valor mnimo de la inductancia? b)Cul es el valor de potencia transferida a la carga. c)Cul es el valor de la potencia aparente en la fuente? Problema 8 9)El convertidor CD/CA de baja frecuencia de conmutacin (60 hz) de la figura adjunta presenta los siguientes parmetros: Vdc=100V; L=500mH;R=5 ;2=/6. Se pide determinar a) Potencia transferida a la carga. b)Deducir el tipo de semiconductor para implementar los interruptores

Problema 9

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Unidad II
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

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DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
2..1 CLASIFICACIN

La electrnica de potencia utiliza los dispositivos semiconductores como interruptores, operando en un estado de alta impedancia (Bloqueo) y en otro de baja impedancia (Conduccin). Se clasifican de acuerdo a su naturaleza constructiva en: Dodos, Transistores, Tiristores e Hbridos entre tecnologas de transistor BJT con MOSFET, y tecnologa transistor-tiristor Los dispositivos bipolares pueden ser De dos capas (dodo), tres capas (BJT) o cuatro capas (SCR). El dispositivo unipolar ms utilizado es el MOSFET canal N. Aventaja al dispositivo bipolar, al no presentar el fenmeno de recuperacin inversa Segn el tipo de control se clasifican en : Dispositivos controlados por voltaje (dodo). Dispositivos controlados a la conduccin por un pulso de corriente (SCR, TRIAC) o un pulso luminoso (LASCR). Dispositivos controlados a la conduccin y al bloqueo por un pulso de corriente (GTO). Dispositivo controlado a la conduccin y al bloqueo por un pulso de voltaje(MCT)

Fig 2.01 . Smbolos de los dispositivos semiconductores.

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2.1 CLASIFICACIN Dispositivos controlados a la conduccin por un pulso de voltaje negativo, y al bloqueo por un pulso de voltaje positivo (mos controlled tiristor - MCT).
BJT

El MCT es un dispositivo hbrido conformado por un SCR y dos MOSFET(fig 2.01 d).Su aplicacin se ha limitado debido a la competencia del MOSFET Dispositivos controlados a la conduccin y al bloqueo ,por una seal continua de corriente (BJT) o de voltaje (MOSFET-IGBT).

c) transistores

El IGBT(insulated gate bipolar transistor) es un dispositivo hbrido de tecnologa BJT y MOSFET. Los tiristores (SCR, GTO-TRIAC, LASCR) tienen capacidad para soportar voltajes bipolares, y los transistores soportan voltaje unipolar. Solamente el TRIAC, tiene capacidad para controlar corriente bidireccional y soportar voltaje bipolar Debido a problemas como el de la segunda ruptura, y al fenmeno de recuperacin inversa, el BJT no se utiliza en los nuevos SEP, y se sustituyen en bajo voltaje por MOSFET y en voltajes ms altos por IGBT

d) Hbridos
Fig. 2.01. Smbolos de los semiconductores.

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2..2 DIODO DE POTENCIA


2.2.1 GENERALIDADES

Se diferencia del dodo de pequea seal, en el bajo dopado y gran profundidad de la regin N, lo que permite tener un alto valor de voltaje de ruptura inversa,del orden de KV, y gran capacidad de corriente, del orden de cientos de amperios, pero con mayor caida de voltaje, y mayor tiempo de conmutacin de conduccin a bloqueo (tiempo de recuperacin inversa =trr). a) Estructura Fsica

b) Smbolo.

c) Caracterstica v-i Fig. 2.02. Dodo de potencia.

Con polarizacin directa, el dodo comienza a conducir despus del voltaje umbral ( 1v) y la corriente se rige por un modelo lneal y no exponencial, como en el dodo de seal.El lmite operativo en regimen permanente con polarizacin inversa, es el voltaje inverso de ruptura(VRRM) Se clasifican en Dodos de uso general (trr 25s, If<1000A, 50V<VRRM<5kV); dodos de recuperacin rpida (trr 5s, If<100A, 50V<Vr<3kV); diodos Schottky (Vr< 100V, 10A< If<300A), alta velocidad de conmutacin.

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2..2.2 CARACTERISTICAS NOMINALES VRWM = Voltaje inverso mximo de trabajo VRRM= Voltaje inverso mximo repetitivo VRSM= Voltaje inverso mximo no repetitivo Cada de voltaje con VF= polarizacin directa

a) Valores tpicos de voltaje

IF= Corriente con polarizacin directa IF(AV)= Corriente media directa IF(RMS)= Corriente eficaz directa IFRM= Corriente mxima repetitiva IFSM= Corriente mxima no repetitiva IRR= Corriente inversa mxima b) Valores tpicos de corriente Cuando se invierte sbitamente la polaridad de un dodo, ste continua conduciendo debido al movimiento de portadores minoritarios, hasta que desaparecen por accin de la difusin y recombinacin. trr= Tiempo de recuperacin inversa trr = Tiempo desde el instante en que i pasa por cero ,hasta que alcanza el 10% del valor inverso mximo
Qs 1 t rr I RR 2

c) Fenmeno de recuperacin inversa Fig. 2.03 Parmetros del diodo

(2.01)

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2.2.3 CONEXIN SERIE DE LOS DIODOS

Si el voltaje de la fuente (Vs ) es superior al voltaje inverso mximo no repetitivo del dodo (VRRM), se deben conectar en serie varios dodos (n)

Vs VRRM

(2.02)

0.81.0 (Factor de seguridad) Debido a las tolerancias del proceso de fabricacin , las caractersticas v-i de un grupo de dodos, presenta con polarizacin inversa diferentes corrientes de fuga ,comprendidas dentro de un valor mnimo y uno mximo, y con polarizacin directa diferentes caidas de voltaje de conduccin El dodo D1 de menor corriente inversa, soporta el mayor voltaje inverso -VD1 (Fig 2.04b) y se reduce su vida til esperada. Para equilibrar en rgimen permanente los voltajes inversos, se conectan resistores en paralelo con los dodos. Para rgimen transitorio se conecta una red R-C, para equilibrar los voltajes durante el proceso de apagado b) Caracterstica v-i Fig. 2.04 Conexin Serie de diodos
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a) Circuito

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2.2.3.1 CALCULO DEL RESISTOR

D1= Dodo de menor corriente inversa D2=D3=D4 =Dn=Dodo corriente inversa ID1< ID2= ID3= IDn VD1=voltaje de bloqueo(inverso) mximo permitido. ID= ID2- ID1= I1- I2 Vs= vD1+ vD2+..+ vDn Vs =vD1+ (n-1) vD2 Vs = vD1+ (n-1) I2R Vs = vD1+ (n-1)( I1- ID)R a) Clculo de R Vs =n vD1- (n-1) IDR
nV V d1 s R I (n 1) d

de

mayor

Fig. 2.05 Conexin Serie de dodos

(2.03)

Si se asume ID= ID2, se obtiene una solucin conservadora

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2.3 DIODOS BIDIRECCIONALES DE DISPARO CONTROLADOS POR VOLTAJE

a) Simbolo y curva v-i del dac(12)

b)

Smbolo y caracterstica v-i del sidac(6)

Fig. 2.06 EL dac y el sidac

El DIAC(dodo bilateral de disparo) es un dispositivo semiconductor de tres capas, de baja corriente y bajo voltaje, que se comporta como interruptor bilateral contolado por voltaje. Puede conmutarse de apagado (off) a encendido(on) con polaridad positiva o negativa aplicada a sus nodos, dependiendo de la magnitud del voltaje(fig 2.06 a) S VA1-A2 >VBO (del orden de 30 a 40 V) el dac conduce(on), igual ocurre si el voltaje es negativo (la caracterstica v-i es simtrica con respecto al origen fig2.06 a).S VA1-A2 <VBO, el dac conduce una corriente muy pequea(corriente de fuga) y se considera que abre el circuito(off). El SIDAC(fig 2.06b) es un interruptor bidireccional de silicio, desarrollado por MOTOROLA, similar al DIAC, con la diferencia que el voltaje de ruptura(VBO) vara entre 104 y 280 V, lo que permite manejar aplicaciones de alta energa. La fig. 2.06b) muestra la caracterstica v-i , y el smbolo del SIDAC
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2.4 RECTIFICADOR DE SILICIO CONTROLADO (SCR)


2.4.1 CARACTERSTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(9) El SCR es un dispositivo semiconductor de 4 capas, 3 uniones p-n (J1, J2, J3 ),y tres terminales : nodo (A), Ctodo (K) y Compuerta (G). Si 0< VAK <VFBD, J2 se polariza inversamente y IAK es muy pequea (corriente de fuga).Si se aplica una corriente en la compuerta( IGT) durante un cierto tiempo(tgt),J2 se polariza en directo y el SCR conduce Si VAKVFBD el SCR conduce por efecto avalancha. La corriente debe ser limitada por la carga del circuito Si VBR(RBD) <VAK <0, J1 y J3 se polarizan en inverso, IAK pequea (fuga). ig = Pulso de corriente de compuerta tg = Duracin del pulso ig tgt= Tiempo de encendido del SCR IL= Corriente de enganche. Corriente nodo - ctodo requerida para mantener al SCR en conduccin, una vez se remueve ig. IH= Corriente de mantenimiento .Corriente requerida para que el SCR siga en conduccin Si VAK>VTM, ig=IGT, tg>tgt, iAK >iL, el SCR conduce. Si iAK<IH el SCR se bloquea.

a) Estructura Fsica

b) Smbolo.

c) Caracterstica v-i Fig. 2.07. Rectificador de silicio controlado.

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2.4.2 CARACTERISTICAS NOMINALES DE LOS SCR SIMBOLO di/dt IT(RMS) IT(AV) PGM DEFINICIN Mxima variacin temporal de la corriente ,que no destruye al SCR El valor eficaz de corriente mxima que puede conducir El valor promedio mximo de corriente Potencia instantnea mxima entre ctodo y compuerta Potencia promedio en un ciclo mxima disipada entre G y K Voltaje de pico inverso entre G y K
O

PG(AV) VGRM VDRM VFBD

Voltaje mximo directo repetitivo, que no hace conducir Voltaje mximo inverso permitido Cada mxima de voltaje entre A y K Corriente de compuerta requerida para conducir Voltaje DC de compuerta ,para Producir IGT Tiempo de encendido. Se mide desde el inicio del pulso hasta que VAK= VTM Tiempo de apagado Valor de la variacin temporal del voltaje que produce la conduccin.

VRRM VTM IGT

VRBD

VGT tgt tq dv/dt

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2.4.3 MODELAMIENTO DEL SCR La estructura de un SCR se puede visualizar como dos transistores complementarios: Q1 (pnp) y Q2 (npn). Aplicando la ecuacin de Ebers-Moll a los 2 transistores: Ic1=1IA+ICBO1 (2.04) Ic2= 2IK+ICBO2 (2.05) a) Estructura bsica del SCR(9). = Ganancia de corriente ICBO= Corriente inversa de la unin colector-base Del circuito equivalente (Fig. 2.05b) IA=IC1+IC2 IA= 1IA+ 2IK +ICBO1 +ICBO2 (2.06) IA+IG=IK (2.07) Sustituyendo 2.07 en 2.06 IA=[2IG+ICBO1+ICBO2]/[1-(1+2)] (2.08) =f(IE); es directamente proporcional a IE b)Circuito equivalente en rgimen permanente(9) Fig2.08.Modelamiento del SCR en regimen permanente S se aplica un pulso de i en G IA 1, 2 IA 1, 2 genera una realimentacin positiva hace crecer indefinidamente (conduce el SCR) . IG y se , que a IA

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2.4.3 MODELAMIENTO DEL SCR

A
I A

j1

Asociada a toda unin p-n, se presentan dos capacitancias : Cj, presente con polarizacin inversa, al formarse la regin de vaciamiento, y Cd la capacitancia de difusin, presente con polarizacin directa, debido a los cambios que ocurren en los portadores mayoritarios y minoritarios en la conduccin. Al modelar el SCR en rgimen transitorio, se incorporan las tres capacitancias(fig.2.09).La capacitancia significativa es Cj2,porque J2 esta polarizada inversamente ,por lo que el circuito equivalente del SCR en regimen transitorio es Cj2 . Si VAK>0, Cj2 , origina ij2 y contribuye a ICBO1 y Q 2 ICBO2 (ec, 2.08)
dC
I K

1
i j2
j2

Q1
V j2

G
I G

C j3

i
K

j2 j2

= v

j2

dv +C j2

j2

j2
AK

(2.09)

dt

dt

c) Circuito equivalente en rgimen transitorio(14) Fig. 2.09 Modelo del SCR en regimen transitorio

Si dv/dt es alta , ij2 ICBO1y ICBO2 1 y 2 IA 1 y 2, y se genera una retroalimentacin positiva, y el SCR conduce. Este es un proceso de conduccin indeseado

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2.4.4 ENCENDIDO DEL SCR

ig

El encendido del SCR puede ser por: Aplicacin de ig en compuerta Por alta temperatura (corriente inversa) Por luz (LASCR) Por alto voltaje (avalancha) Por dv/dt alto. Forma de onda ideal de ig (fig. 2.10 a) Amplitud de sobreactivacin (IM>3IGT).Permite reducir el tiempo de encendido, y minimizar las prdidas de conmutacin.

a) Forma de onda ideal de ig

Tiempo corto de subida del flanco (tr) para minimizar tiempo de encendido. Estabilizacin despus de pocos microsegundos, a un valor que garantice el encendido del SCR (IGT) Duracin del pulso (tg) hasta que iT iL, .En la prctica tg tgt. Se define tiempo de encendido, al intervalo de tiempo entre el instante en que ig alcanza el 10% de Igt y el instante en que iAk alcanza el 90% de su valor de rgimen permanente.

b) Forma de onda de IT Fig. 2.10 Encendido del SCR

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2.4.5 APAGADO DEL SCR (CONMUTACION)


T 1

iT

+ VAK

RL

a) Circuito.

El SCR se apaga cuando IAK<IH ,debido a que el exceso de portadores en las cuatro capas desaparece, por el proceso de recombinacin, y reaparece la regin de vaciamiento en la unin J2. El proceso de apagado del SCR, presenta igual que en el dodo, el fenmeno de recuperacin inversa. La conmutacin del SCR se denomina natural, cuando IAK decae a un valor inferior a IH ,debido a la naturaleza de la fuente(alterna). En este proceso se define tiempo de apagado(tq), al intervalo entre el paso por cero de la corriente y el instante en que se puede aplicar al SCR voltaje directo, sin que este conduzca(fig. 2.11b). Si la fuente es continua,la conmutacin se realiza disminuyendo la corriente a un valor inferior a IH, bien sea transfiriendo la corriente de carga a otra trayectoria, reducindola a IH Se reconocen 6 mtodos para la conmutacin forzada. La fig. 2.12 muestra la conmutacin clase C. Se asume SCR2 encendido y C se carga con la polaridad mostrada. Al conducir SCR1,el capacitor se descarga y reduce la corriente del SCR2 apagndolo.

b) Formas de onda(14). Fig. 2.11 Conmutacin Natural

Fig. 2.12Conmutacin forzada Clase C(5).


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2.4.6 CIRCUITO DE COMPUERTA(9) La unin GK presenta un bajo voltaje de ruptura inverso, y cada significativa de voltaje en conduccin(dodo de mala calidad).El fabricante especifica un lmite superior e inferior de la caracterstica v-i de la unin GK. Para operacin confiable, cada tiristor se caracteriza por lmites operativos mximos: Vgmax, Igmax, Pgav/max y mnimos :Vgmin , Igmin (fig .2.13b). El rea segura de trabajo de accionamiento de la compuerta es bcdefgh (fig. 2.13b), y el punto de operacin se encuentra sobre la lnea de carga(S1-S2) dada por la ecuacin: Vg =E- RgIg ( 2.10a) La utilizacin ptima se obtiene desplazando la lnea de carga hacia la curva Pgav/max (lnea cf), de la cual se determinan los valores mximos(Emax,Rgmax). Para pulsos superiores a 100s, se utiliza la curva Pgav/max) Emin=RGKmaxIgmin+VGT (2.10b) Rgmax es la pendiente media de la curva RGKmax.El dodo protege a la unin GK de voltajes inversos altos(fig. 2.13a).Se debe proteger la unin para ,Igmax,

a) circuito RGKmax

RGKmin

b) Caracterstica v-i(9) Fig 2.13 Circuito de compuerta

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2.4.7 INTERFASES DE DISPARO


2.4.7.1 INTRODUCCION El circuito de potencia donde se aplican los tiristores, funcionan generalmente con voltajes iguales o superiores a 120V. El circuito de control, conformado por microcontroladores, o elementos de electrnica discreta, genera pulsos de control a bajo voltaje, generalmente 5V, con baja capacidad de corriente, en el orden de miliamperios. Los requerimientos mnimos de corrien te y voltaje de los tiristores, para su activacin (VGT,IGT), generalmente son superiores a la salida del circuito de control. Por lo anterior, se requiere de una interfaz entre el circuito de control y el circuito de potencia (fig.2.14), que realice las siguientes funciones: a)Aislar los voltajes altos del circuito de potencia ,del bajo voltaje del circuito de control. b)Adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control, a los requeridos para el disparo del tiristor La interfase puede ser de naturaleza magntica (Transformador de pulsos ), u ptica (Optoacopladores) En algunos circuitos, por ejemplo el regulador de luz incandescente (dimmer) ,que utiliza un elemento de control(dac),que opera a voltaje comparable al del circuito de potencia(120 V),no utiliza la interfase

Circuito de potencia

Fig 2.14 Interfase de disparo

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2.4.7 INTERFASES DE DISPARO


2.4.7.2 TRANFORMADORES DE PULSO El transformador de pulsos(a=1) se utiliza para aislar el circuito de control del circuito de potencia, y adecuar los niveles de voltaje y corriente del circuito de control a los requeridos por el tiristor (VGT,IGT) En la fig. 2.15 a), el circuito de control activa la compuerta del mos-fet, y fluye una corriente en el primario del transformador, limitada inicialmente por R1//R2 y posteriormente por R2 (al cargarse el capacitor).El secundario del transformador aplica el voltaje y corriente ,requeridos en la compuerta del SCR para activarlo Al desactivarse el mos-fet, el transformador se desmagnetiza a travs de D1 y Dz ; D2 impide el paso del pulso negativo. La utilizacin del dodo zener, permite incrementar la frecuencia de conmutacin del transformador. El resistor R3 provee cierto nivel de inmunidad contra el ruido(voltaje inducido), para impedir un disparo indeseado del SCR Desventajas: a)Requerimiento de fuente externa;b)Limitacin en la Fig 2.15 Transformador de pulsos frecuencia de conmutacin; c)Gran nmero de componentes Ventajas:buen nivel de aislamiento b)Formas de onda

b)Circuito de disparo

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2.4.7.3 OPTOACOPLADORES El opto-acoplador (fig. 2.16a)es un circuito integrado conformado por un dispositivo foto-emisor(ILED),que genera una radiacin infrarroja , que se canaliza por una gua de onda, a un dispositivo foto-receptor (fototransistor; foto-SCR;foto-trac), el cual se activa, y cierra el circuito de disparo(compuerta), que enciende un tiristor. El aislamiento entre el dodo foto-emisor y los terminales del foto-receptor ,es hasta de 7.5Kv pico. Algunos opto-acopladores (ECG3049)incorporan un circuito detector del cruce del voltaje de alimentacin por el punto cero, para reducir el EMI (interferencia electromagntica),minimizan do las corrientes impulsivas del circuito. Estos opto-acopladores se utilizan en el contactor de estado slido. Los optoacopladores se utilizan en E.P. ,para aislar el circuito de control del circuito de potencia. La conexin se muestra en la fig.2.16b. La corriente que activa el fotododo es If, y circula entre los terminales 1 y 2.La funcin de R(fig. 2.16b) es limitar la corriente del foto-receptor. Si el trac de potencia abre, y el voltaje de la fuente es mximo(Vp) y se descarga Cs. R=Vp/Ip (2.11) Ip es la mxima corriente pico repetitiva del driver(foto-receptor).S R es muy grande, puede introducir un retardo de fase no deseado

a)Optoacopladores

b)Conexin de optoacoplador(6) Fig 2.16 Optoacopladores

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2.4.7.4 DISEO DEL CIRCUITO DE DISPARO CON T.P. Se requiere disparar un SCR que tiene las siguientes caractersticas de compuerta: (VGT,IGT).Se requiere disear un circuito de disparo utilizando un transformador de pulsos. De la caracterstica de la corriente de compuerta(fig. 2.17b), se determina que al inicio de la conduccin, en el primario:
Ip = (V Vprim Vmosfet (R1 + R2) ) cc = 5I

R1R2 Al estabilizarse la corriente

GT

(2.12)

a)Circuito(9)

Ip =

(12 Vprim V ) mosfet R2

= IGT

(2.13)

Al abrir el transistor

V prim = V Z + V dodo = Vp
En el secundario se tiene(a=relacin de transformacin) :

Vp
b)Corriente de compuerta

= VGT + V

(2.14)

dodo

(2.15) GT R Fig 2.17 Circuito de disparo con 3 Transformador de pulsos R3 mejora la inmunidad al ruido. Valor tpico:300

a i p = is = I

GT

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2.4.8 CIRCUITOS SNUBBER DE VOLTAJE Y CORRIENTE(3)


2.4.8.1 CIRCUITO SNUBBER DE VOLTAJE El circuito snubber de voltaje ,conformado por un circuito serie Rs-Cs, protege contra una conduccin indeseada del SCR,por la presencia de un alto dv/dt, en la red. Se ignora la capacitancia de la unin J2 del SCR. Si la carga es resistiva (Lc pequea)

is =

V R '

t R 'C s

R '= R c + R s

vc =
a) Circuito Snubber de voltaje.

1 Cs

i s dt = V(1 e
t R' C s

t R' C s

dv c V = e dt R' C s El capacitor de la red snubber (Cs) ser:

Cs >

V dv c R' ( ) max dt

(2.16)

Utilizando Laplace se puede demostrar que para Lc muy grande:

C s =
b) Circuito equivalente para S cerrado con ig=0 y SCR ideal Fig. 2.18 Circuito Snubber de voltaje.

V 2 dvc 2 L ( ) c dt

(2.17)

Rs limita la corriente descarga de Cs, a travs del SCR. Valores tpicos: 0.1uF<Cs<1uF 10 <Rs<100

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2.4.8.2 CIRCUITO SNUBBER DE CORRIENTE

El circuito snubber de corriente protege al SCR contra un alto di/dt ,que puede originar puntos calientes en el SCR y destruirlo. El comportamiento del circuito sin snubber de voltaje es:

a) Sin Snubber de voltaje.

R ct V Ls i = (1 e ) Rc R ct R ct Im R c di V Ls Ls = e = e dt Ls Ls (2.18) V Ls ( di ) dt max
El comportamiento del circuito con snubber de voltaje es:

Im =

Im

Rc Rs Rc + Rs V Rs Ls ( di ) dt max

= V

Rc + Rs R cR s
(2.19)

b) Con Snubber de voltaje. Fig 2.19 Circuito Snubber de corriente. Generalmente la inductancia propia del circuito (conductores, dispersin de los transformadores,..) es mayor a Ls.

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2.4.9 CIRCUITOS DE DISPARO DEL SCR


2.4.9.1 OSCILADOR DE RELAJACION Los pulsos cclicos requeridos para el disparo de un SCR, se generan con un oscilador de relajacin(fig.2.20a). Se requiere de un elemento con resistencia negativa(fig. 2.20b), entre la regin de corte(v < Vs ;i < Is) y la de conduccin(I > IH; v>VH).Al cargarse el capacitor a Vs, el punto de operacin de la rama ,R2-elemento de resistencia negativa, pasa de 1 a 2(fig.2.20b),la corriente alcanza el valor pico( Ip),y se origina un pico de voltaje(IpR2) ,que sirve para disparar al tiristor. Este punto operativo(2) no puede mantenerse, debido a la disminucin del voltaje en el capacitor, y se desplaza al punto 4, cuando vuelve a cargarse y el ciclo se repite. El valor mximo de R1 debe permitir, el paso de la corriente lmite superior de circuito abierto(Is), y el valor mnimo debe permitir el paso de la corriente lmite inferior de circuito cerrado( IH) . R1MAX=(Vi-Vs)/Is R1MIN=(Vi-VH)/IH b)Curva v-i del elemento con resistencia negativa Fig 2.20 Oscilador de relajacin (2.20) (2.21)

a)Circuito oscilador

Para mantener Ip,R2C debe ser mayor de 10 veces, el tiempo de conmutacin.

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2.4.9.2 DISPOSITIVOS DE RESISTENCIA NEGATIVA 2.4.9.2.1 CARACTERISTICAS DEL UJT(9) El UJT es una barra tipo N de bajo dopaje, con 3 terminales B1(base1), B2(base2), E (emisor)(fig. 2.21a).El emisor se conecta en un punto entre las bases de la barra, con una soldadura de aluminio, que produce un dopaje elevado de huecos, formando una unin P-N. Si VB2B1>o, circula una baja corriente , debido al valor significativo de la resistencia, ya que 4.7k <RB2B1<9.1k, y el voltaje del emisor es VB2B1.A se define como relacin intrnseca y vara entre 0.5 y 0.82.. S se aplica al emisor un voltaje menor a VB2B1, el dodo PN se polariza inversamente y el UJT trabaja en la regin de corte(baja corriente).S se aplica a E,un voltaje de VB2B1 +0.7v (Vp, fig. 2.21c)la unin se polariza en directo, y la fuente inyecta electrones por B1 reduciendo REB1, lo que aumenta la corriente entre B2 y B1, reduciendo ms a RB2B1 y se inicia una retroalimentacin positiva, que origina la zona de resistencia negativa(fig. 2.21c), hasta alcanzar saturacin(Vv,Iv).A partir de este punto, el UJT se comporta como un dodo normal .

a)Estructura

b)Smbolo

c)Caracterstica v-i Fig 2.21 El UJT

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2.4.9.2.2 OSCILADOR CON UJT Para que el circuito oscile, R debe satisfacer las ecuaciones 2.20 y 2.21 con Vs=Vp , Is=Ip y VH=Vv,IH=Iv. R2(fig. 2.22a) sirve para compensar la variacin trmica de RB2B1, y su valor lo da el fabricante. R1 determina el ancho del pulso, y debe ser bajo, para acelerar el proceso de descarga del capacitor. Un valor tpico es de 100 El voltaje en el capacitor vara entre VV y Vp. En la carga se ignora Vv, por ser pequeo. La ecuacin de carga del capacitor es: t

a)Circuito Oscilador(9)

Vc = V + V (1 eRC ) v cc
t

(2.22)

La ecuacin de descarga es:

Vc = Vpe

(R + R )C 1 EB1 )

(2.23)

Para t=T1,Vc=Vp.Se ignora Vv

Vcc T = RC ln( ) 1 Vcc Vp


Para t=T2,Vc=Vv

(2.24)

Vp T (R + R )Cln( ) 5R C (2.25) EB 2 1 1 Vv
b)Formas de onda(9) Fig 2.22 Oscilador con UJT T=T1+T2 peroT2<<T1 entonces

1 Vcc T = RCln( ) = RCln( ) (2.26) Vcc Vp 1

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2.4.9.3

EL PUT(9) El transistor programable de unijuntura(PUT) es un tiristor de 3 terminales: Anodo(A); ctodo(K) y compuerta (G)(fig 2.23 a).Se diferencia del SCR en que G se referencia con A, y no con K.S VAG>o, el PUT pasa del estado de bloqueo al de conduccin. Variando VG mediante un divisor de voltaje(fig2.17b), se puede programar la relacin intrnseca(). Los parmetros del equivalente Thevenin son: Vs=(VBBR2) /(R1+R2) (2.27) RG=(R1R2)/(R1+R2) (2.28) Vp= Vs+ VAG+ IpRG (2.29) Los PUT son sensibles a cambios en Vs y RG. Fluye una corriente inversa(negativa) de nodo para VA<Vs, debido a una corriente de fuga de la red de polarizacin, a la red de carga. Para corrientes menores a Ip, el dispositivo est bloqueado, y con una corriente mayor, el dispositivo pasa a la zona de resistencia negativa y luego a la de conduccin. IGAO es la corriente de compuerta a nodo, con ctodo abierto Para Ip< I< Iv ,el dispositivo opera en la zona inestable de resistencia negativa, y con Iv ocurre el voltaje mnimo(vv)(el dispositivo se comporta como dodo.

a)Smbolo y circuito equivalente

b)Circuito de programacin y equivalente Thevenin

c)Caracterstica v-i Fig 2.23 El PUT

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2.4.9.3.1 OSCILADORES CON PUT

a)Circuito oscilador(6)

Para que el circuito oscile, RT debe satisfacer las ecuaciones 2.20 y 2.21 .RT y CT conforman la red de temporizacin, que determina el tiempo entre la aplicacin del voltaje(cierre del interruptor) y el inicio del pulso El perodo de los pulsos es igual al del oscilador con UJT, con la diferencia que es variable =RB2/(RB1+RB2)
1 T = R T C T ln( )= 1 T = R C ln((R B1 + R B2 )/(R B1 )) (2.30) T T

b)Voltaje en el capacitor

c)Pulso de salida Fig 2.24 Oscilador con PUT

El voltaje en el capacitor vara des de Voff (Vv) hasta Von(Vp).(fig. 2.24b).Cuando el capacitor alcanza Vp,(VA>VG) se descarga a travs de RGK y la compuerta del PUT ,y se produce en RGK un pulso de voltaje(fig 2.24c), el cual aparece recortado por el voltaje de conduccin del dodo, compuerta ctodo del SCR. S Vs es continuo, el ciclo de carga y descarga se repite indefinidamente

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2.4.9.3.2 SINCRONIZACION DE LA FUENTE DEL OSCILADOR CON LA FUENTE DE CORRIENTE ALTERNA

En los convertidores CA/CD controlados por fase , se requiere sincronizar los pulsos de salida, con el voltaje alterno de la fuente .Se requiere que la carga del capacitor se inicie, con el paso por cero,hacia valores positivos del voltaje de la fuente Una posibilidad de realizar esta sincronizacin se muestra en la fig. 2.25a. El voltaje de la fuente se rectifica(onda completa) y se recorta por el dodo Zener(D1) y se obtiene la forma de onda Vs(fig. 2.25b).Dado que Vp del PUT(Vs) cae a cero, cada vez que el voltaje de la fuente pasa por cero, se descarga CT al final de cada semiciclo, y el inicio de un nuevo semiciclo ocurre con CT descargado. Los valores de RT y CT controlan el instante (ngulo de fase), al cual ocurre el pulso. El dodo Zener garantiza la constancia del inicio del pulso, an al presentarse una perturbacin del voltaje de la fuente.

a)Circuito(6)

b)Forma de onda de vs Fig2.25.Sincronizacin del pulso del oscilador con la fuente

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2.4.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT 2.4.9.3.3 .1 CONTROLADOR DE MEDIA ONDA
R11 2 100 1 2 R7 5.8k 1 R6 40k V1 VOFF = 0 VAMPL = 170 FREQ = 60 D2 D1N970A 2 2 R9 5.1k 1

X5 2N60 27
C2 0.1u 2 R10 100k 1

2 R8 10k 1

a)Circuito

b)Formas de onda del voltaje en la carga y en la compuerta para =90 Fig 2.26 Control de media onda

La fig. 2.26 a) muestra un circuito de control de media onda de un convertidor CA/CD. R7 limita la corriente del Zener, para no exceder su capacidad disipativa(Pz). X4 MCR3899 D2 acta como zener, nicamente en el semiciclo positivo, y en el semiciclo negativo funciona como un dodo normal. Suministra el voltaje al circuito oscilador( Vs) . El valor de R7 se determina de la ecuacin 2.31 R7=(VRMS-0.7Vz)/Iz (2.31) VRMS =Voltaje eficaz de la fuente RT y CT fijan el perodo del pulso del oscilador ,el cual necesariamente no es el perodo del pulso de disparo(Por qu). El control de la potencia entregada a la carga, ocurre nicamente en el semiciclo positivo. La fig. 2.26b) muestra las formas de onda del voltaje en la carga y en la compuerta para =90

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2.4.9.3.3 APLICACIONES DEL OSCILADOR CON PUT 2.4.9.3.3 .2 CONTROLADOR DE ONDA COMPLETA
LOAD3 Ro 10k V1=120 10

Rt 125K

R1 17k X1

D6 D1N970A

X2 2 N6 02 7

MAC97A4 R2 22k

C1 0.1u R6 100K TX1

a)Circuito

El circuito de control del convertidor CA/CD de onda completa, se realiza adicionando un puente rectificador, un transformador de pulsos y sustituyendo al SCR por un TRIAC(fig. 2.27a). R0 y D6 permiten la sincronizacin del voltaje de la fuente, con los pulsos del oscilador.R1 y R2 conforman el circuito divisor de voltaje, para programar el disparo del PUT. El transformador de pulsos aisla el neutro (120V) o la fase (208 V), del terminal negativo del circuito oscilador del PUT.

b)Pulsos en la compuerta del triac Este circuito de control se puede implementar con optoacoplador .El resistor de 125 k ,controla el ngulo de disparo del trac La fig. 2.27b)muestra los pulsos en la compuerta del triac y la fig.2.27c),muestra el voltaje en la carga

c)Voltaje en la carga Fig 2.27. Control de onda completa

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2.5 TIRISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA


2.5.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(9)

Las principales diferencias constructivas con el SCR son:

Interconexin de capas de control (mas delgada) y catdicas con incremento en el permetro de las regiones de puerta. Ataque qumico para acercar el contacto de puerta al centro de las regiones catdicas. Regiones que cortocircuitan las regiones andicas para acelerar el apagado pero generan un bajo voltaje de ruptura inverso. La caracterstica v-i en polarizacin directa es similar a la del SCR pero no as la de polarizacin inversa. La ganancia de corriente al encendido es alta, del orden de 200 y la de apagado es baja del orden de 5 a 10.

a) Estructura Bsica.

b) Caracterstica v-i.

c) Smbolo. Fig 2.28 Tiristor de apagado por compuerta(GTO).

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2.5.2 MODELAMIENTO DEL GTO(9) Al aplicarle un pulso de corriente a la compuerta (VGK > 0 ) los dos transistores se saturan y el comportamiento es el del SCR (ec 2.06). Para bloquearlo se debe sacar de saturacin a los dos transistores aplicando una corriente de compuerta negativa (I G < 0 )
I B 2 = 1I A

I C 2 = I B1 1 1 I A
T 2

IG

No saturado
2

IB2 <

IC2 2

2 =

a)Corrientes al encender

(1 2 )
( ) (1 1 )(1 2 )
= 2 2 IA

Sustituyendo
IB2 < IC2 1 2

1I A I G <

(1 1 )(1 2 )I A
2

IG >

IA 2

( 1 + 2
IA off

IG >

b)Corrientes al apagar Fig. 2.29 Modelamiento del GTO.

off

2 2 1

( 2 . 32 )

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2.5.3 ENCENDIDO Y APAGADO DEL GTO

Para entrar en conduccin se necesita un alta variacin temporal de la corriente de compuerta, hasta alcanzar el valor IGM necesario para poner en conduccin todo el cristal. Si slo entra en conduccin una parte, y circula toda la corriente el GTO se puede daar. Una vez se establece la conduccin, baja la corriente a la requerida(IGT) para que el GTO siga conduciendo. La aplicacin de una corriente negativa del orden de 0,1 a 0,2 IA bloquea al GTO, pero debe mantenerse un voltaje negativo para evitar la conduccin espordica del GTO. Para el proceso de encendido y bloqueo se requieren circuitos Fig. 2.30 Forma de onda de la corriente (snubber) de proteccin para la de la compuerta del GTO.(15) conmutacin.

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2.5.4 CIRCUITOS DE PROTECCIN EN LA CONMUTACIN (SNUBBER)(8)

a) Circuito.

El circuito de proteccin al encendido (snubber de corriente) realiza una funcin amortiguadora, al limitar la variacin temporal de la corriente andica y evitando que IA alcance valores muy altos debido a la recuperacin inversa del dodo de rueda libre de la carga, lo que destruira al GTO. El circuito de proteccin al apagado (snubber de voltaje) limita la variacin temporal del voltaje nodo-ctodo evitando un encendido indeseado del GTO. Las formas de onda de la corriente de nodo y del voltaje nodo-ctodo del GTO se muestra en la fig 2.31 c)

b) Corrientes y voltajes al apagado.

Fig. 2.31 Conmutacin del GTO.

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2.5.5 CIRCUITO DE DISPARO DEL GTO(9)

a)Diagrama de bloques

b)Circuito de la etapa de salida

Fig 2.32 Circuito de disparo del GTO

El circuito de disparo de un GTO tiene los siguientes objetivos : 1) Encender al GTO por medio de un pulso de corriente .de valor alto 2)Mantenerlo en conduccin hasta que IA alcance su valor nominal 3)Apagar el GTO con un pulso muy grande de corriente negativa . 4)Reforzar el estado de bloqueo del GTO con un voltaje negativo en la compuerta. La fig 2.32a) muestra el diagrama de bloques del circuito de disparo de un GTO de alto voltaje. La fig 2.32b) muestra el circuito de la etapa de salida del circuito de disparo. La rama R2C2 genera el pico del pulso positivo y R3C3 el pico del pulso negativo.T2 se conforma por muchos transistores en paralelo y no se coloca un resistor en serie, debido a la alta corriente de apagado.R3 debe ser baja para obtener un voltaje de bloqueo directo mnimo

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2.6 TRIAC
2.6.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(7) El trac es un dispositivo semiconductor de cinco capas y tres terminales: MT1 , MT2, G (compuerta). Se conforma por dos SCR complementarios: entre MT1 y MT2 hay un PNPN(SCR1) en paralelo con un PNPN(SCR2). La regin entre MT1 y G consiste de dos dodos complementarios ,por lo que permite el disparo ,con una seal positiva o negativa en la compuerta. El trac es un dispositivo bidireccional de corriente. Una seal aplicada entre G y MT1 positiva o negativa, polariza en directo cualquiera de los dos dodos complementarios, ubicados entre G y MT1, generando la retroalimentacin positiva de uno de los dos SCR complementarios, y haciendo fluir la corriente entre MT2 Y MT1, independientemente de la polaridad de MT1 . Se utiliza MT1 como referencia para voltajes y corrientes. La caracterstica v-i (fig.2.33 c) muestra los 4 posibles cuadrantes de operacin. Los ms sensibles son Q1: MT2(+), G(+) y Q3: MT2(-), G(-). c) Caracterstica v-i(7) Fig. 2.33 El Trac . La operacin confiable se reduce a 60hz, debido al corto tiempo para recuperarse y revertir el estado de bloqueo ,debido a la conduccin bidireccional de corriente.
99

a) Estructura bsica(7)

b) Smbolo

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2.6.2 CIRCUITOS DE DISPARO DEL TRIAC(12)

a)Circuito bsico
LOAD TRIAC 12V 2:1

D 10k

Q1 10k

b)Con transformador de pulsos

El circuito bsico de disparo del trac(fig 2.34a) utiliza una red RC, para atrasar el instante en el cual el voltaje en el capacitor alcanza el voltaje de ruptura del dac, para que ocurra la conduccin del trac.Este circuito de disparo es manual(variando el potencimetro) y no alcanza a cubrir toda la posible gama del ngulo de disparo. El circuito de la fig 2.34b) acondiciona en corriente y voltaje con un transformador de pulsos ,el pulso proveniente del circuito de control.El ngulo de disparo ideal de este circuito cubre toda la gama disponible. El circuito de la fig 2.34c)utiliza un optoacoplador, de la serie MOC fabricados por MOTOROLA, para aislar el circuito de control del circuito de potencia.El pulso proveniente del circuito de control se aplica a los terminales 1y 2, y el optoacoplador cierra el circuito de la compuerta del trac , el cual conduce.La resistencia del circuito de compuerta (R=300 ),limita la corriente impulsiva al valor mximo permitido por el optoacoplador

c)Con optoacoplador Fig 2.34 Circuitos de disparo del trac

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100

2.7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION(BJT)


2.7.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2) El BJT ha sido desplazado en bajos voltajes por el MOSFET, y en voltajes altos por el IGBT, por problemas como el de la segunda ruptura, el tiempo de recuperacin inversa y la baja ganancia de control, sin embargo se estudia , para comprender el IGBT . Los BJT utilizados eran del tipo NPN, debido a la mayor densidad de corriente permitida. La operacin como interruptor est modulada por el valor y la rapidez de crecimiento de la corriente de base (fig. 2.35b).El encendido rpido se realiza inyectando una corriente alta(ib=ic) hasta que fluya la corriente de colector, y despus se reduce a ib=ic/f. Si f (ganancia forzada) es baja ,tambin lo ser VCE y el transistor est profundamente saturado. El tiempo de recuperacin inicial directo est asociado al tiempo de demora al encendido td(on). El proceso de recuperacin inversa origina un tiempo de demora al apagado(td(off)).El tiempo de almacenamiento es el requerido para remover la carga interna. La falla de segunda ruptura ocurre por circunstancias trmicas, cuando el transistor opera a altas corrientes y voltajes.

a) Estructura bsica

b) Corrientes de base y colector

Fig. 2.35 El BJT.

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2.7 TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION(BJT)


2.7.2 CARACTERISTICAS DE ENCENDIDO(2) El BJT es un dispositivo controlado por corriente. Un circuito de disparo (base driver) de un BJT debe suministrar una corriente suficiente, para mantener el transistor conduciendo en condicin de saturacin(ib>ic/ ).La ganancia tpica de un BJT est en el orden de 5 a 10. Para mejorar la ganancia se utiliza la configuracin Darlington Adems de suministrar permanentemente la corriente de conduccin, el driver debe generar inicialmente un pulso de sobrecorriente, con valor pico de ic , para acelerar el proceso de encendido(fig. 2.36a). Para apagar el transistor rpidamente, se debe aplicar a la base un pulso de corriente negativa, para remover la carga almacenada y reducir el tiempo de almacenamiento. El circuito de la fig. 2.36b) cumple con los requerimientos de la forma de onda de ib. El capacitor permite el pico del pulso positivo de corriente para el encendido, y el negativo para el apagado

a) Forma de onda de ib.

b)Circuito de disparo emisorseguidor Fig. 2.36 Encendido y apagado del BJT

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102

2.8 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


2.8.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2) La fig. 2.37a) muestra una seccin lateral simplificada, de un MOSFET canal N. El sustrato es tipo P de bajo dopaje y los terminales S (fuente) y D(drenador) tienen alto dopaje. S se aplica un voltaje positivo entre G (compuerta) y S, el campo elctrico convierte al sustrato P gradualmente en un material N, dependiendo de la magnitud del voltaje aplicado. Para un valor umbral(Vth), el efecto de inversin se extiende a la regin adyacente a la compuerta, formando un canal N entre S y D, lo que permite el flujo de corriente. El MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje. VSD Este dispositivo se puede considerar como un resistor controlado por voltaje,dado que Vgs modifica la resistencia entre S y D(Rds) .La cada de voltaje entre D y S, genera un efecto que se opone el efecto de Vgs, y la corriente alcanza un valor de saturacin. La mayora de MOSFET requieren de un Vgs entre 8 y 12 V, para conducir con baja resistencia

a) Estructura bsica

b) Caracterstica directa Fig. 2.37 El MOSFET canal N

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103

2.8 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


2.8.2 MODELAMIENTO(2) La capacitancia de un MOSFET tiene 3 componentes: Cgs, Cgd, Cds. (fig. 2.38a). La compuerta debe cargar a Cgd+Cgs=Ciss. Cgd puede producir corrientes importantes por la oscilacin rpida de Vd entre voltaje alto y bajo. Cgs presenta valores del orden de 2000pF. Las conexiones y el empaquetamiento de los dispositivos de potencia, introducen inductancias en el modelo. En la fig. 2.37a) se observa que en paralelo con el canal N hay una regin NPN. Esta regin conforma un transistor bipolar parsito, en paralelo con el FET. Para evitar un encendido indeseado de este transistor, se cortocircuita internamente el sustrato con el drenador y el transistor se convierte en un diodo en antiparalelo con el FET(reverse body diode). Este dodo determina el voltaje de bloqueo del MOSFET. Por ser el MOSFET un dispositivo unipolar, no presenta el fenmeno de recuperacin inversa. La fig. 2.38b) muestra el modelo circuital para rgimen permanente y transitorio, con un voltaje de encendido de 2Vth.

a)Capacitancias asociadas

b) Modelo circuital

Fig. 2.38 Modelo del MOSFET

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2.8 TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO


2.8.3 CIRCUITO DE DISPARO(2) El circuito de disparo (driver) debe proveer los siguientes requerimientos : a)Voltaje de encendido del mosfet (Vgs>2Vth). b)Los requerimientos de corriente originados por la capacitancia Ciss. c)En ocasiones cuando el circuito del convertidor lo determine,se deben considerar las necesidades de aislamiento de los terminales del MOSFET. La figura 2.39a) muestra la configuracin del circuito de disparo. Una fuente que representa la seal proveniente del circuito de control ,que debe proveer la carga de la capacitancia de entrada del MOSFET, y un voltaje superior a 2Vth,El proceso de carga del capacitor ,establece el lmite de la frecuencia de conmutacin. Actualmente los fabricantes de circuitos integrados ofrecen una amplia gama de drivers para MOSFET e IGBT.La fig 2.39b muestra la utilizacin del C .I. HCPL 2211 para disparar un MOSFET o un IGBT.

a)Circuito de disparo

b)Circuito integrado Fig. 2.39 Disparo del MOSFET

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2.9 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA


2.9.1 CARACTERISTICAS CONSTRUCTIVAS Y OPERATIVAS(2) El MOSFET utiliza slo una fraccin del material como canal conductor, y por ello para igual condicin nominal , la densidad de corriente del MOSFET es la quinta parte del BJT.Esto hace al MOSFET mas costoso, cuando se requieren voltajes nominales altos y bajas caidas de voltaje. Una alternativa a este problema es la conexin Darlington FET-BJT(fig 2.40a).Esta solucin tiene como inconveniente su baja velocidad de conmutacin al apagado(no se puede aplicar una polarizacin negativa)), y el requerir una unin adicional para la estructura NPN del BJT y la NPN del MOSFET. El IGBT se basa en la configuracin Darlington mejorando la integracin para minimizar los inconvenientes mencionados(fig 2.40b). Si se aplica un campo elctrico entre G y E se genera un canal de baja corriente en la regin P superior ,que provee una corriente de base en la regin N interna que activa el BJT(PNP) el cual conduce la corriente..El IGBT presenta una regin PNPN(thyristor) que puede producir una accin de cerrojo si fluye una corriente de compuerta al thyristor.,lo cual se evita mediante dopaje o estructuras extras.
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a)Darlington FET-BJT

b)Corte seccional Fig. 2.40 IGBT

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2.9 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA


2.9.2 MODELAMIENTO(2)

a)Modelo del IGBT

b)Corriente de apagado del IGBT Fig. 2.41 El IGBT

Para los IGBT que se utilizan en iinversores, los fabricantes iincorporan un dodo en antiparalelo. El modelo del IGBT se muestra en la fig. 2.37 a).El comportamiento dinmico del IGBT es similar al del BJT .El proceso de apagado del IGBT es mas lento que el del MOSFET. Una fraccin importante de la corriente del IGBT se conduce por el canal del MOSFET ya que la ganancia efectiva del BJT es baja. Para apagar el IGBT VGE debe llevarse a 0.Una vez que se descarga CGS, el canal desaparece. Sin embargo el flujo de corriente en el transistor desaparece mas lentamente debido a que los portadores de la base desaparecen por accin de la recombinacin. Esto genera un perfil de corriente denominado cola de corriente (Tail current ) que se aprecia en la fig 2.37 b) Valores tpicos de toff de 20s son adecuados en inversores de baja frecuencia pero no para aplicaciones PWM. Es posible reducir el toff a 500ns, pero se incrementa la cada de voltaje

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2.9.3 CIRCUITO DE DISPARO(13)

a)IGBT de alta demanda de corriente y aceleracin del proceso de encendido y apagado(13)

b)IGBT de baja demanda de corriente(13) Fig 2.42 Circuito de disparo(13)

Se puede disparar un MOSFET/IGBTmediant e componentes discretos o utilizando drivers de C.I.La utilizacin de C.I. reduce el espacio ,ahorra tiempo de diseo y reduce la demora de propagacin de la seal.Para el disparo del MOSFET/IGBT de altos requerimientos de corriente , se utilizan 2 transistores acoplados NPN y PNP en configuracin totem pole para amplificar la corriente de salida del driver.IXDD408(fig2.38) Rgon, y Rgoff controlan los tiempos de encendido y apagado Los zener Z1 y Z2 se aplican para proteger la unin EG. Para acelerar el apagado se utiliza una fuente de 15/-5 V Para los IGBT que no demanden alta corriente, se utiliza el C.I. IXDD408(fig 2.38b).
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BIBLIOGRAFIA
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ACTIVIDADES TEORIA
1) Clasificar a los semiconductores de potencia de acuerdo a)Naturaleza constructiva.b)Tipo de control.c)Caracterstica operativa v-i 2)Cuales son las diferencias entre un dodo de potencia y uno de seal? 3)Enumerar los parmetros operativos significativos del dodo de potencia. 4)Describir el fenmeno de recuperacin inversa , e indicar como afecta la operacin del dodo. 5)Por qu se conectan en paralelo ,con los dodos en serie, ,resistores?Qu caractersticas debe tener el resistor? 6)Cules semiconductores se comportan como interruptores controlados por voltaje ?En qu se diferencia el DIAC del SIDAC?Donde se aplican? 7)Qu es un SCR?Cuales son las condiciones que se deben cumplir para que el SCR conduzca?Cual es la condicin para bloquear al SCR? 8)Enumerar los parmetros operativos del SCR. 9)Analizar el modelo matemtico del SCR, e inferir las situaciones que hacen conducir al SCR. 10)Dibujar el modelo circuital del SCR para regimen transitorio, y justificar que un alto dv/dt puede producir una conduccin indeseada del SCR. 12)Cules son las caractersticas ideales de la corriente de compuerta del SCR?Dibujar la forma de onda que cumpla estas condiciones. 13)Definir tiempo de encendido del SCR.Para que se utiliza este parmetro? 14)Definir conmutacin natural y forzada del SCR. 15)Analizar el circuito de conmutacin forzada clase C(fig 2.12) y especificar la naturaleza y parmetros del capacitor. 16)Cmo se determina el valor de la resitencia de compuerta del SCR(fig 2.13)?Cules son los valores mximo y mnimo de esta resistencia?Por qu se conecta un dodo en antiparalelo con la compuerta del SCR?
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ACTIVIDADES TEORIA
17) Para el circuito de disparo del SCR con transformador de pulsos(fig 2.11a)se pregunta cual es la funcin de los siguientes elementos:D1,Dz;R1,R2,,D2,R3. 18)Qu es un optoacoplador?Cmo funciona?Para qu se utiliza?Qu es un optoacoplador con cruce por voltaje cero? 19)Para el circuito de disparo del trac con optoacoplador con cruce por cero ,se pregunta:Cmo se selecciona R?Cual es la funcin de Rs y Cs? 20)Para qu sirve el circuito snubber de corriente y el de voltaje de un SCR? 21Cmo se modificara la ec. 2.16 si se tiene en cuenta la capacitancia del SCR(Cj2). 22)Cmo se define la resistencia negativa de un elemento?.Utilizando la fig. 2.16 a), describa la operacin del oscilador de relajacin.Qu ocurrira si R1 es mayor que el valor mximo establecido?S fuese menor? 23)Describir la estructura del UJT y su operacin como elemento de resistencia negativa. 24)Para el circuito oscilador de relajacin con UJT(fig 2.22 a), se pide deducir la expresin para la frecuencia de oscilacin. 25)Utilizando el circuito de la fig 2.24 a) describa la operacin del oscilador de relajacin con PUT. 26)Podra funcionar el circuito de la fig.2.26 a)sin el dodo Zener?Qu inconvenientes tendra? 27)Modificar el circuito de la fig.2.23 a) utilizando optoacoplador. 28)Por qu en los circuitos de las figs. 2.26 a)y 2.27a),RT y CT no afectan el perodo de los pulsos de disparo,pero si afecta el perodo del oscilador? 29)Proponer un circuito de control con retroalimentacin, utilizando un oscilador de relajacin, para una carga de naturaleza trmica,que utiliza en el circuito de potencia SCR o TRIAC 30)Enumerar las diferencias constructivas entre el SCR y el GTO. 31)Deducir e interpretar la ecuacin 2.32
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ACTIVIDADES TEORIA
32)Dibujar y analizar la forma de onda de la corriente de compuerta del GTO. 33)Enumerar las funciones del circuito de disparo de un GTO. 34)Utilizando la fig 2.33 a),justificar la caracterstica v-i del TRIAC. 35)Por qe si el circuito de disparo se conecta entre MT2 y G ,el TRIAC no se activa? 36)Para el circuito de disparo del TRIAC de la fig 2.34a),se pregunta: a)Cul es el valor mnimo de Rpot? b)Cul es el valor mximo del ngulo de disparo? 37)Qu hace falta en el circuito de la fig. 2.34b)Para el correcto funcionamiento del circuito? 38)En el circuito de la fig 2.34c), cual es el valor mximo del ngulo de disparo 39)Interpretar las formas de onda de corriente de base y colector del BJT(fig.2.31b) 40)Analizar el circuito de disparo del BJT(fig.2.36a) 41)Describir la naturaleza constructiva y la operacin del MOSFET. 42)Interpretar el modelo del MOSFET(fig.2.38a). 43)Por qu es importante en el circuito de disparo del MOSFET el valor de Cgs del MOSFET? 44)Describir la naturaleza constructiva y la operacin del IGBT. 45)Interpretar el modelo del IGBT 46)Analizar el circuito de disparo del IGBT (fig 2.42)

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UNIDAD III
CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS

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3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS


3.0 INTRODUCCION La corriente continua se utiliza en muchos procesos industriales tales, como: a)Procesos electroqumicos: galvanizado, niquelado, cromado etc , en los cuales el transporte de carga elctrica va acompaado de transporte de masa. b)Cargas accionadas por motores de corriente continua. c)Procesos de soldadura Las fuentes de corriente directa se obtienen de la fuente de corriente alterna, mediante convertidores CA/CD. Para obtener un voltaje continuo, se debe aplicar a la salida del convertidor CA/CD un filtro pasa bajo, cuya naturaleza depende de la magnitud de la carga. La mayora de los procesos operan bajo condiciones de carga variable, b)Tablero Rectificador Fig 3.00 Procesos de voltaje DC

a)Soldador

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3.0 CONVERTIDORES CA/CD NO CONTROLADOS


3.1 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA La conversin CA/CD ms elemental se realiza utilizando un dodo.Al iniciarse el semiciclo posititivo,el dodo ideal se polariza en directo y conduce el voltaje de la fuente a la carga. Por ser la carga resistiva, la corriente est en fase con el voltaje. Al comenzar el semiciclo negativo el dodo se bloquea(polarizacin inversa), y la corriente desaparece. En la carga aparece nicamente el semiciclo positivo de la fuente.

a)Circuito(1)

V 1 m < v >= V m sen(wt)dwt = d 2 0 (3.01)


La corriente en la fuente circula nicamente en el semiciclo positivo, lo que genera una alta distorsin sobre la fuente , que se manifiesta en un alto THD. El factor de rizado(FR) es alto:
FR = 1 2 2 4

(3.02)

b)Formas de onda(1) Fig 3.01. monofsico resistiva Rectificador con carga

El VRRM del dodo debe ser mayor que Vm y el IFRM debe ser mayor a Vm/R. Este rectificador es ampliamente utilizado en las fuentes de poder de equipos porttiles, debido a su bajo costo

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3.2 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA(2) El dodo para conducir mira si la fuente lo polariza en directo. Si conduce, no le interesa la fuente, hasta que desaparezca la corriente. Al iniciar el semiciclo positivo conduce D, e id crece con retardo respecto al voltaje. En wt=,id>0,D conduce y aparece en Vd una excursin negativa del voltaje(fig 3.02b).La corriente se obtiene de la solucin de la siguiente ecuacin diferencial

a)Circuito(2)

d id sen(wt) = R i + L m dt d

(3.03)

La solucin particular(regimen permanente) es b)Forma de onda de Vd e Id (2)

Vm sen(wt d = Z

- )

(3.04)

La solucin de regimen transitorio es:

sen Z

Rt L

(3.05)

c)Soluciones para id (2) Fig 3.02. Rectificador monofsico con carga resistiva-inductiva

La corriente se extingue en wt1 .Este valor depende de L y R. El voltaje promedio depende de wt1, y por lo tanto de la carga wt 1 1 < v d >= V m senwt d(wt) 2 0

< v d > = f(L, R)

(3.06)

La dependencia del voltaje con la carga es una situacin indeseable.

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3.3 RECTIFICADOR MEDIA ONDA CARGA RESISTIVA INDUCTIVA Y DIODO DE RUEDA LIBRE(2) Para hacer <vd> independiente de la carga, se ubica en antiparalelo con la carga un dodoD2,(dodo de rueda libre)que impida la excursin de vd en la parte negativa. Con dodos ideales, D1 y D2 trabajan alternadamente.S los dodos fuesen reales, el fenmeno de recuperacin inversa permite la conduccin simultnea, y se requiere proteger a los dodos, contra cortocircuito. Al iniciar el semiciclo positivo conduce D1(D2 se polariza en inverso), y la fuente alimenta la carga(id crece).

a)Circuito(2)

V m sen(wt) = Ri i =V m d

+L

di

d (0 < wt < ) dt

sen(wt ) + Ae Rt/L (3.07) Z

b)Formas de onda(2) Fig 3.03 Rectificador media onda con carga resistiva-inductiva y dodo de rueda libre

En wt=,la fuente polariza en directo a D2, este bloquea a D1,y la carga(R) se alimenta de la energa magntica del inductor(id decrece) di Ri + L d = 0; ( < wt < 2 d dt
(t /w) i d = i d (wt = ) e (3.08) El voltaje promedio de vd ( Vm /) no depende de la carga

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3.4 RECTIFICADOR MEDIA ONDA CARGA RESISTIVA INDUCTIVA DIODO DE RUEDA LIBRE E INDUCTANCIA EN LA FUENTE(2) Se considera un inductor en el lado de la fuente(Lc).Si Ld/R 20(/w),la carga demanda una corriente constante(Id). Al terminar el semiciclo negativo, D2 conduce Id. Al iniciar el semiciclo positivo se polariza en directo D1,pero la corriente crece gradualmente debido a Lc. Se inicia el proceso de conmutacin de la corriente del dodo D2 al D1.El circuito equivalente para el proceso de conmutacin(fig. 3.04b)permite deducir: I V m sen(wt) d( wt ) d = 0 d

a)Circuito(2)

b)Circuito equivalente(2)

i D1

wL

c (3. 09)

= cos

(1

I c d ) V m

El voltaje en la carga es 0 durante el proceso de conmutacin, ya que conducen ambos dodos. Al terminar el proceso de conmutacin, en wt =,toda la corriente de la carga la conduce D1, y D2 se bloquea
< v

V m sen(wt) >=
2 >= V

d(wt)

c)Formas de onda de Vd ,iD1 (2) Fig.3.04 Rectificador media onda con dodo rueda libre e inductancia en la fuente
< v d

X I c d ) m (1 2 V m

(3. 10)

El voltaje <vd>depende de la carga

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3.5 RECTIFICADOR MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA-CAPACITIVA El dodo conduce si Vmsen(wt)>vd, esto ocurre entre wt1<wt</2.La corriente de la fuente( ) crece para cargar el capacitor y alimentar la carga(R) y se interrumpe en wt=/2, cuando Vmsen(wt)<vd .Para /2 <wt<2+wt1, el capacitor alimenta la carga. El valor de wt1 se obtiene de: a)Circuito(2)

V m sen(wt 1 + 2 ) = v c ( wt 1 + 2 )
(wt 1 + 2 /2) wRC

sen(wt

) = V

(wt

wt

b)Forma de onda de Vd e I L

1 1 Un anlisis aproximado, pero de ms significado fsico, supone que el capacitor se carga instantneamente con una ( / 2 wt ) 0 corriente impulsiva 1 El capacitor alimenta la carga durante todo el perodo,entonces:

= sen 1 (e

3 / 2 ) 1 wRC ) (3.11)

< I R >= I DC = C = V DC Rf v = V

Q t
DC

Q
T

Cv T

V DC R

Fig.3.05 Rectificador monofsico con carga resistiva-capacitiva

RfV

.........( 3.12)

rpp

Dado que existe un lmite para C, tambin lo hay para el producto RVrpp(Voltaje de rizo pico-pico *Resistencia).

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3.6 RECTIFICADOR ONDA COMPLETA TIPO SEMIPUENTE (1) El rectificador de onda completa tipo semipuente, consiste de un transformador con derivacin intermedia ,y 2 dodos (fig. 3.06 a). El primario tiene n1 espiras y el secundario 2n2 espiras(a=n1/n2) El voltaje en la carga (Vd) consiste del semiciclo positivo, y el semiciclo negativo invertido de la fuente(fig. 3.06b). V m sen(wt)dwt 0 < v >= = d 2V m = (3.13) La forma de onda de la corriente es igual a la del voltaje(fig.3.06b) El factor de potencia de la fuente es:
F F p p = = P carga S fuente < Vd > v s max 1 4V 2 m 2R aV 2 8 2 m V m aR < id > i smax 2

a)Circuito(1)

b)Forma de onda de VLd(1)

c)Forma de onda de id e is(1) . Fig 3.06 Rectificador de onda completa


F

(3.14)

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3.7 RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA El rectificador de onda completa(fig. 3.07a) est conformado por una fuente senoidal , 2 rectificadores de media onda: uno para el semiciclo positivo(D1-D4) y otro para el semiciclo negativo(D2-D3). Se consi dera una carga altamente inductiva El voltaje en la carga (Vd) es el semiciclo positivo y el semiciclo negativo invertido de la fuente(fig. 3.07b).El potencial del negativo de la carga no es cero
< v d >= = 0 2V V m

a)Circuito

sen(wt)d(w

t)

(3.15)

b)Forma de onda de Vd

Si en la carga, L/R10/w, id=Id(constante) y la corriente de la fuente(is) es alterna rectangular(fig. 3.07c) El factor de potencia de la fuente es:

Fp =

P carga S fuente

< v > I d d = V m I se 2

c)Forma de onda de Is . Fig 3.07 Rectificador de onda completa

Fp = Fp = 2

2V m I d (V m I d ) 2 2 (3.16)

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3.8 RECTIFICADOR MONOFASICO TIPO PUENTE CON INDUCTANCIA EN LA FUENTE(2)

a)Circuito(2)

Se asume en la carga L/R10T(perodo de vd), para que la corriente sea constante(Id). Para wt=0(-) conducen D2 y D3 y la corriente en la fuente es is= -Id. Para wt=0(+) se polarizan en directo D1 y D4, y comienzan a conducir gradualmente debido a Lc. Se incia el proceso de conmutacin, que termina en wt=,durante el cual conducen los 4 dodos.

b)Forma de onda de vd

0 Vmsen(wt) d is = wLc Id 1(1 2X c I d ) ( 3.17) = cos Vm Id


El voltaje en la carga es:

<v <v
c)Forma de onda de is . Fig 3.08 Rectificador de onda completa

d d

Vmsen(wt)d(wt) >= X I 2V >= m (1 c d ) (3.18) Vm

El voltaje resulta regulado por la carga, debido a la inductancia de la fuente .La corriente en la fuente es ms trapezoidal que rectangular

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3.9 RECTIFICADOR TRIFASICO DE TRES PULSOS (2)

a)Circuito

b)Forma de onda del voltaje de salida

Se considera un sistema trifsico de secuencia a-b-c. La fuente(Va) se define por Van=Vmsen(wt) y las otras estn desfasadas(atrasadas) en el tiempo120 Se conectan a cada una de las tres fuentes, un dodo con su nodo conectado al positivo de cada fuente(rectificador positivo) . El dodo que conduce, ser aquel cuyo VAK sea el mayor de todos . El dodo D1 conduce para: 30 <wt<150 El dodo D2 conduce para: 150 <wt<270 El dodo 3 conduce para: 270 <wt<390 La forma de onda de salida (Vd),est conformada por las crestas positivas de los voltajes de las fuentes , a medida que conducen D1,D2 y D3(fig 3.09b).Se generan tres pulsos en un perodo de la fuente. El valor promedio del voltaje de salida es: 5

Fig 3.09 Rectificador trifsico de tres pulsos

1 6 < V >= Van(wt)d(wt) d 2 3 6 3 3Vm < Vd >= ..........(3.19) 2

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3.10 RECTIFICADOR TRIFASICO DE SEIS PULSOS (2) Se conectan en serie con una carga altamente inductiva, modelada por una fuente de corriente en modo pasivo (Id), un rectificador trifsico de tres pulsos positivo(nodos de los dodos conectados al positivo de la fuente)(Vd1) y uno negativo(ctodos de los dodos conectados al positivo de las fuentes)(Vd2)(fig. 3.10a) El voltaje a los terminales de la carga es: V =V V d d1 d2 Vd1 atrasa a (Vd2) en 60 Vd ,y resulta ser una onda de perodo igual a 60 pulsos en un perodo de la (6 fuente). La tabla de conduccin del rectificador se muestra en la fig. 3.10c). Para /2<wt<5/6,conducen los dodos D1 y D6 y se le aplica a la carga el voltaje Vac. El voltaje promedio en la carga es:

a)Circuito

b)Formas de onda de Vd1 y Vd2

5 1 6 < V >= Vac(wt)d(wt) d 3 2 Vac = 3Vm sen(wt 30)


c)Tabla de conduccin y forma de onda de Vd Fig 3.10 Rectificador de seis pulsos

< Vd >=

3 3Vm .............(3.20)

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3.10.1 FORMAS DE ONDA DE LA CORRIENTE EN LA FUENTE DEL RECTIFICADOR DE SEIS PULSOS El circuito de 2 rectificadores de tres pulsos en serie(fig 3.10), se puede representar como un circuito tipo puente(fig 3.11a) La fuente del rectificador puede ser un transformador estrella-estrella(fig 3.11a) o delta-estrella(fig 3.11b).Si se conecta en estrella(fig 3.11a), el polo negativo de la carga no se puede conectar a tierra ,ya que su potencial elctrico es diferente del potencial del neutro de la fuente, el cual suele conectarse a tierra.La corriente en la fuente es la demandada por el rectificador.La forma de onda de ia se muestra en la fig 3.11a).La forma de onda de la corriente de la fuente (iA ) es idntica a ia Si la fuente se conecta en deltaestrella, la corriente de la fuente(iA) es escalonada, ya que es la diferencia de 2 formas de onda(fig 3.11a) desfasadas 120 .Esta corriente presenta un THD menor que en la fuente estrella-estrella. Por la razn anterior , la conexin adecuada para reducir la distorsin en la fuente, es utilizar la conexin delta (primario)-estrella en el secundario.

a)

Fuente en estrella-estrella y corriente de la fuente

b)Fuente en delta-estrella Fig 3 .11 Corrientes en un Rectificador de 6 pulsos

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3.11 RECTIFICADOR DE 12 PULSOS Un rectificador de 12 pulsos se puede obtener, conectando en serie 2 rectificadores de 6 pulsos, si sus voltajes de salida estn desfasados 30 (fig3.12a). Se conecta el rectificador superior a la fuente,a travs de un transformador estrella-estrella, y se obtiene en la salida Vd1 .El rectificador inferior se conecta con un transformador delta-estrella ,y su salida (Vd2) est adelantada 30 en relacin a Vd1, debido a que la conexin delta-estrella produce voltajes en el secundario(a,b,c) adelantados 30 con respecto a los de la conexin estrellaestrella(a,b,c) . La conexin serie produce Vd=Vd1+Vd2 (3.21))

a)Circuito serie(2)

El perodo de Vd es 30 (12 pulsos en un perodo de la fuente).En el intervalo /6<wt</3,conducen los dodos D1,D5,D7 y D11. Vd=Vab+Vab Vab=3Vmsen(wt+30 ) Vab= 3Vmsen(wt+60 ) Vd=3.346Vmsen(wt+45 ) 1 3 < V >= 3.346V sen(wt + 45)d(wt) m d 66 b)Formas de onda de Vd (2) : < V >= 3.310Vm .................(3.22) d Fig. 3.12 Rectificador de 12 pulsos

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3.12 FILTROS AC Y DC PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA

Las condiciones ideales de operacin de un convertidor CA/CD son : a)Factor de rizado en la carga :0;b) THD de la corriente en la fuente:0. El voltaje de salida del rectificador monofsico Vd, (fig 3.13b) muestra un alto factor de rizado y por ello debe insertarse entre la salida del rectificador y la carga un filtro DC(fig 3.13a) .La funcin del filtro CD es reducir el factor de rizado del voltaje en la carga. S la carga es altamente inductiva, la corriente demandada por el rectificador a la fuente (ir), es alterna rectangular(fig.3.13c) y lo ideal es que la corriente de la fuente tenga un THD=0(senoidal). b)Formade onda de Vd El valor fundamental de la corriente ir (4Id sen(wt)/) lo genera la fuente y los armnicos son generados por el conjunto carga filtro- rectificador El filtro CA tiene como funcin minimizar el THD de la corriente de la fuente, mediante circuitos que sirvan de by-pass a las armnicas de corriente de orden 3 y limiten la de orden 5.Se inserta el filtro CA entre la fuente y el rectificador

a)Circuito

c)Forma de onda de ir Fig 3.13 FiltrosAC/DC

.
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3.12.1 FILTRO CD CAPACITIVO PARA RECTIFICADOR MONOFASICO(3) En el semiciclo positivo de la fuente, cuando Vs>Vo(voltaje del capacitor) conducen los dodos D1 y D2 y el capacitor se carga hasta Vmax en el tiempo t1 .Un ciclo anlogo de carga a travs de los dodos D3 y D4, ocurre para el semiciclo negativo de la fuente.S Vs<Vo,se polarizan en inverso D1,D2 en el semiciclo positivo o D3,D4 en el semiciclo negativo, y el capacitor se descarga desde Vmax hasta Vmin, a travs de R, en el tiempo t2.Sea Vrpp el voltaje de rizo pico-pico t 2 Vrpp = Vmax V = Vm (1 e RC ) min t 2 t t V T e RC 1 2 ; Vrpp = Vm( 2 ) = m 2RC RC RC T(perododelafuente) t +t = t 1 2 2 2 1 VDC = Vm (1 )(3.23) 4fRC El voltaje de rizado linealizado VR(fig. 3.14b)tiene un valor eficaz de:

a)Circuito

V V rpp m (3.24) Vac = = 2 3 4 3fRC El factor de rizado (FR)en la carga es: V b)Forma de onda de Vd y del m Vac 1 4 3fRC = voltaje de rizo FR = = (3.25) V (4fRC 1) V 3 (4fRC 1) m DC 4fRC Fig 3.14 Filtro DC capacitivo C se selecciona de la ec. 3.23, y automticamente queda determinado el FR, ya que las ec.3.23 y 3.25 son dependientes

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3.12.2 FILTRO CD INDUCTIVO - CAPACITIVO PARA RECTIFICADOR MONOFASICO El circuito y la fuente (vs) del circuito filtrocarga, se muestran en la fig. 3.15 a) y b). El voltaje de salida del rectificador(vs) se puede representar por una serie de Fourier como: vs = VCD + V cos(nwt) n 2V 4V / m+ m vs = cos(nwt) (3.26) .. n = 2,4 (n 1)(n + 1) El circuito equivalente para los armnicos(fig. 3.15c).Para que el capacitor sirva de by-pass, para las armnicas de corriente se debe cumplir:
10 Z = R 2 + (nwL ) 2 (3.27) L L L nwC

a)Circuito

b)Forma de onda de Vs

por ser Vn(2wt)=5Vn(4wt),se considera despreciable la armnica de orden 4 del voltaje. Del circuito equivalente para armnicos, el voltaje en la carga debido al armnico 2 es :
4V 1 m 1 4w2LC 3 1 4w2LC El FR en la carga es: Von(2w) Vn (2w) 1 =

c)Circuito equivalente para los armnicos Fig 3.15 Filtro inductivo capacitivo
FR = Vac = V
CD

4V m 3 21 4w 2LC 2V m = 2 31 4w 2LC (3.28)

El diseo del filtro se realiza con las ec.3.27 y 3.28

.
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3.12.3 FILTRO CA PARA RECTIFICADOR MONOFASICO El circuito rectificador-filtro-carga demandan de la fuente, una corriente alterna rectangular ir (fig 3.16 b) la cual se puede expresar por una serie de Fourier como: 4I 4I d sen (nwt ) d sen ( wt ) + i = r n = 3,5,7.. n

ir is

i = 2I sen ( wt ) + 2 I sen (nwt )(3.29) r 1 n = 3,5,7.. n La carga y el rectificador generan las armnicas de corriente ,y esto se modela en el circuito equivalente de la fig 3.16c),por la a)Filtro para armnicas 3 y 5(2) fuente de corriente(In(nw)) Dado que las armnicas de orden 3 y 5 son comparables en magnitud ,un solo filtro no reduce efectivamente el THD en la fuente. Lo deseable sera tener un circuito serie LC resonante a n=3, para derivar la armnica de corriente 3, en paralelo con el rectificador y un filtro L5C5(fig. 3.16c) para derivar una parte importante de la armnica 5 por el b)Forma de onda de Ir capacitor(divisor de corriente). Del circuito equivalente se puede deducir: Is (5w) = I (5w) n ................(3.30) 2 w 2L C 1 5 5 5

El THD en la fuente ser:


2 I (nw ) s THD = n 1 ............(3.31) 2 I s1

c)Circuito equivalente para los armnicos de corriente de orden 5 Fig 3.16 Filtro CA

Las ec. 3.30 y 3.31 permiten el diseo del filtro para un THD determinado

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BIBLIOGRAFIA
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4)JaiP. Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS Theory and design.2001 Editorial Prentice Hall 5 )P T. Krein ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 2000 6)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS 2003 Editorial John Wiley & sons Inc 7)R.G. Hoft(editor) Internatonal Rectifier SCR APPLICATONS HANBOOK 1974

8)INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 2008

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ACTIVIDADES TEORIA
1)Deducir la ec. 3.02. . 2)Por qu en el circuito rectificador de media onda y carga R-L el dodo contina conduciendo despues de wt=2?Es posible en este circuito obtener wt1=2?Justificar la respuesta 3)Para el circuito rectificador de media onda con dodo de rueda libre, se pide graficar id para L/R=20/w 4)Se alimenta una carga de 1K,20w,de una fuente alterna de 120V,60 hz y un dodo en serie con la carga. La variacin mxima del voltaje en la carga debe ser de 5V.Se pide determinar el valor del capacitor a conectar en paralelo con la carga. 5)Cules son los efectos de la inductancia de la fuente, en la operacin de un rectificador de media onda y dodo de rueda libre sobre:a)Voltaje en la carga.b)THD de la corriente de la fuente.Justificar las respuestas. 6)Qu se entiede por proceso de conmutacin en un rectificador? 7)Por qu no se utiliza el filtro capacitivo con cargas de baja resistencia? 8)Deducir el factor de potencia de un arrollamiento secundario del rectificador tipo semipuente.Cuanto vale a en este rectificador(fig 3.06 a)?Por qu? 9)Hacer un anlisis comparativo entre el rectificador tipo puente y el semipuente .Considerar los siguientes aspectos:Costos;Caractersticas de los dodos; Situaciones de aplicacin. 10)Deducir la ecuacin 3.18.Analizar el efecto de la inductancia de la fuente en la operacin del rectificador. 11)Por qu no tiene utilidad prctica el rectificador de tres pulsos? 12)Deducir la ecuacin 3.20 para 7/6<wt<9/6. 13)Deducir la forma de onda de la corriente de la fuente(iA). para la conexin delta-estrella(fig 3.11b). 14)Cul es esquema de rectificacin trifsica ms utilizada?Por qu? 15)Deducir la ecuacin 3.22 para /3<wt</2. 16)Deducir para el rectificador de 12 pulsos la forma de onda de la corriente de la fuente(iA).Cuando se aplica un rectificador de 12 pulsos?Por qu?

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ACTIVIDADES TEORIA
17) En un convertidor CA/CD,cul es la funcin del filtro DC?Del filtro AC?cmo realiza cada filtro su funcin? 18)Analizar e interpretar la ecuacin 3.25.Hacer un anlisis comparativo entre la ecuacin 3.25 y la 3.12. 19)Cundo se utiliza un filtro DC tipo LC en lugar de uno C? 20)Deducir las ecuaciones 3.28 y 3.31

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PROBLEMAS
1)El circuito adjunto sirve para limitar un rpido crecimiento temporal de VQ(snubber de voltaje). Se pide deducir y graficar iL,Vc, y VQ

Problema 1(2) 2)La figura adjunta muestra el circuito esquemtico de un rectificador de onda completa tipo semipuente. Cada una de las fuentes representa uno de los devanados del secundario del transformador: a)Asuma que Lc=0 y dibuje vd b)Para 0<wt<2,se pide deducir y dibujar iD1 y iD2. c)Deducir la expresin para vd,para Lc0 3)El circuito adjunto se utiliza para realizar una fuente dual de voltaje, por ejemplo 15V Se pide dibujar a Vd1 y Vd2, indicando las magnitudes,si Vm=170V, y N =0.1 Problema 3(2)

Problema 2(2)

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PROBLEMAS

Problema 4(2)

Problema 7

4)El circuito adjunto se conoce como un doblador de voltaje y se utiliza con frcuencia para proveer operacin con doble voltaje. Se pide : Dibujar el circuito equivalente y dibujar Vdc si el interruptor S est 1)abierto.2)Cerrado 5)Disear un rectificador para una carga de R=24 w; V= 12V3%;La fuente es de 120 V,60 hz.El diseo debe incluir:a)Caractersticas del transformador;b)Parmetros de los dodos;c)Parmetros del filtro 6)Para alimentar un motor DC de 50HP,200V, se requiere disear un rectificador .El diseo debe incluir la seleccin de la fuente de CA, el modelamiento del motor , las caractersticas nominales de los dodos ; la caracterstica nominal del transformador y caractersticas del filtro 7)Se dispone de un sistema trifsico de 440V,60hz,Se requiere alimentar una carga de voltaje constante, de 20Kw, 240 Vdc. Se propone para resolver el problema un rectificador trifsico de 6 pulsos, con un transformador delta-estrella. Se pide determinar : a)Las caractersticas nominales de los dodos.b)Caractersticas nominales del transformador delta-estrella. c)Factor de potencia en la fuente.d)THD de la corriente de la fuente.e )Factor de rizo en la carga
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PROBLEMAS

Problema 8(2)

8) Una manera alterna para obtener el rectificador de 12 pulsos, se muestra en el circuito adjunto, donde se conectan en paralelo los rectificadores de 6 pulsos. Asuma van=Vm sen wt .Se pide : a)Dibujar vd y calcular <vd> b)Determinar el valor eficaz de la corriente para los dodos. c)Determinar la forma de onda de la corriente de la fuente. d)Hacer un anlisis comparativo, con el rectificador serie de 12 pulsos.

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UNIDAD IV
CONVERTIDORES CA-CD CONTROLADOS

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CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS


4.0 INTRODUCCION La mayora de actividades industriales que utilizan corriente continua, tales como los procesos electroqumicos (galvanizado,cromado,niquelado carga de bateras ,etc) y los accionamientos de motores,para transporte de personas y carga, requieren de fuentes variables debido a las condiciones cambiantes de la carga. La solucin ms prctica para esta situacin, es utilizar un convertidor CA/CD controlado y adicionarle un filtro en caso de ser necesario. El convertidor CA/CD controlado, supone la utilizacin de un dispositivo controlado a la conduccin y al apagado .El SCR es un dispositivo controlado a la conduccin, y el apagado ocurre de una manera natural ,ya que la fuente alterna hace reducir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento en cada semiciclo. Por lo anterior, se estudiarn los convertidores CA/CD, accionados por SCRs, en sus modalidades monofsica y trifsica

a)Cargador de bateras

b)Control de velocidad de motores DC Fig 4.0.0 Aplicaciones de Convertidores CA/CD controlados

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CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS


4.1 RECTIFICADOR CONTROLADO MEDIA ONDA Y CARGA RESISTIVA(1) Se inicia el semiciclo positivo y se polariza en directo el SCR, pero no conduce hasta (ngulo de encendido), cuando se le aplica el pulso de corriente en la compuerta. El SCR conduce hasta wt=, cuando desaparece la corriente, por ser la carga resistiva. El voltaje promedio en la carga es: a)Circuito(1)

1 V sen(wt)d(w t) d 2 m V < v >= m (1 + cos ) (4.01) d 2 < v >=

El voltaje en la carga se puede controlar, variando el ngulo de encendido o disparo. El ngulo de encendido se mide con referencia al ngulo de conduccin, cuando se sustituye el SCR por un dodo. b)Formas de onda(1) El rectificador monofsico controlado presenta, al igual que el no controlado, altos niveles de distorsin en la fuente y valores Fig 4.01 Rectificador controlado media onda con altos del factor de rizado en la carga. carga resistiva

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CONVERTIDORES CA/CD CONTROLADOS


4.2 RECTIFICADOR CONTROLADO TIPO SEMIPUENTE(6) Se considera el rectificador controlado tipo semipuente (fig. 4.02 a), con una carga resistiva. Las formas de onda de los pulsos de las corrientes de compuerta de Q1 y Q2 se muestran el la fig. 4.02 b). En wt =, Q1 se polariza en directo, y al aplicarle el pulso de corriente en la compuerta conduce, y se aplica a la carga el voltaje vs, hasta que deja de conducir Q1,porque su corriente decae a 0 en wt=. En wt=+ se encuentra polarizado en directo Q2, y al aplicarle el pulso de corriente en la compuerta conduce, y le aplica a la carga el semiciclo negativo de vs invertido, hasta que deja de conducir Q2, porque su corriente decae a 0 en wt= 2. El voltaje promedio en la carga es:

a)Circuito(5)

b)Formas de onda Fig 4.02 Rectificador semipuente con carga resistiva

1 V sen(wt) d(wt) d m V < v >= m (1 + cos ) (4.02) d <v >=

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4.3 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO PUENTE CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA(1) Se asume una carga altamente inductiva (Id). En wt=0, conducen Q3 y Q4 y estn apagados Q1 y Q2. Al iniciarse el semiciclo positivo (wt0) la polaridad + de la fuente se traslada a travs de Q4 al negativo de la carga, cuyo voltaje (Vd) inicia una excursin negativa (fig. 4.03b). En wt=, se invierte la polaridad de vd por accin de Q1 y Q2, los que conducen por la aplicacin de los pulsos de corriente (ig1,ig2). Para <wt<(+) ocurre un proceso anlogo. a)Circuito(1) El voltaje promedio en la carga (vd) es: + sen(wt)d(w t) V m < v >= d 2V m < v >= cos (4.03) d Si 0<</2, <Vd> es positivo, Id>o, la carga consume potencia y el flujo de energa es del lado CA a CD (rectificador) en un proceso de regimen permanente. S /2<<, <vd> es negativo, Id sigue siendo positivo (Id debe ser Formas de onda positivo para que los SCR puedan conducir), la carga genera energa, b)Formas de onda(1) que proviene de su campo b)Formas de onda magntico, y el flujo de energa es de Fig 4.03Rectificador controlado CD a CA (inversor) en un proceso de onda completa transitorio.
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4.4 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO PUENTE Y CARGA CON FUERZA ELECTROMOTRIZ Se asume un valor alto de L ,para que la corriente en la carga (ig) sea continua. Se considera una carga con una resistencia interna, por ejemplo una batera. Si la corriente es continua, el voltaje vd depende de la fuente alterna . Si el valor de L es inferior a un valor crtico, la corriente es discontinua y durante el tiempo que dura la discontinuidad el valor de vd es el de la fuente (E). Si la corriente es continua el valor promedio de vd es ( ec.4.03):

a)Circuito(1)

< vd >=

2Vm

cos

Aplicando la ley de Kirchhoff de voltajes a los valores promedios, se obtiene el valor promedio de la corriente en la carga b)Formas de onda de vd y ig

< > E < i >= vd B R

(4.04)

Fig 4.04.Rectificador controlado de onda completa y carga con fuerza electromotriz

Si la carga es una batera, E aumenta con el tiempo de carga. Si es un motor, E depende de la velocidad del motor, y por tanto de la carga mecnica que acciona el motor.
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4.5 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA COMPLETA TIPO PUENTE(1) Se asume en la carga L/R10T (perodo de vd), para que la corriente sea constante (Id). La corriente de la fuente es alterna rectangular, debido a la ausencia de inductancia en la fuente. La corriente atrasa al voltaje por el ngulo de disparo() (fig. 4.05b) El factor de potencia de la fuente es: : a)Circuito(1)

is

Fp = Fp =

P fuente S fuente

< v > I d d V m Is 2

2V m I cos d (V m I ) d 2 (4.05) F p = 2 2 cos


Otra manera de determinar el factor de potencia es:

Formas de onda(1) . Fig 4.05 Factor de potencia en un rectificador de onda completa

I Fp = F F ; F = s1 ;F = cos d d Is 4I d Fp = 2 cos = 0.9cos (4.06) I d


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4.6 RECTIFICADOR TIPO PUENTE CON INDUCTANCIA DE CONMUTACION(1) El proceso de conmutacin es similar al del circuito con dodos, con la diferencia que la conmutacin no se inicia en wt=0, sino en . Para el proceso de conmutacin se cumple:

a)Circuito

La forma de onda del voltaje se muestra en la fig.4.06b. De esta figura se obtiene el valor del voltaje promedio como:

+ I Vmsen(wt)d(wt) d dis = wLc I d 1(cos 2Xc Id ) (4.07) = cos Vm

V m sen(wt)d(w + sen(wt)d(w < v >= t) t) d 0 +

V < v >= m [cos + cos( + )] d X I 2V < v >= m cos c d (4.08) d Vm


b)Formas de onda . Fig 4.06 Rectificador puente con Inductancia de conmutacin Una consecuencia lgica de la inductancia en la fuente, es la regulacin del voltaje por la carga. La forma de onda de la corriente es similar a la del convertidor no controlado .
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4.7 RECTIFICADOR MONOFASICO CONTROLADO TIPO SEMIPUENTE CON CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA Se asume una carga altamente inductiva (Id). En wt=0, conducen Q2 y D1 , no conducen Q1 y D2, e is= -Id. Al iniciarse el semiciclo positivo (wt0) la fuente polariza en directo a D2 y bloquea a D1. La corriente de la carga circula por D2-Q2, is=0 y vd=0. En wt=, se aplica el pulso de corriente (ig1) a Q1(se boquea Q2), la corriente de la carga circula por la fuente a travs de Q1 y D2. El voltaje promedio en la carga (vd) es:

a)Circuito(1)

< v
b)Forma de onda de vd is

d d

>= >=

V m sen(wt)d ( wt)

< v

m (cos + 1)

(4.09)

El convertidor funciona nicamente en el modo rectificador, ya que al no existir una excursin en la parte negativa del voltaje, vd no puede cambiar su polaridad. La forma de onda de vd se muestra en la fig. 4.07b) c)Forma de onda de is Fig 4.07 Rectificador controlado tipo semipuente La corrriente de la fuente es nula entre 0<wt<, cuando D2 y Q2 se comportan como dodos de rueda libre. La forma de onda de is se muestra en la fig. 4.07c)

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4.8 FACTOR DE POTENCIA DEL RECTIFICADOR MONOFASICO ONDA COMPLETA TIPO SEMIPUENTE Se asume en la carga L/R10T (perodo de vd), para que la corriente sea constante (Id). La corriente de la fuente es alterna rectangular, pero es nula para 0 <wt< ya que conducen Q2 y D2 (fig4.04b) y debido a la ausencia de inductancia de conmutacin. El valor eficaz de la corriente de la fuente (is) es: ( ) I = I ( 4 . 10 ) s d El factor de potencia es : is

a)Circuito(1)

Fp =

P fuente S fuente Vm I

< v > I d d V m Is 2

Fp = Fp =

Vm 2

d (1 + cos ) d ( ) (4.11)

b)Forma de onda de is Fig 4.08 Factor de potencia en un rectificador en semipuente .

2 (1 + cos ) ( )

El factor de potencia es mayor que en el tipo puente

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4.9 RECTIFICADOR CONTROLADO SEMIPUENTE CON INDUCTANCIA DE CONMUTACION Y CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA(1) En wt = 0+ ,is comienza a aumentar de Id a 0. En wt = ,is comienza a aumentar de 0 a Id(Procesos de conmutacin) Para el proceso de conmutacin de 0 a Id, se cumple:

+ I Vmsen(wt) d dis = wLc 0

a)Circuito(1)

X I = cos 1(cos c d ) (4.12) Vm


La forma de onda de vd e is se muestran en la fig.4.09b).De esta figura se obtiene el valor del voltaje promedio como:
1 < v >= V sen(wt)d(wt) d + m V < v >= m [1 + cos( + )] d X I V m 1 + cos c d (4.13) < v >= d V m Una consecuencia lgica de la inductancia en la fuente, es la regulacin del voltaje por la carga.

b)Forma de onda de vd e is . Fig 4.09 Rectificador semipuente con inductancia de conmutacin

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4.10 CIRCUITOS DE CONTROL PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS 4.10.1 INTRODUCCION El circuito de control debe proveer una caracterstica de control lineal , para que la respuesta del control no dependa del punto de operacin del convertidor. El pulso de disparo de los tiristores se obtiene, de comparar una seal de a)Control rampa voltaje adecuada,con un voltaje de control. Para el rectificador media onda y el semipuente, en los que el voltaje de salida es proporcional a 1+cos, (ec.4.01 y 4.09) el pulso se obtiene de comparar el voltaje de control(V) con la seal 1+cos(wt) (fig. 4.10b). Para el circuito monofsico puente y el trifsico de 6 pulsos ,en los que el voltaje de salida es proporcional a cos, (ec.4.03 y 4.16),la seal de comparacin debe ser cos(wt). Algunos circuitos de control b)Control cosenoidal con offset(1) comparan, el voltaje de control con una seal rampa(VST), que inicia en el cruce del voltaje por cero, Fig 4.10 Tipos de control de convertidores (fig.4.10a) y la caracterstica CA/CD de control no es lineal.

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4.10.2 CONTROL TIPO RAMPA(3) El ngulo de disparo tiene como referencia, el ngulo en el cual conduce el rectificador controlado, si se sustituyen los SCR por dodos. Para los rectificadores monofsicos =0 ocurre en wt=0 y puede variar tericamente entre 0 y . El control tipo rampa obtiene el pulso de disparo, de la comparacin de un voltaje diente de sierra (vst=Kt) con un voltaje continuo de control (Vc) de magnitud variable (fig. 4.11a) a)Circuito(39 El voltaje diente de sierra debe iniciar en wt=0 (para obtener el pulso de disparo en =0, al compararlo con Vcontrol=0) y debe terminar con una amplitud VST max en wt=. Para que el voltaje diente de sierra inicie en wt=0, el generador diente de sierra se debe activar mediante un detector de cruce por 0, del voltaje de la fuente reducido (voltaje de sincronizacin). Este se obtiene mediante un transformador o un divisor de voltaje. El ngulo de disparo ()se obtiene de

b)Forma de onda de la rampa y los pulsos(3)

V = 180 control ..............(4.14) V ST max


Fig 4.11 Control tipo rampa Este tipo de control produce una funcin de transferencia no lneal

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4.10.3 CONTROL COSENOIDAL CON OFFSET La figura 4.11 muestra el diagrama de bloques, del circuito de control tipo cosenoidal, de un rectificador monofsico semipuente de onda completa Se deriva de la red de potencia un voltaje reducido(Vm) mediante un transformador o un divisor de voltaje (monitoreo de fase de alimentacin). Se integra la seal (desfasador de 90 y ) se le adiciona un off-set igual al valor mximo de la onda alterna derivada(Vm). A sta seal se le adiciona la seal invertida de ella misma, y se obtiene la seal total (fig. 4.11b)que se debe comparar con el voltaje de control ,el cual debe variar entre 0 y 2Vm.Del comparador se obtiene un pulso en y otro en +.Estos pulsos se aislan mediante un optoacoplador y se envan a la compuerta de los SCR del semi puente
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a)Diagrama de bloques

b)Seal de entrada al comparador . Fig 4.11Control cosenoidal

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4.10.4 CONTROL COSENOIDAL PURO

a)Diagrama de bloques

b)Seal de entrada al comparador . Fig 4.12Control cosenoidal

La figura 4.12 muestra el diagrama de bloques del circuito de control tipo cosenoidal, de un rectificador monofsico de onda completa tipo puente. Se deriva de la red de potencia un voltaje reducido(Vm) mediante un transformador o un divisor de voltaje (monitoreo de fase de alimentacin). Se integra la seal (desfasador de 90 de la ) onda alterna derivada (Vm).A esta seal se le adiciona la seal invertida de ella misma, y se obtiene la seal total (fig 4.12b)que se debe comparar con el voltaje de control ,el cual debe variar entre Vm y Vm.Del comparador se obtiene un pulso en y otro en +.Estos pulsos se aislan mediante un optoacoplador y se envan a la compuerta de los SCR del puente

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4.10.5 CONTROL DE LAZO CERRADO PARA RECTIFICADORES MONOFASICOS TIPO PUENTE(2) En el control cosenoidal , el ngulo de disparo(),se puede determinar grfica mente como la interseccin de la onda 2Vmcos(wt)/ (vint),con el valor promedio del voltaje de salida(<vd>) (fig.4.13 a). Si el voltaje de salida desciende, el ngulo de disparo aumenta y viceversa. Lo anterior se puede utilizar, para implementar un control de lazo cerrado de tipo proporcional, cuyo diagrama de bloques se muestra en la fig.4.13 b) Se compara la onda 2Vmcos(wt)/ con un voltaje de control dado por k(Vref<vd>).k es la ganancia de retroalimentacin, la cual no puede ser muy grande para que el circuito no oscile al ocurrir cambios en la carga. El voltaje promedio se obtiene haciendo pasar la salida del rectificador, a travs de un filtro pasa-bajo .

a)Control cosenoidal(2)

b)Diagrama de bloques(2)

Fig 4.13 Control de lazo cerrado

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4.11 RECTIFICADOR TRIFASICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS 4.11.1 VOLTAJE DE SALIDA Se asume una carga altamente inductiva(L/R10T/6) para que Id sea constante. Se define un sistema trifsico de secuencia a-b-c.

V =V sen (wt 30);V =V sen(wt 150 ); an m bn m V =V sen (wt 270 ) cn m


a)Circuito

V = 3V sen (wt ) m ab

(4.15 )

S se sustituyen los SCR por dodos(rectificador trifsico no controlado) ocurre la conduccin para =0(referencia para medir el ngulo de disparo).En el dominio del ngulo, para el disparo de Q1, =0 corresponde a wt=60 Q 1 y Q4 .

conducen para 60 + < wt < +120


b)Forma de onda de vd(1) El voltaje en la carga es:

2 + 3 Vabsen (wt)d(wt) + < Vd >= 3 /3 3 3 < V >= V cos (4.16) d m


El voltaje de salida (vd) consiste de un valor promedio(<vd>), y de un rizado alterno de 6 veces la frecuencia de la fuente.Las componentes armnicas se obtienen del anlisis de Fourier
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c)Tabla de conduccin Fig 4.14.Rectificador trifsico controlado

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4.11 RECTIFICADOR TRIFASICO CONTROLADO DE SEIS PULSOS 4.11.2 CORRIENTES DE LA FUENTE Y FACTOR DE POTENCIA(3) Se asume una carga altamente inductiva(L/R10T/6), para que Id sea constante. Se define un sistema trifsico de secuencia a-b-c.

Potencia activa de salida Fp = Potencia aparente de entrada <V >I Fp = d d (4.17) 3VanIs
En la fig 4.10 se muestran las corrientes de lnea de la fuente (is) para diferentes .En la fase a, is es positiva para + 60 < wt < + 180 y negativa para + 240 < wt < + 360 . El valor eficaz Is es:
2I 2 120 2 d I = =I s d 3 360

(4.18)

De 4.08

3 3 < V >= V cos d m

Kp =
a) Corrientes de lnea fase a(3) . Fig 4.15 Corriente de lnea del Rectificador de 6 pulsos

<V >I 3 3Vm cos I / d =0.956cos d d= 3VanIs Vm I 2 d 3 3 2 (4.19)

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4.11.3 CONTROL RAMPA PARA RECTIFICADORES TRIFASICOS (6) (7) El ngulo de disparo tiene como referencia al ngulo que conduce el rectificador controlado, si se sustituyen los SCR por dodos. Para los rectificadores trifsicos =0 ocurre en wt=60 para Q1, y puede variar entre 0 y . Cada SCR tiene un circuito de control independiente.La seal de sincronizacin(=0,wt=60 para Q 1 ) es Vac(atrasa a Vab en 60 ).Para Q 6 es Vbc,para Q3 Vba;para Q2 Vca;para Q5 Vcb y para Q4 es Vab. Las seales de sincronizacin se obtienen de un grupo de tres transformadores, conectados en delta(primario) estrella(secundario).El voltaje del primario es el de la fuente de potencia, y el secundario un voltaje reducido por ejemplo 8 V Cada voltaje de sincronizacin alimenta un circuito de control tipo rampa, para activar cada uno de los 6 SCR b)Circuito de control rampa para cada SCR(3) . Fig 4.16 Control rampa para rectificador trifsico Si se utiliza para el control un PIC, se utiliza un solo transformador y un circuito rampa para el pulso de Q1 ,y los otros se programan 60atrasados (Q6,Q3,Q2,Q5,Q4)

a)Circuito de voltajes de sincronizacin

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BIBLIOGRAFIA
1) Kassakian Verghese PRINCIPLES OF POWER ELECTRONICS 1995 Editorial Addison Wesley 2)P T. Krein ELEMENTS OF POWER ELECTRONICS 1998 Editorial Oxford University Press 3)Mohan N;Undeland T.M.;Robbins W.P. POWER ELECTRONICS 2003 Editorial John Wiley & sons Inc 4)Rashid M. H. POWER ELECTRONICS:CIRCUITS,DEVICES,AND APPLICATIONS 1993.Editorial Prentice-Hall 5)RashidM.H.(editor) POWER ELECTRONIC HANDBOOK 1993.www.rapidshare.com/filea/97921259.septiembre 24 2008 6) INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY POWER ELECRONIC pdf.www.onlinefreebooks.net.Julio 13 2008 7)S.B. Dewan;G.R. Slemon;A. Straughen.POWER SEMICONDUCTOR DRIVES.1984 Editorial John Wiley@sons . 8)JaiP. Agrawal POWER ELECTRONIC SYSTEMS Theory and design.2001 Editorial Prentice Hall

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ACTIVIDADES TEORIA
1)Dibujar la caracterstica de control (variable controlada vs variable de control) del rectificador controlado de media onda. Por qu no es lneal? Cmo se linealiza? 2)Dibujar la forma de onda del voltaje de salida del rectificador semipuente con carga altamente inductiva. 3)Describir la operacin del convertidor CA/CD controlado de onda completa, como rectificador y como inversor 4)Cmo se podra apagar un rectificador monofsico onda completa con carga altamente inductiva? Hacer un anlisis comparativo entre los 2 mtodos posibles. 5)Cmo se podra operar un rectificador onda completa, como inversor en regimen permanente? 6)Hacer un anlisis comparativo entre un rectificador semipuente y uno tipo puente. 7)Cul es la condicin limitante sobre el ngulo de disparo de un rectificador onda completa? 8)Cmo afecta al factor de potencia de la fuente la presencia de un inductor en la fuente de un rectificador tipo puente?Lo mejora o lo empeora? 9)Por qu el rectificador semipuente no puede trabajar como inversor? 10)Hacer un anlisis comparativo entre un rectificador semipuente y uno puente. Considere los siguientes aspectos: Costos, aspectos tcnicos, y condiciones de aplicacin. 11)Cul es la funcin del circuito de control?Como se logra el objetivo del circuito de control?Cuantos tipos de control se conocen?. 12)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,el circuito de control tipo rampa. 13)Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control cosenoidal con offset. 14) Explicar utilizando un diagrama de bloques, el circuito de control cosenoidal puro. 15)Explicar utilizando un diagrama de bloques ,un circuito de control de lazo cerrado para un rectificador monofsico de onda completa.
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ACTIVIDADES TEORIA
16)Deducir la tabla de conduccin del rectificador trifsico de 6 pulsos(fig 4.14c) 17)Hacer un diagrama de bloques ,indicando la funcin de cada bloque,del circuito de control del rectificador trifsico de 6 pulsos.

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PROBLEMAS
1)Para el rectificador controlado con dodo de rueda libre de la figura se pide : a)Deducir y graficar el voltaje promedio de salida (<vd>) en funcin del ngulo de disparo(). b)Analizar si es posible el trabajo como inversor. Problema 1 2)Se sustituye en el circuito anterior el dodo de rueda libre por un SCR. Las formas de onda de las corrientes de compuerta se muestran en la figura adjunta. Se pide: a)Deducir y graficar la caracterstica de control: vd , en funcin del ngulo de disparo. b)Analizar si es posible el trabajo como inversor. 3)Para el rectificador de onda completa tipo semipuente, con carga resistiva (fig. 4.02) con N=10 ,Vs=170V y f=60hz.se pide: a)Dibujar la forma de onda de corriente en la fuente. b)Deducir el factor de potencia en un devanado secundario. c)Deducir el factor de potencia en la fuente.

Problema 2

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PROBLEMAS
4)Para el convertidor controlado de media onda de la figura,los SCR son complementarios , se pide deducir y dibujar las curvas de regulacin(vd=f(Xc,Id)), para diferentes , 5)Para el rectificador monofsico tipo puente con carga con f.e.m.(fig.4.04), se pide dibujar la forma de onda de vd ,para L<Lcritica 6)Las bateras de cidoplomo presentan cierta resistencia interna .Por ejemplo si se cortocircuita una batera de 12V, circula una corriente de 240 A y por lo tanto la resistencia interna es de 50 m . Se utiliza un convertidor monofsico tipo puente controlado, con L>>Lcritica como cargador de bateras (Problema 5).La batera se modela por una fuente ideal de 72V, en serie con una resistencia de 0.24 .Se pide deducir y graficar ID en funcin de

Problema 4

Problema 5

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PROBLEMAS
7)Dada la capacidad de Amperio-hora de una batera, por ejemplo 400 A-H, se pide disear un cargador para estas bateras ,teniendo en cuenta:a)Caracterstica de corriente y voltaje durante la carga.b) THD de la corriente

Problema 8

8)El rectificador semipuente trifsico de la figura adjunta, alimenta una carga altamente inductiva.Se pide a)Determinar el valor del voltaje promedio de salida. b)Determinar el THD de la corriente de la fuente. .Describir la funcin de D1

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