NOMBRE DE LOS ALUMNOS

:
CRUZ MIGUEL JULIAN MIJANGOS ROSILLO JORGE SANCHEZ CASTILLO JOEL

GRADO:
4 SEMESTRE

GRUPO:
4k

TRABAJO:
APUNTES

NOMBRE DEL ASESOR:
ING. MARQUEZ CASTILLO ZENAIDO

ESPECIALIDAD:
INGENIERÍA ELECTICA

HCA. CD DE JUCHITAN DE ZARAGOZA A 11 DE MARZO DEL 2012

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INDICE:

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1.1.-Referencia bibliográfica
El desarrollo del transistor y del circuito integrado va conducido a importantes ventajas de la electrónica.

Un avance fundamental en la electrónica ocurrió en 1947, cuando se presento el primer transistor y desde entonces hasta 1959, el transistor estaba disponible solo como un dispositivo discreto. Por lo que la fabricación de circuitos, prefirió que las terminales de los transistores se soldaran directamente en las terminales, del otro componente.

En 1958, se presenta el primer circuito integrado patentado en germanio.

Aproximadamente al mismo tiempo, se produjo el circuito integrado del silicio. el desarrollo del circuito integrado continuo a una gran velocidad a lo largo de la década de los 60 pasando fundamentalmente a la tecnología del transistor bipolar.

A partir de allí el transistor de metal oxido semiconductor y la tecnología del circuito integrado MOS ha surgido como la fuerza dominante, especialmente en los circuitos integrados digitales, desde el primer circuito integrado el diseño de los circuitos integrados, se a vuelto mas sofisticado y el circuito integrado mas complejo.

En la actualidad el circuito integrado puede tener muchas funciones aritméticas, lógicas y de memoria, en un solo chip mini conductor.

El principal ejemplo de estos circuitos integrados es el microprocesador.

1,2.- CONCEPTO DE ELECTRONICA

La electrónica es una rama de la física que estudia a los electrones, la emisión y el movimiento de los mismos, en el vacio, gases o cuerpos sólidos y desde otro punto de vista se aplica
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Los transistores también de le consideran dispositivos activos. Las resistencias.también este termino a la técnica de fabricación de los dispositivos que utilizan a los electrones en estado libre como tubos electrónicos. a este fenómeno se le denomina Amonieficacion. 4 . y semiconductores. La electrónica comprende por lo general transistores y circuitos transistorizados. Otra definición de electrónica es como la ciencia del movimiento de cargas en un gran vacio o semiconductor.-DISPOSITIVOS ACTIVOS Y PASIVOS. pero no puede entregar una potencia promedio mayor que cero. Los dispositivos activos tales como las fuentes de alimentación de corriente directa como las baterías y los generadores de señal de corriente alterna son capaces de suministrar potencia. la brinda la fuente de habilitación de corriente directa. La nanotecnología se relaciona a la tecnología a nivel de los átomos. los inductores y capacitores pueden almacenar energía. los capacitores y los inductores.3. son ejemplos de dispositivos pasivos. 1. En un dispositivo pasivo la potencia promedio en un tiempo entregada a sus dispositivos de un periodo infinito siempre es mayor o igual a cero. En un intervalo de tiempo infinito. transistores. La potencia adiciona en la señal. puesto que son capaces de proveer mas potencia de señal a una carga de la que reciben. La microelectrónica: se refiere a la tecnología de los circuitos integrados la cual puede producir un chip con varios millones de componentes en una sola pieza de material semiconductor.

Rt= R1+R2+R3+…Rn - Paralelo: Se da en amperes.RESISTENCIA: Serie. CAPACITANCIA: serie 5 .

Se da en micro faradios 6 .Paralelo: Ct=C1+C2+C3+…Cn.

-COMPOTAMIENTO DE LOS COMPONENTES PASIVOS EN C.4. Se da en mili Henry 1. Los componentes pasivos tienen distintos comportamiento cuando se les aplican 2 corrientes de distintas naturalezas. una alterna y otra continua.INDUCTANCIA: Lt=L1+L2+L3+…Ln. Grafica del voltaje: 7 . Las resistencias son los únicos elementos pasivos para los cuales la respuesta es la misma tanto para corriente alterna como para corriente directa.A.

Ic v IR IL Entrada Circuitos Entrada Electrónicos Salida Salida Analógicos Señales digitales Analógicos: 8 .

Frecuencia: 1 + 1 + + 9 .A.Digitales: PARAMETROS IMPORTANTES EN C.

Valor máximo: valor del voltaje en las crestas y el valor de la onda. 10 . Onda senoidal o sinsoidal + + 1 segundo - ciclo F=ciclo por segundo= Periodo: es el tiempo que tarda en desplazarse un ciclo Periodo Valor instantáneo: valor del voltaje en cualquier instante del tiempo.+ - Se repite 60 veces en un segundo.

cresta Vmax Vmax valle Valor medio: ∫ ( ) Valor pico a pico: Vpp Onda pulsatoria o cuadrada: 11 .

Onda triangular: Onda diente de sierra: Onda de C.D. 12 .

los compuestos de átomos de la columna III y la columna IV así como también algunas combinaciones de la columna III y VI constituyen los semiconductores intermedios o compuestos. Los semiconductores de la columna IV silicio y germanio se llaman semiconductores elementales. los transistores y los circuitos integrados. fosfato y ástato. Edemas de los materiales elementales. tales como los diodos rectificadores. Dentro de los semiconductores. el fosfato de galio y compuestos mezclados como el galio. aquellos con valores de la resistividad menor de se llaman conductores. Los emisores de luz semiconductores se hacen de compuestos tales como el ástato de galio. 13 . excitación óptica o en el contenido de las impurezas. el silicio se usa para la mayoría de los dispositivos semiconductores. debido a que están compuestos por una sola especie de átomos. Semiconductores: son cuerpos que tienen conductividad eléctrica intermedia entre los materiales y los dieléctricos.T DIODOS: Materiales semiconductores: Los materiales se clasifican de acuerdo a las resistividades. Los materiales semiconductores se encuentran en la columna IV y las columnas vecinas de la tabla periódica. mientras que los que tienen resistividad de se llaman aisladores y los que tienen se llaman semiconductores. La conductividad de los semiconductores cambia por medio de la temperatura.

Los detectores de luz se hacen comúnmente con indio y antimonio y con selenio de cadmio. y otros compuestos tales como las sales de plomo.Los materiales fluorescentes como los que se usan en pantallas de televisión son semiconductores compuestos de columnas II y IV como el zinc. Símbolo del diodo normal Símbolo del diodo zener Aproximaciones del diodo 14 . En los años 50 el germanio fue el material semiconductor mas usado. como el telurio de plomo y el selenio de plomo. la principal razón para que ahora se use el silicio es que los dispositivos exigen menor corriente de fuga. Las propiedades electrónicas y ópticas de los materiales semiconductores se afectan fuertemente al medir las impurezas. son ampliamente usados en detectores de radiación nuclear e infrarrojo. el silicio y el germanio. no es soluble en agua y puede crecer térmicamente dióxido de silicio de alta calidad. los cuales se pueden agregar en cantidades controladas con precisión. tales impurezas se usan para variar la conductividad de los semiconductores. A este proceso controlado de adición de impurezas se le llama contaminación o dopado.

En términos de circuitos un diodo ideal actúa como un interruptor cuando el diodo esta polarizado directamente conduce interruptor cerrado.7 volts para que el diodo del ciclo realmente sea un buen conductor.7 volts= silicio 0. El voltaje adicional aparase aplicado a la resistencia interna de tal manera que el voltaje total del diodo es mayor a 0. habrá ocasiones en que la aproximación ideal será demasiado inexacta. 15 .34 volts= germanio 0.7 volts. se hace necesario considerar el voltaje de codo.1 aproximación Cuando el diodo conduce bien en polarización directa y no conducen por la polarización inversa. esto es un buen principio para saber como operan los circuitos con diodos. Cuando el voltaje de la fuente es pequeño. Directa 0. Aun cuando esta aproximación del diodo parezca exagerada. 2 Aproximación Se necesita alrededor de 0. por esta razón se necesita de una segunda aproximación y hasta de una tercera aproximación. Pol.25 volts= sulfato 3 aproximación Se incluye su resistencia interna.

5K Ω 10v c.d s Tipos de diodos y su símbolo Diodo schottky 16 .7+IfR Valor final Ejemplo: Utilizando la segunda aproximación del diodo calcule la corriente del diodo en el circuito siguiente.VF=0.

el voltaje en la cara N aumenta y no hay circulación de corriente. El platino se usa para material ocupador para los electrones cuando se esta unido al silicio de tipo N. como platino con silicio tipo N. los electrones de la región N están sometidos a un potencial positivo del lado del metal de la unión y aparece una circulación de corriente y electrones. Cuando este voltaje positivo llega a ser suficientemente grande. Polarización inversa Cuando se invierte el voltaje aplicado al diodo de modo que el material N se hace positivo con respecto al platino. la corriente es debida a los electrones que se mueven desde el ciclo tipo N atraves del metal. Cuando el diodo schottky funciona con polarización directa.El diodo schottky esta formado por una unión elemental. así los electrones se difunden inicialmente en el metal. impide la posterior difusión de los electrones. Símbolo del diodo schottky. A K 17 . este dispositivo tiene almacenamiento de carga despreciable y se aplica en conmutación de alta velocidad. el tiempo de recombinación τ es muy pequeño al orden de 10 Ps. Neutro Pt RL + - S N Polarización directa Cuando se aplica externamente un voltaje positivo entre las terminales del diodo. Esta distribución hace que el metal de tipo N se empobrezca de electrones cerca de la unión y por consiguiente adquiere un potencial positivo.

Almacenamiento de carga Debido al tiempo de vida de los portadores minoritarios. Si de súbdito se polariza un diodo de manera inversa. Esta diferencia en tamaño de las orbitas sele llama barrera de schottky. recambien la corriente alta permanece inversa. los electrones libres sobre el lado N están en orbitas mas pequeñas que los electrones del lado metálico. Cuando los diodos están polarizados directamente los electrones del lado N adquieren suficiente energía para desplazar las orbitas mayores. ósea. mayor será el numero de cargas almacenadas. Porque si repentinamente se invierte la polarización del diodo. pero debe considerarse para fracuencias iguales o mayores a 10 MH. las cargas de un diodo polarizado directamente se almacenan temporalmente en diferentes bandas de energía cerca de la unión J1 cuando mayor sea la corriente de polarización directa. Debido a esto los electrones pueden cruzar la unión J e introducirse en el metal produciendo una corriente de polarización directa grande. que no se notan su efecto en frecuencias mayores de 10 MH. Este efecto se denomina almacenamiento de cargas. debido a que los metales no tienen hueco no hay almacenamiento de carga ni tiempo inverso de recuperación. puede producir por un momento una corriente inversa grande debido a las cargas almacenadas. Hasta que las cargas almacenadas crucen la unión. 18 . las cargas almacenadas pueden fluir en la dirección inversa por un momento. El tir es el tiempo que requiere la corriente inversa para disminuir hasta el 10% la corriente de polarización directa. El tiempo que toma un diodo con polarización inversa para que ya no opere se le denomina tir. Eliminación de almacenamiento de cargas Cuando el diodo schottky no esta polarizado. El tiempo inverso de la polarización es tan corto en diodos con señales pequeñas. Tiempo inverso de recuperación (tir) El almacenamiento de cargas es importante cuando se trata de conmutar un diodo de su estado de conducción a su estado de no conducción.

este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. por lo que el diodo esaki también es útil en la aplicación de alta velocidad. Una aplicación muy importante de los diodos schottky es en las computadoras ya que la velocidad de las computadoras depende de la rapidez de los diodos y transistores pueden conmutar de su estado de conducción a su estado de no conducción. provocando que la zona desértica sea pequeña. Un diodo schottky puede rectificar mas fácilmente frecuencias mayores de 300MH. mayores a 1GH. Esto aumenta la velocidad de operación. Su símbolo es: 19 . Diodo túnel o esaki El diodo túnel esta mas contaminado que el diodo zener. Se puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas.La falta de almacenamiento de carga significa que el diodo schottky conmuta mucho mas rápido que un diodo ordinario. ya que para todo su propósito sele puede representar como un corto circuito en sentido directo y un circuito abierto en sentido inverso. estas frecuencias del diodo tiene una impedancia muy alta cuando esta inversamente polarizada y una impedancia muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. El símbolo del diodo esaki es: A K A K Diodo pin Es un diodo que presenta sus regiones N y P altamente dopadas separadas por una región de material que es casi intrínseco.

Un electrón puede caer de la banda de conducción a un hueco y liberar energía en la forma de un fotón de luz. el diodo gunn oscila a muy alta frecuencia. el led transforma la energía eléctrica en luz. En presencia de campos eléctricos elevados.P A k Diodos gunn Es un dispositivo semiconductor que tiene una sucesión de 3 capas de material de tipo N. 20 . que están algo dopadas. Su símbolo es: G A k Diodos emisores de luz led’s Cientos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energía eléctrica a fuente de energía lumínica. es útil para diversas formas de despliegues y también se utiliza como fuente de luz en aplicaciones en comunicaciones por fibra óptica.

A K Símbolo del led: los elementos componentes son transparentes o coloreadas de un material de resina ejocil. con la que incluyen el corazón del led de chip semiconductor. bigote yunke + 21 .

Los fotodiodos transforman la luz en energía eléctrica. 22 .+ Los led´s operan con un voltaje regularmente bajo entre 1v y 4v y la corriente esta entre un rango de 10 a 40 mA. Los led´s transforman la energía eléctrica en luz.

BJT´S El transistor de unión bipolar BJT es un dispositivo electrónico de estado solido. N P P N Muy cercanas que permite controlar el paso de la corriente atreves de sus terminales. Un transistor de unión bipolar esta formado por uniones de tipo PN en un solo cristal semiconductor. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de electricidad de dos polaridades que son los electrones negativos y los huecos positivos y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones. comportándose como un metal. su nombre se debe a que esta terminal funciona como un emisor de portadores de carga.. como la tecnología TTL.inv 23 . de esta manera queda formada 3 regiones que son: emisor. La región de base es la intermedia muy estrecha que separa al emisor del colector y la región del colector y la región del colector es la de mayor extensión que las otras 2 regiones. mientras que la base emisor J2 esta polarizada en inversa. que se diferencia de las otras dos formas.Unidad II. consistente en dos uniones PN. En su funcionamiento normal la unión base emisor J1 esta polarizada directamente. aunque también en aplicaciones de electrónica digital. Los portadores de carga emitidas por el emisor atraviesa la base que puede ser muy angosta hay poca recombinación de portadores y la mayoría pasa al colector- 100% % N Pol.dir 95% J1 P J2 N Pol. los BJT´S son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica. o BICMOS.

y de tipo P en un PNP. estado de actividad. que son: estado de corte. estas regiones son de tipo P. normalmente no es simétrico.N. la región de la base y la región del colector. lo que hace que el valor resultante de la ganancia α se acerque mucho a la unidad.El transistor posee 3 estados de operación. y en tipo N. de tipo N. estado de saturación. E B C N P N emisor RL P N P colector RL 24 . ligeramente dopado. y buna C según corresponda. Estructura interna de los BJT´S Un transistor BJT consiste en 3 regiones semiconductoras dopadas. Y por eso otorgarle al transistor una gran ganancia β el transistor de una unión bipolar. El colector rodea la parte del emisor. haciendo casi imposible por los electrones inyectados por la región de la base escapar de ser colectados. la región del semiconductor esta conectada a una terminal denominada emisor de una E. a diferencia de otras transistores. La bese esta físicamente localizada entre el emisor y el colector. base con una B. esta compuesta de material semiconductor. de tipo NPN. la región del emisor.P. puede ser NPN o PNP.

cambie significativamente. Pequeños cambios de voltajes aplicados a las tenciones base emisor. mientras que el emisor esta dopado. están compuestos de silicio. la razón por el cual el emisor esta altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores de emisor. Un transistor NPN se puede considerar como dos diodos con la región del ánodo compartida. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio. base emisor J1 debe provenir del emisor. la unión base emisor J1 esta polarizada en directa con voltaje negativo en el emisor. para obtener buena ganancia de corriente. hace que los valores de α y β en modo inverso sea mucho más pequeños. genera que la corriente que circula por el emisor y el colector. El efecto de utiliza para amplificar el voltaje de la corriente de entrada. 25 .Esto significa que intercambiando el colector el emisor hace que el transistor deje de funcionar en modo activo. pero la mayoría de los BJT´S modernos. Actualmente una pequeña parte de los transistores bipolares de etéreo cultura están hechos de Alcenuro de galio. que se utiliza para la fabricación de alta velocidad. El bajo desempeño de los BJT´S muchas veces se utiliza para procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente. A su vez prácticamente toda los portadores que llegaron a la base son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. permitiendo que pueda se aplicado un a alta tensión inversa en la unión colector base J2. La tasa de ´portadores inyectados por el emisor de relación con aquellos inyectados por la bese. en una operación típica. Funcionamiento del BJT Los portadores de carga de emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. La unión colector base se polariza en inversa durante su operación normal. la mayoría de los portadores. y comience a funcionar de modo inverso. Debido a que la estructura inversa del transistor esta normalmente optimizada para funcionar de modo activo intercambiar el colector cual el emisor. Y la unión base colector J2 esta polarizada en inversa con voltaje positivo en el colector. inyectados en la unión. El emisor esta altamente dopado.

Estos electrones vagan atreves de la base desde la región de alta concentración cercana a la región.Dir I2 P N Pol. La ganancia de corriente hacia el emisor común esta representada por o por . Inv C RL - + - + La región de la base en un transistor es constructivamente del grado.En un transistor NPN cuando un voltaje positivo se aplica a la unión base-emisor. para que los portadores puedan difundirse atravez de ella en menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor. el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotadas se desbalance. Estos electrones en la base se llaman portadores minoritarios. E N Rx Pol. los cuales generan huecos como portadores mayoritarios en la base. Estos aproximadamente la tasa de corriente continua del colector a la corriente continua de la base a la región activa directa y es típicamente mayor a 100. El alto dopaje de la región del emisor y el medio dopaje de la región de la base pueda causar que muchos más electrones son inyectados desde el emisor hacia la base que huecos de la base hacia el emisor. para minimizar el porcentaje de los portadores que recombinan antes de alcanzar la ultima base colector J2. 26 . hasta la región de baja concentración cercana al colector. Ganancias α y β del transistor BJT Una forma de medir la eficiencia del BJT es atravez de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. debido a que la bese esta dopado con material P. permitiendo a los electrones excitados técnicamente inyectarse a la región de la base.

Como un transistor de unión también conocido como transistor bipolar de omocultura. esto aumenta la eficiencia de inyección del emisor.Otro parámetro importante es la ganancia de corriente en base común. La inyección de portadores mejorada en la base permite que esto pueda tener mayor nivel de dopaje. generalmente en sistemas en radiofrecuencias. TBH El TBH es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy alta frecuencia de varios cientos de Giga Hertz (GH). 27 . su resistencia es relativamente alta. Los transistores de etéreo cultura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. es un dispositivo común hoy en día en circuitos ultra rápidos. material mas largo que la pasta.998 Las ganancias α y β se relacionan por las siguientes funciones. la eficiencia de la inyección en de portadores desde el emisor hacia la base esta principalmente determina por el nivel de dopaje entre el emisor y la base debido a que la base debe estar ligeramente dopado para permitir una alta eficiencia de inyección de portadores. Normalmente el emisor esta compuesto por una banda de. esta polarizado en directo.98 y 0. Esta tasa común mente tiene un valor cercano a la unidad que oscila entre 0. . lo que resulte en una menor resistencia. La ganancia de corriente de base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde el emisor hasta la base. REGIONE OPERATIVAS DEL TRANSISTOR: (por la forma en que son polarizados). Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la unión base-emisor.

ni en su región de corte entonces esta es una región intermedia. el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este caso normalmente se presenta. Corte: Un transistor esta en corte cuando la corriente del transistor es igual a cero y la del emisor es igual a cero. El voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo inverso es drásticamente menor. En esta región de corriente del transistor depende correctamente de la región de la base. de la ganancia de la corriente β y de las resistencias que se encuentren conectados en el colector y en el emisor. que es la región activa.Activa: Cuando u transistor ni en su región de saturación. Inversa: β 0 Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento del modo activo. En este modo la región del colector y del emisor cambian roles. Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar al transistor como un amplificador de señal. 28 .

Saturación: un transistor esta saturado cuando la corriente del transistor es máxima. y la del emisor es máxima. Cálculos para el transistor como interruptor 29 . Este caso se presenta cuando la corriente de la base máxima. El transistor como interruptor +V cc C V entrada R bin B tierra Si=0.3v S=0.25v En la figura anterior se muestra un diagrama esquemático donde el transistor se emplea como interruptor debe de conducir o no corriente cuando la corriente es bajo no hay flujo de corriente base-emisor como una corriente de base continua no hay corriente de colector y por lo tanto no circula corriente por la carga o sea que el transistor esta dopado o en corte. en este caso la magnitud en la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el emisor y el colector.7v CR=0.

3 Para garantizar el corte del transistor.6V para que fluya la corriente de fase al transistor. apareciendo todo el voltaje en las terminales de carga. los circuitos se sellan para que el voltaje de entrada sea menor que 0.3V.ent R C E Si=0. +Vcc=12v v.7-0. el voltaje de entrada es menor de 0. el transmisor debe de saturarse. resistencia de la base en serie de la unión base-emisor. entonces el voltaje de entrada: 30 . Para energizar la carga.Cuando el transmisor de cilicio esta en corte. Idealmente la corriente del colector debido a la ley de ohm es: Sustituyendo la primera ecuación en la segunda Con el circuito de la base.

=1V 0. 31 . por tanto no sufre desgaste y puede operar un número ilimitado de veces.7V Vsal Rcarga Tierra Ventajas: Ventajas de los transistores sobre los interruptores mecánicos convencionales 1.1V entre el colector y el emisor. no se recomienda conectar en serie varios transistores..8V 0.no tiene partes móviles.Sustituyendo ecuación 3 en 4 Comparación de un transistor con un interruptor mecánico Debido a que el transistor no puede saturarse hasta el punto en que el voltaje colector-emisor sea absolutamente cero ya que se tiene 0. porque estas pequeñas caídas se suman y producen una caída de voltaje apreciable.9V Vent. Vsal=1V Rcarga tierra 0.

.. 4.el transistor no presenta el rebote inherente de los interruptores mecánicos que cierran y abren rápidamente antes del cierre completo. el diodo colector se polariza inversamente.el transistor como interruptores mucho más rápido que un interruptor convencional. 5. los cuales cierran en mili segundos mientras que el transistor lo hace en microsegundos. 3. debido a que los niveles de contaminación es alto.2. Configuración del transistor en base común 32 . por otra parte el diodo colector tiene contaminación menos intensa. un voltaje inverso elevado puede ocasionar ruptura en cualquiera de ellos. Para que el transistor funcione normalmente. el diodo emisor tiene un bajo voltaje de ruptura de aproximadamente 30 a 5v.. así el voltaje de ruptura del colector emisor es mas alto entre 20 y 300v. Voltajes de ruptura Como las 2 partes del transistor son diodos.no tienen contactos físicamente expuestos por tanto es imposible que sustancias extrañas se adhieran a su superficie e impidan un buen cierre. Este voltaje de ruptura depende del ancho de la capa de agotamiento. el diodo colector entra en ruptura y puede dañarse por excesiva disipación de potencia.-cuando el transistor acciona una carga inductiva no se produce arco eléctrico al desconectar la carga. Cuando el voltaje de colector es demasiado grande. y de los niveles de contaminación.

inv Pol.E C Pol.dir B Base común Emisor común Colector común 33 .

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