LABORATORIO DE ELECTRÓNICA III SEGUNDA EXPERIENCIA CARACTERÍSTICA EXPONENCIAL INFORME PREVIO OBJETIVO.

Poder trabajar con circuitos de característica exponencial, haciendo su respectivo diseño de la fuente de corriente , así como los valores adecuados de los componentes, para obtener así la frecuencia de resonancia. FUNDAMENTO TEÓRICO

PROCEDIMIENTO.

1.- Armar el circuito de la experiencia con los valores diseñados en su informe previo. Además elegir el condensador “C” adecuada fin de que el tanque resuene entre 1.2MHz y 1.5MHz .

2.- Conecte el generador Vi con V1=260mV; llene el cuadro #1 anotando la frecuencia de resonancia y el ancho de banda (fo y BωT) es decir se graficará la respuesta en frecuencia.
F(KHz)

fo
Cuadro #1

Va

fo = ______ Bω(3dB) = _______ 3.- Con el generador de entrada a la frecuencia de resonancia del tanque varíe la amplitud de entrada y llenar el cuadro #2.
Vi(mV)

15

25

35

50

75

100

150

200

250

300

350

Vo Vb Cuadro #2

Para Vb dibuje la forma de onda (solamente para cuatro valores de V1) nota: considerar VT = 25mV 4.- Con el generador a V1=260mV llene el siguiente cuadro variando la frecuencia a los valores indicados.
F Vo(mV) Vb(mV) fo fo/2 fo/3 fo/4 fo/5 fo/6

Además dibuje las formas de onda para el informe final. 5.- Encuentre experimentalmente las características de la bobina. INFORME PREVIO. 1. Diseñe la fuente de corriente (IDC = 0.5mA) y la red de polarización de base del circuito mostrado en la presente experiencia, además elija un valor para Cn sabiendo que la frecuencia mínima de trabajo es 300Hz.

* Entonces de la Figura: I = (Vee-Vbe) / R’, donde R’ = Rc + Rp Vee = 6V Vbe = 0.7V Como : I = 0.5mA ==> R’ = (6 - 0.7) / 0.5 m = 10.6K Con Rc = 6.2K y Rp = 5K

* Como el transistor tiene un hfe = 100 ( de los manuales) IB = 5µA y de la curvas de los manuales, se observa que : VCE = 6V Y además observamos que trabajamos en la zona activa, si despreciamos la corriente IB , ya que es muy pequeña con respecto a la corriente que debe pasar a través de R1 y R2 .

Del circuito:

*

R1 + R2 = 6 / 0.5 = 12K ==> R1 + R2 = 12K

Para la malla C - E : Vcc = I * 0.2 + VCE1 + VCE2 - VEE Vcc + VEE - I * 0.2 = VCE1 + VCE2 VCE1 + VCE2 = 11.8V Para la malla B - E , tenemos: VBE1 + VCB2 - I.R - I.R2 = 0 VCB2 = I.R’ + I.R2 - VBE1 VCB2 = I ( R’ + R2 ) - VBE1 Como : VCE1 = 6V ==> VCE2 = 5.8V VCB2 + VBE2 = 5.8V VCB2 = 5.1 V * Entonces tenemos: R’ + R2 = 5.8 / 0.5m = 11.6K ==> R2 = 1K y R’ = 11K

* El Circuito en Pequeña señal es :

Z = j Xa + hib = hib En análisis de alterna la impedancia Z debe ser netamente reactiva: ==> Xa << hib En base común : hib = 21.6Ω

1 / wCa << 21.6 ==> 1 / 2πf.Ca << 21.6 Ca >> 1 / 2π(300).21.6 ---> ==> Ca >> 24.56 µF

Ca = 1000 µF

2. Determine una expresión general para Va , Vb y Vo en resonancia, asumir los datos de la bobina y Qr alto ( los datos del transistor son conocidos ).

R = 200Ω , RL = 1K , Rp = QT.Wo L

* Sea Rt = hob // RL(n2 / n1)2 // Rp XC = 1 / [wC/(n2)2 ] = (n2)2 / wC ZL = XL + R = wL + R => 1 / Z = 1/Rt + wC/(n2)2 + 1/(wL+R) => 1 / Z = [ (n2)2.wL + (n2)2.R + (w2.C.L+wCR)Rt + Rt.(n2)2] / [ Rt.(n2)2(wL+R)] => Z = [ Rt.(n2) 2(wL+R)] / [ (n2)2.wL + (n2)2.R + (w2.C.L+wCR)Rt + Rt.(n2)2 ] * Entonces: Va = Z.hfb. Ie ..............(1)

* Vi(t) - hrb.Vc = ( jXc + hib ). Ie => (2) en (1) : Va = Z. (hfb / hib).[ Vi(t) - hrb.Vc ] Donde Va = Vc Donde : Va + Z.[hfb / hie]. hrb.Va = Z. [ hfb / hie] Vi(t) Va [ hie + Z.hfb.hrb ] = Z.hfb.Vi(t) Va = [Z.hfb / (hie + Z.hfb.hrb)]. Vi(t) Ie = [Vi(t) - hrb.Vc] / hib ................(2)

Vb = R.hfb.Ie ........ (3) (2) en (3): Vb = R.[hfb/hib]. [ Vi - hrb.Vc ] Vb = R.[hfb/hib].[ Vi(t) - hrb.[Z.hfb/(hie+Z.hfb.hrb) ].Vi(t)] Vb = R.(hfb / hie).Vi(t) [ 1 - hrb.Z.hfb / (hib+Zhfb.hrb) ]

* Entonces :

Va = Vo.(n2 / n1) Vo = (n1 / n2).Va = (n1 / n2)[ Z.hfb.Vi(t) / (hie + Z.hfb.frb) ]

3. Calcule gm(X) para valores de V1 : 20, 50, 70, 100, 200, 300 y 350mV. * Para V1 = 100mV x = V1 / Vt = 100 / 26 = 3.8 gm = IDC / Vt = 0.5mA / 26mV = 0.0192Ω-1 = 19.2mΩ-1 Del grafico : Gm(3.8) / gm = 0.43 Gm(3.8) = 0.43x0.0192 = 8.256mΩ-1 Gm(3.8) = 8.256mΩ -1 * Para V1 = 200mV x = 200 / 26 = 7.69 ≈ 7.7 Del grafico : Gm(7.7) / gm = 0.23 Gm(7.7) = 0.23x0.0192 = 4.416 mΩ-1 Gm(7.7) = 4.416mΩ -1 * Para V1 = 300mV x = 300 / 26 = 11.53 Del grafico : Gm(11.53) / gm = 0.18 Gm(11.53) = 0.18x0.0192 = 3.456 mΩ-1 Gm(11.53) = 3.456mΩ -1 * Para V1 = 350mV x = 350 / 26 = 13.46 Del grafico : Gm(11.53) / gm = 0.16 Gm(11.53) = 0.16x0.0192 = 3.072 mΩ-1 Gm(11.53) = 3.072mΩ -1 4. Para Vi = 260mV. cos(wot / π ), encuentre una expresión general para Vo(t).

*

x = 260m / 26m = 10 Gm(10) / gm = 0.2 -->
-1 Gm(10) = 0.2 x 0.0192 = 3.84mΩ

Vo(t)/[1-M1] = Vcc + Gm(200 + Rp)[ 260 cos(wo/π)t ] Vo(t) = (1-M1){ Vcc + Gm(200+Rp).(260 cos(wo/π)t }mV

SIMULACIÓN PARA LA BOBINA ROJA

0
V 1 1 2 V

d c

R 3 1 k T X 1 R 1 9 . 8 4 k R 7 0 . 1 1
L s 1

k

L

p

V
L s 2

C 3 7 0 p O N L I N / R C 4VT - S 1 K E C

X F Q 1

R

M

V

_ N

0
Q V 1 C 1 0 . 1 R 2 1 4 . 9 4 U k 2 V d c Q 2 R 5 9 . 8 3 K 2 Q 3 C 2 1 0 0 0 V V F 2 N 2 2 2 2

0

0

u O A R F M E F P Q = L = = 0 V 3 E G 1 0 m 1 . 0 M

0
Q 2 N 2 2 2 2 Q 2 N 2 2 2 2

R 6 4 . 9 4

K

0

0

0

0

*VA y VB

*Vo