You are on page 1of 14

UNIVERSIDAD TECNOLGICA DE PANAM CENTRO REGIONAL DE AZUERO

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA LICENCIATURA EN INGENIERA ELECTROMECNICA

Circuitos Electrnicos II

Laboratorio MOSFET

Facilitador Francisco Canto

Educandos Edison Baule Yahir Ordez Cheyn Rodrguez 6-714-1956 6-714-2281 6-714-364

Entregado el 11 de junio Primer Semestre 2012

INTRODUCCIN
Dentro de la gama de transistores que existen actualmente podemos diferenciar los siguientes: la familia de los BJT y la familia de los FET. Los FET o transistores de efecto de campo son dispositivos que a diferencia de los BJT son controlados por tensin o diferencia de voltaje. En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin). Dentro de la familia de los FET podemos encontrar dos grandes divisiones: JFET y MOSFET. Los MOSFET o transistores de efecto de campo de unin metal semiconductor se dividen en dos grandes ramas: decrementales e incrementales, estos a su vez se dividen en canal n o canal p. En este laboratorio estudiamos el comportamiento de los MOSFET de varias maneras, por ejemplo, en polarizacin automtica con el voltaje de drenaje, el voltaje drenaje-fuente, la corriente de drenaje, etc. Por otro lado tambin estudiamos el comportamiento que existe entre el voltaje compuerta-fuente y el voltaje de entrada en corriente alterna, vimos las grficas en el osciloscopio. A lo largo de este informe se vern grficas que determinan el comportamiento del MOSFET, que para este caso especfico se estudi tanto un decremental como un incremental.

MARCO TERICO
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Polarizacin Automtica Para esta polarizacin utilizamos un Divisor de Voltaje, como lo muestran las figuras 6.20 y 6.21.

Como ya sabemos que IG = 0 A, el voltaje VG, igual al voltaje a travs de R2, lo podemos encontrar utilizando un divisor de voltaje de la siguiente manera:

As, aplicando las leyes de Kirchoff y sustituyendo, podemos obtener la siguiente ecuacin:

Si quisiramos saber el comportamiento de nuestro circuito, podemos graficar como se comporta la maya de entrada y de salida. Para facilitar el procedimiento establecemos que I D es igual a 0 (cero) amperes, y el valor de VGS para el dibujo ser de VG volts.

Anlisis de la Lnea de Carga de un sencillo Amplificador NMOS Las fuentes de tensin en continua polarizan el NMOS en un punto de trabajo adecuado para amplificar adecuadamente la seal de entrada Vin(t). Los puntos extremos de tensin Vgs definen los puntos de mxima excursin del punto Q (puntos de corte con la recta de carga), obtenindose as la Vds como amplificacin de la seal de entrada.

MATERIALES
Fuente de Voltaje (VDC) Transistor ECG2388 (MOSFET) Resistencias Multmetro Protoboard y Cables de Conexin

PROCEDIMIENTO
1. Siguiendo las indicaciones del profesor, desarrollamos el siguiente procedimiento. 2. Utilizando el programa de simulacin de circuitos, Multisim, implementamos el circuito de la siguiente figura. De igual manera lo armamos en protoboard.

3. Para desarrollar el punto 4 y por cuestiones prcticas, cambiamos los valores de las resistencias, quedando el circuito como se muestra. Posterior a la figura se presentan los resultados reales (armado en protoboard) e ideales (simulado en el software).

VG (V) 0,955

Real VGS (V) VDS (V) 0,955 19,84

ID (mA) 0

VG (V) 0,9798

Simulado VGS (V) VDS (V) 0,9732 19,926

ID (mA) 0,0213

4. Utilizando el software de simulacin Multisim, construimos el circuito calculando y variando los valores de las resistencias para el transistor Mosfet de la experiencia (ECG2388). As, resulto que el transistor trabajaba mejor para los siguientes valores de resistencias que tenamos.

R1 660 K

R2 34 K

R3 330

R4 3,4 K

1. Circuito a analizar

Vds ID

VGS ID

0 -8.88

0.2 -8.88

0.4 -8.88

0.6 -8.88

0.8 -8.88

1.0 -8.88

2.0 -8.88

3.0 -8.88

4.0 -8.88

5.0 -8.88

Vgs vs ID
0 -0.000001 -0.000002 -0.000003 -0.000004 -0.000005 -0.000006 -0.000007 -0.000008 -0.000009 -0.00001 Series1 0 1 2 3 4 5

2. Para Vgs = 1, Obtenga la grfica de Id vs Vgs para Vds de cero a 10 V. Vds VDS 0 2 4 ID ID 0 -1.554 -3.109

6 -4.44

8 -7.944

10 -8.88

Vgs vs ID
0 -0.000001 -0.000002 -0.000003 -0.000004 -0.000005 -0.000006 -0.000007 -0.000008 -0.000009 -0.00001 Series1 0 2 4 6 8 10 12

3. Repite el paso anterior para Vgs =2, 4, 5, 6, 8, 10 V. Vds ID Vgs = 2 VDS ID 0 0 2 -1.554 4 -3.109 Vgs vs ID
0 -0.000001 0 -0.000002 -0.000003 -0.000004 -0.000005 -0.000006 -0.000007 -0.000008 -0.000009 -0.00001 Series1 5 10 15

6 -4.44

8 -7.944

10 -8.88

Vds ID

Vgs = 4 VDS ID 0 0 2 -1.554 4 -3.109 Vgs vs ID 6 -4.44 8 -7.944 10 -8.88

0 -0.000001 0 -0.000002 -0.000003 -0.000004 -0.000005 -0.000006 -0.000007 -0.000008 -0.000009 -0.00001 Series1 5 10 15

Vds ID

Vgs = 5 VDS ID 0 0 2 1.76 A 4 1.761 A Vgs vs ID


2 1.8 1.6 1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 2 4 6 8 10 12 Series1

6 1.761 A

8 1.761 A

10 1.761 A

Vds ID

Vgs = 6 VDS ID 0 0 2 -5.662 A 4 -5.662 A 6 -5.662 A 8 -5.662 A 10 -5.662 A

Vgs vs ID
0 0 -1 -2 -3 Series1 -4 -5 -6 -7 2 4 6 8 10 12

Vds ID

Vgs = 8 VDS ID 0 0 2 -10.478 A 4 -15.479 A Vgs vs ID


0 -2 -4 -6 -8 Series1 -10 -12 -14 -16 -18 0 2 4 6 8 10 12

6 -15.482 A

8 -15.48 A

10 -15.412 A

Vds ID

Vgs = 10 0 0 2 -16.91 A 4 -21.712 A 6 26.50 A 8 26.54 A 10 26.543 A

Vgs vs ID
40 30 20 10 Series1 0 0 -10 -20 -30 2 4 6 8 10 12

Anlisis de la lnea de carga de un sencillo Amplificador NMOS 1. Arme el siguiente circuito utilizando Multisim y en un protoboard y obtenga los valores que se piden en los puntos 2 y 3.

2. Para Vin= 0 Simulado Real 3. Para Vin= 1 Simulado Real Vgs 4 3.86 ID 9.15 mA 18.67 mA VDS 10.86 V 1.64 V Vgs 4 4.03 ID 14.36 uA 18.65 mA VDS 19.98 V 1.64 V

CONCLUSIONES

Luego de realizada la experiencia, podemos concluir que: Es difcil que los valores reales y los simulados, den exactamente igual, ya que al armar el circuito en protoboard se puede incurrir en ciertos errores, adems los valores reales de las resistencias incluyen cierto porcentaje de inexactitud o incertidumbre. Cuando utilizamos la configuracin de polarizacin automtica (por divisor de voltaje), podemos asumir que la corriente de la compuerta es 0 (cero) ampere, ya que as permitimos un aislamiento entre la red de divisor de voltaje y la seccin de salida. Se pudo realizar las mediciones en los circuitos con transistores de efecto de campo de este laboratorio, haciendo ver las diferencias que existen en Vds e ID al variar el voltaje VGS. Con los resultados obtenidos en el laboratorio pudimos graficar en nuestro caso con Excel los diversos parmetros de un MOSFET y ver la manera en la que cada una de ellas se comporta, ya sea variando dos de ellas, mientras que la otra se mantiene constante, mayormente el voltaje compuerta-fuente. En el caso de un amplificador NMOS utilizado en la tercera parte podemos decir que es un tipo de amplificador de baja seal, en donde los puntos extremos de tensin (Vgs) determinan los puntos de mxima excursin de Q. Es necesario en un circuito de amplificacin con un NMOS que la corriente directa se polarice para poderse amplificar correctamente el Vin.

BIBLIOGRAFA
Apuntes de la Clase. Amplificadores de Pequea Seal. Universidad de Murcia. http://www.google.com.pa/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=1&ved=0 CE4QFjAA&url=http%3A%2F%2Focw.um.es%2Fingenierias%2Ftecnologia-y-sistemaselectronicos%2Fmaterial-de-clase-1%2Ftema-5.-amplificadores-de-pequenasenal.pdf&ei=Rk_VT_CxBYii9QSOzIHuAw&usg=AFQjCNE_VmoqlOWukEvPSFi1Uwa18C cxvw&sig2=kss8WRVN10fvOzFJXIUk3g