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Technische Information / technical information

IGBT-Module IGBT-modules

FP15R12W1T4

EasyPIM™ Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTC EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 1200V I† ÒÓÑ = 15A / I†ç¢ = 30A

Typische Anwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe Elektrische Eigenschaften • Niedrige Schaltverluste • Trench IGBT 4 • V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten • niedriges V†ŠÙÈÚ Mechanische Eigenschaften • AlèOé Substrat für kleinen thermischen Widerstand • Kompaktes Design • Lötverbindungs Technologie • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern

Typical Applications • Auxiliary Inverters • Airconditions • Motor Drives Electrical Features • Low Switching Losses • Trench IGBT 4 • V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient • Low V†ŠÙÈÚ Mechanical Features • AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance

• Compact Design • Solder Contact Technology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps

Module Label Code
Barcode Code 128 Content of the Code
Module Serial Number Module Material Number Production Order Number Datecode (Production Year) Datecode (Production Week)
date of publication: 2009-10-30 revision: 2.2 material no: 29257 UL approved (E83335)

Digit
1- 5 6 - 11 12 - 19 20 - 21 22 - 23

DMX - Code

prepared by: DK approved by: MB

1

05 1. V†Š = 25 V.4 tØ tÁ ÓËË tË EÓÒ I† = 15 A.275 0.2 1200 15 28 30 130 +/-20 typ.055 0..Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 TÝÎ = 25°C T† = 100°C.03 1. du/dt = 3500 V/ s (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C R•ÓËË = 39  TÝÎ = 150°C V•Š ù 15 V. V•Š = 20 V.15 K/W K/W prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.05 5. case to heatsink I† = 15 A. V•Š = 15 V I† = 15 A. V†Š = 600 V. V•Š = 15 V I† = 0. V•Š = 0 V. TÝÎ = 175°C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Vorläufige Daten preliminary data V†Š» I† ÒÓÑ I† I†ç¢ PÚÓÚ V•Š» min.15 2. L» = 50 nH V•Š = ±15 V.055 0. +15 V TÝÎ = 25°C f = 1 MHz. TÝÎ = 175°C T† = 25°C. V•Š = 0 V f = 1 MHz.0 400 max. TÝÎ = 150°C EÓËË I»† RÚÌœ† RÚ̆™ 1. V†† = 800 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt pro IGBT / per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) t« ù 10 s. TÝÎ = 25°C I† = 15 A. TÝÎ = 25°C V†Š = 0 V.065 0. V•Š = 15 V I† = 15 A.20 1. di/dt = 550 A/ s (TÝÎ=150°C) R•ÓÒ = 39  V V V V C  nF nF mA nA s s s s s s s s s s s s mJ mJ mJ mJ mJ mJ A 6.25 5.2 2 .12 0. 2.95 0. junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance. TÝÎ = 25°C V•Š = -15 V . V†Š = 25 V.19 0.48 mA.145 0.195 0. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind.8 0. L» = 50 nH TÝÎ = 25°C V•Š = ±15 V. V†Š = 600 V. TÝÎ = 25°C.065 0. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance.35 55 1. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 39  I† = 15 A.89 0.30 1.25 V A A A W V Höchstzulässige Werte / maximum rated values Charakteristische Werte / characteristic values Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. TÝÎ = 175°C t« = 1 ms T† = 25°C.. V†Š = V•Š.28 0. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 39  I† = 15 A. V•Š = 0 V V†Š = 1200 V.059 0.83 1. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C V†Š ÙÈÚ V•ŠÚÌ Q• R•ÍÒÚ CÍþÙ CØþÙ I†Š» I•Š» TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tÁ ÓÒ 0. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 39  I† = 15 A. 1.0 0.75 1.055 0. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 39  I† = 15 A.215 1. TÝÎ = 25°C.85 2.

0. V•Š = 0 V IŒ = 15 A. case to heatsink IŒ = 15 A.value t« = 1 ms Vorläufige Daten preliminary data Vçç¢ IŒ IŒç¢ I²t min.0 14.0 12.65 V A A A²s A²s Höchstzulässige Werte / maximum rated values Vç = 0 V. case to heatsink TÝÎ = 150°C. Vç = 1600 V pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.90 K/W K/W Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Periodische Rückw. V•Š = 0 V IŒ = 15 A.35 K/W K/W V A A A A A²s A²s tÔ = 10 ms. TÝÎ = 150°C tÔ = 10 ms.68 0. .0 typ.40 0.value T† = 80°C Höchstzulässige Werte / maximum rated values Vçç¢ IŒç¢»¢ I碻¢ IŒ»¢ I²t min.10 2.37 0.2 3 . TÝÎ = 25°C tÔ = 10 ms. . VŒ Iç RÚÌœ† RÚ̆™ 1600 30 30 300 245 450 300 typ. junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance. T† = 80°C forward current RMS maximum per diode Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t . TÝÎ = 125°C Vç = 0 V.20 2.80 1. t« = 10 ms.20 1.85 1. .00 1.0 1. Spitzensperrspannung TÝÎ = 25°C repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C VŒ 1200 15 30 16. IŒ = 15 A TÝÎ = 150°C. TÝÎ = 150°C Charakteristische Werte / characteristic values Durchlassspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Innerer Wärmewiderstand thermal resistance. TÝÎ = 25°C tÔ = 10 ms.diŒ/dt = 550 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V pro Diode / per diode pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) V V V A A A C C C mJ mJ mJ Iç¢ QØ EØþÊ RÚÌœ† RÚ̆™ 1. 2.diŒ/dt = 550 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V IŒ = 15 A. junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 TÝÎ = 25°C Diode-Wechselrichter / diode-inverter Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t . t« = 10 ms.05 2.15 max.0 12. 2.diŒ/dt = 550 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V IŒ = 15 A.30 max.10 13. V mA 1.75 1.00 2. TÝÎ = 150°C Charakteristische Werte / characteristic values Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance. V•Š = 0 V IŒ = 15 A.

Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. V•Š = 15 V I† = 15 A.065 0.35 55 1. V•Š = 0 V f = 1 MHz.065 0.28 0. TÝÎ = 25°C.85 2.0 400 max.225 1. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 43  I† = 15 A. TÝÎ = 25°C.89 0. V†Š = 25 V.06 0. V†Š = 600 V.25 5. TÝÎ = 175°C t« = 1 ms T† = 25°C.17 0..25 V A A A W V Charakteristische Werte / characteristic values Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind.80 2. V†Š = V•Š.48 mA. 2. TÝÎ = 175°C IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Vorläufige Daten preliminary data V†Š» I†ÒÓÑ I† I†ç¢ PÚÓÚ V•Š» min.065 0. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 43  I† = 15 A. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 43  I† = 15 A.15 K/W K/W prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2. TÝÎ = 25°C V•Š = -15 V .4 tØ tÁ ÓËË tË EÓÒ EÓËË I»† RÚÌœ† RÚ̆™ t« ù 10 s. TÝÎ = 150°C 1. case to heatsink I† = 15 A.2 4 .12 0. TÝÎ = 25°C V†Š = 0 V.05 1.8 0. V•Š = 0 V V†Š = 1200 V.285 0.065 0. V•Š = 20 V.85 1.00 0.00 0.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 TÝÎ = 25°C T† = 100°C.065 0. V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 43  I† = 15 A.15 2.20 0. TÝÎ = 175°C T† = 25°C. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C V†Š ÙÈÚ V•ŠÚÌ Q• R•ÍÒÚ CÍþÙ CØþÙ I†Š» I•Š» TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tÁ ÓÒ 0. L» = 50 nH V•Š = ±15 V R•ÓËË = 43  V•Š ù 15 V. junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance. L» = 50 nH V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 43  I† = 15 A.21 0. V†† = 800 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt pro IGBT / per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) V V V V C  nF nF mA nA s s s s s s s s s s s s mJ mJ mJ mJ mJ mJ A 6.03 1.35 1. 1. +15 V TÝÎ = 25°C f = 1 MHz.2 1200 15 28 30 130 +/-20 typ.05 5. V•Š = 0 V. V•Š = 15 V I† = 15 A.20 1.. V†Š = 25 V. TÝÎ = 25°C I† = 15 A. V•Š = 15 V I† = 0. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance. V†Š = 600 V.

V•Š = 0 V IŒ = 10 A.00 max.52 0.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 TÝÎ = 25°C Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw.59 1. Ræåå = 493  T† = 25°C Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè .70 1. 1. .1/(298.0 typ. V•Š = 0 V IŒ = 10 A.30 max. . current Grenzlastintegral I²t .2 5 . V•Š = 0 V IŒ = 10 A. Specification according to the valid application note. TÝÎ = 125°C Vorläufige Daten preliminary data Vçç¢ IŒ IŒç¢ I²t min.24 0.0 8.0 10.75 12.15 K))] Rèë ÆR/R Pèë Bèëõëå Bèëõîå Bèëõæåå min. 5. . typ.diŒ/dt = 500 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V IŒ = 10 A.00 0. junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance. k 5 20.25 V A A A²s Charakteristische Werte / characteristic values Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance. t« = 10 ms.75 1.15 K))] Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè . prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.value tÔ = 1 ms Vç = 0 V.diŒ/dt = 500 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V pro Diode / per diode pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) V V V A A A C C C mJ mJ mJ Iç¢ QØ EØþÊ RÚÌœ† RÚ̆™ 1. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C VŒ 1200 10 20 16.1/(298.90 0. 2.15 K))] Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè .75 1.90 K/W K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value Charakteristische Werte / characteristic values T† = 25°C T† = 100°C.0 % mW K K K -5 3375 3411 3433 Angaben gemäß gültiger Application Note.diŒ/dt = 500 A/ s (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V IŒ = 10 A.1/(298.90 1. case to heatsink IŒ = 10 A.75 1.

Brake-Chopper Gleichrichter / rectifier Kontakt .3 10.5 6.Kontakt / terminal to terminal Kontakt . Brems-Chopper / Inverter.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 RMS. prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2. Brake-Chopper Gleichrichter / rectifier Wechselrichter.Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt . f = 50 Hz. Anschlüsse .Kontakt / terminal to terminal Vorläufige Daten preliminary data Vš»¥¡ 2. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin. LÙ†Š R††óôŠŠó Rƒƒóô††ó TÝÎ ÑÈà TÝÎ ÓÔ TÙÚà F G -40 -40 -40 20 24 > 200 typ. pro Schalter / per switch Wechselrichter.5 AIè0é 11.0 5.chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anpresskraft für mech. pro Feder mountig force per clamp Gewicht weight T† = 25°C.Chip module lead resistance. terminals .2 6 .0 CTI min. Brems-Chopper / Inverter. t = 1 min Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand. nH mm mm kV m °C °C °C °C °C N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.00 6. Bef.Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt . 30 8.00 175 150 150 150 125 50 max.

0 V†Š [V] V•Š = 19 V V•Š = 17 V V•Š = 15 V V•Š = 13 V V•Š = 11 V V•Š = 9 V 15 12 9 6 3 0 V†Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr.0 0.5 5.5 1.5 4. V†Š = 600 V 30 27 24 21 18 15 12 9 6 3 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 E [mJ] I† [A] TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 6 5 4 3 2 1 0 EÓÒ. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V•Š) V†Š = 20 V Schaltverluste IGBT-Wechselr.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š) TÝÎ = 150°C 30 27 24 21 18 I† [A] I† [A] TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 30 27 24 21 18 15 12 9 6 3 0. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I†).5 0 0. TÝÎ = 150°C EÓËË.5 3.2 7 . EÓËË = f (I†) V•Š = ±15 V. TÝÎ = 150°C V•Š [V] 0 5 10 I† [A] 15 20 25 30 prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.5 3. TÝÎ = 125°C EÓËË.0 1. R•ÓÒ = 39 Â. TÝÎ = 125°C EÓÒ.0 2.0 2.5 2.0 1.0 4.0 0.5 1.5 2. R•ÓËË = 39 Â.0 3.0 3. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š) V•Š = 15 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr.

001 0.5 1.865 0.154 0. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R•).5 4.0 1. TÝÎ = 150°C Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr.0 4. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv.0 2. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 33 30 27 24 21 I† [A] IŒ [A] I†.2 8 . (RBSOA) I† = f (V†Š) V•Š = ±15 V.0 0.0 3.5 2.0 3.0 6.005 0.0 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 R• [Â] ZÚÌœ™ [K/W] 1 τ Í[s]: 4 3 2 1 i: rÍ[K/W]: 0.0 E [mJ] EÓÒ.1 0.01 0.0 1.2 0. TÝÎ = 150°C EÓËË. R•ÓËË = 39 Â. V†Š = 600 V Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.0 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 18 15 12 9 6 3 0 V†Š [V] VŒ [V] prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.0 2.5 3.0 8. Chip 30 27 24 21 18 15 12 9 6 3 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 0. TÝÎ = 150°C 10 ZÚÌœ™ : IGBT 5. TÝÎ = 125°C EÓËË.0 0. EÓËË = f (R•) V•Š = ±15 V.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ™ = f (t) 9.345 0. TÝÎ = 125°C EÓÒ. Modul I†.0 7.0005 0.05 0.1 t [s] 1 10 Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr.736 0. I† = 15 A.

0 IŒ [A] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.6 0.7 0.001 0.8 0.0 E [mJ] E [mJ] EØþÊ.808 0.2 15 10 5 0 0.4 prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.0 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 R• [Â] EØþÊ.4 0.6 VŒ [V] 0.4 1.05 0. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ™ = f (t) Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) forward characteristic of diode-rectifier (typical) IŒ = f (VŒ) 10 ZÚÌœ™ : Diode 30 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 150°C 25 20 ZÚÌœ™ [K/W] 1 IŒ [A] τ Í[s]: 4 3 2 1 i: rÍ[K/W]: 0.4 0. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R•) IŒ = 15 A.005 0.2 1.1 0 5 10 15 20 25 30 0.0 0.8 0. TÝÎ = 125°C EØþÊ. TÝÎ = 150°C 1.1 0.0 0.0 1.404 0.2 1.0005 0.2 0.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste Diode-Wechselr.4 0.5 0. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R•ÓÒ = 39 Â.174 0.2 0. TÝÎ = 150°C 0.664 1.3 0.2 0. TÝÎ = 125°C EØþÊ.1 t [s] 1 10 0. V†Š = 600 V Schaltverluste Diode-Wechselr.2 9 .9 0.01 0.8 1. V†Š = 600 V 1.6 0.

5 3.0 2.0 0.0 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 15 12 9 6 3 0 V†Š [V] VŒ [V] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) 100000 RÚáÔ 10000 R[Â] 1000 100 0 20 40 60 T† [°C] 80 100 120 140 160 prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.5 2.5 2.0 2.0 3.0 1.5 1.2 10 .0 1.5 3.Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Chopper (typisch) output characteristic IGBT-brake-chopper (typical) I† = f (V†Š) V•Š = 15 V Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) forward characteristic of Diode-brake-chopper (typical) IŒ = f (VŒ) 30 27 24 21 18 I† [A] IŒ [A] TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0.0 0.5 1.5 0 0.

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Schaltplan / circuit diagram Vorläufige Daten preliminary data ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines Infineon prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.2 11 .

sales&contact). . Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. For those that are specifically interested we may provide application notes. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. . die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement.die gemeinsame Durchführung eines Risiko. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen.to establish joint measures of an ongoing product survey. . Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben. prepared by: DK approved by: MB date of publication: 2009-10-30 revision: 2.com. setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www. Should you intend to use the Product in aviation applications. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. .Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP15R12W1T4 Nutzungsbedingungen Vorläufige Daten preliminary data Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. which is responsible for you (see www. please contact the sales office. das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt.infineon.the conclusion of Quality Agreements.oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. Please note. entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. that for any such applications we urgently recommend . Soweit erforderlich. Wir weisen darauf hin. Sollten Sie beabsichtigen. please notify.den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen. bitten wir um Mitteilung. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. If and to the extent necessary. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product. For information on the types in question please contact the sales office. and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.to perform joint Risk and Quality Assessments. please forward equivalent notices to your customers. in health or live endangering or life support applications. bitten wir Sie. in gesundheits. which is responsible for you. dass wir für diese Fälle . Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.com. Ihren technischen Abteilungen.infineon. für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Changes of this product data sheet are reserved.die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.2 12 .und Qualitätsassessments. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Vertrieb&Kontakt). Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten.