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“ELECTRONICA ANALOGICA 1”

UNIDAD 1

El diodo semiconductor

1.1.-Características de los diodos semiconductores.
1.2.-El diodo rectificador.
1.3.-El diodo como Recortador.
1.4.-Sujetadores (cambiadores de nivel).
1.5.-Multiplicadores de voltaje o (Tensión).
1.6.-Diodo Zener.
1.7.-Diodo Emisores de luz (led’s).


UNIDAD 2

El Transistor BJT

2.1.- Características y polarización de los transistores BJT.
2.2.- Amplificador en conexión Base Común.
2.3.- Amplificador en conexión Emisor Común
2.4.- Amplificador en conexión Colector Común
2.5.- Diseño de un Amplificador en conexión Emisor Común

UNIDAD 3

El Transistor Efecto De Campo (FET)

3.1.- Constitución y Características
3.2.- Polarización
3.3.-Diseño de un Amplificador o Base de FETS
3.4.- El Transistor MOSFET (Metal Oxido
Semiconductor (FET)
3.5.-Mosfet Decremental
3.6.-Mosfet Incremental












1.-Electronica, Bibliografía
Teoria de circuitos.
Boylestad y Nashelsky
Edit. Prentice Hall


2.-Principios de Electronica
Malvin Edit. Mc Grawhill


3.-Apuntes de la materia


4.-Serie 1-7 Electrónica
Harry Mileaf. Edit. Limusa


Evaluación


UNIDAD 1

Por cada unidad se va a efectuar 2 exámenes



Teoría 65%
Practica 35%
100%


Calificación Teórica = promedio de la calificación final por 0.65%




Calificación practica = 0.35%
N. practicas





CONDUCTOR: átomos que tienen uno o dos electrón en su órbita de valencia.
PLATA, ORO Y COBRE

SEMICONDUCTOR: átomos que tiene 3,4 o 5 electrones en su órbita de
valencia.
3 electrones: INDIO, BORO, GALIO.
4 electrones: GERMANIO, SILICIO.
5 electrones: ARSENICO, FOSFORO, ANTIMONIO.

AISLANTES: átomos que tienen 8 electrones en su órbita de valencia.

Todos los Gases nobles (Neón, argón, Xenón etc.), compuestos químicos
(vidrios, baquelita, madera, aguas puras algunos plásticos.















MATERIAL TIPO N MATERIAL TIPO P






Polarización Directa Polarización inversa



“SIMBOLO DEL DIODO SEMICONDUCTOR”








TENSION CONTINUA TENSION ALTERNA











ONDA TRIANGULAR










ONDA SENOIDAL





1 ciclo es el desarrollo de un fenómeno
Hasta el instante es que vuelve a repetirse.
T= PERIODO= tiempo en el que se
Concreta un ciclo.
LONGITUD DE ONDA = distancia en la que
se desarrolla el ciclo.
FRECUENCIA= es el número de veces que
un
Fenómeno se desarrolla en la unidad de
Tiempo.



D= V t (metro)

λ = C T (metros)

T = 1/f por lo tanto f= 1/T

Por consiguiente λ = C/f (metros)

La tensión de la red de corriente alterna tiene un valor de tensión RMS de 127v
y una frecuencia de 60Hertz.

λ = C/f = 300x10^6 m/seg = 5x10^6 = 5000 km
60 Hertz c/seg

Cuando se mide la tensión Alterna con un Voltímetro digital Analógico, se
obtiene volts RMS.
Siempre que se lea un valor de tensión no especificado debe entenderse como
una tensión RMS.





=
1^2+2^2+3^2+4^2+^2+^2

RMS = Root médium square (Raíz Cuadrada Media


=
1+2+3+4+5+6
6
volts


=

2
max +
2
min
2
=

2
max +0
2
=

2
max
2
=

2
max
2
=
Emax
1.414
= 0.70091 Emax


RECTIFICACION

“RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA”















“RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA”













“Rectificador de onda completa tipo puente”




“RECORTADORES”

Un recortador es un circuito que permite que pase solo un parte de la señal de
entrada. Por lo tanto en la salida aparecerá solo una parte de la señal que se
aplica en la entrada.



Un circuito rectificador es así mismo un recortador que permite el paso
únicamente uno de los dos semiciclos, ya sea el positivo o el negativo,
dependiendo de la posición en que se coloque el diodo


















“Sujetadores o cambiadores de nivel”

Los sujetadores o cambiadores de nivel son circuitos que no ce permiten
producir desplazamientos en una señal con otro sentido sin producir ningún
cambio en la señal.















El circuito debe tener capacitor, diodo y un elemento resistivo, pero también
puede usar una fuente de corriente directa independiente para introducir un
cambio de voltaje continuo adicional. La magnitud de R y C debe elegirse de
tal forma que la constante.


En general los siguientes pasos son útiles cuando generalizan redes
cambiadores de nivel.
1.- inicial el análisis de las redes cambiadoras de nivel considerando, la parte
de la señal de entrada que daba polarización directa al diodo.


2.- durante el periodo en que el diodo esta conduciendo se supondrá que el
capacitor se cargara de manera el nivel del voltaje que determine la red.
3.- se considera durante el periodo que el diodo no esté conduciendo el
capacitores mantendrá el voltaje adquirido.
4.- tener siempre en mente la regla general de que la amplitud total de la señal
de salida será igual a la amplitud total de la señal e entrada.


“Multiplicador de Tensión”


DOBLADOR DE VOLTAJE DE MEDIA ONDA:




“DOBLADOR DE TENSION DE ONDA COMPLETA”





























“DIODO ZENER”


En la región zener, pequeños aumentos de voltaje negativos ocasionan
grandes aumentos de la corriente atreves del diodo, esto quiere decir que la
resistencia interna del diodo disminuye si el voltaje negativo se reduce
entonces la corriente disminuye, lo que quiere decir que la R1 del diodo
aumenta.
Por lo tanto en la región Zener , el diodo esta importando como un dispositivo
de resistencia variable.

Símbolo del diodo ZENER:






Esta facultad del diodo ZENER puede ser aprovechada para mantener un
voltaje de salida constante cuando el voltaje de entrada varia, o cuando la
resistencia de de carga varia.
Entonces el diodo ZENER puede ser utilizado como un regulador de voltaje o
tensión.
Se pueden conseguir diodos ZENER para distintos valores de tensión
dependiendo de los elementos utilizados para dopar el cristal de silicio y la
cantidad de dichos elementos en el dopado.






SALIDA DE VOLTAJE CONSTANTE:




Voltaje de entrada fijo Resistencia de carga variable:


Vc = Vz= Rc Ve/ Rc + R (VOLTS)

Rcmin = R Vz/ Vc –Vz

Vr = Ve – Vz (VOLTS)

I2 = IR – Ic

Rcmax = Vz/ Icmin

Icmax = Vc / Rcmin = Vz /Rcmin (amperes)

Ir = Vr /r (amperes)

Icmin =Ir – Izm

Izm = corriente maxima atravez del diodo






Rcmin (1kΩ) (10V) / (50-10) v = 10kΩ/ 40v = 250Ω

Rcmin = 250Ω

Vr = (50 – 10)v = 40v

Ir = 40v/1kΩ = 40 mili amperes.

Icmin = (40 -32 m A)= 8 m A

Rcmin = 10v/ 8m A =1,250Ω = 1.25 KΩ






VC = VZ = (RC * VE) / (RC + R).

VE MIN = (RC + R) * (VZ) / (RC).

IC = VC / RC.

IRMÁX = IZM + IC

VE MÁX = VE MÁX + VZ

VEMÁX = (IRMÁX * R) + VZ.









VOLTAJE DE ENTRADA:





VEMIN = ((RC + R) (VZ)) / RC = (1,200Ω + 220Ω) (20V) / (1200Ω) = 23.67

VOLTS.

IC = VC / RC = 20V / 1200Ω = 16.67mA.

IRMÁX = IZM + IC = (16.67mA + 60 mA) = 76.67mA.

Vemáx = (76.67) * (220 Ω) + 20V = 36.67VOLTS



“DIODO EMISOR DE LUZ (LED)”



LED LIGHT EMITTING DIODE







El diodo Emisor de luz (LED) es, como su nombre lo indica, un diodo que
producirá luz visible cuando se encuentre energizado. El cualquier unión p-n
polarizado directamente dentro de la estructura y muy cercas de la unión ocurre
una recombinación de huecos y electrones. Esta recombinación requiere que la
energía que posee un electrón libre no nidada se transfiera a otro estado en
todas las uniones p-n , de los semiconductores una parte de esta energía se
convierte en calor y otro tanto en la forma de fotones, es decir en luz. En el
silicio y el germanio esta el mayor porcentaje de esta energía se transforma en
calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales como el fosfuro
arseniuro de galio (GaAsP), el numero de fotones de la energía luminosa
emitida, es suficiente para crear una fuente luminosa muy visible, y en este
caso el calor generado en la unión es muy poco. El proceso de la producción
de la luz aplicando una fuente de energía eléctrica se denomina
electroluminiscencia. Cuando se dopa el (Ge o el Sí), con elementos como el
GaAs, GaPaS), la mayor parte de la energía de la recombinación e convierte
en luz y solo una muy pequeña parte en calor.








λ= 700*10-9m
f= C / λ

PARA EL ROJO
f= (300*10^6m /seg ) / (700*10-9) = 4.28 TERAHERTZ

PARA EL NARANJA
λ= 650*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (650*10-9) = 4.61 TERAHERTZ

PARA EL AMARILLO
λ= 600*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (600*10-9) = 5 TERAHERTZ





PARA EL VERDE
λ= 550*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (550*10-9) = 5.45 TERAHERTZ


PARA EL AZUL
λ= 500*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (500*10-9) = 6.14 TERAHERTZ

PARA EL VIOLETA
λ= 450*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (450*10-9) = 6.66 TERAHERTZ

PARA EL VIOLETA ALTA
λ= 400*10-9m
f= (300*10^6m / seg ) / (400*10-9) = 7.5 TERAHERTZ

Los colores fundamentales son 3:


Desde el punto de vista químico:


1.- rojo
2.- azul
3.- amarillo


Azul y rojo forman el violeta; Amarillo y azul forman el verde; Rojo y amarillo el
naranja.



Desde el punto de vista eléctrico:

1.-rojo
2.-Azul
3.-verde

Rojo y azul forman el violeta; azul y verde el amarillo; rojo y verde el naranja.










COMPUESTO COLOR LONG DE ONDA.
ARSENIURO DE GALIO
(GaAs)
INFRARROJO 940 nm.
ARSENIURO DE GALIO
Y ALUMINIO (AlGaAs)
ROJO E INFRARROJO 890 nm
ARSENIURO FOSFURO
DE GALIO (GaAsP)
ROJO, NARANAJA Y
AMARILO
630 nm
FOSFURO DE GALIO
(GaP)
VERDE 555 nm
NITRURO DE GALIO
(GaN)
VERDE 525 nm
SELENIURO DE ZINC
(ZnSe)
AZUL 450 nm
NITRURO DE GALIO E
INDIO (InGaN)
AZUL 450 nm
CARBURO DE SILICIO
(SiC)
AZUL 480 nm
DIAMANTE (C) ULTRAVIOLETA 380 nm
SILICIO (Si) EN DESARROLLO




Con el desarrollo del LED azul se pudo conseguir la luz blanca formando un
pixel con un LED rojo y otro verde y uno azul, entonces al encender los 3
colores se obtiene el color blanco.
El desarrollo más reciente es el blanco, que tiene la intensión de sustituir a las
bombillas luminosas actuales, con dispositivos mucho más eficientes desde un
punto de vista energético, ya que los leds tienen un consumo de corriente muy
bajo y pueden llegarse a producir con potencias suficientes para sustituir en las
lámparas incandescentes y fluorescentes.
La diferencia de potencial que requieren los diodos de diferentes colores:

En términos generales puede considerarse que la tensión que debe aplicarse a
un diodo para obtener su máxima intensidad debe ser, para:
Rojo = 1 volt
A ojo de alta luminosidad= 1.9 volts
Amarillo= 1.7 a 3 volts
Verde= 2.4 volts
Verde de alta luminosidad= 3.4 volts
Naranja= 2.4 volts
Blanco brillante= 3.4 volts
Azul = 3.4 volts
Azul de 430nm = 4.6 volts
Blanco = 3.7 volts




UNIDAD II: EL TRANSISTOR BJT








































El BJT= Bipolar Junction Transistor o Transistor Bipolar de Unión



Símbolo del Símbolo del
Transistor BJT Transistor BJT





El colector es positivo con respecto a la Base y con respecto al Emisor.

La base es positivo con respecto al Emisor y negativo con respecto al
colector.

El Emisor es negativo con respecto a la Base y con respecto al Colector.



El emisor es positivo con respecto a la Base y con respecto al Colector.

La Base es positiva con respecto al Emisor y negativa con respecto al Emisor.

El Colector es negativo con respecto a la Base y con respecto al Emisor.

Para los transistores existen 3 tipos de Amplificadores que son:

El transistor en conexión Base común y Base a Tierra
El transistor en conexión Emisor común y Emisor a Tierra.
El Transistor en conexión Colector común y Colector a Tierra.






“EL AMPLIFICADOR EN CONEXIÓN BASE COMUN”














La señal de salida es mayor que la señal de entrada y por lo tanto existe una
amplificación (este es de 10).

Entonces en un amplificador en conexión Base común o Base a Tierra, las
señales de entrada y salida tienen la misma fase.

“EL AMPLIFICADOR EN CONEXIÓN EMISOR COMUN”














“DISEÑO DE UN AMPLIFLICADOR EN CONEXIÓN EMISOR COMUN”






La caída de Tensión Vce + Vre debe ser igual a la unidad de Vcc entonces:


Av= ganancia de voltaje

Vrc= Vre = ½ Vcc

Av= Rc/Re por lo tanto

Rc= (Av)(Re)

Vrc = (Ic)( Re)

V= ( Ie)(Ic)

Pero Ie=Ic

( Ic)(Rc)+ ( Ie)(Ic) = ½ Vcc

Ie (Rc + Re)= ½ Vcc

Sustituyendo Rc en función de Re

Ie (AvRe+Re)= ½ Vcc

IeRe (Av +1) = ½ Vcc

Re = Vcc / 2 Ie (Av+1)

R2 se elige entre:

10Rc<= R2<= 30Rc

Hacia la derecha es más estable mientras que la izquierda es menos estable
por eso se elige arriba de 20 R2.

Vb= Vre + Vbe = (Vre+0.7)v

Entonces

I2 = Vb/R2 amperes

Como Ib=0

I2= I1

R1= (Vcc- Vb)/ I1 Su medicion es en ohmios.







Diseñar un amplificador con las siguientes características.

Vcc= 18v

Ie= 10 mA

Av= 4


Re = Vcc/ 2Ie (Av +1)

Re = 18v/ 20 (4+1)mA

Re = 180Ω

Rc = AvRe = 4(180) Ω

Rc = 720Ω

R2 se elige de 20Rc = 20(720) Ω

R2 = 14,000 Ω = 14.4 KΩ

Ve = Ie * Vbe = (10mA) (18Ω) = 1.8v

Vb = Vre + Vbe = 1.8v + 0.7v = 2.5v

I2 = Vb/R2 2.5/ 14.4kΩ = 173.6µf

R1 = (Vcc - Vb) / I1 = (18v – 2.5v )/ 173.6µf = 15.5v /173.6x10^-6 =89.2kΩ






“DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR DE 2 ETAPAS”



CALCULO DE LA PRIMERA ETAPA:

VCC1= 12V
Ie1= 6MA
Av=2

RE1= VC/2IE(Av+1)
RE1= 333.333 OHMS

RC1= AVRE1= (2) (333.333)=666.66OHMS
SE PROPONE R2
R2,1= 20RC= (20)(666.66)
R2,1= 13,333.32OHMS
VE1= IE1RE1=(6MA)(333.33OHMS)
VE1=1.9V
VB1= VE1+0.7= 1.9+0.7=2.6V
VB1=2.6V
I2= VB1/R2,1= 2.6V/13,333.32OHMS = 195MA
R1,1= (VCC+VB1)/I1= 9.4V/195MA= 48250OHMS

CALCULO DE LA SEGUNDA ETAPA:
VCC=18V
IE2=8MA
Av=3

RE2=18/2(8MA)(4)= 231.25 OHMS
RC1=(281)(3)= 843.75
R22=20(843.75)=1687.5
VE2=2.25V
VB2=2.95V
I22=174MA
R12=86321.83OHMS


“ECUALIZADOR”



Un ecualizador es un dispositivo que nos permiten modificar la curva de la
respuesta de una señal.
Si se aplica una señal plana entre 2 limites de frecuencia la entrada del
dispositivo, a la salida obtendremos una señal diferente a la de la entrada.












Ecualizador =======






Para obtener esto se requiere de elementos reactivos, es decir, de capacitores
e inductores.
Vamos a analizar el comportamiento de la inductancia y de la capacitancia con
respecto a la frecuencia.
El comportamiento de una inductancia es el siguiente

La reactancia inductiva es:

XL = 2 ¶ f L Ω

Si f tiende a 0 XL tiende a 0
Si f tiende a infinito por lo tanto XL tiende a infinito







= =

El comportamiento de la capacitancia es el siguiente

Xc = 1/ 2 ¶ f L Ω

Si f tiende a 0 Xc tiende a infinito
Si f tiende a infinito Xc tiende a 0

= =




































“ECUALIZADOR TIPO BAXANDALL”









Para el diseño nos basaremos en la ecuación:

F=1/RC

Rango de frecuencia bajas de 20 Hz a 3 KHz
Se propone C2=10µf fb=20Hz
Entonces:

R2=1/Fc2=1/(20 Hz)(10µf)= 5000

Frecuencia alta de las frecuencias bajas = 3KHz

R1=1/ƒC1

Se propone C1=0.01µf

R1= 1/(3KHz)(0.01µf)= 33,333= 33.33 KΩ

El valor de p, se propone en 100KΩ

Para la rama de las frecuencias altas (agudos)

Se propone P2=100KΩ
Rango de las frecuencias altas:

Para la frecuencia baja de las frecuencias altas: 2KHz

C4=1/ƒp=1/(2000)(100000)=5000 pƒ

Para la frecuencia alta de las frecuencias altas = 10KHz

C3=1/ƒp=1/(10000)(100000)=1000pƒ




















“ETAPA DE SALDIA DE AUDIO”















IE=Ics/B=1A /40=1000/40= 25mA

Calculo de la etapa excitadora

RE=24/2(25ma)(21)=22.85Ω

RcE=AvRE=(20)(22.85)=457Ω

R2E se propone 20 RCE

R2E=AvRE=(20)(457)=9.14 KΩ

VEE=(25ma)(22.85)=0.57 v

VBE=0.57+0.7=1.27V

I2E=1.27/9.14 KΩ=138µA

R1E=(24-1.27)/138µA=164.71 KΩ


Impedancia.-es la oposición que presenta un circuito que contiene resistencia,
inductancia, y capacitancia al paso de la corriente alterna. Se representa por la
letra Z.









“AMPLIFICADOR CON CAPACITOR EN EL EMISOR”





Al instalar un capacitor en paralelo con Re suceden 2 consecuencias
beneficiarias

1.-el capacitar tiende a mantener constante la tensión de polarización del
transistor (emisor) este se opone a los cambios de la tensión continua.

2.-el capacitor permite el paso de la corriente alterna para que las frecuencias
de audio que maneja el capacitor restituya la conexión emisora a tierra, que se
havia perdido al calcular Re


Calculo del amplificador:
Vcc=18v
IE=10 ma
Av=3

RE=Vcc/2IE(Av±1)=18/2(10ma)(4)=225Ω
Rc=3RE=3(225)=675Ω
Se propone:
R2=20(675)=13500=13.5 KΩ
VE=IERE=(10ma)(225)=2.25 v
VB=2.25 + O.7= 2.95 V
I2=2.95/13500=218.5µA
R2=(18-2.95)/218µA=69030Ω

Si se instala una capacitor en paralelo con RE se modificara necesariamente la
ganancia

Se elije una frecuencia de paso mínimo de 30 Hz entonces



Xc=1/2πƒc

Si se elije instalar una capacidad de 47 µf
Entonces:

Xc=1/2π(30Hz)(47µf)=112.87Ω

Entonces la impedancia de emisor será:

ZE=REXE/RE+XE=(225)(112.87)/225+112.87= 75.16 Ω

L nueva ganancia de voltaje será:

Av=Rc/ZE=675/75.16=8.98


AMPLIFICADOR DE 3 ETAPAS



CALCULO DE LA PRIMERA ETAPA:

Vcc1= 12V
Ie1= 6MA
A1=2

RE1= VC/2IE(A1+1)
RE1= 333.333 Ω

RC1= AVRE1= (2) (333.333)=666.66Ω
SE PROPONE R2
R2,1= 20RC= (20)(666.66)
R2,1= 13,333.32OHMS
VE1= IE1RE1=(6MA)(333.33OHMS)
VE1=1.9V


VB1= VE1+0.7= 1.9+0.7=2.6V
VB1=2.6V
I2= VB1/R2,1= 2.6V/13,333.32Ω = 195mA
R1,1= (VCC+VB1)/I1= 9.4V/195mA= 48.205 KΩ

CALCULO DE 2° ETAPA:
Vcc=18V
IE2=8mA
A2=3

RE2=18/2(8MA)(4)= 231.25 Ω
RC1=(281)(3)= 843.75
R22=20(843.75)=1687.5
VE2=2.25V
VB2=2.95V
I22=174MA
R12=86321.83=86321 KΩ

CALCULO 3º ETAPA:
Vcc=24 v
IE3= 12mA
Av= 4

RE=24/2(12mA)(5)= 200Ω
RC2=4(200Ω)=800Ω
Se propone:
R23=20(800Ω)=16000=16 KΩ
VE3=(12mA)(200)=2.4 V
VB3=0.7+2.4= 3.1 V
I23=3.1/16KΩ=193mA
R13=(24-3.1)/193Ma=106.632 kΩ

RA=6V/6.195 ma=968.52Ω
IB=6.195+0.174+8=14.36 ma
RD=6 V/14.36ma=417.82Ω

















El transistor de efecto de campo (FET)
Fet = field effect transistor








Comparación de un fet con una llave de agua
Transistor de efecto de campo de union = junction field effect transistor







LAS CURVAS DE UN TRANSISTOR JFET SE OBTIENEN POR MEDIO DE
LA ECUACIÓN DE SHOCKLEY.




Formula-
2
1
|
.
|

\
|
÷
÷ =
VP
VGS
IDDS ID


Entonces, cuando VGs = 0 volts

( ) mA mA mA ID 8
4
0
1 8
2
=
|
.
|

\
|
÷
÷ =


Cuando VGs = -1v

( ) 5 . 4
4
1
1 8
2
=
|
.
|

\
|
÷
÷
÷ = mA mA ID

Cuando VGs = -2v
( ) mA mA
v
mA ID 2
4
2
1 8
2
=
|
.
|

\
|
÷
÷
÷ =

Cuando VGs = -3v

( ) mA mA mA ID 5 . 0
4
3
1 8
2
=
|
.
|

\
|
÷
÷
÷ =

Cuando VGs = -4

( ) mA mA mA ID 0
4
4
1 8
2
=
|
.
|

\
|
÷ ÷
÷
÷ =
























TIPOS DE MOSFET JFET:




COMPARACIÓN ENTRE LOS TRANSISTORES JFET Y BJT

Cuando se introduce un dispositivo nuevo en un rango de aplicaciones
semejantes a otras presentado con anterioridad existe una tendencia natural al
comparar alguna de las características generales de una con otra.
Una de las características mas importantes del JFET es su amplia impedancia
de entrada que va desde 1 hasta varios cientos de ohms este dispositivo
excede con mucho los niveles típicos de resistencias de entrada de las
configuraciones con transistores BJT. Un transistor BJT tiene muy baja
resistencia de entrada debido a que esta se presenta a través de un diodo
polarizado.


En el diseño del amplificador es sumamente importante esta característica de
impedancia de entrada que presenta los transistores BJT. Por otro lado, el
transistor BJT tiene una sensibilidad mucho mayor a los cambios de la señal
de aplicada. En otras palabras la variación en la corriente de salida es, por lo
general, mucho mayor para los JFET que para los BJT, con el mismo cambio
en el voltaje de entrada.

Por esta razón con las ganancias típicas de voltaje de C.A. para los
amplificadores BJT son muchos mayores que para los BJT en general, los
JFET son mas estables para las temperaturas que los BJT, y los JFET son mas
pequeños que los BJT, lo que los hace ideales en la construcción de los
circuitos integrados.


Sin embargo, las características de construcción de algunos tipos JFET
(mosfet) puede hacerlo mas sensible.



“MOSFET INCREMENTAL”


El MOSFET de tipo incremental de canal n se muestra en la siguiente figura.
Este difiere del MOSFET de tipo decremental en que no tiene la capa delgada
del material n sino que requiere de una tensión positiva entre la compuerta y la
fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la acción de una
tensión positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae electrones de la región del
sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una
VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior
de la capa de óxido. Cuando la tensión alcanza el valor de umbral, VT, han sido
atraídos a esta región los electrones suficientes para que se comporte como
canal n conductor. No habrá una corriente apreciable iD hasta que VGS excede
VT.No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que la
corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero
para VGS=0. Para valores de VGS > VT, la corriente de drenaje en saturación
se puede calcular de la ecuación:

El valor de k depende de la construcción del MOSFET y, en principio, es
función del largo y ancho del canal. Un valor típico para k es 0.3 mA / V
2
; la
tensión de umbral, VT, es especificada por el fabricante.




2
) (
T GS D
V V k i ÷ =




“MOSFET DECREMENTAL”









Los términos decremental e incremental definen sus modos básicos de
operación, mientras que la palabra MOSFET significa transistor de efecto de
campo de metal óxido semiconductor (metal-oxide-semiconductor-field-effect
transistor). Puesto que existen diferencias en las características y operación de
cada tipo de MOSFET, éstos son tratados en secciones separadas. En esta
sección examinaremos el MOSPET tipo decremental, que parece tener
características similares a las de un JFET entre el corte y la saturación para
IDSS, pero luego tiene el rasgo adicional de las características que se
extienden dentro de la región de polaridad opuesta para VGS.
La construcción básela de un MOSFET de tipo decremental de canal n
se esquematiza en la figura 5.23. Una "plancha" de material tipo p se
forma en una base de silicio y se le denomina sustrato. Es el cimiento
sobre el que se construirá el dispositivo. En algunos casos el sustrato
se conecta internamente con la terminal fuente. Sin embargo, muchos
dispositivos discretos suministran una terminal adicional denominada
SS, resultando un dispositivo de cuatro terminales, como el que
aparece en la figura 5.23. Las terminales de fuente y drenaje se
conectan a través de contactos metálicos a las regiones con dopado
tipo n (n dopadas) unidas mediante un canal n, como se muestra en la


figura. La compuerta también se conecta a una superficie de contacto
metálico pero permanece aislada del canal n por una capa muy
delgada de dióxido de silicio (SiO2). El SiO2 es un tipo particular de
aislante conocido como un dieléctrico, que establece una oposición
(como se indica por el prefijo di-) de campos eléctricos dentro del
dieléctrico, cuando éste se expone a un campo externamente
aplicado. El hecho de que la capa de SiO2 sea una capa aislante
revela el hecho siguiente:
No hay una conexión eléctrica directa entre la terminal de compuerta y
el canal para un MOSFET.