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Universidad Andina Nstor Cceres Velsquez

CAP Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones


Ing. Abelardo Len Miranda
1
UNIDAD III
TRANSISTORES BJT, POLARIZACION

3.1 TRANSISTORES BIPOLAR O BJT

Regiones operativas y configuraciones

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector
(C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el
grfico de transistor.




Transistor NPN Transistor PNP

El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra
(emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.

Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).

Ic = * Ib

- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
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Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a
ms corriente la curva es ms alta












3.2 Regiones operativas del transistor

Regin de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de
emisor = 0, (Ic = Ie = 0). En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor
es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay cada
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0).

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- Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando: corriente de colector =
corriente de emisor = corriente mxima, (Ic = Ie = I mxima). En este caso la magnitud
de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y de los resistores
conectados en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como
para inducir una corriente de colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib).

- Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin
de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias
que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta regin es la ms importante si lo que
se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

3.3 Configuraciones del transistor bipolar

Hay tres tipos de configuraciones tpicas en los amplificadores con transistores, cada una
de ellas con caractersticas especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicacin. y
se dice que el transistor no est conduciendo. Normalmente este caso se presenta cuando
no hay corriente de base (Ib = 0).

o Amplificador emisor comn
o Amplificador colector comn
o Amplificador base comn

Polarizacin del BJT.
Modos de polarizar un transistor bipolar.
- Polarizacin fija o de base
- Polarizacin por retroalimentacin del emisor.
- Polarizacin por retroalimentacin del colector.
- Polarizacin por divisor de tensin.

Se analizaran cada una de las tcnicas de polarizacin antes mencionadas con la intencin de
que se utilice la mas adecuada para alguna aplicacin en particular, las cuales puedan ser, el
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transistor como interruptor, transistor como fuente de corriente, estabilidad del punto de
operacin en un amplificador, etc.

INTRODUCCION.
Como el transistor es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de
base, podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener ciertas
caractersticas de corriente y voltaje en la malla de salida, que es donde se obtiene la
amplificacin.

POLARIZACIN FIJA.
Vcc
R
B R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca

Analizamos la malla I, en la cual podemos observar los elementos pasivos y activos, aplicamos
para este circuito la ley de voltajes de kirchhoff:



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Anlisis en la malla de base (malla I):
Vcc
R
B R
C
I
V
BE
+
-
+
-
V
CE
I
B
I
C
I
E

CC B B BE
V R i v = +
CC BE
B
B
V v
i
R

=
Esta ecuacin representa una recta que en interseccin nos proporciona la corriente de base y la
tensin base-emisor de operacin. Como la variable a controlar es la corriente de colector y esta
a su vez depende de la corriente de base
CC BE
c
B
V v
i
R
|

=
De esta ecuacin puede notarse que la corriente de colector variara para el mismo diseo debido
a la gran variacin de | para un transistor, an tratndose del mismo tipo.

Anlisis en la malla de colector:
II
Vcc
R
B R
C
V
BE
+
-
+
-
V
CE
I
B
I
C
I
E

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CC C C CE
V R i v = +
CC CE
C
C
V v
i
R

=
A esta ecuacin se le conoce como recta de carga en C.D. y sobre la que se encuentra el punto de
operacin. Con dos puntos conocidos dicha recta puede trazarse, estos puntos son:

0
C
CE CC
i
Corte
v V
=












El punto de operacin depende de los parmetros que intervienen en la malla de base.

Ejemplos:
1. Un transistor tiene una | tpica de 100, encontrar los valores adecuados de resistencias
para la siguiente condicin de polarizacin:
0
CE
CC
C
C
v
Saturacin V
i
R
=

Q
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Vcc
R
B R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca

12
4
CC
CQ
V V
I mA
=
=

?
?
B
C
R
R
=
=


Punto de operacin igual a la mitad de la recta de carga.

Solucin:
CC BE
CQ
B
V v
I
R
|

=


282.5
B
R K = O
Como el punto Q debe estar situado a la mitad de la recta de carga, entonces:
6
2
CC
CEQ
V
v V = =
CC CEQ
CQ
C
V v
I
R

=


1.5
C
R K = O
CC BE
B
CQ
V v
R
I
|

=
12 0.7
(100)
4
B
V V
R
mA

=
CC CEQ
C
CQ
V v
R
I

=
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2. Si el circuito del ejemplo 1, se pretende fabricar en gran escala y dado que el transistor
utilizado puede tener una | mnima de 60 y una mxima de 180 determine la mxima
variacin que experimentara el punto de operacin.

Solucin:
max max
max
12 0.7
(180)
282.5
CC BE
Q
B
Q
V v
I
R
V V
I
K
|

=

=
O


max
7.2
Q
I mA =

A esta corriente le corresponde un
min CEQ
v .
min max CE CC CQ C
v V I R =
min
1.2
CEQ
v V =
Ahora la corriente de colector minima:
min min
CC BE
CQ
B
V v
I
R
|

=
min
2.4
CQ
I mA =
Correspondindole un
max CEQ
v :
max
12 2.4 (1500 )
CEQ
v V mA = O
max
8.4
CEQ
v V =
La variacin de
CQ
I es:
max min CQ Q
I I I A =

4.8
CQ
I mA A =
Es decir: 2.4 7.2
CQ
mA I mA s s
Esto corresponde a una gran variacin del punto de operacin con respecto al valor
nominal proporcionado en el diseo ( 4mA).

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Esto puede observarse en forma grafica:











Como el punto de operacin es muy inestable, este tipo de polarizacin se evita si queremos
que le transistor funcione como amplificador. Su gran inestabilidad es aprovechada para
utilizar al transistor como interruptor (electrnica digital). Por ejemplo si el transistor tuviera
una | de 200 o ms esta produce que el transistor se sature y actu como un interruptor
cerrado entre colector y emisor:
12 0.7
(200)
282.5
CQ
V V
I

=
O

8
CQ
I mA =
0
CEQ
v V =

Esta configuracin es utilizada cuando se quiere controlar al transistor como interruptor.










7.2mA
2.4mA
4mA
max
Q
min
Q
nom
Q
8.4V 1.2V
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CONFIGURACIN DE POLARIAZCIN DEL EMISOR.
Vcc
R
B R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca
R
C

Este tipo de polarizacin proporciona mayor estabilidad del punto de operacin que la
polarizacin fija. El efecto de la retroalimentacin radica en el hecho de que si por alguna razn
(incremento en | por ejemplo)
C
I incrementa, entonces el voltaje en
E
R aumenta, lo que a su
ves produce decremento en la tensin de
B
R . Si el voltaje de
B
R disminuye entonces
B
I
disminuye lo cual obliga a que
C
I se decremente. Se concluye que el incremento original de
C
I
queda parcialmente balanceado. El razonamiento anterior parece bueno, pero como se
demostrar en los anlisis respectivos, el circuito no trabaja adecuadamente para valores
prcticos de resistencia.

Anlisis de malla de colector:
II
Vcc
R
B R
C
V
BE
+
-
+
-
V
CE
I
B I
C
I
E
R
E

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CC CE
C
C E
V v
i
R R

=
+
Ecuacin de la recta de carga.
0
0
C
CE CC
CE
CC
C
C E

Corte
v V
v
Saturacin V
i
R R
=












Anlisis en la malla de base:
Vcc
R
B R
C
V
BE
+
-
+
-
V
CE
I
B
I
C
I
E
R
E
I

( )
CC C C CE E E
E C
CC C C E CE
V R i v R i
i i
V i R R v
= + +
~
~ + +
CC
C E
V
R R +
CC
V
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1
CC B B BE E E
E
B
V R i v R i
i
i
|
= + +
=
+

1
B
CC E E BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
CC BE
E
B
E
V v
i
R
R
|

=
+
+

E C
i i ~ adems 1 |

CC BE
C
B
E
V v
i
R
R
|

=
+
Recta de polarizacin.

C
i depende una vez mas de | .
Para que
C
i sea casi independiente de | :
B
E
R
R
|

para que
CC BE
C
E
V v
i
R

~
Si esta desigualdad se cumple entonces el transistor se satura pues
CC BE CC
Csat
E C E
V v V
I
R R R
| |
> =
|
+
\ .


Por ejemplo si
B
R tuviera igual a
C
R | entonces
CC BE
C
C E
V v
I
R R

=
+


El valor de
C
i se aproxima al valor de la
C
I de saturacin, por lo que puede concluirse lo
siguiente:
Si
B
R se hace un poco menor que
C
R | , entonces el transistor se satura.


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Ejemplos:

3. Para el circuito de polarizacin mostrado, determinar los valores adecuados de resistencia
para que se establezca la siguiente condicin de polarizacin:
4
6
100
CQ
CEQ
I mA
V V
|
=
=
=

B
R
C
R
12
CC
V V =

1
10
E CC
v V = (Se elige arbitrariamente).
E
R
Solucin:

1.2
4
E E
E
Q CQ
E
V V
R
I I
V
R
mA
= ~
=

V V
R R
B
BQ CQ
V V
R
I I
| = =

300
E
R = O

12 6 1.2
4
C
R CC CEQ E
C
CQ CQ
C
V V v V
R
I I
V V V
R
mA

= =

=


1.2
C
R K = O
CC BE E
B
CQ
V v V
R
I
|

=
12 0.7 1.2
(100)
4
B
V V V
R
mA

=

252.5
B
R K = O

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4. Si el circuito del ejemplo 3, se pretende fabricar en gran escala y el tipo de transistor
utilizado tiene una
min
60 | = y una
max
180 | = , determine la variacin en la corriente de
colector.
Solucin:

min
min
CC BE
CQ
B
E
V v
I
R
R
|

=
+

min
12 0.7
252.5
300
60
CQ
V V
I
K

=
O
+ O

min
2.51
CQ
I mA =
max min
( )
CEQ CC CQ C E
v V I R R = +
max
8.24
CEQ
v V =
max
max
CC BE
CQ
B
E
V v
I
R
R
|

=
+

max
6.64
CQ
I mA =
min
2.05
CEQ
v V =
6.64
4
2.51
2.05
6 8.4

CC
V

ma x
Q

n o m
Q

min
Q

4.13
CQ
I mA A =
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Problema:
Que valor mnimo de | debe tener un transistor que colocado en el circuito de polarizacin
del ejemplo 3, produzca su saturacin.
Solucin:
8
CC
Csat
C E
V
I mA
R R
= =
+

2.4
sat E sat
V R I V = =
Bsat sat BEsat
V V v = +
2.4 0.7 3.1
Bsat
V V V V = + =
Bsat
R CC Bsat
V V V =
8.9
Bsat
R
V V =
Bsat
R
Bsat
B
V
I
R
=
35.25
Bsat
I A =
8
35.25
mA
A
|

=
227 | =
Cualquier valor mayor de | a 227 produce que el transistor se sature en el circuito.

POLARIZACION POR RETROALIMENTACION DEL COLECTOR.
Este circuito trabaja de la siguiente manera:
Vcc
R
B
R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca
R
E
R
1


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Si | aumenta, entonces aumenta, provocando que
CE
v disminuya, esto a su vez produce un
decremento en la tensin de
B
R .

Como el voltaje de
B
R disminuye, la corriente de base se hace mas pequea que le calor inicial,
esto compensa el incremento en la corriente de colector.

Una propiedad interesante de este tipo de polarizacin es que el transistor nunca se satura aun
cuando
B
R sea igual a cero. A medida que
B
R va disminuyendo el punto de operacin Q se
desplaza hacia saturacin, pero sin llegar a ella, ya que
CE
v nunca puede ser menor a 0.7V. La
base y el colector es un mismo punto cuando y el transistor funciona en este caso como
un diodo.

Anlisis en la malla de base:
Vcc
R
B
R
C
V
BE
+
-
+
-
R
E
V
CE
I
E
I
C
I
C
I
B

CC E E B B BE
V R i R i v = + +
1
B
CC E C BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
CC BE
E
B
C
V v
i
R
R
|

=
+
+
Recta de polarizacin.
C
i
0
B
R =
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Como
E C
i i ~
CC BE
C
B
C
V v
i
R
R
|

~
+

Anlisis en la malla de colector:
Vcc
R
B
R
C
V
BE
+
-
+
-
R
E
V
CE
I
E
I
C
I
C
I
B

CC C E CE
V R i v = +
CC CE
E
C
V v
i
R

=
CC CE
C
C
V v
i
R

~
CC
Csat
C
V
I
R
=
y que cuando 0
B
R =
max
CC BE
C
C
V v
I
R

=
como
max C Csat
I I < en transistor nunca se satura.
Ejemplo:
5. Polarizar el transistor segn circuito de tal modo que:
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4
CQ
I mA =
6
CEQ
v V =
100 | =
12
CC
V V =

Solucin:

CC CEQ
C
CQ
V v
R
I

=
6
4
C
V
R
mA
=
1.5
C
R K = O

CC BE
CQ
B
E
V v
I
R
R
|

~
+

Despejando para
B
R encontramos el valor necesario, sin embargo resulta muy sencillo utilizando
ley de Ohm
B B
R R
B
BQ CQ
V V
R
I I
| = =
C
CC R BE
B
CQ
V V v
R
I
|

=
12 0.6 0.7
(100)
4
B
V V V
R
mA

=



POLARIZACION POR DIVISION DE TENSION.

132.5
B
R K = O
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Vcc
R
2 R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca
R
E
R
1

Este tipo de polarizacin es la ms ampliamente utilizada en circuitos lineales, por este motivo
algunas veces se le conoce como polarizacin universal.
Las resistencias
1
R y
2
R forman un divisor de tensin del voltaje
CC
V La funcin de esta red es
facilitar la polarizacin necesaria para que la unin base-emisor este en la regin apropiada.
Este tipo de polarizacin es mejor que las anteriores, pues proporciona mayor estabilidad del
punto de operacin con respecto de cambios en | .

Anlisis en la malla de base:
R
2
V
CE
V
BE
+
-
+
-
R
E
R
1
Vcc
V
TH
R
TH

El circuito equivalente para hacer el anlisis es el siguiente:



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En la terminal de base existen dos mallas por lo que se empleara el teorema de Thvenin para
simplificar a una sola malla, como se ve en la siguiente figura:
V
CE
V
BE
+
-
+
-
R
E
V
TH
R
TH
I
E

donde


y V
TH
=
1
1 2
BB CC
R
V V
R R
=
+

Al aplicar LVK en la malla de base:
BB B B BE E E
V R i v R i = + +
1
E
B
i
i
|
=
+

1
B
BB E E BE
R
V i R v
|
| |
= + +
|
+
\ .

1
BB BE
E
B
E
V v
i
R
R
|

=
+
+


Como
C E
i i ~ y >>1 entonces:
BB BE
C
B
E
V v
i
R
R
|

=
+

A temperatura ambiente
C
i depende nicamente de | . Si queremos que
C
i sea casi
independiente de | es necesario que

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(R
B
/)<<R
E

para que
BB BE
C
E
V v
i
R

~
por ejemplo si (100)
B
E
R
R
|
= o lo que es lo mismo
1
100
B E
R R | = resulta que
(1.01)
BB BE
C
E
V v
i
R

=
lo cual se aproxima a la corriente deseada
BB BE
C
E
V v
i
R

=
El precio que se paga por tener esta estabilidad es tener valores de
B
R demasiado bajos ya que
1
100
B E
R R | = .
Por el momento bastara con que
1
10
B E
R R | = haciendo con esto que la corriente de colector sea
(1.1)
BB BE
C
E
V v
i
R

=
Esto asegura que el transistor queda bien polarizado, con una corriente de emisor constante y
que el punto de operacin no cambiara de manera significativa si se sustituye el transistor por
otro con una | distinta.

Anlisis en la malla de colector:
LVK
Vcc
V
CE
V
BE
+
-
+
-
R
E
I
E
R
C
I
C

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CC C C CE E E
V R i v R i = + + -
1


como
C E
i i ~ y 1 |

CC CE
C
C E
V v
i
R R

=
+









La corriente de colector en saturacin es
CC
Csat
C E
V
I
R R
=
+
y puede notarse que si 0
B
R = entonces
BB BE
C
E
V v
I
R

=
este valor de corriente nunca satura al transistor.

Ejemplo:
6. Polarizar un transistor mediante la tcnica de polarizacin por divisin de tensin de
acuerdo con los siguientes datos:

12
CC
V V =
4
CQ
I mA =
1
10
E CC
V V =
1
10
B E
R R | =



CC
V
CC
C
V
R
1
C E
m
R R
=
+
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40 180 | s s
(Punto de operacin a la mitad de la recta de carga, es decir:
1
2
CEQ CC
V V = )
Vcc
R
2 R
C
V
CE
V
BE
+
-
+
-
C
1
C
2
Seal de
entrada ac
Seal de
salida de ca
R
E
R
1

Solucin:

E
E
EQ
V
R
I
=

E
E
CQ
V
R
I
~
300
E
R = O

C
R CC CEQ E
C
CQ CQ
V V v V
R
I I

= =
1.2
C
R K = O

como
B
E
R
R
|
la peor condicin se cumple cuando | es mnima
min
1
10
B E
R R | =
1.2
B
R K = O

El voltaje
BB
V necesario es
Universidad Andina Nstor Cceres Velsquez
CAP Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones
Ing. Abelardo Len Miranda
24

B
BB CQ E BE
R
V I R v
|
| |
= + +
|
\ .

2.02
BB
V V =

Para determinar
1
R y
2
R tenemos el siguiente sistema de ecuaciones con dos
incgnitas
1
1 2
BB CC
R
V V
R R
=
+

1 2
1 2
B
R R
R
R R
=
+


Multiplicando la primera ecuacin por
2
R , tenemos
1 2
2
1 2
BB CC
R R
V R V
R R
=
+

o lo que es lo mismo
2 BB B CC
V R R V =
2
CC
B
BB
V
R R
V
=

2
7.13 R K = O

Para encontrar
1
R , partimos de hecho de que
1 2
1 1 1
B
R R R
= +
1 2
1 1 1
B
R R R
=
1
1 1
BB
B CC B
V
R R V R
=
1
1
CC BB
CC B
V V
R V R

=
1
CC B
CC BB
V R
R
V V
=


Universidad Andina Nstor Cceres Velsquez
CAP Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones
Ing. Abelardo Len Miranda
25
1
1
B
BB
CC
R
R
V
V
=


1
1.44 R K = O

Con esto el transistor queda bien polarizado para 4
CQ
I mA = y 6
CE
v V = adems
varia muy poco, para cuando | vari en todo su intervalo.


Ejemplo:
7. Determinar la variacin de
CQ
I para el diseo del ejemplo 6 si | cambia en todo su
intervalo de variacin.

Solucin:

4
CQ
I mA = cuando 40 | =
para 180 | = , tenemos:
BB BE
C
B
E
V v
i
R
R
|

=
+

4.3
CQ
I mA =


max min CQ CQ CQ
I I I A =
0.3
CQ
I mA A =

Con lo cual se demuestra que el punto de operacin es bastante estable.