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FABRICACIN DE UN CIRCUITO INTEGRADO

En los circuitos integrados monolticos todos los componentes se encuentran en una sola pastilla de silicio. Para fabricar un circuito integrado monoltico se parte de una lmina de silicio denominada "oblea" la cual a su vez est dividida en un gran nmero de plaquetas cuadradas o chips, cada uno de los cuales va a constituir un CI. Por lo tanto, con una oblea se puede fabricar a la vez un montn de CI. Se suele partir de un semiconductor tipo P y por la tcnica de Crecimiento epitaxial (1) se coloca encima una capa de silicio tipo N.
(1) Crecimiento epitaxial El crecimiento epitaxial o epitaxia es uno de los procesos en la fabricacin de circuitos integrados. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor se hace crecer un substrato con la misma estructura cristalina; el sustrato debe poseer dos condiciones esenciales. La primera es que debe tener sitio de nucleacin donde los tomos a depositar pierdan su energa y lleguen a formar parte de la estructura cristalina del slido. La segunda es que el sustrato debe poseer una temperatura tal que, una vez alcanzada la superficie por los tomos que contribuirn al crecimiento, estos puedan moverse fcilmente hasta situarse en un lugar de la red cristalina. Mediante esta tcnica se puede controlar de forma muy precisa el nivel de impurezas en el semiconductor, que son los que definen su carcter (N o P). Para hacer esto se calienta el semiconductor hasta casi su punto de fusin y se pone en contacto con el material de base para que, al enfriarse, recristalice con la estructura adecuada. La capa crecida se extiende sobre toda la superficie del sustrato no de forma localizada como en la difusin.

Para este proceso se utiliza un horno epitaxial. Este tipo de crecimiento va a asegurar que la regin tipo N que se acaba de aadir tiene estructura de un solo cristal, al igual

que la regin tipo P.

Seguidamente, le se coloca una capa de xido a la oblea, para ello se introduce en un horno de oxidacin formndose una capa delgada de dixido de silicio (SiO2) que recubre a la oblea y cuyas funciones ms importantes van a ser la de proteger al circuito contra la contaminacin.

La siguiente etapa se denomina fotoproteccin. Consiste en colocar una sustancia orgnica que sea sensible a la luz ultravioleta, denominada fotoprotector, sobre la capa de xido.

En esta capa se coloca una mscara que tiene unas ventanas opacas en la zona donde se va a realizar la siguiente difusin (por ejemplo, se quiere integrar un transistor NPN se tiene que tener bien definidas tres regiones: el colector, la base y el emisor. Estas tres zonas determinarn cmo ser la mscara y dnde tendr las ventanas opacas) . Se expone la oblea a rayos ultravioleta y el barniz fotosensible que haba debajo de las ventanas opacas se va a eliminar y va a aparecer la capa de dixido de silicio.

Despus se ataca a la oblea con cido fluorhdrico y las zonas de SiO2 que han quedado al descubierto se van a destruir quedando ahora al descubierto la capa de material tipo N.

El siguiente paso es realizar una difusin tipo P. Se introduce la oblea en un horno de difusin y se dopa con gran cantidad de impurezas tipo P. As se convierte en tipo P la zona que queda al descubierto de la capa epitaxial tipo N. Se ha conseguido aislar una zona tipo N, que ha quedado rodeada por semiconductor tipo P y por dixido de silicio. Si se estuviese haciendo un transistor esta zona aislada podra ser, por ejemplo, el colector. Se repite el proceso de oxidacin y de fotoproteccin y se colocan unas mscaras diferentes, por ejemplo, para formar la base. Se difunde nuevamente impurezas tipo P. Para formar el emisor se podran repetir todos los pasos pero con la diferencia de que al final se aaden impurezas tipo N.

Para conectar todas las regiones "n" y "p" se suele usar una pelcula delgada de un material conductor por ejemplo el aluminio. Se coloca nuevamente una capa de oxidacin y un fotoprotector y la mscara que pone ahora tiene ventanas que van a permitir que se realicen las conexiones elctricas, por ejemplo, entre la base y el colector. Despus de realizar la metalizacin y una vez que las conexiones elctricas se hayan hecho, se cortan los diferentes chips de la oblea.

Despus de separarlos, se realizan las conexiones necesarias de cada chip con los pines de la cpsula que va a contener el circuito integrado, estas conexiones se realizan soldando hilo de aluminio muy delgado. Para acabar, se introduce el chip dentro de la cpsula que lo va a proteger, y as termina el proceso de fabricacin de un CI.

AISLAMIENTO DE LOS ELEMENTOS DEL CI Dentro de un circuito integrado puede encontrarse una gran cantidad de componentes. Estos componentes pueden ser de diferentes tipos: resistencias, transistores, condensadores, etc., o del mismo tipo. Una de las necesidades que se presenta es separar los elementos, no fsicamente ya que todos forman parte del mismo circuito integrado, sino que han de ser aislados elctricamente para que cada uno pueda seguir comportandose segn sus caractersticas, es decir, que, por ejemplo, los transistores sean exactamente iguales y cumplan las mismas propiedades que tiene un transistor discreto (que no forma parte de un circuito integrado).

Hay varias formas de conseguir el aislamiento elctrico entre los diferentes elementos que componen un circuito integrado: la ms usada de todas ellas, debido a lo econmica que resulta, es la denominada "aislamiento de unin". Supngase que se quieren separar dos transistores, este mtodo consiste en polarizar inversamente las regiones N y P y, al no circular corriente, se produce el deseado aislamiento elctrico entre los dos transistores. Otra forma es usando dixido de silicio, SiO2, recubriendo cada regin de colector de cada uno de los transistores, el dixido de silicio se comporta como un aislante. Por ltimo, hay un tipo de aislamiento denominado "tipo viga" que es parecido al aislamiento de unin. La diferencia

radica en que en el tipo viga, al realizar la metalizacin, se forma una capa muy gruesa encima de la oblea. Despus se remueve el silicio que sobra en el substrato tipo P. Se forma una estructura con los circuitos conectados semirrgidamente y todos los elementos separados unos de otros.

TECNOLOGA DE PELCULA DELGADA Y GRUESA En los circuitos integrados monolticos se ha visto que se forman todos los componentes a la vez en un substrato semiconductor. En la tecnologa de pelcula delgada y en la de pelcula gruesa no ocurre lo mismo. Las resistencias y condensadores de valores pequeos se fabrican en el substrato, pero las resistencias y los condensadores de valores grandes y algunos circuitos monolticos son exteriores al chip y se conectan formando un circuito hbrido. Este tipo de circuitos tiene la peculiaridad de que no se forman sobre la superficie de un semiconductor sino que lo hacen sobre un material aislante que puede ser vidrio o un material cermico. La tcnica de fabricacin de pelculas delgadas consiste en ir haciendo una deposicin por medio de una evaporacin al vaco o pulverizacin catdica. La superficie que contiene el substrato acta como el nodo, y el material que se va depositando por la deposicin como ctodo. Los pasos para el procesamiento de un circuito integrado por tecnologa de pelcula delgada son muy similares a los que se han explicado de los circuitos monolticos. En la tecnologa de pelcula gruesa se utiliza un circuito impreso sobre el cual se van a depositar las resistencias, condensadores, etc. Una de las ventajas de esta tecnologa es que resulta ms barata que la de pelcula delgada.

Bibliografa Consultada: ITBA Instituto Tecnolgico de Buenos Aires