1

Cours d’Electronique Analogique
ENSPS - 1
ière
année. Année universitaire : 2003/2004
Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr
http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/
2
Contenu du cours
1. Quelques rappels utiles
2. Les Diodes
3. Applications des diodes
4. Le Transistor bipolaire
5. Les Transistors à effet de champ
6. Rétroaction et amplificateur opérationnel
Bibliographie
☛Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
☛Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
☛Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
☛Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
3
1. Les bases
1.1 Composants linéaires et loi d’Ohm … :
✎Le ”modèle linéaire” ne décrit le comportement réel du composant que dans un “domaine de
fonctionnement (linéaire)” fini.
I
V
• Résistance électrique = composant linéaire :
V = R I
loi d’Ohm
V
I
R
• Généralisation aux circuits en “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :
( ) ( ) ( ) ω ω ω I Z V ⋅ ·
( )
ω
ω
jC
Z
1
·
C
L
( ) ω ω jL Z ·
composant linéaire :
“impédance” :
4
1.2 Source de tension, source de courant :
1.2.1 Sources idéales :
I
V
I
o
I
o
V charge
I
source de courant
idéale :
→le courant fourni par la source est indépendant de la charge
source de
tension idéale :
V
I
V
o
V
o
V charge
I
→la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge
5
V
1.2.2 Sources réelles :
I
I
o
source de courant
réelle :
→Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant en tant que source de
courant
domaine de fonctionnement linéaire
ou “domaine de linéarité”
source de “courant”↔R
i
>> V/I = Z
e
= “impédance d’entrée” de la charge.
i
o
R
V
I I − · →
o
I cst I · ≅ ⇒
tant que I >> courant dans la résistance interne

,
`

.
|
i
R
V
↔schéma
équivalent
Schéma équivalent:
I
o
R
i
V charge
I
R
i
= “résistance interne”
(G
i
= 1/R
i
= conductance interne)
hyp : V∈domaine de linéarité
6
V
I
V
o
source de tension
réelle :
domaine de linéarité
↔schéma
équivalent
V
o
V charge
I
source de “tension” ↔R
i
<< Z
e
I R V V
i o
− · →
o
V cst V · ≅ ⇒
tant que la chute de potentiel aux bornes de R
i
est faible
devant V ( ) V I R
i
<<
charge V
I
V
o
R
i
hyp : V∈domaine de linéarité
Schéma équivalent:
7
Transformation de schéma :
➨selon la valeur de Z
e
/R
i
on parle de source de tension (Z
e
>>R
i
) ou source de courant (Z
e
<<R
i
)
en fait...

“vu” de
la
charge
V
o
R
i
R
i
I
o
avec
i
o
o
R
V
I ·
= “courant de court-circuit”
(charge remplacée par un
court-circuit)
I R V V
R
V
R
V
R
V
I I
i o
i i
o
i
o
− · → − · − ·
puisque
[V
o
= tension en “circuit ouvert” du dipôle]
Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la
tension aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le
parcourant, la source est dite “liée”. Vous verrez des exemples de sources
liées dans le cas des transistors.
8
1.3 Théorème de Thévenin :
☛Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire, constitué de résistances, de sources de tension et
de sources de courant est équivalent à une résistance unique R
Th
en série avec une source de tension
idéale V
th
.
Calcul de V
th
:
( ) ouvert circuit
!
V V
th
·
( )
( )
( ) circuit - court
ouvert circuit
circuit - court
!
I
V
I
V
R
th
th
· ·
Calcul de R
th
:
V
I
A
B

V
th
R
th
V
I
= “générateur de Thévenin”
A
B
ou
[remplacement des sources de tension non-liées par un fil (V
o
=0), et
des sources de courant non-liées par un circuit ouvert (I
o
=0)]
AB th
R R ·
en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées.
9
Mesure de R
th
:
s Au multimètre : exceptionnel… puisqu’il faut remplacer toutes sources non-liées par des court-
circuits ou des circuits ouverts tout en s’assurant que le domaine de linéarité s’étend jusqu’à
V=0V.
s A partir de la mesure de V(I) :
I
V
mesures
pente = - R
th
générateur équivalent de Thévenin
V
th
☛En régime harmonique le théorème de Thévenin se généralise aux impédances complexes.
☛“Générateur de Norton” = source de courant équivalente au générateur de Thévenin
☛R
th
= “impédance de sortie” du montage.
2
th
V
↔méthode de “division moitié”
th
V
V
R R
I
V
th
!
charge
2
· ·
·
10
2. Les Diodes
2.1 Définition
s Caractéristique courant-
tension d’une diode idéale :
I
d
V
d
I
d
V
d
sous polarisation “directe”
(V
d
≥0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
sous polarisation “inverse” (V
d
<0)
la diode = circuit ouvert
☛Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le
redressement d’une tension, la mise en forme des signaux (écrêtage, …).
☛La diode (même idéale) est un composant non-linéaire
☛Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs
électrique 2A)
11
2.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium
hyp: régime statique
(tension et courant
indépendants du
temps)
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
I
s
s Pour V
d
<0, la diode se comporte comme un bon isolant : I
s
~ 1 pA - 1µA ,
➥la diode est dite “bloquée”
➥dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire
➥le courant “inverse”, I
s
, augmente avec la température
comportement linéaire
s Pour V
d
>> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire
➥la diode est dite “passante”
➥mais I
d
n’est pas proportionnel à V
d
(il existe une “tension seuil”~ V
o
)
V
o
12
V
d
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d
]
]
]

,
`

.
|
≅ 1 exp
T
d
s d
V
V
I I
η
s Zone « du coude » : V
d
∈[0,~ V
o
] : augmentation exponentielle du courant
avec 1≤η≤ 2 (facteur “d’idéalité”)
V
T
= k • T/e
k = 1,38 10
-23
J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10
-19
Coulomb, T la température en °Kelvin
I
s
= courant inverse
➥le comportement est fortement non-linéaire
➥forte variation avec la température
V
o
☛V
T
(300K) = 26 mV
13
s Zone de claquage inverse
Ordre de grandeur :
V
max
= quelques dizaines de Volts
✎peut conduire à la destruction pour une
diode non conçue pour fonctionner dans
cette zone.
✎V
max
= « P.I. V » (Peak Inverse Voltage) ou
« P.R.V » (Peak Reverse Voltage)
I
d
V
d
V
max
claquage par effet
Zener ou Avalanche
V
o
Limites de fonctionnement :
Il faut que V
d
I
d
=P
max
s Limitation en puissance
V
d
I
d
=P
max
s Influence de T :
V
d
(à I
d
constant) diminue de ~2mV/°C
diode bloquée : I
d
= I
S
double tous les 10°C
diode passante :
(diode en Si)
14
2.3 Diode dans un circuit et droite de charge
➪I
d
et V
d
respectent les Lois de Kirchhoff
2.3.1 Point de fonctionnement
➪I
d
et V
d
sont sur la caractéristique I(V) du composant
V
al
R
L
V
R
I
d
I
d
, V
d
, ?
s Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse?
V
d
➪Au point de fonctionnement de la diode, (I
d
,V
d
) remplissent ces deux conditions
15
V
al
/R
L
V
al
« Droite de charge »
I
d
V
d
Caractéristique I(V)
2.3.2 Droite de charge
s Loi de Kirchoff :
L
d al
d
R
V V
I

· → L = Droite de charge de la diode dans le circuit
➪Connaissant I
d
(V
d
) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement
☛procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant !
➪On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.
Q= Point de fonctionnement
I
Q
V
Q
Q
16
2.4 Modéles Statiques à segments linéaires
2.4.1. “Première” approximation: Diode « idéale »
↔On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale
V
al
>0
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
al
< 0
I
d
V
d
V
al
V
al
R
i
I
d
V
d
I
d
V
d
q pas de tension seuil
q conducteur parfait sous polarisation directe
q V
d
<0: circuit ouvert
diode “bloquée”
0 < ⇔
d
V
al d d
V V I · · , 0
V
al
R
i
s Schémas équivalents :
V
al
R
i
0 , · ·
d
i
al
d
V
R
V
I
diode “passante”
0 ≥ ⇔
d
I
↔ ↔↔ ↔hyp: I
d
, V
d
constants
17
2.4.2 Seconde approximation
I
d
V
d
I
d
V
d
q tension seuil V
o
non nulle
q caractéristique directe verticale
(pas de “résistance série”)
q V
d
<0: circuit ouvert
I
d
V
o
V
al
R
i
V
o
schémas équivalents :
diode “passante”
0 ≥ ⇔
d
I
V
al
R
i
V
al
<V
o
V
d
V
al
o d
i
o al
d
V V
R
V V
I ·

· ,
diode “bloquée”
o d
V V < ⇔
al d d
V V I · · , 0
V
al
R
i
s Schémas équivalents
V
al
>V
o
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
☛Pour une diode en Si: V
o
≈ ≈≈ ≈ 0,6-0,7 V
18
2.4.3 3
ième
Approximation
I
d
V
d
q tension seuil V
o
non nulle
q résistance directe R
f
non nulle
q V
d
<0: résistance R
r
finie
V
d
1
V
o
Modélisation
pente = 1/R
f
pente = 1/R
r
~0
Caractéristique réelle
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
s Schémas équivalents
I
d
V
d
V
al
pente=1/R
i
V
o
V
al
>V
o
:
V
al
R
i
I
d
V
d
V
al
R
r
diode bloquée
V
al
<V
o
:
o d
V V < ⇔
V
al
R
i
diode passante
V
o
R
f
schémas équivalents :
o d d
V V I ≥ ≥ ⇔ et 0
d f o d
I R V V + · →
V
d
I
d
☛Pour une diode en silicium,
V
o
= 0,6-0.7V, R
f
~
q.q. 10Ω, R
r
>> MΩ,
19
Remarques :
s
d
d
f
I
V
R ≠
s Le choix du modèle dépend de la précision requise.
s Les effets secondaires (influence de la température, non-linéarité de la
caractéristique inverse, ….) sont pris en compte par des modèles plus évolués
(modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
20
2.4.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents :
Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.
Démarche (pour débutant...):
a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge
b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode
c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ
S’il y a contradiction, il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.
Recommencer le calcul avec l’autre schéma.
Démarche pour étudiants confirmés...
Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent...
21
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 3ième approximation pour la diode.
V
al
= 5V
R
L
=
1kΩ
>
5V
1kΩ
V
o
R
f
V
d
>
I
d mA
R R
V V
I
L f
o al
d
33 , 4 ·
+

· → L
V I R V V
d f o d
66 , 0 et · + ·
hypothèse initiale : diode passante
Informations sur la diode:
V
o
= 0.6V (↔Si)
R
f
= 15Ω
R
r
=1MΩ
[↔V
d
>V
o
, (I
d
>0)]
OK!
En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée: K
o d
V V V > ≈ → 5
En utilisant la 2ième approximation: (R
f
= 0, R
r
= ∞)
V V mA I
d d
6 , 0 et 4 , 4 · · → L
➨La 2
ième
approx. est souvent suffisante pour une étude rapide du fonctionnemnt d’un circuit
22
Autres exemples :
v
sortie
v
entrée
R
1
= 1kΩ
V
ref
=2V
• avec v
entrée
signal basse fréquence telque le modèle statique reste
valable (période du signal < temps de réponse de la diode ↔pas
d’effet “capacitif” ou )
Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée :
• à fréquence nulle :
v
entrée
= V
e
(constant)
2)
1)
V
al
50Ω
1MΩ
Calcul de I
d
et V
d
pour :
a)V
al
= -5V
b) V
al
= 5V
Caractéristiques des diodes :
R
f
= 30Ω, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie
Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs
23
V
o
a) V
1
= V
2
= 5V
Déterminer V
s
, V
D1
et V
D2
pour :
b) V
1
= 5V V
2
= 0V
c) V
1
= 0V V
2
= 0V
Caractéristiques des diodes :
R
f
= 30Ω, V
o
=0.6V, I
s
=0 et R
R
infinie
V1
V2
R
270
R
270
D1
D2
V
s
3)
2V
4.7k
24
2.5 Comportement dynamique d ’une diode
2.5.1 Prélude : Analyse statique / dynamique d’un circuit
L’ Analyse dynamique
…ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques, ou
encore composantes alternatives (AC) )
☛n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables!
L’ Analyse statique
… se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques
(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)
☛= Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes
Notation : lettres majuscules pour les composantes continues
lettres minuscules pour les composantes variables
25
Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit.
R
1
R
2
V(t)
V
e
v
e
( ) ( ) [ ] ( ) t v
R R
R
V
R R
R
t v V
R R
R
t V
e e e e
2 1
2
2 1
2
2 1
2
+
+
+
· +
+
·
Calcul complet
V
v(t)
➨Analyse statique : ? " " ) ( · · V t V
➨Analyse dynamique : ( ) ( ) ? · − · V t V t v
hypothèses: v
e
= signal sinusoïdale
V
e
= source statique
26
Par le principe de superposition :
☛Comme tous les composants sont linéaires, le principe de superposition s’applique
➨la source statique V
e
est à l’origine de V , et v
e
est à l’origine de v
V
e
R
1
R
2
V
Analyse statique :
“schéma statique” du circuit
v
e
= 0
e
V
R R
R
V
2 1
2
+
·
Analyse dynamique : V
e
= 0
( ) ( ) t v
R R
R
t v
e
2 1
2
+
·
v
e
R
1
R
2
“schéma dynamique”
v
☛Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique”
27
Autres exemples:
v
e
I
o
R
1
R
2
R
3
V(t)=V+v(t)
☛Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.
[puisque i(t)=0!]
1)
o
I
R R R
R R
V
3 2 1
3 1
+ +
·
Schéma statique
I
o
R
1
R
2
R
3
V
Schéma dynamique
v
e
R
1
R
2
R
3
v
( )
( )
3 2 1
3
R R R
t v R
t v
e
+ +
·
28
2)
V(t)
v
g
ω
R
g
V
al
R
1
R
2
C
Schéma statique :
al
V
R R
R
V
2 1
2
+
· →
à fréquence nulle C = circuit ouvert
☛C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui
dépend de la fréquence du signal
V
V
al
R
1
R
2
29
Schéma dynamique :
v
v
g
ω
R
g
R
1
R
2
schéma équivalent dynamique
g
Z R R
R R
v
+
· →
1 2
1 2
//
//
ω iC
R Z
g g
1
avec + ·
pour ω suffisamment élevée :
g
g
v
R R R
R R
v
+
·
1 2
1 2
//
//
ω iC
Z
c
1
·
Z
C
g g
R Z ≈ et
☛A “haute” fréquence (à préciser suivant le cas), le condensateur peut être remplacé par un
court-circuit.
30
☛Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires !
Extrapolations possibles:
s le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non-
linéaire
s l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant
reste approximativement linéaire.
31
2.5.2 Fonctionnement d’une diode dans un de ses domaines de linéarité (D.L.) :
V
d
1
V
o
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
I
d
D.L. “direct”
D.L. “inverse”
Tant que le pt. de fonctionnement reste
dans le D.L. la diode peut être décrite par le
modèle linéaire approprié
☛le point de fonctionnement reste dans le D.L. direct
☛la diode peut être remplacée par le modèle linéaire suivant :
0,6V
10 Ω
Exemple :
5V
100Ω
1kΩ
( ) t ⋅ ⋅ ⋅ π 2 100 sin 5 , 0
diode: Si, R
f
= 10Ω , V
o
= 0,6V
V(t)
32
Schéma statique :
5V
100Ω
1kΩ
10Ω
0,6V
V = … = 4,6V
Schéma dynamique :
100Ω
10Ω
1kΩ
( ) t v
e
⋅ ⋅ ⋅ · π 2 100 sin 45 , 0
( ) t ⋅ ⋅ ⋅ π 2 100 sin 5 , 0
☛ATTENTION, l’utilisation des modèles à segments linéaires n’est plus valable si le point
de fonctionnement passe dans la zone du coude
représente la diode seulement si le pt de
fonctionnement reste dans le D.L. sous
polarisation directe
33
s Variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
➨ la caractéristique I
d
(V
d
) peut être approximée par la tangente en Q

d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i ⋅ ≅
➪schéma équivalent dynamique
correspondant au point Q :

1 −
Q
d
d
dV
dI
= “résistance dynamique”
de la diode
I
d
V
d
V
o
Q
Q
d
d
dV
dI
pente :
Q
d
I
Q
d
V
2|i
d
|
2| v|
2.5.3 Modèle faibles signaux (basses fréquences)
☛Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit !
hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste
valable.
34
s Notation :
r
f
= = résistance dynamique pour V
d
Q
> 0
r
r
= = résistance dynamique pour V
d
Q
< 0
1
0

>
d
V
d
d
dV
dI
1
0

<
d
V
d
d
dV
dI
☛ à température ambiante :
( )
( ) 1
25
· Ω ≈ η
mA I
r
d
f
➨ Pour V
d
>> V
o
, r
f
≈ R
f
➨ Pour V
d
< 0 , r
f
≈ R
r
➨ Pour V
d
∈ [0, ~V
o
] ,
d
T
s
V
V
s
d
V
d
d
f
I
V
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
d
η
η
·
]
]
]
]
]

,
`

.
|
− ≅ ·


1
1
☛ proche de V
o
la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle
➥r
f
ne devient jamais inférieur à R
f
(voir courbe expérimentale, p11)
35

r
f
≈ R
f

r
r
≈ R
r
>>MΩ
I
d
V
d
Q
I
d
V
d
Q

Q
d
T
f
I
V
r ·
I
d
V
d
Q
s Résumé des schémas équivalents faibles signaux, basse fréquence :
☛hyp : la fréquence est suffisamment faible pourque i
d
et v
d
soient en phase
→impédance réelle (résistance dynamique)
36
Exemple :
V
d
(t)
V
e
v
e
R
a
1kΩ
C
10µF
D
R
b
2kΩ
5V
Analyse statique :
V V mA I
d d
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5
≈ ·


diode: Si, R
f
= 10Ω , V
o
= 0,6V ,
Température : 300K
Analyse dynamique : , 12
2 , 2
26
Ω · ≈
f
r
( ) t v
e
⋅ ⋅ ⋅ · π 2 10 sin 1 , 0
3
a c
R Z << Ω ·16
Schéma dynamique :
1kΩ
v
e
2kΩ
~ 12Ω
v
( ) t v ⋅ ⋅ ⋅ ≈ →

π 2 10 sin 10 2 , 1
3 3
➨Amplitude des ondulations résiduelles : 1,2 mV
37
2.5.4 Réponse fréquentielle des diodes
s Limitation à haute fréquence :
Pour des raisons physiques, le courant I
d
ne peut suivre les variations instantanées de V
d
au delà d’une certaine fréquence.
➨apparition d’un déphasage entre I
d
et V
d
➨le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable
s Le temps de réponse de la diode dépend :
➪du sens de variation (passant →bloqué, bloqué →passant) (!signaux de grande amplitude)
➪du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
38
s Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation directe (V
d
Q
>0)
☛une petite variation de V
d
induit une grande variation I
d
, c’est -à-dire des charges qui
traversent la diode
☛A haute fréquence, des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre
les variations de V
d
)
☛~ Comportement d’un condensateur, dont la valeur augmente avec I
d
(cf physique des composants)
Modèle faible signaux haute fréquence (V
d
>0) :
T
I
C
Q
d
d

☛Ordre de grandeur : C
d
~ 40 nF à 1mA, 300K.
= “capacité de diffusion”

r
c
r
sc
☛à basse fréquence : r
c
+ r
s
= r
f
☛la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu.
39
s Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation inverse (V
d
Q
< 0) :
☛une variation de V
d
entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode, qui à son
tour déplace les charges électriques.
☛à haute fréquence, ce déplacement donne lieu à un courant mesurable, bien supérieure à I
s
.
☛Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique :
r
r
o d
t
V V
C


1
Modèle faible signaux haute fréquence (V
d
< 0) :
= capacité de “transition” ou “déplétion”
➪Ordre de grandeur : ~pF
40
s Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse
➪le temps de réponse dépend du courant avant commutation.
➪ordre de grandeur : ps →ns
Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel », lorsque la diode
bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa.
V
d
V
g
R
V
o
V
g
t
-V
R
V
Q
temps de réponse
-V
R
V
d
V
o
I
d
(V
Q
-V
o
)/R
-V
R
/R
41
2.6 Quelques diodes spéciales
Ordre de grandeur : V
Z
~1-100 V , I
min
~0,01- 0,1mA, P
max
↔régime de fonctionnement
☛Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une
tension seuil négative ou « tension Zener » (V
Z
)
2.6.1 Diode Zener
I
d
V
d
-V
z
-I
min
-I
max
s Caractéristiques
V
Z
: tension Zener (par définition: V
Z
>0)
I
min
: courant minimal (en valeur absolue) au delà
duquel commence le domaine linéaire “Zener”
I
max
: courant max. supporté par la diode
(puissance max:P
max
~V
Z
I
max
)
R
Z
: “résistance Zener” =
z d
V V
d
d
dV
dI
<
ex: 1N759
42
I
d
V
d
-V
z
-I
min
-I
max
➪Modèle statique :
pente
1/R
z
s schémas équivalents
hyp : Q ∈ domaine Zener
Q

V
z
V
d
I
d
+
R
z
➪Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
signaux :
z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r ≅
]
]
]
]

·
−1
pour |I
d
| >I
min
43
2.6.2 Diode tunnel
➪Exploite l’effet tunnel à travers la jonction PN (cf. Mécanique quantique)
1
!
>
+
·
f g
s
r R
R
v
v
Illustration : Le pont diviseur comme amplificateur
V
pol
fixe Q dans la partie décroissante de I(V)
V
pol
v
s
R
v
g
☛Cet type d’amplificateur est peu utilisé parce qu’on peut faire mieux...
➪r
f
négative, utile pour les circuits résonnants
Q
I
V
s Caractéristique I(V) :
44
2.6.3 Diode électroluminescente (ou LED)
s Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
➪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > V
o
)
➪L’intensité lumineuse ∝ courant électriqueI
d
☛Ne marche pas avec le Si (cf. cours Capteurs)
➥V
o
≠ 0.7V ! (AsGa: ~1.3V)
45
3. Applications des Diodes
3.1 Limiteur de crête (clipping)
s Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés, amplificateur à grand gain…) contre
une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée.
Un aperçu qui sera complété en TD et TP.
➪quand V
g
(t)< V
o
:
g
g e
e
e
V
R Z
Z
V
+

☛ Protection contre les tensions supérieures à ~1V
Fonctionnement :
I
d
V
d
=V
e
V
e
Q
V
o
droite de charge
➪quand V
g
(t) > V
o
= 0.7V :
o e
V V ≅
g
g
R
V
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode :
g
g
o d o
R
V
V I V P
6 , 0
max
max

⋅ ≅ ⋅ ≈
(si Z
e
>> q.q. Ω )
Exemple : clipping parallèle
V
e
V
g
circuit à
protéger
R
g
Z
e
(diode // charge)
46
Clipping série :
V
e
(t)
circuit à
protéger
Z
e
V
g
R
g
Fonctionnement :
➨Tant que V
g
< V
o
, la diode est bloquée et le circuit protégé…
➨Pour V
g
> V
o
:
➨Le circuit est protégé contre toute tension inférieure à V
o
(en
particulier les tensions négatives)
( )
g g
g e
e
g e
V V
R Z
Z
V V ≅ − ≈
+
− ≅ 6 , 0 6 , 0
Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode :
e g
g
e g
g
d
Z R
V
Z R
V
I
+

+


6 , 0
max
☛Comment peut-on modifier le circuit pour protéger la charge contre des tensions positives?
47
s Protection par diode :
➪V
max<0
~ - 0.7V
➪V
A
≤ ~20,7V
➪la conduction de la
diode engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.
+20V
V
I
+20V
L
I
V
s ouverture de l’interrupteur :

➪V
A
→+∞
➪risque de décharge électrique à
travers l’interrupteur ouvert
☛L’interrupteur pourrait être un
transistor...
−∞ → ·
dt
dI
L V
Protection contre une surtension inductive
A
48
Exercices :
V
g
V
R
c
V
1
V
2
R
c
D
z
V
g
V
(1)
(2)
(3) Détecteur de fronts de montée
R
C
R
c
RC >> T
T
V
Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ?
49
3.2 Redressement
Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur)
s Objectif:
Redressement simple alternance
220V
50Hz
R
c
V
s
7 . 0 − ≈
m
V
V
s
t
(cf avant)
R
i
=résistance de sortie du transformateur
V
m
=amplitude du signal du secondaire
avec filtrage passe-bas :
R
c
220V
50Hz
R
V
s
➪ Le condensateur se charge à travers R (+R
f
) et se
décharge à travers R
c
:
C R C R
c
<<
ondulation résiduelle
↔R, C, f
V
s
t
☛mauvais rendement : la moitié du signal d’entrée n’est pas exploitée
50
Redressement double alternace (pont de Graetz)
D
1
D
2
D
3
D
4
R
R
c
s Fonctionnement
V
i
V
s
V
i
t
V
s
,
V V
i
4 . 1 <
~1.4V
➪quand V
i
> ~1.4V :
D
1
et D
4
= passants, D
2
et D
3
= bloquées
Parcours du courant :
➪quand V
i
< ~ -1.4V :
D
1
et D
4
= bloquées, D
2
et D
3
= passantes
Parcours du courant :
51
avec filtrage :
avec condensateur
sans condensateur
V
s
D
1
D
2
D
3
D
4
R
V
s
50 Ω
R
c
=
1
0
k

V
i
200µF
➪Ondulation résiduelle réduite
52
Courant transitoire de mise sous tension :
➪ Diodes de puissance
✎Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme d’un composant unique (ou discret)
☛C est initialement déchargé ↔V
C
≈ 0
➨I
d
peut devenir trop élevé
➪I
dmax
dépend de R et C
R
V
I
i
d
4 , 1
max


I
D2
[V
m
=10V]
V
s
V
secondaire
(mA)
20
40
60
régime transitoire
53
Autres configurations possibles :
☛mauvais rendement, puisqu’à
chaque instant seule la moitié du
bobinage secondaire est utilisé
secteur
~
transformateur à
point milieu
s Utilisation d’un transformateur à point milieu :
secteur
~
+V
al
-V
al
masse
s Alimentation symétrique :
54
3.3 Restitution d ’une composante continue (clamping)
Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives)
↔reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle
s Fonction :
Exemple :
V
c
V
g
(t)
C
V
d
D
R
g
Fonctionnement : On supposera la diode idéale (1
ière
approx.)
q Lorsque V
g
- V
c
> 0, la diode est passante
V
g
R
g
C
V
c
➨C se charge et V
c
tend vers V
g
➨V
d
= 0
V
d
q Lorsque V
g
- V
c
<0, la diode est bloquée
➨V
c
= constant (C ne peut se décharger!)
➨V
d
= V
g
+V
c
V
g
R
g
C
V
c
V
d
➥ ~ composante continue
☛Quelle est l’effet de la tension seuil V
o
de la diode (non prise en compte ci-dessus) ?
55
V
c
V
g
(t)
C
V
d
D
R
g
q Cas particulier :
( ) 0 pour sin > ⋅ · t t V V
m g
ω
0 pour 0 < · t V
c
(C déchargé)
➨Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
t (s)
C=1µF
R
g
=1kΩ
f= 100hz
V
m
=5V
V
c
V
g
V
d
charge du condensateur
V
d
≈0.7V
Simulation
56
Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.
➪Charge de C avec une constante de temps de R
g
C à chaque fois que la diode est passante
➪Décharge de C avec une constante de temps R
r
C
➪le circuit rempli ses fonctions, si pour f >>1/R
r
C (≈10
5
hz dans l’exemple) :
➥en régime permanent: V
d
≈ V
g
- V
m
composante continue
57
3.4 Multiplieur de tension
s Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. La
tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée.
Exemple : doubleur de tension
clamping
redresseur monoalternance
~
V
g
R
c
>> R
g
R
g
V
D1
V
Rc
V
m
=10V, f=50Hz, C=10µF
R
c
=100kΩ.
C
C
( ) 0 pour 2 sin > ⋅ · t t f V V
m g
π
t
V
D1
,V
Rc
régime transitoire / permanent
☛En régime établi, le courant d’entrée du
redresseur est faible (~ impédance d’entrée
élevée)
m m R
V V V
c
⋅ ≈ − ⋅ ≅ → 2 4 , 1 2
☛ Il ne s’agit pas d’une bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans R
c
)
doit rester faible (~ résistance interne élevée)
58
➩≡ assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallèle.
➩l’impédance d’entrée de la charge doit être >> R
f
+ R
transformateur
+R
protection
☛source “flottante” ↔nécessité du transformateur
charge
source
AC
Autre exemples : Doubleur de tension
59
4. Transistor bipolaire
4.1 Introduction
s le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique
il peut :
➪amplifier un signal
➤amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
➪être utilisé comme une source de courant
➪agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire)
➤essentiel pour l’électronique numérique
➪...
il existe :
➪soit comme composant discret
➪soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
60
s on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ
➪différents mécanismes physiques
s Ils agissent, en 1
ière
approx., comme une source de courant commandée
➪transistor bipolaire : commandé par un courant
➪transistor à effet de champ: commandé par une tension
☛ Idéalement : l’étage d’entrée ne dépend pas de l’étage de sortie.
I
contrôle
source de courant
commandée par un
courant
contrôle commandé
I A I ⋅ ·
A = “gain” en courant
V
contrôle
source de courant
commandée par une
tension
contrôle commandé
V G I ⋅ ·
G= transconductance.
61
4.2 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire
s Structure simplifiée
P
+
P
N
E
B
C
émetteur
collecteur
base
Transistor PNP
☛ Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semiconductrices différentes,
l’émetteur, la base et le collecteur, qui se distinguent par la nature du dopage.
E
C
Transistor NPN
N
N
P
B
+
couplage
entre les
diodes
diode « EB »
diode « BC »
☛Les deux « jonctions PN » (ou diodes!) émetteur/base et base/collecteur se partagent
la région centrale : la « base ». Le couplage entre les jonctions est à l’origine de l’
« effet transistor »: le courant dans l’une des diodes (généralement dans la jonction
base/émetteur) détermine le courant dans la seconde. (cf après)
☛Symétrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement
analogue à condition d’inverser les polarités des tensions.
diode « EB »
diode « BC »
62
s Effet transistor
➪si V
EE
> ~ 0.7V, le courant circule entre l’émetteur et la base ➨V
BE
~ 0.7V, I
E
>> 0
➪V
CC
> 0, un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur
➪La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
➨I
C
~I
E
et I
B
= I
E
-I
C
<< I
E
➪La jonction EB est dyssimétrique (dopage plus élevé côté E)
➨courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E)
➪Le courant I
C
est contrôlé par I
E
, et non vice versa…
Exemple: Transisor NPN
N N P
+
B
E
C
V
EE
V
CC
R
E
R
C
E
r
I
E
I
C
I
B
e
-
☛Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTIF du transistor
63
s Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale...
➪Contraintes de polarisation : V
BE
> ~ 0.7V, V
CB
> - 0.5V
➪I
B
non nul = fraction de I
E
ne participant pas à la commande de I
C
.
s Symboles
B
NPN
C
E
B
C
E
PNP
☛la flèche indique le sens du
courant dans l’état actif
PNP
V
BE
V
CB
V
CE
I
C
I
E
I
B
sConventions :
NPN
V
BE
V
CB
V
CE
I
C
I
E
I
B
➪ I
E
= I
B
+I
C
64
4.3 Caractéristiques du transistor NPN
s Choix des paramètres :
q Configuration “Base Commune”
( base = électrode commune)
➪Caractéristiques : I
E
(V
EB
,V
CB
), I
C
(V
CB
,I
E
) ou I
E
(V
BE
,V
BC
), I
C
(V
BC
,I
E
)
q Configuration “Emetteur Commun”
(émetteur= électrode commune)
➪Caractéristiques : I
B
(V
BE
, V
CE
), I
C
(V
CE
, I
B
)
☛La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.
☛Les différentes grandeurs électriques (I
E
, I
B
,
V
BE
,V
CE
,…) sont liées:
➪différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent
R
E
R
C
V
EE V
CC
I
E
I
C
I
B
V
EB
V
CB
V
CE
65
sCaractéristiques en configuration BC :
Jonction EB passante
I
E
>0, V
BE
≈ 0.6-0.7V
Jonction EB bloqué
I
E
~ 0, V
BE
< 0.5 V
I
E
(mA)
V
EB
(V)
V
CB
=0 , -15
-0.1
-0.5
1
2
➪~ caractéristique d’une jonction PN
➪très peu d’influence de I
C
(resp. V
CB
)
]
]
]

,
`

.
|
≅ 1 exp
T
BE
s E
V
V
I I
V
BE
(V)
0,1
0,5
CAS DU TRANSISTOR NPN
I
E
(V
EB
, V
CB
) :
« caractéristique d’entrée »
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
66
I
C
(V
CB
, I
E
) :
1
1.5
2.0
tension seuil de la jonction BC
mode actif
➪pour V
CB
> ~-0.5V, on a I
C
=α αα α
F
I
E
, avec α αα α
F
proche de 1.
➤En mode actif, ( )
F E C E B
I I I I α − · − · 1
Ordre de grandeur : α
F
~0.95 - 0.99 α
F =
“gain en courant continue en BC”
I
E
(mA)
≡ jonction PN polarisée en inverse
V
CB
(V)
0.5
1.0
1.5
-0.5
1
2 3
0
I
c
(mA)
➪pour I
E
= 0, on a I
C
= courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
➤Transistor en “mode bloqué”
➪pour V
CB
≈ ≈≈ ≈ -0.7, la jonction BC est passante, I
C
n’est plus controlée par I
E
➤Transistor en “mode saturé”
0.5

BE
V
E C
I I ≈
67
sCaractéristiques en configuration EC :
I
B
(V
BE
, V
CE
) :
V
BE
(V)
I
B
(µA)
0.1
0.2 0.3
0
0.5
1.5
3
0.1V
> 1V
E
r
I
C
I
B
I
E
N
N
P
V
CE
=
➪V
BE
> 0.6V, jonction PN passante
☛ I
B
<<I
E
↔charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC
➪Influence non-négligeable de V
CE
sur α
F
↔“Effet Early”
( )
E F B
I I α − · 1
« caractéristique d’entrée »
hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel)
68
I
C
(V
CE
, I
B
) :
Mode actif
➪Mode actif : BE passant, BC bloquée →V
BE
≈ 0.7V et V
CB
>~ -0.5 V
➤V
CE
= V
CB
+V
BE
> -0.5 + 0.7 ~0.2 V
☛Grande dispersion de fabrication sur h
FE
.
( )
B FE B
F
F
C B C F E F C
I h I I I I I I " "
1
·

· ⇒ + · ·
α
α
α α
ordre de grandeur : h
FE
~ 50 - 250
h
FE
=“gain en courant
continue en EC” = “β
F

➪Effet Early : α αα α
F
tend vers 1 lorsque V
CE
augmente →h
FE
augmente avec V
CE
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
b
= 20 µA
15µA
10µA
5µA
1
2
1 3 5
Transistor saturé
➪Mode saturé : Diode BC passante -> I
C
~ indépendant de I
B
➤h
FE
diminue lorsque V
CE
→ 0
Transistor bloqué
I
C
= “I
CO

69
s Modes actif / bloqué / saturé
Configuration EC :
Mode bloqué : 0 ≅
B
I
CC CE
V V ≅
0 ≈
C
I
Transistor NPN
h
FE
I
B
B
E
C
~0.7V
I
B

Mode actif
Mode saturé :
V V
BE
8 . 0 ≈
V V
CE
2 . 0 ≈
B FE c
I h I ≠
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode saturé
B C
E
Mode bloqué
Mode actif :
B FE c
I h I ≈ V V
BE
7 . 0 ≈
CC CE
V V V < < 3 . 0 ~
B
C
E
☛V
CC
= source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin)
V
CC
ne peut pas dépasser cette valeur!
70
Mode actif :
B FE c
I h I ≈ V V
BE
7 . 0 − ≈
Mode bloqué : 0 ≅
B
I
) 0 ( 3 . 0 ~ < < < −
CC CE
V V V
Configuration EC :
CC CE
V V ≅
0 ≈
C
I
Mode saturé :
V V
BE
8 . 0 − ≈
V V
CE
2 . 0 − ≈
B FE c
I h I ≠
B
E
C
~0.7V
h
FE
I
B
I
B
B
Transistor PNP
C
E

Mode actif
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode saturé
B C
E
Mode bloqué
71
s Valeurs limites des transistors
➪ Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)
➪Puissance maximale dissipée : P
max
=V
CE
I
C
fiches techniques :
➪Courants de saturations inverses :
➤I
C
, I
B
et I
E
≠0 en mode bloqué
I
C
V
CE
=P
max
72
s Influence de la température
☛ La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température
➪les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T
➪V
BE
, à I
B,E
constant, diminue avec T
➪ou réciproquement : pour V
BE
maintenue fixe, I
E
(et donc I
C
) augmente avec T
➪Risque d’emballement thermique :
L ↑ ⇒ ↑ ⇒ ↑ ↑⇒ T dissipée Puissance
C
I T
➨Necessité d’une contre-réaction dans les amplificateurs à transistors bipolaires :
↓ ⇒ ↓ ⇒ ↓ ⇒ ↑ ⇒ ↑
C B BE C
I I V I T
73
4.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
s Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.
Exemple : q Comment déterminer I
B
, I
C
, V
BE
, V
CE
?
Droites de charges :
+V
CC
V
th
R
th
R
c
BE B th th
V I R V + ·
th
BE th
B
R
V V
I

· →
CE C C CC
V I R V + ·
C
CE CC
C
R
V V
I

· →
↔Point de fonctionnement
74
s Point de fonctionnement
➪ V
BEQ
≈0.6-0.7V, dès que V
th
> 0.7V
(diode passante
transistor actif ou saturé)
V
BE
(V)
I
B
0.1
0.2 0.3
Q
I
BQ
V
BEQ
th
BE th
B
R
V V
I

· →

CC CE CE
V V V
Q sat
≤ ≤
c
CC
c
CE CC
c CO
R
V
R
V V
I I
sat


≤ ≤
I
c
(mA)
V
CE
(V)
← ←← ←I
BQ
C
CE CC
C
R
V V
I

·
Q
V
CEQ
I
CQ
V
CEsat
I
CO
☛Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
75
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=30kΩ
R
c
=3kΩ
h
FE
=100
µA I
Q
B
10 · →
mA I
Q
C
1 · →
V V
Q
CE
7 · →
☛On a bien : ~0,3 <V
CEQ
< V
CC
Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.
V
th
R
th
R
c
V
cc
I
B
0.7V
h
FE
I
B
76
q Remplacement de R
th
par 3kΩ :
µA I
Q
B
100 · → L
mA I
Q
C
10 · → L
V V
Q
CE
20 − · → L !!
☛Résultat incompatible avec le mode actif
➪le modèle donne des valeurs erronnées
Cause :
I
c
(mA)
V
CE
(V)
← ←← ←I
BQ
Q
V
CEQ
En ayant augmenté I
BQ
,(réduction de R
th
)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
V V
Q
CE
3 . 0 ~ →
et
mA I
Q
C
2 . 3 ·
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=3kΩ
R
c
=3kΩ
h
FE
=100
77
s Quelques circuits élémentaires :
t<0 :
V
BE
< 0.7V →Mode bloqué
Transistor interrupteur:
+V
CC
R
c
R
B
V
BB
t
0.7V
I
C
V
CE
V
CC
Interrupteur ouvert
c
cc
R
V
+V
CC
R
C
R
B
“Interrupteur
ouvert”
0 ·
C
R
I
Interrupteur fermé
t>0 : V
BE
> ~0.8V, telque R
c
I
c
~V
CC
→V
CE
~qq. 100mV
~0.8V
~0.2V <<V
CC
V
CC
R
C
R
B
“Interrupteur
fermé”
C
CC
C
CC
R
R
V
R
V
I
C


·
2 . 0
B
BE
FE c
cc
B
R
V
h R
V
I
7 . 0
min
fermé) ur interrupte (
min

≅ ≅
78
Transistor source de courant :
charge
R
c
V
CC
V
BB
R
E
I
• E
Source de courant
E
BB
R
V V
I
7 . 0 −
≈ →
“quelque soit” R
c

tant que le transistor est en mode actif
Domaine de fonctionnement :
q
E
cc
c
R
I
V
R − ≅
max
pour R
c
supérieure à R
cmax
→transitor saturé

0
min
·
c
R
( )
CC C E C CC CE
V I R R V V < + − · < ≈ 0
( ) V V
BB
7 . 0 >
79
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension
15V
10k
10k
V
z
=5,6V
charge
I
10V
560Ω
4,7k
I
charge
80
Transistor, amplificateur de tension :
+V
CC
V
BB
v
B
R
E
R
C
V
Sortie
• E
B

I
C
E
B
c
R
v
i ≈ → En négligeant la variation de V
BE
:
hypothèses :
qPoint de fonctionnement “au repos” :
Transistor en mode actif lorsque v
B
= 0
(amplificateur “classe A”)
q Amplitude du signal v
B
suffisamment faible
pourque le transistor soit à chaque instant actif
Enfin :
s s C c cc Sortie
v V I R V V + · − ·
avec :
c cc s
RI V V − ·
et
b
E
c
c c s
v
R
R
i R v − · − · Le “signal”v
B
est amplifié par le facteur
E
c
v
R
R
A − ·
☛A
v
= “∞” pour R
E
=0 ?? voir plus loin pour la réponse...
☛Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manière optimale?
c c C
E
B
E
i I I
R
V
I + · ≈

≈ →
7 . 0
(I
B
<<I
C
)
q Modèle 1
ière
approximation pour le transistor
81
4.6 Circuits de polarisation du transistor
q Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor
q Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.
q Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (I
C(B)
< I
max,
, V
CE (BE)
<V
max
,....)
q Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :
➤sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur h
FE
,… )
➤stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :V
BE
, h
FE
,…).
82
s Circuit de polarisation de base (à courant I
B
constant)
B
cc
B
BE cc
B
R
V
R
V V
I
7 . 0 −


·
c c cc B FE c
I R V V I h I Q − · ·
CE
et :
V
CC
R
C
R
B
Conséquence : ∆ h
FE
⇒ ∆ I
c
⇒ ∆ V
CE
→Le point de repos dépend fortement de h
FE
= inconvénient majeur
→Circuit de polarisation peu utilisé.
I
C
V
CE
c
cc
R
V
cc
V
Q
1
V
CE1
I
C1
2 transistors
différents même I
B
Q
2
V
CE2
I
C2
Exemple : Transistor en mode saturé ↔R
B
tel que
en prenant pour h
FE
la valeur minimale garantie par le constructeur.
FE c
cc
B B
h R
V
I I
sat
≈ >
Dispersion de fabrication:
h
FE
mal défini
83
s Polarisation par réaction de collecteur
+V
CC
R
C
R
B
FE
B
C
CC
C
h
R
R
V
I
+

≈ →
7 . 0
Le point de fonctionnement reste sensible à h
FE
Propriété intéressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque V
CE
ne peut être inférieur à 0.7V
Cas particulier : R
B
=0
C
CC
C
R
V
I
7 . 0 −
≈ →
➪Le transistor se comporte comme un diode.
V V
CE
7 . 0 ·
84
s Polarisation par diviseur de tension - « polarisation à courant (émetteur) constant »
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
➪Peu sensible à h
FE
:
➪Bonne stabilité thermique
E
th
C E
FE
th
R
V
I R
h
R
si
7 . 0 −
≈ → <<
+V
CC
V
th
R
th
R
c
( )
C E C CC CE
I R R V V + − ·
CC th
V
R R
R
V
2 1
2
+
·
2 1
// R R R
th
·
avec
et
FE th E
th
E C
h R R
V
I I
/
7 . 0
+

≅ ≈
85
R
E
introduit une contre-réaction
Augmentation de
V
E
augmente
V
B
~V
th
V
BE
et I
E
diminuent
contre-réaction
E
I
BE
V
diminue de 2mV/°C
I
E
augmente
Une façon de comprendre la stabilité du montage :
Règles « d’or » pour la conception du montage :
• R
th
/R
E
≤ 0.1 h
FE
min
ou encore R
2
< 0.1 h
FE
min
R
E
↔I
R2
≈10 I
b
• V
E
~V
CC
/3
☛Idem, si l’augmentation de I
E
résulte d’un échange de transistors
(dispersion de fabrication)
" Diminuer R
th
augmente le courant de polarisation I
R1
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
86
s Polarisation par un mirroir de courant
+V
EE
R
p
R
c
Q
1
Q
2
q Q
1
,Q
2
= transistors appariés (circuit intégré)
q Q
1
: V
BC
=0 →~ diode
p
EE
p
R
V
I
7 . 0 −
≅ →
☛Q
2
agit comme un “mirroir de courant”.
I
p
fixe le courant I
p
☺ Point de fonctionnement ne dépend pas explicitement de h
FE
I
C
q Q
2
:
p C EB EB
I I V V
Q Q
≅ → ·
2 1
Imperfection :
Effet Early
c CE
V
C
R V avec augmente I
BE
↔ →
(jusqu’à ~25% !)
q En mode actif, les courants de bases
sont négligeables (1ière approx.)
87
Amélioration possible
+V
EE
R
p
R
c
Q
1
Q
2
I
p
I
C
R
E
R
E
avec R
E
<<R
C
( )
p C E BE BE
I I R V V
Q Q
− − ·
1 2
q R
E
introduit une contre-réaction :
Si I
C
augmente (variation de V
CE
), diminue
et s’oppose à l’augmentation initiale.
comme
2
Q
BE
V
1
Q
BE
V
2
Q
BE
V
88
4.7 Modèle dynamique
q Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique
q Comportement approximativement linéaire
➪Modèles équivalents
s Caractéristique d’entrée :
+V
CC
V
BB
v
B
R
E
R
C
V
Sortie
• E
B

I
C
I
BQ
V
BE
0.2
0.4 0.6
0
I
B
V
BEQ
v
BE
i
B
t
t
d
r
o
i
t
e

d
e

c
h
a
r
g
e
Q
B
v
Pour v
B
petit:
" "
ie
be
be
T FE
E
be
Q
BE
B
b
h
v
v
V h
I
v
V
I
i ·

≅ ⋅



FE
T
BE
s B
h
V
V
I I
]
]
]

,
`

.
|
≅ 1 exp
h
ie
= “résistance d’entrée dynamique” du
transistor en EC
89
✎h
ie
↔« i » pour input, « e » pour EC, h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire)
Notation :
E
T FE
ie
I
V h
h · " "
= “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC
☛ Ne pas confondre h
ie
avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin).
B
E
C
h
ie
i
b
v
be
☛ A température ambiante (300K) on a :
( )
( ) Ω


mA I
h
h
E
FE
ie
26
90
s Caractéristique de sortie en mode actif :
b fe c
i h i " " ≅
En première approximation :
I
c
V
CE
I
BQ
Q
droite de charge
i
c
=h
fe
i
b
t
I
BQ
+i
b
Q
CE
V
v
ce
En tenant compte de l’effet Early:
ce oe b fe c
v h i h i + · où
Q
CE
c
oe
V
I
h


·
h
fe
= gain en courant dynamique
≈ ≈≈ ≈ h
FE
en Q (*)
i
b
h
ie
h
fe
i
b
B
E
C
i
c
B
i
b
h
ie
h
fe
i
b
E
C
i
c
h
oe
-1
1 −
oe
h = impédance de sortie du transistor en EC
Ordre de grandeur : 100kΩ - 1MΩ
☛Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
91
I
c
V
CE
I
B
(µA)
droite de charge
1
5
10
15
20
I
c
I
B
(µA)
Q Q
tangente en Q
b fe c
i h i ·
B FE C
I h I ·
droite passant par l’origine
FE fe
h h ≅
on a généralement :
sauf à proximité du domaine saturé
Note sur h
FE
et h
fe
:
92
s Analyse statique / analyse dynamique
Exemple: Amplificateur de tension
V
CC
R
1
R
2
R
c
R
E
C
v
g
V
s
=V
S
+v
s
composante
continue
signal
V
CC
R
1
R
2
R
c
R
E
V
S
statique
➪Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions
→ C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).
V I R V V
N A
C c CC S
Q
10
.
· − · →
mA I
R
V V
R R
R
I
N A
C
E
BE CC
E
Q Q
2 . 2
. actif mode
2 1
2
· ≅

,
`

.
|

+

A.N.:
V
cc
=15V
R
1
=47k
R
2
=27k
R
c
=2.4k
R
E
=2.2k
h
FE
=100
93
Hypothèses : transistor en mode actif →schéma équivalent du transistor
Analyse dynamique :
ω iC
1
v
g
R
1
// R
2
R
E
h
ie
h
fe
i
b
i
b
v
s
R
c
en négligeant h
oe
...
Schéma dynamique du circuit :
ω iC
1
v
g
R
1
R
2
R
E
i
b
v
s
R
c
(circuit ouvert)
h
ie
h
oe
-1
h
fe
i
b
transistor
94
☛Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances :
Calcul de la fonction de transfert v
s
/v
g
:
i
b
v
g
R
1
// R
2
R
E
h
ie
h
fe
i
b
v
s
R
c
E
R
i
( )
b E fe ie R E b ie g
i R h h i R i h v
E
+ · + ·
b fe c s
i h R v ⋅ ⋅ − ·
fe
ie
E
c
fe E ie
fe c
g
s
h
h
R
R
h R h
h R
v
v
+
− ·
⋅ +

− ·
☛Pour R
E
>> h
ie
/h
fe
on retrouve le résultat de la page 94.
95
En statique : V
e
= 15V
V
D
≈ V
Z
et V
BE
≈0.6V → V
S
≈ 10 V
A
R
V V
I
S e
R
5 . 0
1
1
·

· →
A
R
I
L
R
L
4 . 0
10
· ·
mA I
R
2 , 1
500
6 . 0
2
· ·
z L Z
D R D R C
I I I I I − · − − · 1 . 0
1
et
fe
C
B R D
h
I
I I I
z
+ · + · 0012 . 0
2
mA
h
I
I mA I mA I
FE
C
B C D
Z
2 et 97 , 3 ≈ · ≈ ≈ ⇒
Autre exemple :
Régulateur de tension
composante
continue
D
Z
= diode Zener avec |V
Z
|=9,4V
I
min
= 1 mA
C
.
D
Z
T
R
L
V
e
=
15 ±2V
R
1
=10Ω
R
2
= 500Ω
V
s
=V
S
+ v
s
B .
50 · ·
fe FE
h h


~
1
oe
h
Ω · 25
L
R
Transistor de puissance
ondulation résiduelle
I
Dz
I
C
I
R2
charge:
96
Efficacité de régulation ↔ ↔↔ ↔ondulation résiduelle : V
e
varie de ± 2V, quelle est la variation résultante de V
s
?
v
s
R
L v
e
R
1
R
2
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
z
Etude dynamique du montage :
C
.
( )
b fe
i h i ⋅ + · 1
( )
b ie z s
i h R v ⋅ + ·
Ω ≈
+

+
+
· 4 . 0
1
fe
ie z
fe
ie z s
h
h R
h
h R
i
v
C
.
R
L v
e
R
1
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
z
v
s
i
h
ie
<<R
2
( )
Ω ≅

≅ 13
25
mA I
mV h
h
E
fe
ie
→ ≅ mA I
c
100
97
R
L v
e
R
1
v
s
C
.
i
1 03 , 0
1
1
<< ·
+ +
+
·
+
+
+
≈ →
R h h R
h R
R
h
h R
h
h R
v
v
fe ie z
ie z
fe
ie z
fe
ie z
e
s
☛Le même montage sans transistor aurait donnée une ondulation résiduelle de
( )
( )
7 . 0
//
//
1 2
2

+ +
+

R R R R
R R R
v
v
L z
L z
e
s
Ω 4 . 0
98
s Modèle dynamique hautes fréquences
☛Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC.
☛En mode actif :
➤la jonction EB introduit une capacité de diffusion C
d
➤la jonction BC introduit une capacité de transition C
t
.
Schéma équivalent dynamique hautes fréquences
i
B

h
FE
r
se
h
fe
i
B

i
C
r
o
C
t
C
d
☛Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences élevées et sont
responsable d ’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor bipolaire (cf plus loin).
B
C
E
r
ce
99
4.8.1 Caractéristiques d’un amplificateur
4.8 Amplificateurs à transistors bipolaires
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
amplificateur
charge
v
L
v
e
i
e
i
l
q Fonction: amplifier la puissance du “signal”
➥tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: V
CC
et (ou) V
EE
)
q La sortie agit comme une source de tension v
s
caractérisée par son impédance de sortie Z
s
v
s
Z
s
q L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée
e
e
e
i
v
Z ·
Z
e
☛Z
s
= résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par R
L
100
+V
CC
-V
EE
R
L
v
g
R
g
source
charge
v
L
v
e
i
e
i
L
Z
e
v
s
Z
s
q Gain en tension :
Comme Z
s
≠ ≠≠ ≠ 0 le gain en tension dépend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L
· ·
∞ ·
Gain “en circuit ouvert” :
Définitions
Gain “sur charge” :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+
· ·
➙Comme Z
e
≠ ≠≠ ≠ ∞ ∞∞ ∞ , A
vc
diffère de A
vL
vL
e i
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+
· ·
Gain “composite”:
(tient compte de la
résistance de sortie
de la source)
q Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A · ·
q Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c
⋅ · ·
101
☛L’amplificateur “idéal” :
q Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée
q Impédance d’entrée élevée ➙peu de perturbation sur la source
q Impédance de sortie faible ➙peu d’influence de la charge
☛La réalité...
s Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées
↔Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants
↔la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation
s Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal
↔capacités internes des composants
↔condensateurs de liaison
↔Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence
102
4.8.2 Amplificateur à émetteur commun (EC)
q Le transistor en mode actif
q Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor
q La sortie est “prise” sur le collecteur
q La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Emetteur commun”
s Particularités des amplificateurs EC :
s Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont :
q Le circuit de polarisation
q Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
q La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).
103
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
g
V
CC
C
C
R
L
Exemple :
x A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables :
L
C B
R
C
R R
C
<< << ↔
ω ω
1
; //
1
2 1
hypothèses :
x Point de repos du transistor: mode actif
(↔choix des résistances)
☛C
B
est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (v
g
=0) ne soit pas modifié par
la présence du générateur de signaux.
☛C
c
évite que la charge “voit” la composante continue de V
C
, et qu’elle influence le point de
repos du transistor.
➪ Polarisation par diviseur de tension
➪Couplage “capacitif” avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
104
s Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
➥circuit de polarisation à pont diviseur
s Analyse dynamique :
2 1
// R R r
B
·
C L c
R R r // ·
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
r
c
i
b
R
E
( )
b fe R
i h i
E
⋅ + · 1
E
R
i
R
1
R
2
R
E
R
C
v
L
v
g
C
R
L
q Gain en tension (sur charge):
fe E ie
fe c
e
L
v
h R h
h r
v
v
A
L
⋅ +

− · ·
☛Gain en circuit ouvert :
Remplacer r
c
par R
c
v
L
105
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
i
L
R
E
q Gain en courant :
( )
B
E fe ie
fe
e
L
i
r
R h h
h
i
i
A
1
1
+ +
+
− · ·
r
c
q Impédance d’entrée :
( ) [ ] [ ]
E fe B E fe ie B
e
e
e
R h r R h h r
i
v
Z // 1 // ≅ + + · ·
➪ Impédance d’entrée vue de la source :
( )
E fe E fe ie e
R h R h h Z ≅ + + · 1 '
➪Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation :
'
e
Z
☛Z
e
dépend de l’endroit d’où vous “regardez”
l’entrée de l’amplificateur.
( )
b fe E R
i h R V
E
⋅ + · 1
➥schéma équivalent “vu de la source” :
r
B
h
ie
i
e
v
e
( ) 1 +
fe E
h R
Z
e
b fe
i h
(h
ie
~qq. 100 à qq. 1k Ohms)
106
q Impédance de sortie :
☛ne tient pas compte de l’effet Early (h
oe
)
☛approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif
c s
R Z ·
➪Impédance de sortie vue de la charge (R
L
):
h
fe
i
b
R
c
Z
s
R
L
☛Z
s
de l’ordre de quelques kΩ ↔loin d’une source de tension idéale
↔A
vL
diminue lorsque R
L
< ~R
c
☛Z
s
dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie.
☛Parfois R
C
constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)
➪Impédance de sortie vue de R
c
:
Z
s

" "
'
∞ ·
s
Z
107
Avec l’effet Early :
i
e
i
L
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
v
e
R
c
R
E
1 −
oe
h
v
sortie
Z
s

Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Z
s
’ = R
Th
AB
= résistance entre A et B, avec v
g
court-circuité
= v
s
/ i
s
!
i
s
r
B
h
ie h
fe
i
b
R
E
1 −
oe
h
i
b
v
s
A
q
q
B
( ) [ ] ( )
b s E b fe s oe s
i i R i h i h v + + − ·
−1
: 1
( ) ( )
b s E b ie
i i R i h + + · 0 : 2
E ie
ie E
E ie
E fe
oe
s
s
s
R h
h R
R h
R h
h
i
v
Z
+
+
]
]
]

+
+ · ·

1
1
108
q Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
☛le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique
( )
E
ce
c
c E c c E L ce
R r
v
i
i R r i R v v
C
+
− · →
+ − · − ·
v
ce
droite de charge dynamique: pente 1/(r
c
+R
E
), passe par Q
repos
t
i
c
v
ce
droite de charge statique
E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

·
I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
109
I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
droite de charge
➪Point de repos optimale pour une dynamique maximale :
( )
Q Q
C E c CE
I R r V + ≅
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloquée ou saturée, du domaine linéaire.
ce s ce
E c
c
c c s
v v v
R r
r
i r v ∝ ⇔
+
· − ·
I
c
V
CE
I
BQ
Q(repos)
( )
Q
C E c
I R r +
Q
CE
V
Q
C
I
Q
CE
V
v
ce
110
s Amplificateur EC avec émetteur à la masse :
“Remède” : découpler (“shunter”) R
E
par un condensateur en parallèle
➪seul le schéma dynamique est modifié.
C
E
☛R
E
est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique.
☛R
E
diminue considérablement le gain...
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
g
V
CC
C
C
R
L
v
g
r
B
h
ie h
fe
i
b
i
e
v
e
r
c
i
b
pour C
E
ou f suffisamment
*
élevé :
* :
fe
ie
E E
h
h
C R << //
111
q Gain en tension (sur charge):
f
c
ie
fe c
v
r
r
h
h r
A
L
− ·

− ·
>> gain avec R
E
☛ le gain dépend fortement de r
f
(résistance interne de la fonction BE)
(la contre-réaction n’agit plus en dynamique…)
ie
b
e
e
h
i
v
Z · ·
q Impédance d’entrée de la base : significativement réduit...
or
C
f
I
kT
r ≅
kT
I r
A
C c
v
L
− ≅ →
☛Le gain dépend de I
C
→distorsion du signal aux amplitudes élevées
q Impédance de sortie :
c oe s
R h Z //
1 −
· (vue de la charge R
L
)
112
q Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
➪Il y a déformation du signal dès que :
( )
Q Q
C c CE s
I r V v , min >
➪Le point de repos optimal correspond à
Q Q
C c CE
I r V ·
c c ce
r i v − ·
“droite de charge dynamique”
Q
C c
I r
Q
CE
V
V
CE
droite de charge statique
I
c
I
CQ
Q
i
c
v
ce
113
s L’amplicateur EC en résumé :
qEmetteur à la masse :
absolue en valeur 1 >> − · − ·
f
C
fe
ie
C
v
r
R
h
h
R
A
C s
R Z ≅
Impédance de sortie :
Impédance d’entrée de la
base du transistor:
ie e
h Z ≅
Gain en circuit ouvert :
(de q.q. kΩ )
(de q.q. kΩ )
Impédance d’entrée de la base:
qAvec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »):
E
C
E f
C
v
R
R
R r
R
A ≈
+
− ≅ Gain en circuit ouvert :
Impédance de sortie :
C s
R Z ≅
( )
E fe ie e
R h h Z 1 + + · (élevée, h
fe
~100-200)
☛L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages
amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).
114
q Le transistor en mode actif
q Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor
q La sortie est “prise” sur l’émetteur
q La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Collecteur commun”
s Particularités des amplificateurs CC :
s Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont :
q Le circuit de polarisation
q Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.
q La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.
4.8.3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur »
115
Exemple:
➪ Polarisation par diviseur de tension
➪Couplage “capacitif” avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
hypothèse: Mode actif
Analyse simplifiée (« 1
ière
approximation ») :
V V actif Mode
BE
7 . 0 ≅ ↔
V V V
B E
7 . 0 − · →
g B E s
v v v v · ≅ · →
1 ≈ · →
g
s
v
v
v
A
L’émetteur “suit” la base.
R
1
R
2
R
E
V
CC
C
v
s
v
g
E
B
C
R
L
sortie
i
Z
e
116
1
1

+

+
+
·
f E
E
fe
ie
E
E
v
r R
R
h
h
R
R
A q Gain en tension en circuit ouvert :

,
`

.
|
· >>
E
f E
I
kT
r R
s Analyse dynamique :
q Gain en tension sur charge :
1 ≅
+
·
f E
E
v
r r
r
A
L
L E E
R R r // · avec
q Impédance d’entrée : ( ) [ ] 1 1 // >> + + ·
E fe ie B e
r h h r Z
Z
e
q Gain en courant :
1 >> ≈ · · ·
L
e
L
e
vL
e
g
L
s
entrée
L
i
R
Z
R
Z
A
Z
v
R
v
i
i
A
R
1
//R
2
v
g
v
s
h
ie
h
fe
i
b
R
E
transistor
B
E
C
R
L
i
entrée
i
L
i
b
117
q Impédance de sortie
0 ·
·
g
v
s
s
s
i
v
Z
i
s
v
s
r
B
h
fe
i
b
R
E
v
s
h
ie
i
b
( )
f
fe
ie
fe
ie
E
E
fe
ie
fe
ie
E
fe E ie
ie E
s
r
h
h
h
h
R
R
h
h
h
h
R
h R h
h R
Z
!
1
//
1
1
1
· ≈ ·
+
+
+
·
+ +
·
+
( ) [ ]

¹
'
¹
⋅ − ·
+ − ⋅ ·
b ie s
b fe s E s
i h v
i h i R v 1
( )
]
]
]

+ + ⋅ ·
ie
s
fe s E s
h
v
h i R v 1
118
q Dynamique de sortie
R
1
R
2
R
E
V
CC
C
v
s
v
g
E
B
C
R
L
sortie
i
I
c
V
CE
Q(repos)
droite de charge statique
E
CE CC
C
R
V V
I

·
V
E
max
≈ V
CC
-0.2V
V
E
min
≈ 0 V
CE CC E
V V V − ·
droite de charge dynamique : pente 1/r
E
Q
C E
I r
➪Point de repos optimal :
Q Q
C E CE
I r V ≈
☛Le point optimal dépend de la charge.
119
L’amplicateur CC en résumé :
Intérêts du montage :
Faible impédance de sortie
Impédance d ’entrée élevée
1 ≅
v
A
E fe E fe ie e
R h r h h R R Z ≅ + · ) //( //
2 1
peut être de l’ordre de quelques 100kΩ
fe
ie g
fe
ie g
E s
h
h R
h
h R
R Z
+

+
+
·
1
//
inférieure à quelques dizaines d ’Ohms
v
s L
L
v v
A
Z R
R
A A
L

+
·
1 >> · ·
L
e
v
e
L
i
R
Z
A
i
i
A
L
≈ h
fe
si R
E
constitue la charge
(i
L
= i
c
et i
e
≈ i
b
)
Applications :
« Etage - tampon » ! Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse
impédance.
1
exemple :
Amplificateur de puissance (cf plus loin)
120
q Le transistor en mode actif
q Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor
q La sortie est “prise” sur le collecteur
q La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Base commune”
s Particularités des amplificateurs BC :
4.8.4 Amplificateur à base commune (BC)
V
CC
v
g
R
L
R
E
R
C
R
1
R
2
h
ie
h
fe
i
b
i
b
r
c
R
E
E
C
B
121
s Propriétés :
q Gain en courant : 1
1

+ +
·
fe
E
ie
fe
i
h
R
h
h
A
Z
e
q Impédance d’entrée :
Q
C
f
fe
ie
fe
ie
E e
I
kT
r
h
h
h
h
R Z · ≈
+

+
·
1 1
// quelques Ω.
Z
s
q Impédance de sortie :
" "∞ ·
s
Z
(h
oe
= 0)
sinon
1 −
·
oe s
h Z comportement en source
de courant
h
ie
h
fe
i
b
i
b
r
c
R
E
E
C
B
q Gain en tension :
ie
c fe
v
h
r h
A
L
·
e
v
122
Exemple d’application : convertisseur courant - tension
Z
e
Z
s
v
g
R
i
e
A
i
i
e
i
s
R
L
☛ Lorsque v
g
= 0, (i
e
=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (h
oe
-1
)
(cf. charge active)
R
v
Z R
v
i
g
e
g
e

+
·
~indépendant de Z
e
tant que R
L
<<Z
s
. e i L s L s
i A R i R v ⋅ ⋅ ≈ ⋅ · ⇒
tension de sortie ∝ courant d’entrée
quadripôle équivalent à l’étage BC
123
☛On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les
performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.
Limitation à basse fréquence ↔ condensateurs de liaison et de découplage
Limitation à haute fréquence ↔ capacités internes au transistor
4.8.5 Influence de la fréquence du signal
{ ¦
o i
c c
f f , max
Fréquence de coupure inférieure du
montage =
( )C R R
f
C L
c
o
+
·
π 2
1
filtres passe-haut
g e
i
c
R Z R R r
rC
f + · · // // avec ,
2
1
2 1
π
Z
e
= impédance
d ’entrée de l ’étage
0 // ≠ ·
E E E
C R Z
Z
E
diminue le gain
(voir ampli stabilisé)
2 1
// R R
C
R
g
v
g
h
ie
h
fe
i
b
i
b
R
E
C
E
C
R
C
R
L
Basse fréquence
C et C
e
≠ court circuit
dynamique
R
C
R
E
R
1
R
2
R
L
R
G
+V
CC
124
Hautes fréquences
2 1
// R R
R
g
h
ie
h
fe
i
b
L c
R R //
C
be
C
bc
i
b
qualitativement: aux fréquences élevées, C
be
court-circuite la jonction base-émetteur
→i
b
diminue
C
bc
crée une contre-réaction.
On montre que :
[ ]
2 / 1
// // 1 2
1
R R h R
h
h
C C
f
g ie L
ie
fe
bc be
c
h
]
]
]

,
`

.
|
+ +

π
Comportement en filtre passe-bas, avec
125
4.8.6 Couplage entre étages
s Objectif
Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension élevé
- faible distorsion
- bonne stabilité (thermique, dispersion)
- impédance d’entrée élevée
- impédance de sortie faible
Solution possible :
q stabilité et faible distorsion ↔EC stabilisé (R
E
)
q gain élevé ↔plusieurs étages en cascades
q Z
e
élevée ↔étage C.C en entrée
q Z
s
faible ↔étage C.C en sortie
Difficultés du couplage :
x Polarisation de chaque étage
x Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent
x Réponse en fréquence de l’ensemble (cf. couplage capacitif)
126
s Couplage capacitif
Exemple: amplificateur à trois étages CC - EC - CC
☛Utilisation de condensateurs de liaison, C
L
+V
CC
R
1
R
1
R
1
R
2
R
2
R
2
R
C
R
E
R
E

R
E
charge
v
entrée
C
L
C
L
C
L
C
L
C
E
C.C.
E.C. C.C.
➪Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique C
L
= circuit ouvert)
(dans l’hypothèse où la résistance interne de V
cc
négligeable…)
➪Les paramètres dynamiques (gains, impédances) ne sont pas indépendants
➥ex: l’impédance d’entrée du 3
ième
étage (= charge de l’étage E.C.) détermine le
gain sur charge du 2
ième
étage, etc.
127
C.C.
+V
CC
R
1
R
1
R
1
R
2
R
2
R
2
R
C
R
E
R
E

R
E
charge
v
entrée
C
L
C
L
C
L
C
L
C
E
E.C.
C.C.
Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus loin)
. 3 . 2 . 1 ét
v
ét
v
ét
v
montage
v
ier
L
ier
L
ier
L L
A A A A × × ·
comme et
. . EC
s
C C
e
CC
s
C E
e
Z Z Z Z >> >>
v
étages
v
A A
L
≅ →

2
2
.
1
T
ie
T
fe c
C E
v
montage
v
CC
v
h
h R
A A A
L
− · ≈ → ≈
T
1
T
2
T
3
128
sCouplage direct
➪Pas de fréquence de coupure basse
➪Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.
E.C.
A
vL
≈ ≈≈ ≈ -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x h
fe
>> 27k)
“Darlington”
[ ] Ω · ⋅ ≈ ≈ M h h Z h Z
T
fe
T
fe
T
e
T
fe
e
50 5000
2 1
2
1
➪Z
e
élevée : ➪Z
s
≈ 24 kΩ
➪Amplificateur de tension stabilisé :
2 # 1 # 2 # 1 # EC
v
EC
v
EC
v
EC
v
v
A A A A A
L L
× ≈ × ·
E.C.
A
v
≈ ≈≈ ≈ -10
T
3
30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s
v
g
Un exemple :
T
1
T
2
T
4
h
fe
~100
2 suiveurs A
vL
~1
129
q Analyse statique :
3V
3
T
E
I
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 7 . 0
3 3 3
≈ ≈ ⇒ ≈ →
V V
T
CE
3 . 2
3
≈ → →T
3
en mode actif
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 3 . 2
4 4 4
≈ ≈ ⇒ ≈ → V V
T
CE
6 . 3
4
≈ →
→T
4
en mode actif
☛V
CC
polarise en directe les deux
jonctions EB de T
1
et T
2
(transistors PNP)
→T
1
en mode actif
V V
T
CE
7 . 0
1
− · →
0.7V
☛En statique, v
g
= 0
0.7V
V V
T
CE
4 . 1
2
− · →
→T
2
en mode actif
V V
T
C
6
4
≈ ⇒
V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s
v
g
T
1
T
2
T
3
T
4
2
2
1
et 7 . 5
2
T
FE
E
E E
h
I
I mA I · ≅
130
Autre exemple : amplificateur à « alimentation fractionnée » (tension positive et négative)
E.C.
A
v
≈ ≈≈ ≈ -4
E.C.
A
v
≈ ≈≈ ≈ -10
E.C.
A
v
≈ ≈≈ ≈ 2.7
60
2
1
1 . 5
20
4 . 2
24
10
27
3 # 2 # 1 #
− · ⋅ − ≅ ⋅ ⋅ ⋅ · diviseur Pont A A A A
étage étage étage
v v v v
☛Les impédances d’entrée des transistors T
2
et T
3
, et celle du pont diviseur étant très élevées
devant les résistances de sortie de chaque étage, le gain total est approximativement égal au produit
des gains individuels :
30V
24k
20k
2.4k
5.1k
200k
200k
27k
10k
v
g
-10V
T
1
T
2
T
3
V
Sortie
131
30V
24k
20k
2.4k
5.1k
200k
200k
27k
9.3k
v
g
-10V
T
1
T
2
T
3
Statique :
V
s
=0V
V
Sortie
T
1
:
V V mA I
C E
3 , 1
3 . 9
7 . 0 10
· ·

·
3V
1mA
T
2
:
V V mA I
C E
6 , 1
4 . 2
7 . 0 3
· ≈

·
6V
1mA
T
3
:
V V mA I
C E
10 , 1
1 . 5
3 . 5
· ≈ ·
10V
1mA
q Analyse statique :
132
s Couplage par transformateur :
polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur
condensateur de découplage
(masse en alternatif) (EC)
condensateur d ’accord:
le circuit résonnant, LC, limite la
transmission aux fréquences
proches de la fréquence de
résonnace
Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision

,
`

.
|
− ·
f
c
v
r
Z
A
étage EC
133
s Impédance de sortie et amplicateur de puissance
☛Pour v
s
constant, P
max
augmente quand Z
s
diminue
A.N. v
s
=1V : Z
s
=10kΩ →P
max
=0.012mW | Z
s
=10Ω →P
max
=12mW
Puissance maximale:
0 · ⇔
L
dR
dP
s L
Z R · → L
s
s
Z
v
P

· →
8
2
max
(“adaptation” d’impédance)
Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :
( ) ( )
( )
2
2
2
2
2
2 2
s L
s L
L
s
s L
L
L
L
L L
Z R
v R
R
v
Z R
R
R
v
t i t v P
+

·

,
`

.
|
+
· · ⋅ ·
signal du amplitude v t
L
,
2
1
cos
2
· · ω
4.8.7 Amplificateurs de puissance
v
s
Z
s
R
L
étage de sortie
d’un amplificateur
charge
i
L
v
L
Z
e
Z
s
R
g
v
g
charge v
g
gain en puissance en conditions
d’adaptation d’impédance avec et
sans étage amplificateur = Z
s
/R
g
Etage CC
134
V
cc
v
g
R
1
R
2
R
E
T
2
T
1
q Gain en tension :
1 ≅ →
v
A
☛L’impédance d’entrée de T
1
est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T
2
“Darlington”
q Impédance d’entrée du Darlington :
☛L’impédance d’entrée élevée de T
1
constitue la
résistance d’émetteur (R
E
) de T
2
1
1 2
1
2
>> ⋅ ⋅ ≈ ⋅ ≈ →
E fe fe
T
e fe e
R h h Z h Z
➪Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade
s Amplificateur de Darlington
q Gain en courant :
2 1
2
2
1
1
2
1
1
1
2
1
fe fe
T
b
T
E
T
b
T
E
T
b
T
b
T
b
T
E
T
b
T
E
i
h h
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
A ⋅ · · · ·
v
s
T
1
: h
fe1
T
2
:h
fe2
135
( ) ( ) CC étage simple avec CC étage
max max
P Darlington P >>
q Impédance de sortie du Darlington :
2 1
2
1
1
2
1 2
2
2
1
fe fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
T
s
s
h h
h
h
h
h
h
h
h Z
Z ≈
+

+
≈ →
puisque
2
2
2 1
1
1
fe
T
ie
E E
fe
T
ie
h
h
I e
kT
I e
h kT
h ·

·


·
V
cc
v
g
R
1
R
2
R
E
T
2
T
1
v
s
1
1
1 2
FE
E
B E
h
I
I I · ·
2
E
I
1
E
I
Etage CC unique :
fe
ie
s
h
h
Z ·
136
➪Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Z
e
très élevée, Z
s
très faible)
➪Existe sous forme de composant discret à trois bornes, nommé transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé.
(ex: 2N2785: h
fe
=2000-20000.)
➪Existe aussi avec des transistors PNP.
➪Darlington = “supertransistor” bipolaire….
➪Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Z
s
très faible)
137
s Amplificateur Push-Pull
☛Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
➨Amplificateur de “classe A”
Avantages:
➤faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
➤simplicité
Inconvénients :
➤Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<V
CE
<V
cc
!v
CEmax
~V
cc
/2)
➤Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
( )
p C cc
I I V P
Q
+ ⋅ ≅
on alimentati
R
1
R
2
R
E
R
C
+V
CC
Q
C
I
p
I
ex: V
cc
= 15V, I
C
=1mA, I
p
= 0.1mA => P ~ 15mW
en absence de signal…
q Amplificateur classe A / classe B
Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)
Avantages:
➤faible consommation, dynamique de sortie élevée
Inconvénients :
➤Distorsion du signal
138
q Push Pull
q Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).
R
1
et R
2
sont telles que (lorsque v
g
=0) on a
Principe de fonctionnement
V 6 . 0 ~ et 6 . 0 ~ < <
PNP
EB
NPN
BE
V V
↔Transistors bloqués (de justesse): I
B
~0 =>I
C
~0
V
CE
NPN
I
C
NPN
I
C
PNP
0
V
CC
V
CE
PNP
0
-V
CC
PNP
C
NPN
C
CC
PNP
EC
NPN
CE
I I
V V V

· +
I
B
~0 I
B
~0
I
C
NPN
CE
Q
V
PNP
CE
Q
V
PNP
EC
CC
NPN
CE
Q Q
V
V
V ≈ ≈
2
~1.2V
Exemple :
+V
cc
R
L
R
1
R
1
R
2
R
2
v
g
NPN
PNP
P
v
sortie
B
B’
I
C
NPN
I
C
PNP
V
P
139
~1.2V
+V
cc
R
L
R
1
R
1
R
2
R
2
v
g
NPN
PNP
P
v
sortie
B
B’
➪Amplitude max : V
CC
/2
L
CE
c
R
v
i − ·
V
CC
/2
I
B
=0
Droite de charge dynamique
I
C
V
CE
droite de charge statique
V
CE
Q
~V
CC
/2
➪Si v
g
>0 →NPN actif, PNP bloqué
v
g
>0
R
1
R
1
R
L
h
ie
h
fe
i
b
i
b
= étage C.C
v
sortie
( )
L fe ie
fe
ie
v
R h h R
h
h
A + · · ≅ // Z , Z , 1
1 e s
☛Il n’y a pas de courant dynamique dans
les deux résistances R
2
, puisque V
BB
est
constante.
➪si v
g
<0 →NPN bloqué, PNP actif …
émetteur suiveur
q En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué (!« Push-Pull »)
140
Formation du signal de sortie
Signal de sortie:
t
NPN actif
PNP actif
v
sortie
I
C
V
CE
t
L fe
g
NPN
b
R h
v
i ≅
PNP
b
i
NPN
I
C
V
EC
PNP
☛Plus grand domaine de fonctionnement
141
Difficultés de cet exemple
I
C
V
CE
t
I
Csat
trop faible
Q
BE
V
transistors bloqués
t
q Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction)
q positionnement du point de repos
➨Distorsion de croisement : Si V
BE
trop faible au repos, les deux transistors seront bloquées
pendant une fraction du cycle.
142
Polarisation par diodes
☛Idéalement D
1
, D
2
= diodes de
caractéristiques appariés aux transistors
+V
cc
R
L
R
1
R
1
NPN
PNP
BE
V ⋅ 2
D
1
D
2
v
g
v
sortie
Remarques:
q L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
➤Z
s
plus faible →puissance maximale supérieure
choix de R
1
: I
D
~0
comme V
D
=V
be
→I
E
~I
D
~0
I
D
Point de repos
.
1
↓ ↓⇒ ⇒ ↓ ↑⇒ ⇒ ↑
D R D D
I V V I T
Stabilité thermique
I
D
(V
D
) et I
E
(V
BE
) même dépendance en température
contre-réaction
constant ≅ ≅
E D
I I
143
➪Deux signaux d’entrée, V
+
, V
-
➪Sortie = collecteur d ’un transistor
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
I
E
I
E
hypothèse : T
1
et T
2
appariés (circuit intégré)
4.8.8 Amplificateur différentiel
E
EE
E
R
V
I
2
7 . 0 −

➪Pour R
B
<<h
fe
R
E
:
2I
E
s Régime statique :
( ) 0 · ·
+ −
V V
➪Par symétrie : I
E1
=I
E2
=I
E
➪Tension continue en sortie :
E c CC s
I R V V − ·
E E EE E E B B R
I R V I R I R V
B
2 7 . 0 2 + ≈ → << ·
144
s Régime dynamique:
q Mode différentiel:
étage EC
( )
e
ie
fe c
e
ie
fe c
s
v
h
h R
v
h
h R
v · − − ·
➪Le courant dans R
E
n’a pas changé, et la tension en E reste constante.
➪E constitue une masse dynamique !
B
R
B
R
R
c
R
c
e
v
e
v −
v
s
E
d ’où le « gain en mode différentiel » :
1 >> · ·
ie
fe c
e
s
d
h
h R
v
v
A
☛V
+
= entrée non-inverseuse
☛V
-
= entrée inverseuse
" "
e
v V V · − ·
− +
hyp:

1
1
e E E
i I I + ·
et
2
2
e E E
i I I − ·
avec I
E
la composante continue du courant émetteur.
Par conséquent :
E E E R
I I I I
E
2
2 1
· + ·
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
Pour de signaux d’entrée de faible amplitude :
2
1
e e
i i ≅
145
e
v V V · ·
− +
hyp:
e E E
i I I + · →
1
et
e E E
i I I + ·
2
2 étages EC stabilisés indépendants
e
E
c
s
v
R
R
v
2
− ≅
d’où le «gain en mode commun »:
C E
E
c
c
R R
R
R
A >> << − · pour 1
2
( )
e E E E R
i I I I I
E
+ · + · ⇒ 2
2 1
( )
e E E E e E E E
i R I R i I R V 2 2 2 + · + ⋅ · ⇒
➪La tension en E équivaut à celle d’un étage unique
ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le
schéma équivalent :
B
R
R
c
R
c
2R
E
2R
E
B
R
v
s
e
v
e
v
E E’
q Mode commun:
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
E
V
s
146
q Signaux d’entrée quelconques :
On peut toujours écrire :
md mc
V V
V V V V
V + ·

+
+
·
− + − +
+
2 2
md mc
V V
V V V V
V − ·


+
·
− + − +

2 2
avec
2
et
2
− + − +

·
+
·
V V
V
V V
V
md mc
D’où, par le principe de superposition :

,
`

.
|
− · + ·
CMRR
v
v A v A v A v
mc
md d mc c md d s

ie
E fe
c
d
h
R h
A
A
CMMR
2
· · = « taux de réjection en mode commun »
(common mode rejection ratio)
☛Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule v
md
est amplifiée)
➪Ampli. différentielle = étage d’entrée des Amplificateur opérationnel.
↔Impédance d’entrée et CMRR très élevés
147
q Polarisation par miroir de courant
Choisir R
E
très élevée pose plusieurs problèmes:
➪nécessite une augmentation de l’alimentation
pour maintenir I
c
(donc le gain) constant
➪incompatible avec la technologie des circuits
intégrés.
1
2
>> ·
ie
E fe
h
R h
CMRR Il faut
+V
cc
R
c
R
c
R
-V
EE
+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2
V
s
T
3
D
I
EE
I
E3
➪Solution = source de courant (↔R,D,T
3
)
☛il suffit que R
E
soit élevée en régime dynamique !
R
V V
I I
EE cc
E EE
7 . 0
3
− +
≅ ≅ →
hyp: D et T
3
= appariés
148
Schéma équivalent:
➪h
oe
-1
(effet Early de T
3
) est de l’ordre de quelques 100kΩ.
➪En dynamique, h
oe
-1
joue le même rôle que R
E
et augmente considérablement CMRR.
I
EE
h
oe
-1
-V
EE
+V
cc
V
s
h
oe
-1
v
s
en dynamique
149
5. Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor)
q Le courant (I
D
) circule entre la source S et drain D via
le “canal”:
$ canal N : I
D
>0 de D vers S avec V
DS
> 0
$ canal P : I
D
>0 de S vers D avec V
SD
> 0
q I
G
≈ ≈≈ ≈ 0
FET = Source de courant commandée en tension
q La conductivité électrique du canal semiconducteur est
modulée par une effet du champ électrique induit par la
tension V
GS
entre la grille G et la source S.
5.1 Introduction
s Principe de base
grille
G
canal (N)
source
S
drain
D
I
D
V
DS
V
GS
I
D
V
DS
V
GS

V
GS
~résistance
modulée par
V
GS
chute de tension dans le canal agit
sur la conductivité
→saturation de I
D
q Le phénomène physique est non linéaire
➪Aux faibles valeurs de V
DS
: caractéristique I
D
(V
DS
)
quasi-linéaire, de pente modulée par V
GS
☛~résistance variable
➪Aux valeurs de V
DS
plus élevées : régime de
saturation
☛~source de courant commandée par V
GS
(= mode actif)
150
s Différents types de FET
q JFET : FET à jonction : La grille et le canal forme une jonction PN
Symboles :
S D
G
JFET à canal P
D
G
JFET à canal N
S
JFET à canal N :
Mode de fonctionnement habituel : V
GS
< 0
=> I
D
diminue lorsque V
GS
augmente en valeur absolue
JFET à canal P :
Mode de fonctionnement habituel : V
GS
>0
=> la jonction Grille/Source est polarisée en inverse
=> la zone conductrice du canal rétrécit (apparition d’une « zone déplétée de porteurs »)
=> I
D
diminue lorsque V
GS
augmente
➨Le courant de grille est très faible : courant inverse d’une diode (~nA)
151
☛JFET(P): V
DS
, V
P
<0, V
GS
,, V
GSoff
>0. Transistor bloqué ↔V
GS
>V
GSoff
où V
P
= tension de pincement du canal Pour V
GSoff
< V
GS
< 0 : I
D
= sature lorsque V
DS
=V
P
+V
GS
off
GS P
V V − ≅
avec
Dans la zone de saturation on a:
2
1

,
`

.
|
− ≅
off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
P GS DS
V V V + ·
I
D
(mA)
V
DS
(V)
2 4 6 8
0
4
8
12
16
V
GS
=-1V
V
GS
=0
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GS
=-1V
V
GS
=0
Caractéristique d’un JFET (N): [V
GS
<0, V
DS
>0]
DSS
I
V
GSoff
2
1

,
`

.
|
− ≅
off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
Pour V
GS
≤ V
GSoff
: I
D
= 0 ! le canal est totalement déplété.
t
r
a
n
s
i
s
t
o
r

b
l
o
q
u
é
V
P
152
q MOSFET (Métal Oxide Semiconducteur – FET) à appauvrissement (ou à “déplétion”)
Symboles :
canal N
D
canal P
NMOS PMOS
G
S
G
D
S
La grille est séparée du canal par un isolant (l’oxide de Si) !I
G
=0
Elle forme un condensateur avec le canal.
Le canal est conducteur lorsque V
GS
= 0
MOSFET (N): le semiconducteur est de « type N » !les électrons sont mobiles
⇒V
GS
< 0 !charge positive dans le canal !appauvrissement de porteurs libres
⇒conductivité du canal diminue !I
D
(à V
DS
>0, constant) diminue
⇒V
GS
>0 !charge négative dans le canal !accumulation d’électrons libres
⇒conductivité du canal augmente !I
D
(à V
DS
>0, constant) augmente
153
Caractéristique d’un MOSFET (N) :
( )
GS
V
DS DS
V I ( )
DS
V
GS DS
V I
I
D
V
DS
V
GS
=0
V
GS
< 0
V
GS
> 0
I
D
V
GS
appauvrissement
accumulation
V
GSoff
2
1

,
`

.
|
− ≅
off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
DSS
I
P GS DS
V V V + ·
154
q MOSFET à “enrichissement” :
symboles :
MOSFET : canal N / canal P
☛d’autres symboles existent
☛la ligne pointillée indique que le
canal est inexistant tant que V
GS
< V
seuil
x Idem MOSFET à appauvrissement sauf que pour V
GS
=0 le canal n’est pas conducteur
!« MOS normalement bloqué »
MOSFET (N):
V
GS
>V
S
(tension seuil) => apparition d’électrons sous la grille.
Cet « enrichissement » local en électrons forme le canal.
MOSFET (P):
V
GS
<V
S
(tension seuil) => apparition de trous sous la grille.
Cet « enrichissement » local en trous forme le canal.
155
Caractéristique d’un MOSFET (N) à enrichissement :
V
GS
(V)
I
D
.
I
D
( )
2
s GS
V
D
V V I
DS
− ·α
V
s V
DS
(V)
156
5.2 Modes de fonctionnement et schémas équivalents
s Mode “résistance variable” :
=
G
S
D
résistance fonction de V
GS
R
DS
I
D
V
DS
Q
P GS DS
V V V + ·
ordre de grandeur: Ω − Ω · k R
on
DS
10 05 . 0
JFET: “R
DS(on)
” = R
DS
pour V
GS
≈ 0 MOSFET enrichissement: “R
DS(on)
” = R
DS
pour V
GS
élevée (~10V).
( ) Ω > < · M V V R R
off off
GS GS DS DS
N) (canal
Pour V
GS
> V
P
, et V
DS
<V
GS
+V
P
:
( )
]
]
]

− + ⋅
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
avec k = constante
dépendant du composant
☛Condition: V
DS
suffisamment faible (<V
GS
+V
P
), souvent inférieure à 0.5V.
☛Dans ces conditions, Source et Drain peuvent être inversés.
157
s Mode “source de courant commandée” ou mode “actif” :
I
D
V
DS
Q
I
D
est commandé par V
GS
GS
V ≠
Pour
P GS DS
V V V + >
, I
D
est commandée par V
GS
2
1

,
`

.
|
− ≅
off
GS
GS
DSS D
V
V
I I
➪schéma linéaire équivalent:
G
D
S
gs
v
ds
v
gs m
v g
i
d
tient compte de l’augmentation de v
ds
avec i
d
(équivalent de l’effet Early)
ρ ρρ ρ
☛caractéristique I
D
(V
GS
) non-linéaire : g
m
(V
DS
)
I
D
(mA)
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GSoff
Q
DS
V
GS
D
m
V
I
g


·
gs m d
v g i ·
avec
=“transconductance”
158
off
off GS
DSS
mo
GS
GS
mo m
V
I
g
V
V
g g
2
avec , 1 ·

,
`

.
|
− ·
= pente pour V
GS
=0
Ordre de grandeur : g
m
=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) ( ) Ω − ·

k g
m
1 1 . 0
1
☛g
m
varie linéairement avec V
GS
.
JFET et MOSFET à déplétion
MOSFET à enrichissement
( ) α 2 avec , · − ·
mo s GS mo m
g V V g g
159
Dipersion de fabrication
Q’
Q’
s Polarisation automatique par résistance de source:
+V
DD
R
S
R
D
R
G
I
D
I
D
G
S
D I
G
≈ ≈≈ ≈ 0
5.3 Quelques circuits de polarisation
➪Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos
¹
¹
¹
¹
¹
'
¹
− ·

,
`

.
|
− ≅
S
GS
D
GS
GS
DSS D
R
V
I
V
V
I I
off
2
1
➪I
D
, V
GS
, V
DS
.
V
GSQ
GS
S
D
V
R
I
1
− ·
Q
V
DSQ
S D
DS DD
D
R R
V V
I
+

·
Q
V
P
V
GS
I
D
I
D
V
DS
GS
V ≠
160
s Polarisation par pont diviseur
R
1
R
2
R
S
R
D
+V
DD
S
GS th
D
R
V V
I

·
V
GS
I
D
Q
V
GSQ
V
th
S
th
R
V Q’
☛meilleure stabilité du point de repos (du point de vu I
D
)
S
D
161
s Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement)
R
G
R
D
+V
DD
S
D
D
DS DD
D
R
V V
I

·
DS GS G
V V I · → ≅ 0
DS GS G
V V I · → ≈ 0
V
GS
(V)
I
D
.
I
D
V
DS
(V)

GS
V
V
DD
Q
162
s Amplificateur source commune
JFET
v
gs
g
m
v
gs
R
D
R
//
2 1
2 1
//
R R
R R
R
+
·
v
g
v
s
5.4 Montages amplificateurs
q hypothèse: Mode actif , C très élevées
Z
e
➪Impédance d’entrée :
//
R Z
e
·
➪Gain en tension (circuit ouvert) :
D m v
R g A − ·
☛g
m
= fonction de V
GS
¡distorsion “quadratique”
Exemple :
R
D
R
S
R
2
R
1
V
CC
C
C
C
v
g
v
s
S
D
➪Impédance de sortie :
D S
R Z ·
Z
s
163
Stabilisation par une résistance de source :
Gain en tension :
gs m s gs g
v g r v v + · et
D gs m s
R v g v − ·
d’où :
s
m
D
m s
D m
g
s
v
r
g
R
g r
R g
v
v
A
+
− ·
+
− · ·
1
1
☛L’influence de g
m
sur le gain est réduite si r
s
>>1/g
m
. Le gain en tension est plus faible.
JFET
v
gs
g
m
v
gs
R
D
R
//
v
g
v
s
r
S
R
D
R
S
R
2
R
1
V
CC
r
S
v
g
v
s S
D
☛r
s
introduit une contre-réaction:

s s g gs
v r v v + ·
(v
s
et v
g
en opposition de phase, A
v
<0)
164
v
g
R
1
//R
2
G
S
D
v
GS
g
m
v
GS
JFET
v
s
R
S
v
e
s Amplificateur drain commun
➪Gain en tension (circuit ouvert) : 1
1
1

+
·
+
·

S m
S
S m
S m
v
R g
R
R g
R g
A
Z
e
➪Impédance d’entrée :
2 1
// R R Z
e
·
R
S
R
2
R
1
V
CC
v
g
v
s
S
D
➪Impédance de sortie :
1
1
1
//
1
.
. .



·
+
·
+
· ·
m s
m s
m s
s m
s
s
s
s
g R
g R
g R
R g
R
i
v
Z
c c
o c
Z
s
165
Remarques:
Tout FET se comporte comme une source de courant commandée en tension, avec une
transconductance qui varie linéairement avec la tension grille - source.
Les différents FET se distinguent par
- leur impédance d’entrée (plus élevée pour un MOSFET que pour un JFET)
- leur point de repos :
le JFET ne peut fonctionner qu’en déplétion (V
GS
>0 pour canal N),
le MOSFET à déplétion peut aussi fonctionner en régime d ’accumulation (V
GS
positive ou négative, quelque soit le type du canal)
le MOSFET à enrichissement ne fonctionne que régime d ’inversion
(V
GS
>V
s
)
En comparaison avec le transistor bipolaire, les FET ont un domaine de linéarité réduite
(caractéristique quadratique) et un gain en tension plus faible.
Par contre l’impédance d’entrée est beaucoup plus grande.
D’où leur utilisation fréquente en tant que interrupteur.
Pour des raisons de taille, les MOSFET sont particulièrement bien adaptés aux circuits
intégrés.
166
5.5 FET comme résistances variables : quelques exemples avec un JFET(N)
☛Pour V
GS
> V
GSoff
et V
DS
<V
GS
+V
P
:
( )
]
]
]

− + ⋅
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
ex:
v
entrée
v
sortie
V
com
R
entrée
DS
DS
sortie
v
R R
R
v
+
· →
= atténuateur variable, commandé par V
com
☛En choississant
on
DS
R R >> , v
sortie
varie entre ~0 et v
entrée
☛Imperfection:
R
DS
dépend de V
DS
→ réponse non-linéaire
167
( )
P com
DS
V V k
R
+
≈ →
1
Amélioration possible:
v
entrée
v
sortie
V
com
R
R
1
R
1 2 2
com DS
GS
V V
V + · →
( ) 0 ≈
G
I
➩Linéarité presque parfaite
( )
]
]
]

− + ⋅
1

2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
168
Application: Commande électronique de gain
exemple:
1mA
15V
75k
50k
5k
1µF
1µF
100k
100k
signal
d’entrée
signal de sortie
V
com
➪En dynamique, elle correspond à une
résistance très grande, en parallèle à R
DS

( )
fe
ie
com DS
fe
ie
E
c
v
h
h
V R
k
h
h
R
R
A
+
− ·
+
− ·
5
➪En statique, la source de courant fixe I
C
Etage EC avec r
E
=R
DS
(//200k)
169
6. Contre-réaction et amplificateur opérationnel
☛Montage transistor avec rétroaction positive: transistor en saturé/bloqué
!Rétroaction positive :
l’action de la sortie sur l’entrée renforce la variation du signal de sortie
L ↑ ↑→ ↓→ ↑→
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B < 0
(sans déphasage)
➪la sortie diverge !les composants sortent du domaine linéaire
➥par exemple : transistor sature
e s
v
AB
A
v
+
·
1
comportement non-linéaire !A,B modifiés
s Circuit bouclé et rétroaction
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
La sortie agit sur l’entrée
!Circuit bouclé :
( )
s e s
v B v A e A v ⋅ − · ⋅ ·
e s
v
AB
A
v
+
· →
1
?
170
A
B
v
e
v
s
e
B
.
v
s
!Rétroaction négative ou « contre-réaction » :
L’action de la sortie sur l’entrée atténue la
variation du signal de sortie
L ↓ ↓→ ↑→ ↑→
s s s
v e Bv v
ex: A>0, B >0 (sans déphasage)
➪la sortie converge vers :
e e s
v G v
AB
A
v ⋅ ·
+
·
1
• G = gain en boucle fermée :
• G<A
• Si AB >>1 ,
B
G
1
≈ ⇒la variation ou toute incertitude sur A n’affecte pas G.
⇒Amélioration de la linéarité
☛B = “taux de réinjection”
171
R
1
R
2
R
E
R
C
C
B
v
s
v
e
V
CC
C
C
R
L
Exemple:
v
g
R
E
h
ie
h
fe
i
b
v
s
R
c
e
i
E
i
c
i
e
R
E
!contre-réaction
[ ] ↓ → ↑ → ↑ → ↑ → ↓ · → ↓ · → ↑ ↑⇔
s c b e E E e c s
v i i e i R v i i i v
B R
R
A
E
c
v
1
!
· − ≅ ⇒
indépendant de h
ie
et h
fe
!
s s
c
E
c
s
E e E E
v B v
R
R
R
v
R i R v ⋅ · − ·

,
`

.
|
− ≅ ·
s g
v B v e ⋅ − ·
172
s Montage “Série - parallèle” (contre réaction en tension):
AB
A
v
v
G
e
s
+
· · →
1
L
!Gain en “boucle fermé”:
B
e L L i v v
i L
L
Z R r R A A
R r
r
A // si · << ≈
+
·
!A= Gain en “boucle ouverte” :
= v
s
/v
i
avec boucle de réaction ouverte, et
même charge R
L
// Z
e
B
B
e
Z
➩Entrée en série avec le circuit de
rétroaction
➩Sortie en parallèle avec B
Ampli.
retour:
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Z
e
R
i
s r
v B v ⋅ ·
e
e s
i
v
AB
v
A
v
v <<
+
· ·
1
+∞ → → A v
i
pour 0 0 ≈ ·
e
i
e
Z
v
i = court-circuit “virtuel”, puisque i~0
!Court-circuit virtuel :
avec
“Explication qualitative ”:
si v
i
“tentait” d’augmenter, l’augmentation importante de v
s
(A fois plus élevée… ) s’opposera, via
B, à cette variation.
pour AB>>1
i
e
173
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Qualitativement : la contre-réaction maintient v
i
proche de 0 ➩ i
e
≈0 ↔Z
e
B.F.
≈+∞
☛L’impédance d’entrée est augmentée par la rétroaction :
( )
( )
e e
e
i
e
s i
e
e
F B
e
Z B A Z
i
AB v
i
v B v
i
v
Z >> ⋅ + ·
+
·
⋅ +
· · 1
1
. .
☛B.F.=“boucle fermée”
R
i
Z
e
!Impédance d’entrée
☛L’impédance de sortie est diminuée par la rétroaction
Qualitativement :
➪En présence de l’impédance de sortie Z
s
B.F.
, une diminution
de R
L
fera chuter la tension v
s.
➪la diminution de v
s
induit, via la contre-réaction, une
augmentation de v
i
, laquelle s’oppose à la diminution de v
s

➨l’impédance de sortie est réduite (0 si A→∞)
!Impédance de sortie
i
e
174
B
v
e
v
s
R
L
v
r
A
v
.
v
i
v
i
Z
s
R
i
B
e
Z
Calcul de Z
s
B.F
:
( )
( )
2
a on Lorsque
.
+∞ ·
· ·
L s
L s
F B
s L
R v
R v Z R
( )
( )
( )
e
L
L
L s
v
B R A
R A
R v
⋅ +
·
1
avec ( )
v
i L
L
L
A
r R
R
R A
+
·
i
B
E i
B
E i i
R Z R Z R r >> ≈ · si // et
( )
e
v
L
i
v
s
v
B A
R
r
A
v
+ +
· →
1
( )
i
F B
s
v
i
L
L s
s
R Z
B A
r
R
R v
v << ·
+
· ↔
∞ ·
· ⇒
. .
1 2
☛Si A ¡∞ : Gain stable, linéarité parfaite, Z
e
infinie, Z
s
nulle !!
➥utilisation d’un amplificateur opérationnel (A~10
4
- 10
6
, R
i
très faible, Z
e
très élevée)
Conclusion
175
s Amplificateur opérationnel
Architecture d’un amplificateur opérationnel:
Ajustement DC
pas de composante continue en sortie
Etage amplificateur
augmente le gain total (A
v
>>1)
ex: montage émetteur commun avec transistor composite
(Darlington, h
fe
>>1) et R
C
élevée ↔charge active
Emetteur suiveur impédance de sortie faible
Configuration Push-Pull : domaine de linéarité
Etage
amplificateur
(EC, Darlington)
Ajustement
composante
continue
Emetteur
suiveur
sortie
Amplificateur
différentiel
+
-
Amplificateur
différentiel
Z
e
élevée ↔Darlington, MOSFET,...
amplification de v
+
-v
-
atténuation de
2
− +
+ v v
(gain élevé en « mode différentiel »)
(gain <<1 en « mode commun »)
176
q Le schéma simplifié (!) du LM741 :
Paire différentielle
avec “Darlington”
sources (mirroirs) de courant
Push-Pull
EC Darlington
1.12V
177
q Exemples de circuits avec rétroaction négative :
Sources de courant
Version avec tensionde commande
reférencée par rapport à la masse :
I
sortie
V
e
R
1
R
2
R
3
V
cc
e sortie
V
R R
R
I
3 2
1
· → L
➪Par contre-réaction : v
i
≈0
R
V V
I
e cc
sortie


➪ (hyp: h
FE
élevé , AO parfait)
V
CC
V
CC
V
EE
charge
I
sortie
R
1
R
2
R
v
i
V
e
☛I
sortie
≈ indépendant de la charge,
(à l’effet Early près)
☛tension de commande = V
cc
-V
e
A.O.
178
Régulateur
V V V V
A
6 . 5 · → · →
− +
Contre réaction :
mA I 1
1
· →
V V
sortie
10 · →
☛Si V
A
diminuait ¡V
+
>V
-
➩V
B
augmenterait
➩V
s
= V
B
-1.4 augmenterait
➩V
A
augmenterait
Darlington
s
sortie
Z
I
10
max
<
Darlington
entrée
12V à 30V
(non régulée)
D
Z
:5.6V
10k
4.3k
5.6k
transistor
de puissance (ex: 2N3055),
avec radiateur
sortie : 10V
(régulé) 0 à 10 A
741
A
I
1
B
179
s ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A.O.
Amplificateur inverseur
A.O. idéal →i
e
, i
e

= 0 et
( ) ( )
d d s
d i s d
v A v
R
v v
i
R
v v
i ·
− −
· ·
− −
· avec ,
1
1
2
2
1
2
1
2
1
2
1
1 1
1
R
R
v
A R
R
R
R
v v
i
A
d
i s
d
− ÷ ÷ ÷ → ÷

,
`

.
|
+ +
− · →
∞ →
☛v
d
=v
s
/A
d
<< v
i
ex : v
s
= 10V, A
d
=10
5
→v
d
= 100µV ~ court-circuit entre les deux entrées
➪L’entrée inverseur constitue une « masse virtuelle » ↔v
-
= 0 avec i
-
=0 !
-
+
v
i
v
d
v
s
R
1
R
2
i
e
i
e

i
1
i
2
A
d
d’où le gain en tension du montage :
1
2
R
R
v
v
A
i
s
v
− · · = indépendant de A
d
!!, ne dépend que des éléments passifs.
(à condition que A
d
>>1+R
2
/R
1
)
180
Amplificateur non- inverseur
-
+
v
i
v
d
v
s
R
1
R
2
i
e
i
e

i
1
i
2
A
d
A.O. idéal →i
e
, i
e

= 0 et A
d
infini
1 2
2 1
R
v
R
v v
i i
i s i

·

· ·
1
2
1
R
R
v
v
i
s
+ · → v
d
= 0
Interprétation: Contre-réaction en tension
↓ − · ⇒ ↑ ⇒ >> ↑↑ · ↑
− −
v v v A v A v v
d d d d s d
) 1 ( , si
par contre, ↑ − · ⇒ ↓ ⇒ >> ↓↓ · ↓
− −
v v v A v A v v
d d d d s d
) 1 ( , si
v
d
se stabilise
rapidement à 0
Symbolisme d’automatisme:
A
d
v
d
v
s
B
-
v
i
v
-
avec
2 1
1
R R
R
B
+
·
( )
s i d s
Bv v A v − ·
B A
A
v
v
d
d
i
s
+
· ⇒
1
Pour A
d
>>B
-1
,
1
2
1
1
R
R
B v
v
i
s
+ · ·
181
A.O. idéal : V
s
= 0 lorsque V
d
=0, I
-
= I
+
= 0
Imperfections de l ’A.O. réel :
I
-
, I
+
= courants de polarisation (courant de base) des transistors
I
-
≠ I
+
≠ 0 → V
s
≠ 0 même en absence de signaux d’entrée;
V
+
≠ V
-
en raison de la dispersion, même faible, des transistors d’entrée
de l’amplificateur différentiel.
En absence de signaux à l’entrée :
o
d
V V V · −
− +
(V
do
=différence des tensions V
BE
des 2 transistors)
q Influence des imperfections de l ’AO: courants et tension d’offset
-
+
I
-
I
+
Schéma équivalent :
Z
e
o
d
V
Z
s
A
d
v
d
v
d
I
-
I
+
+
-
V
s
offset
182
Méthode de compensation :
☛Pour maintenir V
s
offset
faible on cherche à ce que les résistances vues des deux entrées soient
identiques.
Exemple : amplificateur inverseur ou non-inverseur :
(schémas identiques en absence de signaux d’entrée)
-
+
v
d
V
s
R
1
(100k Ω)
R
2
(1MΩ)
I
-
I
+
A
d
Hypothèse : V
do
= 0mV, I
-
=I
+
=100nA
Circuit sans compensation :
1
R
I
2
R
I
V I R V
offset
s
1 . 0
2
· ·

En première approximation:
pour A
d
suffisamment élevé, v
d
≈0 (masse virtuelle)
d ’où
0 0
1
1
· ⇒ ·
R R
I V

· + I I I
R R
2 1

≈ I I
R
2
et
☛V
s
offset
est d ’autant plus élevée que R
2
est grande.

,
`

.
|
− ·

0 ~
d
s
A
V
V
183
Circuit avec compensation :
Méthode de compensation : insertion d’une résistance appropriée entre la masse et l’entrée non-inverseur
( ) " " // , 0 lorsque
// 2 1
R I R R I V V
s
⋅ − · ⋅ − · ·
− − −
-
+
v
d
V
s
R
2
I
-
I
+
A
d
R
1
R
+
//
R I V
+ +
− ·
✎lorsque I
+
≠ I
-
, il faudrait choisir I
+
R
+
= I
-
R
//
En prenant R
+
= R
//
on aura :
En conséquence si I
-
≈ I
+
, on garde v
d
=V
+
-V
-
= 0 et V
s
=0.
:-((
:-))
☛Si V
do
≠ 0 et I
+
-I
-
=I
offset
, on aurait :

,
`

.
|
+ + − ·
1
2
2
1
R
R
V R I V
o
d offset
offset
s

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