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ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE MONTPELLIER

Document pdagogique

Dpartement Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3me Anne

ANNEE 2010-2011
Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Support de cours et textes de TD Pascal Nouet, nouet@lirmm.fr
http://www.lirmm.fr/~nouet/homepage/lecture_ressources.html

ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVERSITAIRE DE MONTPELLIER


UNIVERSITE MONTPELLIER II SCIENCES ET TECHNIQUES DU LANGUEDOC Place Eugne Bataillon 34095 MONTPELLIER CEDEX 5 Tl. : 04 67 14 31 60 Fax : 04 67 14 45 14 E-mail : scola@polytech.univ mail scola@polytech.univ-montp2.fr

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Contexte
PCB = carte lectronique, circuit imprim
Assemblage de composants individuels (fabriqus, tris, tests) R, L, C, Transistors Bipolaires, Circuits Intgrs Standards, Circuits Intgrs Spcifiques On peut rparer une carte (pas toujours vrai) On utilise majoritairement des transistors bipolaires

Objectifs du cours
Comprendre les bases indispensables pour la conception de circuits intgrs analogiques
Les transistors MOS N et P en rgime de saturation La polarisation et le dimensionnement Le comportement petit-signal Les structures lmentaires Miroirs et sources de courant Amplificateurs et charges actives Montages en cascade ou cascode

ASIC = Application Specific Integrated Circuits SOC = System On Chip


Assemblage et fabrication des composants en mme temps Transistors MOS complmentaires CMOS Quelques R et C des blocs entiers rutiliss (hirarchie) Cots rcurrents normes Grands volumes, grand nombre de fonction On ne peut pas rparer un Circuit Intgr !!! (presque vrai) La conception doit-tre robuste aux impondrables invitables

Evaluation des connaissances


Dimensionner et polariser une petite structure par rapport un cahier des charges Dterminer ses performances laide dune tude petitsignal

PolytechMontpellier Dpartement Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3me Anne

Plan du chapitre Rappels de physique du composant


Rgimes de conduction pour lanalogique Symboles et reprsentations Modles en grand signal

Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre I Le transistor MOS : un gnrateur de courant contrl en tension Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr

Etages de polarisation lmentaires Modles petit-signal Sensibilit Vdd des structures de polarisation

Le transistor MOS : Condition de conduction MOST canal N


Vg > Vtn > 0 Vg=0 P+ N+ N+ N+ P+

Le transistor MOS : Condition de saturation MOST canal N


Vdd Vg < Vdd+Vtp P+ P+ N+ Vg > Vtn > 0 N+ N+ P+ Vds > Vgs-Vtn

MOST canal P
Vdd

MOST canal P
Vdd Vd < Vdd+Vgs-Vtp Vg < Vdd+Vtp P+

Puits N Substrat P Vtp < 0 Substrat P Vch = Veff = Vgs-Vtn

Puits N Vch = -Veff = Vgs-Vtp

Je me souviens :
Condition de conduction du MOS : Vtn et Vtp sont diffrents

Vgs > Vt

Je me souviens :
Tension effective de grille : Veff Tension de saturation du MOS :

= Vgs Vtn = Vgs Vtp

Vds > Veff

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Symbole
Le transistor MOS canal N
Vdd

Modle simple du transistor MOS en rgime de saturation


Le transistor MOS canal P
Vdd

Le transistor MOS canal N


G Vgs > Vtn D Vds > Veff S

Le transistor MOS canal P


S Vgs< Vtp< 0 G S Vds < -Veff < 0 D

Drain, D Grille, G Source, S Grille, G

Source, S

Drain, D

Conduction si

Vgs > Vt

Saturation si Vds > Veff

I dsat =
Je me souviens :
Il existe dautres symboles tout aussi autoriss Le drain et la source sont dfinis par la polarisation et donc le sens de conduction peut sinverser Le transistor MOS a quatre terminaisons lectriques

Cox W 2 Veff avec Veff = Vgs Vt 2 L


Je me souviens :

!!! Veff < Vgs !!!

La valeur du gnrateur de courant Le gnrateur de courant nest pas idal n et p sont diffrents

Prise en compte de la rsistance de sortie


Ids (A) Ids / Vds = 0,61 A/V

Plan du chapitre Rappels de physique du composant

Idsat = 122,5 A

Etages de polarisation lmentaires


Polarisation par rsistance Polarisation en courant Structures auto-polarises

Vgs = 1,5 V

nCox W 2 Veff [1 + n (Vds - Veff )] 2 L C W 2 I dsat = n ox Veff 2 L I ds Vds n = 5.10 3 V 1 I dsat I ds =


Veff = 1 V NMOS W=20m et L=10m Vds (V)

Modles petit-signal Sensibilit Vdd des structures de polarisation

Polarisation du transistor MOS en rgime de saturation


Polarisation par tension de grille et rsistance
Vdd Vdd

Polarisation du transistor MOS en rgime de saturation


Polarisation par source de courant et tension de grille

VG Veff
> Veff

Rp G

R p I dsat
D

Veff + Vt
G Rp

choix I dsat R p I dsat VD

Veff + Vt

> Veff

R p I dsat

W L Vds (> Veff )

Vdd

Vdd

I p , VG (choix de Veff )
Ip
S

Veff + Vt

> Veff
S

Veff + Vt
G

VS ;

W L

Ip

Vdd

Vdd

choix de Veff et de I dsat


R p I dsat
S

Vdd

Vdd

Veff + Vt
Rp

> Veff
S

Rp

Veff + Vt
G

R p I dsat

> Veff

W VS L R p I dsat et Vds

Ip
D G

Veff + Vt
G

VG Veff
> Veff
D

I p ;Veff Vds min

W L

Veff + Vt

Ip

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Polarisation du transistor MOS en rgime de saturation


Auto-polarisation
Vdd Vdd Vdd Vdd

Plan du chapitre
Veff 1 + Vt
D1,2 D

Veff + Vt
R D D R

Veff 1 + Vt

Rappels de physique du composant Etages de polarisation lmentaires Modles petit-signal


NMOS en rgime statique PMOS en rgime statique Cas particulier du transistor auto-polaris

Veff 2 + Vt

Veff 2 + Vt Veff 3 + Vt

D3

Veff + Vt
Vdd

Choix de Veff et Idsat


D1

W ,R L

Je noublie pas :
Veff, W/L et Idsat sont lis entre eux De vrifier la cohrence finale (Vds > Veff) Les potentiels des nuds internes sont compris entre le potentiel le plus haut et le potentiel le plus bas

Sensibilit Vdd des structures de polarisation

Veff 1 + Vt Veff 2 + Vt

D2

Modle petit-signal du transistor MOS en rgime de saturation


Transistor canal N
G D

Modle petit-signal du transistor MOS en rgime de saturation


Transistor canal P

I ds =
S S

nCox W 2 Veff [1 + n (Vds - Veff )] 2 L


gm = 2 I dsat Veff

I ds =
G D

p Cox W 2 Veff 1 + p ( Vds - Veff ) 2 L


gm = 2 I dsat Veff

Effet dune petite variation de Vgs

Effet dune petite variation de Vgs

I ds Idsat W = nCox Veff = gm Vgs Veff L


Effet dune petite variation de Vds

W gm = 2nCox I dsat L
vg vgs gm.vgs rds vs vd

I ds Idsat W = pCox Veff = gm Vgs Veff L


Effet dune petite variation de Vds

gm = 2 pCox

W I dsat L
vs

I ds 1 = gds = = n .I dsat Vds rds

I ds 1 = gds = = p .I dsat Vds rds

vgs vg

gm.vgs

rds vd

Modle petit-signal du transistor MOS en rgime de saturation


Cas particulier : transistor auto-polaris
D

MOS en rgime de saturation : aide-mmoire Modle fort-signal


I ds =
S

Veff + Vtp

S G D S D S

Cox W 2 Veff [1 + ( Vds - Veff )] 2 L


avec Veff = Vgs Vt

Veff + Vtn

Ids
S G

Ids
D

vg vgs gm.vgs

vd rds vs

ids

vs
vds

NMOS
vds

PMOS

vgs vg

gm.vgs rds vd
ids

Modle petit-signal
vg vd gm.vgs NMOS rds vs vgs vg PMOS gm.vgs rds vd vs

gm = Cox rds =

W 2.I Veff = dsat L Veff 1

vd

ids

vgs
Vds

ids =

vds + gm vds gm vds rds

1/gm vs

Idsat

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Plan du chapitre Rappels de physique du composant Etages de polarisation lmentaires Modles petit-signal Sensibilit Vdd des structures auto-polarises
base de transistor Polarisation par rsistance Polarisation par source de courant

Stabilit des structures dautopolarisation


Vdd

n .Cox = 100A/ V 2 ; p .Cox = 40A/ V 2 ;Vtn = 0,7V ;Vtp = 0,8V


Vout
I pp = pCox W 2 L

(V

dd

Vout Vtp
I p (A)
300

I pn =

nCox W (Vout Vtn )2 2 L

I p Vdd
vdd 1 g mp vout

=?
gmn gmp gmn + gmp

I p = 100A ; Vout = 2,5V ; Vdd = 5V


Ipn (W/L=0,62) Ipp (W/L=1,73 ; Vdd=5V) Ipp (W/L=1,73 ; Vdd=6V)

250

I p Vdd

ip vdd

200

150

g mn

gmp Vout vout = = Vdd vdd gmn + gmp

100

50

0 0 1 2 3 4

Vout (V )

Stabilit des structures dautopolarisation


Vdd

Stabilit des structures dautopolarisation


W L
Vdd

Rp

Vdd Vout = Rp .I p Vout


W L

Vout; I p Rp ;Veff ;

C W 2 I p = n ox Veff 2 L
I p Vdd =?

Ip

Rg

C W 2 I p = n ox (Vdd Rp I p Vt ) 2 L
I p (A)
200 180 160

Vout

I p = 100A ; Vout = 2,5V ; Vdd = 5V

nCox W (Vout Vt )2 2 L V V Ids = I p + dd out Rg Ids =


I p (A)
160 140

Vout; Ids

W L

I ds =? Vdd

I p = 100A ; Vout = 2,5V ; Vdd = 5V

vdd
Rp

I p
vout

Vdd

ip vdd

gm 1 + g m Rp

140 120 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 4 Droite de charge (Vdd=5V) Droite de charge (Vdd=6V) Idsat(W/L=0,62) Idsat(W/L=2)

vdd
Rg

gm

Vout vout 1 = = Vdd vdd 1+ gm Rp

vout

I ds gm = = Vdd vdd 1+ gm Rg ip Vout vout 1 = = Vdd vdd 1 + gm Rg

120 100 80 60 40 20 0

In (W/L=0,62) Ip+I(Rg) ; Rg=100k Ip+I(Rg) ; Rg=1MOhm Ip+I(Rg) ; Rg=100k ; Vdd=6V


0 1 2 3 4 5

1
5

gm

Vout (V )

Vout (V )

Stabilit des structures dautopolarisation V


out 3

Conclusion Le transistor MOS utilis en Analogique

Vout 2 Vout1
Vdd Vdd Vdd

Vout1 I out 3 I out 2 I out1

Rp

Vout 2
W L

Ip

Rg

Rgime de fonctionnement satur Idsat=f(Vgs) Amplificateur de transconductance Convertisseur tension-courant Rsistance de sortie Ids=Idsat.f(Vds)
Vout 3

Modle petit-signal du MOS


Source de courant : ids=gm.vgs Rsistance de sortie : gds = .Idsat

vg vgs gm.vgs rds

vd

vs

Stabilit des points de polarisation


Bonne lors dune polarisation en courant

Etude des sources de courant CMOS

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

PolytechMontpellier Dpartement Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3me Anne

Introduction Quest-ce quune bonne source de courant ? Un gnrateur dlivrant un courant constant quelque soit :
La tension ses bornes, Rsistance de sortie leve Dynamique de sortie leve La tension dalimentation, La temprature,

Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre II Les sources de courant Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr

Source de courant & CIA


Elment de base tout montage Un tage de rfrence auto-polaris et une ou plusieurs sorties obtenues par miroir de courant

II - Les sources de courant Les miroirs de courant lmentaires


Miroir de courant simple Miroir de courant source dgnre Miroir de courant cascode Miroir de courant Wilson Autres miroirs de courant lmentaires

Miroir de courant simple


Iin

IS

T1

T2

Vs

Polarisation en fort signal

calcul de W/L

Les sources de courant lmentaires Un aperu des sources de courant avances

T2 doit agir en source de courant Forte rsistance de sortie rgime satur Plage de fonctionnement : Vds X => Veff X T1 est satur (Vgs = Vds) C W 2 I dsat = n ox Veff = Iin Courant de saturation : 2 L Technologie utilise W 2Iin calcul de W/L minimum L C X2
n ox

Miroir de courant simple


iS Iin IS

Miroir de courant simple : caractrisation de Rout


Ids (A) 1/gm1 vgs2 gm.vgs2 rds2

T1

T2

vs
8,00E+01 5,00E-01 4,50E-01 7,00E+01

Effet de Idsat
T1
rds (Mohms) y = 0,0044x

Iin

Vs

IS

T2

Vs

Dynamique de sortie (W/L fix)


Vdsat = Veff = 2Iin C W 2 I S = Iin = I dsat = n ox Veff si VS > Vdsat nCox W L 2 L

4,00E-01 6,00E+01 3,50E-01 5,00E+01 3,00E-01 4,00E+01 2,50E-01 2,00E-01 3,00E+01

gds (A/ V ) =

1 (V 1) Idsat (A) rds (M)


gds (A/V) Linaire (gds (A/V))

Analyse petit-signal
Effet dune variation de tension de sortie

vs 1 = rds2 = is I dsat

1,50E-01 2,00E+01 1,00E-01 1,00E+01 5,00E-02 0,00E+00 0,00E+00 2,00E+01 4,00E+01 6,00E+01

8,00E+01

IIds (A) 1,00E+02 ds (A) Vds (V)

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Miroir de courant simple : caractrisation de Rout


Ids (A)

Miroir de courant simple : caractrisation de Rout


Ids (A)

Effet de la longueur
Iin
1,40E+01 1,20E+01 1,00E+01
3,0

Effet du rapport de dimensions


IS
4,5

Iin

IS

rds (Mohms)

y = 0,093x + 2,718

T1

T2

Vs

4,0 3,5

rds (Mohms)

T1

T2

Vs

8,00E+00 6,00E+00 4,00E+00 2,00E+00 0,00E+00 0,00E+00 2,00E+01 4,00E+01 6,00E+01 8,00E+01 1,00E+02 L (m)

2,5 2,0 1,5

rds

Ve (V / m) L(m) + r0 I dsat ( A)

1,0 0,5 0,0 0 10 20 30 40 50

W/L Vds (V)

Vds (V)

Rsistance de sortie du miroir de courant Influence de Idsat


La rsistance de sortie est divise par 2 lorsque le courant double
T1
Iin IS

Miroir de courant source dgnre


iS
Iin Vs IS

1/gm1

vg2

gm2.vgs2

rds2 vs

T2

Influence des dimensions


La rsistance de sortie est multiplie par 2 lorsque la longueur du transistor double ( W/L constant)

T1
Rs

T2
Rs Rs

vs2

Rs

Modles concepteur utiliss


Travail longueur constante Cas gnral rds L
is 1 I ds = = (V 1 ) Idsat ( A) vs rds Vds

T2 doit tre satur


I dsat = nCox W 2 Veff = Iin 2 L

VS > RS Iin + Veff

vS rds2 (1+ gm2 Rs ) is


vS rds2 [1+ ( gm2 + gs )Rs ] is

rds

Ve (V / m) L(m) + r0 I dsat ( A)

Effet du 2nd ordre (substrat)

Miroir de courant source dgnre Effet de Rs


25,0 rout (MOhms) 20,0 y = 0,9914x + 3,4627 15,0
50 A IS

Miroir de courant cascode


iS
Iin IS

VS

1/gm3

vg4

T3 T1

T4 T2
1/gm1

gm4.vgs4 vs4 gm2.vgs2

rds4 vs rds2

vg2 vs2

T1
10,0

T2
Rs

T2 et T4 doivent tre saturs


Idsat = nCox W 2 Veff = Iin 2 L VS > Vtn + 2 Veff

I d1 = I d 2 = I d 3 = I d 4 = I in

Rs

5,0

vS gm4rds2rds4 iS

0,0 0 5 10 15 20

Rs(k) 25

Effet du 2nd ordre (substrat)

vS ( gm4 + gs 4 )rds2rds4 is

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Miroir de courant cascode


Ids (A)

Miroir de courant Wilson


ix

Effet de W/L
800 700

Iin

IS

1/gm3

vgs4

gm4.vgs4

rds4 vx

T3 T1

T4 T2
gm1.vgs1 rds1 vgs1 1/gm2

600 500

200 A

IS

T3
400 300 200 100 0 1 10 rout (MOhms)

T4 T2

T1 et T4 doivent tre saturs


C W 2 I dsat = n ox Veff = Iin 2 L

I d1 = I d 2 = I d 3 = I d 4 = I in

T1

VS > Vtn + 2 Veff


vS ( gm4 + g s 4 )rds1rds4 is

vS gm4rds1rds4 is

W/L 100 Vds (V)

Effet substrat

Miroir de courant Wilson


Ids (A)

Comparaison des rsistances de sortie


R1,00E+10 out ()
Miroir simple 1,00E+09 SD1 SD2 Cascode 1,00E+08 Wilson

800 700 600 500 400 300 200 100 0 1 10 rout (MOhms)

Effet de W/L

1,00E+07

1,00E+06

200 A

IS

T3 T1
W/L 100

T4 T2

1,00E+05

1,00E+04

1,00E+03

Vds (V)

0,00

0,50

1,00

1,50

2,00

2,50

3,00

VS 3,50) (V

Miroirs de courant PMOS Toutes les structures tudies ont une version PMOS Les caractristiques sont transposables facilement : Vsmax, rout
Vdd Vdd Vdd Vdd

Miroirs non-symtriques
Les transistors de la branche de sortie ont un W/L diffrent des transistors de la branche de rfrence (en gnral X>1 pour amplifier le courant) Etant donn que les Veff des transistors sont identiques, le courant de sortie est mis lchelle : I s X Iin
T2 T4
IS Iin Iin IS Iin IS Iin IS

T1

T2
IS Iin

RS T1

RS T2
IS

T1 T3

T2 T4
IS Iin

T1 T3

T3
Vs

T4 T2
1 : X

Vs

T3 T1
1 : X

T4 T2

Vs

T1
1 : X

T2

T1

Iin

rout rds

rout gmrdsrds

rout rds

rout gmrdsrds

rout gmrdsrds

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Miroirs plusieurs sorties


On peut crer autant de sorties que ncessaire partir dune seule branche de rfrence. Les sorties peuvent fournir des courants diffrents Les rsistances de sortie peuvent-tre diffrentes
VS2 IS2 Iin VS1 IS1 VS2 IS2 Iin VS1 IS1

II - Les sources de courant Les miroirs de courant lmentaires Les sources de courant lmentaires
Polarisation par rsistance Polarisation par transistor Sensibilit Vdd Sensibilit la T Sources avec sortie Vdd

W = nX L

W =n L

W =n L

I S2 X VS1 > 2.Veff +Vtn IS1 = Iin = VS 2 > 2.Veff +Vtn rout1 rout2 2 Veffn Iin
2

IS1 = Iin = VS1 > Veff

I S2 X ; VS 2 > Veff

W = nX L
W = nX L

W =n L W =n L

W =n L W =n L

Un aperu des sources de courant avances

1 1 rout1 ; rout2 nIin n X .Iin

2 Veff n2 X.Iin

Source de courant idale vs. relle


IS Vdd ROUT

Polarisation par rsistance Source de courant NMOS


Vdd Vdd Vdd

I0 Vdd

Rp
Ibias

Vout > Veff Iout

Rp
Ibias Iout

Rp
Ibias > Vtn+2Veff Iout

T2
Vout

T3 T1
1 : X

T4 T2

T3 T1
1 : X

T4 T2

> Vtn+2Veff

T1
Is

V1 1 : X

Consommation ?

VOUT Vmin

Dynamique de sortie Veff Courant de sortie (Iout) W/L de T2 (T4) X Courant de rfrence (Iin) W/L de T1 (T3), Rp

Polarisation par transistor Source de courant NMOS


Vdd Vdd Vdd Vdd Vdd Vdd

Etude de la sensibilit Vdd


IS Vdd ROUT I0
Iout

Tp
Vout > Veff Iout

Tp Rp
Iout Ibias > Vtn+2Veff Ibias

Rp Tp
Ibias Ibias

Rp
Ibias

Ibias

Vdd
> Vtn+2Veff

T2 T1

T3 T1
1 : X

T4 T2

T3 T1
1 : X

T4 T2

V1 1 : X

Vout

Consommation ?

Is

Dynamique de sortie Veff Courant de sortie (Iout) W/L de T2 (T4) X Courant de rfrence (Iin) W/L de T1 (T3), Tp

VOUT Vmin Vout fixe

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Polarisation par rsistance


Vdd

Polarisation par transistor


vdd
Vdd

vdd
Vout=2V (>Veff1) Iout

Rp
Ibias

Rp
Vout=2V (>Veff1) Iout

iout 1/gm1 v1 gm2.v1 rds2

T3
Ibias

1/gm3 iout 1/gm1 v1 gm2.v1 rds2

T2 T1

T2 T1

V1

V1

V1 = Veff 1 + Vtn I bias = V 2 L Vdd V1 Rp = I bias

iout = g m 2 .v1 = g m 2
2 eff 1

nCox W

vdd 1 + g m1R p

V1 = Veff 1 + Vtn I bias = I bias =

I out iout g m 2Vdd v = = dd I out I out (1 + g m1 R p )I out Vdd I out g m 2Vdd Vdd = (1 + g m1R p )I out Vdd I out

n Cox W1
2 2 L1 L3

2 Veff 1

iout = ibias = g m3 =

g m1 g m3 2I vdd ; g m1 = bias g m1 + g m3 Veff 1

p Cox W3

Vdd V1 Vtp

2 I bias g g 2 I bias m1 m 3 = Veff 3 g m1 + g m3 Veff 1 + Veff 3

I bias = I out (T1 = T2 )

I bias = I out (T1 = T2 )

I out iout 2 Vdd v 2 Vdd V = = dd = dd I out I out Veff 1 + Veff 3 Vdd Veff 1 + Veff 3 Vdd

Sensibilit Vdd des miroirs lmentaires


Iout (A)
Rp
Ibias Vdd
I out V = 1,21 dd I out Vdd

Sensibilit Vdd des miroirs lmentaires


Iout (A)
Rp
Ibias Vdd
I out V = 1,21 dd I out Vdd

Vout=2V Iout

Vout=2V Iout

T2 T1
Vdd
I out V = 2,77 dd I out Vdd

T2 T1
Vdd Rp T3 T4 T1 Iout
I out V = 1,55 dd I out Vdd

Vout=2V

T3
Ibias

Vout=2V Iout

T2 T1

T2

Vdd (V)

Vdd (V)

Sensibilit Vdd
Iout (A)
1,40E+02 1,50E+02 Miroir simple et rsistance Miroir simple et transistor Cascode ou wilson et rsistance 1,30E+02 Cascode ou Wilson et transistor

Polarisation par rsistance Une augmentation de temprature rduit le courant de saturation dun transistor
Iout (A) 1,06E+02
1,04E+02 Polarisation par rsistance 1,02E+02

Vdd

Rp
Ibias

Vout=2V (>Veff1) Iout

T2
1,20E+02

T1

V1

1,10E+02
1,00E+02

1,00E+02

9,80E+01

-0,08 %/C
9,00E+01
9,60E+01 9,40E+01

8,00E+01 2,90 3,00 3,10 3,20 3,30 3,40 3,50 3,60

Vdd (V )
3,70

9,20E+01 -40,00 -20,00 0,00 20,00 40,00 60,00

Temp.( C ) 80,00

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Polarisation par rsistance La valeur de la rsistance augmente avec la temprature R = R (1 + TCR .T )


p p0
1,15E+02 out

Polarisation par transistor


Vdd

Rp
Ibias

Vout=2V (>Veff1) Iout

NMOS et PMOS sont soumis au mme phnomne


Iout (A)
1,15E+02 1,20E+02

Vdd

T3

Vout=2V (>Veff1) Iout

Ibias

I (A)
Rsistance fixe TCR=1e-3 /C

T2

1,10E+02

T2 T1

-0,2 %/C

Polarisation par R constante Polarisation par R avec TCR=1e-3 /C Polarisation par PMOS

T1

V1

V1

1,10E+02

1,05E+02

1,05E+02
1,00E+02

1,00E+02
9,50E+01

9,00E+01

-0,08 %/C -0,08%/C -0,157 %/C

9,50E+01

-0,08 %/C
9,00E+01

8,50E+01

8,50E+01

-0,157 %/C
Temp.( C ) 80,00

8,00E+01 -40,00 -20,00 0,00 20,00 40,00 60,00

Temp.( C ) 80,00

8,00E+01 -40,00 -20,00 0,00 20,00 40,00 60,00

Sortie Cascode Leffet Cascode est bnfique (CR)


1,15E+02 out

II - Les sources de courant


Vdd Rp Vout=2V T3
Cascode avec R et TCR=1e-3 /C Polarisation par R avec TCR=1e-3 /C Cascode pplaris par PMOS

Les miroirs de courant lmentaires Les sources de courant lmentaires Un aperu des sources de courant avances
Stabilit aux variations de la tension dalimentation Stable Vdd et rsistance de sortie leve Augmentation de la dynamique de sortie
Vout=2V T3 Iout Iout

I (A)
T4 T1

1,10E+02

T2

1,05E+02

0,036 %/C
Vdd

1,00E+02

9,50E+01

Vdd T3 Rp

-0,036 %/C
T4

Ibias

9,00E+01

-0,157 %/C
T1
8,50E+01 -40,00 -20,00 0,00 20,00 40,00 60,00

T2

Temp.( C ) 80,00

Source indpendante de Vdd Choisir un courant fournir


En gnral : un carr parfait

Source indpendante de Vdd Ibias Variantes et amliorations


Sortie Vdd Augmentation de la stabilit rduction des Vds Rduction de la consommation V miroir non symtrique
dd

Choisir le rapport de dimensions Ibias ne dpend pas de Vdd


Hypothse : le courant est le mme dans les deux branches (T1,T2) Ibias est fonction de T4, T5 et R
T4
VB

W5 W = 4 L5 L4
Vdd

R Vdd

R T4 T5
Ibias VA Ibias

T3

T8 I out Vout

W5 W = 4 L5 L4

T4
VB

T5
VD

T3
VC Ibias Ibias

T6
10.Ibias VA

I bias =

2 L 1 4 p Cox R 2 W4 +

T2 T1 R1

Ibias

T3

T2

T1

W2 W = 1 L2 L1

T7

T2

T1

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Source indpendante de Vdd Stabilit en Vdd


R, T4 et T5 imposent Ibias indpendant de Vdd
T4
VB Vdd

Augmentation de la dynamique de sortie Principe


T5
VD Ibias

Veff = V gs Vtn
T3 IS Vs T2

Gestion de la consommation
Miroirs asymtriques

Vds1 = V gs1 = Veff + Vtn Vgs 3 = Vds1 + R .I bias Vs 3 = Veff + Vtn Vds2 = Vs 3 = R .I bias Veff Vd 3 2.Veff 0 ,4V

T3
VC Ibias Ibias

T6
10.Ibias VA

R T1

Adaptation Vdd
T3 et T6 peuvent-tre supprims

T7

T2

T1 T7c

Augmentation de Rout

sortie Cascode Problme : dynamique de sortie

T2c

T1c

Compromis entre tension de sortie minimale et rsistance de sortie leve

Augmentation de la dynamique de sortie Mise en uvre : le miroir de courant cascode large plage de fonctionnement
Vdd

Augmentation de la dynamique de sortie (variantes)


Vdd=5V Vdd

R R T7
Ibias Ibias VA

R T6
VB Ibias Ibias

W7 W = 6 ( > 1) L7 L6
T8

T6 T8
VC Ibias

T7

T8

T6
VB Ibias

T7
Ibias VA

Veff 6 = Veff 7 + VR avec VR = R I bias


Ibias

T61
VB Ibias

T71

T81
Ibias VC 10.Ibias

Veff 6 = Veff 7

T4

T1 T2 T9

T9

T5 T3

Ibias

VA

T4

T1 T3 T2

T1 T2

T9

T5
VC

W1 W2 W3 W W = = = 4 5 = 4 9 L1 L2 L3 L5 L9

T5 T3

Caractristiques des sources de courant Bilan


Sensibilit Vdd Miroir simple 25% Rsistance de sortie 625k Plage de fonctionnement > 0,8V

Fin du 2me chapitre Jai appris

indpendante de Vdd indpendante de Vdd + Cascode indpendante de Vdd + Cascode large excursion

2,3%

500k

> 0,9V

0,02%

80M

> 1V

9% 2,25%

3,54M 4,88M

> 0,3V > 0,3V

Cours CIA - ERII3 - Chapitre III

01/02/2011

PolytechMontpellier Dpartement Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3me Anne

Amplificateurs CMOS lmentaires Amplificateur source commune


Polarisation par rsistance Polarisation par source de courant Polarisation par miroir de courant

Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre III Etages Amplificateurs CMOS Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr

Amplificateur drain commun (source suiveuse) Amplificateur grille commune Amplificateur diffrentiel

Amplificateur source commune Polarisation par rsistance Dimensionnement


Vdd R

Amplificateur source commune Polarisation par source de courant idale


g1 vin s1 gm1.vin rds d1 vout Vin Vdd
Ibias

Modle petit-signal
g1 vin s1 gm1.vin

Veff < Vout On choisit Vout # Vdd/2 Vin T1 Vout Vin(dc) Veff1 W/L (choix de Ibias) calcul de R (choix de Vout) Vin = Vdc + vin Veff + Vtn Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie
d1 rds//R vout

T1

Vout

Polarisation statique
Vin > Vtn ; Vin-Vtn = Veff < Vout ; Vout # Vdd/2 Calcul de W/L

Modle petit-signal
Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie

Amplificateur source commune Polarisation par miroir de courant


g1 vin s1 gm.vin rdsn
//

Amplificateur source suiveuse ou drain commun


Vdd
Vdd

d1 rdsp vout

T3
Ibias

T2
Ibias

Vin

T1

Le choix judicieux de Ibias et des tailles de transistor permet de saturer tous les transistors. On peut alors reprsenter le schma petit-signal quivalent. vin

Vin

T1

Vout

T3

T2

Vout

vgs1

gm1.vgs1

rds1

Polarisation statique
Vin > Vtn ; Vin-Vtn = Veff < Vout ; Vout#Vdd/2 Calcul de W/L et de R

Vgs1 = Vin Vout vout = (rds1 // rds 2 ) g m1 vgs1


rds1 // rds 2 =

vgs2=0

gm2.vgs2 rds2

vout

Modle petit-signal
Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie

1 1 = 1 1 g ds1 + g ds 2 + rds1 rds 2

Av =

vout g m1 = vin g ds1 + g ds 2 + g m1

Cours CIA - ERII3 - Chapitre III

01/02/2011

Amplificateur grille commune


Vdd

Amplificateur diffrentiel Dimensionnement V+=V-=Vmc Choix du courant : Ibias source de courant Choix de la charge active Vout=Vdd-(Veff3+|Vtp|) Choix de la paire diffrentielle impact sur le gain Paire diffrentielle PMOS ?
V+ Vdd

T3
Ibias Vbias

T2 T1
Vin Vout

Le choix judicieux de Vbias, Ibias et des tailles de transistor permet de saturer tous les transistors. On peut alors reprsenter le schma petit-signal quivalent. rds2

T3

T4

Id1

Id2 V-

Vout

vgs1 vin

gm1.vgs1

rds1

vout

v gs1 = vin

T1

T2

g ds 2 vout + g ds1 (vout vin ) g m1 vin = 0

Ibias

( g ds1 + g ds 2 ) vout = ( g ds1 + g m1 ) vin


Rsistance dentre ?

Av =

vout g m1 + g ds1 = vin g ds1 + g ds 2


r 2 Rin = ds2 Av g m1

Gain en tension (1/2)

Gain en tension (2/2)


Vdd

Id1 V+

Id2

id1 V-

id2

T3

T4
Modle petit-signal vgs4

gm4.vgs4 1/gm3
id1 id4 id2

T1

T2

Modle petit-signal gm1.v+ gm2.vV+ Id1 Id2 VVout

rout

Ibias

Avec rds
T1 T2

gm1.v+

Vout

gm2.v-

I d1 = I d 2 =

I bias 2 v V+ = Vmc + in 2 vin V = Vmc 2 vin = V+ V

id 1 = g m1 v+ = g m1

vin 2 vin 2

Ibias

id 1 = g m1 v+ = g m1 v gs 4 =

vin = id 2 2

id 2 = g m 2 v = g m 2 g m1 = g m 2

id 1 g i id 4 = g m 4 v gs 4 = m 4 d 1 id 2 g m3 g m3

vout = rout (id 4 id 2 ) = g m1 rout vin

Gain en tension : calcul de rout


Vdd

Gain en tension : influence des dimensions


rout = rds 2 // rds 4
ix2

T3

T4
Id4

gm4.vgs4 Vgs4
Vout V-

1/gm3 gm1.v+

rds4
ix3 ix1

vout g m1 = g m1 rout = vin g ds 2 + g ds4


gds2 = 1 I n I ds2 = n bias rds2 2

Vdd

T3

T4
VB VVout

Id1 V+

Id2

rds1

gm2.v-

rds2

Vx

gds4 =

I 1 p I ds4 = p bias rds4 2

V+

T1

VA

T2

T1

T2

I I gm1,2 = 2 ds1, 2 = bias Veff 1, 2 Veff 2

Ibias

Ibias

i x = i x1 + i x 2 + i x 3

v v = x + x rds 4 rds 2

vout g m1 2 = = vin g ds 2 + g ds4 (n + p ) Veff 2


W2 L2

ix 2 avec g m 3 = g m 4 i x 3 = g m 4 vgs 4 = ix 2 g m3 v vx v v i x = ix1 + i x 2 + ix 3 = x + 2 x + x rds 4 rds1 + rds 2 + 1 / g m 3 rds 4 rds 2 v gs 4 =

Veff 2 =

2 n Cox 2 I ds 2 L2 v out = nCox W2 vin (n + p ) I ds 2

Travaux Dirigs dInitiation aux Circuits Intgrs Analogiques


Les caractristiques suivantes seront utilises sauf en cas dindication contraire : n.Cox = 100 A/V2 ; p.Cox = 40 A/V2 ; Vtn = 0,7 V ; Vtp = -0,8 V ; Vdd = 5 V

I.

Polarisation et dimensionnement

a. Exercice n1 Les schmas ci-dessous sont-ils bien polariss (transistors saturs) ? Lorsque cest le cas, calculer les grandeurs manquantes (tension de sortie, courant de polarisation, rapport W/L des transistors, valeur des rsistances).
Vdd
10k

Vdd

Vdd

Vdd

Vdd

4V
G

10k

4V 4,1V

100A
W L = 10

Rp 4V
10k

2V

3V

1,2V

Rp

4V 2V

Vdd

Vdd

Vdd

Vdd
33k

Vdd

Vdd

3V

100A
2V

100 A
S

2,5V

100 A
2V

=2

250k

I p = 100 A

b.

Exercice n2

Pour chacun des schmas ci-dessous, calculer les grandeurs demandes. On ngligera les effets de la polarisation du substrat et de la rsistance de sortie des transistors.
Vdd
4V
Ip
W L

Vdd
200A
W L

Vdd
Ip
W L =5

Vdd

Vdd
10A
10A

T1 S1

2V
10k
R

3,3V

Vs
32k

T2 2,4V

=5

=5

L Ip =

L R=

Vs = Ip =

12k

=5

=5

L T1 ,T2 VS1 =

V1 = V2 = V3 =

c. Exercice n3 Dimensionner les trois structures ci-contre de faon ce que la tension de sortie soit de 1,7V avec une consommation de courant de 10A. On considrera Rg=1M. En vous aidant de la reprsentation petit signal de ces montages, dterminer la sensibilit relative de la tension de sortie et du courant consomm une variation de tension dalimentation. Renouveler cette tude avec un dimensionnement permettant dobtenir 0,8V en sortie de chacun des montages. d. Exercice n4 Pour chacun des trois schmas ci-contre, dimensionner les composants (W/L des transistors et valeur de la rsistance) de faon ce que chacun des montages dlivre deux tensions de 1V et 3,2V avec une consommation de 50 W.

Vdd

Vdd

Vdd

Vout1

Rp

Vout 2

Ip

Rg

Vout 3

Vdd

Vdd

Vdd

T1 S1 T2 S2 T3

T1 S1 T2 S2 T3

R S1 T1 S2 T2

e. Structure auto-polarise insensible Vdd Soit le schma ci-dessous destin fournir une tension VA indpendante de Vdd. On considre =0, T1, T2 forme un miroir de courant qui impose Ids1=Ids2. Sachant que lon souhaite utiliser un courant de polarisation de 10 A, Calculez le rapport de dimensions de T4 de faon avoir VB=3,2V. Etablir la relation entre Vgs4, Vgs3 et la chute de tension aux bornes de R. Dans le cas o T3 a un rapport de dimensions 4 fois plus lev que T4, calculez R. Calculez les dimensions de T1 et T2 pour que VA=0,9V. Que se passe-t-il lorsque la tension dalimentation diminue ? Quelle est la plus petite valeur de Vdd pour laquelle le montage fonctionne encore ? Que valent alors les courants I1 et I2 ? Calculer la transconductance de chacun des transistors (pour Vdd=5V) Pour la suite du problme, on posera W 3 = K W 4 L L

Vdd

R T4
VB Ib Ib VA

( )

( )

T3

Exprimez Veff3 en fonction de Ids et

3 =

pCox W
2 L

T3

Faites de mme pour Veff4 puis dmontrez que Ids ne dpend que de 3, R et K. Montrez alors que les transconductances des transistors ne dpendent pas de Vdd. On considre maintenant 0. En supposant rds >> 1 g m , faites un schma petitsignal du montage pour tudier la sensibilit de Ids et de VA Vdd.

T2

T1

II. Miroirs de courant


a. Exercice n1

On utilise la technologie suivante : n.Cox = 120 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; =0,005 V-1 Pour les applications numriques, on prendra Iin=120A. Pour chacun des montages ci-dessous : En ngligeant leffet de la rsistance de sortie de ltage, dterminer le rapport W/L afin que le courant de sortie soit gal Iin quel que soit VS compris entre 1V et 3,3V. Dmontrez partir dune analyse petit-signal, lexpression de la rsistance de sortie de chacun des montages. Estimer la variation de courant de sortie (IS) lorsque VS varie de 1 3,3 V.
Iin Iin IS Iin Iin

IS

IS

IS

T1
Vs

T2
Rs

T1

T2

Vs

T3 T1

T4 T2

Vs

T3 T1

T4 T2

Vs

Rs

III. Sources de courant lmentaires


a. Exercice n1 On souhaite utiliser le montage ci-contre de faon ce que le courant dans la charge RL soit gal 100 A quelle que soit la valeur de la rsistance RL dans la gamme [0 ; 30k]. Dterminer la gamme admissible pour la tension VA. Choisir VA au centre de celle-ci. Sachant que lon souhaite Ip=10A, calculez la valeur de Rp et les dimensions des transistors T1 et T2. Que devient le courant dans la charge si Vdd augmente de 10% ? Sachant que p=0,01 V-1, tracer la variation du courant dans la charge en fonction de RL. b. Exercice n2 On utilise le schma n1 ci-dessous, pour raliser une source de courant. 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff) et le W/L de chacun des transistors de faon ce que le miroir de courant dlivre 8A pour toute valeur de Vs infrieure 3,9 Volts. Calculez la valeur de la rsistance R1. 2) Calculez la rsistance de sortie de la source de courant. On ngligera leffet substrat. 3) Redimensionner la structure pour obtenir un courant de sortie de 100 A en changeant le W/L de T3 et T4. Que devient la rsistance de sortie de la source de courant ? 4) Que devient le courant de sortie si Vdd augmente de 10% ?
Vdd T1 T2 R1 T3 T4 IS Vs T1 T2 T5 Vdd T3 T4 IS Vs T4 T1 T2 Vdd R1 T3 IS Vs R1 T3 R2 T1 T2 Vdd IS Vs

Vdd

T1
IP

VA

T2
IL

Rp

RL

nCox = 100A / V 2 ; p Cox =

n Cox L( m) ; n = 0,01V 1 ; rdsp () = 3 10 4 ;Vtn = Vtp = 0,7V 2,5 I ds (mA)

c. Exercice n3 On remplace la rsistance R1 par le transistor T5 (schma n2). 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) ncessaire pour conserver les mmes conditions de polarisation (8 A dans la branche compose de T1, T2 et T5). En dduire le W/L de T5. 2) Proposer une solution permettant de rduire la surface de la source de courant en remplaant la rsistance R1 ou le transistor T5 par deux transistors. Donner le W/L de chacun de ces transistors. d. Exercice n4 On utilise le schma n3 ci-dessus, pour raliser un miroir de courant dlivrant 100A de courant de sortie avec Vdd=5V. 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) et le W/L de chacun des transistors de faon ce que le miroir de courant ait une limite basse de fonctionnement Vs=1,1Volt. Calculez la valeur de la rsistance R1. 2) Calculez la rsistance de sortie du miroir de courant. On ngligera leffet substrat. e. Exercice n5 On remplace le transistor T4 par la rsistance R2 afin dlargir la plage de fonctionnement du miroir de courant en conservant le mme courant (schma n4). 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) et le W/L de chacun des transistors de faon ce que le miroir de courant ait une limite de fonctionnement Vs=0,6 Volt. Calculez la valeur des rsistances R1 et R2. 2) On multiplie le W/L des transistors T2 et T3 par 5 en conservant R1, R2 et T1 lidentique. Calculer le courant de sortie et la rsistance de sortie du miroir de courant. Quel est lintrt de cette modification ?

f.

Exercice n6

On utilise le schma ci-contre pour raliser une source de courant. 1) Calculer le rapport W/L des transistors T1 et T2 de faon ce que la tension effective des deux transistors soit gale 0,2 Volt. Calculer la valeur de la rsistance Rp. 2) Calculer les dimensions des transistors T3 et T4 de faon ce que le courant de sortie soit gal 100A. Faire le schma petit-signal de la source de courant correspondant une variation de la tension de sortie Vs (schma n1 au dos). En dduire la rsistance de sortie Rout de la source de courant. Calculer la gamme de tension de sortie qui permet un fonctionnement correct de la source de courant (T3 et T4 saturs). g. Sensibilit Vdd des sources de courant lmentaires On utilise une technologie ayant les caractristiques suivantes : n.Cox = 140 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; n=0,005 V-1 p.Cox = 50 A/V2 ; Vtp = -0,7 V ; p=0,003 V-1 Pour chaque source de courant compose de transistors identiques :
T1 T2
10 A

Vdd T3 T4 Rp IS Vs

En ngligeant leffet de la rsistance de sortie de ltage, calculez les dimensions des composants afin que le courant de sortie soit gal 100A quel que soit VS compris entre 1V et 3,3V (On prendra Vdd=3,3V). Calculez la rsistance de sortie du montage. Donnez le schma petit-signal de chaque montage pour Vs constant et suprieur 1V dans le cas dune variation de Vdd. En dduire la variation relative du courant de sortie obtenue pour une variation de 10% de la tension dalimentation.
Vdd Vdd Vdd

Rp
Ibias

Rp
VS Iout Ibias Iout

Rp
Ibias VS Iout

T2 T1

T3 T1
Vdd Vdd

T4 T2

T3 T1
Vdd Vdd

T4 T2

VS

V1

Vdd Vdd

Tp
VS Iout

Tp Rp
Iout Ibias VS Ibias Iout

Rp
Ibias

Tp
Ibias

Rp
Ibias

Ibias

T2 T1

T3 T1

T4 T2

T3 T1

T4 T2

VS

V1

IV. Amplificateurs un transistor


a. Exercice n1 Soit la source de courant forte rsistance de sortie reprsente ci-dessous (transistors M1 et M2 sur schma n1). Sachant que les deux transistors ont les mmes dimensions (mme rapport W/L) et que lon souhaite un courant de 100 A dans la rsistance de charge, Rout, dterminez : le rapport W/L des deux transistors, la valeur maximale admissible pour la rsistance Rout, la rsistance de sortie de la source de courant.

b. Exercice n2 Soit lamplificateur de tension reprsent ci-dessous (schma n2). Sachant que Rp est grand devant la rsistance drain-source du transistor M3, calculez : le rapport W/L du transistor de faon ce que sa transconductance soit gale 1mA/V, faire le schma petit-signal du montage puis en dduire : o la rsistance de sortie de lamplificateur, o le gain en tension obtenu pour une petite variation de Vin, o la bande passante de lamplificateur si une charge de 100pF est connecte en sortie de lamplificateur.
Vdd Vb1=4,1V M1 Vdd 100 A Rp M5 M2 Vin Rout M3 Vout 10 A 10 A Vin M3 Vout M2 M6 M4 Vdd

M1

Vb2=3,9V

c. Exercice n3 Soit lamplificateur de tension reprsent ci-dessus (schma n3), calculez : d. les dimensions (rapport W/L) de M4, M5 et M6 permettant dobtenir les mmes tensions de grille pour M1 et M2 que sur le schma n1, les dimensions de M1 et M2 donnant un courant de saturation de 100A pour M1 et M2, quel est le rle de M5 ? Vdd sachant que Veff3=0,1V, calculez le gain de lamplificateur
T1 T2
10 A

Exercice n4

T3 T4 Rp T5 Vs1

On utilise la source de courant de lexercice n1 pour raliser les deux montages ci-contre. 1) Pour chacun des montages : Calculez le W/L du transistor T5, de faon avoir un Veff de 0,2 Volts. Tracer lallure de Vs lorsque Vin varie de 0 5V. Estimez sans calcul la gamme de tension dentre acceptable.

Vin

2) Pour chacun des montages, on se place dans le cas ou la tension dentre est satisfaisante. Dessinez le schma petit-signal permettant de calculer la variation de Vs induite par une petite variation de Vin. En dduire : lexpression du rapport Vs/Vin pour une petite variation de Vin la rsistance de sortie Rout du montage.

Vdd T1 T2
10A

T3 T4 Rp T5 Vs2

V. Problme

Vin

La technologie utilise a les caractristiques suivantes : Vdd Tension dalimentation : Vdd = 3,3V MOS canal P : p.Cox = 50 A/V2 ; Vtp = -0,7 V ; p = 0,0125 V-1 MOS canal N : n.Cox = 125 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; n = 0,008 V-1 T3 On tudie le schma ci-contre avec T2 et T3 identiques, Vin=0,7V, Ibias=50A et Veff3=0,5V. Ibias Calculez les dimensions des transistors (W/L). Donnez ensuite au dos de la feuille le schma Vin petit-signal du montage pour une petite variation de Vin. En dduire la rsistance de sortie petit-signal du montage et lexpression du gain. Calculez le gain. Donnez la plage de fonctionnement du montage en sortie. En dehors de cette plage, le schma petit-signal ne sera plus valable. Proposer un montage quivalent celui-ci ou vous remplacerez la source de courant idale par une source CMOS. Dimensionnez les composants ajouts et mentionnez les valeurs et dimensions sur le schma

T2 T1
Vout

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