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ANNEE 2010-2011
Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Support de cours et textes de TD Pascal Nouet, nouet@lirmm.fr
http://www.lirmm.fr/~nouet/homepage/lecture_ressources.html
01/02/2011
Contexte
PCB = carte lectronique, circuit imprim
Assemblage de composants individuels (fabriqus, tris, tests) R, L, C, Transistors Bipolaires, Circuits Intgrs Standards, Circuits Intgrs Spcifiques On peut rparer une carte (pas toujours vrai) On utilise majoritairement des transistors bipolaires
Objectifs du cours
Comprendre les bases indispensables pour la conception de circuits intgrs analogiques
Les transistors MOS N et P en rgime de saturation La polarisation et le dimensionnement Le comportement petit-signal Les structures lmentaires Miroirs et sources de courant Amplificateurs et charges actives Montages en cascade ou cascode
Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre I Le transistor MOS : un gnrateur de courant contrl en tension Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr
Etages de polarisation lmentaires Modles petit-signal Sensibilit Vdd des structures de polarisation
MOST canal P
Vdd
MOST canal P
Vdd Vd < Vdd+Vgs-Vtp Vg < Vdd+Vtp P+
Je me souviens :
Condition de conduction du MOS : Vtn et Vtp sont diffrents
Vgs > Vt
Je me souviens :
Tension effective de grille : Veff Tension de saturation du MOS :
01/02/2011
Symbole
Le transistor MOS canal N
Vdd
Source, S
Drain, D
Conduction si
Vgs > Vt
I dsat =
Je me souviens :
Il existe dautres symboles tout aussi autoriss Le drain et la source sont dfinis par la polarisation et donc le sens de conduction peut sinverser Le transistor MOS a quatre terminaisons lectriques
La valeur du gnrateur de courant Le gnrateur de courant nest pas idal n et p sont diffrents
Idsat = 122,5 A
Vgs = 1,5 V
VG Veff
> Veff
Rp G
R p I dsat
D
Veff + Vt
G Rp
Veff + Vt
> Veff
R p I dsat
Vdd
Vdd
I p , VG (choix de Veff )
Ip
S
Veff + Vt
> Veff
S
Veff + Vt
G
VS ;
W L
Ip
Vdd
Vdd
Vdd
Vdd
Veff + Vt
Rp
> Veff
S
Rp
Veff + Vt
G
R p I dsat
> Veff
W VS L R p I dsat et Vds
Ip
D G
Veff + Vt
G
VG Veff
> Veff
D
W L
Veff + Vt
Ip
01/02/2011
Plan du chapitre
Veff 1 + Vt
D1,2 D
Veff + Vt
R D D R
Veff 1 + Vt
Veff 2 + Vt
Veff 2 + Vt Veff 3 + Vt
D3
Veff + Vt
Vdd
W ,R L
Je noublie pas :
Veff, W/L et Idsat sont lis entre eux De vrifier la cohrence finale (Vds > Veff) Les potentiels des nuds internes sont compris entre le potentiel le plus haut et le potentiel le plus bas
Veff 1 + Vt Veff 2 + Vt
D2
I ds =
S S
I ds =
G D
W gm = 2nCox I dsat L
vg vgs gm.vgs rds vs vd
gm = 2 pCox
W I dsat L
vs
vgs vg
gm.vgs
rds vd
Veff + Vtp
S G D S D S
Veff + Vtn
Ids
S G
Ids
D
vg vgs gm.vgs
vd rds vs
ids
vs
vds
NMOS
vds
PMOS
vgs vg
gm.vgs rds vd
ids
Modle petit-signal
vg vd gm.vgs NMOS rds vs vgs vg PMOS gm.vgs rds vd vs
gm = Cox rds =
vd
ids
vgs
Vds
ids =
1/gm vs
Idsat
01/02/2011
Plan du chapitre Rappels de physique du composant Etages de polarisation lmentaires Modles petit-signal Sensibilit Vdd des structures auto-polarises
base de transistor Polarisation par rsistance Polarisation par source de courant
(V
dd
Vout Vtp
I p (A)
300
I pn =
I p Vdd
vdd 1 g mp vout
=?
gmn gmp gmn + gmp
250
I p Vdd
ip vdd
200
150
g mn
100
50
0 0 1 2 3 4
Vout (V )
Rp
Vout; I p Rp ;Veff ;
C W 2 I p = n ox Veff 2 L
I p Vdd =?
Ip
Rg
C W 2 I p = n ox (Vdd Rp I p Vt ) 2 L
I p (A)
200 180 160
Vout
Vout; Ids
W L
I ds =? Vdd
vdd
Rp
I p
vout
Vdd
ip vdd
gm 1 + g m Rp
140 120 100 80 60 40 20 0 0 1 2 3 4 Droite de charge (Vdd=5V) Droite de charge (Vdd=6V) Idsat(W/L=0,62) Idsat(W/L=2)
vdd
Rg
gm
vout
120 100 80 60 40 20 0
1
5
gm
Vout (V )
Vout (V )
Vout 2 Vout1
Vdd Vdd Vdd
Rp
Vout 2
W L
Ip
Rg
Rgime de fonctionnement satur Idsat=f(Vgs) Amplificateur de transconductance Convertisseur tension-courant Rsistance de sortie Ids=Idsat.f(Vds)
Vout 3
vd
vs
01/02/2011
Introduction Quest-ce quune bonne source de courant ? Un gnrateur dlivrant un courant constant quelque soit :
La tension ses bornes, Rsistance de sortie leve Dynamique de sortie leve La tension dalimentation, La temprature,
Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre II Les sources de courant Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr
IS
T1
T2
Vs
calcul de W/L
T2 doit agir en source de courant Forte rsistance de sortie rgime satur Plage de fonctionnement : Vds X => Veff X T1 est satur (Vgs = Vds) C W 2 I dsat = n ox Veff = Iin Courant de saturation : 2 L Technologie utilise W 2Iin calcul de W/L minimum L C X2
n ox
T1
T2
vs
8,00E+01 5,00E-01 4,50E-01 7,00E+01
Effet de Idsat
T1
rds (Mohms) y = 0,0044x
Iin
Vs
IS
T2
Vs
gds (A/ V ) =
Analyse petit-signal
Effet dune variation de tension de sortie
vs 1 = rds2 = is I dsat
1,50E-01 2,00E+01 1,00E-01 1,00E+01 5,00E-02 0,00E+00 0,00E+00 2,00E+01 4,00E+01 6,00E+01
8,00E+01
01/02/2011
Effet de la longueur
Iin
1,40E+01 1,20E+01 1,00E+01
3,0
Iin
IS
rds (Mohms)
y = 0,093x + 2,718
T1
T2
Vs
4,0 3,5
rds (Mohms)
T1
T2
Vs
8,00E+00 6,00E+00 4,00E+00 2,00E+00 0,00E+00 0,00E+00 2,00E+01 4,00E+01 6,00E+01 8,00E+01 1,00E+02 L (m)
rds
Ve (V / m) L(m) + r0 I dsat ( A)
Vds (V)
1/gm1
vg2
gm2.vgs2
rds2 vs
T2
T1
Rs
T2
Rs Rs
vs2
Rs
rds
Ve (V / m) L(m) + r0 I dsat ( A)
VS
1/gm3
vg4
T3 T1
T4 T2
1/gm1
rds4 vs rds2
vg2 vs2
T1
10,0
T2
Rs
I d1 = I d 2 = I d 3 = I d 4 = I in
Rs
5,0
vS gm4rds2rds4 iS
0,0 0 5 10 15 20
Rs(k) 25
vS ( gm4 + gs 4 )rds2rds4 is
01/02/2011
Effet de W/L
800 700
Iin
IS
1/gm3
vgs4
gm4.vgs4
rds4 vx
T3 T1
T4 T2
gm1.vgs1 rds1 vgs1 1/gm2
600 500
200 A
IS
T3
400 300 200 100 0 1 10 rout (MOhms)
T4 T2
I d1 = I d 2 = I d 3 = I d 4 = I in
T1
vS gm4rds1rds4 is
Effet substrat
800 700 600 500 400 300 200 100 0 1 10 rout (MOhms)
Effet de W/L
1,00E+07
1,00E+06
200 A
IS
T3 T1
W/L 100
T4 T2
1,00E+05
1,00E+04
1,00E+03
Vds (V)
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
VS 3,50) (V
Miroirs de courant PMOS Toutes les structures tudies ont une version PMOS Les caractristiques sont transposables facilement : Vsmax, rout
Vdd Vdd Vdd Vdd
Miroirs non-symtriques
Les transistors de la branche de sortie ont un W/L diffrent des transistors de la branche de rfrence (en gnral X>1 pour amplifier le courant) Etant donn que les Veff des transistors sont identiques, le courant de sortie est mis lchelle : I s X Iin
T2 T4
IS Iin Iin IS Iin IS Iin IS
T1
T2
IS Iin
RS T1
RS T2
IS
T1 T3
T2 T4
IS Iin
T1 T3
T3
Vs
T4 T2
1 : X
Vs
T3 T1
1 : X
T4 T2
Vs
T1
1 : X
T2
T1
Iin
rout rds
rout gmrdsrds
rout rds
rout gmrdsrds
rout gmrdsrds
01/02/2011
II - Les sources de courant Les miroirs de courant lmentaires Les sources de courant lmentaires
Polarisation par rsistance Polarisation par transistor Sensibilit Vdd Sensibilit la T Sources avec sortie Vdd
W = nX L
W =n L
W =n L
I S2 X VS1 > 2.Veff +Vtn IS1 = Iin = VS 2 > 2.Veff +Vtn rout1 rout2 2 Veffn Iin
2
I S2 X ; VS 2 > Veff
W = nX L
W = nX L
W =n L W =n L
W =n L W =n L
2 Veff n2 X.Iin
I0 Vdd
Rp
Ibias
Rp
Ibias Iout
Rp
Ibias > Vtn+2Veff Iout
T2
Vout
T3 T1
1 : X
T4 T2
T3 T1
1 : X
T4 T2
> Vtn+2Veff
T1
Is
V1 1 : X
Consommation ?
VOUT Vmin
Dynamique de sortie Veff Courant de sortie (Iout) W/L de T2 (T4) X Courant de rfrence (Iin) W/L de T1 (T3), Rp
Tp
Vout > Veff Iout
Tp Rp
Iout Ibias > Vtn+2Veff Ibias
Rp Tp
Ibias Ibias
Rp
Ibias
Ibias
Vdd
> Vtn+2Veff
T2 T1
T3 T1
1 : X
T4 T2
T3 T1
1 : X
T4 T2
V1 1 : X
Vout
Consommation ?
Is
Dynamique de sortie Veff Courant de sortie (Iout) W/L de T2 (T4) X Courant de rfrence (Iin) W/L de T1 (T3), Tp
01/02/2011
vdd
Vout=2V (>Veff1) Iout
Rp
Ibias
Rp
Vout=2V (>Veff1) Iout
T3
Ibias
T2 T1
T2 T1
V1
V1
iout = g m 2 .v1 = g m 2
2 eff 1
nCox W
vdd 1 + g m1R p
I out iout g m 2Vdd v = = dd I out I out (1 + g m1 R p )I out Vdd I out g m 2Vdd Vdd = (1 + g m1R p )I out Vdd I out
n Cox W1
2 2 L1 L3
2 Veff 1
iout = ibias = g m3 =
p Cox W3
Vdd V1 Vtp
I out iout 2 Vdd v 2 Vdd V = = dd = dd I out I out Veff 1 + Veff 3 Vdd Veff 1 + Veff 3 Vdd
Vout=2V Iout
Vout=2V Iout
T2 T1
Vdd
I out V = 2,77 dd I out Vdd
T2 T1
Vdd Rp T3 T4 T1 Iout
I out V = 1,55 dd I out Vdd
Vout=2V
T3
Ibias
Vout=2V Iout
T2 T1
T2
Vdd (V)
Vdd (V)
Sensibilit Vdd
Iout (A)
1,40E+02 1,50E+02 Miroir simple et rsistance Miroir simple et transistor Cascode ou wilson et rsistance 1,30E+02 Cascode ou Wilson et transistor
Polarisation par rsistance Une augmentation de temprature rduit le courant de saturation dun transistor
Iout (A) 1,06E+02
1,04E+02 Polarisation par rsistance 1,02E+02
Vdd
Rp
Ibias
T2
1,20E+02
T1
V1
1,10E+02
1,00E+02
1,00E+02
9,80E+01
-0,08 %/C
9,00E+01
9,60E+01 9,40E+01
Vdd (V )
3,70
Temp.( C ) 80,00
01/02/2011
Rp
Ibias
Vdd
T3
Ibias
I (A)
Rsistance fixe TCR=1e-3 /C
T2
1,10E+02
T2 T1
-0,2 %/C
Polarisation par R constante Polarisation par R avec TCR=1e-3 /C Polarisation par PMOS
T1
V1
V1
1,10E+02
1,05E+02
1,05E+02
1,00E+02
1,00E+02
9,50E+01
9,00E+01
9,50E+01
-0,08 %/C
9,00E+01
8,50E+01
8,50E+01
-0,157 %/C
Temp.( C ) 80,00
Temp.( C ) 80,00
Les miroirs de courant lmentaires Les sources de courant lmentaires Un aperu des sources de courant avances
Stabilit aux variations de la tension dalimentation Stable Vdd et rsistance de sortie leve Augmentation de la dynamique de sortie
Vout=2V T3 Iout Iout
I (A)
T4 T1
1,10E+02
T2
1,05E+02
0,036 %/C
Vdd
1,00E+02
9,50E+01
Vdd T3 Rp
-0,036 %/C
T4
Ibias
9,00E+01
-0,157 %/C
T1
8,50E+01 -40,00 -20,00 0,00 20,00 40,00 60,00
T2
Temp.( C ) 80,00
W5 W = 4 L5 L4
Vdd
R Vdd
R T4 T5
Ibias VA Ibias
T3
T8 I out Vout
W5 W = 4 L5 L4
T4
VB
T5
VD
T3
VC Ibias Ibias
T6
10.Ibias VA
I bias =
2 L 1 4 p Cox R 2 W4 +
T2 T1 R1
Ibias
T3
T2
T1
W2 W = 1 L2 L1
T7
T2
T1
01/02/2011
Veff = V gs Vtn
T3 IS Vs T2
Gestion de la consommation
Miroirs asymtriques
Vds1 = V gs1 = Veff + Vtn Vgs 3 = Vds1 + R .I bias Vs 3 = Veff + Vtn Vds2 = Vs 3 = R .I bias Veff Vd 3 2.Veff 0 ,4V
T3
VC Ibias Ibias
T6
10.Ibias VA
R T1
Adaptation Vdd
T3 et T6 peuvent-tre supprims
T7
T2
T1 T7c
Augmentation de Rout
T2c
T1c
Augmentation de la dynamique de sortie Mise en uvre : le miroir de courant cascode large plage de fonctionnement
Vdd
R R T7
Ibias Ibias VA
R T6
VB Ibias Ibias
W7 W = 6 ( > 1) L7 L6
T8
T6 T8
VC Ibias
T7
T8
T6
VB Ibias
T7
Ibias VA
T61
VB Ibias
T71
T81
Ibias VC 10.Ibias
Veff 6 = Veff 7
T4
T1 T2 T9
T9
T5 T3
Ibias
VA
T4
T1 T3 T2
T1 T2
T9
T5
VC
W1 W2 W3 W W = = = 4 5 = 4 9 L1 L2 L3 L5 L9
T5 T3
indpendante de Vdd indpendante de Vdd + Cascode indpendante de Vdd + Cascode large excursion
2,3%
500k
> 0,9V
0,02%
80M
> 1V
9% 2,25%
3,54M 4,88M
01/02/2011
Initiation aux Circuits Intgrs Analogiques CMOS Chapitre III Etages Amplificateurs CMOS Pascal Nouet 2010/2011 nouet@lirmm.fr
Amplificateur drain commun (source suiveuse) Amplificateur grille commune Amplificateur diffrentiel
Modle petit-signal
g1 vin s1 gm1.vin
Veff < Vout On choisit Vout # Vdd/2 Vin T1 Vout Vin(dc) Veff1 W/L (choix de Ibias) calcul de R (choix de Vout) Vin = Vdc + vin Veff + Vtn Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie
d1 rds//R vout
T1
Vout
Polarisation statique
Vin > Vtn ; Vin-Vtn = Veff < Vout ; Vout # Vdd/2 Calcul de W/L
Modle petit-signal
Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie
d1 rdsp vout
T3
Ibias
T2
Ibias
Vin
T1
Le choix judicieux de Ibias et des tailles de transistor permet de saturer tous les transistors. On peut alors reprsenter le schma petit-signal quivalent. vin
Vin
T1
Vout
T3
T2
Vout
vgs1
gm1.vgs1
rds1
Polarisation statique
Vin > Vtn ; Vin-Vtn = Veff < Vout ; Vout#Vdd/2 Calcul de W/L et de R
vgs2=0
gm2.vgs2 rds2
vout
Modle petit-signal
Gain, rsistance dentre et rsistance de sortie
Av =
01/02/2011
Amplificateur diffrentiel Dimensionnement V+=V-=Vmc Choix du courant : Ibias source de courant Choix de la charge active Vout=Vdd-(Veff3+|Vtp|) Choix de la paire diffrentielle impact sur le gain Paire diffrentielle PMOS ?
V+ Vdd
T3
Ibias Vbias
T2 T1
Vin Vout
Le choix judicieux de Vbias, Ibias et des tailles de transistor permet de saturer tous les transistors. On peut alors reprsenter le schma petit-signal quivalent. rds2
T3
T4
Id1
Id2 V-
Vout
vgs1 vin
gm1.vgs1
rds1
vout
v gs1 = vin
T1
T2
Ibias
Av =
Id1 V+
Id2
id1 V-
id2
T3
T4
Modle petit-signal vgs4
gm4.vgs4 1/gm3
id1 id4 id2
T1
T2
rout
Ibias
Avec rds
T1 T2
gm1.v+
Vout
gm2.v-
I d1 = I d 2 =
id 1 = g m1 v+ = g m1
vin 2 vin 2
Ibias
id 1 = g m1 v+ = g m1 v gs 4 =
vin = id 2 2
id 2 = g m 2 v = g m 2 g m1 = g m 2
id 1 g i id 4 = g m 4 v gs 4 = m 4 d 1 id 2 g m3 g m3
T3
T4
Id4
gm4.vgs4 Vgs4
Vout V-
1/gm3 gm1.v+
rds4
ix3 ix1
Vdd
T3
T4
VB VVout
Id1 V+
Id2
rds1
gm2.v-
rds2
Vx
gds4 =
V+
T1
VA
T2
T1
T2
Ibias
Ibias
i x = i x1 + i x 2 + i x 3
v v = x + x rds 4 rds 2
Veff 2 =
I.
Polarisation et dimensionnement
a. Exercice n1 Les schmas ci-dessous sont-ils bien polariss (transistors saturs) ? Lorsque cest le cas, calculer les grandeurs manquantes (tension de sortie, courant de polarisation, rapport W/L des transistors, valeur des rsistances).
Vdd
10k
Vdd
Vdd
Vdd
Vdd
4V
G
10k
4V 4,1V
100A
W L = 10
Rp 4V
10k
2V
3V
1,2V
Rp
4V 2V
Vdd
Vdd
Vdd
Vdd
33k
Vdd
Vdd
3V
100A
2V
100 A
S
2,5V
100 A
2V
=2
250k
I p = 100 A
b.
Exercice n2
Pour chacun des schmas ci-dessous, calculer les grandeurs demandes. On ngligera les effets de la polarisation du substrat et de la rsistance de sortie des transistors.
Vdd
4V
Ip
W L
Vdd
200A
W L
Vdd
Ip
W L =5
Vdd
Vdd
10A
10A
T1 S1
2V
10k
R
3,3V
Vs
32k
T2 2,4V
=5
=5
L Ip =
L R=
Vs = Ip =
12k
=5
=5
L T1 ,T2 VS1 =
V1 = V2 = V3 =
c. Exercice n3 Dimensionner les trois structures ci-contre de faon ce que la tension de sortie soit de 1,7V avec une consommation de courant de 10A. On considrera Rg=1M. En vous aidant de la reprsentation petit signal de ces montages, dterminer la sensibilit relative de la tension de sortie et du courant consomm une variation de tension dalimentation. Renouveler cette tude avec un dimensionnement permettant dobtenir 0,8V en sortie de chacun des montages. d. Exercice n4 Pour chacun des trois schmas ci-contre, dimensionner les composants (W/L des transistors et valeur de la rsistance) de faon ce que chacun des montages dlivre deux tensions de 1V et 3,2V avec une consommation de 50 W.
Vdd
Vdd
Vdd
Vout1
Rp
Vout 2
Ip
Rg
Vout 3
Vdd
Vdd
Vdd
T1 S1 T2 S2 T3
T1 S1 T2 S2 T3
R S1 T1 S2 T2
e. Structure auto-polarise insensible Vdd Soit le schma ci-dessous destin fournir une tension VA indpendante de Vdd. On considre =0, T1, T2 forme un miroir de courant qui impose Ids1=Ids2. Sachant que lon souhaite utiliser un courant de polarisation de 10 A, Calculez le rapport de dimensions de T4 de faon avoir VB=3,2V. Etablir la relation entre Vgs4, Vgs3 et la chute de tension aux bornes de R. Dans le cas o T3 a un rapport de dimensions 4 fois plus lev que T4, calculez R. Calculez les dimensions de T1 et T2 pour que VA=0,9V. Que se passe-t-il lorsque la tension dalimentation diminue ? Quelle est la plus petite valeur de Vdd pour laquelle le montage fonctionne encore ? Que valent alors les courants I1 et I2 ? Calculer la transconductance de chacun des transistors (pour Vdd=5V) Pour la suite du problme, on posera W 3 = K W 4 L L
Vdd
R T4
VB Ib Ib VA
( )
( )
T3
3 =
pCox W
2 L
T3
Faites de mme pour Veff4 puis dmontrez que Ids ne dpend que de 3, R et K. Montrez alors que les transconductances des transistors ne dpendent pas de Vdd. On considre maintenant 0. En supposant rds >> 1 g m , faites un schma petitsignal du montage pour tudier la sensibilit de Ids et de VA Vdd.
T2
T1
On utilise la technologie suivante : n.Cox = 120 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; =0,005 V-1 Pour les applications numriques, on prendra Iin=120A. Pour chacun des montages ci-dessous : En ngligeant leffet de la rsistance de sortie de ltage, dterminer le rapport W/L afin que le courant de sortie soit gal Iin quel que soit VS compris entre 1V et 3,3V. Dmontrez partir dune analyse petit-signal, lexpression de la rsistance de sortie de chacun des montages. Estimer la variation de courant de sortie (IS) lorsque VS varie de 1 3,3 V.
Iin Iin IS Iin Iin
IS
IS
IS
T1
Vs
T2
Rs
T1
T2
Vs
T3 T1
T4 T2
Vs
T3 T1
T4 T2
Vs
Rs
Vdd
T1
IP
VA
T2
IL
Rp
RL
c. Exercice n3 On remplace la rsistance R1 par le transistor T5 (schma n2). 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) ncessaire pour conserver les mmes conditions de polarisation (8 A dans la branche compose de T1, T2 et T5). En dduire le W/L de T5. 2) Proposer une solution permettant de rduire la surface de la source de courant en remplaant la rsistance R1 ou le transistor T5 par deux transistors. Donner le W/L de chacun de ces transistors. d. Exercice n4 On utilise le schma n3 ci-dessus, pour raliser un miroir de courant dlivrant 100A de courant de sortie avec Vdd=5V. 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) et le W/L de chacun des transistors de faon ce que le miroir de courant ait une limite basse de fonctionnement Vs=1,1Volt. Calculez la valeur de la rsistance R1. 2) Calculez la rsistance de sortie du miroir de courant. On ngligera leffet substrat. e. Exercice n5 On remplace le transistor T4 par la rsistance R2 afin dlargir la plage de fonctionnement du miroir de courant en conservant le mme courant (schma n4). 1) Dterminer la tension effective de grille (Veff=Vgs-Vtn) et le W/L de chacun des transistors de faon ce que le miroir de courant ait une limite de fonctionnement Vs=0,6 Volt. Calculez la valeur des rsistances R1 et R2. 2) On multiplie le W/L des transistors T2 et T3 par 5 en conservant R1, R2 et T1 lidentique. Calculer le courant de sortie et la rsistance de sortie du miroir de courant. Quel est lintrt de cette modification ?
f.
Exercice n6
On utilise le schma ci-contre pour raliser une source de courant. 1) Calculer le rapport W/L des transistors T1 et T2 de faon ce que la tension effective des deux transistors soit gale 0,2 Volt. Calculer la valeur de la rsistance Rp. 2) Calculer les dimensions des transistors T3 et T4 de faon ce que le courant de sortie soit gal 100A. Faire le schma petit-signal de la source de courant correspondant une variation de la tension de sortie Vs (schma n1 au dos). En dduire la rsistance de sortie Rout de la source de courant. Calculer la gamme de tension de sortie qui permet un fonctionnement correct de la source de courant (T3 et T4 saturs). g. Sensibilit Vdd des sources de courant lmentaires On utilise une technologie ayant les caractristiques suivantes : n.Cox = 140 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; n=0,005 V-1 p.Cox = 50 A/V2 ; Vtp = -0,7 V ; p=0,003 V-1 Pour chaque source de courant compose de transistors identiques :
T1 T2
10 A
Vdd T3 T4 Rp IS Vs
En ngligeant leffet de la rsistance de sortie de ltage, calculez les dimensions des composants afin que le courant de sortie soit gal 100A quel que soit VS compris entre 1V et 3,3V (On prendra Vdd=3,3V). Calculez la rsistance de sortie du montage. Donnez le schma petit-signal de chaque montage pour Vs constant et suprieur 1V dans le cas dune variation de Vdd. En dduire la variation relative du courant de sortie obtenue pour une variation de 10% de la tension dalimentation.
Vdd Vdd Vdd
Rp
Ibias
Rp
VS Iout Ibias Iout
Rp
Ibias VS Iout
T2 T1
T3 T1
Vdd Vdd
T4 T2
T3 T1
Vdd Vdd
T4 T2
VS
V1
Vdd Vdd
Tp
VS Iout
Tp Rp
Iout Ibias VS Ibias Iout
Rp
Ibias
Tp
Ibias
Rp
Ibias
Ibias
T2 T1
T3 T1
T4 T2
T3 T1
T4 T2
VS
V1
b. Exercice n2 Soit lamplificateur de tension reprsent ci-dessous (schma n2). Sachant que Rp est grand devant la rsistance drain-source du transistor M3, calculez : le rapport W/L du transistor de faon ce que sa transconductance soit gale 1mA/V, faire le schma petit-signal du montage puis en dduire : o la rsistance de sortie de lamplificateur, o le gain en tension obtenu pour une petite variation de Vin, o la bande passante de lamplificateur si une charge de 100pF est connecte en sortie de lamplificateur.
Vdd Vb1=4,1V M1 Vdd 100 A Rp M5 M2 Vin Rout M3 Vout 10 A 10 A Vin M3 Vout M2 M6 M4 Vdd
M1
Vb2=3,9V
c. Exercice n3 Soit lamplificateur de tension reprsent ci-dessus (schma n3), calculez : d. les dimensions (rapport W/L) de M4, M5 et M6 permettant dobtenir les mmes tensions de grille pour M1 et M2 que sur le schma n1, les dimensions de M1 et M2 donnant un courant de saturation de 100A pour M1 et M2, quel est le rle de M5 ? Vdd sachant que Veff3=0,1V, calculez le gain de lamplificateur
T1 T2
10 A
Exercice n4
T3 T4 Rp T5 Vs1
On utilise la source de courant de lexercice n1 pour raliser les deux montages ci-contre. 1) Pour chacun des montages : Calculez le W/L du transistor T5, de faon avoir un Veff de 0,2 Volts. Tracer lallure de Vs lorsque Vin varie de 0 5V. Estimez sans calcul la gamme de tension dentre acceptable.
Vin
2) Pour chacun des montages, on se place dans le cas ou la tension dentre est satisfaisante. Dessinez le schma petit-signal permettant de calculer la variation de Vs induite par une petite variation de Vin. En dduire : lexpression du rapport Vs/Vin pour une petite variation de Vin la rsistance de sortie Rout du montage.
Vdd T1 T2
10A
T3 T4 Rp T5 Vs2
V. Problme
Vin
La technologie utilise a les caractristiques suivantes : Vdd Tension dalimentation : Vdd = 3,3V MOS canal P : p.Cox = 50 A/V2 ; Vtp = -0,7 V ; p = 0,0125 V-1 MOS canal N : n.Cox = 125 A/V2 ; Vtn = 0,5 V ; n = 0,008 V-1 T3 On tudie le schma ci-contre avec T2 et T3 identiques, Vin=0,7V, Ibias=50A et Veff3=0,5V. Ibias Calculez les dimensions des transistors (W/L). Donnez ensuite au dos de la feuille le schma Vin petit-signal du montage pour une petite variation de Vin. En dduire la rsistance de sortie petit-signal du montage et lexpression du gain. Calculez le gain. Donnez la plage de fonctionnement du montage en sortie. En dehors de cette plage, le schma petit-signal ne sera plus valable. Proposer un montage quivalent celui-ci ou vous remplacerez la source de courant idale par une source CMOS. Dimensionnez les composants ajouts et mentionnez les valeurs et dimensions sur le schma
T2 T1
Vout