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B.3.

Propagación de la luz en guías de onda

B.3.1.

Introducción

Ya sabemos lo que es una onda plana. Recordemos que se caracteriza porque la amplitud de la onda en el plano normal a la dirección de propagación es constante. Las superficies que reúnen todos los puntos de igual fase se llaman frentes de onda. La velocidad de la onda, también llamada velocidad de fase vp = ω / k, representa la velocidad de un punto de fase constante.

Fig. B.3.1: Frentes de onda en una onda plana.

En la mayoría de las aplicaciones ópticas, los haces ópticos son confinados lateralmente a una región finita del espacio. Se utilizan elementos ópticos especiales para confinar estos haces y permitir la propagación de dichos modos ópticos. Una de las estructuras más utilizadas es la estructura multicapa o de guía de onda. La guía de onda puede estar formada por materiales cristalinos o no cristalinos y se puede utilizar, por ejemplo, vidrio para producir fibras ópticas. Las guías de onda de material semiconductor se utilizan con láseres semiconductores, interruptores ópticos, etc. En este tema veremos como se propaga la luz en guías de onda planas y cilíndricas. También veremos algunos dispositivos utilizados para acoplar la luz a las guías de onda y de una guía de onda a otra.

B.3.2.

Propiedades físicas de las guías de onda

En el tema anterior hemos considerado el caso de la interfase entre dos medios de diferentes índices de refracción. Ahora vamos a considerar el caso de estructuras con múltiples interfases entre materiales con diferentes índices de refracción. Si se tiene un especial cuidado en elegir la dependencia espacial de los índices de refracción, pueden obtenerse dispositivos conocidos como guías de onda. Como su nombre indica, estos dispositivos están diseñados para confinar la energía electromagnética en una estrecha región B.3-1
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del espacio y guiarla a través de un canal a un espacio reducido. Confinando la onda luminosa en dicha estrecha región (generalmente del orden de una longitud de onda) se obtienen una serie de beneficios: • Si tenemos que enviar una onda óptica de un punto a otro, la guía de onda hace de "tubería de luz" o fibra óptica siendo capaz de transmitir la información a varios miles de kilómetros de distancia. La onda puede verse afectada por un fenómeno físico como es la variación del índice de refracción de la guía por la que se propaga debido a la aplicación de un campo eléctrico. El cambio ocurre sobre una porción de espacio muy reducida y afecta a toda la onda. De esta manera podemos modular la onda luminosa (moduladores). Una región particular puede tener la propiedad de que la luz que pase a través de ella sea amplificada. Debido a que esta región suele ser muy pequeña, se utilizan guías de onda para permitir el crecimiento de una onda óptica. Los láseres de semiconductor y amplificadores necesitarán guías de onda por esta razón.

El confinamiento de la onda luminosa en el espacio se realiza variando la constante dieléctrica de la guía en el espacio. La variación se puede hacer en una sola dimensión (guías planares) o en dos dimensiones (guías rectangulares o lineales). También podemos utilizar aire como medio para confinar ondas luminosas. Por último mencionar la existencia de guías cilíndricas.

Fig. B.3.2: Diferentes estructuras de guías de onda.

Las guías de onda fabricadas a partir de crecimiento epitaxial de material semiconductor o dieléctrico suelen ser planares o rectangulares. Las fibras ópticas utilizadas en comunicaciones ópticas se obtienen a partir de una fundición (suelen ser de vidrio) y tienen una forma cilíndrica. Por otra parte las guías dieléctricas y de semiconductor se suelen utilizar en sistemas optoelectrónicos integrados, cuando superponemos señales electrónicas a señales ópticas.

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B.3.2.1.

Propiedades de las fibras ópticas

La principal causa de la rápida extensión en el mundo de las comunicaciones de la fibra óptica ha sido que sus propiedades son muy superiores a las de los cables metálicos. La salida de generadores ópticos como el diodo láser (LD) o los LEDs debe acoplarse a la fibra óptica en la mayoría de las aplicaciones, por lo que debemos conocer los principios de funcionamiento de la fibra óptica. Existen tres categorías de fibras ópticas dependiendo del material utilizado en su fabricación: silicatos, vidrio y plástico. Las fibras de silicatos están hechas de SiO2 con la adición de apropiados óxidos metálicos para el ajuste fino del índice de refracción. Los óxidos más comunes utilizados para el ajuste del índice de refracción son TiO2, Al2O3, GeO2, y P2O5. Las guías de vidrio se fabrican a partir de vidrios de alta estabilidad química. También se está introduciendo cada vez más el plástico, aunque en la actualidad las guías de plástico tienen una mayor atenuación que las de silicatos o vidrio. La fibra óptica es una guía de onda cilíndrica a través de la cual se propaga la onda óptica. Su estructura básica es un núcleo central y una capa de recubrimiento exterior. El núcleo es un cilindro de material dieléctrico transparente de índice de refracción nr1 y el recubrimiento es una fina capa dieléctrica de índice nr2. Existen varias clasificaciones de las fibras ópticas dependiendo del perfil de índices y del tamaño del núcleo. El tamaño del núcleo es el que determina cuantos modos se pueden propagar por la fibra. Un cable óptico consiste en un agrupamiento de fibras ópticas.

Fig. B.3.3: Estructuras de varios tipos de guías de onda. Dependiendo del tamaño del núcleo, podrán propagarse uno o más modos. Las guías monomodo se utilizarán para guías de largo alcance, mientras que las multimodo (más baratas) son más utilizadas en redes locales (LANs).

B.3.3.

Guías planas: Un estudio de óptica geométrica

Comenzamos el estudio de guías de onda haciendo un análisis de óptica geométrica. Esto lo podremos hacer siempre que no varíe el índice de refracción a lo largo de una longitud comparable a la longitud de onda de la onda propagándose. Esto no es siempre cierto. Aún así vamos a utilizar la óptica geométrica porque nos permite un análisis simple e intuitivo. Pero no debemos olvidar que el análisis completo se debe hacer a partir de la teoría de ondas.

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En la descripción con rayos de luz propagándose en una guía de onda, podemos imaginar el rayo de luz zigzagueando por el núcleo de la fibra existiendo una reflexión total en la interfase entre el núcleo y el recubrimiento. Utilizaremos las fórmulas de Fresnel para hacer el estudio.

(b)

Fig. B.3.4: (a) Rayos reflejados y refractados de una onda incidente en una interfase plana. (b) Mitad del desfase que se produce para luz polarizada TE en función del ángulo de incidencia. El desfase sólo se da para ángulos mayores que el ángulo crítico para reflexión total.

Si tenemos una interfase separando dos medios con índices de refracción nr1 y nr2, podemos obtener la relación entre amplitudes para las ondas reflejada y transmitida, así como el cambio de fase cuando se produce una reflexión interna total. En lo siguiente llamaremos θ1 y θ2 a los ángulos de incidencia y refracción, respectivamente. Para luz polarizada TE tendremos: (B.3.1) donde se ha hecho uso de la Ley de Snell y de que:

(B.3.2) (B.3.3)

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y operando de igual forma para luz polarizada TM: (B.3.4)

(B.3.5) El ángulo crítico es aquel que cumple que: (B.3.6)

Cuando el ángulo de incidencia θ1 es mayor que θc, se cumple que con lo que y tenemos la raíz cuadrada de un número negativo. Los coeficientes de reflexión se convierten en cantidades complejas del tipo: y (B.3.7)

Utilizando las fórmulas de rTE y rTM comprobamos que para el caso θ1 > θc que acabamos de ver, =1y =1 y los desfases φTE y φTM son: (B.3.8)

(B.3.9) Estos cambios en la fase para una reflexión total son muy importantes a la hora de determinar los modos permitidos en una guía de onda. Supongamos una guía de onda plana formada por una película de índice nrf = nr1 sobre un substrato de índice nrs = nr3 y encima un recubrimiento de índice nrc = nr2. Supongamos que se cumple la siguiente relación entre los índices. nr1>nr3>nr2 Como resultado de esta relación, el ángulo crítico para la interfase película - sustrato θs es mayor que el ángulo crítico θc para la interfase película - recubrimiento. Si cambia el ángulo θ tenemos tres posibilidades: • Para ángulos de incidencia pequeños, θ < θs y θ < θc, el rayo de luz puede escapar de la guía de onda. En este caso se dice que la onda presenta un modo que se denomina de radiación. B.3-5
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Para ángulos de incidencia algo mayores, θc < θ < θs, la radiación se refleja totalmente en el recubrimiento y se escapa por el substrato. Tales modos son llamados modos de radiación por substrato. Finalmente, para el caso de θs < θ y θc < θ, la reflexión es total en ambas interfases y la radiación está confinada a la guía. Tales casos corresponden a modos guiados de propagación. Utilizaremos las guías de onda por su capacidad de mantener y transmitir modos guiados.

Fig. B.3.5: Luz propagándose en una guía plana, (a) en modo radiado, (b) en modo radiado por el substrato, (c) en el modo guiado.

B.3.3.1.

Modos guiados en una guía de onda plana

Vamos a estudiar las propiedades de los modos guiados en guías de onda planas. Supondremos que la luz es monocromática de frecuencia angular ω y longitud de onda λ. Además vamos a hacer un análisis de rayos donde supondremos que el rayo zigzaguea a lo largo de la guía reflejándose totalmente.

Fig. B.3.6: Corte de una guía plana donde se ha dibujado el recorrido del rayo en modo guiado. El rayo recorre un camino en zig-zag. La luz que recorre la guía debe interferir constructivamente consigo misma para propagarse con éxito. Si no, la interferencia destructiva destruiría la onda.

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Recordando la definición de vector de onda: (B.3.10) En nuestro caso, la luz se propaga con un vector de onda knr1 (vector de onda en nr1) siendo la dependencia espacial de los campos para modos guiados, una vez referidos a la geometría del sistema de la forma: (B.3.11) Podremos definir una constante de propagación efectiva β a lo largo del eje de propagación, eje z, y una velocidad de fase relacionada con ella vp,β dada por (B.3.12) Esto será simplemente la componente z del vector de onda knr1 (vector de onda en nr1) y representa la propagación a lo largo del eje de la guía. Un observador que avance por el eje z a la velocidad vp a la que se mueve el frente de onda no verá más que una onda plana que va de arriba hacia abajo y de abajo hacia arriba. Examinemos ahora si rayos con cualquier ángulo θ y cualquier longitud de onda se pueden propagar por la guía o si existe algún tipo de restricción en los modos guiados. Supondremos que el campo eléctrico está a lo largo del eje y, paralelo a la interfase y perpendicular a z. El rayo es guiado en zig-zag a lo largo del eje z de la guía. El resultado es una propagación efectiva del campo eléctrico E a lo largo del eje z. En la figura también se muestran los frentes de onda de fase constante, perpendiculares a la dirección de propagación del haz. Este haz es reflejado en B y posteriormente en C. Justo después de su reflexión en C, el frente de onda en C se solapa al frente de onda en A del haz original. La onda interfiere consigo misma. A menos que los frentes de onda en A y en C estén en fase, los dos interferirán destructivamente destruyéndose el uno al otro. Únicamente determinados ángulos θ darán lugar a una interferencia constructiva y, en consecuencia, únicamente determinadas ondas podrán existir en la guía. La diferencia de fase entre los puntos A y C corresponde a la longitud del camino óptico AB + BC. Además, hay que tener en cuenta que las dos reflexiones totales en B y C introducen unos cambios de fase adicionales, 2⋅φs en la interfase entre la película y el substrato y 2⋅φc en la interfase entre la película y el recubrimiento. Para tener una interferencia constructiva, la diferencia de fase entre A y C debe ser un múltiplo de 2⋅π: Δφ(AC) = knr1 (AB + BC) + 2⋅φs + 2⋅φc = 2νπ, donde ν = 0, 1, 2, … (B.3.13)

Podemos obtener fácilmente el valor de AB + BC a partir de consideraciones geométricas. BC = h / cosθ y AB = BC⋅cos(2θ). AB + BC = BC⋅cos(2θ) + BC = BC⋅[(2 ⋅ cos2θ - 1) + 1] = 2⋅h⋅ cosθ Por tanto, la propagación de la onda a lo largo de la guía necesitará que: B.3-7
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(B.3.14)

15) (B.3. una guía simétrica (para la guía simétrica nr2 = nr3 con lo que φs = φc y θs=θc) y una guía asimétrica con desfases φs y φc.CEF Tema B. donde ν = 0.17) El índice ν define el número de modos. si analizamos la expresión knr1hcosθ − νπ (= −(φs + φc) para que estos modos se puedan propagar en la guía). 2. donde ν = 0. h.3: Propagación de la luz en guías de onda knr1 2⋅h⋅cosθ + 2⋅φs + 2⋅φc = 2νπ. Téngase en cuenta que φs y φc dependen de θ por lo que habrá que resolver la expresión para cada θ de forma iterativa o gráficamente. … O lo que es lo mismo: knr1 h⋅cosθ + φs + φc = νπ. Se dibujan cada uno de los términos de la expresión de los modos de la guía en función de θ y buscamos la solución gráfica. Juan B. Esta es la relación de dispersión para la guía. 2. más modos se pueden propagar.3-8 Prof. 2. y por tanto: knr1 = 2⋅π⋅nr1/λ. 1. Veamos como ejemplo dos casos.3.3. … knr1 representa el vector de onda en nr1. B.3. Ejea 11-nov-08 .3. Para los modos guiados dado que θ es mayor que el ángulo crítico se cumple que: nr1sinθ > nr3 y por tanto la constante de propagación cumple la siguiente condición knr3 < β < knr1 (B. observamos que conforme aumenta el grosor de la guía. vemos que para la guía simétrica siempre hay una solución ya que la curva de trazo discontinuo que representa knr1hcosθ corta la curva de −(φs + φc) = -2φc en un punto con θ > θc.19) (B. Esteban Sanchis / Prof. En general los modos de orden superior tendrán una frecuencia de corte por encima de la cual no se podrán propagar. Si analizamos el modo fundamental (ν = 0). 1. (2⋅π⋅h⋅nr1/λ) ⋅cosθ + φs + φc = νπ.16) (B. 1. La expresión nos da los valores de θ permitidos y por tanto la constante de propagación β como función de ω. donde ν = 0.18) Una forma sencilla de obtener la relación de dispersión es de forma gráfica como se muestra más adelante para el modo ν = 0. … (B. Esto significa que no existe frecuencia de corte para el modo fundamental. Para el caso de modos de orden superior.

Podremos escribir. Además θ >θs y θ >θc para que el modo pueda propagarse. no habrá reflexión total en ninguna superficie y se tiene un continuo de modos de radiación. El valor máximo posible de β es para θ = 90º. h. Por ejemplo. podemos ver como evoluciona el vector de propagación de la onda β. se tendrán modos de radiación sólo por substrato (nr3). 1.3. Existirá un grosor efectivo donde está realmente confinada la onda y que viene dado por el grosor físico de la guía. las soluciones se han representado para los tres primeros modos ν =0. Conforme variemos el valor de k (o ω).CEF Tema B. B. en el caso mostrado en la figura sólo la intersección de la curva knr1hcosθ con la curva de –(φs + φc) en la región θ > θs. Para valores pequeños de θ. Fig. Los modos guiados están delimitados por modos radiados por una parte y la región prohibida por otra. Por otra parte. Consideremos en esta figura una frecuencia fija ωa. knr2. vemos que el modo fundamental puede no propagarse si el grosor h es pequeño. xs y xc.8: Relación de dispersión para los modos de una guía plana asimétrica.7: Resolución gráfica para la condición de resonancia en modos guiados. más la profundidad de penetración de los campos evanescentes en el substrato y en el recubrimiento. A partir de β = knr3 se da reflexión total en ambas superficies. Ejea 11-nov-08 (B. Juan B. y valores de crecientes a medida que aumenta el ángulo θ. por lo que los valores de β se han indicado como “zona prohibida” en la figura.3-9 Prof. β < knr3. 2. es decir. en la realidad. representando β frente a ω. al aumentar la frecuencia (en realidad el producto k⋅h) aparece un modo nuevo cada vez que se supera la frecuencia de corte característica del mismo indicada también en la misma figura. En la figura siguiente observamos la dispersión que aparece en la guía de onda. pero la luz sólo es guiada para los valores β = βν que satisfacen la ecuación vista anteriormente. β = knr1. Las frecuencias de corte de varios modos están indicadas con flechas.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig. B. Esteban Sanchis / Prof. El resultado para el modo fundamental donde knr1hcosθ =-(φs + φc) es único (recuérdese que para el caso simétrico θs = θc). h. Si examinamos la guía asimétrica (φs ≠ φc). Para knr2 < β < knr3. heff = h + xs + xc B. permite propagarse al modo fundamental (en un modo guiado θ > θs y θ > θc). Sólo recordar que el grosor donde está confinado el modo guiado no se corresponde con el grosor de la guía de onda.3.3.20) . Por tanto para una guía lo suficientemente estrecha existirá una frecuencia de corte para el modo fundamental.

que se va a realizar en esta sección proporciona una gran información sobre el funcionamiento de las fibras ópticas. pero si h y λ son comparables la corrección es necesaria. Queremos conocer el ángulo máximo de entrada de la fibra. sinθ1 = cosφ1 y.22) Consideremos ahora el caso de una fibra óptica en la que incide la luz de un medio con índice nro.3. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Para ello es necesario conocer el ángulo de reflexión total entre el núcleo y el recubrimiento de la fibra. Según la ley de Snell.3: Propagación de la luz en guías de onda Esta corrección no es de importancia si h >> λ.3.9: Ángulo de entrada en una fibra óptica calculado mediante la óptica geométrica.4. Los ángulos de incidencia y refracción vienen dados por. Si el ángulo es mayor que θA el rayo no podrá propagarse por la guía. Una de las características más importantes de la fibra óptica como conductor de luz es su eficiencia al hacerlo.3. Fig. Es por tanto de suma importancia el conocer como se propaga la luz en dichas guías. Esteban Sanchis / Prof. Fibra óptica: análisis basado en óptica geométrica La fibra óptica es probablemente uno de los componentes fotónicos más importantes en sistemas de comunicación modernos.3-10 Prof. Juan B. nro sinθ = nr1sinθ1 Como φ1 = 90º . Este tratamiento. en consecuencia: (B. B. Debemos por tanto conocer de qué forma acoplar la fuente de la señal luminosa para que el rayo entrante se refleje totalmente y se propague a lo largo de la guía.3. (B. Aunque el análisis preciso requiere la aplicación de la teoría ondulatoria.3.21) Para reflexión total φ2 = 90º de forma que el ángulo crítico φ1 = φ1c viene dado por (B. B. El ángulo crítico se obtiene aplicando la ley de Snell a un rayo propagándose de un medio de índice nr1 a un medio de índice nr2. podemos aplicar la óptica geométrica por simplicidad siempre que el núcleo de la fibra sea mayor que la longitud de onda de la luz.23) B.θ1.

3.3. Conozcamos primero las limitaciones a cumplir por el campo eléctrico y magnético en las guías de onda planas y las cilíndricas.3.27) (B. de la fibra.25) o (B.30) A la cantidad se la llama apertura numérica.3.) vamos a proceder a realizar un tratamiento más riguroso aplicando la teoría ondulatoria.29) El máximo ángulo de entrada será por tanto.3. Ejea 11-nov-08 . nro sinθ = nr1 cosφ1 (B.CEF Tema B.5.3. (B.3. Esteban Sanchis / Prof.28) o (B. Las investigaciones actuales se centran en aumentar la capacidad de aceptar rayos de entrada y reducir las pérdidas de la guía. NA.3: Propagación de la luz en guías de onda nro sinθ = nr1sinθ1 = nr1 cosφ1 φ1≥φ1c. porcentaje mucho menor del que se obtiene a partir de un diodo láser. nr1 y nr2. Limitaciones de polarización en guías de onda. Habiendo examinado el tratamiento de óptica geométrica de las guías de onda (apartado B. (B. Juan B.26) Por tanto el límite del ángulo de entrada es. B. Observamos que la capacidad de aceptar rayos de luz por parte de la fibra óptica depende de nro. Como veremos más adelante la luz emitida por un LED no está muy bien colimada.3-11 Prof.3.24) La reflexión total en la interfase entre el núcleo y el recubrimiento se produce cuando (B. Como consecuencia. B. solamente una pequeña fracción de la luz emitida se acoplará dentro de la fibra óptica.3.3.

Hz y un conjunto independiente de relaciones entre. Cualquier otra dirección del campo eléctrico podrá descomponerse en función de dos componentes. Hx.3.3. El cálculo se simplifica si se introducen las dos polarizaciones básicas ortogonales (TE y TM) con lo que obtenemos un conjunto de relaciones entre Ey.3. podemos suponer que ∂⁄∂y = 0.32) Donde β es la constante de propagación de la onda propagándose y para una longitud de onda λ dada.CEF Tema B. A continuación se sustituyen las expresiones de y en las ecuaciones de Maxwell y . involucran a Ey. Ex. Hx y Hz: B. una paralela (TM) y otra transversal (TE). El primer conjunto se corresponde con modos en los que el campo eléctrico es puramente transversal al vector de propagación (Ez=0) y son modos TE y el segundo conjunto corresponde a modos donde el campo magnético sólo tiene componente transversal (modos TM. (B. (B. Esteban Sanchis / Prof.34) con expresiones similares para las demás componentes.3.31) y para una guía cilíndrica las soluciones son de la forma.36) Las relaciones son: Modos TE (Ez=0). Juan B. Si no varían los parámetros del material en la dirección y.3-12 Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda La solución general para los campos en un modo guiado en una guía plana con el eje de la guía en dirección z son de la forma. En el caso de la guía plana donde el índice de refracción varía a lo largo del eje x.3. Las distintas componentes de los campos eléctrico y magnético tienen las siguientes expresiones: (B.3. su valor se debe determinar resolviendo la ecuación de ondas con las condiciones de contorno.33) (B. (B. Ejea 11-nov-08 . Ez y Hy. con Hz=0).35) (B.

3. Esteban Sanchis / Prof. no es una onda guiada). B. En (a) el campo eléctrico es perpendicular al plano de incidencia (plano del papel) mientras que en (b) el campo magnético es perpendicular al plano de incidencia y. Fig. Obsérvese que si no hay una variación de los parámetros del material a lo largo del eje x (es decir.37) Modos TM (Hz=0).39) y (B.3.3.40) En estos casos no existe componente axial de los campos y la onda se conoce con el nombre de transversal electromagnética o TEM.3: Propagación de la luz en guías de onda (B. B. Juan B. Este modo no es guiado ya que necesita campos eléctricos en el recubrimiento que no tenemos aquí.3-13 Prof. por tanto. se cumple (B. Ejea 11-nov-08 . el campo eléctrico es paralelo a dicho plano.38) En una guía plana tenemos por tanto una separación natural de modos TE y TM.10: Los posibles modos pueden clasificarse en (a) TE y (b) TM.3.CEF Tema B.3. involucran a Ex. En la siguiente figura se muestran los casos de modos TE (a) y TM (b). Ez y Hy: (B.

Juan B. si no que aparecerán modos híbridos en los que ni el campo eléctrico ni el magnético será puramente transversal.3. La guía plana es una estructura de tres capas donde existe una capa de índice de refracción alto rodeada por otras dos capas de bajo índice de refracción. cada una de estas componentes experimenta un cambio de fase distinto.3. B.CEF Tema B. La anchura de la guía es d.42) (B.44) (B.3.41) obtenemos las siguientes relaciones de las ecuaciones de Maxwell: (B. tendremos acoplamiento entre Ez y Hz.3.6. Supondremos que el índice de refracción de los materiales que rodean la guía es el mismo (nr2 = nr3) aunque en la realidad no tiene que ser así.47) Como. Modos guiados en guías planas: aplicación de la teoría ondulatoria.46) (B. B. Esteban Sanchis / Prof. Para el caso de una guía cilíndrica (fibra óptica) los componentes no se separan en grupos desacoplados de ondas TE y TM como en las guías planas. Ejea 11-nov-08 .3. una paralela y otra perpendicular al plano de incidencia.3-14 Prof. Una vez analizada la guía plana desde el punto de vista geométrico vamos a aplicar la teoría ondulatoria para obtener un resultado más riguroso.45) (B.3.3.43) (B. Como ya hemos visto. y en consecuencia necesita ángulos diferentes para propagarse a lo largo de la guía. la solución corresponderá a ondas que no serán simplemente ondas linealmente polarizadas TE y TM. (B. en general.3.3: Propagación de la luz en guías de onda Cualquier otra dirección del campo eléctrico (siempre perpendicular a la dirección de propagación del haz) podrá descomponerse en función de dos componentes. En general aplicando el operador rotacional.

3. La región 1 tiene una anchura d.3.3.3-15 Prof.48) donde β es la constante de propagación.49) Estas dos ecuaciones representan las ondas polarizadas TE y TM. Supongamos luz polarizada TE. En nuestro estudio el confinamiento es en dirección x. Juan B. aunque esta elección es arbitraria.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig.51) donde (B.52) es el vector de onda en el espacio libre. La dependencia con x se puede obtener a partir de cada uno de los dos grupos de tres ecuaciones obtenidos para los modos TE y TM a partir de las ecuaciones de Maxwell.3.CEF Tema B. La solución de la ecuación diferencial antes vista puede ser de la forma B. Supongamos una onda propagándose en dirección del eje z. eliminando los términos en H (TE) o en E (TM): (B. B. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 .50) donde hemos tenido en cuenta que (B.3.3. La ecuación se puede rescribir: (B.11: Guía plana donde varía el índice de refracción en dirección del eje x. las ondas de los campos eléctrico y magnético son: (B. Si suponemos que no hay variación espacial de la onda en la dirección y.

para pues ⋅k02 < β2 (B. el campo en el núcleo sea oscilatorio y el campo en el recubrimiento sea totalmente amortiguado. La guía de onda esta diseñada de forma que para algunos modos.54) o de la forma .3.3.3: Propagación de la luz en guías de onda .58) A partir de ese conjunto de cuatro ecuaciones obtenemos los siguientes dos pares de ecuaciones: (B.3.53) (B. donde para pues ⋅k02 > β2 (B.3. Por tanto la solución del campo eléctrico será de la forma (kx y γ ya las hemos definido).3. ó .57) El campo eléctrico y también su primera derivada tienen que ser continuos. para donde (B.CEF Tema B.3-16 Prof.56) Estas dos ecuaciones representan los casos de onda oscilatoria y onda críticamente amortiguada. Esteban Sanchis / Prof.55) (B. Juan B.3.3. los modos guiados.59) B. Esta condición nos da un conjunto de cuatro ecuaciones al igualar dichos valores en los límites: (B. Ejea 11-nov-08 .

Ejea 11-nov-08 . Juan B. Una posible solución gráfica es representar una de estas ecuaciones donde x = kxd/2 e y = γd/2. Los modos los numeramos con un índice m = 0. En consecuencia.65) Una vez conocemos kx (o γ). 2. Las condiciones son las siguientes ecuaciones transcendentales (B. Esteban Sanchis / Prof.3-17 Prof.63) Esta es la ecuación de una circunferencia y para cada nr1.60) Estas ecuaciones nos dan dos condiciones para las soluciones de la ecuación de un modo guiado.61) o (B.62) La primera de estas ecuaciones es para modos pares (A = D). podemos calcular la constante de propagación de fase β para un determinado k0 a partir de la expresión B. Si dibujamos la circunferencia correspondiente sobre las curvas de las dos ecuaciones trascendentales anteriores obtendremos una intersección por cada modo posible. para el espesor para el cual el modo m llega justo a ser permitido (con un espesor menor no sería permitido): (B. mientras que la segunda se corresponde con los modos impares (A = −D). Para encontrar el modo de corte para un determinado espesor hay que tener en cuenta que cortan el eje x = kxd/2 en valores y . Conforme aumenta el grosor de la guía aumentará el número de modos.3.CEF Tema B. 1.….3.3. (B. Si ahora tenemos en cuenta la expresión de γ y la expresión de kx podemos calcular kx2+γ2 y obtenemos.3.3: Propagación de la luz en guías de onda y (B. La resolución de estas expresiones se puede hacer de forma numérica o gráfica.64) y el espesor dc vale (B.3.3. nr2 y d tenemos una circunferencia de radio R(d).

Juan B. θm está cercano a 90º y la onda viaja de forma axial. Fijarse que los modos penetran en el recubrimiento y se reflejan en un plano aparente dentro de éste. Cada valor de m está relacionado con un valor de ángulo permitido (θm) que corresponde a una onda con una trayectoria concreta en la dirección z. B.3. Estos modos viajan por la guía recorriendo trayectorias diferentes. (b) Soluciones típicas para el campo eléctrico en modos guiados.3-18 Prof.12: (a) Resolución gráfica para conocer los modos permitidos en una guía de onda. Para m=0.66) Fig. Cuando estos alcanzan el final de la guía constituyen el haz de luz emergente. como se muestra en la siguiente figura. El ángulo permitido θm es mayor cuanto mayor es m. Esteban Sanchis / Prof. Cada una de estas ondas viajeras tiene un patrón Ey para el campo eléctrico que constituye el modo de propagación. La energía luminosa puede ser transportada a lo largo de la guía a través de uno o más de estos modos de propagación. B. Este fenómeno será tratado más adelante con mayor profundidad. El entero m identifica estos modos y es llamado número del modo.CEF Tema B.3. de manera que modos de órdenes superiores presentarán mayor número de reflexiones pero también penetrarán mucho más en el recubrimiento. Si es enviada luz hacia el núcleo de la guía esta podrá viajar únicamente en los modos permitidos.3: Propagación de la luz en guías de onda kx2 = nr12k02 − β2 (B. la luz emergente será un pulso de luz más ancho que el anterior pues la energía luminosa se habrá propagado a diferentes velocidades a lo largo de la guía. El pulso luminoso por tanto se ensancha cuando atraviesa la guía. Si se envía un haz de corta duración hacia la guía de ondas. Ejea 11-nov-08 .

B.7. Juan B. Modos guiados en fibras ópticas.3. Aplicación de la teoría ondulatoria.14: Factor de confinamiento en función del grosor de la guía de onda.13: Esquema que muestra la propagación de la luz en una guía de ondas. Este parámetro se llama factor de confinamiento óptico Γ. El pulso entrante a la guía se separa en distintos modos que se propagan en la guía a distintas velocidades. B.CEF Tema B.3. El simple tratamiento basado en la óptica geométrica es B. Esteban Sanchis / Prof.67) Conociendo kx y γ se puede calcular. B. Ejea 11-nov-08 .1. Al igual que hemos hecho con la guías planas debemos realizar un estudio más exhaustivo sobre la fibras ópticas basándonos en la óptica ondulatoria para conocer los modos que se pueden propagar por ellas.3.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig.3.3. los modos se combinan para constituir el pulso de luz de salida el cual es más ancho que el de entrada. Además si normalizamos la onda con respecto a kx el factor de confinamiento vale (B. Al final de la guía. Factor de confinamiento óptico Un parámetro de suma importancia en guías ópticas es la fracción de energía en la región 1 de la guía de onda. B. Fig.68) El valor de Γ depende fuertemente del número del modo considerado. el grosor de la guía y la diferencia entre nr1 y nr2.3-19 Prof.3. Su definición es (B.6.

CEF Tema B.3.15: Coordenadas cilíndricas y su relación con las coordenadas cartesianas. la ecuación de ondas en el sistema de coordenadas cilíndrico será (para un radio del núcleo a): B. En tales casos es necesario un estudio basado en óptica ondulatoria. aplicar las condiciones de contorno y como consecuencia obtener los valores permitidos de l y β. debemos obtener las ecuaciones que satisface el campo en las regiones del núcleo y del recubrimiento. B. las fibras son monomodo (se propaga a través de ellas un único modo) con diámetros del núcleo que se aproximan al micrómetro. Dicho tratamiento. Este es el caso de fibras multimodo las cuales son utilizadas en menor cantidad de aplicaciones. La solución general en dichas coordenadas de los campos eléctrico o magnético será de la forma: (B. Para resolver el problema se utiliza la misma técnica utilizada en las guías planas.69) donde el número entero l describe la dependencia azimutal del campo y β es la constante de propagación.3-20 Prof. haciendo la aproximación de un campo escalar. Este tratamiento es más complejo en una guía de ondas cilíndrica. ya que la separación de campos eléctricos y magnéticos en soluciones de modos TE y TM únicamente no es posible. es decir. En la mayor cantidad de aplicaciones de comunicación óptica. al igual que sucedía en las guías planas. En el caso de una guía de ondas plana. y.3. Para una guía de ondas cilíndrica de índice escalón. En el caso de una guía de ondas cilíndrica (fibra óptica) es apropiado trabajar en un sistema de coordenadas cilíndrico utilizando r. Esteban Sanchis / Prof. θ y z. z.3: Propagación de la luz en guías de onda adecuado si el tamaño del núcleo de la fibra es mucho mayor que la longitud de onda de la luz que se propaga a través de la fibra. Fig. conducirá a unos modos guiados bien definidos que describirán la forma de las ondas de luz que se pueden propagar por la guía. La simetría cilíndrica produce otras posibles polarizaciones como son los modos híbridos EH y HE. Juan B. la ecuación de ondas se resuelve en coordenadas cartesianas x. además de las polarizaciones TE y TM. Ejea 11-nov-08 .

CEF Tema B. Juan B. la fibra óptica será monomodo (se propagará en ella un único modo). l } que satisfacen las ecuaciones de ondas mostradas anteriormente cuando se aplican las condiciones de contorno al campo.3. es decir. Por otro lado el número de modos para una fibra de gran diámetro viene dado aproximadamente por la siguiente expresión: (B. que la fibra sea monomodo será: (B.3: Propagación de la luz en guías de onda (B.72) donde NA es la apertura numérica de la fibra (es decir.3.3-21 Prof. Este parámetro se puede expresar en función del diámetro. Esteban Sanchis / Prof.3. Los modos guiados vendrán dados a partir del conjunto de valores {β.405.3.3.71) y (B. respectivamente. Luego el máximo radio del núcleo de la fibra óptica para que se propague un solo modo por ella. El parámetro V recibe el nombre de parámetro de frecuencia normalizada (al cual se le suele llamar simplemente parámetro V) y determina el número de modos que se pueden propagar en una fibra óptica. ). Ejea 11-nov-08 .73) donde d es el diámetro del núcleo. Por una fibra se propagarán más de un modo cuando se supere dicho valor crítico.75) B. d=2⋅a. Este parámetro es un número adimensional. λ es la longitud de onda de operación (longitud de onda en el espacio libre) y nr1 y nr2 los índices de refracción de núcleo y recubrimiento.3.405.70) Se definen los parámetros: (B. (B.74) Siempre que se cumpla la condición V ≤ 2. La condición de corte para la cual se propaga un único modo (modo de orden cero) es V = 2.

3. como modos transversales. Fig. B.17: Ejemplo de cómo los modos HE21 + TE01 y HE21 + TM01 componen modos linealmente polarizados LP11 (la zona oscurecida muestra la distribución de intensidad y las flechas los campos eléctricos o magnéticos transversales)) Todos los rayos -modos. Estos modos LP son los distintos rayos luminosos que pueden propagarse por el interior de la fibra. Las componentes longitudinales de dichos modos LP es muy pequeña. En la práctica. la cual es cierta en la totalidad de fibras ópticas prácticas (en éstas nr1-nr2 es de alrededor de 0. de forma que pueden ser tratados. Bajo esta condición. es decir a lo largo de la dirección de propagación (modos híbridos HE y EH). Esteban Sanchis / Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda El principal resultado que se obtiene después de un laborioso cálculo matemático es que el campo electromagnético puede propagarse dentro de la estructura como un conjunto de patrones de campo llamados modos naturales. Ejea 11-nov-08 . los modos naturales se combinan dando lugar a modos linealmente polarizados (LP) que son los que realmente existen en el interior de la fibra.16: Líneas de campo para los cuatro modos naturales de orden más bajo en una fibra óptica. Juan B. se suele aplicar la llamada aproximación de "modos guiados débilmente". Los rayos meridionales son los que cruzan por una línea imaginaria que marca el centro de la fibra.que se propagan dentro de una fibra óptica pueden ser divididos en dos categorías: rayos meridionales y rayos oblicuos. Fig.CEF Tema B. nr1-nr2<<1.3-22 Prof.2 o menor). mientras que los rayos B. Estos modos naturales (también llamados verdaderos o exactos) pueden ser totalmente transversales (modos TE y TM) o pueden tener componentes longitudinales. Esta aproximación se basa en la suposición de que la diferencia entre los índices de refracción de núcleo y recubrimiento es mucho menor que la unidad.3. en la mayor parte de los casos. B.

(b) Trayectoria de un rayo oblicuo en la fibra: secciones longitudinal (izquierda) y transversal (derecha). Esto no es una forma muy física de describir un pulso óptico propagándose en el espacio. Estos rayos tienen únicamente dos componentes. observamos que la densidad de energía asociada a ella (ψ*ψ) es uniforme en todos los puntos a lo largo del eje x y es constante en el tiempo. Esteban Sanchis / Prof. Vamos a analizar en esta sección las propiedades de los B. Ejea 11-nov-08 . son más sofisticados ya que tienen una componente azimutal. por otra parte. En una situación físicamente real. Por tanto. en la composición de los rayos oblicuos intervienen siempre los modos naturales híbridos EH y HE.3-23 Prof.3.18: Rayos meridionales y oblicuos. B. Hasta ahora. Juan B.3: Propagación de la luz en guías de onda oblicuos se propagan sin cruzar el eje central de la fibra. B.3.76) donde k es el vector de onda y la onda se propaga en dirección x (por simplicidad). (B. Tales situaciones se describen mediante la construcción de paquetes de ondas.8.CEF Tema B.radial y axial y pueden componerse a partir de únicamente modos naturales transversales TE y TM. únicamente hemos visto el caso de rayos meridionales. Los rayos oblicuos. Fig. Propagación de paquetes de onda: dispersión y velocidad de grupo Hemos visto que caracterizamos las ondas ópticas mediante su forma de onda dada por su campo eléctrico y magnético (en general representado por ψ) y expresadas como.3. (a) Trayectoria de un rayo meridional en la fibra: secciones longitudinal (izquierda) y transversal (derecha). Si examinamos esta forma de onda. Un análisis teórico muestra que estos están compuestos de modos que deben incluir elementos longitudinales. se está interesado en la descripción de pulsos ópticos localizados en el espacio y que se propagan de un punto a otro.

(b) Al combinar varias ondas obtenemos un paquete de ondas que está localizado en el espacio. Volviendo al caso de una onda unidimensional con un vector de onda k0.CEF Tema B. Si Δk es pequeño. (B. (B.3. ±Δk.78) y estaría centrada alrededor de x0. la función de onda valdría entonces. Un paquete de ondas más útil se puede obtener multiplicando el integrando de la expresión anterior por un factor de peso gausiano f(k-k0).3. La probabilidad (|ψ|2) decae desde su máximo valor en x0 a un valor muy pequeño en una distancia π/Δk.77) vemos que si un estado no estuviese formado a partir de una única componente k0 sino por un conjunto de componentes con vector de onda alrededor de k0. en nuestro caso en la dirección x. Fig.3.19: (a) Esquema de una onda unidimensional que se extiende por todo el espacio.79) B. Ejea 11-nov-08 . el nuevo paquete de ondas tiene esencialmente las mismas propiedades que ψ en k0.3. El paquete está centrado en x0 y tiene una dispersión de Δx. Esteban Sanchis / Prof. cumpliéndose que Δk Δx≈1.3: Propagación de la luz en guías de onda paquetes de ondas y como afectan las propiedades de un medio a la propagación del paquete de ondas.3-24 Prof. Juan B. Un paquete de ondas como veremos está formado por la superposición de un conjunto de ondas planas de amplitud y frecuencia variables que se propagan superpuestas. B. pero está localizado en el espacio y es por tanto muy útil para describir el movimiento del pulso. (B.

Para ello necesitamos añadir la dependencia temporal de la función de onda.3.1. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof.3-25 Prof. x0) representa un paquete de ondas gausiano en el espacio que se amortigua rápidamente conforme nos alejamos de x0.86) Lo que significa simplemente que el paquete de ondas se mueve con su centro en x − x0 = ct (B.81) y obtener así un paquete de ondas que está localizado en tiempo y en frecuencia.3.84) Si ω tiene una dependencia con k similar a la que tiene en el vacío.3.82) (B. Se puede comprobar que la anchura del paquete de ondas en el espacio real (x) y en el espacio de k cumple la relación Δk Δx ≈ 1 Podemos repetir el mismo procedimiento para una onda de tipo ψ ∝ eiωt (B.3. (B. En realidad tenemos un medio diferente del vacío y la relación entre ω y k es más compleja.3: Propagación de la luz en guías de onda (B. Movimiento de un paquete de ondas. la onda estaba distribuida por todo el espacio hasta el infinito y tenía un valor de k determinado.87) (B. Juan B.3.80) ψ(x.83) B.3.3.3.3. Si consideramos el estado original . ω = ck podemos escribir (B. En general será de la forma. Veamos ahora como se desplaza un paquete de ondas por el espacio y el tiempo.85) y su forma no cambia con el tiempo. Al construir el paquete de ondas hemos perdido precisión en el vector k al variar éste en Δk y hemos ganado en precisión de Δx en el espacio real. B. es decir el término e−iωt. estando relacionadas las anchuras de dicha localización Δω Δt ≈ 1 (B.8.

CEF Tema B.89) obtenemos (B.94) Para resolver esta integral completamos el cuadrado en el integrando restando y sumando términos (B.3.3-26 Prof.3.3.92) y para α distinto de cero. x − x0 = vgt es decir. (B.3. la forma del paquete de ondas cambia. Para comprobarlo supongamos un paquete de ondas gausiano.91) (B.3. Juan B.3.88) Si llamamos (B. con una velocidad de grupo dada por (B.3: Propagación de la luz en guías de onda (B. el paquete de ondas se movería con su pico centrado en.3. Esteban Sanchis / Prof.93) Entonces (B.3.90) si α fuese cero.95) El valor de la integral es B. Ejea 11-nov-08 .

se altera su forma.96) La probabilidad |ψ|2 tiene la siguiente dependencia temporal y espacial.3. Esta velocidad se tiene que distinguir de la velocidad de fase (B. dicha relación no tiene porque ser lineal.3. En general.98) Para tiempos cortos en los que se cumple que α2t2(Δk)4 << 1 (B. la velocidad de fase puede ser mayor que la velocidad de la luz.3. cuando se propagan pulsos por ese medio.100) que representa la velocidad de un punto en el cual la fase permanece constante.3. pero en un medio son diferentes. el paquete de ondas comenzará a dispersarse. Si la guía de onda está hecha de varios materiales se añaden más efectos de dispersión.3. utilizando un modelo simple para la relación de dispersión. y como resultado.3: Propagación de la luz en guías de onda Si multiplicamos y dividimos por (1 − i⋅α⋅t⋅(Δk)2) (B. De hecho. De todas maneras vamos a ver las propiedades físicas más importantes relacionadas con una guía de onda. La velocidad de grupo. Esteban Sanchis / Prof. si α≠0. B. Hemos introducido la velocidad de grupo que representa cual es la velocidad con la que se propaga el paquete de ondas a través del medio.97) Esto es una distribución gausiana centrada alrededor de x = x0 + vgt y la anchura media en el espacio real es (B.99) la anchura no varía con respecto a su valor inicial. describe una de las propiedades ópticas más importantes de un material.2. c. B. ya que la relación ω − k se modifica para los modos guiados.8. dependiendo de la dispersión de un medio. es decir la relación de dispersión. (B. Ejea 11-nov-08 .3-27 Prof.3. En el vacío ambas velocidades coinciden. Juan B. que representa la propagación del paquete de ondas (o información) siempre es menor que c. pero conforme pasa el tiempo.CEF Tema B. Dispersión en una guía de onda La relación entre ω y k en un medio. La relación de dispersión en una guía de onda suele ser muy compleja y requiere cálculo numérico para su resolución.

El valor de la anchura de un pulso inyectado en t=0 con anchura δx(t=0) transcurrido un tiempo t valdrá. Ejea 11-nov-08 .3.3.105) B.104) Si no hubiese dispersión debida al guiado de las ondas. B.102) Podemos ver que la velocidad de fase puede ser mayor que la velocidad de la luz. según lo visto en el apartado anterior: (B.3.3.3: Propagación de la luz en guías de onda Si ωc es la frecuencia de corte de un modo. podemos suponer una relación de dispersión de forma "desplazada". Para encontrar la dispersión que sufre un pulso.103) que siempre será menor que la velocidad de la luz. debemos conocer la segunda derivada de ω con respecto a k. Pero la velocidad de fase no representa propagación de energía. por lo que no es ninguna contradicción con la teoría de la relatividad. ω2 = ωc2 + k2v2 (B.3-28 Prof. la velocidad de grupo vg coincidiría con v y con la velocidad de fase vp y ωc sería cero. Juan B. es decir α=0. c.CEF Tema B.101) Fig. Como resultado de la dispersión.20: Relación de dispersión de un modo guiado con frecuencia de corte ωc. cuando ω tienda a ωc.3. La velocidad de grupo es (B.3. La velocidad de fase para la guía de onda viene dada por (B. (B. Esteban Sanchis / Prof. un pulso inyectado en una guía se ensanchará conforme viaje por la guía.

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

Obsérvese que no hemos asignado dispersión que provenga del material en si, lo que sí se da en la realidad. La dispersión del material puede contribuir con un valor de α, que puede tener un valor positivo o negativo, por lo que podremos encontrar guías cuya dispersión se acerque a cero gracias a la combinación del factor de dispersión debido al guiado de la onda y el factor de dispersión debido al material.

B.3.8.2.1.

Dispersión en fibras ópticas

La mayor parte de las fibras ópticas son utilizadas para la transmisión de la información a larga distancia. Por tanto, una característica importante de la fibra óptica será tener un gran ancho de banda para la transmisión de la información y tener pocas pérdidas. El ancho de banda de la fibra óptica está determinado por el efecto de dispersión. Intuitivamente la dispersión es debida a que rayos luminosos que entran a la fibra con diferentes ángulos atravesarán caminos diferentes dentro de la fibra. Así por ejemplo en la figura que se muestra a continuación el rayo 1, que es un rayo axial, tiene el camino más corto en el interior de la fibra, el rayo 2 atraviesa un camino más largo y el 3 atraviesa un camino todavía más largo. Debido a las diferentes longitudes de los caminos, el tiempo del trayecto de cada uno de estos rayos es diferente y estos no llegan al final del cable al mismo tiempo. Como consecuencia, cuando se introduce una excitación del tipo de un pulso estrecho, este pulso energético se ensancha, y a la salida del cable es más ancho que a la entrada. Este efecto limita la rapidez del pulso que la fibra puede llegar a manejar y, por tanto, afecta al ancho de banda de la fibra.
nr2

nr1

Fig. B.3.21: (a) Camino de los rayos en una fibra multimodo. (b) Dispersión de pulsos para una fibra de cambio de índice escalón.

Las fibras con varios caminos posibles son las fibras multimodo y, como hemos visto, provocan una gran dispersión del pulso y un ancho de banda limitado. Este fenómeno es llamado dispersión modal. A continuación vamos a realizar un cálculo del tiempo de ensanchamiento del pulso. El rayo que viaja según el eje necesitará un tiempo: (B.3.106) donde L es la longitud de la fibra y v = c / nr1 (nr1 es el índice de refracción del núcleo de la fibra). El rayo C de la siguiente figura necesitará un tiempo:

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

(B.3.107) donde el ángulo αC está relacionado con el ángulo crítico cumpliéndose que sin(θc)=cos(αC) y por tanto que cos αC = nr2 / nr1. En consecuencia, la anchura del pulso para el caso de dispersión modal será: (B.3.108) donde nr1: índice del núcleo, nr2: índice del recubrimiento, L: longitud de la fibra, c: velocidad de la luz.

θc

Fig. B.3.22: Dispersión modal (a) Pulso original. (b) Modos en la fibra óptica. (c) Pulsos obtenidos considerando cada modo individualmente. (d) Pulso resultante.

En una fibra óptica también puede existir la llamada dispersión cromática. La dispersión cromática en una fibra óptica tiene dos mecanismos: dispersión debida al material y dispersión de la guía de onda. La dispersión debida al material es debida a que tanto el índice de refracción como la velocidad de propagación dependen de la longitud de onda. Cuando rayos de diferente longitud de onda entran a la fibra. Como, diferentes longitudes de onda tendrán diferentes tiempos de propagación, se tiene también una dispersión del pulso. Este tipo de dispersión es importante en fibras multimodo.

Fig. B.3.23: Todas las fuentes de excitación son inherentemente no-monocromáticas y emiten dentro de un espectro Δλ de longitudes de onda. Las ondas con diferentes longitudes de onda en el núcleo viajan a diferentes velocidades de propagación debido a la dependencia de la longitud de onda con el índice de refracción n1. Las ondas llegan al final de la fibra en tiempos diferentes y, como consecuencia, el pulso de salida está ensanchado.

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

El ensanchamiento del pulso debido a la dispersión cromática basada en el mecanismo de dispersión debida al material puede ser calculado a partir de la siguiente ecuación: (B.3.109) donde D(λ) es un parámetro de dispersión cromática (en ps/nm⋅km); L es la longitud de la fibra en km y Δλ es la anchura espectral de la fuente luminosa en nm, es decir, la característica de en cuantas longitudes de onda la fuente radia.

Fig. B.3.24: Parámetro de dispersión cromática, D(λ).

La dispersión cromática de la guía de onda, es bastante más difícil de comprender y para ello vamos a reconsiderar el comportamiento del modo m=0. El perfil de intensidad del modo m=0 en función de la posición a lo largo del diámetro de la fibra se muestra en la siguiente figura (a). A partir de esta representación observamos que no toda la luz está contenida dentro del núcleo, como hemos asumido en los demás casos: en la práctica parte de la luz "se difunde" hacia el recubrimiento. Esta luz no se pierde, pues esta viaja como parte del modo m=0, pero dado que viaja en un material de índice de refracción menor, viaja más rápidamente que la luz que viaja por el núcleo. En consecuencia, tenemos dispersión. El grado de dispersión dependerá de la proporción de energía luminosa contenida en el recubrimiento: si sólo una pequeña cantidad de luz está presente en el recubrimiento el efecto conjunto sobre el perfil de pulso de salida de esta luz que llega antes que el pulso principal será pequeño (b). Si, sin embargo, es mucha la cantidad de luz que viaja por el recubrimiento esto afectará en gran manera al perfil del pulso de salida, obteniéndose una gran dispersión (c).

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

Fig. B.3.25: (a) Perfil de intensidad del modo m=0 en la fibra. (b) Perfil del pulso de salida si poca luz viaja por el recubrimiento. (c) Perfil del pulso de salida si mucha luz viaja por el recubrimiento.

La cantidad de luz que viaja en el recubrimiento depende del valor del parámetro V y cuando V se acerca a cero la dispersión se incrementa. La fórmula que nos da este tipo de dispersión es: (B.3.110) donde Δλ es el ancho de banda de la fuente y el valor de z depende de V. La variación de z con V se muestra en la siguiente tabla. V 1,3 2,405 >3 z 1,0 0,2 tiende a cero

En fibras multimodo el valor de la dispersión cromática basada en la dispersión de la guía de onda es despreciable frente a la dispersión total por lo que los términos dispersión cromática y dispersión del material son totalmente intercambiables. En cambio en fibras monomodo la dispersión basada en el mecanismo de dispersión de la guía de onda es una componente importante de la dispersión total y no puede ser despreciada. El ensanchamiento total del pulso cuando se tienen ambos tipos de dispersión (modal y cromática) se suele calcular utilizando la siguiente fórmula: (B.3.111) Para fibras monomodo Δtmodal es cero y para fibras multimodo Δtwg es despreciable. Por último, la dispersión de modos de polarización (PMD), es la que aparece en guías monomodo y se debe a que en realidad los modos transversales que aparecen en una B.3-32
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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

guía monomodo en realidad se descomponen en dos modos lineales que se propagan generalmente de forma ortogonal por el núcleo de la fibra. Estos dos modos transportan la mitad de la energía cada uno y la dispersión aparece alhaber una diferencia entre los índices de refracción de la guía en una dirección (x, por ejemplo) y otra (y, por ejemplo). Es decir si la fibra no tiene un simetría axial perfecta con respecto a su índice de refracción, los dos modos se propagarán a diferente velocidad resultando al final de la guía un pulso luminosos más ancho.

Fig. B.3.26: (a) Propagación de dos modos transversales ortogonales en una fibra monomodo ideal; (b) propagación de dos modos transversales ortogonales en una fibra monomodo real. Aparece la dispersión de modos de polarización (PMD).

El retraso introducido por este tipo de dispersión viene dado por la siguiente expresión, (B.3.112) Obsérvese que el factor de dispersión no depende de la longitud de onda y el retraso solo se ve afectado por el camino recorrido. Esta dispersión es mucho menor que la dispersión cromática, pero si se usan fibra s de dispersión cromática cero, entonces será un factor a tener en cuenta. "Bit rate" y ancho de banda La dispersión en fibras ópticas causa una restricción significativa del "bit rate" y el ancho de banda. El "bit rate" (por algunos llamado "data rate") es el número de bits que puede ser transmitido por segundo a través de un canal de información. Se mide en bits/s. Es una medida directa de la capacidad de transporte de información de la red de transmisión digital. Esto es la razón de que también se le llame "velocidad de la transmisión de la información". El ancho de banda es el rango de frecuencias dentro del cual una señal puede ser transmitida sin deterioro significativo. Es medido en Hz y es la característica de capacidad de transmisión de información del canal de comunicaciones utilizado para transmisión analógica. Estas dos características, en consecuencia, son obviamente bastante diferentes. El "bit rate" para transmisión digital y el ancho de banda para transmisión analógica, pueden observarse en la siguiente figura, (a) y (b). No hay que confundir por otra parte el ancho de banda eléctrico y el ancho de banda óptico. La relación entre el "bit rate" (BR) y el ancho de banda (BW) que suele ser a menudo utilizada en la literatura puede ser obtenida considerando el peor caso posible, es decir, la secuencia 1-0-1-0-1...Si representamos la forma de onda de los pulsos por una forma de onda

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

tipo seno, encontramos que un periodo del seno cubre dos bits. Obviamente el "bit rate" es dos veces mayor que la frecuencia, lo cual da lugar a la siguiente ecuación: (B.3.113)

Fig. B.3.27: "Bit rate" y ancho de banda (a) "Bit rate" de una señal digital. (b) Ancho de banda de una señal analógica. (c) Pulsos digitales y señal senoidal.

Cálculo del "bit rate": A continuación vamos a ver con un ejemplo como la dispersión restringe el "bit rate". Supongamos que se quiere transmitir información a 10Mbits/s. Esto significa que se quiere transmitir 10x106pulsos cada segundo; en otras palabras, la duración de cada ciclo son 100ns. Para simplificar vamos a suponer que la duración de los pulsos de entrada es despreciable. Sin embargo, estos pulsos se ensancharán debido al efecto de la dispersión. Supongamos que cada pulso se ensanche 84,76ns cada kilómetro. Por tanto, la duración de cada pulso será de 84,76ns después del primer kilómetro de transmisión y 169,52ns después del segundo. Después del segundo kilómetro los pulsos son tan anchos que se superponen y la luz ya no transporta ninguna información. Lo mismo sucede cuando se intenta incrementar el "bit rate" incluso en una transmisión a corta distancia. La dispersión limita de forma severa el "bit rate" de un enlace de fibra óptica a un máximo del orden de 12Mbit/s.

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Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda

Fig. B.3.28: Ensanchamiento del pulso tras la transmisión (a) Pulsos de entrada. (b) Pulsos después de 1km de transmisión. (c) Pulsos después de 2km de transmisión. Bit rate: 10Mbit/s.

La velocidad de transmisión de los datos, por tanto, está relacionada con la anchura de los pulsos. Por ejemplo, si la anchura del pulso es 1ns, la velocidad de transmisión de los datos no puede superar los 109bit/s; si lo hiciese, los pulsos se solaparían. Desde un punto de vista práctico, siempre se quiere tener un intervalo de tiempo entre pulsos para asegurar una transmisión segura. Vamos a suponer, para nuestro propósito, que la velocidad de los datos de entrada al sistema de comunicación basado en fibra óptica ha sido escogida adecuadamente y lo que necesitamos calcular es qué distorsión de la señal será introducida al sistema. Si llamamos Δt a la anchura del pulso debida a la dispersión del sistema se cumple que: (B.3.114) El coeficiente 1/4 es aceptado generalmente a nivel industrial. Si se tiene en cuenta únicamente la dispersión modal, el "bit rate" causado por esta dispersión en fibras multimodo de índice escalón será: (B.3.115) Si se tiene en cuenta únicamente la dispersión cromática: (B.3.116)

B.3-35
Prof. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. Ejea 11-nov-08

B. Ejea 11-nov-08 . Recordemos primeramente cual es la razón física del problema. v.CEF Tema B. En (a) observamos como el índice de refracción varía de forma gradual desde n1 en el centro del núcleo hasta n2 en el límite con el recubrimiento. Por tanto. Tales fibras son llamadas fibras multimodo con índice de refracción variado gradualmente.3-36 Prof. el núcleo puede ser visto como un conjunto de finas capas cuyo índice de refracción cambia ligeramente de una a B. una posible solución será diseñar el núcleo con diferentes índices de refracción de manera que el haz que tenga que recorrer una distancia más larga lo haga a una velocidad mayor y el haz que tenga que recorrer una distancia más corta se propague a la velocidad más pequeña. Estos hacen la medida del ancho de banda en una pieza específica de fibra y multiplican el resultado por la longitud de la fibra. que la velocidad de la luz.3.117) Los fabricantes especifican el ancho de banda de la fibra óptica como producto ancho de banda-longitud. En la siguiente figura. por otra parte. Fibra óptica con índice de refracción que varía gradualmente y fibra monomodo Una primera solución para solucionar el problema de la dispersión modal es la utilización de una fibra óptica cuyo índice de refracción varía de forma gradual. el modo numerado como cero viaja a lo largo del eje central y los modos con números superiores viajan con un ángulo menor o igual al ángulo de propagación crítica.29: Fibra multimodo con índice de refracción que varía de forma gradual (a) Perfil del índice de refracción. En realidad. Fig.3. (c) Principio de funcionamiento de una fibra multimodo con índice de refracción que varía de forma gradual. Juan B. donde c es la velocidad de la luz en el vacío. (b) Propagación de los modos. dentro del núcleo. dentro de un material se define en función de su índice de refracción n: v = c/n. Si el ancho de banda medido en una fibra óptica de 2km de longitud es 300MHz. Esteban Sanchis / Prof. Recordemos.3: Propagación de la luz en guías de onda y el "bit rate" total: (B. entonces el fabricante especifica que el producto ancho de banda-longitud es 600MHz⋅km.

3. El rayo que viaja más cercano al recubrimiento (mayor distancia) se propaga a una velocidad mayor debido a que encuentra un índice de refracción menor. B.CEF Tema B. el ancho de banda es de 0. Esteban Sanchis / Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda otra de manera que la capa en el eje central tiene un índice de refracción n1 y la capa que limita con el recubrimiento un índice de refracción n2 (b). El rayo en su camino de capa a capa sufre una secuencia de refracciones. Disminuyendo sus valores es posible obtener una fibra en que se propague un único modo. Por tanto. mejorando pues mucho el ancho de banda.118) La dispersión por tanto se reduce en un factor (B. Con una fibra monomodo se puede obtener una transmisión de bits de hasta 200Gbits/s km.30: Fibra monomodo de índice escalón (a) Perfil del índice de refracción. la dispersión modal se reducirá y se incrementará el "bit rate".119) Donde Δts es la dispersión modal para una fibra óptica de índice escalón. Ejea 11-nov-08 .3-37 Prof. El número de modos que se pueden propagar en la fibra depende del diámetro de la fibra y de la diferencia entre los índices de refracción nr1 y nr2. Así es como en la realidad se construye dicho tipo de fibra. hasta que el ángulo de incidencia iguala el valor del ángulo crítico y el rayo sufre una reflexión interna total. B. Una solución todavía mejor para resolver el problema de la dispersión modal es la utilización de una fibra monomodo.77GHz. El ensanchamiento del pulso en este tipo de fibra ΔtGI viene dado por la siguiente expresión: (B. En consecuencia. (el índice de refracción relativo Δ = (nr1-nr2)/n donde n = (nr1+nr2)/2) (b) Propagación del modo. El ancho de banda de una fibra óptica con cambio de índice escalón brusco es de sólo 5MHz debido a la dispersión. Para una fibra de índice gradual. las fracciones de un mismo pulso debidas a los diferentes modos llegarán al receptor más o menos simultáneamente.3.3. Fig. Juan B.

8. La expresión que la describe es (B.121) donde AI = Atenuación debida a la interacción a una longitud de onda λ (dB/km). A0: constante 1. Juan B.3. 3. λ: longitud de onda (µm). λ0: constante 4. Esta componente tiene un pico en el infrarrojo disminuyendo rápidamente hacia el ultravioleta. λI: constante 48µm. Ejea 11-nov-08 . Este efecto es debido a las fluctuaciones de origen termodinámico en la composición de la fibra. λ: longitud de onda (µm).3. Absorción debido a la interacción con la vibración molecular. Además conociendo los mecanismos que producen estas pérdidas se pueden mejorar las fibras para reducir la atenuación.108dB/km. Para guías monomodo la atenuación debido a este fenómeno es menor. Los picos de absorción se producen en la región del ultravioleta decayendo rápidamente hacia el infrarrojo.122) donde AR = Atenuación debida al scattering de Rayleigh a una longitud de onda λ (dB/km). Esteban Sanchis / Prof.120) donde AA = Atenuación debida a la absorción UV a una longitud de onda λ (dB/km).3-38 Prof. Absorción debido a la interacción de los electrones de los átomos con la radiación.7dB·µm4/km. A ellas se debe que para transmitir una señal haya que colocar amplificadores repetidores a lo largo del recorrido de la fibra. B.3.CEF Tema B. 2.58µm. En este proceso no se absorbe la energía de luz o se transforma en calor si no que este fenómeno permite a la energía de la luz escapar de la fibra. Atenuación en fibras ópticas La atenuación en fibras ópticas o pérdidas son muy importantes. La atenuación se debe básicamente a tres mecanismos: 1. C0: constante 0.3: Propagación de la luz en guías de onda Para reducir la dispersión cromática se deberán utilizar láseres (fuentes monocromáticas) en vez de LEDs. B0: constante 4·1011 dB/km. El tamaño de dichas fluctuaciones es menor que la longitud de onda de la luz. Scattering de Rayleigh.3. La expresión empírica que la describe en fibras de silicio es (B. La expresión empírica que la describe en guías multimodo es (B.3. B. Esta pérdida tiene el pico en el infrarrojo (10µm para silicio). λ: longitud de onda.

La impureza que más afecta a la fibra es el radical OH− del agua que produce un pico de atenuación en 1. Estas características dependen de los materiales de fabricación.3-39 Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda La atenuación total de la fibra de silicio se obtiene sumando estos tres efectos.5dB/km y 2dB/km. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. como las propias técnicas de fabricación. impurezas en los materiales. Aunque la atenuación en dichas ventanas es del orden de 100dB/km a 200dB/km.31: Pérdidas en guías de silicio. Clasificación de fibras ópticas La clasificación más útil es por ancho de banda.3µm y otro alrededor de 1. B. Fig. Se producen con diámetros de hasta 1mm y se pueden cortar con una hoja de afeitar. tales como defectos en el material y defectos durante el proceso de fabricación. Debido a su flexibilidad se pueden doblar fácilmente y como su índice de refracción varía de forma escalonada su apertura numérica vale 0.3. la curva de atenuación real es algo diferente de la prevista. Juan B. para el caso de una fibra de silicio están uno alrededor de 1. Esteban Sanchis / Prof. regiones del visible donde es fácil de obtener LEDs para utilizar como fuentes de luz. atenuación y apertura numérica.8.5.6µm. etc.4.49 y 1. Otros factores son las imperfecciones en la guía. Dobleces (o microdobleces) en la fibra pueden causar distorsión del núcleo e incrementar las pérdidas. La gran desventaja de las fibras de plástico son sus pérdidas. Sus índices de refracción son 1. Además de los efectos descritos hasta ahora hay también factores externos que producen pérdidas. Las fibras de plástico están compuestas en su mayoría por polimetilmetacrilato (PMMA) y poliestireno. Poseen varias ventanas en las regiones de 500nm y 700nm. La dispersión es de unos 200ns/km a 600ns/km que se corresponde a B.59 respectivamente por lo que se suele utilizar el PMMA como recubrimiento y el poliestireno como núcleo. La magnitud del pico dependerá de la concentración de las impurezas y varía normalmente entre 0. B. Esta curva muestra que la atenuación real presenta dos mínimos que. Las fibras de plástico son muy económicas y muy fáciles de usar.3.38µm. La fibra más común es la de silicio aunque en la actualidad también están ganando terreno las de plástico. La curva real estaría dentro de la zona sombreada de la gráfica. Como consecuencia.

Tensión longitudinal. La construcción de un cable de fibra óptica.000 Largo recorrido. Además se les da una disposición helicoidal lo que le permite soportar cierta tensión al cable.2-0.15 0. La solidez o fortaleza específica del silicio de las fibras es parecida a la del acero. Se suele incluir un alma de acero en un cable de fibra. Torsiones fuertes. Se evita cubriendo el cable de fibra con algún material que le dé dureza e impida que se pueda doblar.3 4-15 4-15 Bajo coste.5-0. 2.50 4-50 6-25 Bajo coste. 3. conexiones cortas (100m) 50-100 0.3 2-10 150-2. pero como su diámetro es muy pequeño la solidez absoluta de una fibra es muy pequeña y se debe proteger de fuerzas externas.3: Propagación de la luz en guías de onda un número de bits de menos de 5MB/s·km.CEF Tema B. Aun así las fibras de plástico son excelentes para aplicaciones donde no se requiere un alto número de bits y para transmisión de información a cortas distancias. fuente láser 0. corto recorrido.16-0. Se suelen recubrir con un material plástico.000 intercontinentales de gran ancho de banda Fig. Material Todo plástico Tipo Recubrimiento / núcleo Diámetro [µm] 200-600 450-1. bajo 125-300 ancho de banda 50-400 0.6 Atenuación [dB/km] 330-1000 Ancho de banda [MB/s km] bajo Aplicación Multimodo con Indice escalón Recubrimiento Multimodo de plástico con Indice escalón Silicio Multimodo con índice escalón Silicio Multimodo con índice gradual Silicio monomodo con índice escalón Silicio Bajo coste. estar protegido de organismos marinos y durar varias décadas que para un cable que sólo debe interconectar unos ordenadores en un edificio.000 Recorrido medio. ancho de banda 100-150 medio. La fibra óptica debe estar protegida de: 1. Por ellas puede escapar el flujo. limitando la temperatura máxima de uso a 100ºC. B.2-0. Esteban Sanchis / Prof. Se deben pues recubrir con algún protector y construir en cables. B. que contiene múltiples fibras es diferente para un cable submarino que debe soportar presiones superiores a 100GN/m2. corto recorrido. 3-10 µm gran ancho de 50-125 µm banda. Ejea 11-nov-08 . Para mejorar algo las fibras de plástico también se fabrican fibras de silicio con recubrimiento de plástico mejorando algo las desventajas de las fibras de plástico. La superficie de la fibra se debe proteger de ralladuras y se debe evitar que se tuerzan en exceso para no aumentar así su atenuación.3-40 Prof.32: Resumen de las características de las fibras ópticas. sistemas láser monomodo Hasta Sistemas 100.000.3.000 NA 0.08-0. bajo 125-300 ancho de banda 30-60 0. Ralladuras en su superficie.5-5 500-40. por ejemplo la interconexión de ordenadores en un edificio. Juan B. Además el índice de refracción del plástico depende mucho de la temperatura.

Requieren protección adicional así como una mayor fuerza.33: Ejemplos de cables de fibra óptica. Cables de aplicaciones especiales. B. Temperatura. Dispositivos acopladores de luz: acopladores de guía a guía Hemos visto hasta ahora que la propagación de la luz por fibras ópticas se puede realizar por varios modos. El acoplamiento de la luz de un modo a otro es un B.3. Se podrán distinguir tres tipos básicos de cable. Cables enterrados requieren recubrimientos de acero para evitar que algún animal pueda dañar el cable. para evitar que la temperatura puede transmitir una tensión no adecuada a la fibra óptica. 5. Roedores. a. como los utilizados en aplicaciones militares o para cables submarinos.3: Propagación de la luz en guías de onda 4. Para ello se añaden geles o siliconas para bloquear el agua. Esteban Sanchis / Prof. B.3. b. Ejea 11-nov-08 . Juan B. Cables para telecomunicaciones que irán colgados o enterrados.3-41 Prof. Cables con mínima protección para interiores. En la realidad cuando se propaga un modo por una fibra óptica se va transformando en otro modo diferente.9. Infiltración de agua. La infiltración de agua es un problema muy grave en cables submarinos que sufren altas presiones. 6. Fig.CEF Tema B. c. El material del cable tiene que tener coeficientes de expansión compatibles.

1. La teoría que trata este tema es la teoría de modos acoplados.3: Propagación de la luz en guías de onda tema importante a conocer en optoelectrónica. cuando las ondas progresan a través de la estructura (a lo largo de la dirección z). Ejea 11-nov-08 . (b) Transferencia de potencia óptica de una guía a otra si suponemos que la potencia óptica penetra inicialmente en la guía 1. B. Esta última posibilidad es de extrema importancia en un sistema de comunicaciones ópticas y puede ser utilizada para dirigir señales.9.CEF Tema B. B. El acoplador clásico tiene dos entradas y dos salidas y acopla la luz que entra por una entrada a la otra guía. Las dos guías están separados por un gap g a lo largo de un tramo L. Supongamos que tenemos un sistema en el que dos guías planas monomodo sobre un mismo substrato. Las dos guías son paralelas la una a la otra y están separadas una distancia g durante un espacio de longitud L. B. De esta forma. La razón de este acercamiento de las dos guías está en proporcionar un pequeño acoplamiento entre los modos ópticos de las dos guías. Los dispositivos encargados de este proceso son acopladores. Fig.34: (a) Esquema de un acoplador direccional. Juan B. Además es imprescindible conocer el proceso de transferencia de energía electromagnética de una guía a otra. la energía óptica se transfiere de una a otra.3. Teoría de los modos acoplados y acoplador direccional Un acoplador direccional es un dispositivo que nos permite acoplar una señal óptica de una guía de onda a otra aprovechando el hecho de que la onda penetra en la zona de recubrimiento del núcleo de la guía. Esto sería su funcionamiento pasivo y en su modo de funcionamiento activo se aplica un campo eléctrico a la estructura lo que permite según el campo eléctrico acoplar la onda luminosa a una u otra salida. Esteban Sanchis / Prof. las guías se separan.3.3-42 Prof. Fuera de esta longitud de interacción L. basada en la teoría de la perturbación que nos dice que la transferencia de un modo a otro se debe a perturbaciones encontradas en el camino óptico.

A los modos los llamaremos ψ1 y ψ2.127) donde la constante de propagación al ser la componente z del vector de onda podrá escribirse de forma general de la siguiente forma: (B. vamos a utilizar un modelo sencillo de modos acoplados para describir cómo la luz se transfiere de una guía a la otra.124) con: A1(z) = A2(z) = (B. (B. Si no existe interacción entre ambas guías.3-43 Prof. es decir su separación es muy grande.CEF Tema B.123)) Sea A1 y A2 la amplitud de cada uno de los modos incluyendo la dependencia de fase con la dirección de propagación z. intervienen en la propagación del pulso. Vamos a suponer que las constantes de propagación (proyecciones de cada vector de onda en la dirección de propagación) son iguales en ambas guías. El sistema de dos ecuaciones diferenciales y dos incógnitas presenta las siguientes soluciones para los dos modos acoplados: B. el gap g entre ambas guías es lo suficientemente pequeño como para que las ondas evanescentes de ambos modos ψ1 y ψ2 se solapen.3.3.3. Juan B. Se puede demostrar que este acoplo viene determinado por una constante de acoplamiento K para los dos modos en las dos guías cumpliéndose que: (B. Supongamos que inicialmente sólo acoplamos luz en la guía 1 en z = 0.128) donde α es el coeficiente de pérdidas en la guía y βr es la parte real de dicha constante de propagación. Esteban Sanchis / Prof.126) En una acoplador direccional.3. Para simplificar vamos a suponer que únicamente dos modos.125) (B. las expresiones que nos proporcionan las amplitudes de ambos modos son (B. Ejea 11-nov-08 . uno por cada guía de onda.3: Propagación de la luz en guías de onda Para comprender el funcionamiento del acoplador direccional. β1= β2 = β. Este solape es la perturbación que acopla a ambos modos.3. de forma que A1(0) = 1 y A2(0) = 0.3.

entonces (B.3: Propagación de la luz en guías de onda A1(z) = A2(z) = La potencia óptica en las guías en un punto z es P1(z) = A1A1* = cos2(K z)e−α z P2(z) = A2A2* = sin2(K z) e−α z O de otra forma: P1(z) = P2(z) = (B.3.137) de donde se observa que si Δ2 >>K2 no existe acoplamiento de luz.2.133) (B.3.3.132) (B.CEF Tema B. La distancia mínima a la que se produce una transferencia de potencia completa de la guía 1 a la 2 es: (B.136) B. Al igual que en el caso del acoplador direccional existirá una transferencia de energía si K⋅z = π/2 donde K es la constante de acoplamiento y z es la distancia de solape.3.3.129) (B. a lo largo de la región de acoplo. Aunque para una B.3. Ejea 11-nov-08 . entonces no se acoplará toda la energía de una guía a otra. la potencia de la primera fibra puede ser transferida completamente a la segunda y viceversa. hay un intercambio periódico de la potencia entre las dos fibras. es decir si las guías no están en fase (β1 ≠ β2).3. (B. Si los vectores de onda no son iguales. En la primera los núcleos tienen índices nr1 y nr3 y estos deben ser mayores que cualquier otro índice de la estructura. Si ambas guías se pueden hacer sobre el mismo substrato existirán dos posibilidades de acoplamiento. Acopladores de guía plana a guía plana El acoplamiento de guías planas es otro aspecto importante. Juan B.134) A partir de estas dos expresiones se observa que. En otras palabras.3.135) a esa distancia P1(L1) = 0. El acoplamiento se produce debido a los campos evanescentes de los modos.3-44 Prof.9.130) (B.3. Si llamamos. Esteban Sanchis / Prof.3.131) (B. 2 Δ = | β1 − β2| ≠ 0 Se puede demostrar que si A1(0) = 1 y A2(0) = 0.

35: Formas de acoplar dos guías planas. Cuando la radiación llega al final de la guía 1 no va hacia el substrato sino que es confinada en la capa intermedia y de ahí es acoplada en la guía 2.3. Si la capa intermedia es diseñada adecuadamente se pueden conseguir acoplamientos de hasta un 100%. Ejea 11-nov-08 . Una posibilidad es "introducir" la onda mediante una especie de embudo o bocina ("horn") que acopla la energía de una guía a otra. El "grating" (enrejado) nos permite un acoplamiento de alto rendimiento. B. que es la terminación de la guía plana.3: Propagación de la luz en guías de onda transferencia completa los factores de propagación deben ser los mismos. se utilizará un medio intermedio de índice nr2>nrs. B.9. Si las dos guías planas no comparten el mismo substrato entonces se colocan una guía encima de la otra colocando entre ambas un medio para el acoplamiento.CEF Tema B.3. Juan B. Para acoplar en este último caso las guías. Como esto no es siempre posible se tendrá que utilizar otra solución para esos casos. siempre que la longitud sea la justa y además varía el índice de refracción longitudinalmente por lo que algunas longitudes de onda se reflejan y otras se transmiten. Esteban Sanchis / Prof. Acopladores de guías planas a lineales Para acoplar un modo de una guía plana a una guía lineal (rectangular) se debe buscar un mecanismo para reducir la dimensión transversal del modo planar para coincidir con el modo lineal. El medio intermedio será un medio de índice de refracción menor o sea un "grating". (a) Las dos guías comparten el mismo substrato.3-45 Prof. Técnicas más modernas permiten hacer el acoplamiento a través de un prisma. (c) Un enrejado acopla dos guías diferentes.3. B. Fig. (b) El uso de capas adicionales permite acoplar el modo de una guía a otra.

En el acoplamiento "butt" se alinea cuidadosamente la fibra con la guía y se pone en contacto físico con ella. B.3. las pérdidas que introducen se tienen que tener en cuenta. Acopladores de guías de onda a fibras ópticas Este tipo de acoplamientos es de extrema importancia ya que en la actualidad las fibras ópticas son muy utilizadas. pero en comunicaciones ópticas. Teniendo en cuenta los diámetros de las fibras ópticas (desde unas pocas micras a varios cientos de micras) no es fácil conseguir estos objetivos. La guía de onda puede ser una fuente de luz como un láser semiconductor o puede ser un elemento pasivo que transporte la energía óptica. los empalmes. los conectores y los acopladores. En comunicaciones de baja frecuencia. Un buen conector o empalme debe transmitir todo el flujo que le llega de una fibra a la siguiente y para ello la sección de los núcleos de las fibras tiene que ser igual y la alineación casi perfecta.3. B. Si se acopla utilizando lentes se introduce una lente entre la fibra y la guía para un mayor rendimiento. Dos técnicas muy extendidas son el acoplamiento "butt" y el acoplamiento por lente.4.5.9.3-46 Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig. La fibra luego se mantiene en esa posición mediante algún tipo de epoxy (resina semiconductora) o fijación mecánica.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. siendo los más comunes.9. Empalme. También se pueden acoplar fibras y guías a partir de los campos evanescentes. Ejea 11-nov-08 . conectores y acopladores de fibras ópticas La unión de fibras ópticas requiere muchos componentes. (b) Uso de un prisma y gap de aire para acoplar ambas guías. su efecto en la calidad de la conexión es despreciable. Juan B.36: (a) Acoplamiento de una guía plana y una guía lineal mediante una bocina. B. No sólo habrá que realizar un acoplamiento con el mayor rendimiento posible si no que además dicho rendimiento no debe cambiar con el tiempo. Estos componentes sirven para conectar las fibras ópticas con sus dispositivos terminales.3. B.

Las pérdidas en los conectores de fibras monomodo o multimodo se deben a: Pérdidas de Fresnel: son causadas por una reflexión existente en la interfase aire/fibra debido a la diferencia en los índices de refracción del aire y de la fibra.3-47 Prof. Daremos pues las ecuaciones más importantes. Las conexiones las podemos clasificar en dos grupos: 1. Las pérdidas de potencia también se suelen describir en decibelios. El modo que llega a una unión no es necesariamente el que se transmite por la siguiente fibra.CEF Tema B. P1: potencia óptica antes de la unión. Empalmes. Ejea 11-nov-08 .3.3. B.3. normalmente aire. si no que aparecen otros modos debido a irregularidades en la guía que pueden desaparecer después de un recorrido de fibra. Conectores. el alineamiento y si el modo de propagación es uno o varios. Podemos definir un rendimiento de acoplamiento. También se pueden usar pegamentos con características ópticas parecidas a las de las fibras.140) (B. Ls = −10 logηc donde Ls son las pérdidas de acoplamiento en dB. Los tres factores principales que influyen en las pérdidas son la conexión.139) B. Dado que hay muchos factores que afectan a las pérdidas no existe una sola ecuación que las describe. Juan B. (B.37: Acoplamiento ideal (a) y real (b). entre ellas. (B.3.138) donde P2: potencia óptica (flujo radiante) después de la unión. Las pérdidas dependerán pues de a qué distancia de la unión se haga la medida. 2. Esteban Sanchis / Prof. Los extremos de las fibras se sueldan de forma que no existe ningún tercer medio entre sus extremos.3: Propagación de la luz en guías de onda C Fig. Los extremos de las fibras se alinean mecánicamente con un tercer medio.

3-48 Prof.CEF Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda donde ηF: rendimiento de acoplamiento teniendo en cuenta las pérdidas de Fresnel. B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. n1: índice de refracción de la fibra. Para calcular las pérdidas debidas a las otras causas. A partir de dichas gráficas puede estimarse la magnitud de las pérdidas. n0: índice de refracción del aire (=1). Juan B. también existen expresiones empíricas.141) Estas pérdidas no se pueden evitar y aparecen en todos los conectores que tienen aire entre los extremos de las fibras.3. Por ello es más usual utilizar gráficas. y LF = −10logηF (B. pero dependen de parámetros muy difíciles de obtener.

Juan B. El caso A es para una fibra muy corta.38: Pérdidas de conexión en fibras de índice escalón e índice gradual. B. B. En una fibra multimodo el diámetro es de 50µm a 120µm y el desplazamiento lateral de sus centros en unas décimas de micra ya produce unas pérdidas considerables. Además de ofrecer un buen alineamiento. por lo que a una cierta distancia de la irregularidad tendremos el modo estable o tal vez todavía la mezcla de varios modos. Los extremos de las fibras se insertan en un preciso surco en forma de V lo que las alinea de forma automática. Los conectores pueden ser divididos en tres grupos: 1. Cuando aparece una irregularidad en la fibra el modo que se está propagando se desdobla en múltiples modos la mayoría de los cuales se atenúan mucho más rápidamente que el modo original. Una conexión en la fibra introduce una irregularidad y las pérdidas debidas a la conexión se miden bajo las siguientes condiciones: a. medida en un cable corto acoplado a una fuente de perfil ancho de intensidad (como por ejemplo un LED) b.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig.3-49 Prof. Ejea 11-nov-08 . Por último mencionar las pérdidas introducidas por el incorrecto alineamiento de las fibras.CEF Tema B. lo que es difícil de cumplir. Esteban Sanchis / Prof. el B para una fibra larga y el C para una fibra muy larga donde el empalme está en su mitad. un conector debe ser fácil de usar. Para una fibra monomodo el problema es aún mayor. Aunque para ello se requiere un recubrimiento muy uniforme para no deformar el núcleo al insertar las fibras en el surco. medida al final de una fibra de gran longitud (1km) después de la conexión. ser resistente y de un coste reducido. Como ya hemos dicho las pérdidas no sólo dependen de la pérdida de flujo.3. si no también de la distribución de potencia entre modos.

3.3. Una técnica de empalme muy utilizada es el empalme capilar donde los extremos de las fibras son insertados en un fino tubo de cerámica o vidrio cuyo diámetro es ligeramente mayor que el diámetro de las fibras. Los empalmes son conexiones permanentes en las fibras ópticas.40: Pérdidas en un empalme debidas al desplazamiento lateral de la fibra. Además se introducen pérdidas añadidas debido a reflexiones y absorciones en las lentes. cuando estos están limpios y tienen cortes paralelos. también es más caro ya que requiere elementos mecánicos de precisión. Se utilizan dos lentes para expandir y luego volver a encoger (colimar) el haz de luz y así hacer más fácil su alineación. Otra técnica de empalme utiliza un bloque con un surco en forma de V.3: Propagación de la luz en guías de onda 2. B. Fig. La alineación de los extremos de las fibras en un empalme es lo más importante. En un empalme. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.39: Tipos de conectores básicos.3. Una especie de "enchufe" junto con un sistema de guiado que ajusta los extremos de las fibras.3-50 Prof. Las pérdidas más importantes en un empalme son las debidas al desplazamiento lateral del extremo de la fibra. soldadura o pegados. Esta técnica también requiere una alineación angular de precisión.CEF Tema B. Una vez encaradas las fibras se añade una gota de pegamento y se realiza el empalme. B. Por tanto. Aunque este método es más preciso. B. Juan B. Un pegamento transparente se aplica a través de un pequeño orificio existente en el tubo. los extremos de las fibras están permanentemente conectados por fusión. Fig. las pérdidas de Fresnel son eliminadas.

el dispositivo es llamado acoplador en T. El puerto de salida de menor potencia puede ser utilizado para monitorizar la potencia en la línea principal.CEF Tema B.3. Mediante el uso de dos electrodos se realiza una descarga eléctrica para fusionar las fibras. Se utilizan en la implementación de redes para distribuir la misma señal (energía óptica) a múltiples usuarios o para la construcción de un enlace óptico bidireccional. Un dispositivo de empalme por fusión consta de dos bloques de alineamiento con sendos surcos en forma de V donde se insertan los extremos de las guías. Antes de la fusión. son dispositivos que acoplan la señal de una fibra a otra.43: Acopladores ópticos básicos.3. En un acoplador en Y la potencia de entrada por el puerto de entrada 1 se divide entre los puertos de salida 2 y 3. Uno de los bloques puede ser manipulado para alcanzar un alineamiento casi perfecto (este proceso es observado al microscopio). Láseres o microllamas pueden ser también utilizadas. Esteban Sanchis / Prof.3-51 Prof. B. Con el empalme por fusión o soldadura se puede obtener una unión casi perfecta. el proceso es más complejo y requiere de un equipo altamente sofisticado. los extremos de las fibras se sueldan con el mismo arco o fuente de calor. Sin embargo. Los acopladores direccionales. En (c) se muestra un B. Juan B.42: Dispositivo para empalmes por fusión de fibras.3: Propagación de la luz en guías de onda Fig. En la siguiente figura se muestran algunas configuraciones de acoplador direccional. cuyo comportamiento teórico ya hemos visto. Ejea 11-nov-08 . En (a) se muestra un acoplador en Y o divisor de la señal óptica. En (b) se muestra un combinador óptico en el que las señales de entrada de los puertos 1 y 2 se combinan en un único puerto de salida 3.3. Fig. B. B. Fig. Cuando la división de potencia entre las dos salidas no es la misma.41: Técnicas básicas de empalmes por pegado.

Por ejemplo. Juan B. no hay potencia transferida entre los distintos puertos de entrada siendo toda la potencia de entrada transferida desde los puertos de entrada a los puertos de salida. Es decir.3-52 Prof. Estas características se especifican mediante el uso de una serie de términos que vamos a ver a continuación. Aquí. es decir. Las más sencillas se muestran en la siguiente figura. Ejea 11-nov-08 . En acopladores reales. Un acoplador óptico ideal es unidireccional. Las pérdidas en el acoplador se expresan como rendimiento de transmisión que se define como. También es posible implementar multiplexores y demultiplexores ópticos.142) donde Dij es la direccionalidad o aislamiento de los puertos de entrada i y j (dB). que aunque en los acopladores ideales no hay pérdidas.3: Propagación de la luz en guías de onda acoplador en X o acoplador 2×2 en que se conjugan tanto la división como la combinación. Partiendo de los esquemas mostrados son posibles muchas otras configuraciones. estas sí que aparecen en la realidad y son debidas a energía que se acopla entre las diferentes entradas (cuando hay más de una) y las propias pérdidas producidas al transferirse energía de la entrada a la salida.144) Existen múltiples formas de realizar un acoplador.3.143) donde ΣPo es la potencia total medida en todos los puertos de salida (W) y ΣPi la potencia total aplicada a todos los puertos de entrada (W). Pi es la potencia aplicada al puerto de entrada i (W) y Pj es la potencia medida en el puerto de entrada j (W).CEF Tema B. puede ocurrir que parte de la señal se transfiera entre distintos puertos de entrada y que parte de la potencia se pierda en la transferencia desde la entrada a la salida. El rendimiento de transmisión también lo podemos expresar en función de las pérdidas de acoplamiento en dB LC = −10logηT (B. Esta medida se realiza terminando todos los demás puertos pero sin aplicar potencia. B. el acoplador en estrella N × M en que las señales procedentes de los N puertos de entrada se dividen entre los M puertos de salida. (B.3. La direccionalidad o aislamiento mide el aislamiento entre dos puertos de entrada i y j y se define como (B.3. las señales de los puertos de entrada 1 y 2 se dividen entre los dos puertos de salida 3 y 4. Esteban Sanchis / Prof.

De manera similar.3. La manera más sencilla de realizar un acoplador es la fusión de dos fibras de manera que el flujo que circula a través de una de ellas pueda escapar a la otra.CEF Tema B. penetra en el puerto 4.45: Acoplador WDM. en este caso esto es un efecto no deseado. Este acoplador se diseña para trabajar con dos o más longitudes de onda simultáneamente y para su manejo es necesario consultar las especificaciones que nos proporciona el fabricante en lo que respecta a la direccionalidad o aislamiento. Varias fibras pueden ser retorcidas y unidas conjuntamente formando un acoplador en estrella 4 × 4. Las direccionalidades (B. Fig.3-53 Prof. formando un acoplador en Y (a).3: Propagación de la luz en guías de onda Fig. Se pueden también formar acopladores a partir de vidrio y substrato semiconductor. Como. desafortunadamente. pero.3. (b). B. En el ejemplo de la figura. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. B.145) nos indican qué parte de la señal de longitud de onda λ1 alcanza la salida de la señal de longitud de onda λ2 y viceversa. En la siguiente figura se ilustra el principio de funcionamiento de un acoplador WDM. Existen dispositivos acopladores mucho más sofisticados llamados multiplexores por división de longitud de onda (WDM) que pueden insertar (o extraer) señales de una determinada banda de frecuencias en un nodo de la red. la propagación de la luz con longitud de onda λ2 desde el puerto 1 al 4 es deseada pero no su aparición en el puerto 2.3.44: Construcción simple de acopladores. Otro método consiste en llevar los extremos de las fibras a una sección mezcladora transparente donde el flujo de los puertos de entrada es dirigido a los puertos de salida (c). luz con longitud de onda λ1 es dirigida desde el puerto 1 al 2. Ejea 11-nov-08 . la direccionalidad o aislamiento en dB deberá tener un valor apreciable (del orden de 30 o 40dB). B.

Los rayos de luz se generan por fuentes de luz como láseres y LEDs. La lente permite enfocar el rayo directamente a la guía. en la vida real esto no es así debido a pérdidas de acoplamiento no exacto del rayo y el perfil del modo de la guía.10. es relativamente fácil acoplar el rayo utilizando acopladores transversales. Fig. (b) Acoplamiento transversal para el caso en el que el límite de la guía es cortado a un ángulo dado para el acoplamiento de la luz.CEF Tema B.46: (a) Acoplamiento transversal de un rayo a una guía de onda. etc.1. Acoplamiento rayo-guía de onda La conversión de un rayo de luz en el vacío (aire) a un modo de una guía es una compleja tarea que requiere dispositivos especiales o acopladores. Si el perfil de dicha amplitud transversal es similar a un modo particular de la guía de onda a la cual debemos acoplar el rayo. B. Generalmente estos acopladores no son muy eficientes y es más recomendable utilizar prismas. Esteban Sanchis / Prof.3-54 Prof. En general no serán ondas planas con la amplitud uniforme perpendicular a la dirección de propagación. Ejea 11-nov-08 .3. B. Se puede asociar cierta anchura o dispersión transversal al rayo. si no con un perfil de amplitud no uniforme en el espacio.3.10.3. alineamiento incorrecto.3: Propagación de la luz en guías de onda B. Hay que hacer coincidir el modo del rayo con el modo de la guía. "gratings" (enrejados) o cortes para una mayor eficiencia en el acoplamiento. Juan B. B. Acopladores transversales En estos acopladores se aprovecha la naturaleza de los campos del propio rayo (producido por ejemplo por un láser) de forma que mediante una lente se acopla directamente el modo del rayo al modo de la guía. Aunque los acopladores transversales son muy eficientes en teoría.

3.2. Como ya se comentó para el caso de un acoplador direccional.3. Fig.47: La parte superior izquierda de esta figura muestra los campos evanescentes en un prisma donde la luz sufre un proceso de reflexión interna total. Ejea 11-nov-08 . debido a los campos evanescentes producidos por el proceso de reflexión interna total. L. En la figura anterior se observa un rayo incidente que incide sobre el prisma con un ángulo de incidencia igual a (B. Cuando se acoplan una onda evanescente y la onda del modo guiado.146) donde nra y nrp son los índices de refracción del medio menos denso y el índice de refracción del prisma. Si la distancia de interacción se selecciona cuidadosamente. En este sistema se aprovechan las ondas evanescentes producidas en la reflexión interna total en un prisma y se acoplan dichas ondas a los campos de "cola" de un modo guiado de una guía plana. la energía se va transfiriendo de forma periódica en la distancia de interacción entra la una y la otra como ya hemos visto antes en un acoplador direccional.3. Al otro extremo del medio menos denso está la guía plana que tiene como recubrimiento dicho medio menos denso de índice de refracción nra.CEF Tema B. En la parte inferior izquierda de la figura se muestra el modo guiado en una guía plana donde la superficie de cubierta es aire. Un campo de "cola" penetra en el medio menos denso.3-55 Prof. Juan B. como se muestra en la figura. Esteban Sanchis / Prof.3: Propagación de la luz en guías de onda B. una transferencia de energía puede tener lugar si la distancia de interacción L es escogida tal que B. Si se reduce el gap de la región intermedia "a" se produce un pequeño acoplamiento entre los campos evanescentes del prisma y del modo en la guía plana. B. podemos transferir toda la energía del rayo al modo guiado. Si se reduce la distancia entre el prisma y la guía plana se acoplarán los modos.10. se escoge apropiadamente se puede transferir la energía del prisma a la guía. El acoplador prisma Otra forma muy común de acoplamiento de un rayo a una guía es mediante la utilización de un prisma como acoplador. En la figura podemos observar el perfil del campo debido a un modo que se propaga en la guía de onda. Si la longitud de interacción.

kp sinθ = β (B. valores muy adecuados para un acoplamiento rayo-guía en la gran mayoría de aplicaciones. En un acoplador correctamente diseñado hay pocas pérdidas de energía radiante por el rayo reflejado y transmitido. B. Si además ambos modos están en fase la transferencia de energía será completa.3. La condición que se ha de cumplir para que estén en fase es.3.148) siendo kp el vector de onda en el medio menos denso (gap) y β la constante de propagación en la guía.3-56 Prof.3. Esteban Sanchis / Prof. B. A partir de la figura puede observarse como la distancia de interacción está relacionada con la anchura del rayo y para un rayo de anchura 2W.10. Juan B. B.48: Esquema de un acoplador de enrejado.149) De manera que en un diseño apropiado (para el gap) se habrá de asegurar que el coeficiente de acoplo sea tal que optimice la transferencia de energía. Sin embargo.3. comparado con el acoplador prisma.3: Propagación de la luz en guías de onda (B. Fig. L valdrá L = 2W secθ (B.CEF Tema B. El acoplador prisma es bastante eficiente y se consiguen eficiencias de hasta el 80%. existen unas pérdidas de transmisión que reducen la eficiencia del acoplador de enrejado. El acoplador de enrejado El acoplador de enrejado es otro acoplador importante y eficiente de un rayo a un modo guiado. El acoplador de enrejado consiste en exponer material fotosensible (fotoresistencia) a un patrón de interferencia con la periodicidad deseada. Ejea 11-nov-08 .3.147) donde K es el coeficiente de acoplamiento.3.

existen acopladores de corte y holográficos.4. se debe cumplir que. El perfil de intensidad debe ser el adecuado para un máximo acoplamiento de energía a la fibra. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. β0 será parecida a la constante de propagación en la guía (sin enrejado). Y para transmisión de datos a alta velocidad los tiempos de subida y bajada deben ser muy cortos. Como consecuencia de esto. Juan B.3. B. Los LEDs y los diodos láser son los dispositivos que cumplen estos requisitos.CEF Tema B.3. ka sinθ = βenr (B. (B.3-57 Prof. B.150) donde d es la distancia periódica del enrejado.3: Propagación de la luz en guías de onda El funcionamiento del acoplador de enrejado se basa en el principio de modos acoplados que ya hemos visto en el acoplador prisma.3. Si las fases coinciden se puede llegar a acoplar hasta un 70% de la energía del rayo al modo guiado. Si la influencia del enrejado sobre la guía es pequeña. Fuentes luminosas para fibras ópticas y detectores Para fibras ópticas las fuentes de luz deben cumplir algunos requisitos. Se observa como por tanto el enrejado tiene una constante de propagación βenr diferente para cada longitud de onda. Además son menos fiables que los LEDs. la fiabilidad y el envejecimiento de las fuentes de luz.10. Sin embargo. La gran ventaja del acoplador de enrejado frente al acoplador prisma es su estructura planar lo que lo hace muy atractivo para sistemas optoelectrónicos integrados.151) donde ka es el vector de onda en el aire y θ es el ángulo de incidencia. Además se deben tener en cuenta los costes. la eficiencia del acoplamiento no es tan buena debido a la presencia del haz transmitido ya que no hay reflexión interna total. Pero hay que tener en cuenta que debido a la periodicidad natural del enrejado. β0 ≅ β. El rayo emergente. es decir. En el acoplador holográfico se combina un holograma con un enrejado lo que permite acoplar un rayo láser con alta eficiencia a una guía. Para conseguir que las fases sean iguales entre las regiones enrejado-guía y el aire. 1300nm o 1650nm. El LED es más barato y se puede utilizar hasta frecuencias de varios cientos de megahercios. suele ser divergente lo que limita el uso de esta técnica. los límites de la película de la guía se van cortando reduciendo así su grosor por ejemplo digamos desde d hasta 0. Los diodos láser son más caros y se utilizan para mayores frecuencias de transmisión. cuando un modo guiado se propaga hacia el límite de la guía se convierte en un modo radiado. En los acopladores de corte. Deben transmitir en las ventanas de longitud de onda de mínimas pérdidas que están en 850nm. Además de los acopladores vistos hasta ahora. las constantes de propagación en el enrejado son de la forma.

3.38-0.24-0. Existen dos tipos.49: Comparación entre el LED y el diodo láser.38 1. Nosotros vamos a hacer un mayor énfasis en el LED ya que es el componente principal para comunicaciones a corta distancia.73 Fig. los de tipo pozo y los de superficie plana.95 1. B. En el SLED el flujo se irradia perpendicularmente a las capas p-n y a través de esas capas.18 2. Las estructuras de LED básicas para fibras ópticas son el LED emisor por superficie (SLED) y el LED emisor por borde (ELED). B. Ejea 11-nov-08 . En la siguiente tabla enumeramos los principales LEDs utilizados como fuentes de luz para fibras ópticas. Esteban Sanchis / Prof.0005 a 0. Fig. Juan B.91 1.3.3-58 Prof.5 35 a 50 70 a 100 2 a 50 <500 bajo Diodo láser 1 a 100 0.5 a 5 2a3 3a5 <1 >500 alto unidad mW mW nm nm ns MHz Fig. Material GaP GaP/GaAsP AlGaAs GaAs InGaAs InaASP Longitud de onda [nm] 570 580-650 650-900 900 1000-1300 900-1700 Gap energético entre bandas [eV] 2.91-1.51: SLED y ELED.3: Propagación de la luz en guías de onda Parámetro Potencia de salida Potencia acoplada a la fibra Ancho de banda en 800nm Ancho de banda en 1300nm Tiempo de subida Respuesta en frecuencia Coste LED 1 a 10 0. B.CEF Tema B.14-1. B.50: LEDs utilizados como fuentes para fibras ópticas.38 1.3.

B. Fig.53: Estructura y patrón de radiación de un ELED. El ELED (led emisor por borde) emite radiación en un plano paralelo a las capas p-n. B. Como los ángulos de radiación en ambas direcciones son menores que los de un SLED. se utilizan más con fibras multimodo que tienen mayor apertura numérica.52: Construcción típica de un SLED. La fibra en ocasiones es soldada al SLED de tipo pozo para un mejor acoplamiento. Esteban Sanchis / Prof. los SLEDs son difíciles de acoplar a una fibra con una estrecha apertura y.3. B. Por tanto. los ELEDs son los preferidos para fibras monomodo. Juan B. La desventaja es que dicho SLED sólo se podrá acoplar a la fibra que tiene soldada. de forma parecida al diodo láser.3-59 Prof. por tanto no es simétrico. por esta razón.3: Propagación de la luz en guías de onda (c) Surface-emitting LED (Lambertian Source) Fig.3. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Esta estructura se llama de "cola de cerdo" y necesita un conector adicional para conectar la fibra y la fuente. El resultado es que el patrón de radiación es elíptico y. El patrón de radiación de un SLED está próximo al patrón Lambertiano.

El coeficiente de transmisión considera las pérdidas en el medio y las pérdidas de Fresnel en la superficie de la fibra. VG: gap de energía de la unión p-n (eV) Como la eficiencia cuántica depende del diseño de la unión y no suele ser conocida.152) donde ηq: eficiencia cuántica de la unión (fotones por electrón). NA: apertura numérica de la fibra. B. B. Sólo una pequeña parte de la potencia de salida se puede acoplar a la guía. En el caso de un SLED y una fibra con cambio de índice de refracción escalón. El resultado son intensidades mayores y anchos de banda más estrechos. Juan B. En un SLD se produce una amplificación de luz por emisión estimulada. La potencia óptica generada por un LED se puede calcular de la siguiente ecuación: PLED = ηqiDVG (B. que separada o unida al LED. aunque representa la misma cantidad. la potencia acoplada a la fibra se puede calcular a partir de PF = PLEDT NA2 (B. Es relativamente común acoplar sólo un 5% de la potencia de salida del SLED a la fibra.153) donde PF: potencia acoplada a la fibra. iD: corriente por el LED (A). sirve para estrechar el rayo de salida del LED.3: Propagación de la luz en guías de onda Un tipo especial de ELED son los diodos superluminiscentes (SLD) que son una mezcla de LED y diodo láser. Además es imprescindible el conocer las condiciones térmicas y de disipación térmica para conseguir una vida útil larga y una buena fiabilidad.3. Para mejorar el acoplamiento entre la fuente y la fibra se puede utilizar una lente. Esteban Sanchis / Prof.3. La cantidad acoplada depende del tipo de fibra y el perfil de radiación del LED.3-60 Prof. aunque este diodo no tiene un mecanismo de realimentación como los diodos láser. aunque sí nos indica que la potencia depende de la corriente. Fig. Ejea 11-nov-08 .54: Técnicas para mejorar el acoplamiento de un SLED a una fibra. no se puede utilizar esta expresión para calcular la potencia de salida del LED.CEF Tema B. T: coeficiente de transmisión del medio entre el LED y la fibra. no es casi utilizado).3. En comunicaciones ópticas es imprescindible conocer la potencia óptica (el término flujo.

55: Forma de onda con pico para mejorar la respuesta de un LED. El valor de estos tiempos depende del tiempo de vida de los portadores (τ) en la unión y del tipo de LED utilizado. La conexión en paralelo es algo superior a la serie. Esteban Sanchis / Prof. con o sin generación de pico para la aceleración de la conmutación. Circuitos de aceleración (generadores de pico) diseñados cuidadosamente pueden mejorar el tiempo de subida e incrementar el ancho de banda en al menos un factor dos. Ejea 11-nov-08 . En la siguiente figura se muestran algunos circuitos de excitación típicos de LEDs.4. Los diodos láser son utilizados para grandes velocidades de datos ("data rate") y líneas de transmisión largas.10.3. Además decir que los circuitos serie se suelen diseñar para que suministren una pequeña corriente continua al diodo de forma que su conmutación a ON sea más rápida. B. Se puede mejorar la respuesta de un LED con circuitos especiales de excitación (circuitos generadores de pico). Mediante dichos circuitos se distorsiona la forma de onda que ataca al LED para así obtener una transferencia más rápida durante los periodos de paso a ON y a OFF.1. Juan B. B.CEF Tema B.3: Propagación de la luz en guías de onda B. Fig.3. Los circuitos básicos utilizados para la excitación de LEDs pueden ser con conexión en serie o en paralelo.3-61 Prof. Circuitos de excitación de LEDs El ancho de banda de la comunicación es una de las características más importantes en una conexión con fibra óptica. Los tiempos de subida y bajada de la fuente son factores determinantes en dicho ancho de banda. Para anchos de banda todavía mayores o pulsos más rápidos es conveniente utilizar diodos láser. Además podemos encontrar las fórmulas de diseño de estos circuitos.

P1: potencia de P1 en mW.2. Ejea 11-nov-08 .3. B.3. Por tanto. B.154) donde dBm1: nivel de potencia de P1 en dBm.10. la potencia teniendo en cuenta esta referencia se puede expresar como: o (B. Esteban Sanchis / Prof.3: Propagación de lacc-VD-VSAT V luz en guías de onda R1 Fig.3-62 Prof. En fibras ópticas la mayoría de los cálculos se basan en la potencia óptica expresada en dBm. en este apartado se va a presentar desde la perspectiva de la fibra óptica. P0: nivel de referencia de potencia (= 1mW) B.CEF Tema B. El nivel de referencia del dBm es 1mW. Juan B. Detectores de fibra óptica Los detectores utilizados con fibras ópticas son en casi todos los casos fotodiodos.56: Circuitos más comunes para excitar un LED.3. Aunque este dispositivo será tratado con mayor profundidad más adelante.4.

3-63 Prof. y para Ge vale 0. REv: responsividad en tensión.55 en la longitud de onda de respuesta máxima. VD ≤ 0). Fig. Su buen funcionamiento puede ser evaluado a partir de la responsividad del fotodiodo. Esteban Sanchis / Prof. (B. Ejea 11-nov-08 . El fotodiodo tendrá una respuesta lineal siempre que permanezca inversamente polarizado (es decir. B.60×10-19C.3. h: constante de Planck 6. Juan B.CEF Tema B. c: velocidad de la luz 3. la cual puede expresarse como responsividad en corriente a partir de la relación entre la corriente que circula por éste y la potencia aplicada o como responsividad en tensión teniendo en cuenta la caída de tensión en los extremos de la carga RL.00×108m/s. Para Si y InGaAs vale alrededor de 0. e: carga del electrón 1.3. lo que corresponde a una potencia óptica máxima para el fotodiodo en la zona lineal.3. Ya hemos visto que la eficiencia cuántica depende del material semiconductor y de la construcción de la unión. iD: corriente por el fotodiodo (A). la responsividad se puede expresar como.156) donde REi: es la responsividad en corriente (A/W).155) y REv = REi RL (B.3: Propagación de la luz en guías de onda Un fotodiodo de unión es una fuente de corriente constante. η: eficiencia cuántica de la unión (electrones/fotones). RL: resistencia de carga (Ω). Teniendo en cuenta el circuito equivalente del diodo (a). El fotodiodo siempre se utiliza inversamente polarizado lo que reduce su capacidad de unión y corriente en la oscuridad.3.157) En el ejemplo de la figura el fotodiodo está inversamente polarizado con VB = 20V y la tensión de salida en la carga vale VL = 5V y teniendo en cuenta que VD = VB−VL la tensión en el fotodiodo vale VD = 15V.63×10-34J⋅s. P: potencia óptica aplicada (W). B. La tensión de salida VL del circuito tipo en bornes de la carga RL es VL = P REiRL (B. λ: longitud de onda (nm).57: Circuito equivalente del fotodiodo PIN y sus características.8.

RL = 1MΩ y la potencia máxima vale Pmax=20/(0. (B.5A/W. que es la potencia aplicada en el punto de corte de la recta de carga con la curva de iD. B. Como el operacional no drena corriente toda ella pasa por la resistencia de realimentación RF.159) donde tC = tiempo de respuesta del circuito (s). Este circuito tiene dos ventajas. El fotodiodo y la fuente que lo polariza inversamente están conectados al pin inversor y. Ejea 11-nov-08 . Al mismo tiempo. El punto de caída de 3dB determinante del ancho de banda puede ser calculado a partir de tR. Por tanto la tensión de la fuente de alimentación está siempre aplicada al fotodiodo. como el no inversor está conectado a tierra y la tensión en los dos pines es la misma.3-64 Prof. disminuye el rango de potencia lineal. La tensión de salida será por tanto V= −iDRF. Esteban Sanchis / Prof. Cuando la resistencia de carga se incrementa. el potencial en el pin inversor es cero.3. por lo que eligiendo una resistencia de bajo valor y con muy poca capacidad parásita. la tensión en la carga también se incrementa.3.5MΩ. sino que vendrá determinada por la resistencia de realimentación RF y su capacidad parásita CF. Para reducir la influencia de la capacidad de unión del fotodiodo. se puede utilizar un circuito de conversión de corriente a tensión.CEF Tema B. La combinación de los tiempos de respuesta del fotodiodo y del circuito da como resultado un tiempo de respuesta conjunto llamado constante de tiempo del receptor. Para fotodiodos PIN de aplicaciones en optoelectrónica suele ser 1ns.160) Este tiempo de respuesta del receptor limita el ancho de banda del sistema.158) En el ejemplo de la figura. Se han dibujado dos rectas de carga más sobre la característica del fotodiodo: una para RL = 2MΩ y otra para RL = 0. CD = Capacidad del fotodiodo (pF) y RL = Resistencia de carga (Ω). La línea de carga es prácticamente una recta vertical en las características del fotodiodo (resistencia cero) ya que no hay prácticamente resistencia de carga y así el circuito tiene un gran margen dinámico. sin embargo.5×106) = 40µW. El tiempo de respuesta del fotodiodo depende de su construcción y viene dado por el fabricante.3.161) donde fR es el ancho de banda del circuito receptor (Hz). tR: (B. En éste se utiliza un operacional. REi = 0.19×10-12 RL CD (B.3. Además la constante de tiempo del circuito no estará determinada por la constante de tiempo CDRL. Juan B.3: Propagación de la luz en guías de onda (B. La constante de tiempo debida a la capacidad de unión del diodo y a la resistencia de carga causa un tiempo de respuesta debido al circuito de la forma tC = 2. se puede mejorar en gran medida el ancho de banda. El tiempo de respuesta o respuesta en frecuencia del circuito está determinado por el tiempo de respuesta (subida/bajada) y la capacidad de unión del fotodiodo y el valor de la resistencia de carga.

CEF Tema B.3. donde se necesiten tiempos de subida muy cortos. Los fotodiodos de avalancha tienen la ventaja de que tienen un mecanismo interno de ganancia que mejora su responsividad hasta en un factor cien.58: Convertidor corriente tensión. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 .3: Propagación de la luz en guías de onda V0 Fig. B. Son pues de utilidad en circuitos de alta frecuencia. ya que son capaces de suministrar una corriente apreciable a una resistencia de bajo valor. También tienen un tiempo de subida de menos de 1ns. Su desventaja es que necesitan de una tensión inversa del orden de 100V. B. también se suelen utilizar fotodiodos de avalancha como detectores en sistemas de fibra óptica. Juan B.3-65 Prof. Además de los fotodiodos PIN.

4. Detección de luz e imágenes B. la cual debido a la naturaleza cristalina del material tiene la misma periodicidad R que la estructura (B. Juan B. Ya vimos que el procesamiento de la información involucra tres acciones.1.B.5) Cuando se soluciona la ecuación de Schrödinger para un electrón libre (es decir. Ejea 11-nov-08 . i) detección de luz. U(r)=0).2) El teorema de Bloch nos dice que la solución para la función de onda del electrón en una estructura periódica es de la forma: (B.4.2. ii) generación de luz y iii) modulación de luz.4. Esteban Sanchis / Prof.4.3) La parte periódica uk(r) tiene la misma periodicidad que el cristal: (B.4.1) donde U(r) es la energía potencial a la que están sometidos los electrones dentro del semiconductor.4) La función de onda tiene la siguiente propiedad: (B. El primero de los puntos que vamos a estudiar en este tema. Introducción En este tema vamos a estudiar como la interacción entre la luz y los electrones en un material produce una serie de efectos físicos que nosotros aprovecharemos para el procesado de información.4. la detección de luz. la k que aparece en la función de onda del electrón está relacionada con el momento B. Los componentes fotónicos deben ser capaces de convertir las señales luminosas en electrónicas y las señales electrónicas serán procesadas por dispositivos microelectrónicos avanzados. La descripción de un electrón en un semiconductor se hace a partir de la ecuación de Schrödinger: (B. se encarga de extraer la información que transporta un rayo de luz.4. B.4-1 Prof.4. Breve repaso de la estructura de bandas en un semiconductor.

Son los llamados semiconductores de gap indirecto o simplemente semiconductores indirectos (Si. B.1: (a) Semiconductor directo. Las dos primeras bandas de energía permitida son las bandas de valencia (electrones de valencia) y la banda de conducción. etc). (B.4. es decir. La relación entre E y k en el semiconductor es la estructura de bandas en dicho semiconductor. Juan B.4.4-2 Prof. Tales semiconductores son llamados semiconductores de gap directo o simplemente semiconductores directos (GaAs. AlAs. InGaAs. la cantidad ħk hace el mismo papel pero como incluye el efecto de los átomos del cristal sobre el electrón (U(r)) se le suele llamar momento del electrón en el cristal o momento del cristal. las soluciones para E de la ecuación de Schrödinger) no representan un continuo como sucede para el electrón libre (U(r)=0) sino que existen bandas de energía no permitida para los electrones. Para un semiconductor directo cerca del mínimo de la banda de conducción. vamos a examinar la relación que existe entre las ecuaciones que nos proporcionan la energía satisfechas por un electrón libre y por un electrón en un cristal: Electrón libre: Electrón en el cristal: donde mo es la masa del electrón libre.4. la relación E-k es de la forma: B. En otros semiconductores. Los niveles energéticos permitidos para un electrón en el semiconductor (es decir.7) Fig.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. En dicha estructura de bandas el máximo de la banda de valencia en la mayor parte de los materiales semiconductores ocurre a k=0.055×10−34J·s. Ge.6) (B. existiendo entre ellas una banda prohibida.4: Detección de luz e imágenes de dicho electrón p=ħk donde ħ es la constante de Planck normalizada. que no puede existir ningún electrón en el semiconductor con un valor de energía que esté dentro de dicha banda. el mínimo de la banda de conducción no ocurre para k=0 sino en otros puntos. El mínimo de la banda de conducción en algunos semiconductores también ocurre a k=0. Ejea 11-nov-08 . etc). (b) Semiconductor indirecto. Es decir. En el caso de un electrón en un semiconductor. InP. es decir para un momento igual a cero. A partir del valor del momento. ħ=h/2π=1.

la luz se representa por ondas electromagnéticas. Dado que es en esta banda en la que se producen los "huecos" o deficiencias de electrones.4-3 Prof.4. La interacción de electrones y fotones es la base de todos los componentes fotónicos. Sin embargo.CEF Tema B. En este apartado vamos a discutir cómo los electrones responden a campos electromagnéticos o sea a fotones. Estas ondas electromagnéticas. si α no es cero. Esteban Sanchis / Prof. Por tanto.4.4.4: Detección de luz e imágenes (B.9) De forma similar cerca del máximo de la banda de valencia. Dicha masa efectiva es mucho mayor que la masa efectiva en la banda de conducción y además es negativa. Juan B.11) donde z es la dirección de propagación. Si α es cero. el flujo fotónico P (∝E*E) cae exponencialmente de la forma: B. cerca de los límites de la banda de conducción el electrón del semiconductor se comporta como si tuviese una masa menor que la del electrón libre. nr el índice de refracción (la parte real) y α es el coeficiente de absorción del medio.8) donde Ec es el valor mínimo de energía permitida dentro de la banda de conducción. se describen a partir de las ecuaciones de Maxwell que demuestran que la dependencia del vector campo eléctrico de tales ondas es de la forma: (B. Existen dos tipos de interacción ("scattering") entre electrones y fotones: i) Absorción de fotones en que el electrón gana energía absorbiendo un fotón. La emisión espontánea ocurre incluso si no hay fotones presentes mientras que la estimulada ocurre debido a la presencia de fotones. la relación E-k es de la forma: (B. Propiedades ópticas de los semiconductores. B. Como se ha visto con anterioridad. ω la frecuencia. y ii) emisión en que el electrón emite un fotón y pierde energía.3.10) donde Ev es el valor máximo de energía permitida dentro de la banda de valencia y es la masa efectiva de los electrones en la banda de valencia. El proceso de emisión puede ser de dos tipos: emisión espontánea y emisión estimulada. que viajan a través de un medio. como un semiconductor en nuestro caso. la cual es llamada masa efectiva en la banda de conducción o simplemente masa efectiva del electrón: (B. Ejea 11-nov-08 .4.4. también es llamada masa efectiva del hueco. la onda se propaga sin atenuarse con una velocidad c/nr.

4-4 Prof. la energía del fotón debe ser mayor que la anchura de la banda prohibida.4. En el proceso inverso. Otra forma de decirlo es que únicamente transiciones "verticales" en k son permitidas dentro de la estructura de bandas del semiconductor. En una representación típica de la estructura de bandas de un semiconductor el valor de k suele variar entre 0 y ∼1Å−1 por lo que las transiciones pueden considerarse prácticamente verticales. El vector de onda del fotón es: (B. Estos dos procesos tienen obviamente una gran importancia en la detección de luz y en dispositivos emisores de luz.24µm. Esteban Sanchis / Prof.4. es decir que estamos hablando de fotones con una energía del orden de 1eV lo cual corresponde a una longitud de onda de 1. i) Conservación de la energía: Aplicando el principio de conservación de la energía. un electrón de la banda de conducción se recombina con un hueco de la banda de valencia para generar un fotón.4.14) donde es la energía del fotón.CEF Tema B. Juan B.12) La absorción de la luz puede ocurrir por una gran variedad de razones incluyendo la absorción por parte de impurezas del material o la absorción intrabanda donde electrones de la banda de conducción absorben la radiación.4. Sin embargo la interacción más importante en semiconductores en lo que se refiere a dispositivos fotónicos es la transición de banda a banda.13) (B. En la interacción han de cumplirse los principios de conservación de la energía y de la conservación del momento. en el proceso de absorción de un fotón. Ejea 11-nov-08 . un fotón interacciona con un electrón de la banda de valencia causando que dicho electrón pase a la banda de conducción. Por tanto. en los procesos de absorción y emisión.15) La energía del fotón ha de ser superior a la anchura de la banda prohibida. los valores de kph serán de alrededor de 10−4Å−1. Las velocidades de los procesos de emisión y absorción de luz son determinadas por la mecánica cuántica. se ha de cumplir: Absorción: Emisión: (B. para que la absorción ocurra. En este caso. B. Como la mínima diferencia energética entre los estados de la banda de valencia y la banda de conducción es la anchura de la banda prohibida Eg. si Ei y Ef son las energías inicial y final de los electrones. también se ha de conservar el momento para el sistema formado por electrones y fotón.4: Detección de luz e imágenes (B. ii) Conservación del momento: Además de la conservación de la energía.

es decir. las vibraciones de la estructura cristalina se cuantizan en función de fonones.4: Detección de luz e imágenes Fig. como vamos a ver a continuación. El electrón capturado en Er puede fácilmente caer a un estado vacío en la parte superior de la banda de valencia y. B. a fonones. La conservación del momento asegura que únicamente las transiciones verticales son permitidas. En un semiconductor indirecto (ver b) en la siguiente figura) un electrón de la parte inferior de la banda de conducción no puede recombinarse directamente con un hueco de la parte superior de la banda de valencia porque para que el electrón pase a la parte superior de la banda de valencia. Esto hace que exista una gran diferencia entre las propiedades ópticas de semiconductores directos e indirectos. un electrón se recombina con un hueco para emitir un fotón.2: (a) Un electrón de la banda de valencia "absorbe" un fotón pasando a la banda de conducción. los valores de k para electrón y hueco pueden suponerse iguales dado que las transiciones son verticales por lo que si aplicamos de nuevo la conservación de energía para un valor de la energía del fotón superior a la anchura de la banda prohibida: (B. en semiconductores indirectos las transiciones ópticas requieren de la ayuda de vibraciones de la estructura para satisfacer la conservación de k. Estos centros de recombinación pueden ser defectos en la estructura cristalina o impurezas.4. Debido a que k ha de conservarse. por tanto. Sin embargo. la transición de Ec a Ev produce la emisión de bastantes vibraciones de la estructura. su momento debe variar al pasar desde kcb hasta kcv. El electrón primeramente es capturado por el defecto en Er.4-5 Prof. lo cual no está permitido por la ley de conservación del momento. En la mayor parte de semiconductores de gap indirecto. Las vibraciones en la estructura viajan por el cristal como una onda y estas ondas se llaman fonones.16) donde es la masa reducida del sistema electrón . B.CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. tales como el GaP en el que se introducen impurezas de nitrógeno y con el que se consigue que la transición del electrón desde Er a Ev involucre la emisión de un fotón. recombinarse con un hueco. Juan B. Este cambio en la energía y en el momento del electrón debido al proceso de captura se transfiere a vibraciones en la estructura. existen semiconductores de gap indirecto. (b) En el proceso inverso. El proceso de recombinación en este tipo de semiconductores tiene lugar a través de un "centro de recombinación" a un nivel energético Er dentro de la banda prohibida (ver c) en la siguiente figura). En consecuencia.4. Así como la radiación electromagnética es cuantizada en función de fotones.hueco.

4. Tales transiciones son únicamente posibles cerca de los límites de las bandas en semiconductores directos. nr: índice de refracción. la conservación del momento requiere que las transiciones electrón .hueco.4: Detección de luz e imágenes (a) (b) (c) (d) Fig.4-6 Prof.hueco sean verticales en k. (c) Proceso de recombinación indirecta en la mayor parte de semiconductores indirectos. pcv: momento necesario para la transición.4.4. Juan B. Eg: anchura de la banda prohibida. B. (d) Proceso de recombinación indirecta en GaP. Dado que el momento del fotón es extremadamente pequeño en la escala de momentos. B. Para tales semiconductores puede demostrarse que el coeficiente de absorción del semiconductor es: (B.3: (a) Proceso de recombinación directa en un semiconductor directo (b) Semiconductor indirecto. El proceso de absorción del fotón es más intenso cuando el fotón puede causar directamente que un electrón en la banda de valencia vaya a la de conducción. Esteban Sanchis / Prof.hueco que pueden ser detectados en un circuito eléctrico escogido apropiadamente. La propiedad más comúnmente utilizada es la conversión de luz en pares electrón . Cuando incide un fotón sobre un semiconductor puede excitar a un electrón haciéndolo saltar de la banda de valencia a la banda de conducción siempre que la energía de dicho fotón sea igual o mayor que la energía del gap de energía entre ambas bandas. B. Absorción óptica en un semiconductor Para que un material semiconductor sea útil como detector debe cambiar alguna de sus propiedades al incidir sobre él la radiación.4.17) donde mr*: masa reducida del sistema electrón .CEF Tema B. ω: energía del fotón. Ejea 11-nov-08 .

las transiciones verticales en k no son posibles.4: Detección de luz e imágenes Si sustituimos los valores de las constantes en la expresión anterior para un semiconductor directo como es el GaAs (nr=3. pero está muy próximo a dicho valor ya que h⋅υ es pequeño (< 0.18) El coeficiente de absorción α es una propiedad del material. La conservación de la energía requiere que: h⋅ν = Eg ± h⋅υ (B.CEF Tema B. B.20) Fig.1eV). si ν es la frecuencia del fotón su energía será h⋅ν. Ejea 11-nov-08 . Juan B. La mayor parte de la absorción de fotones tiene lugar en una distancia 1/α. La conservación del momento asegura que únicamente son permitidas transiciones verticales b) En semiconductores indirectos un fonón o vibración de la estructura debe participar. El proceso de absorción no se inicia exactamente en Eg.4: Proceso de absorción en una transición de banda a banda en un semiconductor directo y en un semiconductor indirecto. la diferencia de los momentos debe ser equilibrada por el momento del fonón: (B. un fonón puede ser absorbido o emitido. Para un semiconductor indirecto. Si K es el vector de onda de las vibraciones de la estructura que se propagan por el cristal. entonces h⋅υ es la energía del fonón. A ese valor se le suele llamar longitud de penetración δ. Esteban Sanchis / Prof.4. Como la interacción del fotón con el electrón de la banda de valencia necesita de un tercer "participante". Cuando un electrón en la banda de valencia es excitado a la banda de conducción hay un cambio en su momento en el cristal que no puede ser proporcionado por el momento del fotón incidente ya que es muy pequeño comparado con el cambio necesario en el momento. entonces es el momento del fonón. la probabilidad de absorción de un fotón no es tan alta como en semiconductores de gap directo. Durante el proceso de absorción. la vibración de la estructura.4. y los electrones pueden absorber un fotón únicamente si un fonón (o vibración de la estructura cristalina) participa en el proceso. (B. Estos procesos no son tan fuertes como los B. las cuales a su vez dependen de la temperatura.66).19) El proceso de absorción se dice que es indirecto pues depende de las vibraciones de la estructura cristalina. el coeficiente de absorción vale. Por otra parte.4.4. Si υ es la frecuencia de las vibraciones de la estructura cristalina. Por tanto. a) Un electrón en la banda de valencia "absorbe" un fotón y pasa a la banda de conducción.4-7 Prof.

CEF Tema B. De la expresión del coeficiente de absorción para un semiconductor directo se observa que vale cero por encima de una longitud de onda de corte λc. que vale (B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.4-8 Prof. B. El coeficiente de absorción de materiales de gap indirecto es del orden de 100 veces más pequeño que para el caso de gap directo para un misma diferencia entre la energía del fotón y la anchura de la banda prohibida (ω − Eg).4. En la siguiente figura se muestran algunos semiconductores y las características más importantes de los sistemas basados en dichos tipos de material. B. El gran rango de variación de Eg permite una gran versatilidad en los sistemas detectores.21) En la siguiente figura se muestran la anchura de la banda prohibida y las longitudes de onda de corte de varios semiconductores junto con la respuesta relativa del ojo humano.(b) Coeficiente de absorción (α) en función de la longitud de onda (λ) para distintos semiconductores.5: (a) Gap energético y longitudes de onda de corte de diferentes materiales. (a) (b) Fig. Juan B.4: Detección de luz e imágenes procesos que no involucran un fonón (semiconductores directos).4.

es decir. el coeficiente de absorción para detectores extrínsecos es muy pequeño (∼10cm−1) de forma que se necesita un material bastante grueso. B. Los semiconductores extrínsecos son capaces de funcionar hasta longitudes de onda de 120µm a bajas temperaturas con determinadas impurezas en el Ge o en el Si (semiconductores de gap indirecto). Materiales como GaAs. Sin embargo. (B. infrarrojo y ultravioleta.45eV) con Si. Pero esta no es la única forma de detectar fotones. Juan B.4. Por otra parte.4-9 Prof.CEF Tema B. Los detectores extrínsecos son detectores muy importantes por su capacidad de detección de radiación de longitud de onda larga. aún siendo el Ge un material de gap indirecto. un electrón se transfiere desde la banda de valencia a la de conducción.4: Detección de luz e imágenes Fig. Sin embargo. Existirán múltiples materiales semiconductores que permiten realizar la absorción en cualquier frecuencia de luz del visible. cómo se verá más adelante). necesitamos un material de un grosor L ≈ 10µm a 20µm. B. Esteban Sanchis / Prof.4. InP y InGaAs tienen una fuerte absorción óptica en los límites de las bandas ya que la absorción óptica puede ocurrir sin la participación de un fonón. Por otra parte.6: Los materiales más utilizados para componentes fotónicos.hueco es producida mediante una transición de "banda a banda". En los llamados detectores "extrínsecos" se dopa el semiconductor con una determinada impureza lo que crea estados energéticos intermedios dentro de la banda prohibida. Si L es la longitud de la muestra de semiconductor.22) Si queremos detectar la emisión de un láser de GaAs (ω∼1. Para la detección de una señal óptica se debe absorber la luz. en detectores extrínsecos la energía de la radiación puede ser mucho menor que la anchura de la banda prohibida. esto no significa que estos materiales no puedan ser utilizados como detectores (desafortunadamente no pueden ser utilizados como láseres. Los detectores intrínsecos de banda a banda necesitan una anchura de la banda prohibida muy estrecha para detectar una radiación de longitud de onda larga lo que hace muy difícil la fabricación de detectores de buena calidad para detectar dichas longitudes de onda con dichos materiales. Ejea 11-nov-08 . Los detectores pueden clasificarse en "intrínsecos" y "extrínsecos". Si la detección la queremos hacer con Ge sólo necesitaríamos L ≈ 1µm. en materiales indirectos como el Si y el Ge la fuerza de la absorción es débil cerca de los límites de las bandas. En un detector intrínseco la generación de un par electrón . Por lo que para una absorción fuerte se debe cumplir que. la fracción de luz incidente que es absorbida en la muestra es: = 1−e−αL donde P0 es la potencia óptica incidente.

entre los puntos x y x+dx vale (siendo dx muy pequeño) (B.4-10 Prof.4.4. Por otra parte no toda la luz incidente es absorbida de forma que si se reducen las reflexiones en la superficie del semiconductor. (B.25) siendo Φ(x) la densidad de flujo de fotones incidiendo en un punto x (en unidades cm s ). La eficiencia del proceso de conversión de fotones recibidos a pares electrón-hueco es medida a través de la eficiencia cuántica del detector.24) Si esta energía absorbida produce un par electrón .4. se incrementa la absorción en el semiconductor. la cual se define como: (B. Una vez conocido el coeficiente de absorción de un semiconductor. gracias al dopado. B. donde existe un nivel en la gap energético. Luego. Si la longitud es mayor que la longitud de penetración ( ) la mayor parte de los fotones son absorbidos. Ejea 11-nov-08 .27) Hay que tener en cuenta la longitud del semiconductor y el coeficiente de reflexión del material que lo constituye. −2 −1 Cuando la luz incide sobre un semiconductor genera pares electrón-hueco lo cual cambia la conductividad del material generando una corriente fotónica (fotocorriente). la eficiencia cuántica ηQ puede también ser definida como: (B. Esteban Sanchis / Prof. hay que conocer la velocidad a la que se generan los pares electrón .CEF Tema B. (B. Juan B.hueco.4: Detección de luz e imágenes Fig. De ahí que un primer factor que interviene en la eficiencia cuántica es la llamada eficiencia cuántica externa que B.hueco de energía ω. La potencia óptica por unidad de área para un dispositivo de área A y en un punto x vale. la velocidad de generación de portadores por unidad de volumen GL vale.4.4. el número de pares e-h por segundo será IL/e.4. Por tanto. Si Pop es la potencia óptica incidente entonces el número de fotones incidentes por segundo es . Pero si la longitud del semiconductor es del orden de la longitud de penetración no todos los fotones serán absorbidos.26) La corriente fotónica medida IL en el circuito externo es debida al flujo de portadores por segundo en los terminales del detector. Para calcular dicha velocidad supongamos un rayo de luz de potencia óptica (flujo) (en W) Pop(0) incidiendo sobre un semiconductor.7: Detector extrínseco. a donde pueden ir los electrones excitados.23) La energía absorbida por segundo y por unidad de área en una región de grosor dx.

Ejea 11-nov-08 . Si la longitud de onda está por encima de la longitud de onda de corte. Esteban Sanchis / Prof. En la práctica. Es por ello que Rph es también llamada responsividad espectral o sensibilidad radiante. [A/W] En la ecuación anterior ηQ también depende de la longitud de onda. Juan B.3).4.4. de la estructura del dispositivo y del coeficiente de reflexión: (B.28) para una muestra de semiconductor de longitud W. Esto se tiene en cuenta en la llamada eficiencia cuántica interna (ηQi). La eficiencia cuántica es el producto de la eficiencia cuántica interna y la externa y en consecuencia. la energía del fotón será mayor que el gap energético y la diferencia de energía se disipará en forma de calor.4. (B. la eficiencia cuántica limita la responsividad del detector la cual estará por debajo de la línea del detector ideal.31) B. Por otra parte. la cual nos da la corriente fotónica IL producida por una determinada potencia óptica Pop a una determinada longitud de onda. La característica Rph frente a λ representa la respuesta espectral del detector.4: Detección de luz e imágenes incluye la influencia del coeficiente de absorción del semiconductor a la longitud de onda de interés. no todos los fotones absorbidos dan lugar a pares electrón – hueco que contribuyan a la corriente fotónica sino que algunos pueden ceder su energía de otras maneras como ya se indicó anteriormente (Apartado B.4-11 Prof.30) A partir de la definición de la eficiencia cuántica del detector. Dicha responsividad Rph vale. La responsividad de un detector tiene una gran dependencia de la longitud de onda de los fotones incidentes. En un detector ideal la eficiencia cuántica es del 100% (ηQ=1) y Rph se incrementa de forma lineal con λ hasta llegar a λc. los fotones no serán absorbidos y no se generará corriente fotónica. (B.29) Una importante propiedad del detector viene descrita por su responsividad. es siempre menor que la unidad. la cual es proporcionada normalmente por el fabricante.4. Si la longitud de onda es menor que λc. (B. En la siguiente figura se muestra la respuesta espectral de un detector ideal y de un detector (fotodiodo) de silicio. La eficiencia cuántica de un fotodiodo de silicio bien diseñado en el rango de longitudes de onda entre 700nm -900nm puede estar cercana al 90%-95%.CEF Tema B.4.

algunos de estos portadores son recogidos en sus terminales y dan lugar a una corriente fotónica. Además de los diodos.32) donde A es el área del diodo y el signo negativo es introducido al tratarse de una corriente en polarización inversa. los electrones pasarán a la zona n y los huecos a la p. Para que haya una corriente fotónica debida a la existencia de los pares e-h generados se necesita aplicar un campo eléctrico. Como los electrones y huecos contribuyen en IL1 movidos B.8: Respuesta espectral de un fotodiodo ideal y de un fotodiodo comercial típico de silicio. El diodo p-n puede ser utilizado en una gran variedad de modos dependiendo de la tensión de polarización aplicada y las distintas configuraciones de la carga. también es posible utilizar transistores para detectar señales ópticas. La primera posibilidad conduce al detector fotoconductivo en el cual los pares e-h generados por la luz cambian la conductividad del semiconductor.4. B.4. B. Esto puede conseguirse aplicando una tensión externa al material semiconductor o utilizando un diodo de unión p-n. Los pares electrónhueco generados en la zona de agotamiento. Los fototransistores ofrecen una alta ganancia debido a la ganancia del transistor añadida a la detección por lo que son muy utilizados.4: Detección de luz e imágenes Fig.5.CEF Tema B.4. Por tanto. Corriente fotónica en un diodo p-n y en un diodo p-i-n Cuando incide la luz sobre un diodo p-n y genera pares e-h. En la siguiente figura se muestra un diodo de unión p-n en condiciones de polarización inversa con una zona de agotamiento de anchura W que es iluminado. Esteban Sanchis / Prof. el diodo p-n (o el diodo p-i-n) es muy utilizado como fotodetector y aprovecha el campo eléctrico existente en la unión p-n añadido a una polarización inversa aplicada externamente para "recoger" los electrones y huecos generados. son barridos rápidamente fuera de ella por el campo eléctrico existente sin que tengan posibilidad de recombinarse durante el tránsito. que el coeficiente de reflexión R es 0 (no hay parte de la luz que se refleja en el material) y que los portadores en exceso se generan uniformemente a una velocidad constante GL. (B. Ejea 11-nov-08 . Juan B. La corriente fotónica generada a partir de los fotones absorbidos en la zona de agotamiento es por tanto.4-12 Prof. Para simplificar el tratamiento vamos a suponer que el diodo es longitudinal. Por otra parte.

Podemos suponer que los huecos generados en la zona n a una distancia menor o igual a Lp (longitud de difusión de los huecos en la región n) del límite con la zona de agotamiento (x = 0) serán capaces de entrar en la zona de agotamiento donde el campo eléctrico los llevará a la zona p y contribuirán a la corriente. podemos suponer que es cero.4. Por tanto.4. la corriente fotónica proviene de todos los portadores generados en la región del diodo (W + Lp + Ln). Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.4: Detección de luz e imágenes por la acción de campos eléctricos muy fuertes la respuesta es muy rápida y esta componente de la corriente es llamada fotocorriente espontánea. también se generan pares electrón-hueco en las zonas neutras de tipo p y n del diodo.CEF Tema B. B. los electrones generados a una distancia menor o igual que Ln (longitud de difusión de los electrones en la región p) del límite con la zona de agotamiento serán también recogidos contribuyendo a la corriente. Fig. La densidad de portadores en exceso es δpn = pn(x) − pn.34) donde x = 0 es un extremo de la zona de agotamiento. B. De forma similar. Vamos a calcular la corriente fotónica utilizando la base teórica del funcionamiento del diodo. Además de los portadores generados en la zona de agotamiento. Utilizando las condiciones de contorno (la tensión de polarización del diodo es positiva para polarización directa y negativa para polarización inversa). (B. Aplicando la ecuación de continuidad y suponiendo que se generan pares electrónhueco uniformemente a una frecuencia GL.4-13 Prof. Juan B.33) donde Dp: coeficiente de difusión de los huecos (portadores minoritarios) y τp: tiempo de vida medio antes de la recombinación de los huecos en la región n. La ecuación de continuidad en estado estacionario para huecos (portadores minoritarios) en la región n es (B.4.9: Diodo de unión p-n con dibujo de las concentraciones de portadores con y en ausencia de luz. Si el fotodiodo está cortocircuitado (V=0) o en polarización inversa (V<0).

37) o δpn'' = GL τp En consecuencia. ya que los portadores se mueven por difusión (en las zonas B.4.40) (B. Esteban Sanchis / Prof.4. Esto nos da la concentración en exceso de huecos en la zona neutra de tipo n (B.39) Aplicando las condiciones de contorno en x = 0. La ecuación homogénea es para GL = 0. (B.=(Dpτp)1/2 al cumplirse que el tiempo de vida medio de los huecos en dicha región τp→∞) y que la zona n es más larga que la longitud de difusión de los huecos en dicha región Lp (diodo largo).4.4. W<Lp.4.CEF Tema B.4.4. La solución de la ecuación de continuidad considerando la velocidad de generación es la suma de la solución homogénea más la solución particular. obtenemos el valor de C.35) cuya solución es de la forma (B.dea.42) Debemos tener en cuenta que la corriente generada en las zonas neutras tiene un tiempo de respuesta más lento.36) La ecuación particular es de la forma (B. la solución completa es: (B.38) Por tanto la corriente de huecos generada en la zona neutra de tipo n debida a fotones absorbidos es: (B. que la zona de agotamiento es menor que la longitud de difusión de los huecos en dicha zona.41) La corriente debida a los electrones la podremos calcular de forma similar.4-14 Prof.4: Detección de luz e imágenes Supondremos que no hay recombinación en la zona de agotamiento (es decir. Ejea 11-nov-08 .4. de forma que la corriente total debida a los portadores generados tanto en las zonas neutras como en la zona de agotamiento es: IL = InL + IpL + IL1 = . Juan B.z.e⋅GL⋅(Lp + Ln + W)⋅A (B.

Un tipo de fotodiodo de unión p-n que resuelve el problema del excesivo tiempo de respuesta debido a los portadores generados en las zonas neutras es el fotodiodo p-i-n. Si la zona intrínseca es gruesa.10: Fotodiodo PIN.4. De esa forma si R es el coeficiente de reflexión del material. B. (B.CEF Tema B. Debe ser tenido en cuenta también que la generación de pares e-h no es uniforme y depende de la profundidad de penetración de los fotones. Los portadores generados en la zona de agotamiento son arrastrados y contribuyen a la corriente. GL. Detalle de la concentración de huecos en exceso en la zona n. La máxima corriente IL suponiendo que la zona intrínseca es menor que las longitudes de difusión de electrones y huecos en dicha región (no hay recombinación): B. la respuesta del dispositivo será rápida. Vamos a suponer que la zona p sea lo suficientemente estrecha como para poder despreciar la absorción en dicha región. Habrá pues que sustituir GL por una velocidad de generación promedio para una descripción más exacta. Podemos tener además en cuenta que conforme van penetrando los fotones en el material disminuye su intensidad porque van siendo absorbidos. Ejea 11-nov-08 . Fig. los fotones que llegan a la zona de agotamiento son (1 − R) por los fotones incidentes.4: Detección de luz e imágenes neutras no hay campos eléctricos). la fotocorriente IL es dominada por los portadores que se generan en la zona de agotamiento (la zona intrínseca) y que son arrastrados ya que los portadores generados en las zonas neutras contribuyen únicamente en una fracción muy pequeña a dicha fotocorriente como vamos a ver a continuación. Como la fotocorriente es dominada por la fotocorriente espontánea.43) donde Φ0⋅(1-R) es el flujo de fotones (número de fotones por cm2 y por segundo) en x= 0.4-15 Prof. En la siguiente figura se muestra un esquema de un detector p-i-n. por lo que la velocidad de generación de pares e-h. Esteban Sanchis / Prof. El fotodiodo está inversamente polarizado de manera que la zona de agotamiento ocupa la totalidad de la zona intrínseca en la cual existe un fuerte campo eléctrico. vendrá dada por la expresión. Juan B.4.

y que la zona n es más larga que la longitud de difusión de los huecos en dicha región Lp (diodo largo). (B. Aplicando la ecuación de continuidad y suponiendo que se generan pares electrón-hueco a una frecuencia GL(x). (B.47) La densidad de portadores es pn(x) y utilizando las condiciones de contorno (la tensión de polarización del diodo es positiva para polarización directa y negativa para polarización inversa).CEF Tema B. de a.45) donde W es la anchura de la zona de agotamiento. Como los electrones y huecos contribuyen en IL1 movidos por la acción de campos eléctricos muy fuertes la respuesta es muy rápida y esta componente de la corriente constituye la fotocorriente espontánea. En lo siguiente consideraremos R = 0.4.4-16 Prof. Supondremos que no hay recombinación en la zona de agotamiento (es decir. Juan B.= (Dpτp)1/2 al cumplirse que el tiempo de vida medio de los huecos en dicha región τp→∞).4. (B. Calcularemos a continuación la contribución de los huecos (portadores minoritarios) de la zona n a la corriente.4. Ejea 11-nov-08 .49) B. Dicha ecuación puede escribirse también de la siguiente forma teniendo en cuenta que la densidad de portadores en exceso es δpn = pn(x) − pn. La ecuación de continuidad en estado estacionario para huecos en la región n es: (B. A es el área del diodo y el signo negativo es introducido al tratarse de una corriente inversa.48) donde x = W es un extremo de la zona de agotamiento por lo que los huecos son inmediatamente arrastrados por el intenso campo eléctrico presente.46) donde Dp: coeficiente de difusión de los huecos (portadores minoritarios) y τp: tiempo de vida medio antes de la recombinación de los huecos en la región n. Esteban Sanchis / Prof. que la zona intrínseca es menor que la longitud de difusión de los huecos en dicha zona. W < Lp.4.4: Detección de luz e imágenes (B. Hay que tener en cuenta que GL(x) tiende a 0 cuando x tiende a infinito. z.4.4. La solución de la ecuación de continuidad considerando la velocidad de generación es.44) (B.

29. Juan B. Sólo los huecos generados a una distancia ≤ Lp de x = W alcanzarán la zona intrínseca y contribuirán a la corriente. nunca se incorporarán a la fotocorriente todos los pares e-h generados en la zona n. La corriente es la suma de IpL e IL1 ya que hemos supuesto que la zona p es muy estrecha y no hay absorción. si la caída de tensión ánodo-cátodo en el diodo es V. La presencia del término indica que. la corriente total será la suma de la corriente fotónica (generada por la luz) más la corriente por el fotodiodo en ausencia de luz (tener en cuenta que la corriente fotónica fluye en sentido contrario a la corriente del diodo en polarización directa): B.4.4. y tanto el caso de polarización directa como inversa. ya aparece la dependencia de ηQe y ηQ de los portadores (huecos) que se llegan a perder por recombinación. los demás se recombinarán antes y se perderán.50) Siendo (B.CEF Tema B. En general si consideramos el fotodiodo conectado a una carga externa.54) en la que.4.4. (B. se ha introducido a posteriori la eficiencia cuántica interna y el coeficiente de reflexión del material: (B. Esta será la corriente que circulará por el dispositivo inversamente polarizado aún cuando no haya luz alguna iluminando al mismo.4: Detección de luz e imágenes cuya solución es de la forma (B. a diferencia de la expresión B. en general. como se muestra en la siguiente figura.4.52) El segundo término que es independiente del flujo luminoso es la corriente de pérdidas del diodo inversamente polarizado y en el contexto de fotodetectores se denomina corriente de oscuridad. Ejea 11-nov-08 . Para mayor generalidad.51) Por tanto la corriente de huecos generada en la zona neutra de tipo n debida a fotones absorbidos es (B. Esteban Sanchis / Prof.53) A partir de esta expresión es posible obtener un valor más aproximado para la eficiencia cuántica para el fotodiodo PIN teniendo en cuenta únicamente la contribución luminosa.4.4-17 Prof.

dependiendo de la tensión de polarización inversa. A el área activa (área fotosensible) del fotodiodo y W la anchura de la zona de agotamiento. dependiendo de la temperatura CD = (=Cj decenas de pF) capacidad de unión.4. Como la anchura W de la zona de agotamiento en la unión p-n del fotodiodo es función de la tensión inversa aplicada (W∝ ). La capacidad Cj de la unión p-n. la corriente fotónica alimenta una carga. En el circuito equivalente la unión es representada como un diodo.56) donde ε es la permitividad dieléctrica del semiconductor. como ya se sabe. Para un fotodiodo de silicio.53 exceptuando la corriente inversa en oscuridad (I0) que ya aparece en el primer término. El fotodiodo se puede utilizar en dos modos de funcionamiento diferentes. Juan B.11: Circuito equivalente del fotodiodo. Ejea 11-nov-08 . La corriente introducida en la unión por la radiación es representada por una fuente de corriente constante IL.4. cuanto mayor es la tensión inversa aplicada mayor es la anchura de la zona de agotamiento y menor es la capacidad Cj de la unión. puede ser considerada como dos placas cargadas aisladas por la zona de agotamiento: (B. utilizado para la generación de potencia.CEF Tema B. valores típicos son: RSH = 107 a 1012Ω.55) donde Rs: la resistencia serie del diodo. utilizado en células solares. B.4. La resistencia de los semiconductores de tipo n y p junto con la de los contactos eléctricos se representa por una resistencia serie RS. utilizado en detectores. En el modo fotoconductivo. Fig. En el modo fotovoltaico. n: es el factor de idealidad del diodo. V: tensión entre bornes del diodo e IL es el valor absoluto de la corriente obtenida en B. RS = de 5 a 10Ω.4: Detección de luz e imágenes (B. la resistencia de la zona de agotamiento es RSH y la capacidad de la unión es CD (=Cj). B. ambas conectadas en paralelo al diodo. Esteban Sanchis / Prof. en paralelo al diodo.4. no hay tensión externa aplicada (Vapp=0). En este modo. el diodo está polarizado inversamente.4-18 Prof.

Aplicando las leyes de Kirchof al circuito equivalente del fotodiodo: (B. El cuadrante IV corresponde al modo fotovoltaico (célula solar) en que el fotodiodo es utilizado para proporcionar potencia. ISH la corriente a través de la resistencia de la zona de agotamiento RSH e Iext la corriente en la carga. Esteban Sanchis / Prof.4-19 Prof.58) donde I0 es la corriente de oscuridad e IRL es la corriente por la carga que será aproximadamente igual a IDD. Junto con el ruido constituye un límite para la sensibilidad del fotodiodo.4. dopado. Ejea 11-nov-08 . en función de la incidencia radiante E (W/m2) y de la eficiencia cuántica ηQ es: (B.4.12: Cuadrantes de funcionamiento del fotodiodo. Cuando se ilumina es generada una corriente fotónica cuyo valor hemos obtenido con anterioridad y que. En el cuadrante I. Juan B. La corriente de oscuridad se incrementa en un factor 10 cada 25º de incremento de la temperatura. En condiciones de no radiación (oscuridad) la corriente es: (B. geometría de la unión y de la temperatura. El valor de la corriente de oscuridad depende del material semiconductor.4: Detección de luz e imágenes En la siguiente figura se muestran las características del fotodiodo en oscuridad y en presencia de radiación: Fig. aunque esta aplicación no es la adecuada para un fotodiodo. el fotodiodo está directamente polarizado y actúa de manera similar a un diodo de unión.59) B.4. B. En el cuadrante II el fotodiodo no tiene respuesta. que es el modo utilizado para la detección de radiación. La curva característica tiene cuatro cuadrantes.4. El cuadrante III muestra las características del fotodiodo en el modo de polarización inversa. ID es la corriente a través del diodo que representa la unión.CEF Tema B.57) donde IL es la corriente fotónica que depende de la longitud de onda.

En el cuadrante III.61) En condiciones normales IL >> Io. La corriente fotónica varía de forma lineal con la incidencia radiante. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. a temperatura constante.4. La corriente total en presencia de radiación IDL sigue la expresión vista con anterioridad: (B. es el caso de las células solares que estudiaremos más adelante. B. manteniéndose así en un rango de siete a nueve décadas. Juan B. Al aumentar el valor absoluto de la tensión de polarización inversa.4: Detección de luz e imágenes donde A es el área del fotodiodo.4. El dispositivo será útil si se desea una respuesta de tipo logarítmico. que la condición RL>>RSH no es fácil de cumplir ya que RSH está en el rango de megaohms. aumenta ligeramente la corriente de oscuridad y el rango de operación lineal y disminuye la capacidad de la unión (como se comentó con anterioridad) y el tiempo de respuesta. Esta propiedad convierte al fotodiodo en un valioso dispositivo de medida en el modo fotoconductivo (polarización inversa).62) Como IL∝E. Debe ser tenido en cuenta.4.4. la tensión inversa puede tomar cualquier valor por debajo de la tensión de ruptura VRmax que es especificada por el fabricante. En el cuadrante IV.13: Efecto de la tensión de polarización en el fotodiodo.60) En condiciones de circuito abierto (RL>>RSH). En el caso de que se desee una respuesta logarítmica debe operar en circuito abierto en el cuadrante IV. Fig. Los fotodiodos de señal son utilizados en el cuadrante III con polarización inversa para un funcionamiento lineal. la tensión de circuito abierto de un fotodiodo es una función logarítmica de la incidencia radiante en un rango de varias décadas. B. y la expresión anterior puede simplificarse: (B.CEF Tema B. la tensión en circuito abierto del fotodiodo Voc puede obtenerse haciendo IDL=0 en la expresión anterior: (B. sin embargo. un fotodiodo puede proporcionar potencia a una carga.4-20 Prof.

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Tema B.4: Detección de luz e imágenes

El tiempo de respuesta y, por tanto, el ancho de banda del fotodiodo está determinado por dos mecanismos básicos. i) La primera restricción al tiempo de respuesta viene del hecho de que los portadores de carga generados necesitan algún tiempo para ser "recogidos" por la corriente fotónica. Este tiempo es llamado tiempo de tránsito ttr. El tiempo de tránsito tiene dos aportaciones. Por una parte se tienen los portadores generados en la zona de agotamiento, los cuales se mueven por arrastre a la velocidad de arrastre. Ante campos eléctricos fuertes la velocidad de arrastre de los portadores de carga (vn=µn⋅E y vp=µp⋅E) no varía linealmente con el campo eléctrico aplicado sino que adquiere un valor de saturación, vsat.

Fig. B.4.14: Velocidad de arrastre en función del campo eléctrico para electrones y huecos en el Si.

Por lo tanto, para una anchura de la zona de agotamiento W, el tiempo de tránsito debido a los portadores generados en la zona de agotamiento es aproximadamente: (B.4.63) donde vsat es la velocidad de saturación. Con valores típicos de W ∼10µm y vsat∼10 m/s, tenemos ttr∼100ps aunque puede llegar a ser incluso tan pequeño como ∼1ps.
5

Los portadores generados en las zonas neutras se mueven por difusión. Así, los electrones tardan un tiempo en recorrer la distancia Ln (longitud de difusión) por difusión, donde Dn es el coeficiente de difusión de los electrones. De igual forma los huecos tardan un tiempo en recorrer por difusión la distancia Lp. Recordar que aquellos portadores que están a una distancia superior a Ln o Lp de la zona de agotamiento desaparecen por recombinación. Un valor típico de Ln=1µm y Dn=3,4⋅10-4m2⋅s-1 nos proporciona τn≅3ns. Tiempos de difusión típicos son del orden de 1ns a 10ns. Es decir, que el proceso de difusión limita la respuesta del dispositivo de manera que la respuesta en frecuencia del dispositivo se degrada tanto más cuanto mayor sea la fracción de la corriente que es generada en las zonas neutras. Conviene diseñar por tanto el dispositivo de forma que la mayor parte de la energía sea absorbida en la zona intrínseca. Esta limitación es menos importante en el fotodiodo p-i-n en que predomina la fotocorriente espontánea. En consecuencia, considerando ambas aportaciones al tiempo de tránsito, el tiempo de respuesta del fotodiodo tD ≥ W/Vsat.

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ii) La segunda restricción en el tiempo de respuesta deriva de la capacidad de la unión p-n, CD. Si observamos el circuito equivalente del fotodiodo junto con su carga, se tiene un circuito RC cuya constante de tiempo es: τRC = (RS+RL) || RSHCD ≈ RL⋅CD Esta constante de tiempo causa un tiempo de respuesta tRC = 2,19⋅τRC. El tiempo total de respuesta es tD + tRC. Al aumentar la tensión de polarización inversa disminuye CD, por lo que disminuye el tiempo de respuesta del fotodiodo. Este tiempo de respuesta limita el ancho de banda del fotodiodo. El punto de caída de 3 dB determinante del ancho de banda puede ser calculado a partir de la expresión: (B.4.65) (B.4.64)

Fig. B.4.15: Fotodiodo en polarización inversa (VB representa la tensión de polarización inversa).

Generalmente se utilizan amplificadores operacionales junto al fotodiodo para su uso como detector como se muestra en la siguiente figura. Si se necesita utilizar el fotodiodo en todo su rango lineal (de siete a nueve décadas), entonces se debe diseñar muy cuidadosamente el amplificador teniendo en cuenta el ruido producido (pues éste es amplificado). Hay dos fuentes de ruido predominantes en fotodiodos de unión: ruido "shot" y ruido térmico. El ruido "shot" es un ruido que aparece cuando los portadores de carga tienen que atravesar una barrera de potencial (diodos y transistores). El proceso de atravesar la barrera consiste en microscópicos pulsos de corriente, de manera que la contribución macroscópica de todos ellos da lugar a un ruido en la corriente del detector, cuyo valor rms es el ruido "shot". El ruido térmico (también llamado ruido Johnson) es causado por el movimiento térmico aleatorio de electrones y huecos. Este ruido aparece incluso cuando el dispositivo está desconectado de cualquier circuito. El ruido "shot" debe ser considerado a niveles de señal más altos y el térmico a niveles más bajos. Como el fotodiodo no es puramente resistivo sino que presenta una capacidad CD, ésta puede llegar a influir en la respuesta en frecuencia del amplificador que incluso puede llegar a oscilar a altas frecuencias. Para evitar este problema, se emplea el circuito (b) en que la B.4-22
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Tema B.4: Detección de luz e imágenes

resistencia de realimentación RF y la capacidad CF en paralelo con ésta determinan la respuesta en frecuencia. Cuando se requiere una respuesta rápida deben ser seleccionados fotodiodos con baja CD y utilizar resistencias de carga también bajas.

Fig. B.4.16: Circuitos típicos de polarización con amplificador de un fotodiodo.

Cuando se requiere una respuesta logarítmica, el diodo debe operar sin polarización en condición de circuito abierto. Como la resistencia RSH del fotodiodo es muy grande (del orden de 108Ω), el amplificador operacional utilizado debe tener una impedancia de entrada extremadamente grande (amplificador FET).

Fig. B.4.17: Circuitos típicos de polarización con amplificador para el caso de respuesta logarítmica.

Comparados con los fotoconductores que veremos más adelante, los fotodiodos son dispositivos muy estables. Sus coeficientes de temperatura dependen de la longitud de onda, pero a la longitud de onda de respuesta máxima estos coeficientes son muy bajos, menos del 0,1%/ºC. Su única dependencia con la temperatura importante es el valor de la resistencia RSH y la corriente de oscuridad, pero sus efectos son únicamente significativos a muy bajos niveles de funcionamiento.

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Tema B.4: Detección de luz e imágenes
Fig. B.4.18: Únicos parámetros del fotodiodo que dependen fuertemente con la temperatura (en la fotorresistencia casi todos los parámetros dependen de la temperatura).

La respuesta espectral de los fotodiodos de unión varía desde el ultravioleta hasta el infrarrojo, dependiendo principalmente del material semiconductor, pero también del diseño de la unión y del material empleado en la ventana. Respuestas espectrales típicas se muestran en la siguiente figura.

Fig. B.4.19: Respuesta espectral de distintos fotodiodos de unión.

B.4.5.1.

Selección del material y respuesta en frecuencia del detector P-I-N

El primer factor a tener en cuenta es elegir un material que tenga un buen coeficiente de absorción a las frecuencias a detectar. Para aplicaciones de comunicaciones donde se utilizan fuentes ópticas de GaAs / AlGaAs (ω∼1,45eV) generalmente para redes locales, se utilizan detectores de Si siempre que no se requieran altas velocidades. Los detectores de Si deben tener una longitud de absorción (L) mayor que 10µm. Para longitudes de onda mayores, se utilizarán detectores de Ge. Una longitud de onda importante es la de 1,55µm utilizada en comunicaciones a larga distancia ya que las pérdidas de propagación en la fibra óptica a esa longitud de onda son mínimas. Para aplicaciones de alta velocidad se necesitan detectores de gap directo para poder disminuir las longitudes de absorción a una micra o menos. Por ello, los detectores de InGaAs son ampliamente utilizados en aplicaciones de comunicación a larga distancia. Para aplicaciones de visión nocturna se utilizan materiales como HgxCd1−xTe, InAs y InSb, que tienen un gap muy estrecho. Su problema principal es su alta corriente de oscuridad I0, que se reduce enfriando los dispositivos a temperaturas incluso por debajo de la del He líquido. Una vez elegido el material debemos, i) Minimizar la reflexión en la superficie. Esto se hace aplicando capas antireflectantes que pueden reducir la reflexión de un 40% a un 2% o 3%.

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ii)

Maximizar la absorción en la zona de agotamiento. Sin embargo, el incrementar la anchura de la zona de agotamiento no es una buena opción en lo que respecta a la velocidad del dispositivo. Se pueden utilizar espejos metálicos para incrementar la longitud de interacción óptica provocando que el haz óptico tome más de un camino a través del dispositivo. Minimizar la recombinación de portadores. Para mejorar el rendimiento es deseable disminuir la recombinación en la zona de agotamiento tanto como sea posible. Esto se consigue con el uso de materiales muy puros, sin impurezas, para evitar la existencia de estados energéticos intermedios dentro de la banda prohibida y así evitar que los portadores queden atrapados en estos. Minimizar el tiempo de tránsito. Si se pretende una alta velocidad, los tiempos de tránsito deben ser minimizados, lo que significa que la zona de agotamiento debe ser lo más corta posible y el campo eléctrico lo mayor posible.

iii)

iv)

Además de todo lo mencionado hasta ahora el tiempo de respuesta está determinado por el propio circuito teniendo en cuenta el circuito equivalente del diodo. Para conseguir una buena respuesta a alta frecuencia, se debe reducir la resistencia serie Rs y la capacidad de unión CD, lo que se consigue reduciendo el área A ya que si incrementamos W se aumenta el tiempo de tránsito (ver expresión de CD). Si se optimiza CD y Rs entonces la velocidad sólo está limitada por el tiempo de tránsito, que depende de la anchura de la zona de agotamiento W y de la velocidad de saturación. Luego, un buen funcionamiento a alta frecuencia requiere trabajar con zonas de agotamiento estrechas.

B.4.5.2.

La célula solar

Uno de los usos más importantes de los fotodiodos p-n es la conversión de energía luminosa en energía eléctrica. Esta aplicación del fotodiodo p-n se denomina célula solar. La célula solar funciona sin que se le aplique ningún tipo de fuente externa y es la energía luminosa la que se encarga de generar tensión entre sus bornes y corriente. Para calcular los parámetros más importantes de una célula solar consideremos primero un fotodiodo en circuito abierto de forma que su corriente I es cero. La ecuación que describe este estado es, (B.4.66) donde Voc es la tensión en bornes del fotodiodo, llamada tensión de circuito abierto. El valor de esta tensión es por tanto, (B.4.67) Para altas intensidades de luz, la tensión en circuito abierto puede ser tal que el producto eVoc alcance el valor de la anchura de la banda prohibida, Eg. En el caso de células B.4-25
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Tema B.4: Detección de luz e imágenes

solares de Si y con iluminación solar (sin absorción atmosférica), el valor de eVoc es de aproximadamente 0,7eV (Voc=0,7V). El segundo caso de importancia en la célula solar es cuando ésta está en cortocircuito y por tanto R = 0 y V = 0. La corriente de cortocircuito vale entonces I = Isc = IL (B.4.68)

Para caracterizar las células solares se suele representar la corriente suministrada por ella en función de la tensión en sus bornes.

Fig. B.4.20: Curva característica de una célula solar. Obsérvese el punto de máxima potencia.

También debemos conocer la potencia suministrada por la célula solar, (B.4.69) La potencia máxima se suministra a una tensión y una corriente determinada, Vm e Im como se muestra en la anterior figura. Este punto de la curva de la célula se llama punto de máxima potencia. El rendimiento de conversión de la célula solar se define como la relación de potencia óptica de entrada y la potencia eléctrica de salida. Cuando la célula funciona bajo condiciones de máxima potencia, el rendimiento de la conversión vale, (B.4.70) Otro parámetro muy utilizado es el factor de forma Ff, que se define como, (B.4.71) Normalmente suele valer Ff = 0,7.

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Tema B.4: Detección de luz e imágenes

Es importante tener en cuenta que fotones con una energía ω menor que el gap de energía de la banda prohibida (Eg), no generarán pares e-h. También se tendrá que fotones con una energía mayor que la anchura de la banda prohibida producirán electrones y huecos con la misma diferencia de energía (Eg) independientemente de lo grande que sea ω − Eg. La energía en exceso de ω − Eg se disipará en forma de calor. Por tanto el rendimiento de la célula solar dependerá de cómo de bien se ajusta el gap de energía de la banda prohibida al espectro de la luz solar incidente. En la siguiente figura se muestra el espectro de la luz solar. También se muestran las longitudes de onda de corte para el silicio y el GaAs. En las células solares de GaAs el ajuste es mejor por lo que proporcionan rendimientos superiores. Sin embargo, en la actualidad las células solares de GaAs son mucho más caras por lo que su uso está muy restringido, frente a las de Si que son mucho más económicas. En consecuencia, las células solares de GaAs se utilizan fundamentalmente en aplicaciones espaciales debido a su mayor rendimiento, mientras que las de silicio (o silicio amorfo) se utilizan en aplicaciones en las que el coste es un factor importante.

Fig. B.4.21: Espectro de la radiación de la luz solar con y sin absorción por parte de la atmósfera. También se muestran las longitudes de onda de corte de GaAs y Si.

En la práctica la célula solar es un componente de muy bajo rendimiento y se aplican muchas técnicas para mejorarlo. Tal y como hemos visto una célula solar únicamente puede capturar una pequeña fracción del espectro de emisión solar. Para mejorar el rendimiento, en lugar de utilizar una célula solar de una sola capa se puede utilizar una construcción multicapa en forma de sandwich. En ésta, las capas inferiores se diseñan para capturar la radiación que cae fuera del rango de respuesta de la capa superior. Cada capa responde a un segmento diferente del espectro solar y así se aprovecha mejor la radiación incidente. El rendimiento de una célula solar de una única capa es de alrededor del 12%, mientras que la de una de tres capas está entre el 18% y el 20%.

B.4-27
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Juan B.4.40 0. con resistencias de carga de 4.0 27. Si el fabricante no B.45 Io(mA) 78 70 60 Po(mW) 27. Esteban Sanchis / Prof. La potencia suministrada depende como hemos visto de la carga aplicada. Estas representan las siguientes condiciones de salida: RL (Ω) 4. ya que al punto de máximo potencia le corresponde una sola recta de carga.4: Detección de luz e imágenes Fig. produce la potencia de salida máxima. definida por el punto de cruce de la curva característica y los ejes I/V.CEF Tema B. Como se puede observar en el ejemplo.5 5.3 28.5Ω. La recta de carga que forma el área más grande. En la siguiente figura se muestran la curva característica de la célula solar Vactec VTS28 que tiene un área de 3.5 Vo(V) 0.22: Respuesta de una célula solar de una única capa y de una multicapa. Ejea 11-nov-08 . También se muestran tres rectas de carga. 5.23: Curva característica de la célula solar Vactec VTS28 que tiene un área de 3.5Ω.7Ω y 7. B. B. la representación de la potencia de salida es bastante plana y.0 Fig. en consecuencia.35 0.4-28 Prof.7 7.9cm2 y una corriente de cortocircuito de 86mA para una incidencia radiante (o irradiación) solar de 100mW/cm2 (a plena luz solar). la elección de la resistencia de carga no es muy crítica.4.9cm2 y una corriente de cortocircuito de 86mA para una incidencia radiante (o irradiación) solar de 100mW/cm2 (a plena luz solar).

El número de células en paralelo y en serie que se necesitan se calcula a partir de: y (B.72) En nuestro caso. VD: tensión deseada.24: Panel solar formado por múltiples células. Ejea 11-nov-08 . iD: corriente deseada. el valor de RLopt = 0. Cuando fotones con apropiada longitud de onda inciden sobre él. se generan pares electrón hueco que son arrastrados por el campo eléctrico. VL: tensión de salida de la célula.57/0.4. B. Esteban Sanchis / Prof.4. B.4.086 = 6. Un circuito típico de aplicación es el mostrado en (b) es donde se utiliza el cambio que experimenta la corriente eléctrica cuando se produce una incidencia luminosa. El resultado es un incremento en la conductividad del semiconductor (disminución de la resistividad y resistencia) y un cambio en la corriente externa I. es decir. B.CEF Tema B.6Ω. que los contactos metal-semiconductor no limitan el flujo de la corriente como sucede en el caso de una unión tipo Schottky.4. Fig. Además se necesitará más de una célula para obtener la tensión y corriente necesaria en una aplicación.73) donde. El fotoconductor o fotoresistencia Este dispositivo es muy sencillo y tiene la estructura que se muestra esquemáticamente en la siguiente figura donde dos electrodos se conectan al semiconductor.4-29 Prof. se puede escoger sin demasiado error la carga óptima igual a la resistencia Rs que vale: (B.4: Detección de luz e imágenes proporciona la curva característica de la célula o el punto de máxima potencia. Juan B. iL: corriente de salida de la célula. que tiene el coeficiente de absorción deseado sobre unas longitudes de onda de interés determinadas.6. Vamos a considerar que el fotoconductor presenta contactos óhmicos.

B. Fig. La corriente fotónica externa corresponde por tanto al flujo de muchos electrones por fotón absorbido. Ejea 11-nov-08 .25: a) Geometría de la fotorresistencia y b) circuito típico de aplicación. En ella. B. Pero la muestra sin embargo debe ser neutra lo que significa que debe entrar otro electrón en la muestra desde el electrodo negativo (b). De ahí que la ganancia dependa del tiempo de tránsito y de los tiempos efectivos de recombinación. Este nuevo electrón puede también moverse rápidamente por arrastre como antes y dejar la muestra mientras el hueco está todavía moviéndose lentamente por arrastre en la muestra (c). La velocidad de arrastre del electrón es superior a la del hueco por lo que el electrón abandona la muestra rápidamente. ya que la corriente fotónica externa es debida al flujo de más de un electrón por fotón absorbido. un fotón absorbido produce un electrón y un hueco. Con contactos óhmicos. y así sucesivamente hasta que el hueco alcanza el electrodo negativo o se recombina con alguno de estos electrones que entran a la muestra. así como de las movilidades de electrones y huecos.4: Detección de luz e imágenes Fig. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. Para comprender este efecto vamos a hacer uso de la siguiente figura. el fotoconductor presenta una ganancia fotoconductiva. lo que representa una ganancia.4. Por tanto. que se mueven por arrastre en sentidos contrarios (a).4.4-30 Prof.26: Un fotoconductor con contactos óhmicos (contactos que no limitan la entrada de portadores) presenta una ganancia. B.CEF Tema B. debe entrar otro electrón a la muestra para mantener la neutralidad.

Ejea 11-nov-08 (B.74) La señal óptica genera una densidad de portadores en exceso igual a δn = δp. Por otra parte.4-31 Prof.4. Por tanto.4. Haciendo uso de la anterior expresión.75) La velocidad de incremento en la concentración de portadores en exceso es igual a la velocidad de generación (luminosa) GL menos la velocidad de recombinación de tal exceso de portadores Re. la concentración de portadores en exceso vendrá dada por δp = δn = GL τ donde GL es la velocidad de generación de pares e-h. Juan B. Δσ = e δp(µn + µp) = e δn(µn + µp) En presencia de un campo eléctrico E. σ0 = e(µnn0 + µpp0) (B. la velocidad de recombinación de estos portadores en exceso es el cociente entre el exceso de portadores generados y el tiempo de vida media (τ. para los electrones: (B. Los portadores permanecerán en el semiconductor hasta que o bien se hayan recombinado o bien hayan sido extraídos del dispositivo por los contactos.CEF Tema B. la densidad de corriente J = I / A vale.4.79) (B.4: Detección de luz e imágenes Si suponemos que una muestra es súbitamente iluminada. se generarán pares e-h que aumentarán la conductividad del material. El cambio de conductividad del material debido a la señal óptica se llama fotoconductividad y viene dado por. σ = e[µn(n0 +δn) + µp(p0 + δp)] (B.77) donde τ es el tiempo efectivo de recombinación para los electrones en exceso.4.4. con lo que la conductividad después de la aplicación de la señal luminosa valdrá. En ausencia de luz la conductividad valdrá (n0 y p0 son las concentraciones de e y h en la oscuridad).78) (B.4.4. Esteban Sanchis / Prof. J = (Jd + JL) = (σ0 + Δσ)E B.76) En consecuencia se incrementará desde el instante en que se hace incidir la luz sobre el semiconductor hasta que se alcance el estado estacionario: (B.80) . Si se aplica un campo eléctrico externo los electrones y los huecos se moverán en sentidos contrarios dando lugar a una corriente. tiempo efectivo hasta la recombinación) de dichos portadores.

86) e IL puede escribirse: B. simplemente: (B.CEF Tema B. de pares electrónhueco) es: (B.4. Esteban Sanchis / Prof. La fotocorriente es pues.82) Sin embargo la velocidad de fotogeneración de electrones (es decir. µnE y µpE son las velocidades de saturación que son independientes del campo eléctrico.4: Detección de luz e imágenes donde Jd es la densidad de corriente en la oscuridad. La ganancia fotoconductiva será por tanto.4. El número de electrones por segundo que fluyen por el circuito externo puede ser obtenido a partir de la expresión de la fotocorriente: (B.4. Para campos eléctricos fuertes. Ejea 11-nov-08 .83) donde L es la longitud del fotoconductor.85) Hay que tener en cuenta que µnE y µpE son las velocidades de los electrones y huecos respectivamente y que puede que éstas no varíen linealmente con el campo eléctrico. Juan B.4.84) La ecuación anterior puede ser simplificada teniendo en cuenta los tiempos de tránsito (tiempo necesario para atravesar el semiconductor) de electrones y huecos que son: (B.4-32 Prof.4.4. Utilizando estos tiempos de tránsito la ganancia G queda: (B.81) (B. IL = JL A = Δσ⋅E⋅A =e⋅δp⋅ (µn + µp)⋅A⋅E = e GL τ⋅(µn + µp) A E donde A es el área del fotoconductor.

El tiempo de tránsito ttr. se pueden llegar a obtener ganancias de hasta 1000 o más.4. Ejea 11-nov-08 . Caracterización eléctrica de fotoconductores Como en la mayoría de los dispositivos fotónicos la respuesta espectral de los fotoconductores depende del gap de energía existente en el material.88) Es la llamada fotocorriente primaria ILP que sería la fotocorriente generada si G fuese la unidad. La aplicación de un campo eléctrico grande. mayor ruido.23 0.12 1. diodos p-n o p-i-n inversamente polarizados tienen corrientes de oscuridad muy bajas y por tanto una mejor relación señal/ruido.1.ancho de banda permanece constante. B. Aunque el detector fotoconductivo puede llegar a tener una gran ganancia.CEF Tema B. Por tanto el producto ganancia .4. es decir.89) Material PbSe PbS Ge Si CdSe CdS Gap de energía (eV) 0.4-33 Prof.80 2.4: Detección de luz e imágenes (B.40 λc (nm) 5390 2590 1850 1110 690 520 B. la velocidad de respuesta del dispositivo está limitada por el tiempo de recombinación de los portadores inyectados.6.87) donde ILp = e⋅GL⋅A⋅L (B. Juan B. En dispositivos de Si donde τ puede ser muy grande. La ganancia fotoconductiva puede ser bastante grande mientras se mantenga grande lo que requiere un tiempo de recombinación grande y un tiempo de tránsito corto. también presenta mucho ruido ya que tiene una gran corriente de oscuridad (como se puede comprobar a partir de la expresión de la conductividad). de forma que un τ mayor conduce a un dispositivo más lento. siendo la expresión que determina la longitud de onda de corte λc la vista con anterioridad: (B. Esteban Sanchis / Prof.67 1.e puede hacerse más corto aplicando un campo eléctrico mayor y disminuyendo la longitud L del canal fotoconductivo. por tanto.4. si la corriente fotónica externa fuese debida al flujo de un único electrón por fotón absorbido. puede conducir a un incremento en la corriente de oscuridad y. sin embargo. Por el contrario. Pero el aumento de ganancia se paga con una pérdida de velocidad.42 0.4. Por otra parte.

Ejea 11-nov-08 . Debido a que la anchura de la banda prohibida es baja.27: Respuesta espectral de varios materiales. estos materiales presentan corrientes térmicas muy altas y necesitan un buen sistema de refrigeración para su correcto funcionamiento.4.CEF Tema B. que suele darse normalizada D* para un detector de área AD y para una anchura de banda del ruido Δf: (B. Esteban Sanchis / Prof. B. La relación resistencia .91) donde. Fig. Para longitudes de onda menores que la máxima λc la responsividad disminuye de forma lineal con la longitud de onda. Los fotoconductores que utilizan un sistema de refrigeración y operan a temperaturas criogénicas alcanzan valores de detectividad normalizada por encima de 1011. Dicha magnitud es un parámetro útil cuando se comparan detectores similares bajo condiciones similares. Ea.iluminación se describe con la siguiente ecuación. estos últimos presentan ventajas frente a los detectores térmicos en aplicaciones donde se requiera una respuesta espectral no demasiado ancha. Juan B. Rb: resistencia (Ω) bajo iluminación Eb. Eb: iluminación (lx) y α: pendiente característica de la curva resistencia .90) La detectividad normalizada de los detectores mostrados en la tabla anterior varía entre aproximadamente 108 y 109. simplicidad y bajo coste.4-34 Prof.04eV que se corresponden con una máxima longitud de onda de respuesta de alrededor de 30µm.4: Detección de luz e imágenes Aparte de los materiales que se muestran en la tabla anterior existen dispositivos de Ge o Si dopado con gaps energéticos de hasta 0. La conductividad (o resistencia) de un fotoconductor aumenta (o disminuye) si aumenta la irradiación. En un detector se define la potencia equivalente del ruido (NEP) como la potencia aplicada al detector que produce una señal de salida igual al valor RMS del ruido de salida del detector. La recíproca del NEP es la detectividad D. En consecuencia.4. Un detector con un NEP menor indica que es más sensible al realizar las medidas.4. Ra: resistencia (Ω) bajo iluminación Ea. B. (B.iluminación. La relación es casi logarítmica en un rango muy amplio.

el fotoconductor requiere el uso de una fuente de polarización y una resistencia de carga RL.9. Fig.92) suele valer entre 0.CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 . la responsividad suele expresarse de forma relativa como el cambio relativo en la resistencia dividido por el cambio relativo en la iluminación (o flujo luminoso): (B.iluminación puede ser calculada de la siguiente forma: (B. sino que requieren un cambio en la tensión o en la corriente.4-35 Prof.4: Detección de luz e imágenes La pendiente α entre dos puntos a y b de la curva resistencia .28: Curva característica de iluminación/resistencia de una fotorresistencia.55 y 0. En los datos del fabricante generalmente se puede encontrar α y los valores de la resistencia para unos valores determinados de iluminación o una familia de curvas. En fotoconductores. El valor de la resistencia y su responsividad depende del material fotosensible y de la construcción del detector. También se suele dar información sobre la fuente de luz utilizada que suele ser tungsteno a una temperatura color de 2856K y que corresponde a una bombilla incandescente normal.4. B.4. Esteban Sanchis / Prof. Juan B.4.93) B. Como la mayor parte de los dispositivos conectados al detector no responden a un cambio en la resistencia.

Fig. B.4-36 Prof.4. Como la utilización del fotoconductor en un circuito con polarización requiere de una resistencia serie RL (Fig. Esteban Sanchis / Prof. (B.96) B. ΔRc/Rc: variación relativa de la resistencia.95) Por tanto para un fotoconductor con α = 0.29 (a) y (c)).94) y para valores pequeños de ΔRc/Rc y ΔE/E podemos hacer la siguiente aproximación. Ejea 11-nov-08 . Para α = 1. De acuerdo con esta definición.4.0 un aumento de iluminación del 10% disminuye la resistencia un 10%. si la iluminación cambia un 10% y la resistencia se modifica un 4%.CEF Tema B.4. (B.29: Circuitos de polarización de una fotorresistencia y sus curvas de respuesta. ΔE/E: cambio relativo de iluminación (o bien flujo luminoso). (B. la responsividad vale 0. B. A partir de la expresión de la relación resistencia iluminación obtenemos. la definición de responsividad se modifica ya que el cambio relativo en la resistencia se traduce ahora en un cambio relativo en la tensión de salida.4.4.5 un aumento de iluminación del 10% disminuye la resistencia un 5%. Juan B.4.4: Detección de luz e imágenes donde RERc: es la responsividad relativa.

no siendo pues muy útil el fotodetector para comunicaciones pues en estas se requiere una gran velocidad de transmisión de datos. Su utilidad se limita pues al control.30: Limites de potencia a disipar y tensión máxima de una fotorresistencia.CEF Tema B. B. Tampoco se debe exceder la potencia máxima que son capaces de disipar. Los fotodetectores están limitados en sus aplicaciones por la corriente máxima que circula por ellos así como la tensión máxima aplicable.4: Detección de luz e imágenes Así la responsividad relativa expresada en función de ΔRc es.4. lectura de tarjetas o aplicaciones similares. Estos dependen no únicamente del material semiconductor sino que varían de forma muy acusada con la iluminación. B. Juan B. deberemos elegir en cualquiera de los dos casos entre una mayor tensión de salida o una mayor responsividad. Por tanto. la responsividad aumenta al aumentar el valor de RL (RERL/RERC=RL/(RL+Rc)) aunque disminuye la tensión de salida. para cada uno de los circuitos: (B. es decir. En este caso.97) En el circuito (a) si aumentamos RL aumentará la tensión de salida pero al mismo tiempo disminuirá la responsividad. Fig. En el mejor de los casos son del orden de unos milisegundos.4-37 Prof. Suelen tener también unos márgenes muy amplios de tolerancias entre el 30% y el 50%. RERL/RERC = Rc/(RL+Rc) es el factor en el que disminuye la responsividad del circuito con respecto a la responsividad natural del fotoconductor. Ejea 11-nov-08 .4. En el caso del circuito de polarización (b) el comportamiento es el contrario al caso anterior. Los tiempos de subida y bajada también sufren de una gran tolerancia. pudiendo llegar a ser del orden de 1 segundo para bajos niveles de iluminación. Esteban Sanchis / Prof.

B. B. Su dependencia con la temperatura también es muy acusada y depende del material.32: Efectos de la temperatura sobre una fotorresistencia. Esteban Sanchis / Prof.4. por ejemplo. RL/RD puede llegar a valores de 5 para iluminaciones en el orden de 0. Si. iluminamos una fotoconductor con 1000lx durante varias horas y después se ilumina con 1lx la resistencia que medimos (RL) es mucho mayor que si la célula hubiese estado en la oscuridad (RD). Ejea 11-nov-08 .4-38 Prof.4: Detección de luz e imágenes Fig.31: Tiempos de subida y caída de una fotorresistencia típica. técnica de fabricación e iluminación. Esto hace que no pueda ser especificado para este tipo de detector un coeficiente de temperatura fijo.1lx.4. B. Un fenómeno muy característico de los fotoconductores es el efecto memoria y es que el valor de la resistencia depende de cual ha sido la iluminación anterior.CEF Tema B. Juan B. Fig.

sencillo y de larga duración. que ocurre en presencia de elevados campos eléctricos. Aún así es conveniente tener en cuenta en el diseño sus amplios márgenes de variación. Mientras que en el fotodiodo p-i-n la ganancia será como máximo uno. A los coeficientes de ionización por impacto de los electrones y huecos se les llama αimp y βimp respectivamente. pero en los APD es aprovechado para multiplicar los portadores generados por un fotón.hueco. B. Juan B. pero es muy económico.4.4-39 Prof.7. El proceso de multiplicación por avalancha requiere que el electrón inicial tenga una energía algo mayor que el gap de energía ya que tanto la energía como el momento deben ser conservados como ya se comentó en este tema. Esteban Sanchis / Prof.4: Detección de luz e imágenes Fig. En la siguiente figura se muestran sus valores para algunos semiconductores importantes. Normalmente este proceso. Ejea 11-nov-08 . limita el funcionamiento a alta potencia de los dispositivos electrónicos. B. El principio del efecto avalancha se produce cuando un electrón (hueco) altamente energético genera un par electrón . El fotodetector de avalancha Existe un tipo de fotodetector que en su funcionamiento emplea el efecto de avalancha a fin de obtener altas ganancias. Podemos pues concluir que el fotoconductor no es muy estable y por tanto poco útil para medidas precisas. en el fotodiodo de avalancha (APD). la ganancia puede ser muy grande.CEF Tema B. que dependen fuertemente de la anchura de la banda prohibida del material.4.33: Efecto memoria en una fotorresistencia. B.

7.4: Detección de luz e imágenes Fig. B. aunque el producto ganancia . Ejea 11-nov-08 . B. Juan B.1. como el proceso multiplicativo es un proceso estadístico. Además requieren tensiones inversas bastante elevadas para su funcionamiento y una temperatura estable.53Ga0.98) Debido a la multiplicación de portadores.CEF Tema B. Si el campo eléctrico es constante entonces αimp es constante y el número de veces que el electrón inicial provoca ionización por impacto al recorrer una distancia x es: (B. Los diodos p-i-n tienen en la actualidad una fiabilidad mayor que los APD lo que limita su uso a aplicaciones donde se requiere una alta ganancia. los APD tienen una muy alta ganancia y es por ello que son ampliamente utilizados en sistemas de comunicación óptica.47As y InP. Sin embargo. la generación de portadores presenta una fluctuación y la fotocorriente resultante tiene un exceso de ruido.ancho de banda se mantiene constante lo que nos indica que la detección de señales débiles se hace a costa de una reducida velocidad de respuesta. En general se diferencia entre la zona de absorción y la zona de avalancha (especialmente si la zona de absorción es mayor de una micra). Diseño de un APD Lo más importante de un APD es tener una zona de absorción que sea lo suficientemente ancha como para permitir la absorción.4. Para que se inicie el proceso de avalancha son necesarios campos eléctricos ≥105V/cm. Esta región debe tener una anchura de al menos ∼1/α(ω) y puede valer desde una micra para semiconductores de gap directo hasta varias decenas de micras para semiconductores de gap indirecto. Si. In0. Esteban Sanchis / Prof.34: Coeficientes de ionización por impacto de electrones y huecos a 300K en función del campo eléctrico para Ge.4. Los APD tienen una gran ganancia lo que nos permite detectar señales ópticas muy débiles.4. Es decir que el APD es un dispositivo bastante ruidoso. Si el campo no es uniforme en esta zona de B.4-40 Prof. debido a la dificultad de mantener un campo eléctrico muy grande constante en una región grande de absorción.

La zona n+ es estrecha y es la zona que es iluminada a través de una ventana. La distribución espacial de carga neta a través del APD se muestra en (b) y es debida a la concentración de impurezas dopantes ionizadas.4-41 Prof. + El campo eléctrico viene dado por la integración de la densidad espacial de carga neta ρnet a lo largo del diodo para una tensión de polarización inversa Vr aplicada (c). B. la zona de agotamiento se extiende por la zona π. El campo decae al final de la estrecha porción de la zona de agotamiento que se extiende sobre la capa p+. Esteban Sanchis / Prof. Pero.4.4: Detección de luz e imágenes absorción. Ésta es del tipo n -p-π-p+.CEF Tema B. B. En ausencia de polarización la zona de agotamiento de la unión n+-p está limitada a las zonas n+ y p. pudiendo incluso llegar a la p+. En la siguiente figura (a) se muestra la estructura de un APD de silicio. El campo eléctrico E es máximo en la unión metalúrgica de las zonas n+ y p. Εl diodo está inversamente polarizado para así incrementar el campo en la zona de agotamiento. A continuación se tienen tres capas de tipo p con diferentes niveles de dopado para modificar adecuadamente (como se verá a continuación) la distribución del campo eléctrico a lo largo del APD. no extendiéndose más allá de esta última capa. el campo eléctrico (presente en toda la zona de agotamiento) se extenderá desde la zona n+ en que se tienen impurezas dadoras ionizadas positivamente hasta la zona p+. Fig. se pueden producir oscilaciones de carga locales y la salida del dispositivo pasa a ser impredecible y difícil de controlar. En la capa π disminuye muy poco ya que la densidad espacial de carga en esta zona es muy pequeña. en que se tienen impurezas aceptoras ionizadas negativamente. b) Densidad de carga espacial neta a lo largo del APD. c) perfil del campo eléctrico donde se diferencian las zonas de absorción y de avalancha. Por tanto. disminuyendo lentamente a lo largo de la zona p.35: a) Esquema de APD polarizado para tener una ganancia por avalancha. Ejea 11-nov-08 . cuando la polarización inversa aplicada es suficiente. Juan B. La primera es una fina capa de tipo p y la segunda es una gruesa capa de tipo p muy débilmente dopada (casi intrínseca) llamada capa π y la tercera capa fuertemente dopada p+.

Estos nuevos pares electrón-hueco pueden de nuevo ser acelerados por el intenso campo eléctrico en esta región y alcanzar suficiente energía cinética para causar de nuevo ionización por impacto y producir más pares electrón-hueco lo que conduce a una avalancha de procesos de ionización por impacto. Por ello. Fig. Otra razón para mantener la fotogeneración dentro de la región π y razonablemente separada de la región de avalancha es la minimización del ruido.36: (a) Esquema del proceso de ionización por impacto.CEF Tema B.4. El factor multiplicativo M depende de la tensión de polarización inversa y también de la temperatura y puede expresarse de forma empírica como: B. La multiplicación de portadores en la región de avalancha depende de la probabilidad de que se produzca una ionización por impacto. por lo tanto. Por tanto. la multiplicación por avalancha es un proceso estadístico y. El APD posee un mecanismo de ganancia interno de forma que la absorción de un solo fotón conduce a la generación de un gran número de pares electrón-hueco. Por tanto. por tanto. están sujetos a un campo eléctrico todavía mayor y. es decir.4-42 Prof. que a su vez depende fuertemente del campo eléctrico en dicha región y. Esteban Sanchis / Prof. existe una fluctuación de la generación de portadores que conduce a un ruido presente en la fotocorriente. los pares electrón-hueco son arrastrados por dicho campo a velocidades de saturación hacia las capas n+ y p+ respectivamente. por ejemplo.99) donde Iph es la fotocorriente del APD resultado del proceso de multiplicación por avalancha e Ipho es la fotocorriente primaria sin multiplicaciones. En ésta. adquieren suficiente energía cinética (mayor que Eg) para ionizar por impacto y provocar la generación de un nuevo par electrón-hueco. la que es medida en ausencia de multiplicación por avalancha.4: Detección de luz e imágenes La absorción de fotones y. todos los cuales contribuyen a la fotocorriente observada. por tanto. Cuando los electrones arrastrados alcanzan la capa p. bajo una pequeña polarización inversa Vr. Este se puede minimizar si la ionización por impacto se restringe al portador con mayor coeficiente de ionización por impacto.4. Ejea 11-nov-08 . que para el caso del silicio es el electrón. a partir de un único electrón que entra en la capa p se puede generar un gran número de pares electrón-hueco. la estructura vista anteriormente del APD permite a los electrones fotogenerados alcanzar la región de avalancha pero no a los huecos fotogenerados. el campo es prácticamente uniforme y es posible diseñar la estructura de forma que sea bastante grande como para que todos los portadores se muevan con su velocidad de saturación (vs(e) o vs(h)). El factor multiplicativo por avalancha efectivo o conjunto M de un APD se define como: (B. por tanto. Tal y como se comentó. de la tensión de polarización inversa. la fotogeneración tiene lugar principalmente en la gruesa capa π. B. Juan B.

Las capas n+ y p son muy estrechas (<2µm) para reducir la absorción en dichas regiones de forma que la absorción ocurra fundamentalmente en la capa π más gruesa. Pero para B.4. El tiempo de respuesta de un APD a un pulso óptico es. Ejea 11-nov-08 . En el APD. algo mayor que el de una estructura p-i-n. Por tanto. Uno de los inconvenientes de esta simple estructura de APD es que el campo en las zonas laterales de la unión n+p alcanza su valor de ruptura por avalancha antes de que se alcance en las regiones de la unión n+p que están situadas bajo el área iluminada.4: Detección de luz e imágenes (B. el APD no requiere de una amplificación electrónica que sí necesita el fotodiodo p-i-n y que puede dar lugar a que la velocidad conjunta sea incluso inferior a la del APD. tanto Vbr como n dependen fuertemente de la temperatura. la avalancha queda más confinada a la región iluminada.CEF Tema B.37: (a) Estructura de un APD de Si sin guarda. I es la corriente total y n es un índice característico para ajustar los datos experimentales que depende a su vez de la temperatura. El segundo es el tiempo que tarda el proceso de avalancha en producirse en la región p y generar pares electrón-hueco.4-43 Prof. Sin embargo. por tanto. R es una resistencia efectiva de regiones semiconductoras más contactos.100) donde Vbr es la tensión de ruptura por avalancha. Fig. por tanto.4. Es por tanto muy importante mantener el dispositivo a una temperatura constante. En la práctica en un APD de silicio se colocan unas guardas en los laterales de la zona central n+ de forma que la tensión de ruptura en estos laterales sea mayor y. El primero es el tiempo que tarda el electrón fotogenerado en cruzar desde la región de absorción (capa π) hasta la región de multiplicación (capa p). Juan B. B. En el caso ideal la multiplicación por avalancha debería ocurrir únicamente y de forma uniforme en la región iluminada para favorecer la multiplicación por avalancha de la fotocorriente primaria y no se debería producir el efecto multiplicativo de la corriente de oscuridad (debida a pares electrón-hueco generados térmicamente) que es la que está presente en las zonas no iluminadas. En materiales de gap directo. por lo tanto. La velocidad de los APD depende de tres factores. (b) Estructura más práctica de un APD de Si. Esteban Sanchis / Prof. la ganancia dependerá mucho de la temperatura (además de la tensión inversa aplicada). en principio no es necesaria la gran zona de absorción vista con anterioridad y los dispositivos se pueden construir con zonas de absorción y avalancha finas (las cuales pueden llegar a ser incluso la misma región física). El tercero es el tiempo que tarda el último hueco producido en el proceso de avalancha en llegar hasta la región π.

B.4. Los fotones incidentes en la capa de InP no son absorbidos por el InP pues la energía del fotón es menor que la anchura de la banda prohibida de dicho material. El InP es el material que presenta una mayor anchura de la banda prohibida.CEF Tema B. Fig. en materiales de gap mayor mientras que la absorción tiene lugar en materiales de gap estrecho. Juan B. Estos son los APD basados en componentes de las columnas III y IV de la tabla periódica y se llaman SAM APD (separate absorption and multiplication). La multiplicación ocurre. Esteban Sanchis / Prof. tal y como también hemos visto para el APD de Si. El fototransistor Aunque el APD tiene una elevada ganancia. El proceso de avalancha ocurre en la zona InP y la absorción en la región InGaAs.4-44 Prof. por tanto. Se utiliza una región de dopado gradual para evitar que los huecos generados en la absorción queden atrapados en la discontinuidad existente en la banda de valencia entre el InGaAs y el InP. Un esquema se muestra en la siguiente figura. La utilización de transistores B. los campos eléctricos necesarios para producir una ionización por impacto producirían una corriente de pérdidas excesiva debido al efecto túnel entre bandas.4. por lo que la atraviesan y son absorbidos en la capa n− de InGaAs. Para evitarlo se utilizan dos zonas diferenciadas para la absorción y la multiplicación. es un dispositivo muy ruidoso debido a la naturaleza aleatoria del proceso de multiplicación de portadores. Ejea 11-nov-08 .8.4: Detección de luz e imágenes materiales de gap estrecho. El campo eléctrico es máximo en la unión p+-n− de InP y es allí donde tiene lugar el proceso de multiplicación por avalancha. B.38: Fotodiodo de avalancha tipo SAM.

Juan B. El campo eléctrico presente en la zona de agotamiento separa el electrón y el hueco arrastrándolos en sentidos opuestos. Como VBE+VBC=VCC. al iluminar la región de base. Esteban Sanchis / Prof.emisor lo que produce un incremento en la inyección de electrones en la base. lo que hace que el emisor tenga que inyectar un gran número de electrones para neutralizar este hueco extra en base.hueco. La fotogeneración de pares electrón . Estos electrones (excepto uno) se difunden a través de la base y alcanzan el colector. IE∝ . lo que disminuye la tensión VBC presente en la unión base-colector.CEF Tema B. la tensión base-emisor VBE debe aumentar. El movimiento de estos portadores da lugar a la llamada fotocorriente primaria Ipho que fluye desde el colector hacia la base.4-45 Prof. Luego se produce un incremento en la tensión de polarización directa de la unión base . Esta inyección de electrones en la base puede argumentarse también de la siguiente forma. Ejea 11-nov-08 . Esta fotocorriente primaria constituye de forma efectiva una corriente de base aunque la base esté sin conectar. Cuando.hueco en el colector disminuye la resistencia de esta región. (a) B. constituyendo una fotocorriente amplificada Iph.4: Detección de luz e imágenes bipolares como fototransistores permite también obtener ganancia debido al efecto transistor y además reduce considerablemente el ruido frente al APD. El principio básico de funcionamiento del fototransistor se muestra en la siguiente figura (b). se genera un par electrón . El terminal de base del fototransistor está generalmente sin conectar y se tiene una tensión aplicada entre los terminales de colector y emisor como ocurre en el normal funcionamiento de un BJT en configuración de emisor común. un fotón incidente es absorbido en la zona de agotamiento (SCL) entre base y colector. En un fototransistor ideal. el campo eléctrico está únicamente presente en las zonas de agotamiento (SCL = space charge layer). Esto es debido a que sólo una pequeña fracción de los electrones inyectados por el emisor pueden recombinarse con huecos presentes en la base. Cuando el hueco fotogenerado entra en la zona neutra de base arrastrado por el campo eléctrico constituye la corriente de base y provoca por el efecto transistor la inyección de gran cantidad de electrones desde el emisor.

teniendo además una B.4: Detección de luz e imágenes (b) Fig. Aunque tiene alta ganancia y bajo ruido. el uso del fototransistor está limitado por su alto tiempo de respuesta debido a la capacidad asociada a su unión b-c. Debido a estos tiempos de respuesta elevados no puede competir con el fotodiodo. Esteban Sanchis / Prof.4.4. B. Para proporcionar al transistor una sensibilidad direccional se suelen utilizar lentes. Ejea 11-nov-08 . La ganancia total se debe calcular multiplicando este resultado por η. La construcción del fototransistor es similar a la de un transistor ordinario salvo que se ilumina la región de base y se ha de tener en cuenta en su construcción que la absorción de la radiación incidente ha de ser en la unión base-colector.101) donde β es la ganancia en corriente (o hFE) del transistor.40: Fototransistor y su diagrama de detección de radiación. Juan B.4. B. b) principio de funcionamiento del fototransistor.39: a) Esquema del fototransistor. que corresponde a la fracción de luz absorbida por la unión b-c del transistor. Las pérdidas debido a la reflexión y transmisión a través del dispositivo reducen el valor de η que será menor que la unidad. Fig.CEF Tema B.4-46 Prof. Como la fotocorriente primaria Ipho generada por el fotón absorbido es amplificada como si fuese la corriente de base: (B.

La corriente de oscuridad se incrementa en un factor 10 por cada 20ºC de incremento de la temperatura ambiente. En el caso de un fototransistor.emisor.4. También es función de la caída de tensión colector . Ejea 11-nov-08 . Como en un fotodiodo.42: Curvas de corriente de oscuridad del fototransistor. Juan B. el tiempo de subida es mayor ya que se ve afectado por las capacidades de las uniones base-emisor y baseB. Las curvas del fototransistor son las mismas que las del transistor excepto que en vez de corriente de base se utiliza la irradiación para su caracterización. Fig.CEF Tema B. B. el tiempo de subida en un fotodiodo es bastante pequeño siendo una transición rápida.4-47 Prof.41: Curvas características del fototransistor.4: Detección de luz e imágenes menor linealidad. la corriente de oscuridad es el principal factor que limita la sensibilidad de la detección.4. Esta menor linealidad es debida principalmente a la no linealidad de β con la corriente de colector. Tal y como hemos visto con anterioridad. La corriente de oscuridad es función de la temperatura ambiente y de las condiciones de funcionamiento. Por tanto hay que tener en cuenta una gran variación de parámetros en el diseño con fototransistores. Esteban Sanchis / Prof. B. Fig. Por otra parte la tolerancia de la responsividad del fototransistor es muy alta (del −50% al +100%) y varía principalmente con el nivel de radiación y con la temperatura.

Sin embargo. Fig. B. Ejea 11-nov-08 . que presenta una impedancia de entrada muy baja.CEF Tema B. Un valor típico es del orden de pocos microsegundos.43: Curva típica del fototransistor de frecuencia de corte frente a resistencia de carga.4: Detección de luz e imágenes colector y por los tiempos de vida media de los portadores en la zona de agotamiento de la unión del transistor. La respuesta espectral de un fototransistor de Si cubre desde el rango de la luz visible hasta el infrarrojo como se muestra en la siguiente figura: B. Como la ganancia del fototransistor es proporcional al valor de la resistencia de carga.4. Fig.44: Circuito con fototransistor para funcionamiento a alta frecuencia.4. el problema puede ser solucionado utilizando un transistor en configuración de base común. Además. por lo que habría que buscar una solución de compromiso. mayor es el tiempo de subida y menor el ancho de banda del dispositivo. Cuanto mayor es la resistencia de carga. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. B. debido a la capacidad de la unión los tiempos de subida y de bajada dependen de la resistencia de carga.4-48 Prof. no es posible obtener una rápida respuesta y una alta ganancia.

La primera es una estructura de mesa con una capa n+ sobre un substrato semiaislante. Ejea 11-nov-08 . Como consecuencia. La capa activa que absorbe la luz está ligeramente dopada (Nd~1015cm−3) y se deposita sobre ella una fina capa de metal semitransparente. La película de metal es lo suficientemente gruesa para que se forme la barrera Schottky (de 300Å a 400Å) pero lo suficientemente delgada para que la atraviese la luz. Existen dos configuraciones. B.4.4-49 Prof. ⋅ω > Eg. Detectores metal . los portadores generados en la zona de agotamiento serán arrastrados fuera de dicha zona produciendo la corriente fotónica.semiconductor Estos fotodetectores se basan en el principio de los diodos Schottky. En la siguiente figura también se muestra el diagrama de bandas del dispositivo donde se puede observar la altura de la barrera Schottky e⋅φbn y la caída de potencial a lo largo de la barrera.4. Esta corriente se sumará a la corriente de oscuridad en el diodo en polarización inversa. aparecerá una fotocorriente que fluirá por el dispositivo.CEF Tema B.45: Respuesta espectral típica de un fototransistor de silicio. Como sucedía en el caso del fotodiodo. Su ventaja principal es que es un dispositivo de portadores mayoritarios por lo que no sufre retrasos debidos al tiempo de vida de los portadores minoritarios.4: Detección de luz e imágenes Fig.9. Se suele aplicar material dieléctrico antireflectante y el área del dispositivo se mantiene pequeña (del orden de 10−5cm2) para una mejor absorción de la luz. Esteban Sanchis / Prof. En este caso se producirán pares electrón . En este caso los electrones excitados pueden saltar la barrera Schottky. Juan B. B. éste puede responder de dos formas: i) ⋅ω > e⋅φbn. ii) B. Cuando incide la luz sobre el diodo.hueco en el semiconductor.

En dispositivos de alta velocidad la zona de agotamiento sólo mide unas pocas micras con lo que se obtienen altas velocidades (hasta 150GHz). toda la región entre los dos "dedos" constituye una zona de agotamiento en la que hay presente un campo eléctrico relativamente alto.CEF Tema B. una unión estará inversamente polarizada y la otra directamente polarizada. b) perfil de las bandas de energía del detector. Ejea 11-nov-08 . Otro tipo de detector basado en una unión metal-semiconductor es el metalsemiconductor-metal (MSM) en el que hay dos barreras Schottky cercanas la una a la otra. La distancia entre los "dedos" es pequeña (del orden de 1µm a 5µm) por lo que al aplicar una tensión de polarización entre los contactos. cuya densidad de corriente será: B. siendo cada uno de estos portadores arrastrado en un sentido diferente por el campo eléctrico y dando lugar a una corriente. Un fotón absorbido en la zona entre los "dedos" crea un par electrón-hueco. A los contactos metálicos planos se les llama "dedos" (fingers). como todo el semiconductor forma una zona de agotamiento.4. Tanto los electrodos como la región fotosensible están sobre la misma cara del semiconductor.47b). por lo que a esta estructura se la llama planar. Si en ausencia de luz se aplica una tensión de polarización a través de los "dedos". Esteban Sanchis / Prof. B. B. En la práctica se utiliza una estructura interdigitada como la mostrada en la siguiente figura. Juan B. Como consecuencia la corriente de oscuridad del dispositivo es el resultado de las corrientes de saturación de electrones y huecos. la corriente en la unión polarizada directamente no es la alta corriente de electrones de una unión polarizada directamente.4.4: Detección de luz e imágenes Fig.46: a) Esquema de un detector de barrera de tipo Schottky. Sin embargo.4-50 Prof. En su lugar tenemos una corriente debida a los huecos inyectados desde el metal sobre la barrera e⋅φbp (Fig.

102) donde y son las constantes de Richardson efectivas para el electrón y el hueco.4-51 Prof. por lo que se espera que un gran número de estos dispositivos compitan en el mercado en un futuro próximo.CEF Tema B. Un inconveniente que presenta es su relativamente baja responsividad. Esteban Sanchis / Prof.4. Se han fabricado tanto en sistemas de GaAs como InGaAs por lo que son aplicables tanto a redes locales como a comunicaciones a larga distancia. B.4. Debido también a su estructura planar su fabricación es más fácil. La densidad de corriente de oscuridad es normalmente mayor que la de los diodos p-i-n. Fig.10. Juan B. La fotocorriente suele ser muy pequeña y tiene que ser B. La ventaja de los detectores MSM es que presentan una ganancia interna incluso para bajos valores de la tensión de polarización.4: Detección de luz e imágenes (B. Sin embargo. que varía entre 0. b) perfil de bandas del fotodiodo MSM polarizado.7A/W. Ejea 11-nov-08 . Otra ventaja de este tipo de fotodetector es que su estructura planar da lugar a una baja capacidad parásita de forma que es posible obtener un mayor ancho de banda (300GHz). se pueden conseguir valores suficientemente bajos para la mayor parte de aplicaciones.4 y 0. El amplificador receptor Hasta ahora sólo hemos hablado de detectores pero también es importante tener en cuenta los amplificadores necesarios a continuación de la detección para procesar adecuadamente la información.4. B.47: a) Esquema del detector MSM utilizando "dedos" entrelazados Schottky. El estudio de los fotodetectores MSM continua en la actualidad estando en desarrollo todavía. valores para los que el proceso de ionización por impacto no puede tener lugar.

Es por ello que se suele utilizar un transistor de efecto de campo (FET) en el sistema preamplificador receptor pues ofrece un menor nivel de ruido. B. Por último un filtro limitará el ancho de banda del sistema receptor al valor elegido. fotoconductor n-i-n o un APD. Por esta razón por ejemplo. Fig.48: Esquema de un sistema receptor de señal óptica. además de poder trabajar hasta muy altas frecuencias. También los recientes avances en tecnología HBT están siendo explotados para su utilización en un sistema receptor integrado HBT-detector. La elección del transistor es muy importante en el diseño del receptor. B. A frecuencias mayores el ruido predominante es el del canal del transistor. La etapa de entrada está detallada. El detector p-i-n está basado en materiales de gap directo para tener una zona de absorción corta y alta velocidad y los APD están fabricados de Si. se utilizan fotodiodos p-i-n en lugar de APDs en comunicaciones ópticas a larga distancia bajo el mar.CEF Tema B. Después del preamplificador existirá un ecualizador que le dará al pulso de nuevo su forma original (pues éste es normalmente distorsionado en el proceso de detección) y a continuación el postamplificador amplificará el pulso hasta el nivel deseado. Los avances en tecnología FET han venido por la utilización de semiconductores compuestos y por el empleo de dispositivos basados en el uso de heteroestructuras como los MODFET. Juan B. A bajas frecuencias (aprox. 500MHz) el ruido dominante es el de la resistencia de carga. el cual queremos que tenga una alta ganancia y un bajo nivel de ruido.4-52 Prof. El esquema general de un sistema receptor se muestra en la siguiente figura. existen otras fuentes de ruido que limitan las prestaciones del sistema receptor. Para diodos p-i-n es imprescindible la amplificación ya que el dispositivo no presenta ganancia. Estas incluyen el ruido en la resistencia de carga RL y el ruido en el canal del transistor. En un APD es necesario mantener estables los valores de tensión y temperatura lo que hace que el sistema sea más caro y menos fiable (especialmente si éste está situado en una región de difícil acceso). Ejea 11-nov-08 . La amplificación es proporcionada por un transistor que puede ser un transistor de efecto de campo o un transistor bipolar. Los detectores p-i-n y APD son los detectores más utilizados en aplicaciones en que se requieren altas velocidades y alta sensibilidad. Ge y semiconductores compuestos como el InGaAs. Además del ruido del propio detector. Esteban Sanchis / Prof. Para sensibilidades altas.4.4: Detección de luz e imágenes amplificada. la ganancia interna puede ser proporcionada por un fototransistor.

c) efecto de una señal óptica. En un condensador MOS si le aplicamos tensión positiva con respecto al metal (para un semiconductor de Si de tipo p.semiconductor.4: Detección de luz e imágenes B. acumular electrones en el pozo de potencial.4. aparece un pozo de potencial bajo la puerta donde pueden quedar atrapados los electrones. Esta tecnología ha reemplazado los tubos de vacío por circuitos integrados que producen imágenes de alta resolución. Esteban Sanchis / Prof. Cuando incide una señal óptica en el condensador MOS.semiconductor (MIS) o metal . Los huecos generados son arrastrados lejos de la unión óxido .óxido . B.aislante .semiconductor debido a la B. Fig.4-53 Prof. negativa para Si de tipo n) a la puerta para generar un zona de agotamiento en el semiconductor.e. Dispositivos de carga acoplada (CCD) La tecnología CCD se basa en la necesidad de tener que detectar toda una imagen y por tanto utilizar muchos detectores formando una matriz que transfieren su información a una memoria. se crean pares electrón-hueco como en cualquier otro semiconductor y los electrones caen en el pozo de potencial.CEF Tema B. b) perfil de banda de un condensador MOS con polarización positiva y sin luz.11. En la actualidad existen CCDs de hasta 2 millones de pixels. i. El elemento principal de la tecnología CCD es la capacidad que aparece en uniones metal .49: a) Condensador MOS. Juan B.4. Ejea 11-nov-08 .

la barrera para la carga de electrones de la derecha desaparecerá y los electrones caerán en el pozo de potencial de la tercera capacidad MOS.4. B.4-54 Prof. Esteban Sanchis / Prof. Esta secuencia de paquetes de carga crea una señal eléctrica que puede ser almacenada en una memoria para ser rellamada más tarde si fuera necesario.CEF Tema B. La carga de los electrones almacenados en el pozo es proporcional a la luz incidente y por tanto da información del nivel de gris de la imagen. Fig.51: a) Matriz CCD donde cada condensador está conectado a su tercer vecino. Para ello hay que cambiar los potenciales aplicados a la puerta en una secuencia de reloj.4: Detección de luz e imágenes presencia del campo eléctrico. Si la tensión V3 en la siguiente puerta se incrementa a un valor mayor que V2 (por ejemplo V1=5V. En la figura tenemos representado el caso en que en la zona intermedia V2 tenemos un exceso de electrones bajo la puerta. podemos transferir la información de cada condensador hacia el exterior. Fig. b) evolución de la carga del condensador dependiendo de la secuencia de tensión aplicada mostrada en c).4. B. Juan B. Ejea 11-nov-08 . y V3=15V). En una CCD se conecta una matriz de condensadores MOS. B.50: Matriz de condensadores MIS (metal-insulator-semiconductor) donde aplicando una tensión apropiada a cada condensador. como se muestra en la siguiente figura y se expone dicha matriz a una imagen durante un cierto tiempo. para a continuación transferir las cargas producidas en cada condensador MOS a una memoria. V2=10V. se tiene una transferencia de carga. En consecuencia.

12. pero las técnicas actuales aún no producen resultados lo suficientemente satisfactorios.4: Detección de luz e imágenes B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. Para estas técnicas se utilizan materiales de gap estrecho como las aleaciones de HgCdTe o InAsSb. En la actualidad también se están estudiando estructuras avanzadas de pozos cuánticos. Estos materiales no son muy duros y por tanto más propensos a defectos y de difícil procesado. La velocidad de los detectores está controlada por la constante de tiempo RC y por el tiempo de tránsito de los portadores.4-55 Prof. Estas longitudes de onda son importantes en la visión nocturna. Por tanto el diseño de la velocidad del dispositivo se hace empleando las mismas ya conocidas técnicas aplicadas a semiconductores. B. Juan B. En la actualidad se está investigando en integrar transistores a los detectores para obtener mejores ganancias. ya que las estructuras híbridas aún son superiores a los integrados optoelectrónicos. Los dispositivos se hacen lo más pequeños posibles y para materiales como el InGaAs se consiguen anchos de banda de hasta 150MHz. Detectores avanzados Los aspectos más importantes a tener en cuenta en un detector son: i) ii) iii) la capacidad de sintonizarlos velocidad integración El primero de los aspectos.4.CEF Tema B. la posibilidad de sintonizar un detector se puede realizar utilizando distintos materiales con diferentes gaps energéticos que permiten detectar fotones de diferentes energías. Para alta velocidad e integración se utilizan los diodos Schottky con los que se ha llegado a alcanzar anchos de banda de hasta 150GHz. En la actualidad lo más problemático es la detección de longitudes de onda largas. la visión térmica (médica) y visión a través de la niebla.

La carga correspondiente a los portadores minoritarios inyectados en cada una de estas zonas se recombina con la correspondiente a la de los portadores mayoritarios bien en la zona de agotamiento o bien en las zonas neutras. Los haces ópticos son necesarios también en sistemas de memoria basados en lectura óptica. Materiales para los LEDs La simplicidad del LED lo hace muy atractivo como componente para la visualización y las aplicaciones de comunicación. Juan B. Aunque sus desventajas son una baja señal óptica. esta recombinación da lugar a una emisión de luz (fotones).2.5.1. La estructura básica de un LED es una unión p-n la cual está directamente polarizada inyectándose electrones y huecos en las zonas p y n respectivamente. la mayor parte de las recombinaciones tiene un rendimiento muy bajo generando mas bien calor que luz. las consideraciones a tener en cuenta a la hora de elegir un material para la fabricación de LEDs son las siguientes. Así. Los dispositivos emisores de luz (LEDs) son una de las clases de dispositivos que ha dado mayor ímpetu a la industria de los componentes semiconductores. Las señales ópticas se utilizan en comunicaciones donde los resultados que se obtienen al utilizar fibras ópticas para la transmisión de la información son mucho mejores que los obtenidos mediante la utilización de cables metálicos. El LED puede operar hasta frecuencias de modulación de 1GHz. Ejea 11-nov-08 . dicho material que domina todas las demás áreas de la electrónica. es decir. un espectro muy ancho y de luz no coherente y una respuesta bastante lenta. para el ojo humano representa un solo color. Esteban Sanchis / Prof. En semiconductores de gap directo. Introducción Una importante componente del procesado óptico de la información es la generación de señales ópticas. Sin embargo.5. Como el silicio (Si) es un material de gap indirecto. no es un material utilizado cuando se habla de emisión de luz (LEDs). El diodo de emisión de luz (LED) B. El diodo emisor de luz o LED es uno de los dispositivos fotónicos más sencillos y tiene importantes aplicaciones tanto para visualización como para generar señales ópticas en comunicaciones. Comparado con el diodo láser (LD) su fabricación es mucho más sencilla pues no requiere una cavidad óptica especial para su funcionamiento. que en estos materiales de alta calidad domina la recombinación radiante. B.5. en materiales de gap indirecto el rendimiento de la emisión de luz es bastante pobre. B. y la recombinación radiante en él es muy pobre. Como aplicación reciente cabe destacar la utilización de LEDs como luces traseras en vehículos y en semáforos. Las señales ópticas son necesarias para la proyección de la información en dispositivos visualizadores.B.5-1 Prof. Aunque esto es un espectro bastante amplio. La anchura espectral de la señal óptica de un LED es del orden de kBT lo que se traduce en un margen de longitudes de onda entre 200Å -300Å a temperatura ambiente.

Juan B. Existen unos pocos semiconductores y aleaciones de estos que presentan estructuras cristalinas congruentes con estos substratos. Las aleaciones de GaxAl1−xAs se acoplan muy bien a substratos de GaAs.3µm pues en dichas longitudes de onda se tienen dos mínimos en la representación de las pérdidas en la fibra óptica como se puede observar en la siguiente figura.52Al0. Esteban Sanchis / Prof. Fig. Esto es especialmente cierto en comunicaciones a larga distancia.5-2 Prof. A menudo se seleccionan aleaciones de materiales ya que tienen una mayor flexibilidad en el rango de anchuras de banda asequibles. Las pérdidas son principalmente por absorción y scattering.53Ga0. En tecnología de crecimiento epitaxial es muy importante la disponibilidad de substratos de alta calidad.55µm o 1.1: Atenuación óptica frente a la longitud de onda para una fibra óptica.5: El diodo emisor de luz (LED) Energía de emisión: La luz emitida por un dispositivo es cercana a la anchura de la banda prohibida del semiconductor. B. si se requieren fuentes para comunicaciones ópticas se han de elegir materiales que puedan emitir en las longitudes de onda de 1. Materiales que no se acoplen bien a estos dos últimos materiales tienen un problema por las técnicas de fabricación existentes en la actualidad. éste podrá presentar dislocaciones u otro tipo de defectos que pueden afectar seriamente a su funcionamiento. El deseo de tener una emisión energética particular tiene una serie de motivaciones. Disponibilidad del substrato: Casi todas las fuentes luminosas en optoelectrónica dependen de las técnicas de crecimiento epitaxial cristalino empleadas en las que se produce el crecimiento de una fina capa activa (de pocas micras) sobre un substrato (el cual es de alrededor de 200µm). Si no es posible encontrar un substrato cuya estructura cristalina sea congruente con la de la capa activa del dispositivo. las de In0. de cientos o incluso miles de kilómetros. Por otra parte. Por una parte si buscamos colores determinados para la emisión de luz se debe elegir un material para cada color. el InGaAsP es un material compuesto de cuatro elementos cuya composición se puede adaptar para acoplarse bien al InP B. Los substratos más importantes disponibles para su aplicación en emisión luminosa son el GaAs y el InP.8µm.47As y In0.5.48As se acoplan bien al substrato de InP.CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 . es decir. Materiales como el GaAs que emiten a 0. pueden todavía ser utilizados en redes locales (LANs) para comunicaciones dentro de un edificio o un área local.

Las velocidades de absorción o de emisión son. Fig. sin embargo. Se observa que pasa de directo a indirecto.CEF Tema B. Es importante también tener en cuenta que aleaciones como GaAlAs y GaAsP pasan de ser semiconductores directos a indirectos según las relaciones de la aleación como puede ser visto en la siguiente figura. que constituyen un punto intermedio en el camino del electrón bien hacia la banda de conducción o hacia la de valencia.55µm. estos pueden ser utilizados en la fabricación de LEDs pero no en la de diodos láser en que se requieren eficiencias radiantes mayores. Algunos materiales de gap indirecto. más pequeñas que en semiconductores de gap directo. ZnS. Funcionamiento del LED El LED es una unión p-n directamente polarizada en la que se inyectan electrones y huecos en una región en donde se recombinan. pueden tener también una eficiencia radiante razonable si se dopan con unas impurezas adecuadas. Esteban Sanchis / Prof. Estas impurezas crean niveles energéticos en la banda prohibida.2: Gap energético de a) AlxGa1−xAs y b) GaAs1−xPx en función de la composición de la aleación. la B.5: El diodo emisor de luz (LED) emitiendo a 1. En una recombinación radiante electrón y hueco se recombinan emitiendo un fotón. B. AlInGaP y GaN capaces de emitir luz azul o verde. Es posible también ya encontrar en el mercado LEDs de SiC y de GaN aunque sólo por parte de determinados fabricantes. la conservación del momento causa que en semiconductores de gap directo se produzcan fuertes transiciones radiantes. la recombinación se puede producir por procesos radiantes o no radiantes. Ejea 11-nov-08 . SiC. Para una eficiente emisión de luz necesitamos trabajar en el caso de semiconductor directo.5. Juan B. Como vimos en el anterior tema. sin embargo.5-3 Prof. El motivo es permitir avances en la tecnología de los visualizadores y en aplicaciones de memoria óptica de alta densidad (una longitud de onda más corta permite la lectura de características más pequeñas).5. En general. Como la eficiencia de la emisión de luz es pobre en estos materiales. En la actualidad está aumentando el interés por los materiales con grandes gaps de energía tales como ZnSe.3. En una recombinación no radiante. y por último está el GaAsP que presenta un amplio rango de variación de anchuras de banda prohibida disponibles. B.

En condiciones de polarización directa los electrones son inyectados desde la zona n a la p mientras que los huecos son inyectados desde la zona p a la n.3: Figura en que se observa la inyección de portadores en una unión. Juan B. un diodo p-n directamente polarizado. Esteban Sanchis / Prof.1. bien por recombinación no radiante. iii) Corriente de recombinación en la zona de agotamiento de anchura W debida a la presencia de impurezas o defectos que permiten la B.5. Los electrones y los huecos inyectados como portadores minoritarios atraviesan la unión y se recombinan bien por recombinación radiante. La corriente de polarización directa. Los fotones generados por los electrones al estar más cerca de la superficie sí que serán emitidos al exterior.2) En semiconductores directos de alta calidad. la eficiencia cuántica interna es cercana a la unidad. en esencia. B. B. Ejea 11-nov-08 . El diodo debe ser diseñado para que la recombinación radiante sea lo más fuerte posible.5.5-4 Prof.5: El diodo emisor de luz (LED) recombinación da lugar a calor o vibraciones de la estructura. En materiales indirectos el rendimiento es del orden de 10−2 a 10−3. Los huecos inyectados en la zona profunda generan fotones que no saldrán a la superficie por ser reabsorbidos. Inyección de portadores y emisión espontánea El LED es. Se puede definir un tiempo de vida para los portadores que se recombinen de forma radiante (τr) y otro para los que se recombinen de forma no radiante (τnr) siendo el tiempo de recombinación total (para por ejemplo un electrón τn): (B.5.1) La eficiencia cuántica interna para el proceso radiante se define entonces como (B. Fig.5.3. ii) Corriente de difusión de los huecos inyectados a través de la unión a la zona n. en general consta de tres componentes: i) Corriente de difusión de los electrones inyectados a través de la unión a la zona p.CEF Tema B.

5: El diodo emisor de luz (LED) existencia de niveles energéticos en la banda prohibida. np y pn son las concentraciones de electrones y huecos en las zonas neutras p y n alejadas de la unión. ya que en este último caso tendrían una alta posibilidad de ser absorbidos antes de emerger.5.CEF Tema B. de forma que la corriente pase a estar dominada por los electrones (es decir Jn>>Jp).4) (B. Las densidades de estas tres corrientes son: (B. B.5. Esteban Sanchis / Prof. ni la concentración intrínseca y τ el tiempo de recombinación en la zona de agotamiento el cual depende de la concentración de estados energéticos intermedios.3) (B. Concentraciones en exceso de portadores minoritarios inyectados y longitudes de difusión Ln y Lp para una unión de tipo p+n (pn>>np). Juan B.4: Unión p-n directamente polarizada. En consecuencia es preferible que la inyección de electrones en la zona p sea mucho mayor que la de huecos en la zona n. Ejea 11-nov-08 .5) donde Jn y Jp son las densidades de corriente de difusión de electrones y de huecos. Dn y Dp son las constantes de difusión de electrones y huecos en las regiones p y n. B.5. La relación de la densidad de corriente de electrones frente a la densidad de corriente total. El LED se diseña de forma que los fotones se emiten desde la parte superior del diodo (zona p) y no de la parte inferior (n). Fig.5-5 Prof. V es la tensión aplicada.5. se llama eficiencia de la inyección γiny. W la anchura de la zona de agotamiento.

5-6 Prof. Una vez se hayan inyectado los portadores minoritarios (electrones) en la región dopada neutra (tipo p). Fig. el proceso de recombinación radiante es un proceso "vertical" en k. es decir.5.5.8) B. el valor de k para el electrón y el hueco en las bandas de conducción y valencia respectivamente es el mismo. Si además el material es de alta calidad de manera que la corriente de recombinación en la región espacial de carga es muy pequeña.5. Las energías del electrón y del hueco se relacionan con la energía del fotón por las relaciones. B. El proceso de recombinación radiante fue introducido en el anterior tema y vamos a comentarlo de nuevo brevemente para semiconductores de gap directo.7) donde mr* es la masa reducida para el sistema electrón-hueco. la energía del fotón está relacionada con las energías de electrón y hueco a partir de la expresión. electrones y huecos se recombinarán produciendo fotones. Como puede observarse en la siguiente figura. np>>pn y entonces como puede ser visto a partir de las fórmulas anteriores la inyección de electrones en la zona p es mucho mayor que la de huecos en la n y Jn>>Jp. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. Estos también pueden recombinarse de forma no radiante debido a la presencia de defectos o mediante fonones.5. (B.5: El diodo emisor de luz (LED) (B.5: Diagrama E-k para las bandas de valencia y conducción. Como se comentó. (B. la eficiencia de la inyección valdrá casi uno.6) Si el diodo es de tipo pn+. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B.

provoca un incremento en la velocidad de recombinación que viene dada por: (B.66) vale.5. m0 la masa del electrón libre y pcv es el elemento de la matriz de momento entre la banda de valencia y la banda de conducción. emisión espontánea) se define como: (B. Hay dos clases diferentes de procesos de emisión.5.13) Este incremento en la velocidad de recombinación es pues proporcional a la concentración de fotones ya presente en la cavidad nph. aunque no haya fotones presentes. y emite un fotón.5. Juan B.10) donde nr es el índice de refracción del semiconductor.5.CEF Tema B.5.5-7 Prof. Esteban Sanchis / Prof.66) será (ω en eV): (B. es decir. La velocidad de este proceso de recombinación radiante viene dada por la siguiente expresión: (B.15) B. El tiempo de recombinación de un electrón de momento k con un hueco con el mismo momento (en ausencia de fotones. la velocidad de recombinación radiante para el GaAs (nr = 3.9) Si tenemos un electrón en la banda de conducción y un hueco en la banda de valencia con el mismo valor de k.14·109 ω (eV) s−1 (B. ~1. El primero es la emisión espontánea (la cual vamos a tratar en este tema). Se puede comprobar que pcv no varía mucho de un semiconductor a otro y tiene un valor que viene dado por (B.5: El diodo emisor de luz (LED) (B.12) El segundo proceso de emisión es la emisión estimulada.5. en la que un electrón se recombina con un hueco. Ejea 11-nov-08 . la presencia de fotones de frecuencia ω en una cavidad en el semiconductor. de la cual hablaremos con mayor profundidad en el siguiente tema.14) A partir de esta definición su valor para el GaAs (nr = 3.5. En éste proceso.11) Por tanto. los dos pueden recombinarse y emitir un fotón.

este tiempo de recombinación radiante es el menor tiempo posible para el caso de emisión espontánea. Esto implica que la concentración de fotones emitidos es bastante baja de forma que la emisión estimulada no es significativa. Si la probabilidad de encontrar un hueco es pequeña.16) donde Nn(E) es la densidad de estados energéticos permitidos en un sistema tridimensional para el electrón dentro de la banda de conducción y es la función de distribución de Fermi-Dirac la cual nos proporciona la probabilidad de encontrar un electrón en un estado con energía E.18) B. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Juan B. Esto sucede cuando en la región hay una alta concentración de electrones y huecos. ya que hemos supuesto que el electrón tiene una probabilidad unidad de encontrar un hueco con su mismo valor de k. La frecuencia de emisión de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinación radiante.17) (B. Hemos supuesto también que la recombinación electrón . la cual viene dada por el producto: (B. En consecuencia.5-8 Prof. Los fotones emitidos abandonan el volumen del dispositivo de forma que la concentración de fotones nunca es alta en la región en que se produce la recombinación electrón-hueco.hueco da lugar a un proceso de emisión espontánea.5.5. una alta inyección de electrones y huecos o cuando se inyectan portadores minoritarios en una región que presenta una gran concentración de portadores mayoritarios (altamente dopada).hueco puede llegar a ser bastante más pequeño que τ0 dependiendo de la intensidad de fotones presente en la cavidad. como veremos en el siguiente tema. el valor de τ0 es de alrededor de 1ns mientras que para materiales indirectos el tiempo de recombinación radiante puede llegar a ser del orden de 1µs. Determinación de los pares electrón-hueco involucrados en el proceso: Para la obtención de los pares electrón-hueco hay que tener en cuenta que el diagrama E-k de las bandas de energía nos dice que los electrones en la banda de conducción Nn(E) y los huecos en la de valencia Np(E) presentan una distribución según su energía. La concentración de electrones en la banda de conducción en función de la energía es una función n(E). Ya veremos que en el caso de emisión estimulada el tiempo de recombinación electrón .5: El diodo emisor de luz (LED) En la definición de τ0 se ha supuesto que el electrón siempre puede encontrar un hueco con el que recombinarse. el tiempo de recombinación radiante puede ser mucho mayor. Esteban Sanchis / Prof. es decir. Wem sobre todas las energías (E=ħω) considerando todos los pares electrón-hueco con las probabilidades de ocupación de los estados energéticos correspondientes. Sus valores son: (B. En un diodo láser la situación será diferente. Para materiales como el GaAs.5.

5.21) B.5-9 Prof.20) donde Np(E) es la densidad de estados energéticos permitidos dentro de la banda de valencia y ƒh(E) es la probabilidad de encontrar un hueco en un estado con energía E. Esteban Sanchis / Prof. La función n(E) es la que está representada en la parte superior (banda de conducción) de la siguiente figura (b) mientras que el área sombreada representa la concentración total de electrones en la banda de conducción n. Ejea 11-nov-08 .5. la cual no es más que: (B.19) donde NC es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de conducción.5.5.CEF Tema B. (a) (b) Fig. En un semiconductor intrínseco está en el centro de la banda prohibida. Juan B. en un semiconductor de tipo n está cercano a EC y en un semiconductor de tipo p está próximo a Ev. que es aquel cuya probabilidad de ocupación es del 50% como puede observarse a partir de la expresión de ƒe(E). la cual viene dada por el producto: (B.5: El diodo emisor de luz (LED) donde EF representa el llamado nivel energético de Fermi. La concentración de huecos en la banda de valencia en función de la energía es una función p(E). Sus valores son: (B. B.6: (a) Diagrama E-k de bandas de energía donde se muestran las funciones Nn(E) y Np(E) correspondientes a la densidad de estados energéticos permitidos en las bandas de conducción y de valencia (b)Representación de las concentraciones de portadores (electrones y huecos) en las bandas de conducción y de valencia en función de la energía.

A partir de esta expresión. i) Si la concentración de electrones.22) (B. el producto ƒe(Ee)·ƒh(Eh) mayor será la probabilidad de emisión de fotones. y de huecos. B. Obviamente cuanto mayor sean dichas probabilidades. Juan B.5. La frecuencia de emisión de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinación radiante. podríamos definir la vida media de un único electrón inyectado en una región p ligeramente dopada (p=Na ≤ 1017cm-3) con concentración de huecos p. Wem sobre todas las energías (E=ħω) considerando todos los pares electrón-hueco con las probabilidades de ocupación de los estados energéticos correspondientes. p. Tal y como hemos visto ƒe(Ee) es la probabilidad de ocupación de un estado energético de valor Ee en la banda de conducción por parte de electrones y ƒh(Eh) la probabilidad de que haya huecos con nivel energético en la banda de valencia. que vendría dada por.24) donde se ha hecho uso de que Wem = 1/τ0 y Ncv(ħω)es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interacción de electrones y huecos de energía específica) cuyo valor es: (B. (B.26) La frecuencia de emisión de fotones dependerá del producto de las concentraciones de electrones y huecos.5. Esteban Sanchis / Prof. es decir.25) El resultado de este proceso de integración nos da los límites más importantes para el caso de emisión espontánea.5.5: El diodo emisor de luz (LED) ƒh(E)=1−ƒe(E) La concentración total de huecos en la banda de valencia p.5.5. n.23) donde Nv es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de valencia. es pequeña la frecuencia de emisión de fotones vale. Determinación de la frecuencia de emisión de fotones (por unidad de volumen) Rspon. Ejea 11-nov-08 . es decir: (B.5-10 Prof.CEF Tema B. no es más que: (B.

5-11 Prof.28) para una concentración n de electrones inyectados en la región de tipo p altamente dopada y (B. la frecuencia de emisión vale.5. En este régimen de funcionamiento el tiempo de vida de un único electrón (hueco) es independiente de los huecos (electrones) presentes. Esteban Sanchis / Prof. En ese caso. Ejea 11-nov-08 . B. también tienen gran importancia en los LEDs.30) y el tiempo de vida (n/Rspon=p/Rspon) radiante es τ0. (B.CEF Tema B.27) El tiempo τr en este régimen es muy grande (cientos de nanosegundos) y disminuye conforme aumenta p.5.5. ƒh(Eh) = ƒe(Ee) =1. ya que la probabilidad de que el electrón (hueco) encuentre un hueco (electrón) es la unidad. n/Rspon y p/Rspon).5: El diodo emisor de luz (LED) (B. iii) Régimen de alta inyección. (B. el tiempo de vida es entonces en esencia τ0 como se puede observar en la siguiente figura.5.29) para inyección de huecos en una región altamente dopada de tipo n. ii) En el caso de que se inyecten electrones en una zona p altamente dopada (o huecos en una zona de tipo n altamente dopada). Juan B. la función ƒh(Eh) (o ƒe(Ee)) puede considerarse que vale la unidad y la frecuencia de emisión espontánea valdrá. Este caso es importante cuando se produce la inyección de una alta concentración tanto de electrones como de huecos (n = p) en una determinada región. Los tiempos de vida de los portadores minoritarios (es decir. Por tanto. Podemos suponer que la probabilidad de ocupación de los estados energéticos de electrón y hueco en bandas de conducción y de valencia es la unidad. que ya sabemos que juegan un papel muy importante en dispositivos de portadores minoritarios como el diodo o el transistor bipolar.

5. iv) Un régimen que es bastante importante para el funcionamiento de los diodos láser es cuando se inyectan suficientes electrones y huecos para provocar lo que se llama una inversión. no hay probabilidad de encontrar electrones en la banda de conducción ni huecos en la banda de valencia a esas energías la probabilidad de emisión es cero y la de absorción es la unidad por lo que la ganancia es negativa y de valor −α(ħω).32) Esta condición es llamada inversión de población. La densidad de portadores puede ser producida por inyección (n=p) o por dopado tipo n en cuyo caso el tiempo de vida radiante corresponde al del portador minoritario (hueco).5-12 Prof. Esteban Sanchis / Prof. la probabilidad de absorción será mayor cuanto mayor sea el producto (1−ƒe(Ee))·(1−ƒh(Eh)).CEF Tema B. ya que la probabilidad de ocupación por parte de electrones de los estados energéticos Ee en la banda de conducción es mayor que la de que estén ocupados por electrones los estados energéticos Eh en la banda de valencia. únicamente tenemos absorción.5. la probabilidad de emisión de fotones será mayor cuanto mayor sea el producto ƒe(Ee)·ƒh(Eh).5. Un valor positivo de la ganancia se tendrá cuando se cumpla que: (B. Tal y como hemos dicho anteriormente. Juan B. Por el contrario. En este caso la luz que pase por el material tendrá una dependencia espacial: B. un haz óptico crecerá al moverse a través del material en lugar de decaer. podemos definir una ganancia del material que dependerá de la diferencia entre los procesos de emisión y absorción. Ejea 11-nov-08 .7: Tiempo de vida radiante de electrones o huecos en GaAs (semiconductor de gap directo) a 300K en función de la densidad de portadores. En consecuencia la ganancia g (ω) es proporcional a la diferencia de ambas: (B. es decir. es decir. En el caso del diodo láser los pares electrón . B.5: El diodo emisor de luz (LED) Fig. Por tanto. Si la ganancia es positiva.31) Si ƒe(Ee)=0 y ƒh(Eh)=0.hueco que se recombinan emiten fotones que son absorbidos posteriormente.

Al tratarse de una unión pn+. Eficiencia cuántica externa Ya hemos visto como se generan los fotones en un LED.5. de Jn y γiny.5: El diodo emisor de luz (LED) (B.4. ni tan alto como para que γiny sea bajo. (B. obtenemos el siguiente valor para la frecuencia de emisión espontánea. Esto es lo que se llama condición de inversión.35) Este valor es una elección razonable para calcular la emisión espontánea de un láser de semiconductor ya que nos proporciona una estimación de la corriente umbral para tales dispositivos.5-13 Prof. Juan B.5. y de la vida media no radiante. En un diodo LED. ηQit = γiny⋅ηQi (B. Para que estos fotones emerjan del dispositivo hay que diseñar el LED con mucho cuidado.5. Esta ganancia en la intensidad luminosa es la base del láser semiconductor.5. pues indica el valor umbral para el caso de inversión de población.33) es decir.5. crece con la distancia en lugar de disminuir. por lo que τr se puede reducir aumentando el dopado tipo p en la región donde los electrones inyectados se recombinen con los huecos. Para aumentar τnr se debe reducir la densidad de defectos en el material mejorando la calidad de superficie e interfases. Esteban Sanchis / Prof. se cumple que np>>pn.36) Por tanto para maximizar ηQit. Luego. B. de forma que no sea tan bajo como para que ηQi sea bajo. Suponiendo el caso ƒe(Ee)≈ƒh(Eh)≈1/2 para todos los electrones y huecos en este caso de inversión. esto disminuye la eficiencia de la inyección γiny como puede comprobarse en las expresiones de Jn y γiny. Para mejorar el rendimiento de la emisión de fotones se necesita un valor de τr lo menor posible y de τnr lo mayor posible. τr.CEF Tema B. Para el semiconductor de tipo p se cumple la ley de acción de masas según la cual el producto de las concentraciones de electrones y huecos en equilibrio térmico es igual al cuadrado de la concentración intrínseca: np⋅pp= .34) y el tiempo de vida de recombinación en este caso vale. como hemos visto anteriormente. La recombinación radiante depende de la vida media radiante. La eficiencia cuántica interna total es. en consecuencia. τnr. lo que sucedería si. se necesita optimizar el dopado en la zona p. (B. Cuando los procesos de emisión y absorción se producen por igual se cumple que ƒe(Ee)+ƒh(Eh)=1 con lo que g(ħω)=0. Hay tres mecanismos B. Sin embargo. un incremento en pp provoca una disminución de np y. g(ħω) fuese negativa. Ejea 11-nov-08 . predominaba la inyección de electrones en una región de tipo p.

el 33% de los fotones se reflejan y no llegan al segundo medio (aire).5.aire. ii) una determinada fracción de los fotones será reflejada en la interfase semiconductor-aire (no emergen del semiconductor).66 y nr1=1. y iii) algunos fotones incidirán sobre la superficie con ángulos superiores al ángulo crítico sufriendo por tanto un proceso de reflexión interna total. si nr2=3. Esteban Sanchis / Prof. es imprescindible que la emisión de los fotones se produzca cerca de la superficie de forma que tengan que viajar una distancia corta antes de emerger del semiconductor. y nr1 el del aire. el coeficiente de reflexión R para luz incidente vertical vale. es decir. (B.8: a) Estructura de un LED con el esquema de reflexión y transmisión de la luz en la superficie del semiconductor. Los fotones que incidan sobre la superficie semiconductor-aire pueden reflejarse y todos los que se reflejen son por tanto perdidos. Hay que tener en cuenta que en un material de gap directo el fotón sólo puede recorrer una distancia de alrededor de una micra antes de ser absorbido.37) Fig. El dieléctrico disminuye las pérdidas por reflexión en la interfase GaAs. Para minimizar la absorción de los fotones. Por otra parte no se puede situar todo el volumen de emisión activa demasiado cerca de la superficie.5-14 Prof. ya que si no se generarán procesos de recombinación no radiante debido a la existencia de defectos superficiales que reducirán la eficiencia del dispositivo. b) Encapsulado dieléctrico para mejorar la transmisión de los fotones generados.6 lo que B. B. Estas pérdidas se llaman pérdidas de Fresnel. Este criterio ya se tuvo en cuenta en nuestra discusión anterior de la eficiencia de la inyección γiny.5. Para reducir estas pérdidas el dispositivo se recubre con una cúpula dieléctrica (encapsulado dieléctrico) cuyo índice de refracción es de alrededor de 1. Tal y como vimos en el tema dedicado a la propagación de la luz en un medio la intensidad luminosa reflejada es proporcional a r2 por lo que si nr2 es el índice de refracción del semiconductor. Para un LED de GaAs.5: El diodo emisor de luz (LED) fundamentales de pérdidas de los fotones emitidos: i) los fotones emitidos pueden ser reabsorbidos por el semiconductor generando pares electrón-hueco. Ejea 11-nov-08 . Juan B.CEF Tema B. las pérdidas son de un 33%.

La utilización de una cúpula (encapsulado dieléctrico) elimina casi por completo esta pérdida.6.39) siendo NA la apertura numérica de la fibra. Si nr1 es el índice de refracción de la fibra y nr2 el del recubrimiento. Para un material dieléctrico con nr1=1.9: Estructura de la fibra óptica. se tienen las pérdidas de fotones debida a la reflexión interna total. Fig. El ángulo crítico.5: El diodo emisor de luz (LED) reduce el número de fotones reflejados permitiendo que una mayor cantidad de fotones emerja. Juan B. el ángulo crítico aumenta hasta 38.5.5. Por ejemplo.9º. el máximo ángulo de "aceptación" para que el rayo se refleje totalmente dentro de la fibra es. vale.7º. (B. en comunicaciones ópticas. Finalmente.5. B.CEF Tema B. Si suponemos que los fotones que emergen del LED dan lugar a una distribución angular lambertiana entre θ = 0 y θ = π/2 . (B. Si la incidencia de los fotones es con un ángulo mayor que el crítico se reflejarán totalmente.5.38) Para la superficie GaAs-aire el ángulo crítico es 15. Ejea 11-nov-08 .40) B. la luz debe ser acoplada a la fibra óptica.5-15 Prof. si el índice de refracción del semiconductor es nr2. (B. Si la luz es acoplada a la fibra óptica debe entrar con un ángulo adecuado para que sufra el proceso de reflexión interna total. en muchas aplicaciones los fotones han de ser acoplados a dispositivos especiales. Además de los tres mecanismos de pérdidas vistos con anterioridad. Obsérvese la apertura numérica de la fibra por encima de la cual la luz no se acoplará a la fibra. como ya se vio en un tema anterior. Esteban Sanchis / Prof.

La región activa suele tener un grosor de 0. no sufren de las pobres condiciones superficiales (interfase). B. (B. El LED de heterounión resuelve este problema inyectando cargas desde un material de mayor anchura de la banda prohibida en una región activa de material de menor anchura de la banda prohibida. El primer problema es que en un LED homounión (es decir. Los electrones y huecos son inyectados desde regiones de tipo n y p de mayor anchura de la banda prohibida en la zona activa p− de menor anchura de la banda prohibida donde quedan enclavados. LED a partir de una heterounión Si el LED se fabrica de un solo semiconductor. B. B. Juan B. la calidad del semiconductor normalmente no es muy buena por lo que existirán muchos defectos que producen recombinaciones no radiantes. se han realizado muchos avances en lo que respecta a la tecnología LED.5. especialmente si se utilizan LEDs en sistemas de comunicación de fibra óptica.1µm a 0. el volumen de emisión de fotones debe estar cerca de la superficie de manera que los fotones emitidos no sean reabsorbidos. Aunque es difícil de mejorar la pureza espectral y la respuesta temporal sin utilizar un láser. Además.2µm y los materiales más usados son GaAs/AlGaAs sobre substrato de GaAs y InGaAsP/InP y InGaAs/InGaAsP sobre substrato de InP.5.CEF Tema B. existen algunos problemas que reducen la eficiencia del dispositivo. la pureza espectral de la luz de salida y su tiempo de respuesta.41) Este valor de ηfibra es bastante pequeño (~10%) de forma que todavía hay mucho que investigar para mejorar el acoplamiento. por tanto.5. por donde la distancia a recorrer a través del semiconductor es mínima y por tanto las pérdidas son también mínimas.5: El diodo emisor de luz (LED) se tiene que la probabilidad mayor corresponde al caso en que los fotones emergen perpendicularmente. En ese caso.1. es decir. los fotones emitidos no son absorbidos en las regiones superior o inferior pues la energía del fotón es menor que la anchuras de la banda prohibida de las regiones n o p.5. Los electrones no pueden entrar en la región de tipo p de ancha banda prohibida por debajo de la zona activa y. Ejea 11-nov-08 . la fracción de luz acoplada a la fibra vale.5-16 Prof.5. Estructuras avanzadas de LEDs Acabamos de ver que los aspectos más importantes del LED son su eficiencia cuántica tanto interna como externa. Como cerca de la superficie estamos en la interfase. un dispositivo basado en un único semiconductor). Esteban Sanchis / Prof.

5.5.5-17 Prof.83eV) rodeada de capas de confinamiento de InGaAsP (Eg = 1eV). B. Como veremos en el siguiente tema.2. Ejea 11-nov-08 . B. La región activa es In0.CEF Tema B. Fig. B. la estructura se asemeja a la del diodo láser sólo que en el láser se debe diseñar de forma que se obtenga una cavidad óptica de alta calidad que produzca realimentación óptica.53As (Eg = 0. Los fotones emitidos no se absorben por las capas superior o inferior que son transparentes para la radiación emitida. Esteban Sanchis / Prof.5: El diodo emisor de luz (LED) Fig. como se muestra en la siguiente figura.11: Esquema de un LED de emisión lateral. B. Juan B. Para conseguirlo se utiliza una heteroestructura que transmite por su lado o borde (LED de emisión lateral). Hemos discutido la eficiencia de este acoplamiento y visto la necesidad de un haz altamente colimado para un buen acoplamiento.5. Las capas de confinamiento provocan que la luz salga al exterior por el borde del LED.10: El LED de heterounión utiliza un semiconductor de gap estrecho para la región activa.5. LEDs de emisión lateral Ya hemos visto que es de suma importancia el acoplar una señal luminosa a una fibra óptica.47Ga0.

Ejea 11-nov-08 .5. Juan B. se sitúa sobre el LED una microlente para mejorar la eficiencia del acoplamiento. El LED tiene una fibra pegada a su superficie.5. Debido a la alta colimación del haz (30º de anchura en la perpendicular a la capa activa y 120º en la paralela a la capa activa) se mejora en gran medida la eficiencia del acoplamiento de su luz a fibras ópticas.5: El diodo emisor de luz (LED) En este tipo de LED se añaden capas (recubrimientos) de materiales de gran anchura de la banda prohibida lo cual no únicamente confina a electrones y huecos a la capa activa.12: Esquema de un LED de emisión superficial. La parte posterior de la zona activa es reflectante y así también evita la pérdida de fotones por ella. B.3.5. (b) Una microlente focaliza la luz divergente emergente desde la superficie del LED hacia la fibra óptica multimodo.CEF Tema B.5-18 Prof. la onda óptica queda confinada en la zona activa (de forma similar a lo que sucedía en el caso de las guías de onda). B. si estos son los adecuados. Una variación escalón en el gap energético provoca una variación escalón de la constante dieléctrica y del índice de refracción de forma que. LEDs de emisión superficial Un tipo importante de LED es el de emisión superficial desarrollado por primera vez por Burrus y Dawson en 1970 y cuyo esquema se muestra en la siguiente figura. B. El LED en sí es una heteroestructura con una fina región activa de bajo valor de anchura de la banda prohibida rodeada de regiones de ancha banda prohibida. B. En estructuras más avanzadas. sino que también provoca que los fotones emitidos viajen a lo largo del eje del LED y emerjan por el borde del componente.13: (a) La luz es acoplada desde la superficie emisora del LED a la fibra multimodo mediante el uso de un material (resina) con índice de refracción adecuado. Esteban Sanchis / Prof. Fig.5. Al final del LED se acopla una fibra óptica practicando un orificio en el LED y adhiriéndola mediante la utilización de resina. Los fotones emitidos son directamente acoplados a la fibra óptica. Fig.

5. Juan B.5. La pureza espectral (es decir. pero se paga el precio de que sus cualidades no son tan buenas. Esto sucede porque con altas corrientes la densidad de fotones aumenta lo suficiente como para que se empiece a producir una emisión estimulada de fotones. efecto que ya no se puede explicar simplemente por el calentamiento del componente. Esta emisión se produce en el plano del LED por lo que la emisión perpendicular a la superficie del B.CEF Tema B.1. Iph = número de fotones por segundo = (B. Características de los LEDs El funcionamiento del LED depende del proceso de emisión espontánea para proporcionar luz a partir de los electrones y huecos inyectados. se produce una caída de la luz de salida a altas corrientes.14: La potencia de salida del LED es lineal con la corriente inyectada.5: El diodo emisor de luz (LED) B. la pureza espectral de la luz de salida. Sin embargo. Para niveles muy altos de inyección. En LEDs de emisión superficial. Como consecuencia. Característica luz-corriente Cuando una corriente I pasa a través de un diodo directamente polarizado. en un LED esta dependencia es bastante débil y la característica Iph-I es casi lineal como se muestra en la siguiente figura.5.5. B. la corriente equivalente de fotones que emerge desde el diodo vale. la luz de salida empieza a saturar ya que el componente comienza a calentarse y la eficiencia de la recombinación radiante disminuye.6. B. ηtot depende de la corriente inyectada ya que la vida media radiante de los portadores τr depende del nivel de inyección de portadores por lo que la relación Iph-I es no lineal. Si ηtot es la eficiencia total de esta conversión (que incorporaría la eficiencia cuántica interna y externa).6.5-19 Prof. Esteban Sanchis / Prof.42) En general. parte de esa corriente se convierte en luz. se tendrán simplificaciones en la fabricación y diseño del LED si se compara con el caso del diodo láser. el tiempo de respuesta frente a señales eléctricas externas y la dependencia de su salida con la temperatura. Las características más importantes del LED son la característica luz-corriente. Fig. la separación en distintas longitudes de onda del haz de salida) es un tema muy crítico desde el punto de vista de un sistema óptico de comunicaciones de alta calidad. Ejea 11-nov-08 .

15: (a) Diagrama de bandas de energía con posibles caminos de recombinación. Los pulsos de luz de diferente longitud de onda viajan por una fibra a diferentes velocidades por lo que la señal se distorsionará si el espectro que compone la señal es muy amplio.5-20 Prof.5.2. La concentración de electrones en la banda de conducción en función de la energía es una función n(E). (e) Representación de la intensidad relativa de la luz en función de la longitud de onda de los fotones. B.5: El diodo emisor de luz (LED) LED disminuye. la cual viene dada por el producto como hemos visto con anterioridad. La energía de un fotón emitido por un LED no es simplemente igual a la anchura de la banda prohibida Eg ya que los electrones en la banda de conducción y los huecos en la de valencia están distribuidos según su energía.(d) Representación de la intensidad relativa de la luz en función de la energía de los fotones. La concentración de electrones más alta está (1/2)⋅kB⋅T por encima de EC. B.6.5. (b) Distribución energética de los electrones en la banda de conducción y de los huecos en la banda de valencia. Esteban Sanchis / Prof. En la siguiente figura (a) y (b) se representan el diagrama de bandas de energía y la distribución energética de electrones y huecos en las bandas de conducción y de valencia respectivamente. (c) Representación de los estados energéticos permitidos para los electrones (Nn(E)) y huecos. Si el LED va a utilizarse en un dispositivo visualizador no es importante su pureza espectral. Los electrones y huecos están distribuidos sobre una anchura energética de aproximadamente 2kBT. (c) (d) (e) Fig. pero si se va utilizar para comunicaciones ópticas sí lo es. B.CEF Tema B. Pureza espectral de los LEDs La pureza espectral de la radiación emitida es muy importante y su importancia depende de la aplicación. Ejea 11-nov-08 . Juan B. Estos LEDs son llamados LEDs superluminiscentes y su comportamiento es similar al de un diodo láser. La distribución energética de los huecos en la banda de valencia se obtiene de forma similar.

incluyendo los niveles de dopado. La intensidad relativa de la luz correspondiente a esta transición energética h⋅ν2. como se muestra en (d). Pero las concentraciones de portadores cerca de los límites de las bandas es muy pequeña y. La distribución energética de los huecos en la banda de valencia se produce en una anchura energética similar desde EV. o representación de la intensidad relativa en función de la longitud de onda. La caída de la intensidad de la luz en función de las características energéticas del fotón (espectro de salida) se muestra en (d). Juan B.5⋅kB⋅T y 3⋅kB⋅T. La intensidad relativa de la luz a este fotón de energía h⋅ν1 es pequeña (como se observa en (d)). Por ejemplo. Por tanto. Podemos también obtener la representación de la intensidad relativa de la luz en función de la longitud de onda (e) ya que .CEF Tema B. El espectro de salida. El espectro representado en (e) representa un espectro idealizado en el que no se han tenido en cuenta efectos de alto dopado de las bandas energéticas y se ha considerado un bajo nivel de inyección de portadores para la unión directamente polarizada. de un LED depende no solamente del material semiconductor sino también de la estructura de la unión p-n. este tipo de recombinación no ocurre de forma frecuente.5-21 Prof.5: El diodo emisor de luz (LED) La concentración de electrones en la banda de conducción en función de la energía es una función asimétrica que tiene un pico en (1/2)⋅kB⋅T por encima de EC. como se observa en (b). Ejea 11-nov-08 .5. involucra la recombinación directa de un electrón en EC y un hueco en Ev. respectivamente. dependen del semiconductor utilizado.43) donde y corresponden a las energías del electrón y del hueco involucrados en el proceso de recombinación radiante. De forma típica. Si se considera un alto nivel de inyección. es por tanto máxima. por tanto. Transiciones como la designada como 3 que producen la emisión de fotones altamente energéticos h⋅ν3. La anchura varía de forma típica entre 2. los electrones están distribuidos en una anchura de alrededor de 2⋅kB⋅T desde EC como se observa en (b). Eg es la anchura de la banda prohibida del semiconductor empleado y Ncv( ) es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interacción de electrones y huecos de energía específica). la intensidad de la luz a estas energías fotónicas elevadas es pequeña. Esto significará que el espectro de emisión va a quedar determinado básicamente en función de: (B. Esteban Sanchis / Prof. Recordemos que la velocidad de recombinación directa es proporcional tanto a la concentración de electrones como a la de huecos en las energías involucradas. Las transiciones que involucran las concentraciones de electrones y de huecos más grandes ocurren con mayor frecuencia. por tanto. la transición 2 tiene la probabilidad máxima ya que a esas energías las concentraciones de electrones y de huecos son las máximas. La longitud de onda correspondiente al pico de intensidad y la anchura del espectro están obviamente muy relacionadas con la distribución energética de los electrones y huecos en las bandas de conducción y valencia y. La energía del fotón para el pico de emisión es próxima a Eg+kB⋅T ya que ésta corresponde a transiciones de máximo a máximo en las distribuciones de energía de electrones y huecos. como se observa en (d) y (e). La transición identificada como 1 en la figura anterior (a). la anchura será: B. involucran energías para los electrones y huecos cuyas concentraciones son pequeñas (b). La anchura del espectro ( ó ) se define como la anchura entre los puntos de intensidad media.

5. Vamos a considerar un modelo sencillo para la respuesta del LED. lo cual corresponde a una anchura de alrededor de 2. Por tanto.a la zona p. A largas distancias ya será necesario el uso de un diodo láser. Esteban Sanchis / Prof. Teniendo en cuenta estos efectos. Ejea 11-nov-08 . Una aplicación típica en la que se utiliza un LED para la generación de las señales luminosas es el mostrado en la siguiente figura (a).16: Espectro de salida típico de un LED rojo de GaAsP. Para modular la salida del dispositivo se deben modular los portadores inyectados.44) donde Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de conducción.5.5-22 Prof.45) donde el primer término es debido a la recombinación de portadores (incluyendo los procesos no radiantes) y el segundo término es la componente de la corriente debida a la B. un punto crítico es la velocidad de extracción de cargas del dispositivo.5.3. B.7⋅kB⋅T en la distribución energética de los fotones emitidos.6. La ecuación de continuidad para estos portadores será: (B. B. el espectro de salida de un LED presenta una asimetría menor que la obtenida para el espectro idealizado. Esto es un espectro muy ancho aunque para muchas aplicaciones puede ser más que suficiente. Fig. Respuesta temporal del LED Un aspecto importante en la transmisión de información por medios ópticos es la conversión de señales eléctricas en luminosas.5. Juan B. De hecho el LED se puede utilizar prácticamente en comunicaciones ópticas siempre que no se tenga que enviar la señal a largas distancias. En la siguiente figura se observan las características típicas de un LED rojo (655nm) donde se observa esta menor asimetría y que la anchura del espectro es de alrededor de 24nm a temperatura ambiente.CEF Tema B. Esta velocidad está controlada por el tiempo de recombinación de los portadores. dejando aparte los elementos parásitos externos. En (b) se muestra la estructura típica del LED.5: El diodo emisor de luz (LED) (B. El LED es básicamente un diodo de unión p-n directamente polarizado en el que se inyectan portadores minoritarios en la región activa de recombinación. al cual se ha considerado para simplificar un sistema unidimensional. Los portadores son inyectados desde la zona n.

es decir. Si ahora aplicamos una polarización en pequeña señal al diodo.5. la concentración de portadores resultante será: (B. Como el campo eléctrico en la unión (para el caso que esté directamente polarizada) es pequeño.48) (B.5. Ejea 11-nov-08 .55) B.5.CEF Tema B.5.5.5.54) Supondremos también que todos los portadores se recombinan aproximadamente en el momento en que alcanzan el límite de la región activa d.5. Vamos a suponer que los únicos responsables del flujo de corriente son los electrones.53) es decir.51) ac: La respuesta temporal del LED la podemos definir de la siguiente forma: (B. podemos despreciar la corriente debida al arrastre de portadores. la relación entre la componente ac de la corriente fotónica y la componente ac de la corriente electrónica.5.52) (B.50) llegamos a que: dc: (B.5: El diodo emisor de luz (LED) difusión de portadores. Juan B. Ln<<d (B.49) (B.5-23 Prof.47) ac: Si definimos las longitudes: (B.5.46) Sustituyendo esta expresión en la ecuación de continuidad y comparando las componentes de dc y ac: dc: (B.5. Bajo esa suposición: (B. Esteban Sanchis / Prof.

59) Esta expresión muestra la importancia del tiempo de recombinación τ a través del ancho de banda límite que puede ser alcanzado en los LEDs. Ejea 11-nov-08 .5: El diodo emisor de luz (LED) En ese caso la solución de la ecuación diferencial de la señal ac es de la forma: (B.57) Además.61) donde τr y τnr son los tiempos de recombinación radiante y no radiante.5.5.5. (B. B.5.56) La corriente fotónica será: (B. El ancho de banda modulado fc se define como la frecuencia a la que la potencia óptica vale la mitad de la potencia óptica a frecuencia cero.5.CEF Tema B. Para dispositivos de alta calidad τ~τr. La respuesta en frecuencia del LED se muestra en (c). (B. Juan B.5-24 Prof.5. Esteban Sanchis / Prof.58) Lo cual nos da la función respuesta temporal definida con anterioridad: (B.60) con (B.

5ns por lo que podemos alcanzar frecuencias de corte cercanas al gigahercio.18: Ancho de banda de modulación en función de la densidad de corriente. el tiempo de recombinación disminuye y el ancho de banda de modulación aumenta.CEF Tema B. En la siguiente figura se muestra la dependencia del tiempo de vida radiante con la concentración de portadores o el dopado de la región activa. Esteban Sanchis / Prof. b) geometría del LED utilizado para el estudio de la respuesta temporal intrínseca frente a una señal ac. En régimen de alto nivel de inyección ( = =1) se tiene que τr =τ0. c) caída de la respuesta del LED con la frecuencia. En dicho caso se tiene el tiempo de recombinación más corto que se puede obtener que es de ~0. Hay que tener en cuenta que la concentración de portadores en la región activa es proporcional a J/d. Conforme aumenta la corriente del LED. El ancho de banda de modulación también se puede incrementar aumentando el dopado de la región activa.17: a) Circuito para la modulación de la salida de un LED.5. Ejea 11-nov-08 . Esta relación se puede demostrar experimentalmente como se puede observar en la misma figura. Fig. Juan B.5-25 Prof. B.5. Los límites que presenta la recombinación radiante es una diferencia fundamental entre los LEDs y los diodos láser. B.5: El diodo emisor de luz (LED) Fig. donde J es la densidad de corriente y d el grosor de la región activa. Los diodos láser no operan bajo condiciones de emisión B. Cuanto mayor es el dopado de la zona p menor es el tiempo necesario para la recombinación de los electrones inyectados con huecos.

comprobando como la potencia óptica de salida saturaba a alta corriente debido a un calentamiento del dispositivo. B.19: a) Esquema de la inyección de carga en un LED a baja temperatura. la emisión estimulada depende de la densidad de fotones presente y proporciona tiempos de recombinación cercanos a 10ps. un mayor número de portadores pueden perderse. Como se muestra en la siguiente figura. Por ejemplo.4. éste se calienta y como resultado aumenta su corriente de pérdidas. se inyectan portadores de las zonas dopadas a la zona activa donde se recombinan para emitir fotones (caso ideal mostrado en (a)).5.5. Fig. reduciéndose la eficiencia radiante.5-26 Prof. B.CEF Tema B.6. No todos estos portadores se recombinarán en la zona activa sino que algunos portadores podrán atravesarla dando lugar a una corriente de pérdidas. B. Ejea 11-nov-08 .5: El diodo emisor de luz (LED) espontánea sino de emisión estimulada. y ii) proceso de Auger que contribuye a una recombinación no radiante. La corriente de pérdidas puede ser bastante grande en muchos dispositivos y contribuir de un 20% a un 30% en la corriente total. en el LED. Para evitar el calentamiento del LED a altas corrientes se pueden utilizar corrientes pulsantes y así reducir la corriente eficaz con lo que disminuye el calentamiento del dispositivo. Juan B. Esta corriente dependerá del diseño del componente. Como veremos en el siguiente tema. las pérdidas podrán ser menores. Si consideramos diodos de alta calidad con una concentración de defectos despreciable que pueda afectar a la eficiencia de la recombinación electrón-hueco. de portadores que la atraviesan sin recombinarse y por tanto sin generar fotones. b) A mayores temperaturas debido a la dispersión de energía kBT de los portadores inyectados. Dependencia con la temperatura de la emisión del LED En una sección anterior hemos visto la variación de la salida luminosa en función de la corriente. que es un diodo p-n polarizado directamente. Sin embargo. la temperatura afecta al componente de dos formas i) Pérdidas de portadores inyectados en las regiones de los contactos a altas temperaturas. si la región activa es ancha. Todos los portadores inyectados se recombinan en la región activa. Si se aumenta la corriente inyectada en el LED. conforme aumenta la temperatura se generan más portadores con lo que la distribución energética de carga inyectada es más ancha como se muestra en (b). Esteban Sanchis / Prof.

T1 vale de 180K a 200K mientras que para LEDs de GaAs vale de 300K a 350K. no debemos olvidar que la anchura de la banda prohibida de todos los semiconductores disminuye con la temperatura. El resultado final es que para LEDs de materiales de gap estrecho (Eg<1. proporcionando el exceso de energía a un electrón y produciendo de esa manera un electrón "caliente".62) donde T1 es una temperatura que depende de la anchura de la banda prohibida del material y de parámetros del diseño físico del LED. Fig. Además de la dependencia de la potencia óptica con la temperatura. Este corrimiento es de 3.CEF Tema B.5-27 Prof.5: El diodo emisor de luz (LED) Hemos visto en temas anteriores que la ionización por impacto ocurre cuando un electrón con suficiente energía cinética (electrón "caliente") colisiona con un electrón de la banda de valencia (ligado a la estructura cristalina) dando lugar a dos electrones en la banda de conducción y un hueco en la de valencia. la recombinación de Auger es un proceso no radiante importante que además tiene una fuerte dependencia con la temperatura. El valor normalizado del pico de emisión es a 25ºC. Ejea 11-nov-08 .5Å/K para un LED de GaAs y 6Å/K para un LED de InGaAsP. Esteban Sanchis / Prof. el pico del espectro de emisión del LED se correrá hacia longitudes de onda mayores conforme aumente la temperatura. proporcionando calor). Juan B.5. B. Este proceso es llamado Proceso de Auger y es un importante proceso no radiante.3µm de InAsGaP. B.5. Para LEDs de 1. el gap energético del material a la temperatura dada y los detalles de la estructura de bandas. La recombinación de Auger involucra a tres portadores en el estado inicial que pueden ser dos electrones y un hueco o dos huecos y un electrón. El valor de T1 debe ser lo mayor posible para asegurar la independencia de la temperatura del LED. dependiendo de si el portador "caliente" final es un electrón o un hueco. Por tanto.0eV).20: Variación del espectro de salida de un LED de AlGaAs con la temperatura. El proceso contrario también puede ocurrir cuando un electrón y un hueco se recombinan. El efecto conjunto de la pérdida de portadores y de los procesos de Auger sobre la potencia óptica de un LED puede verse en la siguiente ecuación según la cual su corriente de fotones vale. La velocidad de recombinación depende fuertemente de la concentración de portadores. El electrón "caliente" pierde su energía emitiendo fonones (es decir. La velocidad de la recombinación de Auger es proporcional a np2 o pn2. siendo el resultado final un electrón o hueco "caliente" sin emisión de un fotón. especialmente en materiales de estrecha banda prohibida. (B.

B. Esteban Sanchis / Prof. Fig. En el ejemplo. El mecanismo por el cual el flujo escapa se muestra en la siguiente figura. el flujo dirigido hacia abajo es absorbido. En la parte superior de este substrato se ha producido el crecimiento de una fina capa de tipo p.21: Construcción de un LED.5.CEF Tema B. La unión p-n. donde tiene lugar la recombinación y se genera la radiación está entre estas dos capas. Juan B. B.22: Diseño óptico de un LED.5: El diodo emisor de luz (LED) B. Con un substrato de GaAs. Ejea 11-nov-08 . Construcción del LED La construcción típica de un LED se muestra en la siguiente figura. Como la capa de GaP es transparente.5. la radiación escapa a través de la capa superior. Con un substrato de GaP que es transparente. el LED es construido sobre un substrato de GaP o GaAsP. se debe añadir una capa reflectante en el electrodo inferior para mejorar la eficiencia. Fig. B.5.5-28 Prof.6.5.

23: Ejemplos de LEDs clásicos.5-29 Prof. Características ópticas y eléctricas El LED es un diodo p-n y como tal su curva característica es parecida a la de un diodo normal de unión p-n. En la siguiente figura se muestran algunas formas típicas de LEDs conjuntamente con sus patrones de radiación. Su tensión de codo está entre 1. Para mejorar esto.5.CEF Tema B. La tensión de ruptura es de unos 5V.6. El perfil del encapsulado plástico.6. a través de la capa p. la unión es encapsulada en plástico. Esteban Sanchis / Prof. sino que también permite mantener unidos todos los componentes del LED. Su resistencia dinámica varía desde unos pocos ohms hasta decenas de ohms.5: El diodo emisor de luz (LED) El flujo se escapa por la parte superior de la unión. Así el mostrado en (a) es llamado T-1 3/4 y el mostrado en (b) T-1 donde el número que aparece después de la T hace referencia al diámetro del LED en 1/8 de pulgada. Juan B. también controla el patrón de radiación del LED. o lente. Fig.2V y 2V dependiendo del material semiconductor. En la siguiente figura se muestra un factor de limitación B.5. A cada encapsulado se le da un nombre. Ejea 11-nov-08 . solamente el flujo en un cono muy estrecho (ángulo del cono de 17º) puede escapar (b). Aplicando la ley de Snell a la interfase aire-GaP encontramos que debido al proceso de reflexión interna total. El encapsulado no mejora únicamente la eficiencia óptica. incrementando el ángulo de escape a 26º. B. B.

5-30 Prof.5. ip: la corriente de pico y dc el ciclo de trabajo. Para modo pulsado los parámetros se relacionan a partir de las ecuaciones que vamos a comentar. Fig. El tercer parámetro a considerar. es la máxima corriente de pico permisible (iMP).5. La disipación de potencia en estado estacionario viene dada por la expresión: B. Ciclo de trabajo: (B. especialmente cuando el LED va a ser utilizado en un modo pulsado. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Juan B.5: El diodo emisor de luz (LED) muy importante para los LEDs. B.63) La corriente promedio en un tren de pulsos está relacionada con la corriente máxima de pico a través de la expresión: iavg = ip dc (B. la potencia máxima disipable (PMAX) y su dependencia con la temperatura.24: Características iD/VD y máxima disipación de potencia permisible.5.64) donde iavg: es la corriente promedio.

En modo pulsante se puede conseguir una mayor intensidad luminosa sin llegar al límite de potencia disipable.CEF Tema B. Esta no linealidad puede ser expresada de dos formas diferentes: representando IPR =f(ID) o definiendo una eficiencia relativa. iDO: corriente en el punto de operación y RD: resistencia dinámica del LED. B. W/sr).5. En modo pulsante.25: Ciclo de trabajo y corrientes de pico y promedio en un tren de pulsos.5. Esteban Sanchis / Prof. iP: corriente de pico (A). IPRO: intensidad luminosa de referencia (cd.68) donde. B. ηPR = IPR/IPRO. IPRavg: intensidad luminosa promedio (cd. Ejea 11-nov-08 .65) (B.5-31 Prof. En condiciones pulsantes la potencia promedio disipada es: Pavg = iavg[VDO + RD(ip-iDO)] (B.5: El diodo emisor de luz (LED) PD = iD⋅VD Siendo iD la corriente por el diodo y VD la tensión de caída en el diodo. Este hecho favorece la utilización del LED en modo pulsante ya que el incremento de corriente en estado estacionario está limitado por la máxima disipación de potencia. La resistencia dinámica del LED puede ser calculada a partir de la curva característica del LED: RD = ΔVD/ΔiD (B. Juan B.5. ηPR: eficiencia relativa a la corriente de pico y ηPRO: eficiencia relativa de referencia (vale 1).66) donde VDO: tensión en el punto de operación. La intensidad luminosa es una función no lineal de la corriente del LED. de manera que la intensidad luminosa relativa aumenta al aumentar la corriente.5. El parámetro óptico más importante es la intensidad luminosa. dc: ciclo de trabajo. W/sr).5. i0: corriente de referencia (A). La curva B (ηPR) de la siguiente figura muestra que a corrientes grandes la eficiencia del LED aumenta considerablemente. la intensidad promedio puede ser calculada utilizando la siguiente ecuación: (B.67) Fig.

Circuitos de excitación para los LEDs El diseño de circuitos con LEDs debe tener en cuenta tres consideraciones: 1.20. Este efecto no puede ser pasado por alto. no tienen casi aplicación en este campo. B. con un tiempo de respuesta grande. Otra característica del LED (como ya hemos visto con anterioridad) es la dependencia con la temperatura de su intensidad luminosa.5-32 Prof. Ejea 11-nov-08 . Configuración mecánica y patrón de radiación apropiados. B. Un incremento de 25ºC disminuirá la intensidad luminosa un 25% como puede ser visto en Fig. Juan B.26: Intensidad luminosa relativa y eficiencia.27: Espectro de salida típico de un LED. El coeficiente de temperatura de IPR es de alrededor de 1%/ºC. Fig.5.5. Además las fuentes luminosas incandescentes. típicamente de 90ns para LEDs amarillos y rojos y de 500ns para los verdes. B.6.5.5: El diodo emisor de luz (LED) Mencionar por último que el espectro de salida no es monocromático sino que presenta un ancho de banda considerable alrededor de la longitud de onda central. Fig. característica de un LED es su tiempo de respuesta.7. La última. B. Este pequeño valor del tiempo de respuesta hace que los LEDs sean útiles como fuentes en aplicaciones de comunicación óptica.5. y ya más favorable.CEF Tema B. B. Esteban Sanchis / Prof.

3. en consecuencia. Fig. El circuito de excitación más sencillo es de forma incuestionable el circuito de excitación mediante la utilización de una resistencia. La primera consideración a tener en cuenta puede ser fácilmente solventada consultando los catálogos que proporciona el fabricante.28: Circuitos de excitación de LEDs. B. la corriente por el LED y. Como la intensidad es función directa de la corriente por el LED el problema del diseño es crear un circuito de excitación que conduzca a la corriente deseada a través del diodo LED. la intensidad resultante puede presentar variaciones considerables. Ejea 11-nov-08 .5-33 Prof. Disipación y variaciones con la temperatura en el LED. El propósito de un circuito de excitación es garantizar la intensidad luminosa deseada para el LED. Sin embargo. Este inconveniente puede no serlo cuando se utiliza un único LED como indicador.5: El diodo emisor de luz (LED) 2. Esteban Sanchis / Prof. valor de la resistencia y variación de la tensión de alimentación. debido a las tolerancias en las características de los LEDs. En la siguiente figura se muestran algunos circuitos típicos y muy empleados. si se tienen varios LEDs B. La desventaja de este circuito es que. Juan B. La segunda consideración en cuanto a las variaciones con la temperatura ya fue estudiada en su momento. donde se pueden encontrar una gran variedad de LEDs para todas las posibles configuraciones.CEF Tema B. Requisitos del circuito de excitación del LED.5.

en la iluminación proporcionada por cada uno de ellos. la corriente es algo mayor (16mA para TTL) y un LED puede ser excitado con una corriente bastante modesta. como se observa en la gráfica de (a). La conexión en paralelo de los LEDs debe ser evitada ya que las variaciones en las características de los LEDs causan diferencias inaceptables entre las corrientes que circulan por cada LED y. lo más simple y rápido. (B. El circuito puede ser diseñado utilizando la siguiente relación: (B. Cuando se requiere una corriente mayor deben ser utilizados circuitos de excitación especiales. lo cual es una aplicación muy común. Todas las familias lógicas presentan una capacidad de corriente limitada en estado alto. donde RD es la resistencia dinámica del diodo. En (c) se muestran varios circuitos de excitación que utilizan lógica digital. Esteban Sanchis / Prof.5. La solución gráfica. VCC. Por tanto.5: El diodo emisor de luz (LED) situados cerca el uno del otro. como se muestra en el primer circuito de (c). (B.5. Con unos pocos componentes más y un transistor.7V).69) Varios LEDs pueden ser conectados en serie utilizando este simple circuito con lo que la corriente por todos ellos es la misma.72) donde n es el número de LEDs en serie y Vp la caída de tensión en cada uno de ellos. las variaciones de intensidad luminosa pueden resultar desagradables. pues normalmente no son proporcionados en los "data sheets".emisor (VBE = 0. Ejea 11-nov-08 . En estado bajo. B. es por tanto. Para que el circuito funcione adecuadamente se ha de cumplir que: (B. Juan B. iD es la corriente que se desea que circule por el LED (A). El valor de la resistencia RB puede ser calculado a partir de la siguiente ecuación. VB es la tensión fijada por el diodo zéner de referencia (V) e iR es la corriente a través del diodo zéner (A). no es posible proporcionar la corriente de excitación al LED a partir de la corriente en estado alto.71) donde VBE es la caída de tensión base . por tanto. Los valores de la resistencia dinámica del LED (RD) y de la corriente y tensión de referencia deben ser obtenidos a partir de la curva que da el fabricante para el diodo.5-34 Prof. La ventaja de este circuito es que la corriente no está a merced de las posibles variaciones en las características del LED pues se trata de una fuente de corriente.5. Este circuito puede ser utilizado para varios LEDs en serie siempre y cuando la caída de tensión a través de todos los LEDs no supere la tensión de colector disponible.5.CEF Tema B.70) donde VCC es la tensión de alimentación (V). es posible diseñar un circuito de excitación (b) que garantiza una corriente estable y predecible a través de un único LED o de una combinación de ellos.

B. Aplicaciones de LEDs Los LEDs tienen múltiples aplicaciones en sistemas de procesamiento óptico de la información. a diferencia de los visualizadores basados en cristales líquidos en los que la luz no es generada por la propia célula de cristal líquido. con las conexiones típicas de cada pin. Esteban Sanchis / Prof.29: Esquema de un visualizador de 7 segmentos con punto decimal con LEDs. La luz roja (λ~6600Å) se consigue a partir de LEDs de GaAs0. Para su conexionado externo se utiliza un encapsulado de 14 pines (en realidad 4 no se conectan). Las matrices (arrays) están conectados de manera que permiten generar caracteres alfanuméricos. la luz debería ser generada para cubrir todo el espectro visible si se quieren producir visualizadores que actúen en todos los colores. En la siguiente figura podemos observar un visualizador típico para caracteres en el que se utiliza una matriz de siete segmentos en el que cada segmento es un LED. Ejea 11-nov-08 . Un visualizador basado en LEDs es un visualizador activo ya que emite la luz. La luz verde (λ~5200Å) a partir de GaP.5-35 Prof. Fig. B. Juan B.4 y aleaciones de AlGaAs. En consecuencia los visualizadores basados en LEDs pueden ser muy brillantes generando suficiente potencia como para ser utilizados en aplicaciones como las luces traseras de los automóviles. El LED como elemento de un visualizador Una importante aplicación de los LEDs es en tecnología de visualizadores. Entre estas aplicaciones podemos destacar los visualizadores. en el cual dos circuitos eléctricos se "conectan" mediante la luz proveniente de un LED (optoacopladores). Como los visualizadores se deben ver por el ojo humano. Se muestra un encapsulado de 14 bits.1 a 2.CEF Tema B.5. El LED se puede utilizar como una sola lámpara (en la mayoría de las ocasiones como indicador en un sistema electrónico) o en matrices. Los LEDs son también utilizados en sistemas de comunicaciones ópticas para redes locales.5: El diodo emisor de luz (LED) B. Se consiguen a partir de GaN y ZnSe aunque no son fáciles de conseguir.5.6P0. semáforos o incluso pantallas anunciadores diurnas.7. donde se utilizan uno o más LEDs para generar señales ópticas visibles al ojo humano. La luz azul es muy difícil de obtener ya que el gap energético que necesitamos es de 2.4eV y la tecnología de estos materiales aún no está muy desarrollada. Otra importante aplicación de los LEDs es para proporcionar un aislamiento de tipo óptico.

B.5.5-36 Prof. El componente conectado a la entrada es un diodo LED y el sensor es un fotodiodo o un fototransistor. Fig. entonces al viajar a lo largo de la fibra se deformará y se ensanchará en el tiempo (dispersión cromática). En realidad el espectro es bastante amplio y de unos Δλ~200Å. La potencia de salida del LED es bastante alta como para permitir a los visualizadores ser visibles a plena luz del día. Permite transmitir señales con un alto aislamiento entre una parte y otra del circuito. Juan B. si un pulso está formado por múltiples longitudes de onda. ya que en un LED no puede ser modulada su intensidad a una velocidad mayor que 1GHz. Sustituye a componentes como el transformador. El LED por tanto reduce su uso a comunicaciones de corta distancia donde la dispersión es despreciable. Aunque el consumo de potencia y el coste son mayores que en los cristales líquidos y. Ya hemos dicho anteriormente que esto es un problema en comunicaciones a larga distancia ya que debido a que la velocidad de propagación en una fibra depende de la longitud de onda. El LED en las comunicaciones Aunque la luz del LED aparece al ojo humano como de un solo color y por tanto de una sola longitud de onda. La señal luminosa se transmite a través del aire proporcionando por tanto un B. sí que tienen un buen futuro en aplicaciones donde sustituyan a las bombillas clásicas (luces de automóvil y señales de tráfico).30: Esquema de dos optoacopladores.CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 . Otra limitación es la velocidad de transmisión. El LED como optoacoplador Una aplicación muy importante del LED es el optoacoplador. Además como el LED es un simple diodo p-n es muy fácil integrarlo con otros dispositivos semiconductores. lo que implica el uso de diodos láser (LDs). En muchas aplicaciones esta velocidad puede ser suficiente pero en la actualidad necesitamos cada vez mayores velocidades. estos últimos tienen ventaja en monitores de ordenadores portátiles. relés y condensadores de aislamiento (bloqueo). por tanto. Este componente consiste en un emisor y en un sensor de luz. esto no es así. Esteban Sanchis / Prof. con fotodiodo y con fototransistor.5: El diodo emisor de luz (LED) Los visualizadores basados en LEDs son especialmente útiles en aplicaciones en las que tiene importancia el brillo del visualizador.

En un sistema con tolerancia suficiente el MTBF se puede definir como el tiempo que tarda en disminuir la potencia a la mitad (−3dB). Esta degradación incluye un aumento de la recombinación no radiante. Ejea 11-nov-08 . Los LEDs que sobreviven este test de quemado tienen un alto MTBF.CEF Tema B. tal vez necesitemos un MTBF definido a partir de una caída de potencia del 20% (−1dB). B.5: El diodo emisor de luz (LED) alto aislamiento. este cúmulo de casualidades y mala suerte se llama fallo por malformación o "freak failure". Sus desventajas principales son su gran anchura espectral y su ancho de banda de modulación limitada al GHz más o menos. Este defecto se debe a una migración de las dislocaciones del substrato a la región activa reduciendo así las recombinaciones radiantes. Juan B. Si después del quemado inicial se produce algún fallo debido a una combinación de defectos no aparentes hasta ese momento. Resumen El LED es un componente de múltiples aplicaciones. Esteban Sanchis / Prof. Sus principales ventajas son su simplicidad de fabricación y su fácil utilización (incorporación a un circuito electrónico). Este "burn in" consiste en hacer funcionar el LED a alta potencia durante 100 horas. La mayoría de los LEDs sobreviven estos dos primeros tipos de fallos y llegan a tener un MTBF de hasta 106 horas en LEDs de GaAs y 109 horas en LEDs de InP. donde se produce una degradación progresiva.5. Sistemas que necesitan de tan alto aislamiento pueden ser. Ocurre en los LEDs de GaAs pero no en los de InP por lo que estos últimos tienen un mayor MTBF. En estos últimos existe alta tensión en primario y por la seguridad del paciente es imprescindible el aislamiento galvánico. por ejemplo. Los tres fallos más comunes en un LED son: "fallo infantil" en los que el LED ha sufrido algún deterioro en el proceso de fabricación y por tanto falla durante el proceso de "burn in" o quemado inicial. Sobre la fiabilidad del LED Como a cualquier otro componente electrónico a los LEDs les exigimos fiabilidad. etc. Aunque en los LDs este defecto es catastrófico no ocurre así en los LEDs donde sólo se reduce gradualmente la luz emitida. Pero si el espaciado de repetidores es mayor. fuentes de alimentación. Técnicas avanzadas de fabricación permiten reducir estos fallos.5-37 Prof.8. siendo las más importantes su utilización en visualizadores y sistemas de comunicación óptica. El fallo gradual es el último tipo de fallo existente en los LEDs. El mejorar el MTBF de los componentes y poder predecirlo sin tener que realizar tests de larga duración sigue siendo un área de investigación muy importante en la actualidad. Es deseable que no falle el visualizador u otro circuito que contenga un LED. Debido a los defectos de fabricación (dislocaciones) se genera un defecto que se conoce con el nombre de efecto de línea oscura. amplificadores para electrocardiógrafos. Para comunicaciones ópticas la pérdida de potencia implica el espaciado entre repetidores y por tanto es la caída de potencia la que determinará el envejecimiento del componente. El MTBF se define de forma diferente según la aplicación. B.

Ya conocemos a que se deben estas limitaciones. Uso de la emisión estimulada para aprovechar la recombinación de los pares e-h.6. Juan B. El resultado es que el LD es capaz de emitir señales con un espectro dos órdenes de magnitud menor que el LED. El diodo láser B. Además puede ser modulado con señales de hasta 50GHz y el haz luminoso del LD no se abre tanto como el LED pudiendo generar rayos de luz de alta intensidad y muy focalizados.6. Ejea 11-nov-08 .1. Introducción El LED que acabamos de ver es una de las fuentes de luz más utilizadas tanto en comunicaciones ópticas como en sistemas de visualizadores.6-1 Prof. Aun así el LED no es el dispositivo de mayores prestaciones siendo sus ventajas su fácil fabricación y su fácil uso. Esteban Sanchis / Prof. Emisión de LED El espectro de salida es ancho ~kBT La respuesta temporal está limitada por el tiempo de emisión espontánea MEJORAS Uso de una cavidad óptica para mejorar la emisión de los fotones de ciertos estados.B. Sus mayores desventajas son su amplio espectro de emisión y la imposibilidad de utilizarlo en sistemas para modular con frecuencias superiores al gigahercio. DIODO LÁSER Recombinación de e-h en una cavidad óptica de alta calidad. B. El diodo láser o LD supera estas desventajas del LED aprovechando características especiales de las cavidades ópticas y de la emisión estimulada.

2. el par electrón-hueco se recombina en ausencia de otros fotones para emitir un fotón. Esteban Sanchis / Prof. En la emisión coherente los fotones emitidos están en fase con los ya existentes. La diferencia fundamental es pues la emisión espontánea en el LED y estimulada en el LD. Si no hay fotones en el semiconductor. Emisión espontánea y estimulada El diodo láser se utiliza igual que un diodo LED. Juan B.CEF Tema B. La emisión estimulada permite obtener una alta pureza espectral de la señal. Esto sería una emisión espontánea. la estructura del diodo láser está diseñada para que a altos niveles de inyección el proceso de emisión venga determinado por la emisión estimulada. no lo es en lo referente a los fotones. Ejea 11-nov-08 . Sin embargo.6: El diodo láser B. el electrón y el hueco se recombinan emitiendo un fotón. la cual ya fue estudiada en el tema anterior del LED. fotones coherentes y una alta velocidad de respuesta. es decir.6-2 Prof. Supongamos un electrón con un vector de onda k y un hueco con un vector de onda k en las bandas de conducción y de valencia del semiconductor respectivamente.6.6. un par electrón-hueco se recombina en presencia de fotones de energía adecuada ω para emitir fotones coherentes. como un diodo p-n polarizado directamente. aunque su estructura parece similar a la de un LED en lo que respecta a electrones y huecos. Para bajos niveles de inyección. inyectamos electrones y huecos en la zona activa polarizando directamente el diodo láser.1: (a) En la emisión espontánea. B. Sin embargo. Fig. emitiendo fotones. Como en el caso del LED. estos electrones y huecos se recombinan de forma radiante mediante el proceso de emisión espontánea. (b) En emisión estimulada. B.

(B. Por tanto. cuando los fotones son emitidos de forma espontánea. El proceso de emisión estimulada es proporcional a la concentración de fotones (de fotones con la energía adecuada para causar la transición electrón-hueco). siendo las más importantes la cavidad de Fabry-Perot. nph(ω) permanece en un valor muy pequeño y no puede iniciarse un proceso de emisión estimulada. éstos son perdidos bien por reabsorción o bien porque simplemente abandonan la estructura.6.6-3 Prof. Juan B. La estructura láser: la cavidad óptica Al igual que en el LED en el LD generamos fotones a partir de la recombinación de pares electrón-hueco.6. La cavidad óptica es básicamente una cavidad resonante en la cual los fotones sufren múltiples reflexiones. L es la longitud de la cavidad y λ es la longitud de onda del fotón en el material. además de la emisión espontánea se produce otro tipo de proceso de emisión llamado emisión estimulada. Vamos a considerar ahora la posibilidad de que los fotones sean emitidos de forma espontánea y que seamos capaces de diseñar una cavidad óptica tal que los fotones que posean una energía bien definida sean confinados de forma selectiva en la estructura del semiconductor. la concentración de fotones dentro de la cavidad empieza a crecer. Ejea 11-nov-08 . cavidades con realimentación distribuida con enrejados periódicos ("gratings") y cavidades de láseres de emisión superficial con reflectores diseñados especialmente para ellas. Estos modos resonantes son los que satisfacen la expresión. El reto es por tanto conseguir una cavidad óptica que confine los fotones de una determinada energía para que provoquen la emisión estimulada. Los fotones emitidos tendrán la misma fase que los fotones incidentes causantes de la emisión. Esto aumentaría nph(ω) y a su vez la emisión estimulada.1) donde nph(ω) es la concentración de fotones y Wem es la velocidad de recombinación en el proceso de emisión espontánea. En el LED. La cavidad más utilizada es la de FabryPerot cuyo elemento más importante es una superficie pulida que hace de espejo reflejando los fotones generando modos resonantes. pero en el LD tendremos una cavidad óptica que guía los fotones generados. Esteban Sanchis / Prof.6. B. En consecuencia. Su relación con la longitud de onda en el vacío es B. La frecuencia de generación de fotones de forma estimulada viene dictada por la velocidad de recombinación en este tipo de proceso: (B.2) donde q es un entero. Por tanto.3. Existen muchas cavidades para su utilización en diodos láser. cuando los fotones son emitidos sólo se permite que una pequeña fracción de éstos deje la cavidad. es decir.6: El diodo láser Si existen fotones en el semiconductor y éstos tienen la misma energía ω que la diferencia de energía entre electrón y hueco. tendrán la misma energía y vector de onda. El resultado sería una señal de salida con un espectro de emisión muy estrecho y que podría ser modulada a altas velocidades.CEF Tema B.

Esteban Sanchis / Prof.6. (b) Estados estacionarios de la cavidad. En la dirección en la que sí existen las caras pulidas es en donde se generan los modos resonantes que provocan el proceso de emisión estimulada. En consecuencia. Los espejos son los responsables de estos estados.CEF Tema B. no se generan modos resonantes por lo que no está permitido el crecimiento de la concentración de fotones en esa dirección. (c) La variación de la constante dieléctrica es la responsable del confinamiento óptico. por otra parte. es decir. B.3) donde nr es el índice de refracción de la cavidad. Únicamente las ondas estacionarias sobreviven dentro de la cavidad. la región activa donde se produce la recombinación de pares electrón-hueco puede ocupar sólo una pequeña fracción de toda la cavidad.6. Las otras dos se dejan sin pulir de forma que los fotones emitidos no son reflejados en estas caras.6-4 Prof.2: (a) Estructura láser típica donde se ven los espejos y la cavidad utilizada para confinar los fotones. En el tema dedicado a las guías de onda ya vimos como los modos guiados quedaban confinados en el interior de la guía.6. Hay que.6: El diodo láser (B. Estas ondas estacionarias se producen cuando una onda se superpone con su reflejada. Ejea 11-nov-08 .4) Como puede observarse en la siguiente figura (a) sólo se pulen dos caras opuestas de la cavidad (dos superficies que hacen de espejo). Juan B. La estructura de la cavidad óptica de estas figuras es la de la cavidad de Fabry-Perot. Dichas ondas estacionarias están formadas por aquellas longitudes de onda que garantizan que la amplitud del campo eléctrico es cero en cada espejo. El espaciado entre los modos estacionarios es (B. es importante diseñar la estructura láser para que la onda óptica tenga una alta probabilidad de estar en la B. tener en cuenta que aunque la cavidad óptica confina los fotones de unas determinadas características. Fig. En el estudio que se va a realizar a continuación se van a utilizar algunos de los conocimientos adquiridos sobre dicho tema.

Fig.5) La constante dieléctrica ε(z) (y por tanto el índice de refracción) suponemos que tiene una variación con el eje z de forma que la onda quede confinada en la dirección z. Ejea 11-nov-08 .6-5 Prof. ya que esta onda es la responsable de la emisión estimulada. Una solución muy empleada para conseguir dicho confinamiento es la mostrada en la siguiente figura. Está variación de tipo escalón de la constante dieléctrica exige que las capas de recubrimiento sean de un material con una banda prohibida muy ancha.6: El diodo láser región en la que tiene lugar la recombinación de pares electrón-hueco. B. Esteban Sanchis / Prof. esto en la práctica es difícil de conseguir. es decir. La anchura de la tira suele variar entre 10µm y 50µm. Así se ha comprobado en la anterior discusión que el confinamiento óptico se mejora gracias al empleo de heteroestructuras como recubrimiento. Para conseguir un confinamiento en la dirección y (plano del láser) podríamos utilizar una variación de la constante dieléctrica en dicha dirección. Hasta ahora hemos visto el confinamiento en la dirección z. Esto restringe el flujo de corriente. confina los portadores de carga -electrones y huecos-. dentro de una estrecha región por debajo de la tira metálica.CEF Tema B.6. También se fabrican láseres "enterrados" (se llaman así porque la región activa está "enterrada" entre varias capas) donde el confinamiento óptico en la dirección y se consigue dopando los materiales o introduciendo defectos ya que estos procesos pueden también variar la constante dieléctrica. Sin embargo. en que se utiliza un contacto en forma de tira metálica estrecha por donde se alimenta el diodo láser. Estas tiras se producen por atacado con ácidos. Si se escoge una guía de ondas plana como la mostrada en (c) para confinar la onda óptica en la dirección z. lo cual nos lleva a una estructura similar a la vista para el LED de heteroestructura. Juan B.6. Esto es fácil de conseguir en procesos epitaxiales.3: Confinamiento óptico en el eje y mediante el empleo de un contacto en forma de estrecha tira metálica. La mayoría de los avances conseguidos en los láseres semiconductores son a partir de mejoras en las cavidades ópticas. como vimos en el tema de las guías de onda. el campo eléctrico de la onda óptica cumplirá. la siguiente ecuación: (B. B.

6: El diodo láser Un parámetro importante para describir las cavidades ópticas es el factor de confinamiento óptico.CEF Tema B. por tanto. si se inyectan electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia. la región activa tiene un espesor tan pequeño (de 4 a 10nm) que el electrón puede considerarse que ve un "mundo de 2 dimensiones".6-6 Prof.6. Esto afecta al valor de la densidad de estados energéticos permitidos tanto para electrones como para huecos y hace que la energía potencial de ambos tipos de portadores sea menor y. como diferencia entre los procesos de emisión y absorción es.6. y están relacionadas con la energía del fotón por la condición de que las transiciones han de ser verticales: (B.6) Este factor de confinamiento vale casi la unidad para láseres de doble heteroestructura con una región activa de ~1µm. Sin embargo. En general.6.8) es la corriente fotónica (B.6. sea más fácil conseguir que se recombinen. Aún teniendo un factor de confinamiento tan bajo los láseres de pozos cuánticos tienen un comportamiento mucho mejor por sus propiedades electrónicas superiores. Ejea 11-nov-08 . cae conforme avanza la onda si α es positivo.7) donde α es el coeficiente de absorción (positivo) y incidente en x = 0. el proceso de recombinación de pares electrón-hueco (emisión de fotones) puede llegar a ser más fuerte que el de generación de pares electrón-hueco (absorción de fotones).6. ω. Absorción óptica. Juan B. pérdidas y ganancia La corriente fotónica (proporcional a la intensidad óptica) asociada a una onda electromagnética viajando por un semiconductor viene dada por (B. que da la fracción de la onda óptica existente en la región activa. La intensidad óptica que es la corriente de fotones multiplicada por la energía de los fotones. y como vimos en el tema anterior.9) La ganancia. B. Γ. En dicho tipo de láseres.1. es posible definir una ganancia a partir de la diferencia entre los procesos de emisión y absorción.3. (B. La probabilidad de emisión de fotones será mayor cuanto mayor sea el producto mientras que la probabilidad de absorción será mayor cuanto mayor sea el producto . por tanto proporcional a B. Esteban Sanchis / Prof. aunque sólo vale un 1% en estructuras avanzadas de láseres de pozos cuánticos.

Para bajos niveles de inyección. La condición para que se produzca la inversión y tener una ganancia positiva es: (B. Esteban Sanchis / Prof. incluso para muy altos niveles de inyección. Una ganancia positiva requiere un proceso de "inversión".11) donde g es la ganancia.66): y que .6. Como se puede observar.6.CEF Tema B. Esta expresión para la ganancia puede representarse en función de la energía del fotón y de los niveles de inyección n (=p). incluso a altos niveles de inyección. la ganancia se hace negativa.6. la ganancia es negativa y de valor . de ahí el nombre de inversión de población.6: El diodo láser (B. conforme aumenta el nivel de inyección. La siguiente figura muestra las curvas ganancia-energía para diferentes niveles de inyección. Ejea 11-nov-08 . la intensidad crece porque se añaden más fotones por emisión a la intensidad. Teniendo en cuenta el valor de el caso de GaAs (nr = 3. Sin embargo.6-7 Prof. En el tema anterior vimos que la expresión de la ganancia era: (B.10) La dependencia espacial de la intensidad de la onda óptica es.6.14) con y Eg en eV. en la zona activa (zona de agotamiento de la unión pn). dichas probabilidades y aumentan y la ganancia puede llegar a ser positiva.13) de forma que si y .12) La condición de inversión nos dice que. Si g es positiva. las probabilidades y de encontrar electrones y huecos cerca de los límites de las bandas ( y ) son bastante pequeñas y la ganancia es negativa. Pero. Juan B. es debido a que dichos estados energéticos siempre tienen probabilidades de ocupación y pequeñas. es decir. si >>Eg.6. El hecho de que a energías bien por encima de la anchura de la banda prohibida la ganancia se haga negativa. en general de la forma: (B. encontramos que para (B. únicamente tenemos absorción. justo por encima de la anchura de la banda prohibida (1.42eV para GaAs) la B. la probabilidad de encontrar un electrón con energía en las proximidades del límite de la banda de conducción y un hueco con energía en las proximidades de la banda de valencia es mayor que la unidad. es decir que hay más electrones en la banda de conducción en las proximidades de Ec que electrones en la banda de valencia en las proximidades de Ev (más huecos o estados energéticos no ocupados por electrones). .

6.CEF Tema B. Para que comience la oscilación láser. En láseres de pozo cuántico la ganancia de toda la cavidad puede ser todavía muy alta debido a que la ganancia en el pozo cuántico es muy grande para una densidad de corriente inyectada fija si comparamos con el caso anterior.αloss. esta región activa tiene unas dimensiones muy pequeñas. Sólo para niveles de energía por encima (aunque cercanos) de la anchura de la banda prohibida la ganancia es positiva y tanto más positiva cuanto mayor sea el nivel de inyección.4: Curvas de ganancia frente a la energía del fotón para varios niveles de inyección de portadores para GaAs a 300K. Juan B. Fig. A menudo. La pérdida de fotones se debe a dos causas: i) pérdida por absorción de fotones en las regiones de recubrimiento de la cavidad y los contactos del láser y ii) pérdida debida a los fotones que abandonan la cavidad. por tanto. B. Este proceso de absorción es mucho menor que la absorción óptica de banda a banda y en materiales de alta calidad puede llegar a valores tan pequeños como 10cm-1. Las inyecciones de electrones y huecos son iguales.6-8 Prof.15) .6: El diodo láser ganancia se hace positiva cuando se incrementa la inyección de portadores.6. Ejea 11-nov-08 (B. la ganancia inicial asociada a la cavidad sea suficiente para superar la pérdida de fotones que se produzca.25x1018 cm−3 desde el nivel más bajo que se muestra.01. Esta ganancia es la llamada ganancia del material y viene únicamente determinada por la zona activa que es donde se produce la recombinación. Γ suele valer casi la unidad para láseres de doble heteroestructura y para láseres de pozo cuántico vale ~0. es necesario definir la ganancia de la cavidad la cual vendrá dada por: Ganancia de la cavidad = g(ω)⋅Γ donde Γ es el factor de confinamiento óptico. En este caso. Llamaremos gtot a la ganancia de la cavidad junto al término de pérdidas αloss. Hay que tener en cuenta que las pérdidas dependen del dopado y defectos en el material y. es importante que cuando son emitidos los fotones en la cavidad láser. B. la calidad del material debe ser muy buena sobre todo en la región donde debe confinarse la onda óptica. i) Las pérdidas en la cavidad αloss son principalmente debidas a la absorción de la luz por portadores libres (absorción intrabanda). es decir. Esteban Sanchis / Prof. gtot = Γ⋅g . La concentración de portadores inyectados se aumenta en etapas de 0.

16) Eref = E2 + E7 + …= (B.17) que también se tiene que anular el denominador de las expresiones para que Etrans y Eref sean B.5: (a) Esquema de la cavidad de Fabry-Perot mostrando la reflectividad y transmitividad de las ondas.6. Los campos transmitidos y reflejados vienen dados por.6: El diodo láser ii) Para estudiar las pérdidas de fotones por reflexión y transmisión de la cavidad. vamos a considerar la cavidad de Fabry-Perot cuyos coeficientes de reflexión y transmisión se muestran en la siguiente figura.6.6. t2 es la amplitud transmitida en la interfase aire-semiconductor y en A se ha incorporado la ganancia de la onda cuando se desplaza una distancia L. Si E0=0 entonces vemos de (B.18) siendo gtot la ganancia de la cavidad junto al término de pérdidas αloss (gtot = Γ⋅g-αloss).16) y (B.6. Juan B. t1 es la amplitud transmitida en la interfase semiconductor-aire. (B. Fig.6-9 Prof. Ejea 11-nov-08 . B. r2 es la amplitud reflejada en la interfase aire-semiconductor. Etrans = E4 + E10 + …= (B.6. (b) Camino del rayo luminoso conforme viaja por la cavidad.CEF Tema B. El efecto láser se produce cuando tenemos unos campos Etrans y Eref diferentes de cero y E0 vale cero y por tanto la generación de fotones en la cavidad es suficiente como para que existan fotones en el exterior de la cavidad. Esteban Sanchis / Prof. Consideremos una onda con un campo incidente E0 en una de los extremos de la cavidad y veamos cómo se propaga esta onda por la cavidad.6.17) donde r1 es la amplitud reflejada en la interfase semiconductor-aire.

el coeficiente de reflexión vale (B. es decir.66. En una sección posterior veremos dos tipos de cavidad distintas en que las condiciones son otras.6.22) donde m es un entero. Esteban Sanchis / Prof.19) resulta gtot(th) = Γ⋅gth − αloss = o (como R = r12) Γgth = αloss − (B. cuando.6.parte real-. Juan B.6.4. Para que el efecto láser comience se debe cumplir A 2 r1 2 = 1 (B.19) A partir de esta condición (y sin tener en cuenta el término de fase incorporado en A) combinando (B.CEF Tema B.6. Para la interfase GaAs-aire.20) Si ahora consideramos la parte de fase de la ecuación (B.21) (B.19) . Γ⋅gth(ω) = αloss − (B. Esta es la condición para que comience el efecto láser para la cavidad de Fabry-Perot.6.23) siendo el índice de refracción del GaAs nr = 3. Esta no es la única cavidad óptica utilizada en láseres. La salida de luz en un diodo láser presenta un cambio muy abrupto en su comportamiento si comparamos entre valores por debajo y por encima del cumplimiento de la condición "umbral". Esto exige un cierto valor de gtot que llamaremos gtot(th) = Γ⋅gth − αloss.18) y (B.6. Si comparamos ésta con la emisión de luz en un LED observamos una importante diferencia.6. El láser por encima y por debajo del umbral En la siguiente figura se muestra la salida de luz (concentración de fotones) en función de la densidad de corriente en un diodo láser. se requiere para que comience el efecto láser que: (B. Ejea 11-nov-08 . B.6.24) B. La condición umbral se define como la condición para la cual la ganancia de la cavidad es mayor que las pérdidas de la cavidad para cualquier energía del fotón.6.6-10 Prof.6.6: El diodo láser distintas de cero.

la presencia de una alta densidad de fotones hace dominar la emisión estimulada. Juan B. Como consecuencia se produce un aumento del número de fotones en la cavidad. Por debajo del valor umbral el dispositivo se comporta básicamente como un LED. La densidad de fotones y electrones es real. La luz emitida por los fotones por encima del umbral se hace muy potente. la intensidad luminosa (flujo de fotones) de salida vale (no confundirla con la corriente fotónica IL del fotodetector) Iph = (1 − pérdidas) ⋅ (recombinaciones totales de pares e-h por segundo) Iph = (1 − pérdidas) ⋅ (corriente de electrones) B. Esteban Sanchis / Prof.25) Cuando el diodo p-n que forma el diodo láser está directamente polarizado inyectamos electrones y huecos en la región activa. B.6-11 Prof. Otra definición útil es la condición de transparencia cuando la luz no sufre absorción o ganancia. Ya hemos dicho que en láseres de alta calidad αloss~10cm−1 y las pérdidas por reflexión tienen una contribución similar. comienza la emisión estimulada y domina a la emisión espontánea. Los fotones emitidos o son absorbidos por la cavidad o perdidos hacia el exterior. Podemos diferenciar entre dos regiones de funcionamiento del láser.6: El diodo láser Fig. observamos que cuando la corriente de polarización directa es pequeña el número de electrones y huecos inyectado es pequeño y la ganancia en el dispositivo es demasiado pequeña para superar las pérdidas en la cavidad. cuando aumenta la corriente directa aumentan los portadores inyectados hasta que se cumple la condición umbral para alguna energía de fotón. Estos electrones y huecos se recombinan para emitir fotones. excepto que hay mayores pérdidas en la cavidad en el diodo láser ya que muchos fotones no pueden escapar del dispositivo debido a los espejos en los lados de la cavidad.6: Emisión de luz típica como función de la inyección de corriente en un láser semiconductor. en este régimen de funcionamiento no aumenta el número de fotones en la cavidad. Si βloss es la fracción de fotones que no salen de la cavidad. Si la corriente aún aumenta más. es decir: Γg(ω) = 0 (B.6. Ejea 11-nov-08 . Sin embargo.6.CEF Tema B. A partir de la siguiente figura. Por tanto. Por encima del umbral.

Unos pocos modos empiezan a dominar el espectro de emisión. B. Esteban Sanchis / Prof. aparece un modo dominante que emite casi toda la luz. uno o dos tendrán ganancias mayores pues las curvas de ganancia presentan picos para determinados valores de la energía (b). Juan B. Fig.6. debido al mayor valor de la pérdida de fotones βloss. Una vez la concentración de electrones y huecos es lo suficientemente grande como para cumplir la condición umbral.6.6-12 Prof. La luz emitida Iph es bastante baja. B. El espectro de ganancia no cambia pero debido a la emisión estimulada.6: El diodo láser Iph = (1 − βloss) ⋅ (RsponAdlas) = (1 − βloss) ⋅ (B. Como la ganancia es positiva la densidad de fotones en la cavidad láser empieza a incrementarse rápidamente. el proceso de emisión estimulada comienza a crecer. Ejea 11-nov-08 . la emisión estimulada se relaciona con la espontánea por la expresión.26) donde A es el área de la cavidad. dlas es el grosor de la capa activa donde se produce la recombinación e I es la corriente inyectada. Como ya se comentó anteriormente.CEF Tema B. la intensidad correspondiente a los fotones generados en la cavidad láser aumenta. (c) El láser por encima del umbral.6. En consecuencia.27) donde nph(ω) es la densidad de fotones del modo. (b) El láser en el umbral. De todos los modos ópticos permitidos en la cavidad.7: (a) El láser por debajo del umbral. La ganancia es menor que las pérdidas de la cavidad y la emisión de luz es como la de un LED. (B.

6. Como resultado. Ejea 11-nov-08 .6. Además. La cadencia con que llegan los electrones (huecos) a la región activa es y la cadencia a la cual se produce la recombinación radiante de un par electrón-hueco es donde τr(J) es la vida media radiante dependiente de la densidad de corriente.CEF Tema B. nth. aunque la densidad de carga inyectada aumenta. Para láseres de baja densidad de corriente umbral debemos reducir dlas. La expresión de nth es de suma importancia ya que indica como mejorar el láser en función de dlas. aunque B. obtenemos. En el valor umbral tenemos. por similares razones la luz de salida está altamente colimada y es altamente coherente.6-13 Prof. las dimensiones de la región activa donde se produce la recombinación y la concentración de portadores (n = p) en la región activa. Pero para el caso del diodo láser los fotones emergentes se concentran en uno o dos modos en vez de en un espectro de anchura kBT.6. la concentración de portadores en la región activa se satura cerca del valor umbral.6: El diodo láser Para estudiar las características del láser alrededor y por encima del valor umbral debemos encontrar una relación simple entre la densidad de corriente inyectada. la vida media radiante vale en el umbral τr(Jth) ~ 4τ0 (~ 2 ns para el láser de GaAs). (B.28) La concentración de portadores en la región activa aumenta al aumentar la densidad de corriente. Si suponemos una eficiencia radiante igual a la unidad. la densidad de fotones del modo dominante aumenta y el valor de τr disminuye. Esteban Sanchis / Prof.29) Como se obtuvo en una sección anterior.6. Esto es lo que se observa en Fig. Conforme la densidad de corriente sobrepasa Jth (J > Jth). La luz de salida vale (n = nth) suponiendo una eficiencia radiante igual a la unidad: (B. B. la vida media radiante. (B. Juan B. Esta pureza espectral es una de las características del diodo láser.30) De esta expresión se observa que la luz emitida para la misma inyección de corriente es similar en un LED y en un diodo láser.6.

6-14 Prof. el dispositivo actúa como un LED. B. B. La forma más inmediata de hacerlo es la modulación directa en la que se modula la corriente que circula por el diodo láser. La característica corriente-tensión es similar a la de cualquier diodo semiconductor.6. Fig. podemos subdividir la modulación en tres grandes categorías. Las siguientes gráficas muestran la potencia óptica y corriente de salida del diodo láser.6: El diodo láser esto disminuye la intensidad luminosa (flujo de fotones). Iph. el láser semiconductor se tendrá que diseñar de una u otra forma. Dependiendo de la aplicación. El tiempo de respuesta del diodo láser La salida óptica del diodo láser debe ser modulada para que sea útil para transmitir información. Ejea 11-nov-08 . Dependiendo de la aplicación.8: Características de la corriente umbral y caída de tensión del diodo láser.6. Por debajo del nivel umbral de corriente. Esteban Sanchis / Prof. B.5.CEF Tema B. Juan B.

9: Tres diferentes categorías de modulación empleadas para modulación directa en láseres. Este método presenta la mayor respuesta en frecuencia pudiéndose alcanzar anchos de banda de hasta 50GHz. Modulación de código de pulsos Esta técnica de modulación es la más utilizada en las comunicaciones ópticas actuales. Modulación de pequeña señal En modulación de pequeña señal el láser está polarizado en un punto por encima del valor umbral y se le aplica una pequeña señal ac. De hecho la respuesta en gran señal de un láser no es mucho mejor que la de un LED.CEF Tema B.6: El diodo láser Fig. La modulación de gran señal no se utiliza para comunicaciones ópticas debido a la respuesta tan lenta y debido a la anchura espectral de la salida. la corriente pasa de estar por encima del valor umbral a estar por debajo del valor umbral. B. Con este tipo de modulación se alcanzan anchos de banda de hasta 10GHz. incluso en el estado bajo. es decir. Este tipo de modulación se puede utilizar para interconexiones ópticas o para algunas aplicaciones lógicas.6. Modulación de gran señal En este tipo de modulación el láser es puesto a ON y a OFF. Es un híbrido entre la modulación de gran señal y la de pequeña señal. El láser está polarizado por encima de su valor umbral y se le aplican pulsos de corriente (o tensión) de forma que la corriente va de un valor superior a otro inferior pero siempre. por encima del valor umbral. Esteban Sanchis / Prof. B.6-15 Prof. La respuesta del láser es bastante lenta con esta modulación (~10ns). Ejea 11-nov-08 . Juan B.

Este proceso puede ser visto en la siguiente figura. Cuando aparece el salto de corriente. El valor inicial puede ser cero. La concentración de portadores sobrepasa el valor de nth. Otro aspecto importante en la polarización de láseres a alta potencia es la degeneración "catastrófica" que se produce si se dañan los espejos. Por tanto. Si la densidad de corriente pasa de 0 a J.6. Sin embargo. B. Veamos el proceso físico que ocurre cuando se aplica este tipo de modulación. Juan B.6: El diodo láser La respuesta general a los distintos métodos de modulación depende de factores intrínsecos y extrínsecos del láser.6-16 Prof. corriente umbral. Se producen por tanto oscilaciones amortiguadas en la concentración de portadores y en la emisión de fotones. Cuando la concentración de portadores alcance nth comienza la emisión estimulada. durante un tiempo td no emergerán fotones del dispositivo.CEF Tema B. Estas altas corrientes son necesarias para poder hacer funcionar el láser a altas velocidades. habrá muy pocos fotones que sean emitidos fuera de la cavidad. hasta alcanzar el equilibrio.31) Donde τ es el tiempo total de recombinación de pares e-h. Antes del salto de corriente. el segundo término representa la velocidad de pérdida de portadores debida a la recombinación espontánea y el tercer término representa la velocidad de pérdidas debida a la emisión estimulada. aumentando la emisión de fotones por encima del valor estacionario. El primer término de la parte derecha es la velocidad del flujo (en dos dimensiones o por unidad de área) de partículas dentro de la región activa. arrastre y difusión de los portadores que limitan la velocidad de la modulación de pequeña señal. hasta el cual puede operar con seguridad y por encima del cual se destruye el láser. Esto destruye el láser al estropearse los espejos de la cavidad. (B.6. capacidad e inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. El sobrecalentamiento produce un deterioro de los parámetros del dispositivo como la ganancia. Ejea 11-nov-08 .1. Por tanto el láser tiene un límite superior de inyección. Los límites intrínsecos de modulación son debidos al diseño de la cavidad. Un último límite extrínseco del láser que limita la velocidad de éste es debido a los elementos parásitos extrínsecos del diodo láser. Los límites extrínsecos son varios. hasta que la ganancia no alcance el valor de las pérdidas en la cavidad. Para una concentración de portadores bidimensional o por unidad de área (n2D=n⋅dlas) tenemos.5. Calculemos ahora el tiempo de retraso td examinando la variación de la concentración de portadores. El láser debe ser diseñado con cuidado para que la resistencia. La mayor emisión de fotones a su vez reduce la concentración de portadores mediante una mayor recombinación estimulada de pares e-h. Esteban Sanchis / Prof. Una restricción importante es el sobrecalentamiento del láser debido a las altas corrientes de polarización del láser. durante B. Conmutación del láser en gran señal La modulación del láser bajo gran señal significa inyectar corrientes por debajo y por encima del valor umbral. la concentración de portadores aumenta y la ganancia del dispositivo también empieza a aumentar. la concentración de portadores en la región activa del láser vale cero. etc.

6: El diodo láser el tiempo en que n2D<n2D(th) no habrá fotones en la cavidad y Rstim ~ 0. (B. Junto a este problema están las oscilaciones de relajación o establecimiento que se producen cuando los fotones empiezan a emerger. Por tanto el tiempo de retraso vale (para n2D(i)=0). Esteban Sanchis / Prof. Si integramos la expresión de t=0 a t=tf teniendo en cuenta que n2D varía desde n2D=n2D(i) a n2D(f) obtenemos.10: (a) Respuesta temporal de la salida de la luz del láser para conmutación en gran señal desde debajo del umbral hasta por encima del umbral. B.6. La respuesta se caracteriza por un retraso td y oscilaciones de B. Fig.33) El tiempo τ es debido a procesos radiantes y no radiantes por debajo del nivel umbral.6-17 Prof. Juan B. Si los procesos no radiantes son despreciables τ = τr y por tanto existirá un retraso de varios nanosegundos entre el tiempo en que se aplica el salto de corriente y el momento en que los fotones emergen de la cavidad.6.32) La densidad de fotones empieza a cambiar cuando n2D(f)=n2D(th).CEF Tema B.6. (B. Ejea 11-nov-08 .

si el láser es polarizado a un valor de corriente de alta inyección la respuesta de éste será mejor. En la teoría de pequeña señal se aplica una señal de corriente de la forma: (B. la población de fotones por unidad de área en estado estacionario y τph es la vida media de los fotones.6. Esto provoca una variación en la concentración de portadores y en la densidad de fotones: (B. La corriente inyectada y la corriente umbral De la expresión se puede deducir que cuanto mayor sea la densidad de fotones mayor será el ancho de banda.6-18 Prof. (b) Respuesta en frecuencia típica para un láser semiconductor funcionando muy por encima del umbral. Respuesta del láser en pequeña señal La siguiente respuesta temporal importante en un láser es la respuesta a una modulación en pequeña señal. De esta expresión se pueden sacar las siguientes conclusiones.36) donde ωr es la frecuencia de resonancia del láser. la cual corresponde a una modulación de la densidad de corriente. Al contrario que el LED el LD no está limitado por el tiempo de recombinación espontánea de huecos y electrones. mayor será la densidad de fotones.34) donde >Jth y ΔJ es pequeña. Es deseable por tanto un láser de baja corriente umbral ya que para un mismo nivel de corriente.5. Juan B. Esteban Sanchis / Prof.2. el término γ representa un factor de amortiguamiento.CEF Tema B.37) con .6. (B.6.35) La respuesta en frecuencia del láser bajo este tipo de modulación es de la forma: (B. En R(ω). la cual nos proporciona su ancho de banda. La respuesta en pequeña señal mejora conforme se inyectan más portadores y por tanto se pasa a niveles de potencia superiores.6.6: El diodo láser relajación.6. B. Ejea 11-nov-08 . B. De igual manera.

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Por otra parte no podemos aumentar la corriente de inyección indiscriminadamente debido a los efectos extrínsecos. A alta inyección, el calentamiento y la alta densidad de fotones inducen efectos que pueden llegar a degradar el buen funcionamiento del láser. Efecto Auger La ya mencionada recombinación de Auger da lugar a calor en vez de a fotones por lo que una fracción de la corriente no estará disponible para la creación fotones y, en consecuencia, habrá que aumentar el nivel de inyección para alcanzar la misma densidad de fotones. Además se produce un aumento del factor de amortiguamiento γ de la resonancia reduciendo el ancho de banda. Vida media de los fotones De la expresión de la frecuencia de resonancia podríamos deducir que hay que reducir al máximo la vida media de los fotones para mejorar el ancho de banda, pero hay que ser cuidadoso ya que la vida media de los fotones está relacionada con la ganancia y la corriente umbral ya que esta vida media depende de la pérdida de fotones por absorción y por reflexión-transmisión. La vida media de los fotones se puede acortar reduciendo la longitud de la cavidad, pero esto aumenta las pérdidas de fotones en la cavidad ( ) y, por

tanto, se necesita un mayor n2D(th) para obtener la misma ganancia. Existe una longitud óptima de la cavidad para un determinado láser. Esta longitud óptima para la mayoría de los láseres es de 100µm. Ganancia diferencial La aparición de la ganancia diferencial en la expresión demuestra que se puede mejorar la respuesta del láser eligiendo una región activa del láser que nos proporcione un valor superior de dicha ganancia diferencial. La cuestión que se plantea es cual será la frecuencia de corte máxima que podemos alcanzar en el láser real. Desgraciadamente aunque las investigaciones han insistido mucho los anchos de banda alcanzados no se han aumentado lo que se esperaba. Se han podido alcanzar frecuencias de hasta 40GHz. Los últimos láseres de pozo cuántico alcanzan frecuencias de hasta 35GHz. Aunque estos valores son impresionantes resultan algo ridículos frente a los valores obtenidos con dispositivos de microondas donde se han alcanzado frecuencias de hasta 300GHz en FETs basados en la tecnología de InGaAs.

B.6.6.

Diseño de láseres semiconductores: diseño de estructuras electrónicas.

Según lo visto hasta ahora lo más importante para mejorar el uso del láser en comunicaciones ópticas es reducir su corriente umbral y aumentar su ancho de banda. Además también se buscarán láseres con frecuencias de emisión que sean importantes para aplicaciones concretas. Así necesitaremos láseres de longitudes de onda largas para aplicación

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en comunicaciones, láseres de longitud de onda corta para aplicaciones de memoria óptica, láseres de luz azul y verde para visualizadores, etc. Vamos ahora a ver algunas consideraciones de diseño importantes para un funcionamiento óptimo del láser.

B.6.6.1.

Corriente umbral baja

Los primeros láseres utilizaban una capa activa muy gruesa donde dlas era del orden o mayor de 1µm. El factor de confinamiento óptico en esta capa era muy alto (Γ~1). Hay que tener en cuenta que la concentración tridimensional de electrones (huecos) requerida para producir la condición de transparencia (la luz no sufre ni absorción ni ganancia) es una concentración n (transparencia) que es independiente del grosor de la capa activa si Γ~1. Dicho valor de n (transparencia) es cercano a nth en estructuras de alta calidad. Sin embargo, en nuestro caso la densidad de corriente necesaria en el umbral está relacionada con la concentración de portadores bidimensional (n2D = n⋅dlas) a partir de la ecuación obtenida con anterioridad, ⇒ Por tanto en estos dispositivos la corriente umbral depende directamente del grosor de la capa activa, como puede observarse en la siguiente figura. Una disminución de la corriente umbral se consigue disminuyendo el grosor de la capa activa.

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Fig. B.6.11: Dependencia de la corriente umbral en láseres de doble heteroestructura con la anchura de la región activa. La densidad de corriente umbral cae con el grosor de la región activa. Para valores muy bajos del grosor de la capa activa (dlas ≤ 50Å) el factor de confinamiento óptico, Γ, tiende a 0 de forma que la ganancia de la cavidad es casi cero.

Cuando dlas disminuye alcanzando valores sumamente pequeños (dlas ≤ 50Å), el grosor de la región activa se hace mucho menor que la longitud de onda de emisión, por lo que el factor de confinamiento óptico Γ comienza a disminuir tendiendo a cero y la ganancia de la cavidad es casi cero. En esta figura puede ser visto que la menor corriente umbral se obtiene en dispositivos con pozos cuánticos de entre 50Å y 100Å. Conforme el valor de dlas disminuye (sin llegar a ser ≤ 50Å) empiezan a tener importancia los efectos cuánticos que hacen que Jth disminuya. En la siguiente figura se muestra una estructura típica de un láser de pozo cuántico. En un pozo cuántico, el electrón está dentro de un "mundo bidimensional" lo cual causa una reducción en la densidad de estados energéticos permitidos con lo que es posible alcanzar la condición de inversión para una menor inyección reduciéndose por tanto la corriente umbral. Un recubrimiento de un material de gran banda prohibida recubre el pozo cuántico para que la onda óptica esté muy confinada cerca del pozo cuántico y así incrementar tanto como sea posible el factor de confinamiento óptico. Para pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs se obtienen corrientes umbral a temperatura ambiente de hasta 100A/cm2. Esto significa que una cavidad láser de 10µm x 200µm se puede activar por una corriente de 2mA. Tales niveles de corriente se pueden suministrar por dispositivos electrónicos que a su vez pueden ser modulados a altas velocidades para proporcionar una modulación a alta velocidad de la salida óptica.

Fig. B.6.12: Estructura de un láser de pozo cuántico para láseres de baja corriente umbral. La densidad de estados en un pozo cuántico 2D permite alcanzar la inversión para corrientes menores. Un recubrimiento de un material de gran banda prohibida recubre el pozo cuántico para que la onda óptica esté lo más confinada posible cerca del pozo cuántico a fin de incrementar en lo posible el factor de confinamiento óptico.

Los últimos avances en pozos cuánticos se han obtenido con el desarrollo de pozos cuánticos tensados. Esta tensión se produce aplicando una fina capa de material sobre un substrato de diferente constante de estructura cristalina. Finas capas con diferencias en la constante de la estructura del orden del 3% pueden obtenerse mediante técnicas de B.6-21
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crecimiento epitaxial. Esta tensión reduce también la densidad de estados energéticos permitidos pudiendo alcanzarse la condición de inversión para una menor inyección y reduciéndose la corriente umbral hasta en un factor 3. También se puede mejorar el comportamiento del láser dopando la región activa de tipo p ya que esto permite alcanzar la condición de inversión con menor densidad de inyección. Como ya hay huecos presentes en la región activa no es necesaria la inyección de mucha carga para tener ganancia. Sin embargo, hay que tener en cuenta que un dopado p demasiado fuerte puede incrementar las pérdidas en la cavidad. Láseres de pozo cuántico: Utilizando las técnicas de crecimiento epitaxial es posible generar un tipo de heteroestructura en la que se tenga una capa muy fina (normalmente menor de 50nm) de un material con poca anchura de la banda prohibida rodeada de dos capas de material de mayor anchura de la banda prohibida. Esta estructura es conocida como "pozo cuántico". Dichos dos materiales han de tener estructuras cristalinas congruentes, es decir, la misma constante "a" para las dos estructuras cristalinas. De esta forma la cantidad de defectos superficiales en la interfase entre ambos materiales será mínima debido a la congruencia entre los dos tipos de cristales semiconductores. Como la anchura de la banda prohibida Eg cambia en la interfase, existen discontinuidades (saltos) en los valores de Ec y Ev, es decir, que parte de la discontinuidad aparecerá en la banda de conducción y parte en la banda de valencia. Estas discontinuidades, ΔEc y ΔEv, dependen de los materiales semiconductores y su dopado. En el caso de la heteroestructura GaAs/AlGaAs mostrada en la siguiente figura, ΔEc es mayor que ΔEv. Las proporciones suelen ser del orden de: (B.6.38) es decir, del 60 al 65% de la diferencia entre las anchuras de las bandas prohibidas está en la banda de conducción. Debido a la barrera de potencial ΔEc, los electrones en la banda de conducción de la fina capa de GaAs estarán confinados en la dirección x aunque "libres" en el plano yz.

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Fig. B.6.13: Esquema de un pozo cuántico.

Para analizar el comportamiento de un electrón en la banda de conducción podemos hacer la aproximación de que el potencial V(x) al cual está sometido el electrón es cero en el pozo cuántico e infinito fuera de éste. Es decir, definiremos la barrera de potencial con respecto al valor de Ec dentro del pozo cuántico y supondremos que la altura de la barrera de potencial es infinita. Esto nos permitirá obtener un modelo sencillo que corresponderá a una buena aproximación al caso real. La ecuación de Schrödinger para el electrón: (B.6.39) Esta ecuación puede ser separada en tres ecuaciones, una para cada uno de los ejes, x, y y z:

(B.6.40) Las soluciones en el plano y-z son muy sencillas y son de la forma:

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(B.6.41) Suponiendo que el potencial V(x) es cero en el pozo cuántico de anchura d e infinito fuera de éste, los valores de kx están restringidos a con n= 1, 2, 3, ... y la solución para el eje x será de la forma sin(kx⋅x) o cos (kx⋅x), es decir: (B.6.42)

(B.6.43)

(B.6.44) con lo que la energía en esta dirección está cuantizada en función de n. La energía total de un electrón en el pozo cuántico será la suma de los tres términos Ex, Ey y Ez, al cual le deberemos añadir Ec, ya que la barrera de potencial la hemos definido con respecto a dicho valor. (B.6.45) Si tenemos en cuenta que, además de la dimensión d en el eje x, las dimensiones del dispositivo en el pozo cuántico en los ejes y y z son Dy y Dz como se muestra en la siguiente figura:

Fig. B.6.14: Esquema ilustrativo de una estructura de pozo cuántico (QW) en la cual una fina capa de GaAs es colocada entre dos semiconductores de mayor anchura de la banda prohibida (AlGaAs).

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se tendrá que cumplir la relación: con n= 1, 2, 3, ... con ny = 1, 2, 3, ...

con nz= 1, 2, 3, ...

(B.6.46)

y la energía del electrón en la banda de conducción podría obtenerse de forma análoga a partir de: (B.6.47) donde n, ny y nz son números cuánticos. Pero Dy y Dz son bastantes ordenes de magnitud mayores que d de forma que la mínima energía E1, está determinada por el término con n y d, es decir, la energía asociada al movimiento en el eje x. La separación entre los niveles energéticos determinados por ny y nz y asociados al movimiento en el plano yz es tan pequeña que podemos suponer que el electrón es libre para moverse en dicho plano. Hay que observar, a partir de la expresión anterior, que para un electrón en la banda de conducción de un material semiconductor de grandes dimensiones (Dx, Dy y Dz), la separación entre los niveles energéticos determinados por los tres números cuánticos es tan pequeña que podemos suponer que la energía no está cuantizada sino que es un continuo y, por tanto, que el electrón es libre. Los huecos en la banda de valencia dentro del pozo cuántico están confinados por la barrera de potencial determinada por ΔEv y su comportamiento es similar al visto para los electrones en la banda de conducción. El resultado es que se tienen una serie de sub-bandas para n=1, 2, 3, ...y, cuando un electrón se encuentra en una de estas sub-bandas, éste se comporta como si estuviese en un mundo bidimensional. La densidad de estados N(E) para un sistema electrónico bidimensional no es el mismo que para un semiconductor de grandes dimensiones, en el cual el electrón está en un mundo tridimensional. La densidad de estados N(E) es el número de estados energéticos permitidos para el electrón por unidad de volumen y de energía para el nivel energético E. 3D (B.6.48)

2D

(B.6.49)

Así, mientras en un sistema tridimensional hay una dependencia en E1/2; para un sistema bidimensional no hay dependencia con E como se muestra en la siguiente figura:

B.6-25
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Como dentro de cada sub-banda (para n=1. Esteban Sanchis / Prof. La densidad de estados permitidos es constante en cada nivel energético cuantizado. . la densidad de estados en cada sub-banda es constante y de valor: con (B. la mayor parte de los huecos en la banda de valencia estarán en su nivel energético mínimo ya que para dicho nivel energético existen suficientes estados. 3.6. Ejea 11-nov-08 .16: Los electrones en la banda de conducción dentro de la capa de GaAs quedan confinados (por ΔEc) en la dirección x a una pequeña longitud d en donde su energía está cuantizada. En un semiconductor de grandes dimensiones. B. B. en el nivel energético E1 dentro del pozo cuántico podemos tener fácilmente una gran concentración de electrones.. Como en E1 hay un número finito y substancial de estados permitidos. también mostrado en la figura. B.15: Variación que experimenta la densidad de estados energéticos permitidos con la energía en un sistema tridimensional y en un sistema bidimensional.) el electrón se comporta como si estuviese en un mundo bidimensional.6.6-26 Prof.CEF Tema B. De forma similar. los electrones en la banda de conducción no tienen por que expandirse en valores de energía para encontrar estados energéticos. La densidad de estados en la banda de valencia. Fig. 2.6.6: El diodo láser Fig. A diferencia de lo que sucede en un semiconductor de grandes dimensiones.50) dando lugar a una representación con un perfil de tipo escalonado como el mostrado en la siguiente figura. tiene un comportamiento similar. Juan B. la densidad de estados es cero en Ec y se incrementa lentamente con la energía (como E1/2) lo cual significa que los electrones se expanden más profundamente en la banda de conducción en la búsqueda de estados..

En la estructura de un láser de múltiples pozos cuánticos (MQW) se alternan capas muy finas de material semiconductor de pequeña anchura de la banda prohibida con capas más grandes de semiconductores de mayor anchura de la banda prohibida. produciéndose emisiones estimuladas.6: El diodo láser Cuando es aplicada una tensión de polarización directa. son inyectados electrones en la banda de conducción de la fina capa de GaAs que hace el papel de región activa. Por ejemplo. Las capas de semiconductor de menor gap constituyen las regiones activas en las que tiene lugar el confinamiento de los electrones. el inicio de la emisión estimulada se reduce con respecto a dispositivos con semiconductores de grandes dimensiones. con lo que la energía de los fotones emitidos es muy cercana a E1.1mA mientras que en un láser de heteroestructura la corriente umbral está en el rango de 10mA 50mA. la corriente umbral para que se produzca la inversión de población y. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . B.CEF Tema B. por tanto. la inversión de población entre E1 y puede ocurrir sin la necesidad de una gran corriente que proporcione una gran cantidad de electrones. Juan B. La inversión de población entre E1 y . En consecuencia. En consecuencia.6. por tanto. Los electrones inyectados rápidamente pueblan un gran número de estados energéticos en E1.6-27 Prof.5mA .17: En un láser de un único pozo cuántico (SQW) los electrones son inyectados por la corriente de polarización directa en la fina capa de GaAs la cual se utiliza como región activa. en un láser de un único pozo cuántico (SQW) ésta está normalmente en el rango de 0. Otra ventaja del láser de pozo cuántico es que la mayor parte de los electrones están en E1 y la mayor parte de los huecos están en .es alcanzada incluso con una pequeña corriente de polarización directa. B. Fig. lo cual significa que la concentración de electrones en E1 se incrementa rápidamente con la corriente y. La recombinación de un par electrón-hueco de forma estimulada con energías E1 y respectivamente conducirá a la emisión estimulada de un fotón. la anchura en longitudes de onda del espectro de salida es substancialmente más pequeña que en láseres de semiconductores de grandes dimensiones.

Cuando se inyectan portadores en el láser llega un momento en que la ganancia se hace positiva y se superan las pérdidas.51) donde v es la velocidad de la luz. B.6. Estructuras avanzadas: cavidades a medida B. Ejea 11-nov-08 . B.. Es decir que los distintos modos longitudinales tendrán frecuencias de: m=1.6-28 Prof. 2. Aún así siempre hay más de un modo que es emitido por el láser. con separación entre modos: (B.1.53) (B. Esteban Sanchis / Prof. Debido a esto la pureza modal de la cavidad de Fabry-Perot no es muy buena. 3.CEF Tema B. En esta cavidad hay un número de modos ópticos que forman modos estacionarios como ya hemos visto..6.52) B.6. algunos modos cuyas frecuencias están más cercanas al pico de energía se hacen más potentes.6. Los vectores E y H de estos modos longitudinales son perpendiculares a la dirección de propagación.6. En ese instante un número determinado de los modos ópticos longitudinales comenzará la emisión estimulada. Aspectos de la cavidad de Fabry-Perot La estructura de la cavidad de Fabry-Perot tiene una longitud L y una anchura dT. El espaciado entre los modos en la cavidad de Fabry-Perot es (B.7.6. Si se inyectan todavía más portadores.18: En un láser de múltiples pozos cuánticos (MQW) los electrones son inyectados por la corriente de polarización directa en las regiones activas las cuales son pozos cuánticos. Juan B.6: El diodo láser Fig.7.

Esto puede resultar en algunos "codos" en la curva de potencia de salida frente a corriente inyectada. no únicamente se tienen presentes modos longitudinales sino también algunos modos transversales como se muestra en la siguiente figura. Estos "codos" producen ruido en las comunicaciones ópticas y los debemos evitar. de las que hablaremos a continuación. los campo E y H son perpendiculares al eje de la cavidad.CEF Tema B. Juan B. Conforme aumenta la corriente inyectada. En estos. únicamente se tiene el modo transversal de orden inferior llamado TEM00 cuyo perfil se asemeja al de una gaussiana como se observa en la anterior figura. Esteban Sanchis / Prof. Como consecuencia. Esto es debido al tamaño tan grande de la cavidad comparado con la longitud de onda de la luz. Ejea 11-nov-08 .6: El diodo láser Los modos de fotones que se pueden emitir en la recombinación de pares electrónhueco en una cavidad de Fabry-Perot son esencialmente los mismos que en un semiconductor normal. si el confinamiento óptico transversal es pequeño (es decir dT es grande). Esquema de varios modos laterales. la potencia relativa de los distintos modos cambia. Fig. la cual determina la existencia de modos transversales de la luz emitida.6. Si la dimensión transversal dT es suficientemente pequeña. dT. Sin embargo.6-29 Prof. La cavidad presenta también una dimensión lateral. Las longitudes típicas van desde los 150µm a 1mm dependiendo de la aplicación. Como este pico se desplaza con la inyección de portadores el modo máximo también se desplaza. El modo longitudinal que tiene la mayor densidad de fotones es el que tiene una longitud de onda más parecida al pico en el espectro de la ganancia.19: Parámetros geométricos de la cavidad de Fabry-Perot y su importancia para la emisión del rayo. aumentando para ello el factor de confinamiento óptico utilizando cavidades guiadas por ganancia o cavidades guiadas por índice. La cavidad de Fabry-Perot es una de las estructuras más sencillas utilizadas en láseres de semiconductores. La salida puede tener varios de estos modos cuando la inyección de corriente se incremente. tendremos presentes modos ópticos transversales con frecuencias muy cercanas ya que 1/dT determina el espaciado en frecuencia. B. B.

Ejea 11-nov-08 . Como el índice de refracción del material depende de dicha concentración de portadores.20: La aparición de modos laterales en el rayo produce "codos" en la curva luz-corriente. y por tanto la onda óptica. B. quede confinada en dicha región tan estrecha.6. Fig. B.6-30 Prof. Esta difusión se puede controlar a través del diseño del dispositivo. La estructura del semiconductor es recubierta de una fina capa de óxido (SiO2) en la cual se produce por atacado una fina tira de anchura dT entre 2µm y 10µm. El contacto se realiza a través de esta tira como se muestra en la siguiente figura. Esto permite que la corriente inyectada. La corriente se inyecta a través de la estrecha apertura de anchura dT y se esparce por debajo de ella debido al carácter difusivo del flujo de corriente.6: El diodo láser Fig. Cavidades guiadas por ganancia La técnica más común para confinar la onda óptica y dirigirla a lo largo de la cavidad es fabricar láseres con geometría de tiras. B. El patrón de radiación es similar al de un ELED salvo en que los semiejes ancho y estrecho del cono elíptico se invierten y los ángulos de apertura son menores. Finalmente. la ganancia del dispositivo tampoco es uniforme.22: Diagrama de radiación típico de un diodo láser.6. también se distribuye de forma no uniforme. Fig.CEF Tema B. B. La concentración de portadores debajo de la tira no es uniforme. Un efecto similar se consigue con el láser de perfil rectangular mostrado en (b). Juan B.6. Esteban Sanchis / Prof.21: Estructura típica de una cavidad de Fabry-Perot.

Pero para estas tiras tan estrechas. (e) perfil de densidad de electrones. Por ello se utilizan cavidades guiadas por índice para láseres de un solo modo transversal. B. Debido a esto. (c) inyección de corriente en el láser. Juan B. (g) perfil de ganancia y pérdidas. la corriente umbral del dispositivo se hace muy alta ya que una gran parte de esta corriente se esparce y no se aprovecha. Es difícil producir un funcionamiento en que se tenga un único modo transversal en un láser de este tipo en que es la ganancia la que determina el efecto de guiado a menos que se tenga una tira muy estrecha (~2µm). (d) perfil de densidad de corriente. es la ganancia la que produce el efecto de guiado. Fig. B. Dicha estructura es llamada diodo láser "enterrado" de heteroestructura y su fabricación es mucho más compleja.6. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B.23: (a) Láser de geometría de tiras.6-31 Prof. En este tipo de cavidad la zona activa queda rodeada de materiales de mayor anchura de la banda prohibida. Cavidades guiadas por índice Las cavidades guiadas por índice se basan en una variación escalón del índice de refracción en dirección lateral. no solo la parte real del índice de refracción es no uniforme en la dirección sino que también la ganancia es altamente no uniforme. la causante de la ganancia en la región activa a este tipo de diodos láser se les llama guiados por ganancia. Para producir este salto en el índice de refracción. se requieren procesos de crecimiento y atacado a fin de obtener regiones de pocas micras. (b) el láser de perfil rectangular. (f) perfil de índice de refracción. Como es la circulación de la corriente. Esteban Sanchis / Prof. De hecho el salto en el valor del índice de refracción es bastante pequeño como para que pueda ser considerado determinante en el comportamiento transversal mientras el perfil de ganancia en y es altamente no uniforme.6: El diodo láser En consecuencia.

A altas potencias los modos laterales serán menores en relación con el modo dominante. debemos tener pozos cuánticos en la región activa.2. pero aun así la anchura del espectro es de unos 20Å aunque cada modo es muy estrecho. Una cavidad selectiva respecto a los modos es la estructura de realimentación distribuida (DFB) que se basa en la propagación de ondas en estructuras periódicas. no es tan sencilla la obtención de cavidades tan sumamente selectivas. Juan B.7. Por supuesto. La pregunta es: ¿podemos con la misma cavidad seleccionar un modo? Después de todo.6: El diodo láser Si este tipo de láser se fabrica correctamente. no sufre de "codos" en su curva de potencia frente a la corriente inyectada. aunque es fácil de fabricar tiene una serie de inconvenientes que hay que evitar. Dado que se utilizan dos espejos no se selecciona ningún modo en particular en la cavidad y el modo emergente y dominante dependerán del espectro de la ganancia que depende de las propiedades electrónicas de la región activa.CEF Tema B. B. Este B. tendremos varios modos emergiendo de la cavidad de Fabry-Perot. podemos encontrar algunas soluciones.6.24: Cavidades láseres guiadas por índice. Esteban Sanchis / Prof. para obtener los máximos beneficios de esta estructura. En la estructura DFB se incorpora un enrejado periódico en la estructura del láser en las proximidades de la región activa. Ejea 11-nov-08 . Fig.6-32 Prof. Su salida es monomodal y su corriente umbral muy baja. B. en circuitos electrónicos es posible diseñar cavidades resonantes con gran selectividad en lo que respecta a los modos. Aunque en componentes fotónicos.6. reflejando de forma selectiva según la longitud de onda. Láseres de realimentación distribuida La cavidad láser de Fabry-Perot. De hecho en microondas sí que tenemos capacidad de crear cavidades resonantes altamente selectivas. llamado enrejado de Bragg actúa como un espejo. Como la distancia entre modos es de sólo 4Å o 5Å y el espectro de ganancia es bastante plano en dicho rango. Como vamos a ver este enrejado.

6.CEF Tema B.6-33 Prof.55) donde neff = n⋅sinθ.25: Las ondas parcialmente reflejadas en las arrugas interferirán constructivamente constituyendo una onda reflejada cuando la longitud de onda satisfaga la condición de Bragg. Todas las magnitudes. Esteban Sanchis / Prof. Una expresión más aproximada para las longitudes de onda de Bragg la podemos obtener a partir de la condición: (B. las ondas parcialmente reflejadas A y B tienen una diferencia de camino óptico de valor 2⋅Λ. Fig. Fig. B.6. Por ejemplo en el esquema simplificado de la siguiente figura. Ejea 11-nov-08 . B. B.54) donde n es el índice de refracción del material del enrejado.6: El diodo láser tipo de enrejado está compuesto por una especie de "arrugas" con una periodicidad Λ. (b) Como trabaja la realimentación distribuida.26: Diodo laser de realimentación distribuida (DFB) (a) Un diodo láser DFB. incluido el ángulo θ están ilustradas en la siguiente figura.6.6. De forma intuitiva se puede obtener que las reflexiones parciales de las ondas provenientes de las arrugas interferirán constructivamente (se reforzarán la una a la otra) para dar una única onda reflejada sólo en el caso de que la longitud de onda corresponda a dos veces la periodicidad del enrejado. Interferirán constructivamente únicamente si 2⋅Λ es un múltiplo de la longitud de onda en el medio: (B. Juan B. (c) Espectro de la radiación de salida.

La dificultad en la fabricación de los láseres DFB hace que su coste sea del orden de mil veces mayores que las cavidades de Fabry-Perot. Se pueden producir en gran número sobre una oblea y el rayo emerge perpendicularmente a la oblea.6-34 Prof. B.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof.6. En ellos el rayo es paralelo al substrato donde crece el cristal. R suele tener un valor de 0. Como hemos visto con anterioridad.7. Los láseres de emisión superficial (SEL) o láseres de emisión superficial con cavidad vertical (VCSEL) resuelven estos problemas. Ejea 11-nov-08 . de forma que para asegurar una corriente umbral razonablemente baja L debe ser mayor de 100µm. Los dispositivos se pueden hacer también muy pequeños de forma que la corriente umbral es del orden de microamperios. Fig. Además es difícil de conseguir un gran número de láseres integrados en un solo chip lo que es una limitación para los chips de ordenador con interconexión óptica. B.27: Estructura de realimentación distribuida que incorpora un enrejado periódico.3.6: El diodo láser Sólo las longitudes de onda λB.6. Juan B. B. Láseres de emisión superficial Hasta ahora sólo hemos visto láseres de emisión lateral. El resultado de todo esto es que se puede conseguir una anchura espectral de la radiación extremadamente estrecha (c). interferirán constructivamente al reflejarse y. no puede acercarse demasiado a la región activa. El láser de emisión lateral es pues un dispositivo físicamente bastante grande comparado con otros dispositivos microelectrónicos como por ejemplo transistores. existirán en la cavidad. La palabra "distribuido" hace referencia a que la reflexión no tiene lugar en un único lugar (espejo) sino que ocurre en muchos puntos que están dispersos.56) donde L es la longitud de la cavidad. Pero como la colocación del enrejado crea defectos en la red cristalina. la condición que se ha de cumplir para que se produzca el rayo láser es: (B.3.6. por tanto. Esta estructura debe estar lo más cerca posible de la capa activa de forma que la onda óptica interacciona fuertemente con el enrejado.

99. las pérdidas por reflexión serán del orden de 103cm−1 o mayores. Ejea 11-nov-08 . Para evitarlo se utilizan espejos de alta reflectividad. Estos espejos dieléctricos proporcionan un alto grado de reflectividad a la longitud de onda λ0 en el espacio libre siempre y cuando los grosores de las capas que se alternan d1 y d2 con índices de refracción nr1 y nr2 cumplan la condición (B. Para realizar un análisis detallado del SEL hay que calcular cuidadosamente la reflectividad de los DBRs. Estos cálculos han arrojado como resultado que para dispositivos de diámetros laterales mayores que 10λ0 la reflectividad vale (B.6. se producen efectos de concentración de corriente.6. Se puede alcanzar fácilmente un valor de R cercano al 99% si se escoge la relación adecuada entre N y nr1/nr2. como una estructura periódica puede utilizarse para reflejar efectivamente una onda acorde con la periodicidad espacial. Si la reflectividad de los espejos se puede hacer del orden de 0. i) Inyección de carga: La presencia de los espejos DBR dificulta considerablemente la inyección de carga en el SEL. las pérdidas serán sólo de 10cm−1 lo que es muy aceptable para láseres de baja corriente umbral.58) siendo nr1 menor que nr2 y d1 = d2.CEF Tema B. Si se utilizan conectores anulares que eviten los DBRs. Se tiene que tener especial cuidado en desarrollar caminos de baja resistencia hasta la región activa. Aún así existen algunos problemas con esta estructura comparada con las de emisión lateral. Este concepto de reflectores distribuidos de Bragg (DBRs) se utiliza en el SEL para obtener espejos de alta calidad. Esteban Sanchis / Prof. Se pueden construir matrices de láseres a partir del SEL pudiéndose alcanzar potencias de hasta 1W. La reflectividad disminuye si el diámetro de la cavidad se asemeja a algunas veces λ. Los reflectores son espejos dieléctricos realizados alternando finas capas de alto u bajo índice de refracción. Esto significa una corriente umbral muy elevada. Si la carga se debe inyectar a través del DBR éste se debe dopar y un DBR presenta bastante resistencia al flujo de corriente. En la sección anterior hemos mencionado.6-35 Prof. En este B. En un SEL la región activa es como la de una cavidad de Fabry-Perot pero varía el recubrimiento.6: El diodo láser En el SEL los espejos están en la parte superior e inferior del dispositivo.57) La longitud de onda se elige de forma que coincida con la energía de los fotones del pico de ganancia.3. El grosor de la cavidad no puede exceder los 10µm. La reflectividad de la estructura DBR es muy alta cuando se cumple la condición de Bragg (λ=λ0) y cae bruscamente para otras longitudes de onda. Si la reflectividad se mantiene alrededor de 0. Juan B. N es el número de periodos utilizados en el DBR.

Se muestra esquema de la reflectividad. Esteban Sanchis / Prof. Las limitaciones físicas de la construcción de semiconductores hacen que no se puedan obtener potencias superiores a los 10mW para un solo láser. Ejea 11-nov-08 . El láser DBR En la estructura periódica que hemos visto hasta ahora la periodicidad es fija y por tanto la longitud de onda del láser también. Fig.6: El diodo láser caso la corriente se concentra en los extremos mientras que el centro tiene muy poca corriente. En el láser DBR las capas reflectantes se colocan B. B. Juan B. Aunque la potencia de un láser puede ser elevada es difícil de controlar la fase de los diferentes láseres de una matriz siendo este uno de los puntos más investigados en la actualidad. Mejoras en el SEL se obtendrán cuando se resuelvan estos problemas. (b) Estructura típica de un DBR de GaAs / AlAs. Por tanto es difícil hacer funcionar el SEL con altas corrientes ya que el calentamiento reduce el rendimiento debido a pérdidas de corriente y la recombinación de Auger (para materiales de banda prohibida pequeña) y la salida óptica tiende a saturarse.6. B.28: (a) Esquema de la localización de los reflectores DBR en un láser de emisión superficial.7.6. (c) Estructura de DBR utilizando apilamientos de materiales amorfos.CEF Tema B. ii) Calentamiento del dispositivo: La alta resistencia del SEL calienta mucho el dispositivo.6-36 Prof. El SEL adquiere importancia por su capacidad de formar parte de un chip no sólo para ser incluido en circuitos integrados si no también para fabricar láseres de potencia (1W).4.

Fig.60) (B. Dependencia con la temperatura de la emisión del láser Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisión de un láser es de suma importancia. la salida de fotones cae. Esto se debe a tres razones: i) El incremento de la temperatura provoca que las funciones y se expandan y en consecuencia. B.6. B. Los factores de mayor importancia en el estudio de la dependencia con la temperatura son. Dependencia de la corriente umbral con la temperatura Conforme aumenta la temperatura del láser.8.6.6.59) Los valores de nr1 y nr2 se pueden modificar electrónicamente y el láser puede sintonizar su longitud de onda en un rango de unos 30Å. Juan B. se necesita una mayor inyección de portadores para que se llegue a cumplir la condición de inversión de población .6-37 Prof. El DBR es el responsable de reflejar la luz emitida por la zona activa y la longitud de onda que tiene la mayor realimentación debe cumplir λB = 2qa donde q es un entero positivo y a es la periodicidad de la estructura a = nr1d1 + nr2d2 (B.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. donde el reflector de Bragg está fuera de la región activa. La periodicidad óptica del DBR se puede modificar electrónicamente. su corriente umbral también aumenta y para un nivel de inyección determinado.6: El diodo láser fuera de la zona activa y además el índice de refracción de la zona reflectante se puede modificar mediante la inyección de corriente.29: Láser DBR. para aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas corrientes de inyección lo cual puede producir un calentamiento del dispositivo aún con buena refrigeración. B. i) efecto de la temperatura sobre la corriente umbral y la intensidad óptica y ii) efecto de la temperatura sobre la frecuencia de emisión. Este efecto se produce en todos los tipos de láseres B.6.6. Tal y como hemos visto en una sección anterior. Ejea 11-nov-08 .8. la corriente umbral aumenta con la temperatura. Por tanto.1.

por tanto.55µm). Fig. En consecuencia. la capacidad de pasar automáticamente a OFF al calentarse. el diodo láser debe o bien estar refrigerado o bien ser atacado por una fuente de potencia a corriente constante. ser descrita a través de la siguiente expresión (B. Los procesos de Auger son especialmente importantes en materiales de estrecha banda prohibida. Ejea 11-nov-08 .6. Para evitar esto. Un circuito típico para tal fin es el mostrado en la siguiente figura: B. Juan B. junto junto con el incremento en la densidad de portadores umbral hace que la recombinación de Auger crezca exponencialmente con la temperatura. T0 suele ser menor (del orden de 50K). B. A mayor temperatura hay más electrones y huecos con energías superiores al valor energético umbral necesario para que se produzca la recombinación de Auger.CEF Tema B.30: Potencia óptica de salida en función de la corriente por el diodo láser a tres temperaturas diferentes. La corriente de pérdidas depende del diseño del láser y se puede minimizar utilizando una región activa más ancha o una estructura con variación gradual del índice en el caso de láseres de pozo cuántico. en general. Para láseres de GaAs este valor es 120K y para longitudes de onda grandes (λ = 1.5% por ºC. El incremento de la corriente umbral es del orden del 1.6-38 Prof.6: El diodo láser ii) El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y huecos con energías mayores.6.61) Es deseable un valor grande de T0. Esteban Sanchis / Prof. La corriente umbral aumenta al aumentar la temperatura. El dispositivo tiene. controlada por un fotodetector utilizando un circuito de realimentación apropiado. una mayor fracción de la carga inyectada podrá cruzar la región activa y entrar en el recubrimiento o región de los contactos. iii) El resultado de estos tres efectos es que la densidad de corriente umbral en un láser puede. Esta corriente de pérdidas ya la vimos para el LED. Esto.

Esteban Sanchis / Prof. Conforme varía la temperatura. Sin embargo. Hay dos efectos que controlan esta variación de la frecuencia: i) La variación de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de ganancia completo a energías menores conforme aumenta la temperatura. el efecto ii) B. Dependencia con la temperatura de la frecuencia de emisión Para la mayoría de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de emisión permanezca estable.6: El diodo láser Fig.2. Esto nos conduce al segundo efecto. en el láser la emisión no depende sólo de la posición del pico de ganancia si no también del modo Fabry-Perot más cercano a este pico de ganancia.62) donde λq es la longitud de onda en el material y λq0 la longitud de onda en el vacío. Los modos resonantes vienen dados por (q es un entero) (B. Si la longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura. la posición de los modos se desplazará con respecto al espectro de ganancia que a su vez se está desplazando debido a la temperatura.6.6. Esta variación de la banda prohibida es del orden de −0. Esto hace variar al espectro de ganancia en 3Å o 4Å por K si no hay efectos adicionales como se muestra en la siguiente figura (a). Para la mayoría de los semiconductores.31: Fuente de alimentación de un diodo láser con un fotodetector interno para poder regular la luz de salida. Ejea 11-nov-08 . Pero en realidad si cambia la temperatura cambia la frecuencia de emisión del láser. B.6.5meV/K en la mayoría de los semiconductores. B.6-39 Prof. Juan B. Esto se muestra esquemáticamente en (b).8. la expansión térmica de la cavidad láser y la variación del índice de refracción altera la posición de los modos resonantes.CEF Tema B.

(b) Desplazamiento de la longitud de onda de emisión con la temperatura. B. Esto es debido a la alta concentración de potencia. Por ello hay que cumplir algunas medidas de seguridad: B.CEF Tema B.6: El diodo láser total será un desplazamiento de la longitud de onda resonante de alrededor de 1Å/K. Juan B. Aplicaciones del diodo láser Ante todo lo primero que hay que decir es que todos los láseres tienen una propiedad en común: son dispositivos altamente peligrosos.6. Esteban Sanchis / Prof. Incluso un nivel de un milivatio puede producir daños irreversibles en el ojo humano si se mira directamente. en el caso de láser DFB. al no depender el efecto láser del pico de ganancia si no del espaciado del enrejado.32: (a) Corrimiento del espectro de ganancia y los modos resonantes de la cavidad con la temperatura. Fig. Como resultado de ambos efectos. momento en el que se produce un salto de un modo a otro. Ejea 11-nov-08 . no se producen saltos de modo y la variación de la longitud de onda es de alrededor de 1Å/K en un amplio margen de temperaturas. Sin embargo.9. B.6. la longitud de onda de emisión de la cavidad de Fabry-Perot varía desplazándose a 4Å/K hasta que un modo adyacente se convierte en el más próximo al pico de ganancia.6-40 Prof.

Otra aplicación es el código de barras en la que se hace incidir un láser de He-Ne sobre el código y las reflexiones se traducen en un código de 10 dígitos. Los láseres han tenido un impacto significativo en aplicaciones militares y en fusión termonuclear. (a) Aplicaciones industriales y de trabajo con materiales: esta aplicación es una de las más desarrolladas ya que el rayo láser ha permitido una precisión mucho mayor en los cortes y tratamiento de materiales. tanto la inversión inicial como el mantenimiento. El rayo láser no calienta los materiales a tratar por lo que éstos no se deforman. Para rayos de alta potencia siempre es conveniente terminarlos con un material absorbente y a ser posible en un contenedor cerrado. Nunca mirar al rayo láser directamente ni tampoco a una imagen especular del rayo. Ejea 11-nov-08 . A su vez la lectura se hace detectando la reflexión de un láser al incidir sobre estas muescas. (b) procesado de información y comunicaciones ópticas. Su desventaja es el coste. Ropa blanca de grosor medio (bata de laboratorio) reduce la exposición del rayo láser en un factor 100. las aplicaciones del láser se pueden dividir en cuatro áreas: (a) aplicaciones industriales y de trabajo con materiales.6-41 Prof. El disco óptico consiste en grabar la superficie con pequeños agujeros o muescas de profundidad de un cuarto de longitud de onda con un láser. En estas aplicaciones los láseres más utilizados son obviamente los de alta potencia. Gracias a las comunicaciones ópticas y debido al ancho de banda que nos ofrece el rayo láser se pueden mandar grandes cantidades de información a través de una sola fibra óptica. Las aplicaciones del láser son también muy importantes en trabajos de miniatura y de precisión. 4. 5. 3. Hay que tomar por tanto precauciones especiales al trabajar con rayos láser fuera del espectro visible. Juan B. Aparte de estas.6: El diodo láser 1. (d) aplicaciones científicas y de medida. (c) aplicaciones médicas y biológicas. En las impresoras láser también se utiliza el rayo láser para detectar y reproducir imágenes con una muy alta resolución. Utilizar gafas especiales diseñadas para cada uno de los láseres que se vayan a manipular. Un rayo invisible produce los mismos daños que uno visible.CEF Tema B. aplicaciones muy especializadas de las cuales no vamos a hablar. Esteban Sanchis / Prof. 2. (b) Procesado de información y comunicaciones ópticas: las memorias ópticas como los DVD y los CD-ROM son hoy en día de uso diario. Se debe proteger la piel para láseres de altos niveles de potencia. B.

Además el daño producido a tejidos adyacentes es mínimo y se reduce el sangrado debido a la cauterización de la herida. Juan B.6: El diodo láser Fig. operar áreas muy inaccesibles como dentro del ojo u oído. B. El rayo láser se utiliza como escalpelo gracias a su precisión.33: Lector de CD. La precisión es de una parte por millón. Este método se utiliza para localizar la distancia de satélites e incluso de la luna con un error de 20cm. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Para largas distancias se modula el rayo y se comparan fases del rayo emergente y el reflejado obteniendo medidas con una precisión de una parte por millón. Por interferometría se pueden hacer medidas de distancias al medir el dibujo de interferencia producida entre el rayo emergente y el que retorna reflejado.6-42 Prof. Esteban Sanchis / Prof. (c) Aplicaciones médicas y biológicas: el rayo láser se utiliza como herramienta para operar y como herramienta para obtener diagnósticos. Para ello se ilumina un objeto con un rayo láser a través de un espejo semitransparente. Otra aplicación muy interesante es la holografía donde se crea un holograma el cual recoge toda la información necesaria para que a partir de él se pueda crear una imagen tridimensional de un objeto. Con un rayo láser y gracias a su perfecta linealidad se pueden hacer alineaciones con una precisión de 25µm sobre 25m. Las desventajas son una vez más el elevado coste de los equipos. Como el láser es altamente monocromático es fácil determinar corrimientos de frecuencia por efecto Doppler y así medir velocidades. Parte del rayo reflejado por el espejo B. Se pueden hacer incisiones de alta precisión dirigidas por microscopio. Para distancias aún mayores se emiten pulsos y se mide el tiempo de ida y vuelta. la lenta velocidad de las operaciones y las medidas de seguridad.6. (d) Aplicaciones científicas y de medida: el rayo láser de He-Ne permite hacer medidas con absoluta precisión y así determinar una línea horizontal haciéndolo incidir sobre un espejo en rotación. El láser de CO2 calienta el agua la cual al evaporarse corta la célula.

6-43 Prof. Juan B.34: Funcionamiento esquemático de la holografía. Esteban Sanchis / Prof.6: El diodo láser incide sobre una placa fotográfica la cual graba un diagrama de interferencias debido al rayo reflejado por el objeto con el rayo reflejado por el espejo. B. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Si ahora eliminamos el objeto cuando pase el rayo láser a través de la película.6. Fig. B. el observador verá una imagen tridimensional que además cambia conforme se vaya moviendo.

controlando de esta forma la transmisión luminosa. Introducción La invención en el siglo diecinueve del tubo de rayos catódicos o CRT ha influido nuestras vidas hasta lo inimaginable. como modulador no puede ser utilizado en sistemas de modulación a alta velocidad. Esta importancia del monitor de televisión es debido a que realmente una imagen vale más que mil palabras y nuestro cerebro es capaz de asimilar toda la información gracias a las imágenes.1.7. Comparado con un circuito integrado un monitor es un elemento muy hambriento de energía. Los monitores de LCD son los que más futuro tienen en la actualidad. Ejea 11-nov-08 .B. En la siguiente figura se muestran los tres modos diferentes en que una célula de cristal líquido puede ser aplicada a visualizadores prácticos. Los LCD se clasifican en dos tipos: el LCD de matriz pasiva y el LCD de matriz activa. que el LCD no emite la luz para transmitir la información sino que más bien la absorbe.ópticos basados en niobato de litio o arseniuro de galio. Lo más interesante de un visualizador LCD es que no utiliza ningún tipo de fuente luminosa. es decir. El paso de una simple célula de cristal líquido a un visualizador completo es una difícil tarea de complejidad similar a la fabricación de complicados circuitos integrados.7. la transmitancia del sistema mediante la aplicación de un campo eléctrico. Esteban Sanchis / Prof. Este desequilibrio entre el visualizador y el ordenador se está arreglando con la evolución de los visualizadores de cristal líquido o LCDs. También trataremos los dispositivos electro-ópticos en este tema. el cual requiere una fuente luminosa por debajo del visualizador. En un tema anterior ya se comentó el funcionamiento del cristal líquido. Este tipo de B. se utilizan dispositivos electro . es decir. si no que ya se utilizan en monitores a bordo de aviones y en televisores basados en LCD. Estudiaremos ambos dispositivos. Juan B. También los ordenadores utilizan el monitor de televisión como medio de comunicación con el exterior. Este control puede realizarse mediante la aplicación de una diferencia de potencial externa que modifica la posición del eje óptico del cristal. Dispositivos de visualización y modulación B.7-1 Prof. Las velocidades de conmutación de un LCD están entre los milisegundos y los microsegundos. donde se necesitan frecuencias del orden del gigahercio o mayores. A estas lentas velocidades no se puede utilizar el dispositivo para comunicaciones ópticas. La célula de cristal líquido es principalmente un dispositivo de modulación de luz. Después de su debut en relojes y calculadoras ahora ya pisan fuerte en monitores portátiles y en monitores de televisión. Es posible modificar la polarización de la luz que lo atraviesa. Ya se comentó en un tema anterior que cuando el cristal líquido era situado entre dos polarizadores era posible controlar la intensidad de la luz de salida. En (a) se muestra el visualizador de transmisión. El mercado de esta nueva tecnología promete ser similar al de circuitos integrados multiplicando por diez el capital que mueve. Sin embargo. No sólo se encuentran ya en todos los ordenadores portátiles. Los tiempos de conmutación en estos dispositivos alcanzan los 10 picosegundos. En tales aplicaciones.

normalmente son utilizadas señales alternas bien sinusoidales bien cuadradas con una componente mínima de continua. Consumo muy bajo.7-2 Prof. La respuesta de la célula a la tensión aplicada se muestra en la siguiente figura. El dispositivo es muy sensible a la temperatura. 4. Por ello. B.5V y 5V. Si comparamos con los visualizadores que emplean fuentes activas. la utilización de una tensión de continua la destruirá rápidamente. En consecuencia. Cuanto menor es la temperatura mayor tensión se requiere. el LCD presenta las siguientes ventajas y desventajas: Ventajas 1. 3.CEF Tema B. 2. El ángulo de visión del visualizador es muy limitado. En (b) se muestra el visualizador de reflexión. Ejea 11-nov-08 . la tensión necesaria para activar la célula depende de la temperatura. del orden de 20nA/mm2. Como puede observarse. 4.7: Dispositivos de visualización y modulación visualizador es posible emplearlo bajo condiciones de escasa luz ambiental. El visualizador por reflexión (muy popular) no se puede utilizar en condiciones de baja iluminación ambiental. Las tensiones requeridas son muy bajas.7. Compatible con CMOS. Fig. Se puede utilizar el dispositivo alimentándolo con baterías. se puede utilizar el dispositivo para matrices de puntos. Se puede leer a plena luz solar. no puede ser utilizado en condiciones de poca luz ambiental. Flexibilidad. la aplicación de una tensión continua puede llegar a causar deterioro por electrolisis. Esteban Sanchis / Prof.1: Modos de funcionamiento de un visualizador de cristal líquido. cuyo funcionamiento depende de la luz ambiental que se refleja en un reflector situado en la parte posterior del visualizador. Sin embargo. 3. 5. Para activar la célula se requiere un valor RMS superior a V10 (o V90 en el caso de un visualizador invertido). Si hay impurezas iónicas presentes en la célula de cristal líquido. Juan B. Desventajas 1. gráficos y otras aplicaciones. El tercer tipo (c) es una mezcla de ambos y es posible utilizarlo bajo un amplio rango de iluminación ambiental. B. La respuesta es demasiado lenta para muchas aplicaciones. entre 1. Las células de cristal líquido responden tanto a tensiones de continua como de alterna. 2.

la tensión requerida para la activación es también función del ángulo de visión. Está ligeramente fuera de la perpendicular.3: Características direccionales del cristal líquido.7. Ejea 11-nov-08 . Fig. B. El área central con mayor contraste representa la mejor dirección de visión. El contraste del visualizador depende del ángulo de visión α.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. hacia el alineamiento de los polarizadores. como se muestra en la siguiente figura. La tensión requerida para la visualización de la imagen es mínima si el ángulo de visión es de 45º y es máxima cuando la visión es perpendicular a la superficie del visualizador. α=0º.CEF Tema B. En (c) se muestra el mapa de contraste típico de un visualizador LCD. Juan B.7. Esteban Sanchis / Prof. Por lo tanto.2: Característica transmisión/tensión de un cristal líquido nemático girado en función de la temperatura. B.7-3 Prof. B.

visualizador de LED visualizador de LCD de transmisión visualizador de LCD de reflexión La proporción de los caracteres recomendada es Anchura/altura Espaciado/altura Anchura del segmento/altura Máximo ángulo de visión/ángulo normal 50% a 100% 26% a 63% 13% a 20% 0º a 19º 20 minutos 26 minutos 30 minutos Lo anguloso y la forma de los caracteres también son factores importantes. En situaciones en que se requiera un reconocimiento rápido de los símbolos. Esteban Sanchis / Prof. barras o puntos por lo que los símbolos electrónicos no dan lugar a perfectos números o letras. Esta ecuación también puede ser escrita de la forma: (B.1) donde α es ángulo de visión en grados. Si se utilizan caracteres pequeños hay que tener en cuenta que la máxima resolución del ojo humano son 15 minutos de arco. Juan B. (B. Sin embargo. aunque es difícil asignar valores cuantitativos a dichas cualidades. Los tres factores a tener en cuenta en un buen visualizador son: (1) legibilidad.7. Para ello tenemos que tener en cuenta las limitaciones del ojo humano.7-4 Prof. Factores humanos a tener en cuenta en los visualizadores Los visualizadores están hechos para poder percibir mediante la vista información. Para fuentes impresas hay una multitud de estilos habiendo disponibles fuentes con buena resolución y alta claridad. (2) brillo y (3) contraste. Teniendo en cuenta el límite de 15 minutos de arco de resolución del ojo humano los límites de los visualizadores deberían ser. Hay dos factores que contribuyen a la legibilidad: el estilo y el tamaño.7. donde una buena resolución es muy costosa.2) donde ahora α es el ángulo de visión en minutos. H la altura del carácter (m) y D la distancia desde donde se mira (m).7. esto no sucede en electrónica. El brillo determina nuestra percepción del mundo y es el elemento más importante de nuestra visión.CEF Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación B.1. La legibilidad es la propiedad de los símbolos alfanuméricos que los hace fáciles de leer con velocidad y precisión. Ejea 11-nov-08 . definidos como. El brillo es nuestra percepción de la luminancia. podría utilizarse un visualizador que nos proporcionase una mayor claridad (más elementos).1. Esto es debido a que los caracteres se componen de un número mínimo de elementos. Desgraciadamente B.

y de otros factores difíciles de determinar. la facilidad para la visión de un visualizador no depende del brillo del carácter sino de la relación entre el brillo del objeto y el brillo del fondo.7-5 Prof. Ésta mide la iluminación del área. llamada relación de contraste. Un contraste cero corresponde al caso en que objeto y fondo tengan la misma luminancia y un contraste 1 a cuando el fondo tiene una B.4: Aparato para la medida de la luminancia. L0 la luminancia del objeto (cd/m2) y LB la luminancia del fondo (cd/m2). Para visualizadores pasivos como los de LCD. Dicha imagen puede ser vista por un observador a través de un ocular.7. el color del objeto.7. Para visualizadores activos (como LEDs y otros) se usa la siguiente ecuación para determinar la relación de contraste. La relación luminancia/brillo es compleja dependiendo del nivel de luminancia.4) El contraste puede tener valores entre 0 y 1. Una punta de prueba de fibra óptica se sitúa en el área bajo investigación. Un instrumento típicamente utilizado para la medida de la luminancia se muestra en la siguiente figura: Fig. (B. Afortunadamente. Esta relación puede ser determinada a través de medidas de luminancia. Juan B. el contraste se define como: (B.CEF Tema B.3) donde C es el contraste. El contraste se define de dos formas. El instrumento proyecta la imagen del objeto (en este caso un segmento de un LED) en un plano.7: Dispositivos de visualización y modulación es un fenómeno psico-físico extremadamente difícil de medir de forma objetiva o técnicamente. la cual es convertida a luminancia del objeto teniendo en cuenta esta área. Esteban Sanchis / Prof.7. Es por ello que no se disponga de tablas de esta magnitud aunque se puede medir fácilmente la luminancia (el estímulo del brillo) asociada a una determinada fuente de luz y asociarla a éste. Ejea 11-nov-08 . B.

por tanto. sin embargo.5: Relación entre el contraste y la relación de contraste y sus valores óptimos. En la anterior figura se muestran también los límites mínimos de contraste y relación de contraste. Aunque los cristales líquidos se conocen desde hace más de un siglo. B. su primera aplicación práctica como visualizadores la hicieron G. cubiertas cerradas. B. H. La tarea de un buen diseñador de visualizadores es diseñar un visualizador con el máximo contraste o relación de contraste. bien aumentando la iluminación bien seleccionando un visualizador de transmisión. Esteban Sanchis / Prof.7. La mayor parte de visualizadores activos emplean filtros. Para incrementar el contraste. Juan B. toma valores entre 1 e infinito. La relación de contraste. objeto y fondo tienen la misma luminancia y. en el caso de visualizadores pasivos LCD.7-6 Prof. A. ya sea pasa-banda o pasa-baja. Un factor que permite alcanzar un correcto contraste. Heilmeier. debería incrementarse la luminancia del fondo.9 Fig. la luminancia del fondo se reduce incrementándose la relación de contraste. se requiere lo contrario: debe disminuirse la luminancia del fondo. la luminancia del fondo es cero y el visualizador tiene la mejor visibilidad. Para incrementar la relación de contraste de un visualizador activo (por ejemplo. Una representación contraste-relación de contraste con los límites recomendados se muestra en la siguiente figura: 0. B. Zanoni y L. es la selección adecuada de los colores de visualizador y fondo. La utilización de filtros es el mejor método para sacar partido de los colores de visualizador y fondo para el incremento de la facilidad de visión. L. Ejea 11-nov-08 . o ahuecando el visualizador.7: Dispositivos de visualización y modulación luminancia cero. el visualizador no es en absoluto visible.7.2. Para ello se reduce la iluminación ambiental mediante el uso de "capuchas". más complejo que el simple ajuste de la relación de luminancias. En consecuencia. un LED). El filtro. Un bajo contraste reduce la agudeza visual del ojo afectando a la facilidad para la visión del visualizador. A.CEF Tema B. transmite la longitud de onda emitida por el visualizador y bloquea todas las demás longitudes de onda. Para un valor infinito. Para un valor 1. La selección de un apropiado color de fondo puede realzar la facilidad de visión incluso a bajas relaciones de contraste. y similares. Existen una gran variedad de filtros plásticos o de vidrio disponibles para tal aplicación. Cristales líquidos: principios de funcionamiento.

Juan B. de forma que se modifique la diferencia de fase entre los rayos ordinario y extraordinario y. Los cristales líquidos por el contrario no son rígidos y por ello sus fuerzas interatómicas características son lo suficientemente pequeñas como para poder causar una realineación de sus átomos con un campo eléctrico relativamente pequeño. Ya discutimos la anisotropía de las propiedades ópticas en cristales. En 1971 M. El paso de una corriente eléctrica provoca la generación de pequeños dominios de moléculas ordenadas que presentan una orientación aleatoria y. No existe distorsión física o reorientación de los átomos ya que la fuerza creada por el campo eléctrico es demasiado pequeña para provocar el movimiento de los átomos. El campo eléctrico consigue estos cambios al variar ligeramente la distribución de electrones en cada átomo del cristal. El principio físico usado entonces fue distinto al usado hoy en día en los visualizadores LCD. Los dispositivos basados en los cristales nemáticos girados se basan en la variación del eje óptico del cristal líquido mediante un campo eléctrico.7-7 Prof. Se caracterizan por i) divergencia. que es causado por la rotación en el alineamiento de las moléculas y iii) curvatura. En cristales sólidos el efecto del campo eléctrico es alterar la anisotropía entre nre y nro. por tanto. Esto permite cambiar también el eje óptico del cristal líquido y es la base de los actuales LCDs. conocimientos que serán necesarios en este tema. Los cristales líquidos presentan notables características que les han permitido ser un material muy empleado en la fabricación de paneles visualizadores planos. la luz se dispersa haciendo que el cristal sea más opaco (mayor cantidad de luz es reflejada). Las constantes elásticas que definen la energía por unidad de longitud para crear estas distorsiones se llaman K1. En este tema hablaremos de dispositivos que explotan el hecho de que las propiedades ópticas de los cristales pueden alterarse mediante la aplicación de campos eléctricos. la polarización de la señal óptica. Los avances de la tecnología permitirán en un futuro que las pantallas de cristal líquido se apliquen a televisores y ordenadores normales. en consecuencia. en particular. ii) giro. Gracias al avance de la tecnología hoy en día disponemos de paneles cuyo comportamiento es parecido al de un visualizador basado en tubo de rayos catódicos (CRT). Ejea 11-nov-08 . Los valores típicos de estas constantes elásticas están entre 10−5 y 10−7 dina (1 dina = 10−5 N). Esteban Sanchis / Prof. Existen tres tipos de distorsiones que se pueden producir en un cristal líquido nemático. Entonces se basaba en el efecto de "dispersión dinámica" de la luz cuando una corriente eléctrica pasaba a través del cristal líquido. se mantiene el orden a gran escala permitiendo la transmisión de luz.7: Dispositivos de visualización y modulación Barton en 1968. donde el cristal líquido es distorsionado de forma que se produce una curvatura en el alineamiento de las moléculas.CEF Tema B. donde una fuerza produce una distorsión de las moléculas en forma de barra como la mostrada en la siguiente figura (a). K2 y K3. En ausencia de señal eléctrica. Helfrich describieron los cristales nemáticos girados. En un tema anterior ya vimos la propagación de la luz en un medio anisótropo. Los dispositivos basados en este efecto se discutirán más delante en este tema. los conceptos de índices de refracción ordinario y extraordinario y del eje óptico. B. Schadt y W.

la configuración de menor energía para las moléculas es cuando el eje óptico está alineado paralelamente al campo eléctrico aplicado.7.7. Si el cristal líquido es un cristal uniáxico positivo con lo cual εz=ε║ > εx=εy=ε⊥ (Δε>0). 0.CEF Tema B. La dirección correspondiente a la constante dieléctrica desigual ε║ corresponde al eje óptico. Por tanto. como se muestra en la siguiente figura. Ejea 11-nov-08 . mientras que las otras dos de valor ε⊥ están en direcciones perpendiculares al eje óptico. La energía de las moléculas al estar sujetas a dicho campo eléctrico es igual al valor negativo de la energía electrostática pues es esta energía la que hay que proporcionar a las moléculas para que se puedan "liberar" de dicho campo y quedar libres.6: Las tres distorsiones que aparecen en un cristal líquido nemático. para cualquier dirección del campo eléctrico aplicado. con lo que εx=εy=ε⊥ y εz=ε║. es decir Ex=Ey=0. En los ejes de dicho elipsoide los vectores desplazamiento eléctrico y campo eléctrico son paralelos y están relacionados entre sí a través de las constantes dieléctricas principales. Un cristal líquido es un cristal uniáxico de forma que de las tres constantes dieléctricas principales que nos proporcionan los semiejes del elipsoide de Fresnel. Podemos definir la anisotropía dieléctrica como Δε = ε║ − ε⊥ (B. Cuando la alineación se ha completado el eje molecular apunta en la dirección del campo eléctrico. Cuando aplicamos un campo eléctrico al cristal líquido.5) Vamos a ponernos en el caso de que el eje óptico sea el eje z. actúa una fuerza sobre el cristal que provoca una distorsión en la orientación del eje óptico. la energía mínima se tiene cuando las moléculas se alinean con el campo. se inducen dipolos eléctricos y las fuerzas de tipo eléctrico resultante producen un par sobre las moléculas. Estas distorsiones pueden aparecer por las fuerzas aplicadas a las dos paredes de vidrio. = (0.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. Las moléculas rotarán en un sentido tal que su energía sea mínima. dos de ellas son iguales y de valor ε⊥ y la tercera es diferente y de valor ε║. E) y la energía es entonces .7-8 Prof. B. Esteban Sanchis / Prof. Esto se aprovecha en cristales líquidos para modular la luz que pasa a través de la célula. Cuando aplicamos un campo eléctrico constante al cristal líquido. Juan B. B. Esto significa que la constante dieléctrica será ε║ para campos eléctricos que apunten en la dirección de alineamiento de las moléculas (eje óptico) y ε⊥ para campo eléctricos que apunten en dirección perpendicular a dicho eje óptico.

por tanto.7: Las moléculas de un cristal líquido uniáxico positivo rotan y se alinean con el campo eléctrico aplicado.CEF Tema B. Cuando una onda electromagnética penetra en el cristal líquido (sustancia anisótropa) se descompone en dos ondas linealmente polarizadas y perpendiculares: la onda ordinaria y la onda extraordinaria. Vamos a suponer que las placas de vidrio han sido previamente frotadas de forma que las moléculas tienen siempre la misma orientación. Esteban Sanchis / Prof. la configuración de menor energía para las moléculas corresponde a aquella en que el eje óptico es perpendicular al campo.6) Fig. la onda electromagnética de salida tendrá una polarización diferente a la de entrada. Si se aplica un campo eléctrico en la dirección z (aplicando una diferencia de potencial V a través de dos electrodos situados en el interior de las placas de vidrio). B. es decir. Cada una de ellas se propaga a diferente velocidad.8: Orientación molecular en una célula de cristal líquido en ausencia de campo eléctrico aplicado.7.7. Juan B.7-9 Prof. Para un dispositivo de grosor d el desfase introducido es: (B. Una célula de cristal líquido (LCD) está constituida por una fina capa de cristal líquido situada entre dos placas paralelas de vidrio.7: Dispositivos de visualización y modulación E Fig. pero las fuerzas de tipo elástico de las superficies de las placas de vidrio (cuyas constantes elásticas han sido introducidas con anterioridad) se opondrán a este movimiento. B. El material se comporta como un cristal uniáxico cuyo eje óptico es paralelo a la orientación de las moléculas. la ordinaria a c/nro y la extraordinaria a c/nre generando un desfase φ y. Ejea 11-nov-08 .7. εz=ε║ < εx=εy=ε⊥ (Δε<0). B. Si el cristal líquido es un cristal uniáxico negativo. las fuerzas eléctricas resultantes (para el caso Δε>0) tenderán a hacer que las moléculas se alineen con el campo.

En este caso concreto se tiene una célula de cristal líquido nemático girado. El segundo polarizador sólo permitirá pasar la componente de la luz que esté polarizada en su misma dirección. Cuando la luz pasa a través de la célula su polarización puede variar dependiendo del estado del cristal. la diferencia entre nre y nro puede cambiar la polarización de la luz.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. Veamos las tres posibles configuraciones de cristales líquidos y sus tensiones umbrales necesarias para cambiar su eje óptico. de forma que la luz que entra a la célula está linealmente polarizada en la dirección de este polarizador. Se puede calcular una B. las moléculas tienden a alinearse en dirección paralela al campo. Basándonos en estos hechos utilizaremos dos polarizadores cruzados para modular la luz. Orientación paralela Esta configuración la podemos utilizar si Δε es positiva. Cuando aplicamos un campo eléctrico. En ausencia de campo eléctrico las placas de vidrio están dispuestas de forma que el eje óptico es paralelo a las placas.9: Utilización de dos polarizadores cruzados junto con una célula de cristal líquido. existirá un campo eléctrico mínimo que se habrá de aplicar para vencer dichas fuerzas y conseguir dicho alineamiento. Juan B. ambos índices de refracción son iguales (φ=0). El funcionamiento de estas células puede ser comprendido si se tiene en cuenta que: i) cuando la luz viaja a lo largo del eje óptico. existen varias configuraciones de células de cristal líquido. de forma que el eje óptico quede paralelo a éste. B.7: Dispositivos de visualización y modulación Por tanto. ii) cuando la luz se propaga perpendicularmente al eje óptico. Fig. no hay cambio en la polarización de la luz debido a cambios en nre y nro ya que. Para explotar la capacidad de un campo eléctrico para alterar el eje óptico. Ejea 11-nov-08 . En particular la polarización puede cambiar en φ=90º si el grosor de la célula es escogido adecuadamente. para este tipo de propagación.7.7-10 Prof. iii) cuando la luz se propaga en un cristal líquido cuyo eje óptico gira lentamente (cristal líquido nemático girado) la polarización de la luz sigue el giro del cristal. El primer polarizador prepara la polarización de la luz cuando ésta entra en la célula de cristal líquido.

7: Dispositivos de visualización y modulación tensión umbral por encima de la cual el campo eléctrico es lo suficientemente fuerte como para contrarrestar la fuerza de tipo elástico ejercida por las superficies de las placas de vidrio. el eje óptico es perpendicular a las placas de vidrio antes de aplicar el campo y paralelo a ellas después de aplicar el campo eléctrico. (B. Juan B. (b) en la orientación perpendicular. (c) en la configuración girada. (a) En la orientación paralela el eje óptico es paralelo a las placas de vidrio en ausencia de polarización eléctrica y paralela al campo eléctrico aplicado en su existencia. el giro está presente en ausencia de campo eléctrico y desaparece con el campo eléctrico. Orientación perpendicular Esta orientación es para Δε negativa. Esteban Sanchis / Prof. B. La tensión umbral necesaria para reorientar el eje óptico del cristal líquido vale. Ejea 11-nov-08 .7) Los valores típicos de esta tensión están entre 2 y 6 voltios. B. Fig.7.10: Posibles configuraciones de cristales líquidos para aprovecharlas como "válvulas de luz".CEF Tema B.7.7-11 Prof.

8) Orientación girada Esta es la orientación más utilizada en la tecnología de los visualizadores.7-12 Prof. Cuando se rellena este espacio con cristal líquido las moléculas cercanas a las placas de vidrio se orientan en la dirección del frotamiento y así se consigue el giro del cristal.CEF Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación (B. (B. El espaciado entre placas suele ser de 4 a 10 micras. Es posible anular dicho giro mediante la aplicación de un campo eléctrico.7. Este giro molecular se consigue frotando las placas de vidrio en dos direcciones particulares.7. El giro en el cristal se produce preparando las dos placas de vidrio que son frotadas previamente con un paño para establecer las direcciones de orientación a lo largo de las cuales las moléculas de cristal líquido se alinean. La tensión umbral necesaria para destruir el giro vale. Las dos placas son entonces orientadas con las direcciones de frotamiento perpendiculares (giro de 90º) la una a la otra y con un pequeño espacio entre ellas. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. B.9) Una célula de cristal líquido basada en un cristal líquido nemático girado se muestra en la siguiente figura. Ejea 11-nov-08 . Ya hemos explicado como el giro en el cristal líquido provoca una rotación en la polarización de la luz incidente.

tenemos una imagen oscura. La tensión umbral antes descrita. como se verá más adelante. Ejea 11-nov-08 . difundida y. B.7. Sin tensión aplicada. la célula se activa (ON). En la parte superior se observa la localización de los diferentes elementos de la célula y en la parte inferior se observan los cambios de polarización producidos en la célula. Sin embargo. cuando la célula está inactiva (OFF). Profundizando más en la célula de cristal líquido nemático girado. es decir. si consideramos el caso ideal la transmitancia del cristal líquido debería cambiar bruscamente en Vth como se muestra en la línea discontinua de la siguiente figura. Al aplicar una tensión. en la célula de cristal líquido real esto no sucede debido a que el giro desaparece gradualmente y por tanto la transmitancia también cambia suavemente. la luz atraviesa el dispositivo. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. en consecuencia. B. No hay que olvidar. esta transición suave es una desventaja para el uso de cristales líquidos girados a 90º para visualizadores pasivos de gran tamaño. la cual es la más ampliamente utilizada. Por otra parte.7-13 Prof. tenemos la imagen iluminada sobre el fondo negro.CEF Tema B.11: Funcionamiento de una célula de cristal líquido nemático girado. La transición gradual nos proporciona un tramo donde es parcialmente activa (escala de grises) que hay que evitar. que incluso en el estado de transparencia cuando la luz atraviesa la célula existe una considerable absorción en el cristal líquido. se anula el giro y la luz es bloqueada.7: Dispositivos de visualización y modulación Célula inactiva Célula activa Transparente (luz pasa) No pasa la luz Fig. Por tanto. no produce un cambio brusco en el eje óptico de un estado a otro. que éste es tansparente. El cambio es no lineal pero no completamente abrupto.

CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 .7-14 Prof. la transmitancia del sistema variaría y sería como se muestra en la siguiente figura.12: Transmitancia de un cristal líquido en función de la tensión aplicada. En el caso de que el polarizador de salida tuviese la misma orientación que el de entrada. Juan B. estaría iluminada. B. Esteban Sanchis / Prof. Se comparan la respuesta ideal y la respuesta real.7.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. cuando la célula estuviese activa. En dicho caso. B.

Juan B. B. Se comparan la respuesta ideal y la respuesta real. Esta respuesta permite ir desde un estado de baja transmitancia a un estado de alta transmitancia y viceversa con una pequeña variación en la tensión aplicada. Como ya se comentó.13: Transmitancia de un cristal líquido en función de la tensión aplicada para el caso en que ambos polarizadores tengan la misma orientación.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. se produce un cambio brusco del giro de 270º a la ausencia de giro. una pequeña adición de componente colestérica puede conseguir una estabilización del ángulo en 270º. Sin embargo. los cristales colestéricos tienen ya un giro natural en su eje óptico (orientación de las moléculas) lo que permite la estabilización del giro en 270º. Estos cristales no son puramente nemáticos ya que en estos últimos el ángulo estable de giro es el de 90º. la curva de transmitancia frente a tensión es muy abrupta. La ventaja de la célula STN es que cuando se le aplica un potencial a la célula. En la actualidad se utilizan una gran variedad de cristales STN con giros que van desde 180º a 270º. Esteban Sanchis / Prof. En 1984 se descubrieron cristales líquidos que permitían un giro de 270º en vez de 90º. los llamados cristales nemáticos supergirados (STN). Ejea 11-nov-08 .7-15 Prof. B.CEF Tema B. La atracción fundamental de todas estas estructuras es la extremadamente abrupta característica transmitancia-tensión.7. Como consecuencia.

7. (b) Relación transmitancia/tensión de una célula de cristal líquido nemático supergirado. Juan B. el proceso de escalado para producir un visualizador con alrededor de un millón de células es un enorme reto. Ejea 11-nov-08 . B.7-16 Prof. B. La tensión que se le suele aplicar a la célula es alterna ya que la tensión continua deteriora el cristal líquido ya que se produce un efecto de electrólisis.CEF Tema B.7. Los valores de estas componentes dependen del área y construcción de la célula.2. Esteban Sanchis / Prof.1.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. Es la tensión eficaz la que controla entonces la célula. Para frecuencias mayores empieza a aumentar el consumo (mayor corriente) debido al condensador equivalente. Cómo activar células de cristal líquido El circuito equivalente de una célula de cristal líquido es un condensador en paralelo con una resistencia de pérdidas. La tensión no debe tener un valor DC mayor que 50mV para no degradar la célula por esta razón. En una sección posterior estudiaremos estos retos y como están siendo resueltos. Su frecuencia debe ser superior a 30Hz para evitar efectos de parpadeo siendo el valor máximo 1kHz. B. Los valores de la resistencia son normalmente mucho mayores que la reactancia del condensador. Aunque el funcionamiento de una única célula de cristal líquido es muy sencilla.14: (a) Comparación de un cristal líquido girado 90º y uno girado 270º.

Pero en visualizadores más complejos (matrices). Como la célula de cristal líquido responde al valor RMS de la forma de onda. la salida de la puerta es la misma señal común. la salida de la puerta tiene la señal cuadrada común invertida VB y cuando la señal es un "cero" lógico. Cuando esta señal de control está a "uno" lógico. (B. A este último se le aplica la señal cuadrada VD con una amplitud de pico a pico VP-P adecuada. siendo por tanto utilizada únicamente en visualizadores poco complejos.7: Dispositivos de visualización y modulación Se tienen dos modos posibles de alimentación: alimentación directa o multiplexada. La alimentación directa es más sencilla pero requiere un contacto para cada elemento del visualizador. El resultado es que el segmento ve por un lado una señal de cero voltios (VD-VA=0) o una señal cuadrada del doble de la amplitud (2⋅ VP-P) de la señal cuadrada común. es necesaria la multiplexación de la señal aplicada. de cuyas entradas una es la señal cuadrada y la otra una señal de control la cual puede estar a nivel alto (uno lógico) o a nivel bajo (cero lógico). El otro electrodo de cada segmento está conectado a la salida de una puerta XOR. hay que tener en cuenta que el valor eficaz o RMS de una señal cuadrada es igual a su tensión de pico a pico partido por dos. VA. Esteban Sanchis / Prof. Alimentación directa En la siguiente figura se muestra un circuito típico de alimentación de un visualizador de "siete-segmentos" mediante el uso de una señal cuadrada.7-17 Prof.7. como veremos en el punto siguiente.10) donde VRMS = Valor RMS de la onda cuadrada (V) VP-P = Valor de pico a pico de la onda cuadrada (V) B. Cada segmento tiene un electrodo y luego tienen un electrodo común. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B. Juan B.

Fig. en donde se compara con los pulsos de disparo empleados en otros visualizadores. B.15: Alimentación directa de un visualizador de cristal líquido de 7 segmentos.7. Juan B. En el ejemplo que mostramos a continuación. Esto puede ser visto en la siguiente figura.70V que representarán los estados altos y bajos respectivamente.7-18 Prof.7. es cero). Ejea 11-nov-08 . B. Para conseguir un valor medio igual a cero es necesario utilizar ondas rectangulares bipolares. Alimentación multiplexada Si tenemos una matriz de puntos con N filas y M columnas debemos multiplexar la alimentación ya que no es posible darle una conexión directa a cada una. El problema surge cuando hay que darle tensiones alternas a una fila o columna que den como resultado un valor eficaz deseado para activar o desactivar la célula correspondiente por medio del valor eficaz y además que su valor medio (componente de continua) sea cero. Para una matriz de tamaño medio la generación y diseño de las formas de onda se convierte en una tarea muy compleja y se deben utilizar los circuitos integrados existentes ya en el mercado. Esteban Sanchis / Prof. los cuales pueden pueden pasar a ON o a OFF simplemente aplicando o no una tensión al elemento. (b) circuitos de LCD (el valor medio. se aplican alternativamente dos pulsos que son los inversos uno del otro para así cancelar la componente residual de continua disponiendo de un sistema de cuatro niveles de tensión. Se observa como el valor eficaz aplicado a cada célula oscila entre 1. su valor de continua.17V y 1.CEF Tema B. es decir del número de columnas. B. En la figura podemos observar los estados de ON y de OFF.16: Pulsos para alimentar (a) circuitos normales. Lo que se busca es obtener siempre una relación entre estos estados altos y bajos lo mayor posible. En el punto siguiente demostraremos que esta relación depende del tamaño de la matriz.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig.

B. ¿Cómo se direccionan tantos pixels y se presenta una imagen libre de destellos al ojo humano? El problema es parecido al que se tiene en el caso de un dispositivo de memoria dinámica o DRAM donde se tienen un número parecido de elementos a direccionar. debe ofrecer una resolución y una calidad de imagen comparable a esta última.7. Esto presenta algunos importantes retos tanto físicos como en lo referente al procesamiento. Juan B.7-19 Prof. B. Todos estos pixels deben estar direccionados y se deben refrescar 30 veces por segundo para presentar una imagen continua al ojo. B. Pero en la pantalla tenemos una dificultad adicional y es que las características tensión-transmitancia del cristal no son abruptas.7. El primer reto que vamos a examinar es el de direccionar cada uno de los pixels o células particulares de la pantalla.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. Además al contrario que en las DRAM no sólo tenemos dos estados. Debería ser capaz de mostrar imágenes en color así como una gran variación en la escala de grises del visualizador.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. verde y azul (RGB). Hay que tener en cuenta que hay que mantener un nivel de tensión en bornes de la célula para activar el pixel.17: Ondas de disparo de 4 niveles para un visualizador de 8 filas y 3 columnas. Retos para pasar de la célula a la pantalla de cristal líquido La mayor atracción de los cristales líquidos es su aplicación en grandes pantallas donde se utilizarían hasta una millón de células de cristal líquido. Esto requiere que debe ser capaz de tener más de un millón de pixels (elementos de imagen) en una pantalla.3. 0 y 1. Si se necesitan los tres colores básicos. uno para cada color uno muy cerca de otro. Ejea 11-nov-08 . rojo.3.7. se colocarán tres pixels. El direccionamiento de pixels Si la tecnología LCD quiere competir con la de CRT. si no que toda una escala de grises además de color. B.1.

En una pantalla B. es decir. Lo que se haría es colocar cada pixel en una matriz de conexiones y aplicar la tensión apropiada a cada fila y columna (alimentación multiplexada). T-V para una típica célula de cristal líquido. Juan B. para el caso en que la tensión aplicada y la transmitancia correspondan a una polarización continuada de valores eficaces. Ejea 11-nov-08 . simplificando.7. La curva T-V se caracteriza.7: Dispositivos de visualización y modulación Una posibilidad para el direccionamiento de una matriz de pixels NxN podría ser acceder a cada pixel individualmente (alimentación directa). por una tensión umbral Vth por debajo de la cual el dispositivo está apagado y un nivel de tensión Vth+Δ por encima del cual está encendido. B.18: Aproximación para el direccionamiento de una matriz de pixels mediante alimentación multiplexada.7.7-20 Prof.CEF Tema B. Esto es una imagen estática. pero esto es imposible cuando la matriz supera el tamaño de unos cientos de pixels. Para darnos cuenta de las limitaciones de este sistema vamos a describir la curva T-V (supondremos el caso en que ambos polarizadores tengan la misma orientación). Esteban Sanchis / Prof. Fig.19: Curva estática transmitancia-tensión. B. Fig.

. Fig. En una primera posibilidad. por tanto. En la segunda posibilidad los límites máximo y mínimo son VS-VD y -(VS-VD) que ocurren durante tiempos trefresh/N con valores VD o −VD el resto del tiempo. Juan B. el ejemplo de una matriz NxN que debe ser direccionada aplicando unos pulsos secuenciales de tensión a N filas y N columnas. si el tamaño de la matriz aumenta (N) entonces la diferencia entre los estados ON y OFF también disminuye (es decir.7.7-21 Prof. Obviamente. En cada fila se suministra una de las señales de referencia (strobe) V(X1)-. Durante el resto del tiempo (trefresh− trefresh/N) el pixel soporta una tensión constante.20: Alimentación multiplexada de una matriz NxN.. en tal esquema. que corresponden a pulsos de tensión de duración trefresh/N cuya amplitud será Vs o -Vs.. En el primer caso. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B.-V(YN) de valor constante en el intervalo de tiempo trefresh y que puede valer VD o −VD. En dicho caso lo que se aplica a la célula es una señal pulsante. El resultado es que cada pixel sólo recibe un pulso de tensión durante un tiempo trefresh/N. los límites máximo y mínimo son VS+VD y -(VS+VD) que ocurren durante tiempos trefresh/N con valores VD o −VD el resto del tiempo. En el segundo caso el valor RMS es menor y el pixel está a OFF.7: Dispositivos de visualización y modulación en la que las imágenes deben cambiar rápidamente y. no se puede mantener un nivel de tensión para un pixel que satisfaga la condición de tensión continua. las células deben ser direccionadas con rapidez. Esteban Sanchis / Prof. Supondremos.. B. como se verá a continuación el valor RMS de la señal es mayor y el pixel está a ON. La tensión aplicada a la célula será V(Xi)-V(Yj) y tendrá dos posibilidades.-V(XN). para comprender los cálculos que se van a seguir a continuación. Vamos a suponer también que la pantalla se debe refrescar cada cierto tiempo trefresh (típicamente 20ms). disminuye la diferencia entre los valores RMS de las señales a ON y a OFF) y por tanto necesitaremos una curva T-V B. En cada columna se introducen unas señales de información V(Y1)-.

Esta idea intuitiva puede ser confirmada matemáticamente.12) Fig.7: Dispositivos de visualización y modulación cuyo parámetro Δ sea muy pequeño si queremos direccionar matrices muy grandes. (B. Ejea 11-nov-08 . Pasemos ahora a analizar matemáticamente la relación entre Δ y N.7. B. Esteban Sanchis / Prof.11) (B.7.21: Tensiones de OFF y ON en bornes de un pixel.7-22 Prof. B. Como se comentó anteriormente el dispositivo responde de forma muy aproximada según el valor eficaz (RMS) del pulso de tensión.CEF Tema B.13) (B. obtenemos. Basándonos en las formas de onda que se muestran en la siguiente figura los pulsos de tensión para un estado ON y para un estado OFF durante un periodo T (con T=2⋅trefresh) tendrán unos valores eficaces que vendrán dados a partir de las siguientes expresiones: (B.7.15) Sumando las dos primeras ecuaciones y sustituyendo VS.7. A las tensiones eficaces les colocaremos una barra encima para distinguirlas. Para que los dispositivos funcionen se debe cumplir que (B.7. Juan B.7.14) Restando las dos primeras ecuaciones obtenemos.

7.20) o (B. pero si N crece el valor de VS crece rápidamente.CEF Tema B. B. Esteban Sanchis / Prof.7. Juan B.17) De donde se obtiene. El valor de Nmax depende críticamente de la relación P.19) Utilizando los valores y y definiendo un nuevo parámetro.7-23 Prof.23) Obsérvese que VD tiene un valor muy parecido a la tensión umbral .21) (B.22) (B.7. (B. (B.18) Esto nos da el máximo número de filas y columnas (B.7. (B.7.7. Para un valor grande de Nmax necesitamos un valor de pequeño.7.7: Dispositivos de visualización y modulación (B.16) Para encontrar el máximo de N. Ejea 11-nov-08 .7.

B.7.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. uno por pixel.7. si De todos estos cálculos se deduce que es bastante difícil de aumentar el valor de Nmax tiene un valor de 0. El problema viene ahora de cómo colocar millones de interruptores. Juan B.CEF Tema B. La idea es utilizar un elemento activo como un transistor o un diodo para poder aplicar la tensión necesaria a la célula y además luego mantenerla durante el resto del periodo. la tensión aplicada (VS−VD para OFF o VS+VD para ON) durante un tiempo T/2⋅N podría mantenerse durante todo el intervalo T/2.1 por ejemplo. La solución del interruptor La solución a este problema se obtiene colocando un simple interruptor en cada pixel. Si se colocase un interruptor adecuadamente.22: Representación de Nmax. Este procedimiento no sufre de ninguna limitación proveniente de los valores de Δ/Vth.3. Por el contrario cristales nemáticos supergirados tienen valores de mucho menores y se puede aumentar Nmax mucho más (hasta un valor de varias centenas). en una pantalla. B. B.7-24 Prof. que es el valor típico para un cristal nemático girado a 90º.2. la relación entre las tensiones umbral y la máxima y mínima frente a P en un cristal líquido. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 .

Ejea 11-nov-08 . B.CEF Tema B. B.7-25 Prof.7. Juan B.7.active matrix LCD).24: Tensiones aplicadas a un pixel desde su fila y columna y tensión presente en el pixel con interruptor. Los que sí incorporan los interruptores se llaman activos (AMLCD .7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. Fig. Los visualizadores de cristal líquido que no utilizan interruptores por pixel se llaman visualizadores de cristal líquido pasivos. Esteban Sanchis / Prof.23: Tensiones de OFF y ON en bornes de un pixel con el empleo de un interruptor. B.

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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

B.7.4.

Visualizadores de cristal líquido con matriz pasiva

En los visualizadores pasivos de cristal líquido se pasa la información a las células a través de filas y columnas de la matriz. No existen elementos no-lineales en cada célula de forma que se aplica la señal durante un pequeño intervalo del periodo de refresco, como se comentó con detalle con anterioridad. En una matriz pasiva típica los electrodos para las filas están en una placa de la célula y los electrodos para las columnas están en la otra placa. Veamos los diferentes componentes de este sistema de visualización.

Fig. B.7.25: Visualizador pasivo de cristal líquido. En ausencia de tensión, existe un giro del cristal líquido y si se aplica tensión desaparece este giro.

Substrato de vidrio Los substratos de vidrio utilizados para los visualizadores tienen que estar muy pulidos y limpios. Además y especialmente para los visualizadores pasivos, deben ser extremadamente planos. Esto es así porque los cristales STN tienen un gran ángulo de giro y son muy sensibles a cualquier minúscula abolladura o irregularidad en el substrato. Estas irregularidades pueden causar un "desenrollamiento" del giro. Los substratos se frotan con un tejido de terciopelo para provocar que el cristal líquido se alinee en la dirección preescogida de frotamiento. Electrodos transparentes Por razones obvias, los electrodos deben ser transparentes. Es una tecnología ya conocida y utilizada a menudo en detectores de semiconductor. El compuesto más utilizado es un cierto tipo de óxido basado en Indio (ITO). Cristal líquido STN El cristal líquido nemático supergirado (STN) se coloca entre los substratos después de que los extremos se hayan sellado con un tipo especial de epoxy (resina semiconductora). Se B.7-26
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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

usan unos minúsculas bolas espaciadoras para obtener la separación requerida entre las placas. La distancia de alineamiento suele ser de 4µm a 6µm. Esta distancia es muy crítica en cristales STN y no se pueden permitir desviaciones mayores de 0,1µm. Luz de fondo El cristal líquido no produce luz como el LED o LD, sólo modula la luz. Por tanto es necesario proporcionar una luz de fondo al visualizador. El polarizador de entrada únicamente permite que la luz polarizada a lo largo de su dirección permitida pase a través de él. El resto de la luz se pierde. La luz de fondo es una de las fuentes de consumo de potencia mayores en un visualizador de cristal líquido. Filtros de colores Si el visualizador debe ser en color, hay que añadir filtros de color frente a cada pixel. Se utilizan filtros rojo, verde y azul. Los tres pixels, uno para cada color, se controlan individualmente y están muy próximos uno de otro de forma que el ojo humano sólo aprecia un color. Estos tres colores básicos pueden producir cualquier color que se desee. Los visualizadores pasivos de cristal líquido se utilizan en muchas aplicaciones. Si se utilizan cristales STN se puede aumentar el número de N a varios centenares y crear aplicaciones de monitores de ordenador de 640x480 pixels.

B.7.5.

Visualizadores de cristal líquido de matriz activa (AMLCD)

Ya hemos dicho que la diferencia entre un visualizador activo y uno pasivo está en el uso de un dispositivo interruptor para cada uno de los pixels. El interruptor permite que la tensión de control aplicada a la célula de cristal líquido permanezca en bornes del cristal durante todo el tiempo de refresco. Como se comentó anteriormente, esto permite una mejora en el comportamiento de las células y el uso de cristales nemáticos girados a 90º.

Fig. B.7.26: Esquema de una matriz de cristal líquido activa.

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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

A diferencia de la matriz pasiva en el AMLCD las líneas de las filas y las columnas se colocan sobre el mismo substrato lo que simplifica mucho el proceso de fabricación. El pixel va acompañado de un transistor de película fina (thin film transistor - TFT). Se aplica un pulso a la puerta del transistor de forma que éste se pone a conducir. Por la línea de datos se manda la información deseada por la columna de la matriz al drenador del transistor. El surtidor está conectado a un condensador de almacenamiento que conserva la tensión aplicada una vez desaparece la tensión aplicada a la puerta. El TFT debe tener una resistencia muy baja cuando esté a ON y una resistencia muy alta cuando esté a OFF. Esto permite al condensador, CS, que se cargue durante el tiempo que la señal está disponible en la línea. Además las capacidades del circuito, Cgs (puerta-surtidor), Cgd (puerta-drenador), CLC (célula de cristal líquido) y Cparásita (con las líneas adyacentes) deben ser tales que la pérdida de carga durante el tiempo de refresco sea mínima. Es evidente que el buen funcionamiento del AMLCD depende críticamente del TFT, por lo que vamos a examinar este dispositivo con más detalle.

Fig. B.7.27: (a) Esquema de una matriz de pixels de AMLCD; (b) detalle de un pixel; (c) circuito equivalente del TFT y del condensador de almacenamiento de la célula.

El transistor de película fina (TFT) El elemento fundamental en el AMLCD es el transistor de película fina (TFT). Para una pantalla en color harán falta más de un millón de TFTs por lo que la complejidad del circuito es muy alta y comparable a una DRAM. Sin embargo, en realidad la complejidad es aún mayor pues a diferencia de la DRAM, estos transistores no se fabrican sobre materiales cristalinos. Se utiliza o polisilicio o Silicio amorfo (a-Si) para fabricar el dispositivo que es un transistor de efecto de campo con puerta aislada. El Silicio policristalino tiene un mejor B.7-28
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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

comportamiento por disfrutar sus electrones de una mayor movilidad. Pero el proceso de fabricación de los dispositivos requiere altas temperaturas que resultan incompatibles con el substrato de vidrio. Por ello se utilizan substratos de cuarzo más caros para los FETs de polisilicio. Visualizadores de pequeño tamaño utilizan AMLCDs basados en polisilicio. Pero visualizadores de mayor tamaño utilizan substratos de vidrio y por tanto TFTs de a-Si. En las estructuras invertidas se deposita la puerta primero, mientras que en la estructura normal lo primero que se deposita es el semiconductor. El problema del TFT es el control de la calidad de los materiales. El uso de a-Si determina que el dispositivo no esté caracterizado por bandas si no por áreas de movilidad. La posición de estas áreas de movilidad, así como la densidad de estados "localizados" donde se encuentran los electrones esencialmente atrapados, depende del proceso de fabricación. En la actualidad la relación entre el proceso de fabricación y los valores exactos de la estructura de bandas aún se está investigando y es únicamente conocida de forma cualitativa. Como la tensión umbral del MOSFET depende de forma crítica de los defectos y estados localizados de las interfases, es todo un reto fabricar dispositivos con una tensión umbral determinada y controlable.

Fig. B.7.28: Esquemas de varios TFTs usados en AMLCDs.

Otro problema de los TFTs es la baja movilidad de los electrones en su canal. En el MOSFET cristalino la movilidad vale ~600cm2V−1s−1 (en silicio puro es ~1100cm2V−1s−1) pero en a-Si TFTs sólo vale entre 1cm2V−1s−1 y 10cm2V−1s−1. Además, la movilidad tiene una gran dependencia de la concentración de portadores en el canal. Debido a la baja movilidad se produce una gran caída de tensión en el canal del TFT el cual es de unas 3µm a 5µm. Por tanto no toda la tensión de la línea de datos es aplicada al condensador de almacenamiento. Esto, por supuesto, produce un mayor consumo de potencia. En la actualidad, se están llevando a cabo investigaciones con el fin de mejorar el funcionamiento del TFT. Aunque el proceso de fabricación de MOSFETs cristalinos y TFTs es similar todavía quedan algunos temas por mejorar. Los problemas aparecen debidos a las características electrónicas tan pobres que presenta el a-Si, aunque su uso parece inevitable en pantallas de gran tamaño.

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B.7.6.

Retos de la tecnología de los visualizadores

La tecnología de visualizadores de cristal líquido (y otros materiales) es la clave para un futuro crecimiento del potencial de dicho mercado de visualizadores, que de acuerdo con algunos pronósticos podría ser mayor que el mercado de circuitos integrados de silicio en la primera parte del siglo 21. En un ordenador portátil el elemento más caro es la pantalla de cristal líquido, mucho más que la RAM, el procesador, los discos o el teclado y evidentemente la pantalla es un elemento indispensable. Pero todavía hay que mejorar: i) el alto consumo de energía para alimentar el visualizador, ii) transmisión de luz pobre cuando el visualizador está a ON lo que resulta en una imagen muy débil o en la necesidad de una luz de fondo muy potente, iii) ángulo de visión muy reducido y iv) limitaciones de tamaño de pantallas. Todos estos retos requieren un empuje de la investigación en nuevos materiales, así como mejoras en los dispositivos y en el proceso de fabricación. Con estas mejoras el cristal líquido ya se está utilizando en la televisión reemplazando al venerable CRT. En la siguiente figura podemos ver un resumen de los distintos retos o áreas a mejorar para mejorar la tecnología de visualizadores. Retos para las pantallas de gran tamaño de cristal líquido.
Relacionados con materiales y dispositivos • Nuevos cristales líquidos: con características T-V más abruptas, tensiones umbrales y consumos menores; absorción menor en el estado de ON. • Relacionados con la fabricación La tecnología de fabricación debe ser compatible con substratos mayores.

• • Transistores mejorados u otra tecnología de conmutador compatible con substratos de vidrio de gran superficie: mayor movilidad en a-Si o Si policristalino.

Detección de fallos o errores fatales durante el proceso para abortarlo a tiempo.

Nuevos materiales electro-ópticos, tal vez con cristales sólidos que se puedan utilizar para pantallas. Nuevos materiales que puedan modular luz no polarizada para así reducir pérdidas.

Fig. B.7.29: Retos presentes en la tecnología de visualizadores.

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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

Vamos ahora a comentar brevemente cada uno de estos retos, los cuales caracterizaremos según si están relacionados con los materiales y los dispositivos o con el proceso de fabricación. Retos relacionados con los materiales y los dispositivos Las mejoras a acometer en esta área incluyen, • Nuevos cristales líquidos: El comportamiento del cristal líquido es obviamente crítico para el comportamiento de todo el visualizador. Se necesitan materiales con baja tensión umbral Vth y una fuerte no-linealidad (Δ/Vth pequeña). Se están haciendo grandes esfuerzos para encontrar nuevos materiales para cristal líquido con estas propiedades y altamente estables. Además de una baja Δ/Vth los cristales líquidos no deberían absorber ellos mismos la luz. Esta luz absorbida es perdida, por lo que se requiere una luz de fondo más potente. Otro aspecto importante es la resistividad del material. Para los AMLCD, las células de LCD deben tener una alta constante de tiempo RC de forma que la tensión aplicada permanezca almacenada hasta el siguiente periodo (~20ms). • Películas policristalinas y amorfas mejoradas: Para mejorar el comportamiento de los TFT hay que investigar estos materiales y así poder conseguir controlar la tensión umbral y mejorar la movilidad de los electrones. Nuevos materiales para los visualizadores: Los cristales líquidos utilizados en la actualidad se deben verter entre las dos placas de vidrio. Si se pudiesen tener cristales sólidos que se evaporasen simplemente sobre el substrato, el proceso de fabricación se simplificaría considerablemente. En la actualidad no existen materiales de este tipo que puedan competir en costes y consumo con el cristal líquido. Nuevos materiales que tengan una respuesta independiente de la polarización: La luz de fondo no está polarizada. Como el LCD depende de la selección de una polarización determinada, se desaprovecha mucha luz. Además se necesitan polarizadores tanto delante como detrás de la célula. Si se encontrasen materiales que modulasen la intensidad de la luz independientemente de la polarización de la luz, se mejoraría mucho el rendimiento de los visualizadores.

Retos relacionados con el proceso de fabricación Los pasos en la fabricación son muy parecidos a los de cualquier circuito integrado. La diferencia radica en el tamaño del substrato. En los chips de Si el tamaño del substrato rara vez supera los 15cm. Pero para visualizadores podemos necesitar tamaños de más de 30cm. Si además vamos a aplicar los LCD para televisores, el tamaño será aún mayor que 50cm. Esto requiere la mejora de todas las herramientas actuales para que puedan trabajar con estos tamaños. Además es conocido que la eficacia del proceso o porcentaje de éxito en la fabricación de substratos cae con el tamaño de éstos. Por ejemplo, mientras una densidad de defectos de 10−2cm−2 proporciona un porcentaje de éxito del 80% para un visualizador de 10cm, este porcentaje de éxito cae al 10% si el tamaño crece hasta 30cm. Hay por tanto que mejorar B.7-31
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Tema B.7: Dispositivos de visualización y modulación

también los métodos de test para detectar errores o defectos fatales durante el proceso de fabricación y así abandonarlo antes de acabar todo el proceso.

B.7.6.1.

Visualizadores basados en emisores de luz electrónicos o fósforos.

Ya hemos visto algunos de los defectos de la tecnología de cristal líquido en su uso como visualizadores. Una de sus mayores desventajas es la falta de brillo, ya que en ningún caso se produce una emisión de luz a nivel de pixel. Por ello se están buscando en la actualidad otras alternativas basadas en emisores de luz electrónicos o fósforos. Empleo de fósforos en la fabricación de CRTs y visualizadores de emisión de campo (FED) Cuando se inyectan electrones y huecos en las bandas de conducción y valencia respectivamente, estos pueden recombinarse para emitir luz. La inyección puede ser debida a una señal eléctrica o a una señal óptica. La idea general de emisión luminosa después de una excitación puede ser extendida a semiconductores con impurezas (materiales inorgánicos) y a materiales orgánicos. El proceso general de emisión de luz como consecuencia de una excitación puede ser representado por un sistema de tres niveles como el mostrado en una de las siguientes figuras.

Fig. B.7.30: Características principales de fluorescencia y fosforescencia. La absorción en cualquier caso implica mayor energía que la emisión y por tanto el espectro de emisión está a una frecuencia menor que el de absorción. En la fosforescencia la perdida de energía se produce por encontrar el sistema niveles de energía todavía menores (triplete) desde donde se produce la emisión. En cualquier caso la fosforescencia se alarga habitualmente en el tiempo frente a la fluorescencia.

Tanto la fluorescencia como la fosforescencia se caracterizan por disponer de electrones en niveles excitados (generalmente llevados allí por absorción de fotones, habitualmente del espectro ultravioleta) que dentro del nivel excitado (singlete) pierden energía en forma de fonones, hasta que finalmente se recombinan, emitiendo de nuevo un fotón, pero de menor energía (mayor longitud de de onda). En la fosforescencia se solapan dos niveles de energía, de un singlete y de un triplete, permitiendo una pérdida de energía todavía mayor al electrón excitado. El electrón habitualmente puede quedar atrapado un tiempo en estos estados excitados por lo que la diferencia principal entre fluorescencia y fosforescencia, a parte del proceso en sí, es la duración en el tiempo. La fosforescencia se extiendo mucho más en el tiempo comparada con la fluorescencia. B.7-32
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El inconveniente mayor que presentan es la necesidad de excitar a los fósforos con la inyección de portadores. B. Esto requiere el uso de fuertes y pesadas cubiertas para la pantalla. Estos materiales son muy empleados en tecnología de pantallas de TV. incide sobre la pantalla de fósforo. Cuando este material es dopado con impurezas de cobre. el haz de electrones es emitido desde un cátodo y después de pasar por regiones en que se focaliza o se desvía. Estos visualizadores basados en fósforos prometen mayor contraste y ángulos de visión mucho mejores. En la siguiente tabla se muestra el color de respuesta de algunos fósforos importantes utilizados en la tecnología moderna de visualizadores. Estas impurezas provocan la aparición de estados energéticos bien definidos en la banda prohibida.CEF Tema B. el portador (electrón o hueco) es atrapado en el nivel energético del defecto desde el cual se inicia el proceso de recombinación radiante. Estos últimos son los empleados en los tubos de rayos catódicos (CRT) y pantallas de TV. Esteban Sanchis / Prof.8eV. la longitud de onda de emisión está determinada por las impurezas introducidas en el material. En la mayor parte de los fósforos inorgánicos. Las investigaciones siguen en busca de una matriz direcionable de pixels de polímeros emisores de luz.31: Características de algunos fósforos utilizados en tecnología de visualizadores para pantallas. Las tecnologías más avanzadas se basan en polímeros que se pueden fabricar a la medida para emitir luz. Cuando. Para ello se requiere el empleo de una "cañón" emisora de electrones lo que hace que el sistema sea excesivamente voluminoso. junto con otro tipo de fósforo para producir el rojo y así generar visualizadores en color. donde recubren el fondo de la pantalla. el sistema debe estar contenido en un alto vacío para evitar la dispersión ("scattering") de los electrones.7: Dispositivos de visualización y modulación Los fósforos utilizados en aplicaciones comerciales están formados bien por materiales orgánicos. Fig. el nivel energético intermedio generado es aprovechado para emitir luz verde. El uso de fósforos ya se aplica en los propios CRT (como se ha comentado previamente). bien por materiales inorgánicos. Ejea 11-nov-08 . mientras que si se dopa con plata es posible generar luz azul.7. En un CRT convencional. B. Las impurezas utilizadas son especificadas entre paréntesis. Juan B. se generan electrones y huecos. debido a la excitación. Además. En los CRTs se tiene o bien un único cañón de electrones (pantalla blanco y negro) o tres cañones (para color) lo cual requiere que el cátodo esté situado a determinada distancia de la pantalla.7-33 Prof. Un importante fósforo inorgánico es el basado en el semiconductor ZnS que tiene una anchura de la banda prohibida de alrededor de 3.

Estos daños pueden ser temporales o permanentes y son la razón del empleo de los "salvapantallas" que producen una imagen que se mueve constantemente o apagan la pantalla.33: Color en un CRT. La imagen sobre la pantalla debe ser renovada al menos 45 veces por segundo para evitar el parpadeo. la necesidad de renovar la pantalla por completo a esa velocidad puede ser evitada utilizando un sistema de escaneo que divide la pantalla en dos mitades entrelazadas. En la práctica estas velocidades son de 25 veces por segundo en Europa y de 30 veces por segundo en América..7. las líneas 2. 3. Juan B..CEF Tema B. Ejea 11-nov-08 .7-34 Prof. El fósforo también se degrada cuando la pantalla es iluminada durante largo tiempo. y en la segunda. 4. Esteban Sanchis / Prof. Sin embargo.7. El brillo de la pantalla puede ser controlado cambiando la cantidad de electrones incidentes. el cual se realiza por líneas.. 5. Los CRTs convencionales tienen 625 líneas en Europa y 525 en América. se renuevan las líneas 1. B. .. B. Esto significa que la imagen completa necesita únicamente ser renovada al menos 22 veces y media por segundo. aunque existen visualizadores de alta definición de 1125 líneas. En la primera mitad.. 6. B. El máximo brillo está limitado por el hecho de que para alta incidencia la pantalla de fósforo puede llegar a degradarse. Fig. Para generar una imagen en un CRT se ha de realizar una exploración o escaneo de toda la pantalla.Esto superpone de forma efectiva las imágenes de dos escaneos consecutivos..7: Dispositivos de visualización y modulación Fig.32: Diagrama esquemático del CRT. y el cerebro lo trata como si la imagen hubiese sido renovada a dos veces la velocidad a la cual lo ha sido en realidad.

La intensidad de la luz se consigue variando el número y la anchura de los pulsos de tensión aplicados a cada color durante un barrido. de silicio y de diamante.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. Las consideraciones del circuito de alimentación son similares a las de un LCD. La corriente de electrones se debe al efecto túnel de los electrones desde la punta emisora al nivel de vacío. Aunque los FED parecen muy atractivos frente a los AMLCD aún hay que resolver algunos problemas como son un alto rendimiento de las puntas y una larga vida con bajo consumo energético. Cada celda tiene fósforos rojos. B. Cuando la tensión aplicada alcanza el nivel de ruptura se produce una descarga de plasma en la superficie del dieléctrico lo que provoca una emisión de luz ultravioleta. Juan B. azules y verdes. Un gran número de puntas podría ser empleado para excitar un único pixel. Estos electrodos están separados por una capa dieléctrica de MgO y rodeados por una mezcla de gases de Neon y Xenon. Ejea 11-nov-08 . En estos visualizadores se aplica una tensión entre 2 electrodos transparentes en la pantalla de vidrio delantera. alto brillo y un gran ángulo de visión (>160º). Visualizador de plasma En la actualidad ya está comercializándose también el visualizador de plasma. Esteban Sanchis / Prof. B. El mecanismo es PWM digital y evita la necesidad de una conversión digital-analógica. El resultado es una pantalla fina (40mm) de poco peso. Esta luz ultravioleta excita los fósforos depositados en el fondo de la celda que a su vez emiten luz visible.7. cada pixel de fósforo tiene su propia fuente de electrones. desde micro puntas metálicas. La fabricación de las puntas y su integración con el pixel también es algo que queda por desarrollar.CEF Tema B. Aunque su gran problema es su rápido agotamiento.34: Creación de una imagen en un CRT. lo que ha hecho que pierda mercado frente a las pantallas de LCD.7-35 Prof. En el visualizador de emisión de campo (FED). La nueva generación de FED se denomina SED y ya consigue una reducción del consumo de un 33% frente a monitores de plasma y un 50% frente a monitores de CRT. La emisión de electrones se consigue a partir de la extracción de electrones del interior de un material que son llevados a un estado de libertad o de "vacío" fuera del material. La emisión de electrones se consigue por una tensión aplicada entre la puerta y la placa de base. El emisor tiene forma muy afilada para conseguir un alto rendimiento de emisión. Se están investigando varios tipos de puntas emisoras.

El cristal líquido tiene un tiempo de respuesta que varía de microsegundos a milisegundos y. aunque la respuesta de nuestro ojo es lenta. Esteban Sanchis / Prof. En la actualidad los repetidores convierten el pulso óptico en un pulso eléctrico. Sin embargo.7-36 Prof. Sin embargo. De esa forma. La inteligencia aparece a partir de manipular la información. es decir. B. Además.7. Ejea 11-nov-08 . La necesidad de la modulación de la luz a alta velocidad La célula de cristal líquido que acabamos de ver es esencialmente una válvula de luz o un modulador de luz. debemos ser capaces de desarrollar dispositivos de modulación a alta velocidad. Esto es debido a las limitaciones en el tiempo de respuesta. Supongamos una señal óptica portadora de bits de datos y que viaja desde Nueva York a Tokio. La razón es que en dichas aplicaciones se necesita mandar millones de bits de información de un ordenador a otro a través de una misma línea. Para aprovechar plenamente este enorme ancho de banda (gran velocidad de transmisión). B.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig.CEF Tema B.7. no puede ser utilizado en aplicaciones de comunicaciones ópticas. es bastante adecuado para tales aplicaciones. registros y puertas lógicas (todos ellos basados en la tecnología del transistor) los que realizan estas operaciones y crean los mecanismos inteligentes como son los ordenadores. por tanto. Obviamente no existe una fibra óptica dedicada únicamente a tal comunicación y la señal luminosa debe pasar por varios repetidores e intercambiadores conforme va viajando.7. En los últimos capítulos hemos visto materiales que pueden detectar y generar luz pero ninguno de ellos es inteligente a la hora de procesar la información. Juan B. La función de los repetidores es compensar la pérdida de potencia óptica sufrida en la transmisión. modular y realizar operaciones matemáticas y lógicas. para comunicaciones ópticas la respuesta del dispositivo debería ser tan rápida como fuese posible. conmutar. B.35: Celda básica de un visualizador de plasma de Fujitsu. En comunicaciones ópticas la fibra óptica es capaz de transmitir datos a velocidades del orden de terabits por segundo. aunque este dispositivo es muy útil en aplicaciones de visualizadores (monitores). podemos seguir una película de video con bastante facilidad aunque una hora de película pueda tener varios gigabits de datos. En el dominio de la electrónica son los flip-flops. En aplicaciones de visión la respuesta del ojo humano es la que pone el límite a la mayor velocidad de respuesta necesaria (entre 20ms y 30ms). nosotros somos capaces de procesar información en paralelo de forma muy eficiente.

Como la luz está controlada por la corriente inyectada. La primera es la modulación directa en la que un circuito electrónico es diseñado para modular la corriente inyectada en el dispositivo. sigue estando limitado a frecuencias de 20GHz a 30GHz. La propiedad de la luz que es modulada depende de la aplicación particular y de la tecnología disponible en cada momento. Sin embargo. Sin embargo.7-37 Prof. Si se compara con dispositivos electrónicos. Existen dos esquemas para modular las señales ópticas en LEDs o LDs. Comparados con los componentes electrónicos. Todo esto quiere decir. está claro que la modulación de la luz es un punto crítico en tecnología optoelectrónica. Ejea 11-nov-08 . la modulación no es tan simple ni tan fácil de implementar. En dicho aspecto los componentes fotónicos están en desventaja frente a los electrónicos. y puede ser por ejemplo la amplitud de la señal óptica. En la actualidad se están llevando a cabo investigaciones que tienen como propósito la integración en un mismo substrato de transistor y fuente luminosa y desarrollar de esa forma la tecnología OEIC. B.CEF Tema B. Para tal fin se suele emplear un FET o un HBT. etc. Juan B. Lo mismo hacen los intercambiadores conmutados.7: Dispositivos de visualización y modulación lo amplifican y luego lo reconvierten en una señal óptica ya realzada. El diodo láser puede. MESFET. En comunicaciones ópticas. La modulación directa del diodo láser es simple lo que la hace muy atractiva. superar alguno de los problemas pero aún así. Independientemente de la codificación empleada. En los dispositivos electrónicos (MOSFET. el contenido de la información es codificado empleando dispositivos fotónicos a través de la variación de algún aspecto de la señal óptica de salida de o bien un LED o bien un diodo láser (LD). tales circuitos se fabrican a partir de una tecnología híbrida (OEIC). que actualmente no existen componentes fotónicos que puedan competir con el transistor en la manipulación de datos. Por tanto todas las modificaciones de la información la realizan los mismos circuitos electrónicos que tenemos en nuestros ordenadores. Además el diodo láser (LD) no tiene una simple "puerta" mediante la cual modular la señal óptica. donde la base o puerta es una parte integrante del dispositivo. HBT. Los problemas de la modulación directa incluyen las frecuencias superiores de modulación que no pueden superar los 40GHz y el desplazamiento en la frecuencia de emisión. en principio. Las dimensiones del dispositivo son bastante pequeñas y se permiten frecuencias de modulación de hasta 20GHz en tecnologías avanzadas de silicio y de varios cientos de GHz en heteroestructuras avanzadas. Aún queda bastante tiempo antes de que estos dispositivos encuentren su lugar en el interior de nuestros ordenadores. podemos obtener la modulación deseada. la fase de esta señal. los componentes fotónicos tienen un tamaño mucho más grande. hay que tener en cuenta que tal simplicidad sólo existe si se compara con otras formas de modulación de dispositivos ópticos. pero en un futuro cercano los veremos en sistemas de comunicación a alta velocidad. Por tanto. aunque resulte embarazoso para los defensores de un procesamiento óptico. Ya hemos visto las limitaciones del LED en aplicaciones de alta velocidad. BJT. Debido a la diferencia en la estructura del LD y del transistor no es una tarea sencilla fabricar estos dispositivos sobre un mismo chip. MODFET. etc) la señal eléctrica la modulamos fácilmente con una señal de base o de puerta. Esteban Sanchis / Prof. los componentes fotónicos inteligentes están mejorando de forma rápida y están empezando a tener impacto sobre la tecnología. la anchura de los pulsos enviados.

pérdidas de inserción.24) La profundidad de modulación se define en decibelios como. bastante rápidas y se controlan mediante recombinación e-h. B. Dependiendo de los medios empleados.1. − Circuito "grande" para estándares microelectrónicos. ancho de banda de la modulación. Ejea 11-nov-08 . (B. no es tan fácil de modular la fase. podemos tener moduladores electro-ópticos. − Aunque se puede alterar fácilmente la + La fase se puede alterar intensidad de salida.36: Ventajas y desventajas de la modulación interna o externa de diodos láser. consumo y aislamiento entre canales. − Disposición de elementos complicada. − La velocidad del dispositivo se controla + Las velocidades del dispositivo son por procesos internos del láser. B. La desventaja más importante es que el modulador es grande comparado con otros dispositivos electrónicos y normalmente no es una parte de un circuito integrado sencillo. En la modulación externa la luz de salida pasa a través de un material cuyas propiedades ópticas pueden ser modificadas por medios externos. fase o intensidad. El efecto electro-óptico es el más utilizado en aplicaciones de alta velocidad y es el más compatible con la electrónica moderna.CEF Tema B. acusto-ópticos o magneto-ópticos. la amplitud o la frecuencia. También su fabricación se hace con materiales no compatibles con la tecnología de semiconductores.7.d. Dependiendo de la aplicación. e.7. Imin.7.7: Dispositivos de visualización y modulación Modulación directa Modulación externa + Circuito relativamente simple y compacto. Básicamente son: el rendimiento de modulación. Juan B. debemos conocer el tipo de modulación a utilizar.7-38 Prof. Características de los moduladores El modulador óptico es un dispositivo que utilizamos para codificar información en una señal óptica alterando su amplitud.7. Fig. − La frecuencia de emisión se puede alterar + Frecuencia de emisión inalterada con la corriente de funcionamiento. − Difícil de ajustar. Imax. • Rendimiento de modulación: Para definir el rendimiento de modulación. B. el rendimiento vale. Ésta ofrece otras ventajas y desventajas. longitud de la cavidad. y mínimo. las propiedades del modulador. Para la modulación de intensidad donde la intensidad varía entre su valor máximo. η. Esteban Sanchis / Prof. los moduladores se deben caracterizar según varios aspectos importantes para poder seleccionarlos. Aunque recientemente se están empezando a utilizar sistemas basados en pozos cuánticos en cuya composición intervienen los mismos semiconductores que se utilizan en diodos láser. El otro esquema de modulación de un diodo láser (LD) es la modulación externa.

El aislamiento describe la intensidad óptica que aparece en el canal de entrada j cuando es enviada una señal a través del canal i.27) Las pérdidas de inserción aparecen por la dispersión.7. (B. Se define mediante la potencia por unidad de ancho de banda necesaria para la modulación de intensidad. Ejea 11-nov-08 . cuando aumenta la frecuencia de funcionamiento. el rendimiento de modulación cae. (B. Juan B. veamos ahora algunos moduladores y sus principios físicos de funcionamiento. el rendimiento vale como se comentó en el tema dedicado a la propagación de la luz en un medio. • • B. Se puede utilizar el modulador para transmitir una señal óptica desde una entrada a N salidas diferentes. es el consumo de potencia durante el proceso de modulación.26) donde φ es el valor extremo del cambio de fase producido debido a la modulación.7. como su nombre indica. tiempo de tránsito de portadores) del dispositivo. Si Pout es la potencia de salida de un sistema óptico cuando no hay modulador y Pin es la potencia transmitida por el sistema con el modulador y ajustado para máxima transmitancia.7.CEF Tema B. (B. las pérdidas de inserción serán.7: Dispositivos de visualización y modulación (B. • Consumo de potencia: El consumo de potencia.28) En la mayoría de los sistemas ópticos se requiere un aislamiento de más de 40dB.7. Después de definir estas características de todos los moduladores. El ancho de banda puede estar limitado por elementos parásitos (constantes de tiempo RC) o constantes de tiempo intrínsecas (por ejemplo. • Ancho de banda de la modulación: Como con otros dispositivos electrónicos u optoelectrónicos.25) Si el modulador se utiliza para modulación de fase. La frecuencia a la cual el rendimiento de modulación cae 3dB con respecto a su valor a baja frecuencia se llama el ancho de banda de la modulación. Aislamiento: En muchos casos el modulador tiene varios canales. reflexión y absorción que aparecen al colocar el modulador.7-39 Prof. Pérdidas de inserción: Cuando se acopla una señal óptica a un modulador habrá pérdidas de potencia. Esteban Sanchis / Prof.

Sin embargo. hay dos ejes.7. los distintos índices se ven afectados de forma diferente. Cuando se aplica un campo eléctrico a lo largo de una dirección particular. Juan B.7-40 Prof.CEF Tema B.7. Ejea 11-nov-08 .8. Fig. es decir nro.7. a lo largo de los cuales el índice de refracción es el mismo. En cristales uniáxicos. (B. Entre ellos el fosfato de dihidrógeno potasio (KDP).7: Dispositivos de visualización y modulación B. y uno a lo largo del cual el índice de refracción vale nre. En general el índice de refracción de un cristal no es isótropo y se describe por su elipsoide de índices. es (B.29) donde nri son los índices de refracción principales. B. perosquitas ferroeléctricas como el LiNbO3 y LiTaO3 y semiconductores como el GaAs y CdTe.30) (B. en el que modificamos las características ópticas de un cristal a partir de un campo eléctrico. debido a la anisotropía del cristal. La tensión aplicada introduce un desfase entre las dos componentes de diferente polarización de la luz y así la luz emergente estará modulada. Estos son los índices de refracción ordinario y extraordinario respectivamente.37: Uso de un dispositivo electro-óptico para modular una señal óptica. la frecuencia o la fase de una señal óptica a partir del efecto electro-óptico. Consideremos una señal de entrada linealmente polarizada que vendrá dada por. Esteban Sanchis / Prof. los índices de refracción se ven afectados. En general ambas direcciones tienen un índice de refracción diferente y aparece un desfase φ entre ambas componentes cuando se han propagado un tramo L.31) Después de pasar por el modulador la onda emergerá con una polarización general dada por.7. Moduladores electro-ópticos Un modulador electro-óptico puede modular la amplitud. Cuando una luz linealmente polarizada entra en el modulador se descompone en dos componentes.7. Existen muchos cristales que poseen estas propiedades. x1 y x2. B. La ecuación del elipsoide de índices a lo largo de sus ejes principales xi.

Juan B. el rayo emergente estará polarizado circularmente y si φ vale π. Ejea 11-nov-08 .34) Por tanto si podemos controlar φ mediante un campo eléctrico.7.6 0. V la tensión transversal aplicada y d el grosor del modulador. Debe tenerse en cuenta que el campo eléctrico se puede aplicar de forma transversal o longitudinal al modulador. Para GaAs la fase dependiente del campo eléctrico vale. r63 = 9.7.0 0. nro el índice de refracción ordinario del GaAs.7: Dispositivos de visualización y modulación (B. Si φ vale π/2. L es la longitud del dispositivo.6. Material GaAs Cuarzo LiNbO3 KDP λ (µm) 0.2 r11 = −0. Por otra parte.2 r13 = −9. r41 el coeficiente electro-óptico para el GaAs. B. polarizado linealmente y girado 90º con respecto al rayo de entrada. B. podremos modular la intensidad. cuando el campo aplicado es longitudinal el efecto es llamado efecto Pockel.38: Coeficientes electro-ópticos de algunos materiales.7. (B.5 0. el efecto es llamado efecto Kerr.5 rij (10−12 m/V) r41 = 1. Un análisis similar para materiales del tipo KDP muestra que el desfase entre ambas componentes de la onda a la salida es.36) donde r63 es el coeficiente electro-óptico de KDP y E el campo eléctrico aplicado (V/d).47 r41 = −0. Esteban Sanchis / Prof.7. la relación de intensidades es.CEF Tema B. la máxima transmitancia se da cuando el cambio de fase son 180º ya que sin2(φ/2)=1.7. Si se utilizan polarizadores cruzados.33) La diferencia de fase viene dada por φ = θ2 − θ1.1.0.35) donde λ es la longitud de onda de la luz.32) (B.7-41 Prof. Cuando se aplica un campo transversal.6 r42 = −30 r41 = 8.8 . (B.5 Fig. Si el rayo de salida pasa por un polarizador de 90º con respecto al polarizador de la entrada.7. (B. r22 = 6.

Cuando iluminamos el material fotosensible PLZT se produce una fotogeneración de portadores con una concentración local proporcional a la intensidad local de la imagen con la que iluminamos. El material más utilizado para estas aplicaciones es el PLZT policristalino cerámico. etc. por tanto. El campo coercitivo necesario puede ser alterado si se crea un campo interno mediante portadores fotogenerados.1mm a 0.7. Este es el principio para la grabación de imágenes ópticas.9. Se ilumina con la imagen a almacenar una de las caras del material con luz del ultravioleta cercano y a la vez se le aplica una tensión al dispositivo.7-42 Prof. Aunque los coeficientes electro-ópticos de la mayoría de los materiales son bastante pequeños (~10−12m/V) de forma que para valores de polarización reales se necesitan longitudes muy grandes (de milímetros o más). Juan B. La imagen es por tanto grabada sobre la placa y puede ser vista a través de un dispositivo de proyección. Entonces. Los portadores (electrones y huecos) se separan debido al campo eléctrico y quedan atrapados en defectos del material. Cuando les aplicamos un campo eléctrico su dipolo eléctrico o polarización cambia al modificarse la orientación de las moléculas. Los materiales ferroeléctricos que tienen un efecto electro-óptico acentuado se utilizan para grabar imágenes. B. En particular si aplicamos un campo eléctrico llamado campo eléctrico coercitivo podemos anular su polarización. A parte de la configuración que hemos visto podemos B.3mm) de PLZT cerámico con electrodos transparentes aplicados a sus caras mayores. Las imágenes se pueden borrar iluminando la placa uniformemente con luz del ultravioleta cercano y aplicando a la vez un pulso de tensión para llevar la polarización ferroeléctrica a su estado remanente inicial.CEF Tema B. Estas placas pueden almacenar imágenes con resoluciones de hasta 100 líneas por centímetro. El dispositivo fotoferroeléctrico para crear imágenes (PFE) consiste en una fina capa (0. Ejea 11-nov-08 . Estos tamaños tan grandes hacen estos moduladores incompatibles con los ordenes de magnitud manejados en la microelectrónica actual. Por medio de técnicas de fabricación avanzadas se pueden conseguir cerámicas de PLZT cuyo tamaño de grano es del orden de 2µm. Materiales electro-ópticos y grabación de imágenes El efecto electro-óptico que acabamos de describir no sólo es útil para moduladores. un campo eléctrico local se superpone al externo cambiando el campo coercitivo y. si no que además sirve para grabar imágenes ópticamente. Algunas mejoras se están consiguiendo con estructuras basadas en pozos cuánticos. Ya vimos que los materiales ferroeléctricos tienen una polarización espontánea o dipolo eléctrico diferente de cero. obtener contraste de imágenes. la polarización local del material. Moduladores interferométricos Acabamos de ver como el cambio de fase producido por el efecto electro-óptico se puede utilizar para modular señales. Esto da lugar a variaciones locales de las tensiones mecánicas internas en la placa PLZT. Esteban Sanchis / Prof.7: Dispositivos de visualización y modulación De las expresiones vistas parece claro que si tenemos un material con un gran coeficiente electro-óptico podremos conseguir una modulación grande con un componente más corto para el mismo campo eléctrico aplicado. Al ser policristalino este material se puede fabricar en grandes dimensiones y a bajo coste.

El principio de funcionamiento del modulador de Fabry-Perot es la variación de nr con un campo eléctrico. B. R es la reflectividad del espejo.7.37) El coeficiente de transmisión de un etalón con una reflectividad R en sus espejos vale. Juan B. Moduladores de Fabry-Perot El modulador de Fabry-Perot (llamado también el etalón) consiste en dos espejos semi transparentes que encierran un material electro-óptico. Lo que se busca es que el dispositivo varíe su transmitancia entre Tmax y Tmin por medio de un campo eléctrico. También se muestra el coeficiente de transmisión de la cavidad de Fabry-Perot en función del cambio de fase. (B.7: Dispositivos de visualización y modulación utilizar otras que no necesitan polarizadores y modulan la señal por medio de efectos interferométricos. En esta figura se muestra la variación del coeficiente de transmisión en función del cambio que experimenta la fase de la onda en una vuelta completa.1. es decir . (B. Esto modificará el cambio de fase y finalmente variará la transmisión de la señal óptica. B. Ejea 11-nov-08 .39: Modulador de Fabry-Perot. En algunas estructuras construidas por crecimiento epitaxial las superficies parcialmente reflectantes son reflectores distribuidos de Bragg.7-43 Prof.7.CEF Tema B. Como vemos tenemos picos de transmisión para desfases de 0º. Esteban Sanchis / Prof.9. λ0 Fig.38) De esta expresión se deduce que la selectividad del etalón aumenta con R. B. Si nr es el índice refracción del material electro-óptico y L su longitud. 180º y 360º.7. como se muestra en la siguiente figura. la transmisión a través del etalón es máxima (λ0 es la longitud de onda en el vacio y q un entero) cuando.7.

Los dos rayos resultantes viajarán por guías diferentes (en general de diferente longitud) para luego volverse a unir para producir la salida. B.7: Dispositivos de visualización y modulación La diferencia en frecuencia entre dos máximos sucesivos en la transmisión de la estructura de Fabry-Perot se llama el rango de espectro libre.39) Un parámetro importante del etalón es la precisión (F) que da la relación entre el FSR y la anchura máxima de cualquier pico de transmisión medida a la mitad del máximo. Si los caminos ópticos de ambos trazados son múltiplos enteros de la longitud de onda.7-44 Prof.7.40: Interferómetro de Mach-Zender usado como modulador.2. Si se utiliza un campo eléctrico para crear una B. Ejea 11-nov-08 .9. (B. Fig. es llamado acoplador de 3dB (la potencia óptica en cada rama es la mitad de la de la inicial). las dos ondas llegarán al segundo acoplador de 3dB en fase e interferirán constructivamente produciendo una alta intensidad óptica. B.7. El principio consiste en dividir una señal proveniente de una guía de onda monomodo en dos. Esteban Sanchis / Prof. con una relación 50:50.7. Se utilizan dos acopladores de 3dB para separar y unir luego la señal entrante. y vale.7. Moduladores de Mach-Zender La modulación de fase por efecto electro-óptico se puede utilizar para modular la intensidad en un interferómetro de Mach-Zender. Esta división se consigue con un acoplador en Y o divisor que. FSR. (B.CEF Tema B. Juan B.40) donde R1 y R2 son los coeficientes de reflexión de los espejos delantero y trasero del etalón. por razones obvias. Estos moduladores han llegado a modular señales de hasta 10GHz con relaciones de contraste de hasta 10dB. Su valor es.

Si la diferencia de fase total entre las dos ondas viajando por los dos caminos diferentes es 180º la intensidad resultante será mínima.7-45 Prof.7. Este dispositivo es muy importante en comunicaciones ópticas.10. El mismo concepto se puede aplicar para aplicaciones de conmutación.41) donde K es el coeficiente de acoplamiento debido al solape en los modos de ambas guías. ya que permite direccionar señales.7.CEF Tema B. los moduladores de Mach-Zender sufren de rendimientos bastante bajos. B. una modulación de la polarización o. una modulación de la intensidad. Ejea 11-nov-08 . a través de interferencias de dos rayos. El acoplador direccional en su constitución básica acopla dos señales ópticas de entrada I1 e I2 a dos salidas O1 y O2. Alterando el índice de refracción del material podemos introducir una modulación de fase. (B. El acoplador direccional En la sección anterior hemos visto como el efecto electro-óptico se puede utilizar para modular una señal óptica. Uno de los conmutadores más importantes es el acoplador direccional. Esteban Sanchis / Prof. B. El dispositivo debe ser capaz de conectar una señal entrante a una de las dos salidas. Ya vimos que su funcionamiento se basa en que la potencia de la señal pasa de una guía a otra conforme va avanzando.7: Dispositivos de visualización y modulación diferencia de fase entre ambas ondas se podrá reducir la intensidad de la onda. Debido a las pérdidas de señal óptica debidas a los acopladores. Juan B. O1 u O2. Su funcionamiento ya lo hemos visto en temas anteriores y aquí nos vamos a restringir a explicar su uso como modulador o conmutador de luz. La transferencia completa de potencia se dará cuando la señal se haya propagado una distancia.

41: (a) Acoplador direccional donde dos guías están separadas por un gap g a lo largo de una distancia L.7. Juan B.45) entonces no habrá luz que emerja por la guía 2 y la luz re-emerjerá por la guía 1 como se muestra en la siguiente figura (a). (B.42) Se puede demostrar que si A1(0)=1. A2(0)=0 donde A1 y A2 son los campos en ambas guías (la señal entra inicialmente por la guía 1). se obtiene. (B.CEF Tema B.7-46 Prof. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . la longitud a partir de la que se produce la primera transferencia de energía es. El coeficiente de acoplamiento depende exponencialmente de la B. Si las guías no están en fase (β1 ≠ β2). B. (b) Transferencia de energía óptica de una guía a otra cuando la señal entra inicialmente por la guía 1.44) Si aplicamos una tensión para que varíe Δ a Δsw de forma que se cumpla. Para el caso de que Δ = 0. no toda la luz se acoplará de una guía a otra. (B. el material debe tener un efecto electro-óptico grande.7. (B. Para que la tensión a aplicar sea pequeña. la intensidad o fuerza que tenga el efecto electro-óptico y la tensión de polarización aplicada (dependencia que aparece a través de Δ). no habrá acoplamiento de luz.7.7.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig. Si escribimos.7.43) Si Δ2 >> K2. La conmutación se controla a través del coeficiente de acoplamiento K. El funcionamiento del acoplador direccional se basará en variar Δ con un campo eléctrico.

Fig. Juan B. Ejea 11-nov-08 . Para que la tensión aplicada sea baja se suele aplicar una configuración tipo "pushpull" para los electrodos como se muestra en (b). Para GaAs el valor utilizado es r41. B. Normalmente los dispositivos requieren una longitud de interacción de alrededor de 1cm y una tensión de 5V a 10V.CEF Tema B. (b) Electrodos en "push-pull" en un acoplador direccional para doblar el desfase entre las guías. El uso de pozos cuánticos está permitiendo estructuras de menor tamaño debido al efecto electro-óptico mejorado relacionado con las características excitónicas que veremos en un apartado posterior. por lo que o bien los dispositivos son bastante grandes o bien se requieren altas tensiones. El factor 2Ey es debido a la configuración "push-pull" de los electrodos. GaAs. (B. Dispositivos avanzados de modulación y conmutación En la anterior sección hemos visto como el coeficiente electro-óptico en la mayor parte de los materiales es bastante pequeño. el tamaño del dispositivo es bastante grande.7.46) donde reff es el coeficiente electro-óptico efectivo. ya que el efecto electro-óptico no es tan grande. Si varía la tensión aplicada se puede modificar el acoplo de luz.42: (a) Acoplador direccional de longitud tal que la transferencia completa se produce en ausencia de tensión aplicada. LiTaO3.7. ya que el acoplamiento se debe a las ondas evanescentes en cada guía. Para acopladores direccionales de materiales como LiNbO3.7. El uso de estructuras basadas en pozos cuánticos B. B. etc. El desplazamiento total Δ es entonces el doble y viene dado por.11.7-47 Prof.7: Dispositivos de visualización y modulación separación g de ambas guías de onda. Esteban Sanchis / Prof.

2p.7: Dispositivos de visualización y modulación está permitiendo mejorar esta situación. Juan B. 2s. En este hay una interacción electrón-protón que conduce a unos niveles energéticos posibles para el electrón (conocidos por los símbolos 1s.). Estos excitones causan picos en el espectro de absorción como se muestra esquemáticamente en la siguiente figura. Modificación de las propiedades ópticas por campos aplicados Otra importante característica de las estructuras de pozo cuántico es que en presencia de un campo eléctrico. Un fenómeno similar ocurre con los pares electrón-hueco. por lo que una pregunta que uno puede hacerse es si la atracción eléctrica entre ellos puede llegar a alterar el proceso de absorción óptica.7-48 Prof.1. Los pozos cuánticos se consiguen a partir de colocar una estructura de banda prohibida estrecha entre dos de banda prohibida ancha. B. las propiedades ópticas (coeficiente de absorción. Modificación de la densidad de estados Sabemos que la densidad de estados en un sistema 2D (pozo cuántico) tiene un comportamiento como la función escalón.7.11. Dentro de las bandas de conducción y de valencia existen unas subbandas con densidades de estados tipo variando en forma escalonada.CEF Tema B. Este gran cambio que experimenta el coeficiente de absorción puede ser utilizado para la modulación de la luz. Como los procesos ópticos como por ejemplo la absorción dependen de la densidad de estados. El caso es que electrón y hueco son partículas de carga opuesta. Esteban Sanchis / Prof. la intensidad de estos picos es mucho mayor que en materiales de mayores dimensiones. debido al fuerte solape entre las funciones de onda de electrón y hueco. etc. En pozos cuánticos. como se muestra en la siguiente figura. B. Para hacernos una idea de las implicaciones de esta interacción electrón-hueco vamos a ver lo que sucede en un átomo. Muchos de los conceptos estudiados han tenido utilidad en la implementación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. estos procesos se modifican en los pozos cuánticos. En realidad esa atracción juega un papel importante en interacciones luz-semiconductor. Efectos del excitón Para explicar la absorción vimos que el fotón es absorbido generando un par electrónhueco. Ejea 11-nov-08 . índice de refracción) del material pueden variar mucho. En la absorción óptica estos niveles dan lugar a la presencia de picos en la representación de la absorción en función de la energía. Motivaciones de los pozos cuánticos Con la fabricación de los primeros pozos cuánticos a mitad de los años 70 se llevó a cabo la fabricación y el estudio de gran cantidad de nuevos dispositivos. Estos pares electrón-hueco atraídos por su interacción de tipo eléctrico son llamados excitones. Esto contrasta con la densidad de estados 3D que crece monótonamente en los limites de sus bandas. Vamos a examinar las motivaciones que llevan al empleo de estructuras basadas en pozos cuánticos en el área de moduladores ópticos.

Los efectos del excitón son muy importantes en pozos cuánticos y el espectro de absorción se puede modificar fácilmente mediante un campo eléctrico. El desplazamiento del espectro de absorción se llama el efecto cuántico de confinado de Stark (QCSE). Juan B.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig.7.7. el espectro de absorción se desplaza hacia frecuencias inferiores.43: Las diferencias entre sistemas tridimensionales (3D) y bidimensionales (2D) se aprovechan para diseñar mejores moduladores ópticos. En la siguiente figura se muestra un diodo p-i-n de pozo cuántico múltiple. la luz transmitida puede ser modulada por medio de este campo eléctrico. Moduladores de electro-absorción Cuando se aplica un campo eléctrico a un pozo cuántico.2. La respuesta de los dispositivos QCSE puede ser muy rápida (del orden de los 10ps) y por tanto se pueden conseguir modulaciones de alta velocidad. B. Ejea 11-nov-08 . B. Como resultado si la luz de frecuencia ω incide sobre el dispositivo.CEF Tema B.7-49 Prof. B.11. el cual puede ser utilizado como modulador de electro-absorción. Esteban Sanchis / Prof.

44: (a) Desplazamiento de la absorción óptica con el campo aplicado. B. Juan B.7-50 Prof. (b) Modulador de efecto cuántico confinado de Stark. Al aplicar la polarización. B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. la intensidad luminosa de salida puede ser modulada.7.7: Dispositivos de visualización y modulación Fig.CEF Tema B.

La era de la información como ya hemos dicho necesita de medios muy eficaces de intercambio de información debido a que la economía mundial depende de esta información y de la velocidad con que se transmite.0.0-1 Prof. Aunque la televisión y la bombilla entre otros también se pueden contemplar como dispositivos fotónicos sólo estudiaremos aquí aquellos dispositivos aparecidos en los últimos 20 años. Estos dispositivos sensores / detectores deben convertir la información y de forma que se pueda procesar por otros medios a continuación. Las tecnologías que hacen factible estas mejoras de la comunicación se pueden subdividir entre otras en componentes electrónicos de estado sólido y componentes fotónicos. Ejea 11-nov-08 .1. las cámaras de vídeo. los relojes digitales. Nosotros vamos a estudiar ahora esta última parte.2. De igual manera necesitamos dispositivos sensores / detectores con una respuesta a una entrada externa bien definida. B.0. Los componentes fotónicos han contribuido activamente a este crecimiento de la velocidad de procesamiento y transmisión de la información. Necesidades en la era de la información Las funciones básicas a realizar en la era de la información son las siguientes: Detección y recepción de la información: Es una de las funciones más importantes. los paneles solares y las impresoras láser han evolucionado gracias a esta nueva tecnología. La era de la información En la última década el mundo ha cambiado mucho y también sus necesidades.B. Juan B. Así por ejemplo.0. por ejemplo son imprescindibles para poder desarrollar una vida sin esfuerzos adicionales. Además ha sido en esta última década cuando los componentes fotónicos han comenzado a jugar un importante papel junto a los componentes electrónicos en el procesado y transmisión de la información. Esto hace imprescindible estudiar esta familia de componentes que hasta ahora o no se veía o se veía de forma muy superficial. Esteban Sanchis / Prof. Dado que el mercado se está expandiendo hasta cubrir la totalidad del globo la importancia de las comunicaciones es cada vez mayor. Nuestros sentidos. los lectores de discos ópticos ("compact disc"). B. La optoelectrónica es la técnica de procesar la información mediante la luz y ya lleva muchos años en desarrollo. Estos cambios también se han producido en el área de la tecnología. Esto se traduce en un aumento de 20 veces del dinero manejado en 1995. Se espera que para el año 2010 la industria de la optoelectrónica ocupe una parcela del mercado similar a la industria de los circuitos integrados. pero ha sido en los últimos 15 años cuando ha adquirido un mayor auge. Introducción y unidades de medida B.

Para ello el dispositivo debe poseer una determinada ganancia.CEF Tema B. Generación de la información: Es el paso imprescindible en la tecnología de la información. Juan B. hace necesarios dispositivos de almacenamiento de la información.0-2 Prof. De entre estas técnicas cabe destacar los visualizadores LCD y los ya veteranos LEDs. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . Memoria: La memoria también es esencial ya que el proceso de aprender. Manipulación de la información: Necesitamos manipular esa información para poder sacar de ella la información que realmente nos interesa y desechar la que no nos interesa. Visualización de la información: El dicho "Una imagen vale más que mil palabras" ya lo dice todo. comparar. La técnica de los visualizadores es una de las que más ha avanzado en los últimos años. Para ello puede ser necesario realizar operaciones aritméticas con la información o cualquier otro tipo de operación. Sin ella la era de la información no existiría. Transferencia de información: Una función muy importante es ser capaz de transferir información o resultados obtenidos después de la manipulación de dicha información a un dispositivo de memoria. Será necesario en muchos casos codificar dicha información para simplificar la transferencia de la información. seleccionar y volver a usar esta información. Generación de la información Detección y recepción de la información Amplificación de la información Manipulación de la información Transferencia de información Visualización la información Lectura de la información de la memoria B.0: Introducción Amplificación de la información: Si la información recibida no dispone de suficiente señal deberemos amplificarla para poder trabajar con ella.

No-interferencia de dos señales luminosas que se cruzan: Dos rayos de luz se pueden cruzar sin que ninguno de ellos se vea afectado de forma significativa. 3. Por una parte se tienen que interconectar mediante cables o conexiones metálicas. no es capaz de transmitir muchos canales y necesita repetidores cada cierta distancia. el sistema es caro. 4.0. 2. Esto permite aumentar la densidad de información a tratar.0: Introducción B. Inmunidad frente a las interferencias electromagnéticas: Dado que las partículas luminosas no están cargadas no se ven afectadas por campos electromagnéticos de forma importante. Los componentes fotónicos no sufren esta limitación ya que no se deberían conectar mediante interconexiones metálicas.4. Posible alto paralelismo: El proceso de información óptica en paralelo para así tomar decisiones en tiempo real es actualmente una de los temas candentes en el área de la robótica. Esta parcela ya está por necesidad copada por los componentes fotónicos. Las ventajas de un sistema de procesado de la información basado en la luz 1.CEF Tema B. Esto puede permitir una velocidad de proceso muy elevada. Otro problema aparece en la transmisión de la información. Esteban Sanchis / Prof. 5. Ejea 11-nov-08 . B. Los equipos electrónicos también sufren de los problemas derivados de las interferencias electromagnéticas mientras que no existen problemas de EMI en sistemas ópticos. En este terreno la fibra óptica.3. Dispositivos electrónicos frente a dispositivos fotónicos Los dispositivos electrónicos y toda la electrónica que les acompaña y que tanto ha revolucionado la técnica en los últimos 40 años tienen algunas limitaciones. por lo que necesariamente debemos utilizar visualizadores. Si se utilizan cables.0-3 Prof. Finalmente los electrones no se ven.0. Esto limita la capacidad de interconexión de los dispositivos que requieren interconexión masiva. Alta velocidad / alto ancho de banda: Se han llegado a generar pulsos ópticos de una duración de sólo unos femtosegundos (1fs = 10-15s). Juan B. Los haces de luz se pueden dirigir con relativa facilidad mediante lentes u hologramas: Esto puede llegar a permitir el reconfigurar un interconexionado de forma activa y dar una flexibilidad increíble a un sistema óptico. B. los diodos láser y los fotodetectores han conseguido un gran avance.

0. el movimiento oscilatorio es en dirección perpendicular a la dirección de propagación (como el caso de las ondas formadas en la superficie del agua). hay un movimiento oscilatorio en la dirección de propagación (es el caso de las ondas sonoras). (a) B.1. Facilidad de acoplamiento con un sistema electrónico: Esta facilidad ha permitido una mayor integración en dispositivos optoelectrónicos y ha desarrollado en gran medida dispositivos como el láser. en las ondas transversales.5. Por todo ello es necesario el conocer los componentes fotónicos. B.CEF Tema B. El comportamiento de la luz.5. Una onda electromagnética es una onda transversal en la que las componentes de los campos eléctrico y magnético son perpendiculares entre sí y perpendiculares a la dirección de propagación. En las ondas longitudinales. B. Tipos de ondas La luz puede ser considerada como una onda electromagnética viajando por el espacio a una gran velocidad. el detector o el modulador. se pueden llegar a generar transformadas de Fourier de una imagen o hacer análisis espectrales utilizando las características de difracción de la luz.0: Introducción 6. Empezando desde su composición y funcionamiento físico hasta su aplicación circuital o electrónica.0-4 Prof. Dispositivos de funciones especiales: Con lentes. Esteban Sanchis / Prof. Existen dos tipos de ondas posibles: longitudinales y transversales. por ejemplo. 7. Nosotros vamos a intentar dar una explicación de su funcionamiento físico y de su fabricación y composición. Juan B. Ejea 11-nov-08 .0.

la cual es el valor absoluto máximo de una onda.2. (b) Onda transversal. Para la mejor comprensión del fenómeno ondulatorio es útil recordar los términos más comúnmente utilizados para describirlo. Una magnitud es la inversa de la otra: (B. Juan B.0. La tercera característica de la oscilación es la amplitud. La amplitud en el caso de una onda electromagnética es una combinación compleja de las componentes de los campos eléctrico y magnético que no puede ser determinada mediante una medida directa. Cuando una oscilación se propaga en un medio. Ejea 11-nov-08 . El periodo (T) es el intervalo de tiempo necesario para completar un ciclo de la oscilación. es proporcional al cuadrado de dicha amplitud. (c) Onda transversal electromagnética.CEF Tema B. La frecuencia (f) es el número de oscilaciones en un segundo. En el caso de radiación electromagnética.1) donde T = periodo (s) y f = frecuencia (Hz).0. forma una onda como la que se muestra esquemáticamente en la siguiente figura: B. la potencia propagada por la onda oscilatoria. B.1: (a) Onda longitudinal.0-5 Prof. B.5.0: Introducción (b) (c) Fig. Relaciones y ecuaciones.0. Esteban Sanchis / Prof.

CEF Tema B. Juan B.0.0-6 Prof. La velocidad de la luz en el vacío: c = 2.5. Ejea 11-nov-08 . es la distancia que la onda recorre en un periodo: (B. (B. La longitud de onda (λ). B.997924574 x 108 (m/s) es una de las constantes fundamentales de la naturaleza. El espectro electromagnético El espectro electromagnético mostrado en la siguiente figura va desde ondas de radio de muy baja frecuencia (VLF) hasta los rayos cósmicos. la optoelectrónica únicamente se ocupa de la luz infrarroja. Esteban Sanchis / Prof.3) B. la luz visible (entre 400nm y 700nm) y la radiación ultravioleta.0.0: Introducción Fig.3.0.2) donde λ = longitud de onda (m) y v = velocidad de la luz en el medio (m/s). B.0. De todo este amplio espectro.2: Amplitud y periodo.

En radiometría medimos radiación y los resultados de tales medidas los obtenemos en las unidades físicas que se emplean comúnmente para tal efecto (vatios.). En radiometría. La radiometría estudia las propiedades y características de la radiación electromagnética. En el espectro de la radiometría están incluidas las longitudes de onda entre 400nm y 700nm correspondientes a la luz visible.CEF Tema B. describe el campo de radiación. aunque la radiometría cubre un espectro frecuencial mucho mas ancho. en fotometría.0: Introducción Fig. La ciencia que estudia la luz visible y su percepción por el ojo humano es llamada fotometría. La fotometría. B. Existen diferencias fundamentales entre la radiometría y la fotometría. Otra diferencia es que.0-7 Prof. se utilizan unidades diferentes para caracterizar la radiación. la medida llega al ojo humano. cómo interactúa la radiación con dispositivos y receptores. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. Por tanto.0. vatios por metro cuadrado. Limitaremos nuestra discusión a frecuencias y longitudes de onda desde el infrarrojo hasta el ultravioleta. las medidas se realizan con instrumentos electrónicos. el principal receptor en el rango de la luz visible es el ojo humano. Dentro de este rango existen gran cantidad de dispositivos optoelectrónicos cuyo principal propósito es la interacción y comunicación con los humanos. en fotometría.4. pues tiene su origen en el siglo XIX. a diferencia de la radiometría.3: El espectro electromagnético. es una ciencia mucho más antigua. Ejea 11-nov-08 .0. B. Una diferencia significativa es el receptor o dispositivo de medida. y las características de las fuentes de radiación y receptores. B. Esta ciencia es relativamente nueva pues se originó a inicios del siglo XX con el auge de la tecnología electrónica. Radiometría y fotometría La optoelectrónica es la ciencia que estudia la radiación electromagnética y el campo energético electromagnético generado por las fuentes de radiación.5. etc.

realizar nuestras tareas diarias. Por lo que el diseño de un sistema complejo de visión para este particular rango de longitudes de onda es mucho más sencillo que para cualquier otro. químicos. que es proporcional a la iluminación de la imagen.0: Introducción B. ¿Por qué nuestra visión se restringe a un rango tan pequeño? La razón es que la radiación del sol tiene un máximo en estas longitudes de onda y nos proporciona una gran cantidad de energía dentro de este rango de longitudes de onda. excepto por el medio de grabación. con una radiación electromagnética entre 400nm y 700nm (luz visible) como medio de propagación de la imagen. ya que combina procesos ópticos.6. fijándonos sólo en algunas propiedades que pueden aplicarse a los dispositivos fotónicos. Nos permite reconocer los peligros que afrontamos. B. Ejea 11-nov-08 .0.0. La cámara que solemos usar graba sobre una cinta. En nuestros ojos se forma una imagen representativa usando la luz.1. El ojo humano trabaja de la misma manera. Aquí describiremos algunas características de la visión humana en un lenguaje para ingenieros electrónicos. y disfrutar del esplendor y la belleza de nuestro entorno. En la siguiente figura se describe el ojo humano junto con algunos datos importantes. La naturaleza de la visión humana Muchos consideran que la visión es uno de nuestros sentidos más importantes. Esteban Sanchis / Prof. B. La visión humana es un fenómeno extremadamente complicado de tipo psico-físico. Juan B.0-8 Prof. B.CEF Tema B. Todas estas tareas se consiguen por un sistema de reconocimiento muy complejo. una cámara CCD graba sobre una matriz de celdas fotosensibles que generan y almacenan carga eléctrica.4: El ojo humano. Una cámara CCD es parecida a una cámara normal.0. El ojo humano El ojo humano puede asimilarse a una cámara CCD (charge coupled device). Fig. La matriz de la CCD se lee periódicamente y la información se envía a un dispositivo de almacenamiento y evaluación. del que el ojo humano es la conexión inicial con el mundo. neurológicos y fisiológicos.6. biológicos.

situado entre la córnea y el cristalino. B. los bastones están tan saturados con la luz diurna que no contribuyen a la percepción de la imagen.0. Allí las señales eléctricas son analizadas y se genera nuestra percepción de la imagen. amplitud del campo de sensibilidad y respuesta temporal. Los bastones nos proporcionan una visión a niveles muy bajos de luz (visión nocturna). respuesta al color. De hecho.CEF Tema B. El amplio campo de sensibilidad de nuestra visión se debe a nuestros receptores de alta sensibilidad y de baja sensibilidad.1mm a la distancia de lectura habitual de 250mm.1.6. Los bastones tienen una sensibilidad unas 1. El iris regula la cantidad de energía luminosa que pasa a través de las lentes. Lo que corresponde a un ángulo de un minuto. En el ojo. En la retina hay alrededor de unos 130 millones de células fotodetectoras que convierten la imagen en señales eléctricas proporcionales. junto con la actuación del iris.000 veces superior a la de los conos.0: Introducción B.0. El ojo enfoca una imagen ajustando la longitud focal del cristalino. que se cierra o se abre dependiendo del nivel de la iluminación del objeto observado. todos los objetos parecen azules y los objetos rojos parecen casi negros. hay un diafragma automático llamado iris. Durante el día.1. Por lo que.6. respuesta al color y localización. Además la potencia de definición o agudeza del ojo es muy grande. B. El ojo puede compararse con una cámara auto-focus donde el enfoque se consigue con cambios en la longitud focal de las lentes. Formación de la imagen La formación de la imagen en el ojo humano se consigue a través de dos tipos de lentes: una de longitud focal fija. La curvatura del cristalino puede cambiar por la acción del músculo ciliar y la zónula. que es lo que ocurre en cualquier cámara. y la separación de uno a otro es poco mayor que una longitud de onda. y la lente de longitud focal variable. En contraste.0-9 Prof. Estas dos estructuras difieren en tres niveles básicos: sensibilidad. La superficie de la retina está cubierta por dos tipos de células fotodetectoras llamadas conos y bastones. Esteban Sanchis / Prof.2. La sensibilidad relativa de las curvas de los tres tipos de conos se ve en la siguiente figura. La respuesta al color de los bastones es monocromática y máxima a 505nm que corresponde al color azul. el ojo humano puede distinguir una línea de una anchura de 0. los conos responden a tres colores: rojo. Bastones y conos La mayoría de las características de nuestra visión como agudeza. están determinadas por la compleja estructura de la retina. de media. La imagen se forma en la retina. verde y azul.1. En la fóvea es donde se concentra la mayor cantidad de fotodetectores. que es la parte posterior del ojo. para compensar el cambio de la distancia de la imagen a la lente. de noche. Juan B. el cristalino. que son conducidas a través de los nervios ópticos al cerebro. Ejea 11-nov-08 . la cornea.

El funcionamiento de los conos explica por qué las técnicas modernas de películas y televisión usan el rojo. B. Tal y como dijimos en los apartados anteriores usaremos un lenguaje más habitual para electrónicos que para ópticos.1V y una duración de 1ms. en vez de señales analógicas con una amplitud proporcional al estímulo luminoso.6. La concentración de conos es considerablemente menor en el resto del ojo. Nuestra visión consigue su máxima resolución y la mejor respuesta al color en la fóvea. debemos decir que el ojo humano es un instrumento asombroso. Los bastones y los conos convierten su respuesta luminosa en señales eléctricas en forma de un complejo código de tren de pulsos modulados. Los pulsos de los nervios son de amplitud constante de 0.6. La velocidad de repetición cambia y es proporcional al logaritmo del estímulo. Los bastones están repartidos en una concentración mucho menor alrededor de la retina. sólo vamos a centrarnos en las características que son más importantes para el diseñador de dispositivos fotónicos: la amplitud de respuesta. El eje óptico es una línea imaginaria a través del centro de la superficie de las dos lentes.1.CEF Tema B.5: Sensibilidad al color de los conos.2. una superficie del tamaño aproximado de una cabeza de alfiler situado en el eje óptico del ojo. Un increíblemente sofisticado proceso bioquímico determina como los conos responden al color.0.0. Ejea 11-nov-08 . Este proceso es relativamente lento y afecta a la respuesta temporal del ojo (se verá en el apartado siguiente). Los bastones tienen una sensibilidad suficiente para responder a un solo fotón y el ojo es capaz de trabajar a niveles de densidad de radiación superiores a unos pocos kilovatios por metro cuadrado.2. Características de la visión humana Una descripción completa de la visión humana involucraría la descripción de docenas de características. lo que explica por qué nuestra visión periférica es limitada. Los conos se encuentran principalmente localizados en la fóvea. el amarillo y el azul usados por los artistas. la frecuencia de respuesta y el tiempo de respuesta de la visión humana. B. Aquí. el verde y el azul como colores primarios en vez del rojo. La tercera diferencia entre los conos y los bastones es su situación en la retina. Juan B.0. Describiéndolo en términos de B.0-10 Prof. B.0: Introducción Fig. Respuesta en amplitud En primer lugar. Esteban Sanchis / Prof. con respecto a la respuesta en amplitud.

las primeras medidas fotométricas realizadas con instrumentación usaron el ojo humano para contrastar la fiabilidad de las medidas tomadas por los aparatos. La situación es diferente cuando el ojo se usa para comparar niveles de iluminación que son parecidos unos a otros.CEF Tema B.0-11 Prof. Esta condición también es importante en los visualizadores optoelectrónicos donde hay luces muy parecidas unas al lado de otras. para cubrir un rango tan amplio. La consecuencia de ello es que el ojo no es un buen instrumento para juzgar niveles absolutos de iluminación. Juan B. si no que también lo hacen a la frecuencia de la señal interpretando las diferentes longitudes de onda como colores diferentes.002lx hasta la luz brillante del sol de 100. Es fácil de entender que. B. lo que explica por qué incluso los más experimentados fotógrafos no confían en sus ojos para corregir la exposición y siempre usan un fotómetro. De hecho. El ojo no cubre sólo un rango tan increíblemente amplio.000lx. Curvas de sensibilidad relativa estándar (Standard observer relative sensitivity curves). B. el ojo puede operar a niveles desde la luz de las estrellas con 0.E. Respuesta en frecuencia En lo que se refiere a la respuesta en frecuencia de la visión humana también es única Nuestros ojos no sólo responden a la amplitud de la radiación que reciben. y los bastones a 505nm. Una diferencia de intensidad del 10% puede ser detectada fácilmente por el ojo humano.000.0: Introducción iluminación. Bajo esas condiciones. una respuesta lineal es imposible. el ojo puede detectar diferencias de unas cuántas centésimas de lux.2.I. Los conos combinan un máximo de sensibilidad a 555nm. si no que es un instrumento que se autoajusta al nivel adecuado en cada situación. B. Fig. Los conos responden a tres colores como ya se ha visto en la figura anterior. La respuesta del ojo sobre estas longitudes de onda no es exactamente uniforme. El ojo es también un analizador de espectros de la radiación electromagnética en un rango de 400nm a 700nm.000.2. Por eso el ojo tiene una respuesta logarítmica. lo que engloba un rango de amplitud de 1 a 50.6: C.0.6.0. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.

Como muchos dispositivos optoelectrónicos usan el multiplexado y técnicas estroboscópicas. Por ejemplo.0. B. con una constante de tiempo de 2 minutos para los conos y 6 minutos para los bastones. que se ha estandarizado por la International Standards Organization (C.4. Precisamente porque en la transmisión óptica de imágenes al cerebro intervienen reacciones químicas. es muy importante que los diseñadores optoelectrónicos entiendan este efecto.6. Estas curvas describen la sensibilidad relativa del ojo para diferentes longitudes de onda.).2.E. El efecto más importante es el parpadeo. un proceso que se llama adaptación del ojo. La frecuencia crítica de fusión para la visión diurna es de 40Hz (40 destellos por segundo) y para los bastones está alrededor de 16Hz.E. B.I.I. La curva fotópica es extremadamente importante porque es la clave de la conversión de unidades radiométricas a fotométricas. Hay dos tipos de respuesta que son interesantes para un diseñador optoelectrónico. El ojo notará una variación de la luz que determinará el parpadeo de la luz a cualquier frecuencia inferior a la frecuencia crítica de fusión. y lo definen dos curvas. Por este motivo la curva fotópica. Standard Observer Curve. la respuesta temporal del ojo humano es relativamente lenta. normalizadas a la unidad para las longitudes de onda de máxima sensibilidad. tiene un nombre especial: C. nuestra visión de una película o de la televisión como una fotografía en movimiento estable es posible gracias al parpadeo. porque la película se mueve a una velocidad de 48 fotogramas por segundo aunque cada fotograma se proyecta dos veces y por lo que está por encima de la frecuencia de parpadeo.0: Introducción De modo que la respuesta en frecuencia de nuestros ojos depende del nivel de iluminación. Este efecto es menor en los equipos optoelectrónicos. una durante el día o visión fotópica y otra por la noche o visión escotópica. La adaptación del ojo a la variación de los niveles de iluminación involucra un proceso que es lento y de naturaleza exponencial. El parpadeo tiene un papel importante en muchos dispositivos ópticos. que está definido por la frecuencia crítica de fusión (critical fusion frequency). la detección del parpadeo es una medida de la inercia del ojo.CEF Tema B. Una es la capacidad del ojo de adaptarse de un nivel de iluminación alto a otro bajo. Ejea 11-nov-08 . Respuesta temporal La tercera característica en la que nos fijamos es la respuesta temporal. definida como la menor frecuencia posible de una señal luminosa cuyo 50% del ciclo de trabajo hace que el ojo vea una luz estable. lo que significa que la respuesta visual (fotométrica) para el mismo estímulo radiómetrico o sea la misma potencia (W) es el 40% de la respuesta a 555nm. El otro es la habilidad del ojo de responder a cambios rápidos en la iluminación. En una película no advertimos el parpadeo.0-12 Prof. Juan B. lo que llamamos respuesta al parpadeo.3. Por ejemplo a 500nm la curva fotópica tiene un valor de 0. Esteban Sanchis / Prof. En otras palabras.

El ángulo sólido La fotometría y la radiometría trabajan con la distribución de la energía electromagnética en el espacio. un ángulo se suele medir en grados. también llamado campo angular. Unidades radiométricas y fotométricas y sus relaciones Una fuente radiante emite energía electromagnética en el espacio. El ángulo sólido se define como: (B. Un círculo completo de 360 grados corresponde a 2π radianes y un radian es igual a 57. B. generando un campo de energía.0. Fig. Ejea 11-nov-08 . B.0. La unidad de medida del ángulo sólido ω es el estereorradián. A: área de la superficie de la esfera. Por eso necesitamos medir la distribución.0. B. Juan B.0: Introducción B. Esteban Sanchis / Prof.7: Definición de radián y estereorradián. La definición de radián se observa en la siguiente figura junto a la definición de ángulo sólido. En una superficie de dos dimensiones. Antes de introducir las unidades radiométricas vamos a repasar el concepto de ángulo sólido.4) donde ω: ángulo sólido en estereorradianes o sr. El ángulo sólido es una cantidad geométrica que nos permite hacerlo.CEF Tema B. r: radio de la esfera. desarrollando las relaciones que existen entre estas unidades e introduciendo métodos e instrumentos para las medidas radiométricas y fotométricas.7. Las disciplinas de radiometría y fotometría exploran y estudian este campo de energía definiendo las unidades y cantidades que lo describen.0.7. donde un grado es igual a una parte entre 360 de un círculo. El mismo principio puede usarse para medir la distribución en el espacio.29578º. En la actualidad se usa una unidad más sencilla de definir que es el radian.0-13 Prof.1.

0: Introducción El estereorradián es adimensional y el campo máximo alrededor de un punto o el máximo valor del ángulo sólido es: (B.0. El acoplamiento depende del ángulo sólido de la fuente S en el área A. Ejea 11-nov-08 . B.9: Calculo de campo angular a partir de una superficie esférica y una superficie plana. B. En la mayoría de los casos conocemos el área plana en la superficie del receptor (AP). podría ser encontrar la potencia emitida por una fuente puntual S a un receptor de área A. en lugar de una superficie esférica pero simplifica los cálculos.0.0. Para calcular el ángulo sólido. Cuando usamos un área plana AP para el cálculo.9) (B. que se muestra en la siguiente figura. necesitamos conocer el área esférica en la superficie del receptor (AS). Un ejemplo típico. Fig. Obviamente se introduce un pequeño error cuando usamos una superficie o área plana. El ángulo sólido de un cono circular con un semiángulo θ es (ver figura B. el ángulo sólido aproximado ω’ vale: B. Juan B.0.6) Este es el valor correcto del campo angular.8: Acoplamiento fuente-receptor. Esteban Sanchis / Prof.0.0-14 Prof.CEF Tema B.5) El ángulo sólido se usa normalmente para calcular el acoplamiento entre fuente y receptor. Fig.

La dirección en cualquier punto del espacio está indicada por la dirección de la línea de fuerza.7. La potencia o el flujo medido en vatios no necesitan explicación.59º o 0.15º o 0. En algunas ecuaciones de este texto veremos que los subíndices de φR y φP se omiten. Las disciplinas de la radiometría y la fotometría exploran y estudian este campo de energía definiendo unidades y cantidades que lo describen. Por tanto. En física el término flujo a menudo se usa para describir un fenómeno de flujo o una condición de un campo que ocurre en el espacio. la magnitud o intensidad está indicada por la densidad de las líneas. B. Ejea 11-nov-08 . esto significa que la ecuación será aplicable tanto en expresiones de radiometría como de fotometría.0. Las unidades fotométricas describen el efecto psico-físico de la radiación en el ojo humano. 1 vatio de flujo radiométrico produce 683 lumens de flujo fotométrico. El flujo radiométrico representa el número de fotones emitido por la fuente por segundo.CEF Tema B. La respuesta del ojo depende de la longitud de onda que estamos viendo. El símbolo para el flujo es φ.385rad. Flujo radiométrico y fotométrico Una fuente radiante emite energía electromagnética en el espacio. sin embargo.0: Introducción ω’=π tan2θ (B.0-15 Prof. o: 1 lumen = 1/683 W a 555nm (B. generando un campo energético. La unidad de medida para el flujo radiométrico es el vatio (W).E. para formular una única definición de lumen. El flujo se muestra con líneas de campo alrededor del origen mostrando la dirección y amplitud de un campo con ellas.2. el símbolo para el flujo radiométrico es φR y para el flujo fotométrico es φP.7) que es mayor que el valor correcto. Por tanto representa la potencia emitida por la fuente. si no que también tendremos que determinar la longitud de onda en la que se hizo la observación. no sólo tenemos que establecer una relación entre potencia radiométrica y respuesta fotométrica.0. necesita una pequeña aclaración. para el flujo fotométrico la unidad de medida es el lumen (lm). Juan B.I. Como cada fotón es un cuanto de energía. Para un rango de ángulos de conos mayor debemos usar el valor correcto de la ecuación exacta. el lumen. en el pico de respuesta de la sensibilidad fotópica. encontramos que el método simplificado nos da un error inferior al 1% cuando θ<6. esto equivale a un flujo energético por unidad de tiempo. Considerando estos factores. es decir miden cómo vemos la luz. Esteban Sanchis / Prof. El lumen.0415rad y es menor del 10% cuando θ<20. Calculando el valor máximo de θ para un error de 1% y del 10%. desarrollando las relaciones entre estas unidades e introduciendo métodos e instrumentación para la medida de cantidades radiométricas y fotométricas. de acuerdo con el estándar C.0. se define como: a 555nm.8) B.

Por tanto.0. B.582 x 10−19J ≡ Energía de un fotón a 555nm (B.I.I. c: velocidad de la luz (3⋅108m/s) y λ: longitud de onda de la radiación (m).9 lm/W. nos permite convertir cualquier flujo radiométrico en flujo fotométrico o luminosidad usando un factor de conversión llamado eficiencia. Juan B. Eficiencia y conversión de flujo radiométrico en flujo fotométrico Eficiencia se define como la relación entre el flujo fotométrico o luminosidad respecto al flujo total radiométrico emitido por la fuente: (B.12) donde Kλ: eficiencia a la longitud de onda λ en lm/W.E.0: Introducción También se puede definir el lumen a través de la mecánica cuántica.626⋅10-34J⋅s). Standard Observer Curve.I. Por tanto para un flujo de 1 lumen. La energía del fotón (E) a 555nm es: E = hf = hc/λ = 3.71⋅683 = 484. Standard Observer Curve. la eficiencia para esta longitud de onda es = 0. la sensibilidad relativa del ojo para la luz verde a 520nm es Vλ= 0. esto es.0-16 Prof. Eficiencia en este caso se designa por Kλ y. f: frecuencia de la radiación.0. el flujo de fotones equivalente para una longitud de onda de 555nm es: n= 4. Esteban Sanchis / Prof.087 x 1015 fotones/s (B. Kλ se calcula de la siguiente manera: (B. Se puede convertir radiación monocromática en flujo fotométrico usando el C.E. φR: flujo radiométrico (W) Conversión.0.0.CEF Tema B. de Planck (6.71. φP = φR Kλ.11) donde K: eficiencia (lm/W).7. en dicho caso.E.0. B. Vλ: sensibilidad relativa del ojo a la longitud de onda λ (obtenida del C.10) Esta definición junto con al C. Ejea 11-nov-08 . φP: flujo fotométrico (lm).9) donde h: cte. Por ejemplo.3. Standard Observer Curve). en términos de flujo de fotones y energía del fotón.

la eficiencia alcanza un máximo ya que a esa temperatura el máximo del patrón de radiación se encuentra en el rango visible. Prácticamente todo metal caliente. se usa para identificar a los radiadores térmicos. el patrón de radiación de la fuente está bien definido y su correspondiente eficiencia puede calcularse. B. Su patrón de radiación espectral depende de la temperatura del radiador.0.7. B. En la siguiente figura se observa que para la temperatura de color de 6. Así. Aquí podemos ver que los radiadores de baja temperatura emiten más rojo. Para otras temperaturas este máximo está por debajo o por encima de este rango.CEF Tema B. Juan B. la luz radiada depende de la temperatura del cuerpo negro. Fig. incluyendo el filamento de tungsteno.0: Introducción B. También conocidos en física como los cuerpos negros radiantes. el término temperatura de color. y a altas temperaturas los radiadores emiten más en longitudes de onda azules.0-17 Prof.10: Espectro de radiación de un cuerpo negro.0. produce un espectro de radiación continuo de cuerpo negro. Por este motivo.0.000K. B. Fig. que se expresa en Kelvin. Para una determinada temperatura de color. Esteban Sanchis / Prof. Algunos patrones de radiación de cuerpo negro los podemos ver en la siguiente figura.3.11: Eficiencia de cuerpo negro radiante (black body radiator). Ejea 11-nov-08 .1. Eficiencia de los radiadores térmicos Las fuentes calientes de luz más comunes son los radiadores térmicos.

019 0. Si el espectro es continuo el cálculo es mucho más complicado. Conversión de Flujo radiante a flujo luminoso en una lámpara de vapor de mercurio λ [nm] 365 408 436 546 578 Flujo radiante φ R [W] 78 45 70 85 96 Sensibilidad del ojo Vλ 0. ya que permite calcular la conversión de flujo radiométrico a fotométrico para cada línea del espectro y sumar el flujo total.3.7. su flujo fotométrico (luminosidad de salida) y eficiencia pueden calcularse con la Standard Observer Curve.00 56.886 Eficiencia espectral Flujo luminoso Kλ =Vλ 683 [lm/W] φ P = φ R Kλ [lm] 0.778 605. Esto se simplifica en gran medida si la fuente de luz no tiene un espectro continuo si no un espectro discreto.14) La bombilla de mercurio tiene una eficiencia mayor que las fuentes de luz fluorescentes e incandescentes y por esta razón se usa para iluminar las vías públicas a pesar de su desagradable color característico.CEF Tema B.00 0 0. Se puede calcular el flujo fotométrico a partir del radiométrico utilizando la siguiente expresión: φP = φR Kλ (B.090 La mayor parte de la radiación de esta lámpara está fuera del espectro visible. B.0. Ejea 11-nov-08 .2.0-18 Prof.10 58. Así por ejemplo una lámpara de mercurio no emite un espectro continuo sino que radia únicamente en determinadas direcciones de onda discretas (ver tabla).000W. Esteban Sanchis / Prof.0. Considerando que la bombilla radia sobre el 90% de la potencia que se le suministra (900W).13) En la siguiente tabla se muestra el cálculo realizado para cada una de las líneas del espectro de una lámpara de vapor de mercurio de 1.68 31 13.0. Juan B.0: Introducción B. Eficiencia de los radiadores con espectros no continuos (de líneas) Cuando se conoce el patrón de radiación de una fuente.00 908 668.978 0. sabiendo que el flujo fotométrico es la suma de los flujos fotométricos de cada una de las líneas: (B. podemos calcular la eficiencia total de la fuente.001 0.000 0.

Esteban Sanchis / Prof. De igual manera la energía fotométrica es: NP = φP t [lm·h] donde NP: energía fotométrica. Esta es una de las razones por las que se utilizan tubos fluorescentes en vez de bombillas en locales públicos.16) (B.15) B.CEF Tema B. t: tiempo.0. Una generación eficiente de esta energía puede proporcionarnos un considerable ahorro.0. (B.0. Intensidad radiométrica y fotométrica B.0-19 Prof.0. la definición correcta de intensidad radiante/lumínica es I=dφ/dω. la energía radiométrica es: NR = φR t [W·h] donde NR: energía radiométrica.17) Intensidad luminosa o fotométrica (IP) es la densidad de flujo luminoso por estereorradián. Definición de términos Las intensidades radiométrica y fotométrica describen la distribución del flujo en el espacio y se definen de la siguiente manera: Intensidad radiométrica (IR) es la densidad de flujo radiométrico por estereorradián. Realmente.5. expresado en candelas (cd): [cd] (B.18) Una candela es igual a la densidad de flujo luminoso de un lumen por estereorradián.0. Energía radiométrica y fotométrica Energía es el producto de la potencia por el tiempo. Ejea 11-nov-08 . las B.4.1.7.0.0: Introducción B. Por lo tanto. t: tiempo.0.7.5. expresado en vatios por estereorradián (W/sr): [W/sr] (B.7. Una gran parte de nuestra factura de la luz se usa para pagar la energía fotométrica. Juan B. De modo que.

Es apropiada para fuentes de radiación con un área (fuente puntual) relativamente pequeña. Por lo que cuando los avances en electrónica hicieron posible la medida precisa de flujos. fue remplazada por una bombilla eléctrica.5. El problema con todos estos estándares era que cada uno tenía una mezcla diferente de longitudes de onda (ver información sobre la temperatura de color) lo que las hacía difíciles de comparar. Juan B. la intensidad luminosa era la unidad fotométrica primaria de la que se derivaban todas las demás unidades afines. el estándar se basó en la llama de un candil (una lámpara) de aceite.CEF Tema B.I. Esta suposición de uniformidad es cierta principalmente cuando el campo angular es pequeño. como un tubo fluorescente.0.0.12: (a) Angulo sólido de radiación de una bombilla de iluminación. describe la luminosidad (el brillo) de la fuente. que explica el por qué de ese factor de conversión tan extraño -683 lúmenes por vatio-. Ejea 11-nov-08 . a su vez. En el rango visual. que. No hace mucho. Como el término implica.0: Introducción ecuaciones simplificadas se aplican sólo cuando la distribución de flujo sobre el campo angular es uniforme. una candela actual (vela) era el estándar.2. B.E. llamado lámpara de Heffner. pero debido a su escasa repetibilidad. Sin embargo.7. Una bombilla de 100W para iluminación y una bombilla de 100W de faro delantero de automóvil.0-20 Prof. Esteban Sanchis / Prof. proporcionan el mismo flujo radiométrico. B. Candela es una palabra italiana que literalmente significa candela = vela para alumbrar. Veamos una pequeña introducción histórica sobre la candela. B. (b) Patrón de radiación de una bombilla de faro de automóvil. el cálculo es algo más complejo. Fig. y más recientemente se remplazó por un horno de platino incandescente a temperatura controlada. Durante el siglo diecinueve. Intensidad radiométrica La unidad de medida de intensidad radiométrica se usa para caracterizar fuentes de radiación. Para fuentes con un área grande. especialmente la distribución del flujo desde la fuente. el estándar fotométrico se redefinió a partir de la candela como el flujo a 555nm y el C. Standard Observer Curve. la bombilla de faro tiene una intensidad deslumbrante porque su flujo está concentrado en un ángulo sólido mucho más pequeño. esta unidad define la densidad de flujo emitido por la fuente.

La intensidad radiante es una herramienta muy útil para caracterizar una fuente y si se mide la intensidad de la fuente en todas direcciones se podrá describir con bastante precisión el patrón de radiación de esa fuente. Intensidades luminosas típicas de algunas de las fuentes más usuales.5. lo que nosotros conocemos como brillo.0.3. generando así la gráfica de radiación. Se suelen utilizar los perfiles de radiación polar y de radiación lineal.CEF Tema B.7. Esteban Sanchis / Prof. no se ve el doble de brillante debido a la respuesta logarítmica de nuestros ojos ante una excitación luminosa. B.0.0: Introducción B.0-21 Prof. podemos hacer las medidas y dibujarlas en un plano. sin embargo. Intensidad luminosa Definitivamente nuestro ojo nota la diferencia de intensidad luminosa.000cd 300. Fig. Una fuente que tiene el doble de intensidad luminosa que otra. Ejea 11-nov-08 . Juan B. Como la mayoría de las fuentes tienen una simetría rotacional alrededor de su eje central. En la siguiente tabla se muestran las intensidades luminosas típicas de algunas de las fuentes más usuales. Fuente LED normal LED súper luminiscente Bombilla incandescente de 100W Luz larga de automóvil Faro Intensidad Luminosa 2mcd 120mcd 150cd 100. B. En las siguientes figuras se muestran algunos perfiles de radiación.13: Flujo y perfiles de intensidad de una vela.000cd Para describir la intensidad radiante se utiliza una gráfica que la representa.

pero es más habitual expresarla en una escala relativa.7. donde la intensidad máxima está normalizada a la unidad (o 100%). La escala de la intensidad puede estar en candelas.14: Perfiles de intensidad para algunos soportes de bombillas. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.0: Introducción El perfil indica la intensidad radiante en la dirección del ángulo θ medido desde el eje de simetría. En la siguiente figura se muestra esta dependencia con los montajes de los perfiles de radiación.0. B.6. B. pero la forma lineal es la más ampliamente usada porque el flujo total de la fuente es más fácil de calcular a partir de una gráfica lineal. Fig. Fig. Perfiles habituales de radiación en optoelectrónica En la siguiente figura tenemos tres perfiles especiales que merecen una mayor atención porque tienen múltiples aplicaciones en optoelectrónica. B. La forma polar es la más descriptiva de los patrones de radiación.0. Juan B. y las intensidades en todas direcciones están referidas a ella. B.0. ya que el perfil correspondiente a menudo depende del tipo de reflector o lámpara en el que está montada la fuente y no depende de los valores absolutos de intensidad de la fuente.CEF Tema B.0-22 Prof. Este último es con mucho el método más práctico.15: Perfiles de intensidad de las fuentes típicas en optoelectrónica.

En el caso del patrón lambertiano. más estrecho y más puntual es el patrón de radiación.6. pero la simetría respecto al eje central -debida a la simetría de la función coseno.0.CEF Tema B. podemos ver que el campo de radiación es más estrecho. o es reflejada desde una superficie rugosa. Esta fuente radia con igual intensidad en todas direcciones: Iθ= I0 = constante (B. Fuente puntual La fuente puntual. La luz en este caso se difunde de acuerdo con la ley del coseno de Lambert: Iθ = I0 cosθ (B.permite restringir su estudio entre 0º y 90º). Fuente lambertiana La segunda fuente. es la fuente más habitual: un pequeño filamento en un envoltorio transparente es un ejemplo típico. llamada así por el científico francés Johann Lambert.0. Éste es el ángulo θ para el que la intensidad ha disminuido a la mitad. Para medir la anchura del campo.5 I0 = I0 cosθ de aquí (B.1. Juan B.0. Tener un buen modelo matemático para el patrón de radiación es importante porque permite calcular el flujo total de la fuente a partir del patrón de radiación. La direccionalidad del patrón de radiación es la clave característica de este patrón.7. Cuanto menor es el ángulo medio.2.0.19) donde Iθ: intensidad en la dirección del ángulo θ.6.21) B. B. se ha desarrollado un término especial: el ángulo θ1/2.0: Introducción Además siendo habituales en aplicaciones optoelectrónicas.20) El perfil de radiación de acuerdo con esta ecuación es un círculo. Comparando este perfil con el de la fuente puntual.0-23 Prof. como hemos visto en la figura anterior. estas fuentes también tienen una ventaja importante: La forma de su perfil de radiación puede describirse en términos matemáticos y analizarse matemáticamente. se llama fuente lambertiana. Ejea 11-nov-08 . I0: intensidad en la dirección de los ejes de simetría. el ángulo θ1/2 es: Iθ =0. dibujada en la figura anterior.7. Toda la radiación está dirigida sólo para ángulos entre θ=0º a θ=90º (en realidad la radiación va dirigida entre −180º y 180º. Este tipo de perfil se genera cuando la luz atraviesa un material transparente que la difunde.0. Esteban Sanchis / Prof. B.

cuyo patrón de radiación se aproxima al haz de un LED. El derivar el flujo a partir de un cierto perfil de intensidad es algo habitual. θ1/2 = arccos 0.CEF Tema B. que es lo más importante.0.0.24) (B.7.0. (B.0-24 Prof. Juan B. especialmente sobre un espacio amplio. B.51/n (B. Determinación del flujo en un caso sencillo Encontrar el flujo total o parcial para un cono es cuestión de hacer una integral. Aquí el ángulo medio es. Afortunadamente la mayoría de las fuentes cumplen esta característica.5 = 60º (B. Como veremos a continuación. Fuente de intensidad exponencial La fuente de intensidad exponencial. es bastante difícil.25) B.0. Desgraciadamente la medida del flujo. Relaciones entre intensidad radiante y flujo Un ingeniero optoelectrónico debe poder controlar y manipular el flujo radiante. Ejea 11-nov-08 .0.7. tiene un perfil definido por la siguiente expresión matemática: Iθ = I0 cosnθ donde n: exponente del patrón de radiación. la fuente tiene un eje central alrededor del cual el perfil de radiación permanece invariante cuando se rota. B.7. Por este motivo muchas fuentes optoelectrónicas se especifican por su intensidad en vez de por su flujo.0: Introducción θ1/2 = arccos 0. Por el contrario la medida de la intensidad es sencilla. como vemos en la siguiente figura.1.6. El exponente n puede calcularse fácilmente a partir del conocimiento de θ1/2.7.22) B. es decir.7.0.0.23) Usando el valor adecuado para el exponente n. esta transformación es sencilla para una fuente que tiene un patrón de radiación que tenga una simetría rotacional. Esteban Sanchis / Prof.3. se pueden obtener con bastante exactitud los perfiles más usuales de los LED.

16: Cálculo del flujo a partir de un perfil de intensidad. (B. Juan B.29) Sólo podremos resolver la integral si conocemos la expresión matemática de Iθ. B. El flujo en una porción de cono dθ es: dφ = Iθ dω donde. se han calculado el flujo con un ángulo límite θ y el flujo para el ángulo medio θ1/2. el flujo en la porción de cono es: dφ = Iθ dω = Iθ 2 π sinθ dθ Así el flujo total en un ángulo θ es: (B.0. Se han realizado cálculos similares para fuentes puntuales o para fuentes con perfiles de intensidad exponencial.0: Introducción Fig.0-25 Prof.0. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 .26) (B.27) Como r=Iθ sinθ.28) B.CEF Tema B.0.0.0. Los resultados están recopilados en la siguiente tabla. Esta tabla contiene toda la información necesaria para trabajar con las fuentes más usuales y sirve para resolver la mayoría de los problemas de flujo. Además del flujo total. (B.

lo que se pretende es acoplar tanto flujo como se pueda de una fuente a un receptor.0.0. el flujo en una porción cónica dθ que vale dφ = Iθ 2 π sinθ dθ se reemplaza por la expresión Δφ = Iθ 2 π sinθ Δθ. Numerical Aperture) es un término que se usa para calcular el OTF. Función de la transferencia óptica y apertura numérica En un diseño se debe controlar el flujo radiante para dirigirlo de una fuente a un receptor de la manera más eficiente posible.7. ninguno de estos conceptos pertenece a la discusión de unidades y relaciones radiométricas y fotométricas pero se utilizan en la distribución de flujo. dividimos el ángulo θ en porciones de anchura Δθ. En muchos casos. la apertura numérica (NA. de un LED HP HLMP-135 con un perfil de intensidad Iθ = I0 cos6θ (aunque en este caso no haría falta utilizar integración numérica pues tiene una ecuación matemática descriptora). B.8. Ejea 11-nov-08 .CEF Tema B.51/n Iθ=I0 cosnθ Flujo total 4πI0 πI0 B.17: Cálculo del flujo a través de la integración numérica. donde Δφ representa el flujo emitido en la porción con una anchura Δθ en el ángulo θ. Usando el perfil de intensidad lineal. OTF se define como: B. Determinación del flujo en un caso complejo El problema se complica cuando el perfil de intensidad tiene una forma que no puede describirse con una simple ecuación matemática.7. Fig.2. En este caso. El procedimiento está descrito gráficamente en la siguiente figura. Esteban Sanchis / Prof. En la integración numérica.0-26 Prof.0: Introducción Fuente Puntual Lambertiana Exponente n Ecuaciones de flujo para fuentes comunes Perfil de Ángulo mitad Flujo dependiendo del intensidad ángulo θ Iθ=I0 2πI0(1−cosθ) 60º Iθ=I0 cosθ πI0sin2θ arccos 0. que nos muestra el cálculo del flujo total mediante integración numérica. Juan B. y el flujo en la porción Δφ calcularse y sumarlo al flujo total. Optical Transfer Function) es un término que expresa la eficiencia del acoplamiento.7. Estrictamente hablando. Iθ para cada porción puede leerse sobre el perfil. es necesario utilizar un método numérico para realizar la integración y encontrar el flujo total o parcial. La función de transferencia óptica (OTF.0. B.

se usa la apertura numérica (Numerical Aperture) NA = sinθ donde θ es la mitad del ángulo del cono del receptor (grados o radianes).0.0.32) B. El OTF es una cantidad adimensional con un rango de 0 a 1. Cero significa que no hay flujo procedente de la fuente en el receptor. Juan B.0-27 Prof. el valor aproximado de la apertura numérica puede calcularse a través de la ecuación simplificada: (B. Cuando el ángulo es menor de 8º.8. También hay casos en que la apertura numérica tiene que calcularse para un área circular del receptor como: (B.0. Para simplificar los cálculos. Para una fuente con un perfil Iθ=I0cosnθ. lo que representa una aproximación bastante aceptable.7. La apertura numérica también es una cantidad adimensional que puede tomar valores entre 0 y 1. el OTF puede calcularse fácilmente a partir del ángulo de acoplo θ: OTF = 1−cosn+1θ (B. Ejea 11-nov-08 .33) donde D es el diámetro de un receptor circular. Como para ángulos pequeños el seno y el ángulo en radianes son prácticamente iguales.0: Introducción (B.0. Cálculo del OTF En casos donde el perfil de intensidad polar del emisor es conocido. el error en el cálculo es inferior al 1%.30) donde φs: flujo total de una fuente. d: Distancia de la fuente al receptor.1.0.CEF Tema B. OTF puede calcularse rápidamente usando las ecuaciones que hemos dado anteriormente. Esteban Sanchis / Prof. φr: flujo asociado al receptor (no confundir con φP y φR). B.31) El cálculo del OTF es uno de los más frecuentes en el diseño optoelectrónico. 1 significa que todo el flujo de la fuente se acopla al receptor.

Ejea 11-nov-08 . (B.0. por lo que (B.0-28 Prof.0. (B.0.37) Las fuentes con un perfil Iθ = I0 cosnθ no permiten la simplificación del cálculo usando la apertura numérica.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. La principal aplicación para la apertura numérica es la simplificación del cálculo de la función de transferencia óptica.0.0: Introducción (B.0. Es especialmente útil en el caso de una fuente con un perfil Lambertiano en cuyo caso vale. De modo que obtener el máximo OTF es el objetivo a B.18: Acoplamiento fuente-receptor.34) donde A es el área circular del receptor (m2). Fig.35) Para una fuente puntual. Juan B. Como regla en la mayoría de las aplicaciones optoelectrónicas se pretende conseguir el uso más eficiente del flujo radiante.36) Para un ángulo pequeño. B.

especialmente entre ingenieros de iluminación.0929 pie-candelas 1 pie-candela=10. illuminance) y se le aplica la misma definición. B. su distribución en una superficie es la incidencia radiante (ER. (B. foot-candle) se usa habitualmente como unidad para la iluminación.9.39) donde EP: iluminación [lm/m2 ó lux]. radiant incidance): (B. Ejea 11-nov-08 . El pie-candela es una antigua unidad inglesa y es la iluminación de un lumen de flujo luminoso distribuido uniformemente en un área de un pie cuadrado.0-29 Prof. φP: flujo luminoso.764 lux.1. usando las lentes adecuadas entre el receptor y el emisor. No obstante. El conseguir el mayor OTF posible implica aumentar la NA.0: Introducción conseguir por el diseñador. Definición de términos La intensidad radiante define la distribución de flujo en el espacio. Así. El lux es una iluminación en la que un lumen de flujo luminoso es distribuido uniformemente sobre un área de un metro cuadrado. Juan B. 1 lux=0.0.0. B. Además de lux.0.7. el lux (lx). A menudo hay limitaciones físicas que limitan sus valores. excepto que la iluminación tiene asignada una unidad especial. A: área de la distribución de flujo (m2). que está determinada por las dimensiones del área del receptor y la distancia entre la fuente y el receptor.0. Incidencia radiante e iluminación B. se puede aumentar el OTF.9. Esteban Sanchis / Prof.38) donde ER: incidencia radiante (W/m2).CEF Tema B. φR: flujo radiante (W). En el caso del flujo luminoso la cantidad se llama iluminación (EP. el pie-candela (fc.7. Esta definición asume que el flujo está uniformemente distribuido sobre el área.

CEF Tema B. ya que somos capaces de responder a todas las situaciones que se muestran en ella. Esta tabla no sólo muestra la diversidad de la iluminación.000 500 50 0.9. Un luxómetro es fácil de diseñar: en el caso más simple sólo se necesita un fotodiodo y un microamperímetro. por ejemplo el flujo que incide sobre un área. Niveles de iluminación típicos Condición Luz solar Día nublado Visualizador publicitario Zona de lectura Aparcamiento Luz de luna Luz de las estrellas Iluminación [lx] 100. Medida de la iluminación La iluminación indica la distribución de flujo sobre un área. B. Para medir este parámetro se necesita un luxómetro.3. Es el término que define la visibilidad de los objetos: un cirujano necesita más iluminación que la que se necesita en un parking. Esteban Sanchis / Prof.0: Introducción B.000 1.40) B.7. Relaciones entre medidas Las relaciones entre incidencia o iluminación e intensidad radiante para una fuente puntual las vemos en la siguiente figura.0-30 Prof.2.0.0. El luxómetro se sitúa en la superficie a medir con el área sensora del luxómetro encarada a la fuente luminosa y la iluminación se lee en el indicador analógico o digital del luxómetro. Su función es hacer visibles los objetos y crear impresiones visuales. Juan B. φ=EA (B. La siguiente tabla muestra las iluminaciones típicas de algunos lugares y condiciones usuales. también muestra la adaptación de la visión humana.002 La iluminación es una de las cantidades fotométricas más sencillas de medir.4 0.000 1. La medida de la iluminación es una de las funciones optométricas más habituales y fácil de realizar.7.9. y a partir de ella se pueden obtener otras cantidades radiométricas y optométricas. Ejea 11-nov-08 .0.

19: Iluminación desde una fuente puntual. Ejea 11-nov-08 .44) Donde E: incidencia o iluminación (W/m2 ó lx).0. B. α: ángulo entre el rayo de luz y la superficie normal. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. En el caso de que el flujo de la fuente sea perpendicular a la superficie cosα=1 y se tiene que: (B.CEF Tema B.42) Así. (B. A: área de la superficie.0.41) donde φs: flujo desde la fuente. El flujo φs para un ángulo sólido ω dado que I0 = (φs/ω) viene dado por la expresión: (B. La iluminación de una superficie A es: (B.0.0: Introducción Fig.0.0. I0: intensidad de la fuente puntual (W/sr ó cd). B.0-31 Prof.43) donde d: distancia de fuente a superficie (m).

0-32 Prof. no es la iluminación o la intensidad del flujo sobre la superficie. en el caso de la luz visible la luminancia (Lp. A menudo este término es intercambiable con el término brillo. es el hecho de que nos permite ver los objetos. que es logarítmica en vez de lineal. responden a la luminancia o esterancia. Por eso se definen como “brillo por área”. Esta reflexión o radiación se llama esterancia radiante (LR. El término luminancia o esterancia radiante lleva esta idea a una superficie emisora o reflectante más amplia. En este sentido llamaremos "fuente extendida" cuando se de el primero de los casos y lo que veamos sea el flujo reflejado en dicha fuente. si no el flujo que se refleja o radia desde la fuente y es captado por nuestro ojo. Medidas de esterancia radiante y luminancia Las unidades de medida para la esterancia radiante y la luminancia son: esterancia radiante.0.0.10. (LR): W/sr/m2 luminancia. La ecuación es especialmente importante porque nos da una relación simple entre la intensidad y la incidencia o iluminación. grabamos la luminancia de los objetos de la escena. Cuando fotografiamos una escena con una cámara cargada con una película en blanco y negro. (LP): cd/m2 o lm/sr/m2 Las unidades son parecidas a la intensidad.0: Introducción La incidencia o iluminación es proporcional a la fuente de intensidad e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia entre la fuente y la superficie. color y estructura de la superficie. En realidad.7.CEF Tema B. Nos indica que desde el punto de vista de un acoplamiento eficiente. Esteban Sanchis / Prof. La ecuación se aplica a condiciones donde el área de la fuente es pequeña comparada con la distancia d. Lo que nos permite obtener el valor de la intensidad a partir de la medida de la incidencia o iluminación y la distancia. B.10. B. radiant sterance) o. o "fuente extendida" como se ha comentado anteriormente. De hecho la mayoría de los dispositivos ópticos que usan lentes incluyendo el ojo humano. la fuente y el receptor deberían estar lo más cerca posible. que se mide en W/sr o lm/sr y que se describe también como el “brillo” de una fuente puntual.7. El aspecto más importante de la radiación.1. la diferencia está en que el brillo se refiere a la respuesta psico-física de nuestro ojo y nuestro cerebro a la luminosidad. Esterancia radiante y luminancia. lo que vemos no es el flujo luminoso de la fuente. que es la distancia en la que la fuente se comporta como una fuente puntual. El hecho de que la iluminación decrezca proporcionalmente con el cuadrado de la distancia es bastante importante. Juan B. Ejea 11-nov-08 . Los términos son bastante similares. luminance). Esta reflexión o radiación nos permite identificar los objetos por su brillo. B. especialmente en la radiación en el espectro visible.

consideremos el caso en el que la superficie es una fuente emisora activa. Primero. La pregunta de cuánto “brilla” o cuánta luminancia tiene una superficie iluminada A para un observador situado en O se contestaría de la siguiente manera. Esto es lo normal para la mayoría de las fuentes radiantes.0.2.7. Juan B. B.10. A': área percibida por el observador O (m2).20: Luminancia de una superficie con un patrón Lambertiano.0: Introducción B.10.0. Valores de luminancia de objetos comunes B. B.CEF Tema B. la ecuación de la luminancia puede reescribirse como: (B. Fuente lambertiana En el caso de que la fuente de radiación tenga un perfil lambertiano.3. A: área radiante (m2). La luminancia o esterancia se define como: (B. Fig. Ejea 11-nov-08 . Esta ecuación explica porqué la superficie del sol o la superficie de una bombilla mate o la luz de un tubo fluorescente tienen el mismo brillo en toda su superficie: el perfil de distribución de la luz para cada una de estas fuentes es lambertiano. Iθ: intensidad en la dirección del observador (cd o W/m2). Esteban Sanchis / Prof. Luminancia de una superficie.46) Cómo la intensidad de una fuente lambertiana y también el área de la superficie percibida decrecen proporcionalmente con cosθ.0.0. La siguiente tabla nos muestra los valores de luminancia para alguno de los objetos más habituales.7. Iθ = I0 cosθ.45) donde L: luminancia (cd/m2 o lm/sr/m2) o esterancia (W/sr/m2) de la superficie A.0. su proporción o la esterancia o la luminancia es la misma en todas direcciones.0-33 Prof.

Las relaciones entre la iluminación y la luminancia son fáciles de deducir para superficies que tienen un patrón de reflexión lambertiano. Ejea 11-nov-08 .0-34 Prof. La luminancia de estas fuentes o superficies se debe a la reflexión del flujo incidente. El flujo incidente puede calcularse a partir de la iluminación de la superficie: φINC = A·E donde A: área de la superficie (m2) y E: iluminación (W/m2 o lm/m2). En una superficie azul.6 109 11 106 300 103 10 103 5 103 El término luminancia también se aplica a fuentes pasivas que son iluminadas. Esteban Sanchis / Prof.47) donde R: coeficiente de reflexión. (B. La luminancia de una fuente extendida además depende de dos factores: la iluminación y el coeficiente de reflexión de la superficie. φREF: flujo reflejado (W o lm).49) (B. φINC: flujo incidente (W o lm). Juan B.48) Usando la ecuación del flujo total irradiado por una fuente lambertiana (patrón de reflexión lambertiano). todas las longitudes de onda excepto la azul serán absorbidas y sólo las longitudes representativas del azul se reflejarán.0. Las propiedades de reflexión de las superficies también dependen de su color. podemos calcular la intensidad a partir de dicho flujo total.0.0.50) y usando la ecuación. Así el flujo reflejado es. φREF = R·φINC = R·A·E (B.0: Introducción Fuente Sol Bombilla incandescente transparente (500W) Bombilla incandescente mate (500W) Tubo fluorescente Llama de una vela Luminancia [cd/m2] 1.0. El coeficiente de reflexión se define como: (B. podemos calcular la luminancia perpendicular a la superficie: B. lo que se conoce con el nombre de fuentes extendidas.CEF Tema B.

y (B. MP: excitancia fotométrica (lm/m2). Un ejemplo típico es la superficie de la luna.0-35 Prof.51) Cuando el patrón de reflexión es lambertiano.11. A partir de la excitancia pueden obtenerse otras características como por ejemplo. La intensidad en la dirección del receptor es. que tiene una luminancia uniforme.0: Introducción (B. (B.7. que la incidencia radiante o iluminación. B.11. En este caso.0. A: área emisora (m2).0. Excitancia Radiante y Luminosa B.2.CEF Tema B. La diferencia es que la excitancia se aplica a un área radiante activa y la incidencia a un área receptora pasiva. Juan B. Relaciones derivadas de la Excitancia.0.53) B. (B.7. Tiene las mismas dimensiones.0. Como la mayoría de las superficies son reflectores lambertianos. Ejea 11-nov-08 . Así. W/m2 o lm/m2.11.7. Esteban Sanchis / Prof. φS = M·A Y para cualquier fuente Lambertiana.0. La misma ecuación también explica por qué la luminancia o brillo de los objetos no cambia con la distancia o la dirección del observador.0.0.1. el flujo de una superficie Lambertiana que es. podemos confirmar esta regla observando las fuentes extensas que hay a nuestro alrededor.52) donde MR: excitancia radiante (W/m2). se pueden desarrollar las siguientes relaciones. la luminancia en todas direcciones es la misma. B.54) La siguiente figura muestra una fuente Lambertiana iluminando una superficie. Excitancia (M) La excitancia describe la densidad de flujo desde un área radiante.

58) Si el área del receptor y la fuente son perpendiculares a la línea que los conecta cosθ=1 y cosα=1 (B.0.55) φr = Iθ ωR. Así. Juan B. θ: dirección del receptor desde la perpendicular de la fuente. Como la iluminación sobre la superficie del receptor es Er=φr/AR.0: Introducción Iθ = I0cosθ El flujo en el receptor es: (B.0.0.CEF Tema B.60) B.21: Iluminación producida por una fuente extendida Lambertiana.56) (B. α: ángulo del receptor desde la perpendicular. φS: flujo de la fuente (W o lm).0. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . AR: área del receptor (m2).59) (B. donde (B.0. I0: intensidad de la fuente perpendicular a la superficie de la fuente (W/sr o lm/sr).57) donde φr: flujo en el receptor (W o lm). Fig. d: distancia de la fuente al receptor (m). La ecuación de φr se aplica cuando la distancia entre fuente y receptor es mucho mayor que las dimensiones de la fuente o el receptor.0.0-36 Prof. podemos escribir. B. (B.0.

CEF Tema B. B. (B.61) (B.0: Introducción A menudo las fuentes directas o por reflexión con superficies de áreas grandes se definen por su luminancia o esterancia (L). Juan B.0. Esteban Sanchis / Prof. lo que puede expresarse como L=I0/AS o I0=L AS. como hemos visto antes. Ejea 11-nov-08 . (B. las ecuaciones anteriores se simplifican. De modo que las ecuaciones φr y Er quedan como.0.63) donde ωS: ángulo sólido de la fuente subtendido por el receptor (sr).0.0-37 Prof.62) Cuando la superficie de la fuente y el receptor son paralelas y perpendiculares al eje del flujo cosθ=1 y cosα=1.

El tamaño de dichas regiones con orden se llama tamaño del grano siendo este tamaño del orden de algunas micras. Juan B. En este capítulo vamos a examinar la estructura de materiales optoelectrónicos.1-1 Prof. Nuestro cerebro es capaz de procesar esta información óptica a una gran velocidad.B. Ejea 11-nov-08 . B. Para nuestro propósito caracterizaremos el material por el orden existente entre sus átomos. Esteban Sanchis / Prof. hecho explotado por la industria del automóvil y la industria cosmética entre otras. Esta estructura que depende de cómo están distribuidos los átomos en el material está íntimamente relacionada con las propiedades ópticas y electrónicas del material. Llamaremos sólidos policristalinos a los que presentan una gran región de átomos ordenados pero existen diferentes regiones en el mismo sólido. Incluso existen algunos colores que preferimos. Estados de la materia: orden Sabemos que se pueden distinguir en principio tres estados de la materia: sólido. Por todo ello. Para la mayoría de los materiales optoelectrónicos la estructura debe cuidarse con sumo detalle para que su calidad sea excelente. Introducción Existen dos razones fundamentales por las que hemos optado por utilizar fotones para la transmisión de información.1.1. Además las regiones están separadas por lo que se llama un borde o frontera. En dicho borde o frontera tendremos unos cuantos átomos desordenados sin orden alguno. manipular y procesar fotones para el procesado de información son muy variados y van desde los semiconductores cristalinos hasta el cristal líquido.000Å. La primera razón es puramente objetiva ya que la elección de la longitud de onda dependerá de la optimización del sistema para una aplicación determinada.0) y la segunda es por que el ser humano es sensible justamente a fotones entre las longitudes de onda de λ=4. La primera de ellas es por sus características muy peculiares que ya hemos descrito (ver Tema B. Los sólidos que presentan este tipo de orden los llamaremos cristales. Materiales para estructurales componentes fotónicos: propiedades B.1. La segunda razón es subjetiva ya que está muy restringida por el margen de fotones que aprecia el ojo humano. los materiales utilizados para generar. líquido y gaseoso. En ese caso diremos que la estructura tiene un orden de largo alcance.000Å y λ=8.2.1. B. Este orden se puede definir como la característica del material tal que si conocemos la posición espacial exacta de unos cuantos átomos podemos predecir la posición y naturaleza química de todos los demás átomos.

B. pero también existen algunos materiales ferroeléctricos y dieléctricos. Este orden se puede romper mediante un campo eléctrico y de esta manera alterar sus propiedades ópticas. Para un material semiconductor dado. Materiales optoelectrónicos: Cristales sólidos semiconductores ferroeléctrico / dieléctrico Dispositivos electrónicos para el Modulación de luz / interruptores control de luz Dispositivos de detección de luz Dispositivos de emisión de luz Dispositivos de modulación de luz / interruptores de luz Almacenamiento de información óptico Los materiales semiconductores se encuentran en la naturaleza formando una llamada estructura cristalina. Juan B. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof.3. Otro estado de la materia es el cristal líquido. los átomos del material semiconductor se encuentran distribuidos espacialmente formando una estructura regular (celosía. Sin embargo. El cristal líquido se comporta como un líquido en el sentido en que adopta la forma del contenedor donde se encuentra aunque sus moléculas o átomos forman regiones de orden de largo alcance. En la siguiente figura se recogen tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal de tipo cúbico. enrejado o “lattice”). sino que debido a las vibraciones térmicas están situados o localizados alrededor de esta posición. Materiales cristalinos La mayoría de los materiales utilizados en la fabricación de componentes fotónicos son cristalinos.1. hay una estructura básica llamada celda unidad. Básicamente son semiconductores los que se utilizan para la fabricación de dispositivos. Según esta estructura.1-2 Prof.CEF Tema B. a partir de la cual es posible mediante repetición tridimensional construir la estructura propia del cristal. B. los átomos no ocupan en el espacio posiciones fijas. En dichos casos estaremos ante un material amorfo.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales También existen materiales cuyo orden en los átomos se pierde al cabo de unos cuantos átomos.

a) Celda de cubo simple: En ella cada átomo del material ocupa los ocho vértices (aristas) del cubo. 2. La cantidad a es llamada constante de la estructura.1. La estructura del zinc es idéntica a la del diamante salvo que cada estructura (fcc) constituyente está formada por átomos de valencia diferente. Es la celda tipo (bcc) (bodycentered-cubic). Dicha estructura puede ser vista como dos estructuras (fcc) encajadas con un desplazamiento de una con respecto a la otra de 1/4 de la distancia a lo largo de la diagonal del cubo (( /4)⋅a). Los elementos semiconductores tales como el germanio y el silicio presentan una estructura cristalina del tipo del diamante. 2. oro y platino.1: Tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal cúbico.CEF Tema B. (a) Celda de cubo simple. además de los ocho átomos de las aristas se encuentran seis átomos más. A dicha estructura pertenecen materiales semiconductores del tipo del arseniuro de galio (AsGa) en que una de las estructuras (fcc) tiene átomos de Ga (III columna) y la otra de As (V columna). Esteban Sanchis / Prof. 2. (b) Celda cúbica centrada en el centro. Juan B. B. Ejea 11-nov-08 . cada átomo del semiconductor está rodeado de cuatro átomos equidistantes configurando los vértices de un tetraedro. Ejemplos son el sodio y el wolframio o tungsteno. además de los ocho átomos de las aristas hay uno ocupando el centro de la celda. B. localizados en el centro de cada cara.c) Celda cúbica centrada en las caras: En este tipo de celda.b) Celda cúbica centrada en el centro: En esta estructura. Cada átomo tiene 12 vecinos. El Polonio cristaliza en esta forma.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Fig. Es la celda de tipo (fcc) (face-centered cubic). (c) Celda cúbica centrada en las caras. En este caso. Ejemplos son el aluminio.1-3 Prof. cobre.

Dicho desplazamiento no ocurre en el GaAs pero sí en determinados materiales. B. Se trata de una estructura cúbica con iones Ba2+ en las esquinas del cubo. En un material con la estructura cristalina de tipo zinc como el GaAs (un material optoelectrónico importante).1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Fig.1Å a 1Å. el material no tiene dipolo eléctrico neto pero se puede desarrollar un dipolo si hay un desplazamiento de los iones.CEF Tema B.1-4 Prof. el átomo de Ga (del grupo III de la tabla periódica) está cargado negativamente (por lo que se le llama anión) mientras que el átomo de As (del grupo V de la tabla periódica) está cargado positivamente (por lo que se le llama catión). En ausencia de cualquier deformación y campo eléctrico. Sin embargo. El movimiento del protón en el hidrógeno o deuterio puede ser la causa del efecto ferroeléctrico. Por tanto. En la siguiente figura se muestra cómo puede tener lugar dicho desplazamiento.2: (a) Estructura cristalina del tipo del diamante. Juan B. El desplazamiento neto puede variar del orden de 0. Una clase importante de cristales ferroeléctricos es la categoría de la estructura "perovskita" presente en materiales como el titaniato de bario (BaTiO3). no existe un dipolo eléctrico neto en el cristal debido a que en esta estructura los aniones y cationes están situados de tal forma que el centro de la carga positiva y el de la carga negativa coinciden al considerar todos los átomos. Esteban Sanchis / Prof. la subestructura de Ga entera se moviese con respecto a la de As. Ejea 11-nov-08 . el centro de la carga positiva del cristal no coincide con el centro de la carga negativa. 2) El desplazamiento de una subestructura con respecto a la otra produce un dipolo neto. por ejemplo. Algunos materiales ferroeléctricos tienen presente hidrógeno o deuterio. debido a la transferencia de carga. Podría presentarse un dipolo neto si. Los cristales ferroeléctricos se producen principalmente debido a dos efectos: 1) La situación de los iones es tal que se produce un dipolo eléctrico neto. Un material ferroeléctrico se caracteriza por la presencia de un momento dipolar eléctrico incluso en ausencia de un campo eléctrico externo.1. en cristales ferroeléctricos. (b) Estructura cristalina del tipo del zinc. B. iones O2− en los centros de las seis caras del cubo y un ión de Ti4+ en el centro del cubo. Una clase importante de materiales utilizados en optoelectrónica son los llamados cristales ferroeléctricos.

CEF Tema B. Los estudios que más han avanzado son los de hetero-epitaxis que son crecimientos de materiales diferentes uno sobre el otro.1. Debemos resaltar que las heteroestructuras más ampliamente utilizadas no son superestructuras sino que son utilizadas para conseguir un pozo de potencial cuántico. Ejea 11-nov-08 . En estas.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Fig. una única capa de semiconductor se coloca entre dos capas de material con una mayor anchura de la banda prohibida. Esto se llama efecto ferroeléctrico. Esto permite crecimientos de heteroestructuras de dos materiales A y B alternativamente con grosores determinados dA y dB (superestructuras). B. Hasta ahora sólo hemos descrito estructuras naturales. B. lo cual puede ser muy útil en dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.3: Desplazamiento de cargas lo que provoca un dipolo eléctrico.4: Una superestructura de átomos de (GaAs)2(AlAs)2 con crecimiento a lo largo de la dirección (001) (eje z).1-5 Prof. Fig.1. B. Como las propiedades ópticas y electrónicas del semiconductor están totalmente determinadas por la estructura cristalina se ha estudiado la posibilidad de generar estructuras cristalinas artificiales para conseguir propiedades ópticas y electrónicas determinadas. Esteban Sanchis / Prof. Dichas estructuras permiten utilizar los efectos cuánticos. Juan B. La precisión en los valores de dA y dB es tal que se han conseguido capas con grosor de un solo átomo.

la cual es producida por la no idealidad del proceso de crecimiento o a un control impreciso en la conmutación entre las dos especies de semiconductor. B.CEF Tema B.1.4. Por último tenemos las interfases entre los metales y los semiconductores. Este tipo de interfases cubren regiones de anchura superior a varios cientos de Angstroms formando una compleja estructura no cristalina. La interfase se caracteriza por las islas de altura Δ y anchura λ. Dicha interfase presenta una región amorfa o desordenada de unas pocas capas de átomos en que hay presentes fluctuaciones en las especies químicas (y consecuentemente en la energía potencial) a lo largo de la interfase. Dicho desorden es bastante importante en muchos dispositivos fotónicos y electrónicos. las cuales están relacionadas con interfases entre dos semiconductores. Ya se ha visto el concepto de heteroestructuras y superestructuras. Esteban Sanchis / Prof. La cristalinidad y periodicidad se mantiene en la estructura subyacente. Ejea 11-nov-08 . Esta discontinuidad es la responsable de la reducción de la movilidad de los electrones y los huecos en los dispositivos MOS. Aún así existe una discontinuidad en dichas interfases de una o dos capas de átomos. sin apenas enlaces rotos (excepto posibles dislocaciones). Una de las interfases más importantes en electrónica es la interfase Si/SiO2. B.1. Dichas interfases se producen a elevadas temperaturas mediante complejas reacciones químicas que producen la difusión de elementos metálicos. El esquema general de dicha discontinuidad se muestra en la siguiente figura para interfases de crecimiento epitaxial. Esta interfase representa una situación en que dos materiales con estructuras cristalinas muy diferentes se unen.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales B. Esta interfase y su calidad es la principal responsable de la revolución que ha sufrido la electrónica de consumo moderna. Materiales policristalinos Los materiales policristalinos son ampliamente utilizados en tecnología electrónica y optoelectrónica. Fig. Juan B. pero las especies químicas están desordenadas en la superficie de la interfase. Estas interfases suelen ser de alta calidad. Las estructuras policristalinas se producen cuando un material se deposita B. Interfases Las superficies de las interfases son una parte muy importante del dispositivo.1-6 Prof.5.5: Esquema de una interfase entre materiales con la misma red cristalina como GaAs / AlAs.1. la calidad de la interfase es bastante buena. A pesar de estas grandes diferencias.

para determinadas aplicaciones el material podría ser considerado como cristalino. cada grano está limitado por una región con gran cantidad de defectos. si se deposita una película metálica sobre un semiconductor. Por ejemplo. La ventaja fundamental de los materiales policristalinos es su precio más económico. Debemos mencionar el PLZT (PbZrO3-PbTiO3-La2O3) un material policristalino extremadamente importante en aplicaciones optoelectrónicas.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales sobre un substrato que no tiene una estructura cristalina similar. B. es decir. Dependiendo del proceso de crecimiento y diferencias entre el substrato y la película depositada. Estos defectos se deben a roturas de enlaces o enlaces entre átomos no completados. Fig.CEF Tema B. De hecho. la película crece en una forma policristalina. Las películas policristalinas se caracterizan por el tamaño promedio del grano. Sin embargo. no existiendo orden entre los distintos granos. perfectamente ordenados. ordenadores personales y portátiles.6: Estructura policristalina. Esto es debido al bajo coste del proceso de deposición de la película y a la gran área que ésta puede llegar a tener. La presencia de estas regiones límite o bordes del grano afecta directamente a las propiedades eléctricas y ópticas del material. Dentro de un grano los átomos se sitúan como en un cristal. Juan B. Los límites del grano son regiones con defectos producidos por enlaces rotos o incompletos.1. Está compuesta por regiones en que los átomos están ordenados llamadas granos. Los diferentes granos en el policristal no tienen en esencia ningún tipo de orden entre los átomos que los constituyen. etc). Ejea 11-nov-08 . el tamaño del grano del policristal puede variar desde 0.1-7 Prof.1µm hasta 10µm o incluso más. Esteban Sanchis / Prof. Este material es un óxido B. determinados dispositivos como diodos emisores de luz (LEDs) o diodos láser (LDs) no pueden ser fabricados a partir de materiales policristalinos. Si el tamaño del grano supera los 10µm. algunos transistores utilizados para el control de visualizadores sí se pueden fabricar a partir de estos materiales. Sin embargo. la tecnología policristalina es importante en visualizadores (TV. Por tanto.

La tecnología de fabricación del PLZT está altamente desarrollada en la actualidad y el material se utiliza para muchos componentes fotónicos.el modificador de la red.CEF Tema B. B. como es el oxigeno (62% de la corteza terrestre) y el silicio (21% de la corteza terrestre). Juan B. mientras que tres átomos más allá el orden ya se ha perdido. BaTiO3 y Gd(MoO4)3 que son muy importantes. Es decir. fibra óptica. Materiales amorfos En materiales amorfos el orden entre átomos es aun menor que en los materiales policristalinos. Ejea 11-nov-08 . prismas. el vidrio que es la materia prima para las lentes. los átomos de silicio y oxígeno forman una estructura no cristalina pero que tienen un buen orden entre los átomos vecinos más próximos.6. Además el material amorfo puede tener una gran cantidad de enlaces rotos.1-8 Prof. pero un pobre orden a gran escala. El vidrio generalmente está formado por un componente que constituye la base de la red . Mientras materiales electro-ópticos cristalinos sencillos como el KDP. La disposición de los átomos es impredecible cuando nos alejamos hasta el tercer átomo vecino o más allá. los materiales cerámicos policristalinos no se ven afectados por estas limitaciones. etc. están limitados por su coste. por supuesto. tamaño y sensibilidad a la humedad. en los materiales amorfos los átomos vecinos aún están sujetos a perfecto orden cristalino. En el vidrio. El material amorfo más importante en óptica es.1.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales cerámico con propiedades ferroeléctricas. En la siguiente tabla se muestran algunos importantes formadores y modificadores de la red: Formador básico Modificador de la de la red red SiO2 B2O3 Al2O3 Na2O3 K2 O MgO CaO PbO B. Esteban Sanchis / Prof.el formador de red.y un componente que puede introducir sutiles cambios en las propiedades del vidrio . El vidrio está fabricado a partir de algunos de los elementos más abundantes en la corteza terrestre. Los materiales amorfos más importantes en tecnología optoelectrónica son los basados en el SiOx (con diferentes sustancias dopantes) y los semiconductores amorfos como el Silicio amorfo (a-Si). Los materiales amorfos se caracterizan por un buen orden a corto rango.

B. • Conductores de luz Vidrio (Dieléctrico) • Guías de onda Otra estructura de gran importancia que ya hemos mencionado es el silicio amorfo o aSi debido a su uso en la tecnología de las células solares y visualizadores. Materiales Optoelectrónicos: Sólidos no cristalinos Semiconductores policristalinos • Transistores de película fina y gran área para controlar dispositivos fotónicos • Fósforos para pantallas • Material fotosensible para almacenamiento de imágenes Semiconductores amorfos • Transistores de película fina para controlar otros dispositivos • Células solares de gran tamaño. en el caso del vidrio. Los silicatos (vidrios que tienen silicio en su composición) son los materiales más utilizados debido a los altos niveles de pureza que se pueden obtener sobretodo en lo que respecta a la fibra óptica. Los modificadores de la red se pueden utilizar para modificar el índice de refracción del vidrio y mediante su introducción controlada se pueden conseguir variaciones espaciales del perfil de dicho índice. Ejea 11-nov-08 . la introducción de una u otra sustancia dopante puede modificar su índice de refracción.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Así.CEF Tema B. Los vidrios basados en B2O3 y N2O3 se utilizan en otras aplicaciones industriales. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. basado en SiO2. En la siguiente figura podemos comparar las estructuras del silicio cristalino y del a-Si.1-9 Prof.

B. La presencia de estos átomos de H hace desaparecer estos enlaces rotos mejorando las propiedades del a-Si.7: Orden del silicio cristalino y el silicio amorfo.1. muchos de los cuales están rotos en el caso del silicio amorfo. Esteban Sanchis / Prof. Al silicio amorfo se han añadido átomos de hidrógeno para que no pierda sus propiedades eléctricas. Una importante diferencia entre materiales amorfos y cristalinos es en lo que respecta a la simetría macroscópica del material. La anisotropía de los cristales se caracteriza por la existencia de planos a lo largo de los cuales es fácil partir el cristal.CEF Tema B.1. B. Una gran cantidad de enlaces rotos puede hacer que el material sea inactivo eléctricamente.7. Los cristales son anisótropos (sus propiedades dependen de la dirección) mientras que los materiales amorfos son isótropos.1-10 Prof. Juan B. Ya hemos visto que los materiales cristalinos tienen propiedades anisótropas (se ven diferentes según desde donde se miren) mientras que los materiales no cristalinos y los B.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Fig. Por una parte tiene las propiedades de los líquidos (tales como baja viscosidad y capacidad de adoptar la forma de su contenedor) y por otra parte las de un cristal sólido. Ejea 11-nov-08 . Para evitar que estos enlaces rotos hagan inútil el material en su aplicación a componentes optoelectrónicos se incorporan gran cantidad de átomos de hidrógeno (o flúor) dentro de la película en el proceso de crecimiento del a-Si. A algunos materiales policristalinos como el PLZT se les puede dar propiedades optoelectrónicas anisótropas. El silicio amorfo hidrogenado se llama a-Si:H. Su habilidad para modular la luz cuando se le aplica un campo eléctrico lo ha hecho insustituible en las tecnologías de visualizadores planos. El silicio cristalino posee 4 enlaces con sus cuatro átomos vecinos. Cristales líquidos El cristal líquido es uno de los materiales más fascinantes de la naturaleza.

1-11 Prof. En una capa determinada todas las moléculas están orientadas en la misma dirección. Esta molécula en forma de barra tiene una longitud de alrededor de 20Å y una anchura de 5Å. La primera categoría agrupa a las moléculas que adoptan una estructura de tipo esméctica. B. Juan B. El cristal líquido es. Esteban Sanchis / Prof. Esquema de un cristal perfecto y un líquido. una fase estable de la materia llamada "mesofase" entre la fase sólida y la líquida. Aparte de esto.1. En este caso las moléculas están ordenadas en capas y dentro de cada capa existe un orden de largo alcance. Sin embargo. Por tanto.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales líquidos son isótropos.8: Compuesto clásico de una molécula de cristal líquido.CEF Tema B. el p-azoxyanisol (PAA). Fig. Por otra parte. En la siguiente figura se muestra una molécula orgánica típica. La orientación de las moléculas define el "director" del cristal líquido. Existen multitud de cristales líquidos que se puedan fabricar y están formados básicamente por moléculas orgánicas en forma de barra o de disco de longitudes entre los 20Å y los 100Å. Ejea 11-nov-08 . Las diferentes formas de organizarse de las moléculas nos lleva a definir tres tipos diferentes de cristales líquidos. las moléculas presentan un orden posicional. El cristal líquido tiene propiedades anisótropas anisótropas similares a las de los cristales sólidos debido a la forma en la que algunas de las moléculas constituyentes se ordenan. Una ordenación perfecta de dicho tipo de moléculas da lugar a un cristal sólido (b). esencialmente. a altas temperaturas se pierde ese orden pasando a un estado líquido. en los cristales esmécticos existe tanto orden en la orientación como en la posición. B. el cristal líquido presenta una baja viscosidad y puede fluir.

1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales La segunda categoría es la estructura nématica. es importante que la anisotropía presente en el cristal de lugar a una anisotropía óptica y que seamos capaces de controlar dicha anisotropía mediante señales eléctricas externas. En estos cristales líquidos las moléculas de una capa están orientadas con un ángulo diferente una respecto a las de otra capa. Fig. Juan B. La tercera categoría de cristales líquidos se llama colestérica. (b) nemático y (c) colestérico. El orden en la orientación se mantiene dentro de cada capa. B.1-12 Prof. En esta estructura el orden en la orientación se mantiene pero el orden posicional entre las capas de moléculas se pierde. Para que el cristal líquido sea útil en aplicaciones ópticas y optoelectrónicas. Además del orden en la orientación en cada capa existe otra característica en los cristales esmécticos y es la girabilidad que permite definir subcategorías. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . En B.9: Las tres categorías de cristal líquido (a) esméctico.1.CEF Tema B. Esta característica hace referencia al giro relativo entre moléculas. La actividad óptica de los cristales depende de su orientación así como del giro presente en las capas moleculares.

B. La orientación de las moléculas superficiales de las dos placas puede ser seleccionada previamente a partir de la dirección de frotamiento. Fig. El resultado es un giro de las moléculas del cristal líquido cuando se va desde una placa a la otra. Esteban Sanchis / Prof.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales dispositivos optoelectrónicos de baja potencia es importante que las moléculas constituyentes del cristal líquido presenten alguna propiedad que les proporcione una interacción fuerte con la luz. B. las moléculas de la superficie de la placa se alinean en la dirección de frotamiento.1. Para explotar completamente el potencial de los cristales líquidos hay que comprender la interacción del líquido con las superficies cercanas. el giro de 270º sí es posible. si se utilizan cristales líquidos colestéricos en los cuales ya hay un giro incorporado. Sin embargo. Como se comentó con anterioridad dichos materiales presentan un dipolo eléctrico neto incluso en ausencia de aplicación de un campo eléctrico. Tales estructuras son llamadas estructuras supergiradas. La orientación de las moléculas del cristal líquido además puede ser modificada por un campo eléctrico. el estado estable utilizando cristales nemáticos es con un giro de −90º. Con este propósito se utilizan materiales ferroeléctricos en la preparación de cristales líquidos. Esto de hecho modifica sus propiedades ópticas haciendo que se puedan utilizar como válvulas ópticas. En dicho caso.CEF Tema B. Si el ángulo de giro se incrementa. Tales sistemas se llaman sistemas nemáticos girados y se pueden conseguir giros de hasta 90º. presentarán una fuerte interacción con la luz. Se ha observado que si la superficie de una placa de vidrio es frotada en una determinada dirección (con un paño por ejemplo). si se desea por ejemplo un giro de 270º. Juan B.1-13 Prof. Ejea 11-nov-08 . la película es inestable si se utilizan cristales nemáticos. Consideremos ahora que se frota una segunda placa de vidrio y se sitúa a una distancia entre 5µm y 20µm de la anterior. Como consecuencia.10: Sistema nemático girado.

Fig. los defectos en los semiconductores cristalinos pueden ser clasificados en: i) defectos puntuales. Esto afecta directamente al buen funcionamiento del material. por ejemplo.1-14 Prof. ii) defectos lineales.8. Hay varios defectos puntuales definidos. ii) Defectos de línea o dislocaciones En contraposición a los defectos puntuales. la invariabilidad de la estructura cristalina tiene algunos defectos (nada en la vida es perfecto) que son introducidos debido o bien a consideraciones termodinámicas o bien a la presencia de impurezas durante el proceso de crecimiento cristalino. En materiales reales.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales B. Defectos en los materiales En los apartados anteriores se han comentado las propiedades de una estructura cristalina perfecta. Otro defecto puntual es la sustitución. involucran a un gran número de átomos conectados en línea. un semiplano extra de átomos es insertado (o eliminado) del cristal. los defectos de línea. B.CEF Tema B. Las dislocaciones se producen si. Juan B. En general. Tales dislocaciones son llamadas dislocaciones de borde ya que a los átomos del extremo o borde del plano extra les falta un enlace. iii) defectos superficiales y iv) defectos volumétricos. como se muestra en la siguiente figura. Así por ejemplo.1. Otros defectos puntuales son los llamados defectos intersticiales en que un átomo se sitúa entre los puntos de la estructura.11: Esquema donde se muestran varios de los defectos puntuales posibles.1. Ejea 11-nov-08 . i) Defectos puntuales Un defecto puntual es un defecto altamente localizado que afecta la periodicidad del cristal en una sola o unas pocas celdas unitarias. por lo que en algunos casos deforma la red a su alrededor afectando a varias celdas contiguas. también llamados dislocaciones. Uno de ellos es la ausencia de un átomo de la estructura. B. en semiconductores compuestos tales como el GaAs un átomo de Ga puede sustituir a uno de As en la subestructura de arsénico en lugar de estar en la subestructura de galio. Estos defectos van en detrimento del buen funcionamiento de los disositivos electrónicos y fotónicos y han de ser evitados en la medida de lo posible. Esteban Sanchis / Prof.

iii) y iv) Defectos superficiales y volumétricos Los defectos superficiales y volumétricos no son importantes en materiales cristalinos sencillos pero sí en materiales policristalinos. Esteban Sanchis / Prof. el desarrollo de nuevos materiales tales como el diamante (C) o el SiC está obstaculizado por dichos defectos. En dispositivos optoelectrónicos.1.1-15 Prof. En el material policristalino. La interfase entre estos "microcristales" constituye los límites del grano.12: Esquema de una dislocación. Juan B. A los átomos del borde (extremo) del plano extra les falta un enlace.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales Las dislocaciones pueden ser un problema serio en heteroestructuras en que la estructura es diferente en la capa superior que en el substrato. El cristal puede contener regiones que sean amorfas o puede contener vacíos (burbujas). Los distintos "microcristales" presentan distintas orientaciones. Ejea 11-nov-08 . En la mayoría de las técnicas de construcción actuales (epitaxiales). las dislocaciones pueden arruinar el funcionamiento del dispositivo siendo de gran importancia su control. Los defectos volumétricos se producen cuando el proceso de crecimiento es de baja calidad. Si. estos defectos no son un problema. sobre un substrato de vidrio se produce el crecimiento del silicio. B. se producirá silicio policristalino. por ejemplo. Sin embargo. Fig.CEF Tema B. tenemos pequeñas regiones de pocas micras de diámetro perfectamente cristalinas llamadas granos las cuales podemos considerar como "microcristales". Estos límites del grano pueden ser vistos como un conjunto de dislocaciones que constituyen los llamados defectos superficiales. Esto es debido a que estos defectos aparecen al unir materiales amorfos (como el vidrio) con cristales. B. Este defecto de línea se produce cuando se añade un semiplano extra de átomos.

SiC y C (diamante). En la actualidad. Las demás estructuras están en su infancia y no se han podido comprobar las previsiones en lo que respecta a sus características ópticas. También existe interés en producir puntos cuánticos donde un semiconductor de dimensiones aproximadamente 100Å x 100Å x 100Å es rodeado completamente de otro tipo de material. Sin embargo. Si materiales tales como GaAs pudiesen ser depositados sobre un substrato de silicio. El problema de estos materiales es la falta de buenos substratos (sólo los substratos del Si. El substrato de silicio es barato y puede ser producido en grandes tamaños (por encima de 12 pulgadas). el coste de los dispositivos optoelectrónicos podría ser reducido drásticamente. GaAs y InP son de alta calidad) con redes cristalinas congruentes con las suyas. materiales como Si y GaAs han sido estudiados durante muchos años y. Estos materiales pueden ser utilizados para la detección del infrarrojo lejano (con longitudes de onda del orden de 14µm) para "visión nocturna" y otras aplicaciones relacionadas con imágenes térmicas. También existe un gran interés en la producción de estructuras en que un hilo fino (del orden de 100Å x 100Å) de un determinado tipo de material es rodeado por otro material (hilo cuántico). Tales estructuras tienen previsiblemente propiedades ópticas mucho mejores aunque todavía no se hayan podido observar. Hay muchos retos también en lo que respecta a materiales con una anchura de la banda prohibida pequeña tales como aleaciones de InAs. En estos nuevos materiales donde más se intenta avanzar es en producir interfases de alta calidad al unir dos materiales diferentes.1. Otro importante reto en tecnología de semiconductores es el crecimiento de materiales de alta calidad sobre un substrato con diferentes propiedades cristalinas. Nuevas técnicas y nuevos materiales En este apartado se van a comentar brevemente los importantes retos que se plantean los científicos en los distintos campos descritos en este capítulo. etc. únicamente los pozos cuánticos pueden ser fabricados con facilidad. En el área de la heteroepitaxis se han producido numerosos nuevos dispositivos tanto electrónicos como optoelectrónicos. como consecuencia. y también debido a las dificultades en el dopado y la gran cantidad de defectos. los cuales tienen una gran anchura de la banda prohibida. Ejea 11-nov-08 . Semiconductores cristalinos En esta área. es B. Dichos materiales se pueden utilizar en aplicaciones de alta potencia (en la actualidad la mayor parte de las transmisiones de radar. HgCdTe. Esteban Sanchis / Prof.1-16 Prof.CEF Tema B. Juan B.1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales B. El objetivo fundamental del estudio de dichas estructuras es la producción de excelentes láseres. radio y satélite siguen produciéndose todavía mediante el uso de válvulas). Desgraciadamente.9. Un ejemplo importante es el crecimiento de GaAs o InP sobre Si. los láseres de semiconductor y detectores de alta velocidad no pueden ser fabricados a partir de silicio. Hay un interés considerable en producir estructuras en que un trozo de material de aproximadamente 100Å de grosor esté rodeado por otro tipo de material (pozos cuánticos). la cual podría ser utilizada para la lectura de unos "tamaños característicos" más pequeños en CDs pudiendo obtener una mayor densidad de información. Estos materiales pueden también producir luz de longitud de onda muy corta. El reto en semiconductores permanece en materiales tales como el GaN. Estos materiales son muy "ligeros" haciendo difícil su fabricación con pocos defectos. InSb. sus tecnologías están bastante avanzadas.

mejorando las cualidades de los materiales sin por ello aumentar los costes.1-17 Prof.CEF Tema B. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. Esto se refiere a células solares de gran tamaño así como los transistores de película fina ("thin film") para visualizadores. Las mejoras en estos materiales es poder reducir cada vez más los defectos. Ejea 11-nov-08 .1: Materiales para componentes fotónicos: propiedades estructurales muy difícil el crecimiento de un material sobre otro material con una constante de la estructura diferente sin obtener una gran cantidad de dislocaciones. Materiales policristalinos y amorfos Estos materiales se utilizan principalmente cuando se desea un bajo coste y un funcionamiento medianamente bueno. B.

Ejea 11-nov-08 . B. rayos UV. Aunque la física de las ondas electromagnéticas es toda la misma. cada longitud de onda tiene una aplicación determinada (rayos X. Donde está incluida la banda visible. Ya hemos visto materiales cristalinos con estructuras anisótropas y materiales amorfos con estructuras isótropas. Recordemos además que la óptica se puede estudiar desde el punto de vista geométrico suponiendo que el rayo de luz es una línea que se desplaza a través de una lente y sufre una refracción. Fig. Veremos la propagación en un medio uniforme y a continuación discutiremos las fórmulas de Fresnel que nos describen la reflexión y refracción.B.1. Propagación de la luz en un medio B. Ecuaciones de Maxwell y la ecuación de ondas Recordemos que la luz o las ondas de luz son un subconjunto de las ondas electromagnéticas que cubren todo el espectro desde la longitud de onda kilométrica hasta la longitud de onda de décimas de Angstroms. En nuestro caso utilizaremos ambas teorías siempre que nos sea posible.3µm a 15µm. Introducción El procesado de la información por medio de componentes fotónicos se basa en la propagación.2.2. independientemente de la longitud de onda.2. espectro visible. Para comprender bien la propagación de ondas ópticas debemos comenzar con las ecuaciones de Maxwell y la ecuación de ondas que de ahí se deriva. la radiación óptica va desde λ = 0. Juan B. La banda óptica del espectro electromagnético hace referencia a longitudes de onda desde 0. B. generación y modulación (conmutación) de la información mediante haces de luz. Pero si el índice de refracción varía a lo largo de una distancia comparable a la longitud de onda ya no es válida la óptica geométrica y debemos utilizar la teoría de ondas electromagnéticas. Veremos que la anisotropía o isotropía de dichos materiales afecta profundamente a sus propiedades ópticas. etc). B. Debemos conocer como se propaga la luz a través de un medio y como afectan las propiedades de estos medios a la propagación. Esteban Sanchis / Prof.3µm a 15µm.2.1: Espectro electromagnético.2.2-1 Prof.

4) donde y ρ son la densidad de corriente (A/m2) y de carga (C/m3) respectivamente.6) (B.CEF Tema B.2) (B. se propagan por el espacio constituyendo las ondas electromagnéticas. Estos campos eléctrico y magnético variables.9) B. A su vez. sin que pueda existir ninguno de ellos aisladamente. como se ve en la primera ley de Maxwell.2.5) (B.2: Propagación de la luz en un medio Las propiedades de los campos electromagnéticos en un medio se describen por las cuatro ecuaciones de Maxwell.2. consecuencia uno del otro.2. Todo lo que conocemos sobre ondas electromagnéticas se deduce a partir de estas ecuaciones.2.2. Estas ecuaciones representan el comportamiento del campo eléctrico ( medido en V/m) y del campo magnético ( medido en A/m).2. Tengamos en cuenta la relación entre la densidad de corriente y el campo eléctrico =σ .2. Ejea 11-nov-08 . la permeabilidad magnética µ (H/m) y la conductividad eléctrica σ (Ω-1 o S): = =µ =σ (B.1) (Ley de Ampere) (Ley de Gauss eléctrica) (Ley de Gauss magnética) (B. dichas variaciones originan como se puede observar en la segunda ley de Maxwell un campo magnético también variable. Las ecuaciones de Maxwell se completan con otras tres ecuaciones donde intervienen los parámetros que caracterizan a los distintos medios materiales en donde están presentes los campos. es el 2 desplazamiento del campo eléctrico (C/m ) y el flujo del campo magnético o inducción magnética (Wb/m2 o T -Tesla-).2. Tomando el rotacional de la primera ecuación de Maxwell obtenemos: (B.2. Las ecuaciones de Maxwell son: (Ley de Faraday) (B. como son la constante dieléctrica ε (F/m).2-2 Prof. Nosotros sólo queremos conocer la ecuación que describe la propagación de las ondas electromagnéticas en un material. este campo magnético variable da origen a un campo eléctrico.3) (B. Juan B.8) y teniendo en cuenta que. (B.7) Cuando en un punto del espacio se produce un campo eléctrico variable con el tiempo. Esteban Sanchis / Prof.

Esteban Sanchis / Prof. la velocidad de fase v ( = ) se modifica al dividir la velocidad de luz en el vacío c por un índice de refracción complejo.10) Esta expresión representa una onda propagándose con disipación y cuya solución general es (hemos supuesto que los materiales a tratar no tienen propiedades magnéticas por lo que su permeabilidad es igual a la del vacío µ0): (B.2. obtenemos después de (B. En general.12) (B. Aunque estamos usando la notación compleja los campos son reales y vienen representados por la parte real de la onda compleja.CEF Tema B.2: Propagación de la luz en un medio y que para un material neutro (ρ=0) se cumple que sustituir por la segunda ecuación de Maxwell: .2-3 Prof. Juan B.11) donde k viene dada por: −k2 = −εµ0ω2−σµ0iω o (B.2. nr: (B.15) Donde nr viene dado por: (B.14) En un medio.17) B.2.16) con lo que: (B.2. k será un número complejo y en el espacio libre (vacío) donde σ=0 y ε = εο (εr = 1): (B.2.2.2. y εr es la constante dieléctrica relativa ( donde c= ).2. Ejea 11-nov-08 .13) es la velocidad de la luz.

Tomando .23) y cuya solución es similar a la del campo eléctrico: (B.2. Juan B. y el índice de refracción se denominará simplemente nr. Esteban Sanchis / Prof. y.2.22) Repitiendo los mismos pasos sobre la tercera ecuación de Maxwell podemos calcular la ecuación de ondas del campo magnético .25) B. La atenuación de la onda está relacionada con la absorción de energía electromagnética.19) De esta forma el campo eléctrico propagándose en dirección z se puede poner como: (B.2.21) En ausencia de absorción (n''r=0).2. z).2: Propagación de la luz en un medio Podemos representar el índice de refracción complejo por su parte real y su parte imaginaria nr = nr' + inr'' de forma que (B. (x.2.2.2-4 Prof. Ejea 11-nov-08 (B.20) Por tanto la velocidad de la onda se reduce por n'r de forma que vale c/n'r y su amplitud también se amortigua por la segunda exponencial con argumento real (se atenúa un factor igual a exp(-2πn''r) por longitud de onda). En dicha expresión el término k⋅r corresponde al producto escalar de dos vectores. (k⋅r − ω⋅t) puede escribirse de distintas formas equivalentes.18) . ⋅ .2. La expresión obtenida es: (B.CEF Tema B. kreal coincide con k: (B. como un vector unitario también en la dirección de propagación: (B. En ausencia de absorción la parte real de k. El coeficiente de absorción (también llamado constante de atenuación) α se define como: (B.2. n'r = nr.24) La fase tanto en la expresión de E como de H. El coeficiente de absorción se puede medir para todos los materiales y da información sobre n''r. un vector llamado vector de onda (cuyo módulo es k = ω/c = 2π/λ en el vacío o k = ω/c·nr en un medio) orientado en la dirección de propagación y el vector de posición .

Si aplicamos la segunda ley de Maxwell y teniendo en cuenta la definición del rotacional: (B. La fase también puede escribirse como (ω⋅t − k⋅r) pues la parte real (que es la que nos interesa pues los campos son reales) es un coseno.31) B.30) con expresiones similares para las demás componentes. Supondremos el caso de una onda plana propagándose en la dirección indicada por el vector unitario .28) (B.2.2. Transversalidad de las ondas luminosas. B. A partir de las expresiones del campo eléctrico y magnético y teniendo en cuenta que llegamos a que: (B. Ejea 11-nov-08 .26) La componente x se podrá escribir: (B.27) Las distintas componentes de los campos eléctrico y magnético tienen las siguientes expresiones: (B.2.2.2. Esteban Sanchis / Prof.2.2-5 Prof. Vamos a aplicar la primera y la segunda ley de Maxwell a los campos eléctrico y magnético obtenidos anteriormente tomando.1. Eo y Ho constantes. Juan B. el término de fase (ω⋅t − kreal⋅z).29) (B.CEF Tema B.2. también podría escribirse como (kreal⋅z − ω⋅t).2: Propagación de la luz en un medio De esa forma el término de fase podrá escribirse también como (k⋅r⋅s − ω⋅t) donde ahora k representa el módulo del vector de onda y r⋅s es el producto escalar de los vectores y . para simplificar. Por la misma razón.2. el cual es independiente del signo del argumento.

39) B. donde es el vector unitario en la dirección de propagación: (B.35) Las tres ecuaciones a las cuales hemos llegado se pueden rescribir en una única ecuación.2.2: Propagación de la luz en un medio Para las componentes y y z: (B.34) (B. si se tiene en cuenta que los primeros miembros son las componentes del producto vectorial cambiadas de signo.33) Por lo que operando de la misma forma se llega a que: (B.2-6 Prof.2. Juan B.CEF Tema B.2. Esteban Sanchis / Prof.32) (B.2.37) O bien teniendo en cuenta que: (B. Ejea 11-nov-08 .38) (B.2.2.36) por lo que las tres ecuaciones equivalen a la ecuación vectorial: (B.2.2.

2. La densidad de energía asociada al campo eléctrico y magnético viene dada por: (B.2. y son siempre perpendiculares entre sí.2. B. y que ambos lo son a la dirección de propagación .41) Las ecuaciones obtenidas indican que en la propagación. en función de : (B.2. B. y un triedro trirrectángulo directo.40) O.2.2.2. De las mismas ecuaciones se deduce que y van en fase ya que ambos se anulan y se hacen máximos simultáneamente como se indica en la siguiente figura: Fig. Otras relaciones importantes.2: Propagación de la luz en un medio Si se parte de la primera ley de Maxwell y se sigue el mismo procedimiento se llega a que: (B.CEF Tema B. y forman un triedro trirrectángulo directo. Ejea 11-nov-08 .42) donde es la densidad de energía asociada al campo eléctrico y la asociada al campo magnético.2-7 Prof. formando los vectores . Esteban Sanchis / Prof.2: Los vectores . B. Juan B. Se pueden demostrar varias relaciones entre el campo eléctrico y magnético y la energía y potencia asociadas a las ondas electromagnéticas. lo que demuestra que las ondas electromagnéticas son transversales.

45) donde es el vector unitario y z+ y z− son los puntos a un lado y a otro de la región de contorno.3.48) (B.43) Las propiedades macroscópicas de un material se representan por el índice de refracción real e imaginario. entonces las componentes normales de D y B en el límite entre las dos regiones están relacionadas de la siguiente manera (dos últimas ecuaciones de Maxwell): ( ( (z+)− (z−))· (z+)− (z−))· = σs =0 (B. Si tenemos un frente de ondas plano viajando en dirección z. Además las componentes tangenciales de los campos eléctrico y magnético se relacionan (primeras dos ecuaciones de Maxwell) según las siguientes expresiones: ×( ×( donde (z+)− (z−)) = 0 (z+)− (z−)) = (B. Para resolver los campos eléctricos y magnéticos al atravesar un contorno necesitamos conocer las condiciones de contorno.47) es la densidad de corriente circulando a lo largo de esa superficie. Esteban Sanchis / Prof.2.2. En general. Si z es perpendicular al plano que separa las dos regiones.2. Para todos los componentes fotónicos la polarización es de vital importancia ya que el funcionamiento del dispositivo dependerá del control de dicha polarización.2.CEF Tema B.2. Juan B. La orientación precisa del campo eléctrico es lo que se conoce como polarización de la onda electromagnética. entonces los campos E y B están en el plano x-y (Ez =Hz =0) y se relacionan por la primera ecuación de Maxwell según las siguientes expresiones: (B. Ejea 11-nov-08 .2.49) B.46) (B. Polarización de la luz Hasta ahora sólo hemos visto al resolver la ecuación de ondas que el campo magnético y eléctrico son perpendiculares a la dirección de propagación.2-8 Prof. B.2.44) (B. Aquí σs es la densidad de carga superficial sobre el contorno. conforme se propaga la onda estos parámetros pueden variar al atravesar un cambio de material.2: Propagación de la luz en un medio La densidad de potencia asociada a la radiación viene dada por el vector de Poynting.2. : (B.

Juan B.50) donde es un vector complejo en el plano x-y.2. Diremos que la onda está polarizada elípticamente.2. Desarrollando los cosenos y aplicando relaciones trigonométricas llegamos a: cos2(ωt−kz+δx)+ cos2(ωt−kz+δy) − 2 cosδ cos(ωt−kz+δx) cos(ωt−kz+δy)=sin2δ (Β.2: Propagación de la luz en un medio Supongamos una onda plana monocromática propagándose en dirección z. Esto es la ecuación de una elipse y representa la elipse de polarización. (b) Cambio de ejes de x-y a x'. t) = Re[ exp(i(ωt−kz))] (B. Para ver la evolución temporal del campo eléctrico veamos sus dos componentes Ex y Ey: Ex = Ax cos(ωt−kz+δx) Ey = Ay cos(ωt−kz+δy) donde el vector es: (B.2.52) (a) (b) Fig. En esta expresión trigonométrica podemos sustituir las expresiones de los campos eléctricos Ex y Ey: (B.2-9 Prof. Los ejes principales de dicha elipse no estarán sobre los ejes x e y. Esteban Sanchis / Prof.55) (B. Entonces la ecuación de la elipse se simplifica y queda como: B.51) (B. B.2. La polarización se define para el campo eléctrico que en notación compleja será: (z.2. Podemos girar el eje coordenado de forma que los nuevos ejes x' e y' coincidan con los de la elipse.y'.CEF Tema B.54) donde δ=δy−δx.2.2. Ejea 11-nov-08 .3: (a) Elipse de polarización.53) y donde Ax y Ay son números reales positivos.

CEF Tema B. Para comprender mejor la diferencia entre estos distintos tipos de polarización en la siguiente figura se muestran los campos eléctrico y magnético de una onda electromagnética plana linealmente polarizada (a) y una onda polarizada circularmente (b) ambas propagándose en la dirección de eje z.2. • • δ=0 o π: En ese caso la luz está polarizada linealmente y la elipse degenera en una línea.2: Propagación de la luz en un medio (B. Un observador que vea venir el rayo de luz hacia si dirá que el rayo tiene polarización dextrógira. Juan B.2-10 Prof.2. Si la magnitud de Ex y Ey es la misma la luz estará polarizada circularmente. • Fig. B. gira en el plano x-y. Si la magnitud de Ex y Ey es la misma la luz estará polarizada circularmente. El ángulo φ entre x y x' nos permite calcular la longitud de los semiejes a y b y así obtener la siguiente relación: (B.4: Estados de polarización para diferentes ondas.56) donde a y b son los ejes principales de la elipse y Ex' y Ey' son las componentes del campo eléctrico en dichos ejes. Esteban Sanchis / Prof. el vector Tendremos las siguientes posibilidades.2. Un observador que vea venir el rayo de luz hacia si dirá que el rayo tiene polarización levógira. Las amplitudes del campo eléctrico son Ex = Ax cos(ωt−kz) y Ey = Ay cos(ωt−kz+δ). B.57) Dado que Ex y Ey dependen del tiempo. δ<0: El vector campo eléctrico gira en contra del sentido de las agujas del reloj. δ>0: El vector campo eléctrico gira en el sentido de las agujas del reloj. Ejea 11-nov-08 .

Según el sentido de rotación de los campos. Ejea 11-nov-08 . B. El cristal líquido modifica la intensidad de un haz luminoso cambiando su polarización de forma que la luz con una polarización determinada es transmitida a través del dispositivo y la de cualquier otra polarización reflejada. Cada medio posee un índice de refracción diferente (ε diferente).CEF Tema B. (b) Polarización circular. En el caso de polarización circular los campos eléctrico y magnético giran alrededor de la dirección de propagación siguiendo una trayectoria circular. B. Los componentes fotónicos aprovechan la polarización de la luz para su propio beneficio. no poseen propiedades magnéticas (µ1=µ2=µ0) y el B. Propagación en el medio: fórmulas de Fresnel. Vamos a analizar brevemente las leyes de reflexión y refracción que describen la propagación de la luz de un medio dieléctrico no conductor a otro. Algunos de los dispositivos son capaces de añadir un desfase entre Ex y Ey mediante un pequeño campo eléctrico lo que altera la polarización de la luz que atraviesa ese dispositivo. Podremos modular la luz modificando su polarización.2.2-11 Prof.5: (a) Polarización lineal. la polarización circular será dextrógira o levógira.4. La polarización elíptica se obtiene cuando las amplitudes de las dos componentes ortogonales de cada campo son distintas. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. La representación de la variación temporal del campo eléctrico sobre el plano XY es una línea recta. En el ejemplo que ilustra el caso de polarización lineal el campo eléctrico oscila en el plano XZ y el magnético en el plano YZ.2.2: Propagación de la luz en un medio (a) (b) Fig.

aplicando dicha condición de contorno en y = 0: Como esta expresión es cierta para cualquier x deberán igualarse todos los términos de fase.2-12 Prof. Tendremos una onda incidente y una reflejada en el semiespacio y>0 (medio 1) y una onda refractada en el semiespacio y<0 (medio 2). reflexión y refracción respectivamente. Dado que el plano y = 0 es el plano que separa ambas regiones. Los tres vectores correspondientes al campo eléctrico de amplitudes A. Esteban Sanchis / Prof. refractada y reflejada.2. es decir: α = α' (B.58) y en el medio 2 (B. Estudiaremos dos casos i) cuando el campo eléctrico es perpendicular al plano de incidencia y ii) cuando el campo eléctrico está en el plano de incidencia. α' y β son los ángulos de incidencia. Las amplitudes del campo magnético son A'. Estudiaremos el caso en que una onda plana linealmente polarizada proveniente del semiespacio y>0 incide sobre la superficie límite entre ambos medios.59) y donde α.60) B. El campo eléctrico es perpendicular al plano del dibujo (plano de incidencia). Ejea 11-nov-08 . i) El campo eléctrico es perpendicular al plano de incidencia En este caso el campo eléctrico está en la dirección de z. es decir. Por tanto. x (E(z+)−E(z−)) = 0. es decir. Esto se llama una onda transversal eléctrica o TE ya que el campo eléctrico es normal al plano de incidencia.2.2.6: Propagación de una onda luminosa de un medio menos denso a uno más denso. Juan B. B y C (que no se muestran) están en la dirección positiva del eje z. Fig. dirigidos hacia el lector.2. El plano de incidencia es el plano x-y. las componentes tangenciales (z) del campo eléctrico en uno y otro medio deberán ser iguales al llegar a dicho plano. B.2: Propagación de la luz en un medio plano que separa ambos medios es el plano y = 0.CEF Tema B. En el medio 1 podemos decir: (B. B' y C' para la onda incidente.

2. Esteban Sanchis / Prof. y forman un conjunto de tres vectores perpendiculares dextrógiro podemos obtener la componente x del campo magnético de cada una de las ondas (incidente.2: Propagación de la luz en un medio k1sinα = k2 sinβ (Β. Teniendo en cuenta que . Juan B.2.64) donde se ha aplicado que α = α' y que k1sinα = k2 sinβ. reflejada y refractada) aplicando la relación entre el campo magnético y el eléctrico vista anteriormente ( ) y teniendo en cuenta el sentido de las proyecciones de los vectores H sobre el eje x podemos escribir: (B.2.2.63) (B. Ejea 11-nov-08 .66) A partir de ambas condiciones de contorno podemos deducir la primera fórmula de Fresnel para los valores de A.67) B. B y C correspondientes a las amplitudes del campo eléctrico: (B.CEF Tema B. B y C se obtiene aplicando la condición de contorno para las componentes tangenciales del campo magnético (eje x).2.2. La condición de contorno para el campo magnético aplicada al plano y=0 que separa ambos medios: (B.2-13 Prof.61) La primera de estas expresiones nos da la ley de la reflexión y la segunda la ley de refracción (Ley de Snell).2.62) Además: A+C=B La segunda condición de contorno para resolver las incógnitas A. sabiendo que µ1=µ2=µ0: (B.65) o (B.

Teniendo en cuenta que . B. salvo que las condiciones de contorno las aplicamos a Hz en y = 0 y a Ex en y = 0.2. En este caso el vector de campo magnético está en la dirección z. B' y C'.68) Esta primera fórmula de Fresnel nos da la intensidad del campo transmitido y reflejado para el caso de tener un campo eléctrico perpendicular al plano de incidencia.2: Propagación de la luz en un medio (B. reflejada y refractada A'. Esteban Sanchis / Prof.71) La segunda condición de contorno para resolver las incógnitas A. y forman un conjunto de tres vectores B. El campo magnético es perpendicular al plano de incidencia. La solución para el problema de la reflexión y la refracción sigue el mismo procedimiento. (B. B y C se obtiene aplicando la condición de contorno para las componentes tangenciales del campo eléctrico (eje x).2.2. entonces obtenemos de la primera condición de contorno: (B. B. C) y las del campo magnético (A'. Ejea 11-nov-08 .2. B y C.70) Para el campo eléctrico y teniendo en cuenta las relaciones entre las amplitudes del campo eléctrico (A. C') obtenemos. Además se cumple. A este tipo de onda se la llama transversal magnética o TM.CEF Tema B.2-14 Prof. α = α' y k1sinα = k2 sinβ. ii) El campo eléctrico está en el plano de incidencia (el campo magnético es perpendicular al plano de incidencia).69) Si igualamos los términos de las fases entonces obtenemos las leyes de la reflexión y de la refracción. Si llamamos a las amplitudes del campo magnético de la onda incidente. Las amplitudes correspondientes del campo eléctrico son A. Fig.7: Propagación de una onda luminosa de un medio menos denso a uno más denso. B'.2. A' + C' = B' (B. Juan B.

2. Ejea 11-nov-08 .2-15 Prof. C) y las del campo magnético (A'. Juan B.2. B'.77) O bien teniendo en cuenta que y aplicando relaciones trigonométricas la segunda fórmula de Fresnel se puede rescribir de la siguiente forma: (B.72) (B.2. Teniendo en cuenta el sentido de las proyecciones de los vectores E sobre el eje x podemos escribir: (B. C') obtenemos.76) (B.2: Propagación de la luz en un medio perpendiculares dextrógiro ( ) podemos obtener la componente x del campo eléctrico de cada una de las ondas (incidente. B. Si aplicamos las condiciones de contorno sobre el campo eléctrico Ex para el plano y=0 (que separa ambos medios): (Β. A partir de ambas expresiones podemos deducir la relación entre los valores de A. reflejada y refractada).2.75) Obsérvese que se produce un cambio de signo (C) y esto se debe a un cambio de fase de 180º en la onda reflejada.2. (A−C) cosα = B cosβ (Β. B y C correspondientes a las amplitudes del campo eléctrico que nos proporcionará la segunda fórmula de Fresnel: (B. Esteban Sanchis / Prof.73) donde se ha aplicado que α = α' y que k1sinα = k2 sinβ.2.74) Teniendo en cuenta las relaciones entre las amplitudes del campo eléctrico (A.2.78) B.CEF Tema B.

2. existe una importante diferencia con lo que respecta a las amplitudes entre ambos tipos de polarización. La relación de amplitudes para la luz refractada es: (B.2-16 Prof.2.84) B.82) Como nr2 > nr1 este valor es negativo. a partir de las ecuaciones obtenidas anteriormente y tenemos en cuenta que : (B.79) (B. Esteban Sanchis / Prof. . B.80) Si consideramos luz polarizada tipo TE. tenemos que rTE → −1.2. la Ley de Snell se reduce a : . por tanto.2.2: Propagación de la luz en un medio De las dos fórmulas de Fresnel deducimos que aunque las leyes de reflexión y refracción son las mismas con lo que respecta a los ángulos.1. (B. a partir de las ecuaciones obtenidas anteriormente: (B. Efectos de la polarización: Ley de Brewster Vamos a considerar que un haz de luz incide de un medio menos denso a otro más denso (nr2 > nr1 o bien ε2>ε1) y queremos conocer como afecta el ángulo de incidencia a las amplitudes de las ondas reflejada y refractada (transmitida).2. .2. Juan B. Ejea 11-nov-08 .81) y para ángulos de incidencia pequeños donde y. Esto afecta directamente a efectos de polarización cuando un haz de luz incide sobre una superficie que separa dos medios. En el ángulo límite donde α→90º.4. La relación de amplitudes es: Transmitida: Reflejada: t= r= (B.2.83) Para el caso de luz polarizada TM.CEF Tema B.

Como nr2 > nr1 este valor es positivo.2.8: Relación de amplitudes de la onda reflejada y transmitida para los modos TE y TM en función del ángulo de incidencia para nr2 > nr1.2: Propagación de la luz en un medio rTM para ángulos α pequeños: (B.86) Fig.CEF Tema B. B.2. como hemos visto. En αpol.88) De la ley de la refracción también sabemos que (B. Dicho ángulo αpol se llama ángulo de polarización.2. La relación de amplitudes para la luz refractada es: (B. Por tanto: αpol+β = π/2 => sinβ = cos αpol (B.2. la expresión de rTM debe cambiar de signo por lo que se ha de producir un cambio de signo en el denominador de rTM. Ejea 11-nov-08 .2. ya que en ningún caso el numerador puede cambiar de signo (α−β < π/2). Existe por tanto un ángulo intermedio αpol para el cual rTM =0.85) Luego. para ángulos α pequeños el valor de rTM es el mismo que el de rTE salvo el signo.89) B. con un valor positivo para α=0 y va disminuyendo conforme aumenta α acabando en rTM = −1 para α=90º. Se puede comprobar que rTM comienza. Juan B.87) (B.2-17 Prof. Esteban Sanchis / Prof.2.

2. Esteban Sanchis / Prof.16. En consecuencia: cuando los rayos reflejado y refractado son perpendiculares.4)2 = 0. Por ejemplo.CEF Tema B. Además como en ese ángulo rTM = 0. perpendicular a la dirección de propagación y al plano de incidencia. el campo eléctrico de la onda reflejada no tiene componente paralela al plano de incidencia por lo que la onda reflejada está totalmente polarizada en un plano perpendicular al de incidencia.33) αpol = 53º. como αpol+β=π/2. por lo que β = 33º y r2TE = (0. Los sistemas TE y TM son ortonormales de forma que cualquier onda puede descomponerse como suma de una componente paralela al plano de incidencia (TM) y otra perpendicular al plano de incidencia (TE). pueden producirse en cualquiera de un infinito número de direcciones que son perpendiculares a la dirección de propagación. la cual será proporcional a r2TE es pequeña. B. para α = αpol se cumple que rTM = 0. siendo el campo eléctrico perpendicular al plano de incidencia. la onda reflejada y la refractada son perpendiculares. tTE y tTM pueden obtenerse utilizando la gráfica anterior. Juan B. por otra parte.90) Para luz no polarizada pasando de aire a vidrio encontramos (para el vidrio nr2 = 1. Además. para agua (nr2 = 1. Esto nos indica que podemos generar luz polarizada a partir de un haz de luz no polarizada haciéndola incidir sobre una superficie con ángulo αpol. Como. Las oscilaciones del campo eléctrico de una luz no polarizada. Los valores de rTE. Aunque esto es cierto y la luz reflejada estará completamente polarizada. para luz no polarizada pasando de aire a vidrio. el rayo reflejado está totalmente polarizado.2-18 Prof. αpol = 57º. αpol = 57º. la onda reflejada tiene únicamente componente perpendicular (rTE). Ejea 11-nov-08 . Por otra parte la onda transmitida tendrá una componente perpendicular al plano de incidencia (tTE) y una componente paralela al plano de incidencia (tTM).5 y para el aire nr1 = 1). su intensidad.2: Propagación de la luz en un medio de donde se deduce la Ley de Brewster (B. La onda reflejada está linealmente polarizada ya que contiene oscilaciones del campo eléctrico contenidas dentro de un plano bien definido.

Si luz no polarizada atraviesa una placa de vidrio en aire incidiendo con αpol.2.91) Por tanto después de un único paso (nr=1.2-19 Prof. Ejea 11-nov-08 . Como se observa en la figura anterior.9: Polarización de una onda electromagnética por reflexión. La luz refractada está parcialmente polarizada pero tendrá una mayor intensidad.2: Propagación de la luz en un medio Fig. Reflexión interna total y campos evanescentes Supongamos ahora que la luz pasa de un medio más denso a uno menos denso (por simplicidad supondremos que es aire. cuando una onda pasa a través de un medio limitado por caras planas paralelas. Si se tienen varias placas paralelas (como es nuestro caso). entonces: (B.4. nr2 = 1 y nr1 = nr > nr2). B. los rayos incidente y emergente siguen siendo paralelos. paralela (TM) y perpendicular al plano de incidencia (TE) es (B. Esteban Sanchis / Prof.2. Luego la onda transmitida está casi totalmente polarizada y el campo eléctrico oscila en el plano de incidencia. Fig. la dirección de propagación del rayo emergente es paralela a la del rayo incidente.93) B. por simple aplicación de la Ley de Snell.2.2. B. La onda transmitida tiene una componente perpendicular al plano de incidencia (TE) mucho menor.5) la relación entre las intensidades de las dos componentes. porque esta componente tiende a irse con la onda reflejada cada vez que ésta se refleja al pasar de una lámina a la siguiente.92) Esta relación puede ser incrementada si la onda electromagnética se transmite a través de una serie de láminas delgadas y paralelas. Juan B. con un ángulo de incidencia igual al de polarización.2.2. B.10: Polarización de una onda electromagnética por refracciones sucesivas.CEF Tema B. Entonces se cumple: (B.2.

2. tenemos que.2.99) Ambos coeficientes rTM y rTE tienen módulo unidad pero desfase variable. Esta diferencia de desfases puede ser aprovechada para generar luz polarizada elípticamente.98) (B. Ejea 11-nov-08 . que cumple. Juan B.97) (B. (B.95) Para seguir después de αtot necesitamos que el ángulo de refracción β tenga un valor complejo (ver B.2.94) Esto es consistente con la ley de refracción donde sinβ = nr sinα debe ser mayor que 1 cuando α es mayor que αtot. β deberá tomar valores complejos que serán de la forma: β = 90º ± iβ' Para ángulos α> αtot tenemos sinβ = sin(90º ± iβ') = cos(± iβ') = cosh β' > 1 (B. B. hay una diferencia entre los desfases producidos en el caso en que tengamos luz polarizada TE o luz polarizada TM.95). Si el ángulo de incidencia es menor que αtot entonces β va de 0º a 90º. Se puede comprobar que tanto rTE como rTM alcanzan 1 antes de α=90º.2. entonces sinβ > 1 y en ese caso β será imaginaria.CEF Tema B.2: Propagación de la luz en un medio Como β>α (nr > 1) y si se cumple que nr sinα > 1.96) (B.2. Para rTE y rTM de las ecuaciones anteriores. Los signos de rTE y rTM para pequeños valores de α son contrarios al caso nr2 > nr1. exactamente en αtot.2-20 Prof. Esteban Sanchis / Prof. La reflexión total es de suma importancia en la propagación en guías de onda. Este desfase es el cambio de fase de la onda reflejada totalmente.2. Para ángulos mayores que αtot.2. (B. de manera que rTE empieza en un valor positivo y rTM en uno negativo. Como se puede observar en la siguiente figura.

Juan B. Para luz polarizada TE bajo condiciones de reflexión total hemos visto que: β = 90º ± iβ' sinβ = coshβ' = nrsinα cosβ =  i sinhβ' El campo eléctrico en general será (B. ya que si no el campo tendería a infinito cuando y → −∞. interruptores. los campos en el medio de menor índice de refracción (menos denso) no se anulan inmediatamente en la interfase.2.2. Como elementos pasivos cabe destacar las placas de cuarto de onda que modifican la polarización de la luz. En el caso de reflexión interna total. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. la onda desaparece en unos pocas longitudes de onda. También se muestra el cambio de ángulo producido con reflexión total. como vamos a ver a continuación.101) (B. Sin embargo. Por tanto el campo en el medio menos denso vale: (B.2.2-21 Prof.2.100) (B.2. Estas propiedades anisótropas se utilizan en gran cantidad de dispositivos ópticos.103) Sólo el signo negativo (que da como resultado k2ysinhβ’) tiene significado físico. (B. Como k2 sinhβ' es del orden de λ−1. tanto pasivos como activos.2. etc.2: Propagación de la luz en un medio Fig.2. Los elementos activos que B. Esto se traduce en que si la luz se propaga en diferentes direcciones verá diferentes índices de refracción y se propagará con diferente velocidad.CEF Tema B. Existen unos campos evanescentes que penetran en el medio menos denso amortiguándose rápidamente.11: Relación de amplitudes en función del ángulo de incidencia para nr1 = nr > nr2 =1. no existe un haz refractado y la totalidad de la energía electromagnética es reflejada.5. Aun así esta onda se aprovecha en dispositivos como acopladores.102) B. B. La propagación de ondas en cristales Ya hemos visto que un cristal posee propiedades anisótropas.104) Esta es la onda evanescente que decrece exponencialmente conforme se aleja de y=0 (y es negativo en el medio menos denso).

mediante un simple giro del triedro de referencia podemos referirla a sus propios ejes de simetría X'. El desplazamiento eléctrico y el campo eléctrico se relacionan por el tensor de constante dieléctrica dado a continuación. convirtiéndose en: B. está referida a ejes con origen en su centro. Un concepto muy utilizado para describir la propagación de una onda es el elipsoide de Fresnel. Y. La densidad de energía asociada al campo eléctrico viene dada por donde: (B.106) cumpliéndose que εij = εji. Vamos a ver en este apartado la propagación de la luz en medios anisótropos. Juan B.CEF Tema B. Como este elipsoide sólo tiene en su ecuación términos de 2º grado. Y' y Z'.108) Si en la ecuación anterior prescindimos de factores dimensionales y ponemos Ex = X.2. En cristales esto no es así. con lo que la ecuación tomará la forma: (B. Ey = Y y Ez = Z tendremos la ecuación: (B. modificándose todos los coeficientes del primer miembro pero no el término independiente. Dx = εxxEx + εxyEy + εxzEz Dy = εyxEx + εyyEy + εyzEz Dz = εzxEx + εzyEy + εzzEz o.2: Propagación de la luz en un medio aprovechan la anisotropía de los cristales son los cristales líquidos. En un medio isótropo la propagación de ondas de luz se caracteriza por una constante dieléctrica independiente de la dirección.2. dispositivos acústicoópticos.2. de forma abreviada: (B. Por tanto. y . Z es una elipsoide. etc.107) (B. Esteban Sanchis / Prof.2. por lo que sus nueve componentes se reducen a seis independientes.110) donde X' Y' Z' representan las componentes de E respecto a estos nuevos ejes.2. Las relaciones entre el desplazamiento eléctrico D y el campo eléctrico E en este sistema de referencia se simplifican. Ejea 11-nov-08 .105) (B.109) que referida a un sistema cartesiano X. y las componentes del tensor de constante dieléctrica una vez diagonalizado.2-22 Prof.2.

113) donde nrx. siendo las componentes de [ε]-1 las recíprocas 1/εx. Tanto los experimentos como la teoría (basada en las ecuaciones de Maxwell y en la discusión anterior) muestran que en un medio anisótropo. Para hacerlo se utiliza un método geométrico sugerido por el físico francés Agustín Fresnel. con los correspondientes cambios de escala se llegaría al elipsoide: (B. No ocurre así en un material isótropo en que podemos tener una polarización arbitraria en el plano perpendicular a la dirección de propagación. En las direcciones de los ejes del elipsoide. cualquiera que sea el estado inicial de polarización. de semiejes Si ahora tenemos en cuenta la relación . en el elipsoide anterior hacemos una reducción de escala tomando como nueva . B.2. 1/εz. a cada dirección de propagación de una onda electromagnética plana corresponden dos posibles estados de polarización mutuamente perpendiculares. Si. cada uno de los cuales se propaga con diferente velocidad. y en lugar de tomar las coordenadas cartesianas en sustitución de las componentes de E. Dicha elipsoide que tiene como semiejes los índices de refracción principales nxr. y análogamente para las demás coordenadas. se separa en dos ondas.2-23 Prof.111) se llaman constantes dieléctricas principales. Esteban Sanchis / Prof. y .2. los vectores D y E son paralelos. se obtiene un elipsoide homotético del anterior: (B.2: Propagación de la luz en un medio DX' = εxEX' DY' = εyEY' DZ' = εzEZ' Las constantes .112) que se llama elipsoide de Fresnel. Juan B.CEF Tema B. como se deduce de la ecuación anterior. nry y nrz son los índices de refracción principales. nry y nrz recibe el nombre de elipsoide de índices. se toman las de D teniendo en cuenta que E = [ε]-1⋅ D. cuando una onda electromagnética penetra en una sustancia anisótropa. y (B. Ejea 11-nov-08 . De este modo. polarizadas en direcciones perpendiculares y que se propagan con diferentes velocidades. 1/εy. A continuación vamos a ver cómo se puede determinar la velocidad y estado de polarización de la luz propagándose en un cristal en una dirección determinada a partir del elipsoide de índices.2. que siempre existen físicamente en cualquier punto del cristal.

Otro caso especial es aquel en que dos de los tres índices de refracción principales son iguales. Por esta razón estas sustancias se denominan cristales uniáxicos. B. se llama eje óptico. El elipsoide de índices es una esfera y el índice de refracción es el mismo en todas las direcciones. El elipsoide de índices de un cristal uniáxico es un elipsoide de B. el cristal se llama positivo. La dirección que corresponde al índice desigual nrx.CEF Tema B. por tanto. (b) Direcciones de polarización permitidas. no existe una dirección especial de polarización. Juan B. cuando nry = nrz > nrx se llama negativo. La intersección del plano con el elipsoide es una elipse. Estas son paralelas a las componentes Da y Db del vector de desplazamiento eléctrico. la velocidad de la luz con ambas polarizaciones que será c/na y c/nb. Cuando nry = nrz < nrx. ya que todas las intersecciones son circunferencias. éste es un eje de simetría del cristal. Esteban Sanchis / Prof. Ejea 11-nov-08 . Por consiguiente.12: (a) Construcción geométrica para obtener la polarización de la onda. por ejemplo nry = nrz ≠ nrx.2.2-24 Prof. (a) Fig. nrx = nry = nrz. Los medios isótropos se caracterizan por el hecho de que los tres índices principales de refracción son iguales. Si la luz se propaga a lo largo del eje x la luz estará polarizada a lo largo de los ejes y y z con velocidades c/nry y c/nrz.2: Propagación de la luz en un medio Para calcular la polarización dibujamos un plano perpendicular a la dirección de propagación k por el centro C del elipsoide de índices. Las direcciones de ejes principales de la elipse AA' y BB' determinan los planos de polarización de la onda para la dirección de propagación dada siendo paralelas a las componentes Da y Db del vector de desplazamiento eléctrico. es decir. Las longitudes de los semiejes de la elipse CA y CB dan los índices de refracción na y nb para cada polarización y.

La onda extraordinaria está polarizada linealmente en el plano determinado por CE y k ó (lo que es lo mismo) por la dirección de propagación y el eje óptico. manteniéndose siempre en el plano perpendicular a ésta. La onda ordinaria está polarizada linealmente en el plano determinado por CO y k y es por lo tanto perpendicular al plano determinado por la dirección de propagación y el eje óptico.2: Propagación de la luz en un medio revolución alrededor del eje óptico. Por las propiedades geométricas de un elipsoide de revolución sabemos que la intersección con un plano que pasa por su centro C y es perpendicular a la dirección de propagación k.2-25 Prof. la elipse de intersección tiene por semiejes nrx y n y la onda extraordinaria tiene la velocidad vx. Juan B. uno de cuyos ejes (CO) es siempre igual a n = nry = nrz y está dirigido perpendicularmente a la dirección de propagación y al eje óptico. Ejea 11-nov-08 . variando entre c/n y vx = c/nrx (correspondientes a índices de refracción n y nrx respectivamente) al variar dicha dirección. es una elipse. Esto puede considerarse como otra definición de eje óptico. el eje óptico es la dirección según la cual hay una sola velocidad de propagación. mientras que el otro eje (CE) tiene una longitud ne que varía entre n y nrx y está en el plano determinado por la dirección de propagación y el eje óptico. B. pero su velocidad ve depende de la dirección de propagación. Fig. Cuando las ondas se propagan perpendicularmente al eje óptico. B. La onda ordinaria se propaga en todas las direcciones con la misma velocidad c/n. Esteban Sanchis / Prof. la elipse de intersección es una circunferencia de radio n y las dos ondas se propagan con la misma velocidad c/n. En este caso podemos definir dos ondas: ordinaria y extraordinaria.2. Cuando las ondas se propagan según el eje óptico.CEF Tema B. Por tanto. se comporta como una onda en un medio isótropo siendo ésta la razón de su denominación.13: Direcciones de polarización de los rayos ordinario y extraordinario en un cristal uniáxico para una dirección arbitraria de propagación.

(b) perpendicular al eje óptico.2-26 Prof. nrx ≠ nrz y nrx≠ nry).CEF Tema B. Los componentes fotónicos serán en general materiales uniáxicos. Estos materiales son los más utilizados para la modulación de la luz. Juan B. Si tenemos una onda luminosa propagándose en una dirección k (dentro del plano x-y) y con una ángulo θ con el eje óptico (eje x) del material entonces las dos componentes del desplazamiento estarán alineadas a lo largo de los semiejes principales de la elipse de corte con el elipsoide de índices del material. La onda polarizada en dirección z es la onda ordinaria y la onda polarizada perpendicularmente a ella es la extraordinaria. θ = 0). la luz se propaga en una dirección diferente de la del eje óptico.114) Si la onda se propaga a lo largo del eje x (eje óptico. Ejea 11-nov-08 . se puede probar que hay dos direcciones para las cuales las velocidades de B. Fig. se generará un desfase entre las dos polarizaciones debido a que la velocidad de propagación es diferente.2. B. Este retraso se puede aprovechar para diseñar dispositivos que puedan modificar la polarización de la luz. En el caso más general de tres índices de refracción diferentes (nry ≠ nrz. Se cumple que: (B.14: Direcciones de polarización de los rayos ordinario y extraordinario en un cristal uniáxico para una propagación (a) paralela. ne(θ) = nrx. Si además podemos modificar el índice de refracción activamente entonces podremos modular la señal luminosa. Si en un cristal uniáxico.2: Propagación de la luz en un medio Fig.2.2. ne(θ) = n y si se propaga a lo largo del eje y.15: Polarización de un haz óptico propagándose en dirección k y formando un ángulo θ con el eje óptico. Esteban Sanchis / Prof. B.

2. Podemos por ejemplo colocar dos polarizadores a ambos lados de un elemento activo.6. Las pantallas de cristal líquido (utilizadas por ejemplo en calculadoras) son dispositivos ya conocidos que funcionan como transparencias programables. La técnica más utilizada es la utilización conjunta de polarizadores con un dispositivo activo que modifica la polarización de la luz. son perpendiculares a los planos cuyas intersecciones con el elipsoide de índices son circunferencias. La necesidad de "transparencias programables" cae dentro del área de la tecnología de visualización.2-27 Prof. Este elemento activo es un cristal (o cristal líquido) que tiene dos índices de refracción. nre y nr0. Juan B. B. Vamos a considerar primeramente el caso de un modulador electro-óptico basado en cristales tales como el niobato de litio. Esta alteración puede producirse aplicando un campo eléctrico externo y utilizando un efecto llamado efecto electro-óptico que será tratado con posterioridad en este tema. Las sustancias en las cuales estos ejes existen se llaman biáxicas. B. Los moduladores de luz también se pueden utilizar para comunicaciones ópticas y para comparar imágenes. Existen además sugerencias para utilizar estos dispositivos para multiplicar matrices por matrices y matrices por vectores.116) Fig.2.115) (B. Estamos todos familiarizados con el uso de transparencias sobre las cuales es posible escribir. Además mediante una perturbación externa se puede modificar la diferencia entre nre y nr0. Modulación de la luz por control de la polarización En optoelectrónica es de vital importancia el control de la intensidad de la luz. Supongamos que las dos señales de entrada vienen dadas por: (B.CEF Tema B. Supongamos que entra luz linealmente polarizada en el cristal y que los ejes x e y son los ejes de polarización. En general las dos direcciones tienen índices de refracción diferente y por tanto se genera una diferencia de fase entre ambas polarizaciones.2. B. Ejea 11-nov-08 . Más adelante consideraremos el caso de un cristal líquido nemático girado. diferentes para las ondas ordinaria y extraordinaria. también llamadas ejes ópticos.16: Esquema de cómo el cambio en la polarización producido por un cristal puede modificar la intensidad de un haz luminoso. En aquellos sitios en que escribimos estamos modulando (o modificando) la intensidad de la luz que atraviesa la transparencia por lo que nuestra escritura puede ser vista como un sistema óptico sencillo.2: Propagación de la luz en un medio propagación de dos ondas polarizadas son iguales. Esteban Sanchis / Prof. Estas direcciones.2.

Tal y como se comentó. Es este último efecto el que más se aprovecha en dispositivos de cristal líquido. en un cristal líquido nemático.117) (B.2-28 Prof. el haz de salida estará polarizado circularmente y si φ = 180º estará polarizado linealmente con un ángulo de 90º con respecto al haz de entrada.2. como el material está constituido por moléculas con forma de barra o de disco. Esta aproximación supone que el giro se produce de forma suave. Para describir como se propaga la luz (es decir. (B.CEF Tema B. Propiedades de modulación y polarización de un nemático girado. es posible introducir un giro en el orden en que las moléculas están alineadas utilizando dos placas transparentes previamente frotadas en una dirección determinada. B.119) Por tanto si podemos controlar φ con un campo eléctrico. Tal y como se estudio con anterioridad. el eje óptico del cristal líquido cambia de un punto a otro. el cristal líquido es un material que posee un orden de largo alcance a lo largo de alguna dirección. Si φ = 90º.118) con una diferencia de fase dada por φ = θ2 − θ1. ii) además. Por tanto la polarización de la luz va variando de forma suave conforme viaja a lo largo del cristal. podemos modular la intensidad. la onda que emerge tendrá una polarización general dada por (B. cómo cambia la polarización) a través de un cristal nemático girado se utiliza la llamada aproximación adiabática. Como consecuencia. Además. la relación de modulación vendrá dada por (si suponemos que no hay pérdidas por absorción). cambiando también la dirección de las polarizaciones correspondientes a los rayos ordinario y extraordinario. Esteban Sanchis / Prof. La aproximación se puede suponer correcta ya que un giro de 90º se produce a lo largo de varias micras (distancia grande comparada con la longitud de onda) y por tanto la luz responde teniendo en cuenta los índices de refracción y los ejes de polarización locales. podemos observar que existen dos causas del cambio en la polarización en un cristal líquido nemático girado: i) como consecuencia de la diferencia entre nre y nr0. Este efecto lo hemos descrito en el punto anterior y produce una modulación de la luz descrita por la expresión que ya hemos visto. la diferencia de fase entre los dos rayos provoca un cambio de la polarización. Si el haz de salida pasa entonces por un polarizador a 90º con respecto al polarizador de entrada. Juan B.2. Ejea 11-nov-08 .2: Propagación de la luz en un medio Después de la transmisión a través del modulador. presenta una fuerte anisotropía entre nre y nr0. debido al giro en el cristal se produce una rotación de la polarización. A partir de la aproximación adiabática.2.

B.2.2: Propagación de la luz en un medio De acuerdo con la aproximación adiabática.120) donde φ es la diferencia de fase producida debido a la diferencia entre los índices de refracción nre y nr0 y para un dispositivo de grosor d. Fig. si no como combinación de ambas. Ya vimos que en un cristal uniáxico el eje óptico es el eje a lo largo del cual se propaga la luz con la misma velocidad independientemente de la polarización. da como resultado que la transmitancia viene dada por la siguiente expresión para un giro de 90º. En este caso el valor de φ es máximo y la transmitancia T. (B. (B. Ejea 11-nov-08 . Con la aproximación adiabática si el giro es suave la polarización de la luz simplemente sigue el giro. para el caso que el polarizador de salida esté en paralelo con el polarizador de entrada.17: Esquema de un cristal líquido nemático girado. El visualizador de cristal líquido depende de la capacidad de variar el eje óptico (también conocido como el director del cristal líquido) por medio de una perturbación externa (campo eléctrico). Esteban Sanchis / Prof.2.2-29 Prof.121) Si φ es mucho mayor que 180º entonces T tiende a cero.CEF Tema B. Consideremos los siguientes casos: a) el eje óptico es paralelo al polarizador de entrada (el índice de refracción es nre para luz polarizada paralelamente al eje óptico). la extraordinaria o la ordinaria. Un estudio más detallado para el caso más general de que la luz no esté polarizada como onda ordinaria o extraordinaria. es mínima.2. si el ángulo de giro es de 90º (o 270º) de la placa frotada superior a la inferior y si la luz incidente está polarizada como una de las dos ondas. Juan B. tendremos las siguientes posibilidades: i) ii) Si el polarizador de salida está en la misma dirección que el polarizador de entrada la intensidad de salida será cero. Si el polarizador de salida está girado 90º con respecto al de entrada la luz atraviesa el sistema. b) una perturbación externa obliga al eje B.

.18: Posibles disposiciones de polarizadores y un dispositivo para controlar la intensidad luminosa mediante la polarización. B. En este caso el cristal líquido es transparente. pero la “nube electrónica” en la capa más externa se distorsiona al aplicarle un B. presión etc. lo cual es lo que se supone hacen los dispositivos visualizadores de cristal líquido. campos magnéticos. Ejea 11-nov-08 . Fig.CEF Tema B. pueden modificar las propiedades ópticas tales como el índice de refracción. ya que la luz se propaga con su polarización inicial.2. La idea es colocar dos polarizadores cruzados o paralelos delante y detrás de un dispositivo fotónico. para aplicaciones ópticas la que más nos interesa es la utilización de campos eléctricos. una gran variedad de estímulos externos tales como campos eléctricos. Sin embargo. De esta manera controlamos la intensidad de la luz que atraviesa todo el sistema.2-30 Prof. Esto es de suma importancia en dispositivos ópticos “inteligentes” en los que se pueden cambiar sus propiedades ópticas (índice de refracción) mediante un estímulo externo. Acabamos de ver como dos polarizadores se pueden utilizar para bloquear o transmitir señales ópticas.2: Propagación de la luz en un medio óptico a orientarse a lo largo de la dirección de propagación de forma que no hay retraso en la propagación de la luz polarizada en diferentes direcciones. Por tanto alterando el eje óptico podemos cambiar el dispositivo de opaco a transparente. En principio. El efecto del campo eléctrico sobre las propiedades ópticas depende de la simetría del cristal y si las moléculas se pueden girar o no como en cristales líquidos. Esto también se cumple para φ = 0 en la ecuación anterior. Efecto electro-óptico en cristales. Esteban Sanchis / Prof. Con un campo eléctrico podemos modificar el índice de refracción de nuestro componente (en realidad la diferencia de los índices de refracción nre−nr0) y así cambiar la polarización de la luz que lo atraviesa. En cristales sólidos los átomos de la estructura están fijos y no se mueven físicamente. Juan B.

Esteban Sanchis / Prof.2-31 Prof. Juan B. Esta distorsión se manifiesta como pequeños cambios de los índices de refracción.2: Propagación de la luz en un medio campo eléctrico externo. Ejea 11-nov-08 . B.CEF Tema B.

Después de ver las características de LEDs. Siendo las fibras ópticas elementos imprescindibles en las comunicaciones ópticas se exige que los dispositivos que hacen uso de estas fibras sean completamente compatibles con ellas.8. Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas B. en la edad moderna las comunicaciones ópticas nacieron con el LED y el LD y la aparición de fibras ópticas de bajas pérdidas.8. LDs y detectores ópticos la pregunta clara es si de verdad se necesitan LDs de sólo 3Å de ancho de espectro y no es suficiente con un LED con un ancho de espectro de 200Å a una longitud de onda de 8800Å y con 100µW para un sistema de transmisión a 1Gbps. Introducción Hemos visto en los capítulos anteriores todas las familias de dispositivos que conforman los componentes optoelectrónicos. Aunque los ordenadores ópticos que realizan los cálculos a velocidad de la luz no son realidad todavía. Ejea 11-nov-08 . En la actualidad sólo se utiliza una pequeña parte de la capacidad del sistema lo que sugiere que aún nos queda un gran desarrollo por delante. Las principales ventajas de las comunicaciones ópticas vienen de la fibra óptica y sus propiedades. Juan B. Un ejemplo claro son las comunicaciones ópticas. tal vez a cierta distancia se conmuta y/o se amplifica y finalmente se detecta y se demodula. Para responder a esta pregunta hay que conocer los fundamentos de los sistemas de comunicación en general y de los sistemas de comunicaciones basados en fibra óptica en particular.2. Aunque el uso de la luz para transmitir información comenzó probablemente con el descubrimiento del fuego. se inyecta en la fibra. La pregunta es si todos ellos son capaces de aportar una mejora sustancial a la era de las comunicaciones. Uno de los desarrollos más grandes se está dando en los componentes ópticos para aplicaciones de comunicaciones ópticas vía fibra óptica. se transmite. B. El sistema de comunicación óptica Las comunicaciones ópticas es el área que más está evolucionando en los últimos tiempos y esto a pesar de que aún no existen los componentes ópticos que nos permitan explotar al máximo todas las posibilidades que nos ofrecen estas comunicaciones. En sistemas reales la señal óptica se atenúa y es pues necesaria su amplificación (repetidores). Las redes de comunicaciones ópticas han sobrepasado a las redes electrónicas y se han establecido como redes de alto rendimiento. Es en estas aplicaciones donde las exigencias a los componentes es más grande. Para ello se codifica la señal electrónica y se convierte en señal óptica.B.1. Esteban Sanchis / Prof.8-1 Prof. sí que existen muchas aplicaciones donde los componentes fotónicos han sobrepasado a los componentes electrónicos.8. Los circuitos para conmutar las señales y así dirigirlas de un canal a otro son B. La información se transmite a través de una fibra óptica.

Fig.2: Comparación de las capacidades de transmisión de los medios más usados.8. B. Estos dispositivos ya los hemos visto en el tema anterior.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas dispositivos bastante complejos que incluyen detectores. Se muestran las capacidades aprovechadas y las disponibles. El uso de fibras tiene cuatro ventajas principales que son: i) menor necesidad de repetidores. El sistema óptico de comunicaciones es muy similar al electrónico (microondas). ya que la atenuación de una fibra es mucho menor que la de un cable. También se muestran las velocidades de transmisión necesarias para algunos tipos de información. B.1: Componentes de un sistema de comunicación óptica. Además la compresión de datos puede reducir mucho el ancho de banda necesario. En la actualidad debido a las limitaciones de los componentes no se aprovecha todo el ancho de banda de la fibra óptica. Esteban Sanchis / Prof. ii) se tiene una mucho mayor capacidad de información debido al uso de frecuencias ópticas.CEF Tema B. LDs y electrónica digital para tomar decisiones. iii) el sistema es de bajo coste y bajo peso y iv) los efectos de interferencias electromagnéticas son mínimas. Las diferencias están en la longitud de onda y el uso de fibra óptica en vez de cables metálicos. Ejea 11-nov-08 .8-2 Prof. Fig. B.8. Juan B.

La capacidad usual de un sistema de fibra óptica está por encima de los terabits (~10% de la frecuencia óptica). Por tanto la frecuencia de transmisión depende de la frecuencia de la información a enviar. B. Para un canal de televisión necesitamos ~75Mbps. B.3: Multiplexación realizada para aprovechar la gran capacidad de un canal de transmisión de información. Fig.CEF Tema B. La pregunta en este caso es: si una señal analógica tiene un contenido máximo de frecuencia fm. Es decir el pulso pasa de un estado alto a uno bajo. En la actualidad no existen circuitos ópticos prácticos que utilicen multiplexación por división de frecuencia (FDM) en la cual se usan unos cuantos canales de frecuencia como frecuencias portadoras y se codifica la información sobre estas frecuencias. ¿a qué frecuencia se debe muestrear para que la señal se reciba completamente a la salida? Según el teorema del muestreo la señal debe muestrearse a una frecuencia el doble que la máxima frecuencia a transmitir para poder recuperar toda la señal original. La multiplexación se hace en serie. Esteban Sanchis / Prof.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas B. la información a enviar se codifica de forma digital. se debe poder convertir la señal óptica para recuperar la señal original. En la actualidad no se puede realizar una multiplexación en frecuencia o longitud de onda en sistemas ópticos. Ejea 11-nov-08 . por lo que no se aprovecha todo el potencial de la fibra óptica. sistemas que permitan detectar la fase o la frecuencia de una señal.3.8-3 Prof.8. Juan B. Contenido de información y capacidad de canal En los sistemas de comunicación óptica modernos. de forma que para mejorar el uso del sistema se multiplexan señales de múltiples fuentes antes de enviarse. Las investigaciones se dirigen hacia fuentes de láseres con estrechos y estables anchos de banda con el deseo de obtener sistemas ópticos coherentes.8. Una vez acabada la transmisión. Este sería el sistema óptimo pero en la actualidad es difícil desarrollar sistemas de detección que realicen una detección "coherente" para que se decodifique de forma selectiva la información sobre las frecuencias portadoras. Una conversación telefónica necesita una frecuencia de transmisión de 64kbps. mientras que una señal musical de alta fidelidad requiere 620kbps.

Debido a la falta de dispositivos que puedan emplearse en los esquemas FDM o WDM. Ejea 11-nov-08 .8. El campo de la onda portadora es representado por Fc = Fco sinωct y el de la señal moduladora Fm = Fmo sinωmt (B.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Otra posible multiplexación es la multiplexación de división de longitud de onda (WDM) donde las fuentes emiten la información codificada en diferentes "colores" o "longitudes de onda" luminosas. B. se codifica en el haz de luz portador (un haz óptico para comunicaciones).1) B.1. Esteban Sanchis / Prof.4. Debido a las limitaciones de los componentes semiconductores en la actualidad no se pueden utilizar todos los sistemas de codificación existentes.8.8-4 Prof. el cual luego es transmitido por un medio apropiado. Las ventajas son sólo debido a coste. En la actualidad se utiliza la multiplexación por división temporal (TDM) donde la información se manda en serie durante diferentes intervalos de tiempo.8. Por ello en la actualidad la información capaz de ser transmitida por las fibras ópticas no supera a la de las microondas.8. En la actualidad este esquema está investigándose. Volvemos por tanto al problema de que las exigencias planteadas sobre los componentes fotónicos vienen de la capacidad de las fibras ópticas. Modulación de amplitud La modulación de la amplitud (AM) es una de las técnicas más utilizadas para transmitir información vía microondas. El sistema detector es el responsable de la decodificación de la información enviada y su diseño y funcionamiento está íntimamente ligado al sistema de codificación empleado. El rayo de luz que "lleva" la información se caracteriza por su amplitud.4. B. siendo una de las más importantes dentro del área de las comunicaciones. Esta multiplexación no aprovecha completamente la capacidad de la fibra óptica.CEF Tema B. habiendo muchos retos en lo que se refiere a fuentes ópticas sintonizables de confianza que sean capaces de emitir a diferentes longitudes de onda próximas en el espectro. Podemos modular todas estas magnitudes para codificar la información. Ya hemos dicho que la información que va a ser transmitida. Juan B. Estos colores pueden viajar por la fibra óptica sin interferirse. fiabilidad y reducción de tamaño. las posibilidades de la fibra óptica de transmitir señales en paralelo no se aprovechan completamente. Técnicas de modulación y detección Los detectores optoelectrónicos se utilizan para múltiples aplicaciones. frecuencia o longitud de onda y fase así como su intensidad (que viene determinada por su amplitud). Vamos a analizar los sistemas de codificación más importantes ya que tarde o temprano se utilizarán todos ellos para la transmisión de información.2) (B.

8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas En la modulación de amplitud. la amplitud máxima Fco de la onda portadora es proporcional al campo modulador instantáneo Fmo sinωmt. ii) la banda lateral superior (USB) con frecuencia ωc + ωm. Juan B. Se define el índice de modulación como.8.4) La portadora de amplitud modulada contiene tres términos: i) el término correspondiente a la portadora no modulada. B.CEF Tema B.8-5 Prof.8. iii) la banda lateral inferior (LSB) con frecuencia ωc − ωm. Ejea 11-nov-08 . Esteban Sanchis / Prof. A = Fco + Fm = Fco + Fmo sinωmt = Fco + mFco sinωmt = Fco(1 + m sinωmt) El campo asociado a la portadora modulada es entonces.4: Amplitud de una onda portadora modulada en amplitud y sus componentes frecuenciales.8. Fig. Para decodificar esta información debemos ser capaces de construir un sistema de detección que pueda aislar B.5) (B. (B.8. Hay que tener en cuenta que las frecuencias portadoras ópticas están en el rango de 1014Hz y 1015Hz mientras que las frecuencias moduladoras son del orden de 1010Hz debido a que están limitadas por la electrónica y los transmisores ópticos (láseres).3) La amplitud modulada de la señal portadora será. F = A sinωct = Fco(1 + m sinωmt) sinωct = (B.

En estos casos las magnitudes amplitud. B. f = fc (1 + k Fmo sinωmt) (B. Estas técnicas parecen muy prometedoras por el bajo ruido introducido y por la posibilidad de poder multiplexar por división de frecuencia y obtener un gran ancho de banda. En la actualidad se utilizan cada vez más codificaciones digitales. De nuevo. la frecuencia de la señal modulada será. Además de existir estas premisas para la fuente el detector también debe ser muy preciso. Hasta ahora hemos visto técnicas de modulación pero de señales analógicas. Modulación de frecuencia Otra técnica de modulación muy utilizada en transmisión de señales es la modulación de frecuencia (FM).2. Las frecuencias extremas son. Esta necesidad de un mayor ancho de banda se compensa con un menor ruido posible en sistemas de detección de FM.8-6 Prof. Fc = Fco sin(ωct + φ) Donde el desfase es para tener un caso más general. frecuencia y fase. Como su nombre indica en este procedimiento se modula la frecuencia de la señal portadora. f = fc (1 ± k Fmo) (B.4. Se compara a veces el estado de estos sistemas con el de la radio antes de 1930.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas las bandas laterales (USB o LSB).8. FSK y PSK ("amplitud-. Para utilizar estas técnicas los transmisores ópticos deben ser muy estables en amplitud. que depende de cómo se realiza la modulación.9) Como resultado. Ejea 11-nov-08 . salvo que ahora la señal moduladora modula la fase de la señal portadora.8. La modulación de fase o PM está intimamente relacionada con la modulación FM. De todos modos estas técnicas coherentes de modulación no son muy utilizadas por su alto coste debido principalmente a no disponer de componentes fotónicos con calidad necesaria. frecuencia o fase se modulan no de forma continua si entre dos estados que se corresponden con el bit 0 y 1. phase shift keying"). la señal no solo tiene la frecuencia de la portadora ωc si no también otros términos de frecuencia. Esto no es fácil en el régimen de señales luminosas aunque se haga continuamente con señales de radio. El término detección "coherente" es empleado para señales codificadas AM o FM debido a la necesidad de tener fuentes y sistemas de detección de frecuencia (fase) estables. Fm = Fmo cosωmt (B. Juan B. B. el campo de la portadora no modulada puede escribirse como. Si la señal moduladora es.8.8.CEF Tema B.8.7) (B. Estas modulaciones se llaman entonces ASK. La señal de FM requiere una mayor anchura de espectro para la transmisión.6) donde hemos elegido un término coseno por simplicidad. frequency-.8) donde k es la constante de proporcionalidad. Esteban Sanchis / Prof.

B.3µm y 1. El valor de α suele ser de 0. Las pérdidas de absorción son muy importantes ya que determinan qué distancia puede recorrer la señal óptica antes de que deba ser regenerada por un repetidor. etc. la apertura numérica.1.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas B. Propiedades de las fibras ópticas La motivación de las comunicaciones ópticas viene de las grandes ventajas existentes en el uso de fibra óptica frente a cables metálicos. Juan B. las ondas ópticas se propagan por el núcleo de la fibra cubierto por el recubrimiento sin pérdidas. En la siguiente figura se muestra la dependencia de las pérdidas con la longitud de onda en fibras de silicio.8-7 Prof. B. La señal se detecta entonces directamente.CEF Tema B.8.8.5. Ejea 11-nov-08 . En esta técnica se modula la potencia óptica de una fuente para enviar una señal. Las pérdidas de absorción son e−αL donde α es el coeficiente de absorción y L es el camino óptico. Pero en fibras reales existen pérdidas de varios orígenes.8. En un tema anterior ya vimos algunas de las características más importantes de la fibra óptica como el ángulo de entrada. Modulación de intensidad Como ya hemos visto los dispositivos existentes en la actualidad no están todavía preparados para las técnicas de modulación que acabamos de describir. Pero existen dos desventajas en la modulación de intensidad que son los niveles de ruido que se producen y el desaprovechamiento del ancho de banda disponible del sistema.55µm. A continuación vamos a ver otras características muy importantes de las fibras. Las longitudes de onda más apropiadas son 1.8.3.4. Esteban Sanchis / Prof. Las fuentes de luz más utilizadas son LDs y LEDs teniéndose que acoplar su luz a la fibra óptica en la mayoría de las aplicaciones. Fig. Las pérdidas se reducen cada vez más con el avance de la técnica.5: Atenuación en fibras ópticas en función de la longitud de onda. Pérdidas de la fibra En una fibra ideal. Por ello la técnica más utilizada es la modulación de intensidad (IM). B.02km−1. B.5. los modos. i) Pérdidas por absorción: La luz puede excitar ciertas transiciones en el material que compone la fibra.

especialmente en fibras de núcleo ancho.8-8 Prof. B. sin embargo.CEF Tema B.11) El rayo extremo. Pérdidas por doblamiento: Si se dobla la fibra demasiado (circunferencias de radio de varios milímetros). (B. iii) Más adelante analizaremos las consecuencias de estas atenuaciones.8.5. B.8. Dispersión multi-camino o modal La dispersión multi-camino (modal) en fibras ópticas es muy importante. El tiempo que tarda es. Los dos caminos están definidos por el rayo axial y el rayo oblicuo que entra con un ángulo φ1c.10) y por tanto el rayo axial tarda un tiempo ta en realizar su recorrido a través de la fibra óptica de longitud L. (B. Este problema es debido al hecho de que un haz óptico tiene varios caminos para recorrer una determinada distancia L por el interior de la fibra. la luz no puede seguir el camino marcado por el interior de la fibra y parte no se reflejará si no que se refractará.2.12) Por tanto si una fuente inyecta ambos rayos existirá una diferencia temporal hasta que aparezca el rayo extremo comparado con el rayo axial.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas ii) Pérdidas por dispersión (scattering): Estas pérdidas son debidas principalmente a irregularidades en la fibra que se producen durante el proceso de fabricación. Los rayos viajan a una velocidad v igual a. Supongamos que inciden en una fibra señales luminosas con ángulos entre θ = 0º (rayo axial) y θ = θA (rayo extremo).8. B. Juan B. (B. Esteban Sanchis / Prof.8. La mejora de las técnicas reduce tales pérdidas. Ejea 11-nov-08 . debe recorrer una distancia mayor que viene dada por L/sinφ1c. perdiéndose esa luz.6: Esquema empleado para la explicación de la dispersión modal en una fibra óptica.8. Fig.

7: Dispersión de un pulso debido a los retrasos multi-camino en una fibra óptica. especialmente si el rayo de luz no está muy colimado (caso de un LED).8. Esta dispersión está muy relacionada con el ancho de banda de la fibra para una distancia determinada.8.distancia. Como la apertura numérica es proporcional a Δnr. Juan B. Esto se traduce que un pulso de entrada se deforma debido a esta dispersión y emerge con una anchura Δtmodal. Ejea 11-nov-08 . Esta dispersión limita el máximo ancho de banda para la transmisión en serie para una distancia determinada. esto significa que para la transmisión a altas frecuencias. Una buena aproximación de la limitación del ancho de banda (BWmodal) para la dispersión multi-camino o modal es. La dispersión multi-camino o modal se suele dar en función de la dispersión temporal por unidad de longitud. Esteban Sanchis / Prof.13) donde Δnr = (nr1 − nr2). Por tanto.15) El producto de ancho de banda .16) Para un alto producto ancho de banda .distancia.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas (B. (B. pero esto reduce el producto ancho de banda .8. Pero no hay que olvidar que si reducimos Δtmodal reduciendo la apertura numérica esto puede tener efectos negativos en el acoplamiento del rayo de luz a la fibra.8.distancia vale entonces. B. Con fuentes láser podemos generar rayos muy colimados y utilizar así fibras con un gran producto ancho de banda . la apertura numérica debe ser pequeña.8-9 Prof. (B.8.14) Fig. el valor de Δnr debe ser pequeño.CEF Tema B. para recoger suficiente luz necesitamos una fibra óptica con una apertura numérica grande. (B.distancia. B.

8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Para mejorar el producto ancho de banda . Una fibra que está tomando cada vez más importancia es la fibra monomodo.8. Esta dispersión surge de la variación del índice de refracción de la fibra óptica con la longitud de onda. que define el cambio de fase de una señal y la velocidad de grupo. ng.18) y (B.17) Si se elige un núcleo con el diámetro lo suficientemente pequeño podemos fabricar una fibra monomodo. B. Pero aún las fuentes de luz más puras tienen un espectro de emisión. Se relacionan con las velocidades respectivas de la forma. Ambas valen. Juan B. Cuando el diámetro de la fibra empieza a ser comparable a la longitud de onda de la luz.19) Si el material no tiene dispersión. radiaciones de diferente longitud de onda recorren diferentes caminos ópticos y por tanto aparecen retrasos. ya no podemos aplicar la óptica geométrica para estudiar estas fibras y hay que recurrir a las ecuaciones de Maxwell.3. Como sólo viajará un modo por la fibra no existirá dispersión multi-camino.CEF Tema B. que define la velocidad de transferencia de energía por parte de la señal.8. Esteban Sanchis / Prof. vg. También se definen el índice de refracción ordinario. La primera es el empleo de fibras con un cambio de índice de refracción gradual.8. la velocidad de grupo y la de fase son la misma. Las fibras que tienen estas características se llaman fibras monomodo. nr. (B.8-10 Prof.5. En un material donde el índice de refracción depende de la longitud de onda podemos definir la velocidad de fase. vp. Obviamente esta dispersión no aparecerá si tenemos una sola longitud de onda.8. Dispersión por el material A parte del problema que acabamos de describir existe otra limitación en la capacidad de la fibra debido a la dispersión del propio material de la fibra. Cuando las dimensiones de la fibra se reducen lo suficiente llegará un momento en el que sólo se podrá propagar un modo por la fibra óptica.distancia de una fibra se pueden tomar algunas medidas especiales. (B. El diámetro del recubrimiento se sigue manteniendo entre 60µm y 100µm para preservar la rigidez de la fibra. Debido a esta variación. Ejea 11-nov-08 .distancia mucho mayores comparados con las fibras de índices con cambio escalón. B. La condición para una fibra con un cambio de índice escalón y un radio de núcleo a sea una fibra monomodo es. para la velocidad de fase y el índice de refracción de grupo. Esta graduación permite obtener productos ancho de banda .

(B. (B.23) podemos obtener a partir de las ecuaciones anteriores.CEF Tema B.8.25) Un impulso de luz a una λ fija recorre una distancia L de la fibra durante un tiempo.8.8-11 Prof.27) B. Ejea 11-nov-08 .24) lo que da una velocidad de grupo igual a.22) También tenemos que Como.21) En general nr y ng son función de la longitud de onda λ. para una longitud de onda λ en el espacio libre (B.8.8.20) y (B.8. el ensanchamiento temporal será (haciendo la derivada). Podemos escribir. (B.8.8. Si Δλ es el espectro de longitudes de onda. (B.8. (B.26) Si la señal óptica del impulso luminoso tiene un espectro finito de longitudes de onda aparecerá un ensanchamiento temporal debido a los diferentes intervalos de tiempo que necesitan las diferentes longitudes de onda para atravesar la fibra. Juan B. Esteban Sanchis / Prof.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas (B.

8. para ello se habrá de multiplicar el valor obtenido por λ⋅c) B.28) Un impulso.8. (B. Los valores típicos para este tipo de dispersión en fibras de silicio se muestran en la siguiente figura ( los valores mostrados en la figura no son para Ym.CEF Tema B. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. (B.30) donde Ym es la dispersión del material (B.8.8. La relación exacta depende del perfil espectral de la luz de salida.31) Podemos definir aproximadamente por 1/4⋅Δtmaterial el ancho de banda de la señal que puede transmitir un sistema de fibra a lo largo de una distancia L. Ejea 11-nov-08 .32) Esta relación destaca la importancia de la calidad de la fuente óptica γ y la dispersión en la fibra en la determinación de la capacidad del canal y la distancia hasta donde la señal se puede transmitir.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Una característica importante de una señal óptica es la anchura espectral de longitudes de onda Δλ en la que se encuentra el 50% o más de la potencia de la señal luminosa.29) Un parámetro muy importante es la dispersión temporal por unidad de longitud.8. Una pequeña dispersión en el espectro de la fuente óptica es crítica y es la razón del uso de LDs en vez de LEDs en sistemas de comunicaciones ópticas de alta calidad.8-12 Prof. Se define la anchura espectral relativa de la fuente como. (B. (B. En ese caso tenemos. después de viajar una distancia L a través de la fibra tendrá una dispersión temporal de potencia mitad (Δtmaterial) igual a.

8. la atenuación debía ser menor de 20dB/km. B.33) donde Δttot es la anchura total del pulso. Esteban Sanchis / Prof. para que la fibra fuese competitiva. aunque para su correcta definición necesita tener en cuenta el perfil del pulso óptico.CEF Tema B.8.8-13 Prof.5 la atenuación más baja en la fibra de silicio es para 1.3µm. La señal se puede enviar más lejos a 1. En general. (B. Es interesante comparar la capacidad de un sistema fibra-fuente a una longitud de onda sin dispersión frente al caso de la longitud de onda de mínima atenuación (es decir. que son la dispersión modal y la dispersión del material. aunque no es demasiado alta en 1.55µm). La dispersión se anula en 1. B. Δtmodal la anchura debida a la dispersión multi-camino o modal y Δtmaterial la anchura debida a la dispersión del material. 1.8. Ejea 11-nov-08 . ambas limitaciones estarán presentes en una fibra.5. En fibras monomodo.3µm.3µm frente a 1.4.8.55µm.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Fig.3µm. se puede aproximar por. B. Se define entonces un factor de ensanchamiento Δttot que. Δtin la anchura inicial antes de entrar en la fibra. Atenuación de la señal y requisitos del detector Una consideración muy importante es la atenuación que sufre la luz al viajar por la fibra. Recordar que según Fig. Juan B. pero el ancho de banda de transmisión no es tan grande como a 1. B. La primera propuesta de utilizar fibras como guías de onda se debe a Kao y Hockham que calcularon que. Δtmodal = 0.55µm. El sistema óptimo debe considerar además las propiedades del detector y la dispersión modal de la fibra.8: Curva de dispersión típica para una fibra de silicio. La atenuación en dB/km viene dada por. En esta sección y en la anterior hemos examinado dos importantes limitaciones para la capacidad de transmisión de la fibra.

Obsérvese que el coeficiente de absorción α también define la relación entre la potencia de entrada y la de salida. Los portadores se excitan mediante un láser semiconductor de 1. Así para un sistema de red de área local (LAN). −1 La atenuación en la fibra se debe a varios procesos de dispersión de la luz al viajar por la fibra.35) Así. las de silicio. Sería deseable.8. Algunas fibras de atenuaciones mayores se siguen utilizando en aplicaciones especiales debido a que pueden emplearse en medios hostiles.5. El desarrollo de EDFAs ha revolucionado los sistemas de comunicación óptica.5.48µm por medio de bombeo óptico (inyección de fotones). Estos iones tiene asociados niveles energéticos a diferentes longitudes de onda.88µm) gracias a los avanzados componentes existentes de este material. pues que existiese una fibra óptica con ganancia positiva que amplificase la luz conforme viaja por ella. Las pérdidas de la señal óptica cuando esta viaja pueden ser compensadas mediante estos B. La selección de la longitud de onda está condicionada por la dispersión de la fibra. Ejea 11-nov-08 . (B.CEF Tema B. como por ejemplo bajo altas dosis de radiación. Las fibras ópticas modernas tienen una atenuación menor de 0. La selección de la fuente óptica y el sistema de detección se verá muy influida por estas longitudes de onda.8-14 Prof. la dispersión y la atenuación son mucho más importantes. Estas fibras se llaman amplificadores de fibra.8. tienen un mínimo en 1. Las fibras más conocidas. atenuación.8. En el amplificador de fibra dopado de erbio (EDFA). Amplificadores de fibra Hemos visto como una señal óptica se degrada al viajar por una fibra óptica.34) donde Pi es la potencia óptica inicial y Pf la potencia emergente después de viajar una distancia L (en km). B. siendo el más importante el amplificador de fibra dopado de erbio. Juan B. se insertan iones de erbio en el núcleo de la fibra durante el proceso de fabricación. El uso de iones de otras tierras raras puede dar lugar a amplificadores para otras regiones espectrales.55µm y otro relativo en 1. se puede escoger una fuente de GaAs (λ ≈ 0.6km . Los portadores que se relajan pueden producir emisión y ganancia en un amplio espectro que va desde 1. Los niveles que se aprovechan son el 4l15/2 y el 4l13/2.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas (B. Bajo altas radiaciones algunas fibras se degradan más que otras.3µm. Todas las fibras tienen mínimos en sus curvas de atenuación a longitudes de onda determinadas.56µm. Esteban Sanchis / Prof. Pero para largas distancias. pureza espectral de la fuente así como los requisitos impuestos al sistema. una atenuación de 20dB/km se corresponde a un coeficiente de absorción de 4.5µm a 1. Las mejoras de las fibras han venido con una mejor comprensión del proceso de absorción.2dB/km a ciertas longitudes de onda. La física de los amplificadores de fibra es similar a la de los láseres de semiconductor.

8.6. tales como fuentes de luz. detectores. La detección coherente se basa en el mantenimiento de la fase de una señal a lo largo de un periodo de tiempo. Para este tipo de aplicaciones.CEF Tema B. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. conmutadores. Ejea 11-nov-08 . La ganancia se consigue por bombeo óptico de forma que electrones del nivel 4l15/2 pasan al 4l13/2. aún no necesitando de gran coherencia es difícil de cumplir por los láseres modernos. El siguiente requisito sobre las fuentes es la emisión estable a una longitud de onda con una muy pequeña anchura espectral. Resumen de los requisitos de los dispositivos Las comunicaciones ópticas presentan una serie de requisitos sobre los componentes fotónicos. se están realizando avances en este tema y en la actualidad ya se pueden enviar hasta 20 señales ópticas ("colores") en paralelo por una fibra. Debido a esta falta de coherencia de fase (y frecuencia) las señales ópticas no pueden aprovechar el tremendo potencial existente de mandar billones de señales ópticas en paralelo por una única fibra. etc.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas amplificadores de fibra. Por supuesto.9: El diagrama de energía de los iones de erbio en fibras de silicio. para ser utilizadas en detección coherente. Acabamos de ver alguno de estos requisitos y aunque muchos ya son cumplidos en parte por los componentes existentes en la actualidad aún quedan muchos requisitos por cumplirse. B. La anchura espectral de los láseres es relativamente grande y su estabilidad no es muy satisfactoria. Fig. Las fuentes ópticas de la actualidad se utilizan comercialmente para aplicaciones donde sólo se envía una señal por la fibra. la pureza espectral B. B. Fuentes de luz: Las fuentes ópticas todavía no están lo suficientemente desarrolladas como para que su fase y frecuencia sean lo suficientemente estables.8. eliminando por tanto la necesidad de convertir a señales eléctricas y luego reconvertir a señales ópticas.8-15 Prof. Este requisito.

Por tanto. Ejea 11-nov-08 . aún si tuviésemos fuentes que pudiesen emitir a diferentes longitudes de ondas muy próximas. Por tanto. ya se necesitan diodos láser y preferentemente diodos láser de DFB. Los repetidores se forman de dispositivos capaces de regenerar la señal cuando ésta se degrada cayendo a un valor bajo. conmutadores y guiadores ocupan un lugar muy importante en las comunicaciones ópticas. La transmisión de datos se puede acelerar sólo por medio de fuentes más rápidas.8-16 Prof. Dispositivos avanzados: circuito integrados optoelectrónicos (OEICs) La gran ventaja de integrar muchos componentes electrónicos en un mismo chip hace buscar la misma integración para componentes fotónicos incluyendo incluso componentes electrónicos. los 1. La mayoría de ellos utilizan o componentes electrónicos o materiales de LiNbO3. Sin embargo. los detectores son bastante adecuados y están muy bien desarrollados para las aplicaciones de transmisión de una única señal. B. Detectores: Los detectores actuales no son capaces de detectar longitud de onda o frecuencia de forma selectiva.CEF Tema B. Componentes fotónicos inteligentes: Los repetidores.8. Sin embargo.88µm de las LAN. Hasta ahora no se ha aprovechado la posibilidad de transmisión en paralelo de las fibras ópticas. Los conmutadores y guiadores son elementos críticos en un sistema de comunicación. B.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas del LED ya es suficiente únicamente para una LAN. está claro que el futuro de las comunicaciones ópticas está íntimamente ligado a fuentes de láseres muy estables y sintonizables que puedan ser utilizadas en aplicaciones WDM y FDM. Para comunicaciones a gran distancia. Vemos pues que aún queda un gran camino por recorrer por los componentes fotónicos lo que convierte esta área en un área en pleno desarrollo. los detectores no serían capaces de distinguir estas señales. Mediante el empleo de heteroestructuras y aleaciones. resistencias y capacidades no era difícil debido a la compatibilidad en el proceso de fabricación. éste requiere una estructura p-i-n muy diferente de la estructura de cualquier transistor. Los OEICs no parecen ser algo fácil de conseguir. los 0. es posible cubrir bastante bien todas las longitudes de onda importantes en detección. Las velocidades de modulación del LED en la actualidad son menores de 5GHz (con pocas posibilidades de mayores mejoras) mientras que los diodos láser operan por debajo de los 30GHz. Para el ejemplo del diodo láser.7. Un avance muy importante se está haciendo con los "amplificadores ópticos". La integración de transistores. Juan B. No es de esperar que los diodos láser alcancen los tiempos de respuesta que ya es posible alcanzar en dispositivos electrónicos (más de 300GHz). la integración del láser con su circuito de excitación (con un transistor FET o bipolar) o de un fotodetector con un amplificador tiene el problema de las incompatibilidades inherentes en estos dispositivos. de forma especial en los ya comentados con anterioridad amplificadores de fibra. La mayoría de los repetidores convierten la señal óptica en electrónica. la amplifican y la utilizan para excitar diodos láser volviéndola por tanto a convertir en luz. Esta incompatibilidad necesita que si además se debe mantener un perfil bajo (estructura planar). Aunque se están haciendo avances con el empleo como conmutadores de dispositivos basados en pozos cuánticos.3µm y 1. Esteban Sanchis / Prof.55µm para aplicaciones de larga distancia.

aunque sin embargo no es óptimo por el tamaño considerablemente mayor. Hay que tener en cuenta tres factores: el ancho de banda. Si se quiere evitar el empleo de las técnicas de recrecimiento. los parámetros que influyen en uno de estos factores también influyen en los demás. después del recrecimiento. Por supuesto. Se está realizando un gran esfuerzo en tecnología OEIC para obtener atacados menos dañinos y mejorar las técnicas de recrecimiento. proporciona circuitos con los que se puede trabajar. Vamos a conectar dos ordenadores a una distancia de 10km. B. Al estar interrelacionados los parámetros una solución óptima para uno de ellos puede no serlo para otro. y consideraciones de ruido que sin embargo no vamos a tener en cuenta y que sí deberán serlo en diseños más avanzados. Ejemplo de un sistema de transmisión de datos por fibra óptica Vamos a diseñar un sistema de transmisión de datos digitales muy sencillo para mostrar los principios a tener en cuenta. Lo primero es elegir los componentes y a continuación considerar los tiempos de subida y los consumos de potencia de todos ellos para poder evaluar la calidad de la conexión. Existen otras consideraciones tales como métodos de modulación.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas se deben hacer profundos atacados con ácido y repetir crecimientos. a diferentes alturas respecto de la oblea). presenta una componente dc que no contiene información y que hace que tanto el emisor como el receptor consuman más potencia eléctrica que la que deberían consumir.8-17 Prof. y el error permitido. BER) es de 10−12. se espera que este progreso continue. Desafortunadamente. Además. B. cuando un material es atacado con ácido. Juan B. que los OEICs alcancen mejores prestaciones y ciertamente una mejor fiabilidad que los circuitos híbridos. Los avances en tecnología OEIC son fundamentales para el avance de la optoelectrónica. observar la siguiente figura (a).8. El error permitido (bit error rate. es de 30Mb/s. Este código tan sencillo parece muy natural y conveniente pero tiene una pobre capacidad de transmisión y. Esto.CEF Tema B. La especificación de ancho de banda depende del método empleado para la modulación de pulsos. En todos los métodos la transmisión digital de información es gobernada por la señal de reloj. se pueden integrar los dispositivos a diferentes niveles (es decir. quedan defectos sobre la superficie de forma. los niveles de potencia. Este último término será explicado más adelante. Debemos elegir la fibra. la fuente y el detector y calcular los niveles de potencia y los errores que se esperan. La velocidad de transmisión en baudios (Bd). se tienen estados energéticos en la banda prohibida que pueden "atrapar" electrones.8. La técnica de crecimiento está todavía en su infancia por lo que no está muy desarrollada. Ejea 11-nov-08 . Casi todos los dispositivos tanto electrónicos como fotónicos han sido integrados. métodos de detección. además. Esteban Sanchis / Prof. y resultados recientes indican niveles de funcionamiento que se aproximan a los de las tecnologías híbridas. que es el mayor número de unos o ceros que el sistema puede transmitir en un segundo. El método más sencillo (b) de representación es el formato NRZ (non-return-to-zero) en que un nivel lógico "1" es un impulso de una determinada amplitud A y duración τ y el nivel lógico "0" es representado por 0V durante un intervalo de tiempo de la misma duración τ. Hay que buscar un compromiso.

pero tiene el inconveniente de que necesita dos veces el ancho de banda que requiere el NRZ para la transmisión.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Otro código empleado es el código Manchester (c). (b) Código NRZ. En éste un nivel lógico "1" es representado por la transición de una señal eléctrica desde un nivel positivo A/2 a uno negativo -A/2 y el nivel lógico "0" es representado por la transición opuesta.8-18 Prof. B.10: Códigos empleados para la transmisión de datos: (a) Señal de reloj. B.8. Ejea 11-nov-08 . Los sistemas de comunicaciones basados en fibra óptica emplean principalmente el código NRZ. Fig. Juan B. (d) Código RZ. Este código no presenta componente dc. Esteban Sanchis / Prof.CEF Tema B. (c) Código Manchester. Otro código es el RZ (return-to-zero) en que un nivel lógico "1" es un impulso de amplitud A y duración τ/2 mientras que el nivel lógico "0" es representado por una señal cero.

36) Los componentes serán: Emisor LED 820nm de GaAsAl.3ns 11.3ns. Potencia inyectada en la fibra Pérdidas del sistema: Atenuación en la fibra: 4 conectores a 1 dB: Total: Potencia disponible en el detector: −19dBm 5. Fibra: Cambio de índice escalón con un diámetro del núcleo de 50µm de fibra de vidrio.24. Esteban Sanchis / Prof.5ns. Ejea 11-nov-08 . capacidad de difusión CD = 1. tiempo de subida tR = 3. Fuente: El tiempo de subida total será por tanto: tiempo total de subida (τs) tiempo de subida de la fuente (τfuente) tiempo de subida de la fibra (τfibra) tiempo restante para el detector 23. por lo que el tiempo total de subida debe ser τs<23. Supongamos que tenemos cuatro conectores con 1dB de pérdidas por conector. B. Los tiempos de subida y bajada son 11ns.0dB/km x 10km = 50.9ns Ahora podemos calcular la resistencia de carga del fotodiodo y para ello debemos conocer la constante de tiempo. Para detectar este pulso el tiempo de subida debe ser como máximo el 70% de la anchura del pulso.7 = 23. NA = 0.0ns 10 x 1 = 10ns = 17.0dB/km. (B.5pF. RE = 0.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Si suponemos por tanto que el código empleado es el NRZ. acopla 12µW o −19dBm a una fibra de 50µm de diámetro de núcleo. El consumo de potencia tiene en cuenta la potencia de la fuente y las pérdidas en la transmisión de datos.2ns y es la suma de.38A/W.CEF Tema B. por tanto 33. Juan B. corriente de oscuridad iDD = 10pA.40. entonces la duración del pulso y el periodo de repetición será: T = 1/(frecuencia de pulsos).3 x 0.8-19 Prof. atenuación de 5. dispersión 1.8.0 dB 4 x 1dB = 4dB 54dB −73dBm La potencia luminosa disponible para el detector es. en nuestro caso 1/30 x 10−6 = 33.0ns/km Detector: Fotodiodo PIN. y de aquí. τc=RLCD. NA = 0.3ns.

11: Error de un bit producido por el ruido aleatorio. El resultado es la repetición de bits erróneos (BER) y es siempre una fracción.002fW Para determinar la calidad del sistema tenemos que realizar el análisis de fallos donde se compara la salida del detector con el ruido del sistema.CEF Tema B.3s.01 significa que de cada 100 bits transmitidos hay uno erróneo. Un BER de 10−9 es aceptable para un sistema de telecomunicaciones y 10−12 para transmisión de datos entre ordenadores. Esto es un tiempo corto pero no significa que sólo se puedan mandar mensajes de duración menor de 33. Si conocemos la amplitud del ruido y la de la señal podemos calcular la probabilidad de la ocurrencia de errores. VL = iD RL = 19.8-20 Prof. Un BER = 0.1 x 10−9 = 1.37) B. Juan B. Un sistema con un alto BER será por tanto menos eficiente.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Ps = 1.1pW y con la capacidad de respuesta.3s para un BER de 10−9. Todos los sistemas digitales tienen métodos de chequeo de errores (chequeo de paridad por ejemplo) que detectan los errores y retransmiten la señal.3 = 50. PL = iD VL = 19. iD = Ps RE = 0. Siempre habrá ruido presente a la salida del detector y debemos ser capaces de discernir la señal que nos interesa del ruido. En sistemas digitales tendremos un nivel de decisión por encima del cual diremos que hay estado alto y por debajo estado bajo.00mW x 10−7.1nV y la potencia de salida será. Las principales fuentes de ruido en sistemas de fibra óptica son el ruido térmico y el ruido "shot". Ejea 11-nov-08 .1 x 10−12 = 19. del fotodiodo PIN obtenemos. Las ecuaciones que nos permiten cuantificarlos son las siguientes: (B.0pA y la tensión de salida del fotodiodo será.32 x 103 = 101. Cuanto menor sea el BER.93 x 10−18W = 0.0 x 10−12 5. por lo que los errores probables ocurrirán cada 109/30 x 106 = 33.0 x 10−12 101. RE. B.8. mejor. Esteban Sanchis / Prof. En nuestro caso transmitimos 30 x 106 bits por segundo. Fig.38 x 50.8. El ruido no solo es aleatorio si no que además puede generar picos que pueden llevar al sistema a confundir un estado alto con una bajo y a la inversa.

8. iDD la corriente de oscuridad. iSrms es el valor RMS de la corriente de ruido "shot".38) donde iTrms es el valor RMS de la corriente de ruido térmico. El método empleado para calcular el BER es diferente para cada uno de los tipos de ruido. Nuestro sistema llega justo a alcanzar este valor. Nosotros vamos a calcular el BER de un sistema limitado por el ruido térmico y para ello determinamos la relación señal ruido (SNR). siendo el cálculo mucho más complejo para el caso de un sistema limitado cuánticamente. La corriente de ruido "shot" vale.3ns = 15MHz: iTrms = 6. el BER mejora muy poco. Para un BER=10-12. e la carga del electrón. B. Δf = 0.CEF Tema B. En un buen diseño se han de tener en cuenta los efectos de temperatura y envejecimiento. iD la corriente de señal por el diodo. el ruido en un sistema limitado por el ruido "shot" proporciona un mejor BER que en un sistema limitado por el ruido térmico. [dB] (B. Como regla general. por encima de 15dB la pendiente de la representación cambia y una pequeña mejora del SNR da lugar a una mejora considerable del BER.8.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas (B. RL la resistencia de carga.35/23. T = 300K. Juan B. pero su cálculo es mucho más complejo. Ejea 11-nov-08 . Δf el ancho de banda del sistema. es necesario un SNR de 23dB. Para sistemas de potencia el sistema es limitado por el ruido "shot" (o limitado cuánticamente). Esteban Sanchis / Prof. T la temperatura absoluta.8-21 Prof.39) El valor de BER para la relación señal-ruido (SNR) hay que leerlo de la gráfica mostrada en la siguiente figura. así como las tolerancias de los componentes.35/ts = 0.83nA y la potencia de ruido térmico vale. iSrms = 373pA y la potencia de ruido "shot" En nuestro caso PTn >> PSn y por tanto el sistema está limitado por el ruido térmico. kB es la constante de Boltzmann. Esto es lo normal para sistemas de baja potencia. Esta gráfica muestra como hasta un SNR de 15dB. En nuestro caso.

CEF Tema B.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones ópticas Los sencillos cálculos mostrados aquí pretenden dar una idea de las etapas a seguir en el diseño. Ejea 11-nov-08 . Fig. Para sistemas con técnicas de modulación más elaboradas y redes de fibra óptica se requiere un análisis mucho más detallado. Juan B. Esteban Sanchis / Prof. B.8. B.8-22 Prof.12: Relación señal ruido en sistemas limitados por ruido térmico en función de la probabilidad de error (BER).