You are on page 1of 19

UNIVERZITET U TUZLI MAŠINSKI FAKULTET MEHATRONIKA

TRANZISTORI
Osnovi mehatronike I

Tuzla, Juni 2010 g.

Mirsad Muhamedbegović III-87/06

........... Karakteristika bipolarni tranzistora..... Unipolarni tranzistori..3................ Bipolarni tranzistori.....................16 Popis slika....................... Spojni tranzistor s efektom polja....18 1 ..4 2.................... 2........ Karakteristike tranzistora.......................2.............................3 TIPOVI TRANZISTORA.......................................................................................................................................................................................1........ ZAKLJUČAK.....................................................................................................1..................2.........2........4 2. UVOD..................1......2 1........................................ 1..........................17 Literatura...................... Karakteristika FET-a N tipa..................................13 3......2 O kućištima tranzistora.......2........................1...........................10 2................SADRŽAJ 1...................................................1........................0.............. Struktuira i karakteristika MOSA...............................................0.........................0.... 1.............3........4 2................................................................................................1.....................................................................................................2 Povezivanje.......................6 2............1....................................................................................................................................................................................8 2.........

imaju prilično jednostavne karakteristike. Za tako mali objekat teško je zalemiti žice. milioni pojedinačnih tranzistora čine mikroprocesor koji je sastavni dio današnjih računara. tranzistor se može upotrjebiti i za isključivanje ili pojačavanje napona. tranzistor ima još jednu prednost – troši manje od vakumske lampe a obavlja isti zadatak. Sa tranzistorima to nije slučaj.Maksimalna radna frekvencija Slika 1.Napon kolektor – baza .Napon kolektor – emiter .Plastika ili metal Tranzistori za pojačavanje signala prave se u plastičnim ili metalnim kućištima. Tranzistori su vrlo složene komponente. Njih karakteriše veliki broj kriterijuma. UVOD Tranzistori su razvijeni kao alternativa vakumskim lampama. Neki od njih su: .1. . vjerovatno zavisi od svjetlosti. pa proizvođači svoje tranzistore smještaju u plastična ili metalna kućišta.2.1. Dvije osnovne namjene tranzistora jesu pojačavanje singnala ili uključivanje i isključivanje signala. ali za neke precizne aplikacije neophodno je koristiti tranzistore u metalnom kućištu jer su otporniji na radio-smetnje. Za većinu primjena zadovoljavajuće je plastično kućište. . Pored malih dimenzija.Veličina je bitna Tranzistori snage prave se u plastičnim i metalnim kučištima i fizički su veći od onih za pojačavanje signala 2 . O kućištima tranzistora Poluprovodni materijal u kućištu tranzistora veličine je zrna pjeska.Maksimalna struja kolektora .1.Maksimalna disipacija . 1.0. kondezatori pa čak i diode. Različiti tipovi tranzistora 1. pa ih je lako klasifikovati. pa čak može biti i manji. Tranzistori za pjačavanje signala skoro uvjek imaju tri izvoda (ponekad četiri). Ako tranzistor ima dva izvoda. Odgovarajućim povezivanjem u kolo. Karakteristike tranzistora Otpornici. Postoje bukvalno nekoliko desetina različitih tipova i veličina kućišta tranzistora.

Raspored izvoda prikazan je na slici 1. odnosno izvoda.Emiter . Izvodi u tipičnom tranzistoru s tri priključka su: . zavisi od električnog kola.Baza . b) Metalni tranzistor Obavezno i neizostavno se mora provjeriti da li je se tranzistor u kolo pravilno instalirao. Koji se izvod s čim povezuje. a) b) Slika 1. Ako se povežu pogrešni izvodi.2. a) Plastični tranzistor.2.1.3. Povezivanje Tranzistori obično imaju tri žičana priključka. Emiter i kolektor vezuju se za pozitivan ili negativan napon.Kolektor Baza se vezuje za napon ili struju i ona uključuje ili isključuje tranzistor. može se oštetiti tranzistor a ponekad i druge komponente 3 . ili za uzemljenje.

U zavisnosti od njegove namjene u kolu odabiremo NPN ili PNP tranzistor. Unipolarni tranzistor kao i elektronička cijev je naponski upravljiv elektronički element. Slika 2. što je velika prednost prema bipolarnom tranzistoru koji je strujno upravljivi element. izlazna struja je struja većinskih nosilaca koja nastaje uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nosilaca. TIPOVI TRANZISTORA Tranzistori se dijele na NPN i PNP uređaje. Razlikovat ih možemo na osnovu izgleda ili na osnovu specifikacija iz kataloga i šema.0. Pojednostavljena struktura FET-a s kanalom N tipa prikazana je slikom 2. Pojednostavljena struktura spojnog tranzistora s efektom polja 4 .1.2. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju.1. a) b) Slika 2. tako da ih se može usporediti s elektroničkim cijevima.1. 2. Spojni tranzistor s efektom polja Spojni tranzistori s efektom polja se proizvode: s kanalom N tipa i s kanalom P tipa.2. Unipolarni tranzistori Kod unipolarnih tranzistora. Šematski prikaz: a) NPN tranzistora. b) PNP tranzistora 2. Oni se lakše proizvode od bipolarnih tranzistora i zauzimaju malo prostora kada se proizvode u tehnici integriranih krugova.1.2.

Jakost ove struje određena je Ohmovim zakonom. tako da uz malu promjenu napona na upravljačkoj elektrodi dolazi do velike promjene izlazne struje.3. odnosno šupljina kod P-kanalnog. Iz osiromašenog sloja strujni nosioci su difundirali preko spoja. Za određenu vrijednost inverznog napona UGS kanal cijelom svojom širinom postaje nevodljiv i struja kroz njega je tada jednaka nuli. Naziv “unipolarni”. difuzijom ili nekom drugim postupkom.2. odnosno naponom UDS i otporom kanala. Tada se difuzijom primjesa P tipa (akceptorskih primjesa) na N kanalu oformi jedna strana upravljačke elektrode.3. na kojoj se difuzijom donorskih primjesa oformi kanal N tipa. dolazi zbog toga što struju izvoda čini samo jedan tip nosilaca naboja . drain) i izvor (eng. a cijelo to područje naziva se upravljačka elektroda (end. dovede napon UDD. Na drugim stranama kanala oformljena su područja P tipa. međusobno povezana i jako dopirana (P+) koja s manje dopiranim (N) kanalom čine PN spoj.elektrona kod N-kanalnog FET-a. povećati će se i debljina osiromašenog područja kanala.). 5 . gate). i to više u području kanala. Područja upravljačkih elektroda mogu se dobiti legiranjem. osiromašeni slojevi PN spojeva se prošire jer su PN spojevi polarizirani u inverznom smjeru.Komadić materijala N tipa koji predstavlja kanal. čiji krajevi se nazivaju izvod ili ponor (eng. Doda li se potrošač u seriju s naponom UDD prema izvodu (D). vidi se. Ukoliko se taj inverzni napon poveća.. ponor (D) je onaj kraj kroz koji većinski nosioci izlaze iz kanala.elektrona. a manje u području upravljačke elektrode zbog različitih koncentracija primjesa (slika 2. source). dok drugu stranu predstavlja podloga. Na kraju se nanosi metal za mjesta priključaka. Proces započinje s podlogom P tipa. Slika 2. ostavljajući pozitivne ione na N strani i negativne ione na P strani. zbog čega će porasti otpor kanala. tada će kroz njega poteći struja većinskih nosilaca .kanal. Sam naziv “efekt polja” dolazi iz činjenice da su osiromašena područja u kanalu rezultat djelovanja električnog polja na inverzno polariziranim PN spojevima upravljačka elektroda (G) . a jedan tip konstrukcije FET-a dobiven procesom difuzije prikazan je slikom 2. da će se povećanjem inverznog napona između upravljačke elektrode i izvora smanjiti vodljiva širina kanala. Konstukcija FET-a dobivenog procesom difuzije Ako se na upravljačku elektrodu (G) priključi negativan potencijal u odnosu na potencijal izvoda (S). Ukoliko se na krajeve kanala sa slobodnim priključkom upravljačke elektrode. promjena struje ID dovodi do pada napona na potrošaču. ima oblik štapa. Izvor (S) je kraj kroz koji većinski nosioci ulaze u kanal. što znači. odnosno opasti će struja kanala pri konstantnom naponu na krajevima kanala.

To će dovesti do različitog širenja osiromašenog sloja duž kanala. Kada se postigne struja zasićenja. kako je to prikazano slikom 2. onda i pri naponu UDS=0 postoji osiromašeno područje u kanalu čija širina ovisi o naponu UGS. 6 . Područje karakteristike između UDS=0 i UDS=UP naziva se triodno područje. pri čemu će se tranzistor najvjerojatnije uništiti. duž kanala nema pada napona. koje dovodi do znatne promjene otpora kanala. pa se kod napona UP dolazi do struje zasićenja IDSS. struja ID stvara na njemu pad napona.triode.4. tako da se uz različite napone UGS dobiva skup krivulja prikazan slikom 2. tada se dobivenim vrijednostima može nacrtati krivulja prikazana na istoj slici.5. od UDS=0 kanal ima veći otpor. Daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do proboja. jer je ovaj dio sličan karakteristici elektroničke cijevi ..2. porast struje je približno linearan. tako da je normalni rad tranzistora s efektom polja u području zasićenja. Daljnjim povećanjem napona UDS dolazi do neznatnog povećanja struje ID. Tako se u odnosu na UGS=0 u području malih napona.) i za različite napone UDS mjeri struja ID. neće biti konstantan duž kanala zbog razlike pada napona na dijelu otpora izvora (S) do promatrane točke.4. oblik osiromašenih slojeva je takav da želi zatvoriti ili “prekinuti” kanal. jer su na tom dijelu PN spojevi najviše inverzno polarizirani. pa se napon kod kojeg se to događa naziva “napon prekida ili dodira” (eng. Napon između upravljačke elektrode (G) i neke točke na kanalu.. Ako se između upravljačke elektrode i izvora priključi napon UGS tako da još više inverzno polarizira PN spojeve. koji ovisi o jakosti ove struje. pinch off voltage) ili Vp. Niža struja zasićenja se postiže na nižim vrijednostima napona UDS. tako da je i napon između svake točke na kanalu i izvora (S) jednak nuli. Daljnjim porastom napona UDS nastaje znatno proširenje osiromašenog sloja. koji se naziva izlazna karakteristika tranzistora.. Kada je UDS=0 i ID=0. Slika 2. Prikaz osiromašenog polja pri UGS=0 i funkcija ID=f(UDS) Kako kanal ima određeni otpor. Njegov utjecaj najbolje se može pokazati ako se promatra karakteristika IDS=f(UDS) kada je UGS=0.2. pa krivulja ID=f(UDS) u tom području ima manji nagib.1. U području napona UDS=0 do nakog napona manjeg od UP. Ako se spoje upravljačka elektroda i izvor (slika 2. a najširi je u području priključka izvoda (D).4. Karakteristika FET-a N tipa Na ponašanje spojnog tranzistora s efektom polja bitno djeluje osiromašeni sloj PN spoja.

. Princip rada obje vrste je jednak. 7 . uz osnovnu razliku u smjeru napona za postizanje inverznog napona PN spoja upravljačka elektroda . Simboli oba tipa FET-a prikazani su slikom 2. kod kojeg je kanal P tipa.7. Prijenosna karakteristika FET-a ID=f(UGS) uz UDS=const Osim već opisanog N kanalnog FET-a postoji i P kanalni. Skup krivulja ID=f(UDS) pri UGS=const za FET Sa slike je vidljivo da se napon UP smanjuje ako se povećava inverzna polarizacija PN spojeva između upravljačke elektrode i kanala.. a upravljačke elektrode su N tipa. koja je prikazana slikom 2.6. Slika 2.kanal.6.Slika 2. Ukoliko se mjeri ID uz konstanatan UDS i promijenjiv UGS dobiva se prijenosna karakteristika FET-a.5.

Struktura MOSFET.. tako da se oni skupljaju ispod ploče u području između izvoda i izvora.a prikazana je slikom 2. Struktura i karakteristika mosa Osim naziva Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) može se naći naziv tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljačkom elektrodom. Ovo dočarava tzv.8.3. Jakost struje izvoda (D) je to veća što je veći broj nosilaca stvorenih naboja na strani upravljačke elektrode. Potencijalom na upravljačkoj elektrodi je tako moguće upravljati strujom izvoda (D). Struktura MOSFET-a s kanalom N tipa Jedno područje predstavlja izvod (D).9.8.7. gdje su na podlozi od visokootpornog poluvodičkog materijala P tipa (Si) difuzijom oformljena dva područja od jako dopiranog materijala N tipa.8. stvarajući na taj način kanal N tipa kako je to prikazano slikom 2.N kanalni FET P kanalni FET Slika 2. na kojem su napravljeni otvori prema N području i oformljeni metalni priključci za izvod i izvor.. Oni će biti privučeni na metalnu ploču. tako se cijeli spoj ponaša kao veliki otpor između izvoda i izvora. dva N područja i zajednička podloga P tipa predstavljaju dvije PN diode (suprotno orjentirane) između kojih je serijski vezan otpornik. Grafički simboli za spojni tranzistor s efektom polja 2.podloga ostaje inverzno polariziran. koja je na pozitivnom potencijalu. a veći pozitivni potencijal na njoj stvara veći broj nosilaca naboja. pa ako je pri tome priključak upravljačke elektrode (G) slobodan. a cijela površina je prekrivena slojem silicijevog dioksida. Na slici 2. Kako oba spoja ne mogu biti propusno polarizirana. prikazana je struktura MOS tranzistora s efektom polja s kanalom N tipa.elektroni. Slika 2. Na površini između područja izvoda i izvora postavlja se metal koji predstavlja upravljačku elektrodu (G). a proizvode se u dva podtipa: s kanalom N tipa i s kanalom P tipa. Ako se podloga P tipa poveže na priključak izvora (S) na PN spoju izvor-podloga nema napona. 8 . u podlozi se stvaraju negativni nosioci naboja . a PN spoj izvod. Dovođenjem napona na upravljačku elektrodu s pozitivnim potencijalom u odnosu na izvor (S). odakle i naziv MOS tranzistor.1. ali na nju ne mogu stići jer se između ploče i podloge nalazi izolirajući oksid. koji za podlogu P tipa predstavljaju manjinske nosioce. a drugo izvor (S). “sendvič strukturu”: metal-oksid-poluvodič. U normalnom radu napon između izvoda (D) i izvora (S) priključen je tako da pozitivan pol dođe na priključak izvoda.

Slika 2.10. ulazni otpor tranzistora je vrlo velik i iznosi oko 1012 do 1014 Ohma.9. a uz pozitivniji potencijal na upravljačkoj elektrodi i vodljivost kanala je veća. Izlazne i prijenosne karakteristike MOSFET-a sa tvorničkim izvedenim kanalom N tipa 9 .10. jer takav kanal ima određenu vodljivost i bez utjecaja električnog polja između upravljačke elektrode i podloge.. Tako se može pokazati da je izlazna struja praktički upravljana bez ulazne struje u ulaznom krugu tranzistora. Drugi tip MOSFET-a se dobije ako se tvornički oformi kanal. Nastajanje kanala N tipa priključkom potencijala na MOSFET Za napon UGS=0 i struja ID=0. Slika 2. Zbog toga što je upravljačka elektroda izolirana od kanala. Izlazne i prijenosne karakteristike ovog tipa MOSFET-a slične su karakteristikama spojnog FET-a kako je to prikazano slikom 2.. Kod ovog tranzistora za napon UGS=0 teče znatna struja izvoda IDSS (ako između izvoda i izvora postoji napon). neznatnom difuzijom primjesa istog tipa kao i izvor i izvod.

Slika 2. pa ako se promatra simetričan (iako je u praksi nesimetričan) tranzistor ( područje emitera i kolektora identične fizičke dimenzije i koncentracije primjesa). Ako je taj zajednički sloj od materijala N tipa. Dogovorom se uzima.12. Struktura i simboli oba tipa bipolarnih tranzistora Zajednički sloj naziva se baza (B).12. radi se o bipolarnom tranzistoru PNP tipa. kako je to prikazano slikom 2. Ako na krajevima tranzistora nema priključenog napona. kako je to prikazano slikom 2. a kod NPN tipa taj je sloj iz materijala P tipa.. Bipolarni tranzistori Bipolarni tranzistor je sastavljen iz kompaktne cjeline dva PN spoja. Na PN spojevim oformljuju se energetske barijere kao kod PN dioda.11. Slika 2. Simbol tranzistora PNP tipa je različit od NPN tipa po smjeru strelice koja se nalazi na emiterskom kraju. Tranzistor PNP tipa bez polarizacije i energetske razine 10 . sve su struje jednake nuli.2. onda dvije energetske barijere imaju iste vrijednosti q0U0.11.. tako da se između dva prijelazna područja PN spoja nalazi poluvodički sloj koji je zajednički za oba PN spoja. da je smjer struje pozitivan kada ona teče u tranzistor. a vanjski slojevi emiter (E) i kolektor (C).2.

14 Struktura struja u normalno polariziranom PNP tranzistoru 11 .13. Emiter i kolektor sadrže šupljine kao većinske nosioce. a) b) Slika 2. dok će se na kolektorskom spoju povećati za q0UCB. Slika 2.13. Kako je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru. struja većinskih nosilaca teče preko ovog spoja.) PN spojevi se polariziraju i to: emiterski PN spoj u propusnom smjeru. gdje je UEB napon polarizacije emiterskog spoja u propusnom amjeru.14. Normalno polarizirani PNP tranzistor sa energetskim razinama Energetska barijera na emiterskom PN spoju je snižena za q0UEB.).Priključkom napona na tranzistor (slika 2. gdje je UCB napon polarizacije kolektorakog PN spoja u nepropusnom smjeru. dok baza N tipa sadrži elektrone kao većinske nosioce (slika 2. a kolektorski u nepropusnom smjeru.

Šupljine koje se emitiraju u bazu se kompenziraju odlaskom istog broja elektrona iz emitera u vanjski krug prema izvoru napajanja u obliku emiterske struje IE.15. Slika 2. Struja ovih šupljina. To znači da se malom ulaznom snagom upravlja velikom izlaznom snagom. Struktura struja u normalno polariziranom NPN tranzistoru Kada se na krajeve emiterskog PN spoja. kako bi se očuvala električna neutralnost baze. koje potiču iz emitera. gdje se skupljaju i predstavljaju većinske nosioce. collect skupljati). Za manjinske nosioce . Kako je vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi relativno dugačko i ako je širina baze. malo mijenja napon UBE dolazi do male promjene struje baze. Manji dio kolektorske struje čine vlastiti manjinski nosioci kolektorskog PN spoja.elektroni. 12 . ako se na izlazu priključi odgovarajući omski potrošač. kao je to prikazano slikom 2. U prostor baze se u istom omjeru ubacuju većinski nosioci . što se konstrukcijom tranzistora efikasno postiže. relativno veliki broj šupljina emitiranih iz emitera u bazu dolazi do kolektorskog PN spoja. gdje predstavljaju manjinske nositelje. nepropusna polarizacija kolektorskog spoja predstavlja propusni smjer. te se na taj način održava ravnoteža. Sličan proces kretanja nosilaca naboja se odigrava i kod tranzistora NPN tipa. kada je u području normalne polarizacije. što na kraju ima za posljedicu znatno povećanje emiterske struje IE. tako da se pristizanje šupljina u kolektor kompenzira pristizanjem istog broja elektrona iz vanjskog izvora u obliku kolektorske struje IC. Njihovom rekombinacijom u području kolektora održava se električna ravnoteža ovog područja. Jedan dio šupljina ubaćenih u područje baze iz emitera. polariziranog u propusnom smjeru. tako da šupljine stižu u područje kolektora. rekombinira se s elektronima koji se nalaze u bazi kao većinski nosioci. odnosno dužina puta od emiterskog do kolektorskog područja dovoljno mala. Ovo skupljanje je znakovito za kolektor (od eng. pri znatnom izlaznom naponu UCE.Zbog polarizacije emiterskog PN spoja u propusnom smjeru emitersko područje emitira (stoga naziv “emiter”) šupljine u prostor baze. ali to dovodi do znatnog povećanja emisije manjinskih nosilaca u području baze. Gubitak ovih elektrona zbog rekombinacije se nadoknađuje elektronima iz vanjskog izvora UCC (kojim je emiterski PN spoj polariziran u propusnom smjeru). a time i do znatnog povećanja kolektorske struje IC.šupljine koje prelaze bazu.15. predstavlja glavninu struje kolektorskog PN spoja polariziranog u nepropunom smjeru..

.16..17. Strujni korak za određivanje karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera Za određivanje ulazne karakteristike tranzistora promatra se kako ulazna struja IB ovisi o ulaznom naponu UBE.2. izlazna. Ovisnost ulazne struje IB o ulaznom naponu UBE prikazan je ulaznom karakteristikom na slici 2. Karakteristike bipolarni tranzistora Promatrajući tranzistor kao četveropol i parametre koji utjeću na njegov rad mogu se postaviti četiri vrste karakteristika: ulazna.2. a daju se ili uz konstantan ulazni napon UBE ili ulaznu struju IB. Ovisnost struje IB=f(UBE) uz UCB=const (ulazna karakteristika) Izlazne karakteristike pokazuju ovisnost između izlazne struje IC i izlaznog napona UCE. ako se spoji na ulazni krug. prijenosna i povratna. zajedničke baze i zajedničkog kolektora. Ove karakteristike najčešće se upotrebljavaju. jer daju informaciju o ponašanju tranzistora. Slika 2. Kao što je poznato tranzistor se može spojiti u tri osnovna spoja: zajedničkog emitera. 13 . Za uporabu tranzistora kao pojačala najčešće se koristi spoj zajedničkog emitera.1.17.16. Slika 2. pri konstantnom izlaznom naponu UCE. Ova karakteristika objašnjava kako će se opteretiti izvor signala. a za određivanje karakteristika tranzistora u tom spoju koristi se strujni krug prikazan slikom 2.

2 aktivno područje i 3 područje zasićenja (slika 2.Na izlaznoj karakteristici mogu se opaziti tri područja rada tranzistora: 1 područje zapiranja ili prekida. tako da oba PN spoja u područje baze emitiraju manjinske nosioce ali nasuprot jedan drugom. može se vidjeti da postoji beskonačan broj mogućih stanja tranzistora. Radna točka leži na radnom pravcu koji je temelj za proučavanje struja i napona u određenom strujnom krugu. 14 . Ovisnost struje IC=f(UCE) uz IC=const (izlazna karakteristika) U području zapiranja oba PN spoja su polarizirana u nepropusnom smjeru. Između kolektora i emitera djeluje napon zasićenja. pa kroz tranzistor teku samo male struje. pri čemu kolektorska struja ostaje konstantna čak i pri većoj baznoj struji ili naponu UBE. Za primjenjene napone tranzistor pruža veliki otpor. Pod radnom točkom podrazumjeva se točka koja predstavlja stanje napona i struja na izvodima tranzistora bez priključenog signala na ulazu pojačala.19. Ako se analizira pojačalo s bipolarnim tranzistorom može se vidjeti da je stanje istosmjernog napona i struje tranzistora opisano radnom točkom. Slika 2. pa tranzistor pruža mali otpor priključenom naponu. U aktivnom području emiterski PN spoj je polariziran u propusnom smjeru tako da emiter emitira u područje baze manjinske nosioce koje kolektorski PN spoj skuplja.18. Iz karakteristika. U području zasićenja oba PN spoja su polarizirana u propusnom smjeru.).18. ako se pod stanjem podrazumjeva odnos napona i struje na njegovim krajevima. Stoga se radni pravac crta u istom koordinatnom sustavu zajedno s izlaznim karakteristikama tranzistora (slika 2.).

naponi i struje na krajevima tranzistora ne ostaju više na vrijednostima određenim radnom točkom.19. 15 . već se mijenjaju po dinamičkom pravcu u ritmu ulaznog signala.Slika 2. Karakteristike tranzistora u ucrtanim ranim pravcem Kada na ulazu pojačala djeluje promjenjivi signal.

16 . Razvojem tranzistora. ZAKLJUČAK Tranzistori su aktivni poluvodički elementi. ali su bitno različiti u načinu upravljanja izlaznom strujom.0. Bipolarni i unipolarni tranzistori imaju sličnu temeljnu poluvodičku strukturu. a pretežito se upotrebljavaju kao pojačala ili elektroničke sklopke. ujedno se omogućilo razvoj tehnologije.3. koji su zamjenili vakumske lampe. u pravilu s tri elektrode.

Različiti tipovi tranzistora Slika 1. Karakteristike tranzistora u ucrtanim ranim pravcem 17 . Struktura i simboli oba tipa bipolarnih tranzistora Slika 2. Tranzistor PNP tipa bez polarizacije i energetske razine Slika 2.3.1.17.9.2. b) PNP tranzistora Slika 2. Nastajanje kanala N tipa priključkom potencijala na MOSFET Slika 2.8.2.18.12.15. b) Metalni tranzistor Slika 2. Pojednostavljena struktura spojnog tranzistora s efektom polja Slika 2. Šematski prikaz: a) NPN tranzistora. Struktura struja u normalno polariziranom NPN tranzistoru Slika 2.11. Struktura MOSFET-a s kanalom N tipa Slika 2. Konstukcija FET-a dobivenog procesom difuzije Slika 2.19.7. Prikaz osiromašenog polja pri UGS=0 i funkcija ID=f(UDS) Slika 2. Ovisnost struje IB=f(UBE) uz UCB=const (ulazna karakteristika) Slika 2. Skup krivulja ID=f(UDS) pri UGS=const za FET Slika 2. Ovisnost struje IC=f(UCE) uz IC=const (izlazna karakteristika) Slika 2. Prijenosna karakteristika FET-a ID=f(UGS) uz UDS=const Slika 2.6. Grafički simboli za spojni tranzistor s efektom polja Slika 2.1. Strujni korak za određivanje karakteristike tranzistora u spoju emitera Slika 2.POPIS SLIKA Slika 1.13.14 Struktura struja u normalno polariziranom PNP tranzistoru Slika 2.10.5.16.4. Normalno polarizirani PNP tranzistor sa energetskim razinama Slika 2. a) Plastični tranzistor. Izlazne i prijenosne karakteristike MOSFET-a sa izvedenim kanalom N tipa Slika 2.

Erl Boysen : ELEKTRONIKA ZA NEUPUĆENE [3] www.LITERATURA [1] Prof. Dr.org 18 . izdanje [2] Gordon McComb.wikipedia. Uroš Peruško : DIGITALNA ELEKTRONIKA II.