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ELECTR0NlCA 8A3lCA
241$.'/#5
Ue trersIstcres FET
1
1
EJEFCICICG Ue trersIstcres JFET:
ELECTR0NlCA 8A3lCA
Problema 1
D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) est unido al
terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensin
en el dispositivo se denomina v, y la corriente a travs de l se denomina i,
demostrar que:
i k J v v I
v
J
v
J
p DSS
p pt

, para ( 0 @ v @ -J
p
)
DSS p
I J k i

, para ( v J -J
p
)
E Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del
transistor JFET est estrangulado.
6ROXFLyQ E R03=f.
Problema 2
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensin cuya caracterstica de transferencia sea prcticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensin V
DS
pequea. Demostrar que el valor de la resistencia
variable del dispositivo r
DS
es:


p
GS
p
p
D
DS
DS
J
J
J K
J
I
J
r

Hallar el rango de valores de r


DS
que se obtienen variando V
GS
desde 0 hasta 0.9V
p
,
suponiendo que V
p
=-4V e K=1mA/V
2
.
6ROXFLyQ 0.125|: d R03 d 1.25|:
2
Problema 3
En el circuito de la figura, hallar el valor de R
D
, R
S
, R
G1
y R
G2
de forma que el valor de la
corriente de drenador sea I
D
=I
DSS
/2 y que la tensin en R
D
, R
S
y entre los terminales
drenador (D) y fuente (S) del dispositivo, sea la misma. Suponer que I
DSS
=8mA, V
p
=-2V
y que la corriente a travs del divisor de tensin es de 1PA.
V
DD
= 15V
R
G2
R
S
R
G1
R
D
6ROXFLyQ R0=1.25|:. R3=1.25|:. R01=10.58V:. R02=1.111V:.
Problema 4
En el circuito de la figura, hallar el valor de R
D
, R
1
y R
2
, de forma que V
DS
=6V, V
A
=1V,
R
A
=R
1
// R
2
= 54.5k:, teniendo en cuenta que los parmetros caractersticos del
transistor JFET canal n son I
DSS
=10mA y V
p
=-3.8V, y que en el circuito V
DD
=15V,
R
S
=1k: y R
3
=3.3M:.
V
DD
R
2
R
S
R
1
R
D
R
3
A
6ROXFLyQ R0=2.23|:. R1=81Z.5|:. R2=58.39|:.
3
Problema 5
Se desea polarizar el transistor JFET de la figura, cuyas curvas caractersticas se
muestran en la figura F
1
, en el punto de trabajo V
GS
=-1.5V, V
DS
=6V.
D Hallar el valor de R
D
, R
S
, R
G1
y R
G2
, sabiendo que R
G
=R
G1
// R
G2
= 90k: y que
V
G
=1.5V.
E Trazar la recta de carga esttica, indicando el valor de su pendiente.
V
DD
= 1 5V
R
G2
R
S
R
G1
R
D
V
$
(V)
I

(mA)
V
GS
= - 1.0V
V
GS
= - 0.5V
2 6 1u
12
1u
8
6
4
2
V
GS
= - 2.0V
V
GS
= - 1.5V
figur a F1
6ROXFLyQ D R0=1|:. R3=0.5|:. R01=900|:. R02=100|:.
Problema 6
D En el circuito de la figura se emplea un transistor JFET de canal n cuyos
parmetros caractersticos son V
p
=-5V e I
DSS
=12mA. Hallar el valor de I
D
y V
DS
teniendo en cuenta que V
DD
=18V, R
S
=2k:, R
D
=2k:, R
G1
=400k:, R
G2
=90k:.
E Si se cambia la resistencia R
G2
, cul debe ser el nuevo valor de R
G2
si I
D
=8mA?
F Con los mismos valores dados para al apartado D, pero cambiando el valor de V
DD
,
hallar el nuevo valor que debe tomar para que I
D
=8mA. Cul es el nuevo valor de
V
DS
?
G El circuito del apartado D se emplea para obtener una corriente de drenador
I
D
=2.5mA y una tensin drenador-fuente V
DS
=17.5V con una fuente de tensin
V
DD
=30V. Hallar el valor de R
G1
, R
G2
y R
D
teniendo en cuenta que R
G
=R
G1
// R
G2
t
100k: y R
S
=1.2k:.
V
DD
R
G2
R
S
R
G1
R
D
6ROXFLyQ Dl0=2.91rA. v03 =.3v. E R02=20Z.9|:. F V
DD
=82.116V. V
DS
=50.116V. G R0=3.8|:.
1
R01=10.3V:. R02=100.919|:.
Problema 7
En el circuito de la figura, V
DD
=15V, V
SS
=-9V, R
G
=100k:, R
D
=3.3k: y R
S
=6.8k:, y los
parmetros caractersticos del transistor JFET de canal n, son I
DSS
=5mA y V
p
=-6V.
Hallar:
D Valor de V
0
si V
GG
=0V.
E Valor de V
0
si V
GG
=5V.
F Valor de V
GG
para que V
0
=0V.
V
DD
R
D
R
G
R
S
V
SS
V
GG
V
O
6ROXFLyQ Dv0=2.51v. E v0=5.885v. F v00=-2.913v.
Problema 8
El transistor de la figura es un JFET canal p con I
DSS
=1mA y V
p
=1V. Determinar el valor
de la tensin de drenador V
D
, teniendo en cuenta que V
DD
=-12V, R
D
=47k:, R
S1
=5.6K:,
R
S2
=3.3k: y R
G
=1M:.
V
DD
R
D
R
G
R
S1
R
S2
6ROXFLyQ v0=-.112v.
5
Problema 9
Demostrar que para que los transistores JFET canal n Q
1
y Q
2
estn trabajando en
modo activo, es necesario que se cumpla que:
I
D
R
S
J 0.5[J
p
[
J
DD
-I
D
R
D
J 1.5[J
p
[
Asumiendo que los parmetros caractersticos de los transistores JFET canal n Q
1
y Q
2
son idnticos, y que V
DD
=10V, |V
p
|=2V e I
DSS
=4mA, hallar el valor de R
S
y R
D
de forma
que:
D V
DG1
=|V
p
| y V
DG2
=2|V
p
|.
E V
DG1
=1.5|V
p
| y V
DG2
=1.5|V
p
|.
V
DD
R
D
R
S
Q
2
Q
1
6ROXFLyQ DR0=5|:. R3=1|:. ER0=22|:. R3=|:.