Introducción Dentro de los dispositivos electrónicos de potencia, podemos citar: los diodos y transistores de potencia, el tiristor, así como

otros derivados de éstos, tales como los triac, diac, conmutador unilateral o SUS, transistor uniunión o UJT, el transistor uniunión programable o PUT y el diodo Shockley. Existen tiristores de características especiales como los fototiristores, los tiristores de doble puerta y el tiristor bloqueable por puerta (GTO). Lo más importante a considerar de estos dispositivos, es la curva característica que nos relaciona la intensidad que los atraviesa con la caída de tensión entre los electrodos principales. El componente básico del circuito de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
• • •

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia. Ser capaces de soportar grandes intensidades y altas tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

El último requisito se traduce en que a mayor frecuencia de funcionamiento habrá una mayor disipación de potencia. Por tanto, la potencia disipada depende de la frecuencia.

Ahora veremos los tres bloques básicos de semiconductores de potencia y sus aplicaciones fundamentales: Semiconductores de alta potencia
Dispositivo Intensidad máxima

Rectificadores estándar o rápidos 50 a 4800 Amperios Transistores de potencia Tiristores estándar o rápidos GTO 5 a 400 Amperios 40 a 2300 Amperios 300 a 3000 Amperios

Aplicaciones:
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Tracción eléctrica: troceadores y convertidores. Industria: o Control de motores asíncronos. o Inversores. o Caldeo inductivo. o Rectificadores. o Etc.

Módulos de potencia
Dispositivo Módulos de transistores Intensidad máxima 5 a 600 A. 1600 V.

SCR / módulos rectificadores 20 a 300 A. 2400 V. Módulos GTO IGBT 100 a 200 A. 1200 V. 50 a 300A. 1400V.

Aplicaciones:
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Soldadura al arco. Sistema de alimentación ininterrumpida (SAI). Control de motores. Tracción eléctrica.

Semiconductores de baja potencia
Dispositivo Intensidad máxima SCR 0'8 a 40 A. 1200 V.

Triac Mosfet

0'8 a 40 A. 800 V 2 a 40 A. 900 V.

Aplicaciones :
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Control de motores. aplicaciones domésticas. Cargadores de baterías. Control de iluminación. Control numérico. Ordenadores, etc.

Aplicaciones generales: evolución práctica

En lo sucesivo se empleará la siguiente simbología en los subíndices: Primer subíndice:
D: R: F: T: R: estado de reposo (o no conducción) inverso (sentido de bloqueo) directo estado de funcionamiento (conducción) valor repetitivo

Segundo subíndice:

las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales. aunque tienen. entre otras. En sentido inverso. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción.S: W: M: AV: RMS: valor no repetitivo estado de trabajo (normal de funcionamiento) valor de pico o máximo valor medio de continua valor eficaz Tercer subíndice: Ejemplos: VRSM: IF(AV): PRRM: tensión inversa de pico no repetitivo intensidad media nominal potencia inversa de pico repetitiva El diodo de potencia Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos. El diodo responde a la ecuación: La curva característica será la que se puede ver en la parte superior. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. donde: .

Potencias: o Potencia máxima disipable.VRRM: tensión inversa máxima VD: tensión de codo. Características dinámicas: o Tiempo de recuperación inverso (trr). las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: • • • • • Características estáticas: o Parámetros en bloqueo (polarización inversa). o Influencia del trr en la conmutación. o Modelo estático. o Parámetros en conducción. Características térmicas. o Tiempo de recuperación directo. o Potencia inversa de pico no repetitivo. o Potencia inversa de pico repetitivo. A continuación vamos a ir viendo las características más importantes del diodo. Características estáticas . Protección contra sobreintensidades. o Potencia media disipada.

Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conducción. con una duración de pico a 1 ms. con una duración de 10 ms. Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más. aunque sea una sola vez. Parámetros en conducción • • • • Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180º que el diodo puede soportar. sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. repetidos cada 10 ms de forma continuada. durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo. Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de intensidad aplicable.Parámetros en bloqueo • • • • • Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada. a una determinada temperatura de la cápsula (normalmente 25º). Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms. una vez cada 10 minutos. Modelos estáticos del diodo . Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms .

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la figura superior. reservando modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto . Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante. e incluso pueden venir ya en las librerías del programa. Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar. para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Características dinámicas Tiempo de recuperación inverso El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente.

En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. • • • ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. • • • Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada. Irr: es el pico negativo de la intensidad. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula. y representa el área negativa de la característica de recuperación inversa del diodo. La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso de portadores. trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt.mayor sea IF. La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo : De donde : .

debemos usar diodos de recuperación rápida. por tanto. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. Para altas frecuencias. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. y por tanto mayor será trr. .Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos: • • Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0 En el primer caso obtenemos: Y en el segundo caso: Influencia del trr en la conmutación Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : • • Se limita la frecuencia de funcionamiento. Factores de los que depende trr : • • A mayor IRRM menor trr.

pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento. llamada ésta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV) Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción. Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables. como : Si incluimos en esta expresión el modelo estático. si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. resulta : y como : . Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo.Tiempo de recuperación directo tfr (tiempo de recuperación directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodocátodo se hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Disipación de potencia Potencia máxima disipable (Pmáx) Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar.

es la intensidad media nominal es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente : Generalmente el fabricante integra en las hojas de características tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. En ocasiones. uno mínimo y otro máximo. . que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores. pero dada para un pulso único. Características térmicas Temperatura de la unión (Tjmáx) Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento). Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM) Similar a la anterior. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).

Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd) Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). pasando de forma casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica). . debido a cualquier causa. etc. Organos de protección Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles.Tc) / Pmáx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima disipable. pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentación de motores. del tipo "ultrarrápidos" en la mayoría de los casos. Se supone que la propagación se efectúa directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula: Rjc = (Tjmáx . la presencia de un cortocircuito en la carga. etc). Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc) Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. De todos modos. Estas sobrecargas se traducen en una elevación de temperatura enorme en la unión.Temperatura de almacenamiento (Tstg) Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. carga de condesadores. Protección contra sobreintensidades Principales causas de sobreintensidades La causa principal de sobreintensidad es. naturalmente. utilización en régimen de soldadura. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. que es incapaz de evacuar las calorias generadas.

Existen tres tipos de transistores de potencia: • • • bipolar. las altas potencias a disipar. Parámetro I2t La I2t de un fusible es la caracterísitca de fusión del cartucho. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo. teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y. por esto el calibre de un fusible no se da sólo con su valor eficaz de corriente. más la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares: • Trabaja con tensión. como su nombre indica. ya que así será el fusible el que se destruya y no el diodo. el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios.Los fusibles. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). . IGBT. El transistor de potencia El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales. por tanto. sino incluso con su I2t y su tensión. MOS Bipolar Parámetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturación) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios) Alta (107) Media / alta Alta Alto (1000 V) Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150ºC) Máxima temperatura de operación Alta (200ºC) Frecuencia de trabajo Coste Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz) Alto Medio El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS. actúan por la fusión del metal de que están compuestos y tienen sus caracterísitcas indicadas en función de la potencia que pueden manejar.

• • Tiempos de conmutación bajos. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector. mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre puerta y fuente. Bajos tiempos de respuesta (ton . Una limitación importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares. la tensión VGS controla la corriente ID. Alta concentración de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Es una característica común. En ambos casos. a un elemento ideal: • • • • • • Pequeñas fugas. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE máxima elevada). sino que siempre hay un retardo (ton . Alta potencia. el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre más pequeña que la potencia manejada en los otros dos terminales. . para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. toff). En resumen. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de ambos dispositivos.emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores. Disipación mucho mayor (como los bipolares). destacamos tres cosas fundamentales: • • • En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. es que el paso de bloqueo a conducción y viceversa no se hace instantáneamente. Principios básicos de funcionamiento La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuación sobre el terminal de control. lo más posible. toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector base y base . sin embargo. En un FET. que son substancialmente distintas. Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ). Nos interesa que el transistor se parezca. con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante mayor.

hasta que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final. Tiempo de subida (Rise time. al cambiar de un estado a otro se produce un pico de potencia disipada.Tiempos de conmutación Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. tr): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final. ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable. td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador. debido a que al aumentar ésta. Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). también lo hace el número de veces que se produce el paso de un estado a otro. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo. A su vez. Tiempo de almacenamiento (Storage time. Tiempo de retardo (Delay Time. ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final. Pero si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación. cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos. . por lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor.

Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el transistor: Otros parámetros importantes Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el 90% y el 10% de su valor final. corriente media por el colector).Tiempo de caída (Fall time. ICAV. . Por tanto. se pueden definir las siguientes relaciones : Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo de encendido (ton).

Este valor.control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa). VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET.base y a una polarización inversa de la unión colector . Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante. determina la potencia máxima de disipación en saturación. Modos de trabajo Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del sentido o signo de los voltajes de polarización en cada una de las uniones del transistor pueden ser : • Región activa directa: Corresponde a una polarización directa de la unión emisor . drenador y fuente en los FET). Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares. Esta es la región de operación normal del transistor para amplificación.Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto. junto con el de corriente máxima. . Relación corriente de salida . VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto. Con este valor se determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.base.

Sin embargo. La operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido. En efecto. con dicha polarización se crea un campo magnético transversal en la zona de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequeña zona del dispositivo (anillo circular). pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC 0). la unión colector . denominado avalancha primaria.La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarización de la base. Avalancha secundaria. a la corriente de . que se produce cuando tenemos polarizada la unión base emisor en directo. Si se sobrepasa la máxima tensión permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO). o la tensión máxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO).base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo. puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por debajo de los límites anteriores debido a la aparición de puntos calientes (focalización de la intensidad de base). Esta región es usada raramente. Curvas SOA. La operación en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo apagado.• • • Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor . Región de saturación: Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE 0). Región de corte: Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones.base.base y a una polarización directa de la unión colector .

conocidas como curvas FBSOA.emisor se produce la focalización de la corriente en el centro de la pastilla de Si. y alcanzando cierto valor. . Los límites de IC y VCE durante el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante. se produce en los puntos calientes un fenómeno degenerativo con el consiguiente aumento de las pérdidas y de la temperatura. El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir unos codos bruscos que desvían la curva de la situación prevista (ver gráfica anterior). Para ello el fabricante suministra unas curvas límites en la zona activa con los tiempos límites de trabajo. en un área más pequeña que en polarización directa. con efectos catastróficos en la mayor parte de los casos. se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o también segunda ruptura). Durante el toff. con polarización inversa de la unión base . por lo que la avalancha puede producirse con niveles más bajos de energía. El transistor puede funcionar por encima de la zona límite de la avalancha secundaria durante cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. cada una de las cuales es para un ciclo concreto. Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente pulsante. A este fenómeno.colector y a la VCE. Efecto producido por carga inductiva. Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Protecciones. Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo más desfavorables dentro de la zona activa.

el transistor pasará de corte a saturación por la recta que va desde A hasta C. Puede verse que este último paso lo hace después de una profunda incursión en la zona activa que podría fácilmente sobrepasar el límite de avalancha secundaria. Para proteger al transistor y evitar su degradación se utilizan en la práctica varios circuitos. Para una carga resistiva. con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc). . Sin embargo. mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber). que se muestran a continuación : a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de ser superior a la tensión de la fuente Vcc). el transistor pasará de corte a saturación. Para una carga resistiva. y de saturación a corte desde C a A. con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturación recorriendo la curva ABC. b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento del transistor en corte y saturación.

En la tercera protección. al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el diodo y por el condensador CS. Para el cálculo de CS podemos suponer. el paso de saturación (punto A) a corte (punto B) se produce de forma más directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc. el cual tiende a cargarse a una tensión Vcc.Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de saturación a corte. que la energía almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la intensidad de colector se anule. Cuando el transistor pasa a saturación el condensador se descarga a través de RS. por lo que la constante de tiempo de RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en saturación el transistor : . proporcionando a través de los diodos un camino para la circulación de la intensidad inductiva de la carga. Diseñando adecuadamente la red RC se consigue que la tensión en el transistor durante la conmutación sea inferior a la de la fuente. Por tanto : de donde : Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo. alejándose su funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha secundaria. donde vemos que con esta red. El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura adjunta. despreciando las pérdidas.

emisor viene dada como : Sustituyendo.Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga resistiva La gráfica superior muestra las señales idealizadas de los tiempos de conmutación (ton y toff) para el caso de una carga resistiva. . Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de colector. tendremos que : Nosotros asumiremos que la VCE en saturación es despreciable en comparación con Vcc. En estas condiciones (0 t tr) tendremos : donde IC más vale : También tenemos que la tensión colector .

con el resultado: De forma similar. viene dado como: La potencia media resultante dependerá de la frecuencia con que se efectúe la conmutación: Un último paso es considerar tr despreciable frente a tf. Wr.Así. tras sustituir. la potencia instantánea por el transistor durante este intervalo viene dada por : La energía. la energía (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de caída. disipada en el transistor durante el tiempo de subida está dada por la integral de la potencia durante el intervalo del tiempo de caída. con lo que no cometeríamos un error apreciable si finalmente dejamos la potencia media. como: Cálculo de potencias disipadas en conmutación con carga inductiva .

los tiempos de conmutación limitan el funcionamiento del transistor. La energía perdida durante en ton viene dada por la ecuación: Durante el tiempo de conducción (t5) la energía perdida es despreciable. la energía de pérdidas en el transistor vendrá dada por la ecuación: La potencia media de pérdidas durante la conmutación será por tanto: Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de pérdidas a lo largo del periodo (conmutación + conducción). La energía de pérdidas en conducción viene como: Ataque y protección del transistor de potencia Como hemos visto anteriormente. por lo que nos interesaría reducir su efecto en la medida de lo posible. puesto que VCE es de un valor ínfimo durante este tramo. VCE(t) y p(t) para carga inductiva.Arriba podemos ver la gráfica de la iC(t). . Durante el toff.

El otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff. En estas condiciones. En consecuencia.Los tiempos de conmutación pueden ser reducidos mediante una modificación en la señal de base. si queremos que un transistor que actúa en conmutación lo haga lo más rápidamente posible y con menores pérdidas. y una vez que el transistor está en corte. se hace cero para evitar pérdidas de potencia. tal y como se muestra en la figura anterior. lo ideal sería atacar la base del dispositivo con una señal como el de la figura anterior. Puede verse como el semiciclo positivo está formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturación (y por tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este modo la potencia disipada no será excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentará). la intensidad de base aplicada tendrá la forma indicada a continuación: . Para esto se puede emplear el circuito de la figura siguiente.

7 v y el condensador C se carga a una tensión VC de valor: debido a que las resistencias R1 y R2 actúan como un divisor de tensión. Para que todo lo anterior sea realmente efectivo. la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale: En el instante en que la tensión de entrada pasa a valer -Ve(min). y la VBE=0.7 v. la tensión de entrada (Ve) se mantiene a un valor Ve (máx). de tiempo con que se cargará el condensador será aproximadamente de: Con el condensador ya cargado a VC. Ambos valores se suman a la tensión de entrada.Durante el semiperiodo t1. La cte. lo que produce el pico negativo de intensidad IB (mín): A partir de ese instante el condensador se descarga a través de R2 con una constante de tiempo de valor R2C. tenemos el condensador cargado a VC. En estas condiciones la VBE es de unos 0. debe cumplirse que: con esto nos aseguramos que el condensador está cargado cuando .

Tecnología Smart Power . y mediante una suave saturación lograremos reducir tS : Inicialmente tenemos que: En estas condiciones conduce D2. con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor: Si imponemos como condición que la tensión de codo del diodo D1 se mayor que la del diodo D2. obtendremos que IC sea mayor que IL: En lo que respecta a la protección por red snubber. obtendremos finalmente una frecuencia máxima de funcionamiento : Un circuito más serio es el de Control Antisaturación: El tiempo de saturación (tS)será proporcional a la intensidad de base.apliquemos la señal negativa. Así. ya se ha visto anteriormente.

Lámparas (automóvil). Estos circuitos integrados disipan una potencia apreciable (2 . Tipos de relés Un relé es un sistema mediante el cuál se puede controlar una potencia mucho mayor con un consumo en potencia muy reducido. Fuentes de alimentación. Cabezales de impresora. La tecnología bipolar consiste en la utilización de soluciones bipolares para cada uno de los elementos de potencia y de control. optando por CMOS cuando la parte de control del circuito smart power ha de incluir funciones digitales. con un bajo costo y sencillez. Ello se debe a un menor consumo de potencia y al hecho de no presentar dependencias entre la ganancia y la corriente. Campos de aplicación : • • • • • • • Sistemas basados en microprocesador. Telecomunicaciones.4 A). Motores (CC. Con estos circuitos obtenemos un mayor rendimiento y una mayor facilidad de implementación. los tenemos hechos. Esto hace que su implantación en el mercado vaya creciendo con el paso de los años. CA y paso a paso). La tecnología mixta se basa en la realización de la parte de potencia y de la parte de control mediante procesos diferentes. se han usado dos tecnologías : la bipolar y la mixta. Según el tipo de uso que necesitemos escogeremos una tecnología de fabricación. ya que los circuitos de control no hay que diseñarlos. . al proporcionar soluciones a múltiples necesidades. Algunos pueden incluso llevar la etapa de control (circuitos integrados inteligentes). Para integrar en una pastilla la parte de potencia y la parte de control.La expresión smart power se refiere a la tecnología de integración en un dispositivo monolítico de uno o varios componentes de potencia y de componentes lógicos o analógicos de tratamiento de señal. Pantallas planas.

dispositivo conmutador de frecuencia. Estructura de un relé En general.circuito excitador. Adaptación sencilla a la fuente de control. . Circuito de acoplamiento. Para los relés de estado sólido se pueden añadir : . Las dos posiciones de trabajo en los bornes de salida de un relé se caracterizan por: .En estado cerrado. alta impedancia. C) Reed inversores. tanto en el circuito de entrada como en el de salida.En estado abierto. . Características generales Las características generales de cualquier relé son: • • • • El aislamiento entre los terminales de entrada y de salida. carga o maniobra. constituido por: .protecciones.Tipos de relés: • Relés electromecánicos: A) Convencionales. Posibilidad de soportar sobrecargas. . Circuito de salida. baja impedancia. • • Relés híbridos. podemos distinguir en el esquema general de un relé los siguientes bloques: • • • Circuito de entrada. control o excitación. B) Polarizados. Relés de estado sólido.

compatible con TTL y MOS. El esquema siguiente nos explica prácticamente su constitución y funcionamiento. Conexión en el paso de tensión por cero. Ausencia de ruido mecánico de conmutación. Relés electromecánicos. El electroimán hace vascular la armadura al ser excitada. Relés de tipo armadura Son los más antiguos y también los más utilizados. cerrando los contactos dependiendo de si es N. Vamos a ver los diferentes tipos de relés electromecánicos. debido a su mayor fuerza atractiva (por ello es útil para manejar altas corrientes). Cerrado a las influencias exteriores por un recubrimiento plástico. Relés de Núcleo Móvil Estos tienen un émbolo en lugar de la armadura anterior. Se utiliza un solenoide para cerrar sus contactos. Escasa potencia de mando.O ó N. Están formados por una bobina y unos contactos los cuales pueden conmutar corriente continua o bien corriente alterna. . insensibilidad a las sacudidas y a los golpes.• • • • • • Gran número de conmutaciones y larga vida útil. desconexión en el paso de intensidad por cero.C (normalmente abierto o normalmente cerrado).

Relés Polarizados Llevan una pequeña armadura. El extremo inferior puede girar dentro de los polos de un electroimán y el otro lleva una cabeza de contacto. es un circuito eléctrónico que contiene en su interior un circuito disparado por nivel. Dichos contactos se cierran por medio de la excitación de una bobina. Si se excita al electroimán. en cuyo interior están situados los contactos (pueden se múltiples) montados sobre delgadas láminas metálicas. acoplado a un interruptor semiconductor. se mueve la armadura y cierra los contactos. Por .Relé tipo Reed o de Lengüeta Formados por una ampolla de vidrio. solidaria a un imán permanente. abriendo los contactos ó cerrando otro circuito( ó varios) Relés de estado sólido Un relé de estado sólido SSR (Solid State Relay). un transistor o un tiristor. Si la polaridad es la opuesta girará en sentido contrario. que está situada alrededor de dicha ampolla.

etc. Estructura del SSR: • Circuito de Entrada o de Control: Control por tensión continua: el circuito de entrada suele ser un LED ( Fotodiodo). • Circuito de Conmutación o de salida. Control por tensión Alterna: El circuito de entrada suele ser como el anterior incorporando un puente rectificador integrado y una fuente de corriente continua para polarizar el diodo LED. CA. también podemos encontrarlo con un diodo en antiparalelo para evitar la inversión de la polaridad por accidente. 24V. y otros valores normalizados ( 12V. no un dispositivo formado por componentes independientes que se han montado sobre una placa de circuito impreso. El acoplamiento con el circuito se realiza por medio de un optoacoplador o por medio de un transformador que se encuentra acoplado de forma magnética con el circuito de disparo del Triac. un fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. solo o con una resistencia en serie. Este circuito será diferente según queramos conmutar CC. Optoacopladores Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor. Los niveles de entrada son compatibles con TTL. • Acoplamiento. .SSR se entenderá un producto construido y comprobado en una fábrica. El circuito de salida contiene los dispositivos semiconductores de potencia con su correspondiente circuito excitador.). CMOS. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Diferentes tipos de Optoacopladores Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT.Funcionamiento del Optoacoplador La señal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del fotoreceptor. La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensión eléctrica a su salida. Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED. que podrían ser pulsos de tensión. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac . Este responde a las señales de entrada. este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a través de una pequeña guia-ondas de plástico o cristal hacia el fotorreceptor.

El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo en los cruce por cero de la corriente alterna.Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. Madrid "Power electronics" M. Antonio Gallo Torres.J. circuits. J. devices and applications" H. Rashid Muhammad Prentice Hall "Elementos semiconductores de potencia: diodos" "Elementos semiconductores de potencia: transistores" Hamdi Habib-Allah. departamento de electrónica. tiristores y triacs" M. Aguilar Peña E. Fisher PWS-KENT "Power electronics.Gaudry Ed.U. Paraninfo. "Rectificadores. Politécnica de Jaén. .D.

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