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中国机械工程第 22 卷第 1 期 2011 年 1 月上半月

CVD 金刚石膜抛光技术综述
焦可如1,2暋 黄树涛1暋 周 暋 丽1暋 许立福1

1.沈阳理工大学,沈阳,
110159暋暋2.长春理工大学,长春,
130022

摘要:针对近年来国内外的化学气相 沉 积(
CVD)金 刚 石 膜 的 抛 光 方 法 (机 械 抛 光、热 化 学 抛 光、化

学辅助机械抛光、电蚀抛光和高能抛光等)的原理、优缺点进行了分析论述,指出了今后金刚石膜抛光研
究中亟待解决的问题,并展望了 CVD 金刚石膜抛光技术的发展趋势。
关键词:化学气相沉积;金刚石膜;抛光技术;表面粗糙度

中图分类号:
TN305暋暋暋 文章编号:
1004—132X(
2011)
01—0118—08
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0暋 引言

有广泛的应用领域,但由于天然金刚石储量稀少、

金刚石是碳的 同 素 异 形 体,独 特 的 天 然 面 心

价格昂贵,因而国 内 外 学 者 就 将 研 究 热 点 集 中 到

立方 晶 格 的 晶 体 结 构,使 它 具 有 优 异 的 力 学、热

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人工 生 长 金 刚 石 上 来。1962 年,
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学、光学、电 学 和 声 学 特 性,如:栙 硬 度 最 高,显 微
硬度可达 10000kg/mm2 ,是制作切削工具的极佳

材 料;栚 热 导 速 度 最 快,热 导 率 高 达 12
W/(
cm·K),是 电 子 器 件 的 理 想 散 热 材 料;栛 透
光性最好,是防腐 耐 磨 红 外 光 学 窗 口 和 高 功 率 激
光窗口的理想材料;栜 禁带宽度高达 5
灡5eV,制作
的半导体器件可靠性高,抗辐射能力强;栞 具有高
的弹性模量,导声速度快,便于高频声学高保真传
输;栟 化学稳定性好,耐腐蚀、抗辐射,适合在军队
和恶劣环境中应用。这些优异的特性使金刚石具
收稿日期:
2010—03—12

学气相法成功合成了化学气相沉积(
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on CVD 金 刚 石,
20 世 纪 80 年 代 又
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出现 了 热 丝 CVD、等 离 子 体 CVD、燃 焰 CVD 和
激光 CVD 等金刚石 膜 制 备 方 法。 但 金 刚 石 膜 在
生长过程中往往 会 产 生 厚 度 不 均 匀、晶 粒 大 小 不
一、内部应力和表面凸凹不平等缺陷,这些缺陷严
重制约了金刚石 膜 的 广 泛 应 用,因 此,对 CVD 金
刚石膜的抛光技术的研究就成了其发挥优异性能
的必要前提。但 金 刚 石 膜 的 化 学 性 质 稳 定、硬 度
高、厚 度 薄,整 体 强 度 低,因 此 抛 光 效 率 低、难 度
大,且易发生 膜 的 破 裂 和 损 伤。国 内 外 学 者 对 金

基金项目:国家自然科学基金资助项目(
50675142)

刚石膜的抛光进 行 了 大 量 的 实 验 和 研 究,提 出 了
棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈棈

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//第 九 届 全 国 塑 性 工 程 学 术
试验与仿真 研 究 [
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年会论文摘要集及第二届 全 球 华 人 先 进 塑 性 加 工
技术研讨会论文集(二).太原,
2005:
81

83.

(编辑 暋 郭 暋 伟)

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作者简介:宋燕利,男,
1979 年 生。 武 汉 理 工 大 学 材 料 科 学 与 工

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术。华 暋 林,男,
1962 年 生。 武 汉 理 工 大 学 汽 车 工 程 学 院 院 长、

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28]暋 姜银方,汪 健 敏,朱 元 右,等 .拼 焊 板 U 形 件 回 弹

· 118 ·

程学院博士研 究 生、助 教。 主 要 研 究 方 向 为 汽 车 车 身 轻 量 化 技
教授、博士研究生导师。

但随着抛光时间的延长.磨 粒 的 行磨削.但经氢气刻蚀去除表面层后.中 外 一 些 学 者 以 不 同 的实验装置研究了热化学抛光在多晶金刚石膜抛 光中的应用。 2.通常采用 金 刚 石 研 磨 粉 或 金 刚 石 砂 轮 进 痕.会在抛光表面形成较深的划 光方法.碳扩散 能抛光平面形状金刚石膜。又由于金刚石膜内聚 成 为 主 要 因 素。 其 原 强度 低.这种抛光 方 法 主 要 是 利 用 微 粒 间 微 切 削 粒度、抛光盘的转 速 和 施 于 膜 上 的 压 力 均 对 抛 光 的原理去除材料. 用刻槽的铸铁盘 代 替 未 刻 槽 的 研 磨 盘.发现转速越高.磨粒的颗粒 学抛光质量 的 因 素 有 很 多。如:研 磨 盘 表 面 的 质 越大.金刚石膜与铁板的接触面积增大.碳在金属板 研究了抛光方式、转 速、磨 粒 尺 寸、抛 光 面 中的积累增 加.抛 光速率较大.金刚石被石墨化处于优势状态. 1暋 热金属板法 热金 属 板 抛 光 是 利 用 过 渡 族 金 属 元 素 (如 Fe、 Ni、Mn、Mo)在高温下的溶碳性来达到抛光的 目的的。其原理 为:将 金 刚 石 膜 与 高 温 的 过 渡 族 金属制成的研磨 盘 相 互 研 磨. 墨化和氧化。研 究 表 明:碳 原 子 在 铁 中 扩 散 速 度 对抛光试样无尺 寸 限 制.可以改善. [ 10] RIE) 和 磨 料 水 射 流 抛 光 .平 均 表 面粗糙度 Ra 值从 5 灡9毺m 下降到 0 灡19毺m。余忠 民等 [ 17] 石膜。 图 2暋 金刚石膜与 热铁板作用机理 [20] 热铁板的抛光速率取决于金刚石膜表面的碳 原子向热金 属 板 中 的 扩 散 速 度。一 般 情 况 下.从而去除 材 料 实 现 抛 光 的 目 的。其 抛 光 过 程 是一个纳米 尺 度 断 裂 的 过 程.去 除 材 料 率 可 达 中扩散来抛光金刚 [ ] 10毺m/h。王俊 峰 等 16 用 机 械 法 抛 光 金 刚 石 膜.发 现 研 磨 效率明显 提 高.机 械 理示意图如图 2 所示。 抛光后易产 生 微 裂 纹、表 面 残 余 应 力 等 现 象。但 此法抛光对于粗、中、精抛光都适用。 [ ] Ol l i son 等 14 在铸铁 盘 上 使 用 金 刚 石 磨 粒 抛 光金刚石膜.同时.对 大 尺 寸 的 金 刚 石 膜 只 应远远大于金刚石石墨化的速度。在抛光初始阶 需加大研磨盘的 面 积 即 可.CVD 金刚石膜抛光技术综述———焦可如 暋 黄树涛 暋 周 暋 丽等 许多金刚石膜 的 抛 光 方 法.通过金刚 石膜在真空、氢气或惰 性气体环境下、在温度 为 750~1100曟 的 热 铁板上转动摩擦.表 [] 层下面存在着沿 抛 光 方 向 分 布 的 划 痕.发现 在 前 半 小 时 表 面 粗 糙 度 下 降 很 快.被 抛 光 试 件 的 最 终 表面粗糙度是由研磨剂的尺寸决定的。当磨粒的 尺寸大于 1 灡0毺m 时.面积 越 小.不能消 除。陈春林等 [13]进一步发现.具 体 而 言 是 利 用 游 离 金 刚 石 粉 的表面质量 有 影 响。其 中 磨 粒 颗 粒 越 细、转 速 越 或金刚石砂轮与金刚石表面接触产生较大摩擦力 高、表面质量越好。 机械抛光是最早采用的一种简单而直接的抛 使金刚石膜表层发生变形甚至碳键断裂而形成碎 屑.使高 采 用 膜 对 膜 的 抛 光 方 法.不 需 要 加 热.化学抛 [ 7] 光方法又可分为 熔 融 金 属 刻 蚀 法 和 热 金 属 板 法.微 切 削 模 型 如 图 1 所示。 2暋 热化学抛光 在最近几年的 研 究 中.且 只 的延长.其 他 抛 光 方 法 包 括S iO2 浆料抛光和漂浮抛光等。 [ 11] [ 12] 1暋 机械抛光 经过进一步的研 究.在 平 整 加 工 中 易 破 裂、损 伤 或 剥 落.而 且 抛 光 后 样 品 表 面 段.抛 光 表 面 质 量 明 [ 19] 显提高。袁慧等 通过实验 进 一 步 发 现.使 得 金 刚 石 中 的 碳 图 1暋 微切削模型 [13] 原子扩散至热金属板中.抛 光 的 效 率 就 越 高。 徐 峰 等 [ 18] 量、金 刚 石 的 纯 度、研 磨 方 向 与 各 晶 面 的 相 对 位 · 119 · . 高能抛光包括激光抛光 体抛光 、离子束抛光 [ 8] 、等离子 [ 9] 、反 应 离 子 刻 蚀 ( r e a c t i vei one t ch i ng.最 终 表 面 粗 糙 度 的 最 小 值 达 到 了 43 灡6nm。 Tang 等 [ 15] 一般情况下.机 械 抛 光 设 备 简 单.主 要 有:机 械 抛 光 [2]、 热化学抛光 光 、化学辅助机械抛光 [ 3 飊 4] 、电火花抛 [ 5 飊 6] 、高能量抛光和其他抛光方法。其中.抛 光 速 率 会 有 所 下 降。影 响 热 化 积与抛光效率的关系.材 料 去 除 率 达 6 灡1毺m/h.极 大 地 提 高 温下 碳 原 子 向 金 属 板 了传 统 机 械 法 的 抛 光 效 率.随着抛光时间 化学性质不 变。但 机 械 抛 光 的 抛 光 效 率 低.金刚石膜表面被石 一般说来.最 后 得 出 对 抛 光 效 率 的 影 响 从大到小的因素依次是磨粒尺寸、转速、正压力和 抛光面积的结论。 Yo sh i kawa等 4 发现抛光后的金刚石膜表面 尽管看不出划痕.这 种 由 机 械抛光本身的特点决定的缺陷.当 磨 粒 尺 寸 小 于 1 灡0毺m 时.

铝盘 图 5暋 化学辅助机械抛光法模型 [14] 由于此种抛光方法的抛光过程只发生在与抛 光盘相接触的凸起部分.该 方 法 采 用 较 高 的 线 速 度 (线速度大小对抛光过程本身没有明显影响)来提 升膜表面的温度.故 使 得 裂 开 的 新 鲜 表 面 与 氧 接 触.从 而 达 到 抛 光 目 的 的 一 种 工 艺。其材料的去除也是借助于碳原子向熔融的稀 土金属中的扩散实现的。 用熔融 Ce-22%Ni共 晶 合 金 在 590曟 抛 光 金 刚 石膜的方法.使 金 刚 石 膜 表 面的粗糙部分熔 蚀.比报道的稀土 抛 光 温 度 要 低 200曟 以 上。 在 680曟 条件下抛光 3h.熔融氧化剂 暋4.中国机械工程第 22 卷第 1 期 2011 年 1 月上半月 置、研磨的时间和力等 [21]。抛 光 时 间、环 境 气 氛、 金属板成分、转速 等 对 抛 光 质 量 的 影 响 需 作 进 一 步的研究 。 [ 22] 2.抛光速率达到 30毺m/h。孙玉 静 等 28 用 Ce-3%Mn 合 金.但 难 以达到较高 的 表 面 质 量 [24]。付 一 良 等 [25]用 稀 土 金属 La在温度高于 900曟 条件下抛光金刚石膜.同时在 与膜对称的另一侧装上稀土金属盘来实时清除扩 散到抛光盘中的碳原子.载荷越大.抛 光 速 [ ] 率高 达 37 灡5毺m/h。 McCo rma ck 等 29 提 出 了 利 · 120 · 1.稀土盘 图 4暋 稀土金属作用下的金刚石膜超高速抛光示意图 3暋 化学辅助机械抛光 化学辅助 机 械 抛 光 ( chemi c a l l s s i s t ed me ya 灢 [ ] chan i c a lpo l i sh i ng. 2暋 熔融金属刻蚀 熔融金属刻蚀是用某些化学活性很强的金属 (如镧( La)、铈 ( Ce)、铯 ( Cs)等)在 一 定 的 工 艺 条 件下使金刚石表 面 产 生 化 学 反 应.因此抛光效率并不高.同 时 硬 质 的 抛 光 盘 对 金 刚 石 膜 进 行机械抛光。由于机械接触在多晶金刚石表面产 生了许多微裂纹.抛 光 速 率 最 大 可 达 KOH 与 KNO3 的 抛 光 盘 上.金属和金刚石交界处产 生石墨和类金刚石成分的机率也增大。当温度较 高时. CAMP)是由 Ra u31 提出的将 j 化学抛光和机械 抛 光 结 合 起 来 的 一 种 抛 光 方 法。 它是在载荷作用下将金刚石膜压在放有 KOH 与 KNO3 的 氧 化 剂 的 氧 化 铝 抛 光 盘 上 来 实 现 抛 光 的。具体 做 法 是:用 外 力 将 金 刚 石 膜 压 在 放 有 图 3暋 熔融金属刻蚀两种结构示意图 [23] 熔融金属刻蚀 虽 具 有 较 高 的 抛 光 效 率.熔融 金 属 刻 蚀 法 也 会 在 膜 的 边 缘 产 生 “过 蚀暠现 象。 因 此.从 而 金 刚 石 膜 浸 在 熔 融 态 的 氧 化 剂中.金 刚 石 膜 的 Ra 值从 10 灡849毺m 下 降 到 3 灡6826毺m.陶瓷盘 暋2.使 金 刚 石 厚 膜 的 Ra 值 从 10 灡845毺m 下降到 0 灡6553毺m.抛光速率为 5毺m/h。 沈阳理工大学研发了稀土金属作用下的金刚 石膜超高速抛光 方 法. Ra 值从 5 灡95毺m 下降到 [ ] 0 灡69毺m.使得抛光过程顺利进行。 抛光装置示意图如图 4 所示 [30]。 用熔融金属刻 蚀 的 方 法 来 抛 光 金 刚 石 膜.一 般只能用来抛光较厚的、平面的金刚石膜.但 抛光后微观 表 面 质 量 高.使其达到碳扩散的温度.在 660曟 下 抛 光 2h.铈 合 金 可 在 不 影 响 抛 光 效 率 的 情 形下有 效 降 低 抛 光 温 度。 李 俊 杰 等 [27] 用 Ce7% Fe(原 子 分 数.金刚石膜 暋3.同 时 加 热 氧 化 铝 盘 使氧化剂熔化.栚 熔 融 稀 土 池 刻 蚀。热 化 学 抛 光 设 备较为复杂.金 属 板 粒 子 容 易 在 膜 表 面 残 留 而造成污染.一 般采用如图 3 所 示 的 两 种 结 构 形 式:栙 三 明 治 型 多层 金 属 板.这 种 方 法 常 用 于 金 刚 石 膜 的 粗 抛光。 1.熔融态 的 KOH 和 KNO3 对 金 刚 石 腐 蚀 生 成 CO 和 CO2 .下 同)合 金 在 592曟 下 抛 光 金 刚石膜. CVD 金刚石膜 暋3.膜表面产 .在温度为 850曟 接 近 于 零 载 荷 的 条 件 下 对 金 刚石 膜 抛 光 0 灡5h.卡紧装置 暋4.且在高温下.对于热 金属板抛光而言.对抛光金刚石膜的形状也有限制. Ra 值 从 12毺m 下 降 到 1 灡6毺m.使抛光得以继续。其抛光模型如图 5 所示。 每小时数百微米。 研究发现.可 达 到 镜 面 效 果。所 加 载荷对抛光效果有较大影响.抛 光 速 率 达 到 [ 26] 34毺m/h。孙玉静等 用 熔 融 稀 土 铈 抛 光 金 刚 石 膜.抛光盘 暋2.

其 抛 光 效 果 较 单 独 用 面也会残存一些 石 墨 和 非 晶 碳.从而 达 到 蚀 除 材 料 的 目 的。冷 抛 光 的 原 术也可用于非平面金刚石膜的抛光。化学辅助机 理为:借助高能、高密度的光子引发或控制光化学 械抛光利用氧化 性 物 质 来 提 高 抛 光 速 率.以 及 电 火 花 放电的抛光作用 和 金 刚 石 表 面 的 金 属 化.是 一 种 反应的加工过程.结果表明:掺杂后的金刚石厚 当高能离子与金 刚 石 表 面 碰 撞 时.在 金 刚 石 膜 表 面 易 产 生 波长 为 193nm 的 激 光 处 理 结 构 破 坏 后 的 金 刚 石 膜 表 面 [34]。 实 验 表 明.且相关设备费用 高.激光能 30 曘~60 曘之间时.涂 覆 材 为:速度快(几秒 到 几 十 秒)、效 率 高、无 需 真 空 或 其他特殊的化学环境、对抛光面积的大小无限制。 料的熔化使材料的蚀除得以继续进行。去除机理 缺点为:此种抛光 方 法 通 常 不 能 获 得 光 滑 的 抛 光 模型如图 6 所示。 表面. Ro t hs ch i l d 等 33 对 波 长 为 193nm 的 ArF 激光抛光方法进行了研究.达到去除材料的目的。 激光冷抛光(即准分子激光抛光)具有许多优 4暋 电蚀抛光 越性:首先在加工 过 程 中 不 会 产 生 石 墨 和 非 晶 碳 电蚀抛光又叫 电 火 花 抛 光.越 易 产 生 裂 纹。因 此 在 抛 光 中 常 采 用 5暋 高能量抛光 5.硬度越高.不 加工。抛光是多 种 效 应 综 合 作 用 的 结 果.抛光越容易进行. 1暋 激光抛光 激光抛光金刚 石 膜 主 要 有 两 种 形 式:激 光 热 Al2O3 作为抛光盘。 化学辅 助 机 械 抛 光 的 抛 光 速 率 比 机 械 抛 光 抛光和激光冷抛光。热抛光的原理是将激光束照 高.包 括 金 易使金刚石 膜 破 碎.破 很有前途的精抛光方法。 坏C-C结合键.适 于 抛 光 金 刚 石 薄 膜。优 点 刚石 膜 的 熔 化、气 化、氧 化 及 石 墨 化.CVD 金刚石膜抛光技术综述———焦可如 暋 黄树涛 暋 周 暋 丽等 生的裂纹越多.因 此 电 火 花 抛 光 YAG 激光处理更理想。 [ ] Toka r ev 等 35 的研究 表 明:激 光 的 入 射 角 对 后.抛 光 效 率 也 随 之 下 降。当 入 射 角 在 微裂纹和金刚石 晶 粒 的 断 裂 破 碎.金 刚 石 晶 体 结 膜的表面粗糙度与材料去除率随放电电流和脉冲 构被破坏.从 宽度的增大而增大。 而达到抛光的目的。 · 121 · . 2暋 离子束抛光 离子束抛光是利用氧气或具有较大溅射率的 惰性气体( Ar)离 子.再次准分子激光脉冲宽度极短.省去了酸洗步骤.实 现 金 刚 石 膜 的 高 效 光 整 激光抛光是一种非接触式抛光.即 先 用 Nd-YAG 激 光 或 红 外 光 处理材料表面.然后再用 图 6暋 电火花抛光金刚石膜机理模型 由于热应力的 作 用.造成材料微结构的破坏.对金刚石进行局部碳固融蚀.抛 光 后 在 膜 表 金刚石膜的粗抛光。 郭钟宁等 [7]通 过 实 验 发 现.使光子深入到金刚石结构中.使 抛 光 过 程 可 刚石膜的表面改性或整体改性使金刚石膜具有导 控.对 金 刚 石 膜 进 行 溅 射 刻 蚀。 即用等离子体轰 击 金 刚 石 膜 表 面 来 去 除 碳 原 子.表面污染比热化学抛光小.其 中 纯 钛 熔 融 后 可 均 匀 地 分布于放电点表 面.与抛光片的旋转速率成正比.钛 是 一 种 较 为 理 想 的 涂 覆 材 料。曹振中等 [32]将 CVD 金刚石厚膜掺硼后用电 抛光过程有很大影响.实现金刚石膜的微细加工。 其受热石墨化和 气 化.无机械力.不 同 的 涂 覆 材 料 对抛光效果影响 很 大.一般只能用于金刚石膜的粗抛光。 20 世纪 80 年 代.可以在较小的 电性.使 被 加 热 金 刚 石 表 面 产 生 C 的 升 华、气 化 和 低.金刚石膜表面十分粗糙.利用电火花 加 工 产 生 的 热 能 及 表 面 涂 覆 金 脉冲能量下获得 较 大 的 脉 冲 功 率 密 度.理论上这种抛光技 射到金刚石厚膜 表 面.此种抛光方法适合于 量密度降低.引 起 金 刚 石 膜 表 面 温 度 升 石墨化.其次准分子光 产生的高温效应来抛光金刚石膜的。首先通过金 斑能量均匀分布 于 金 刚 石 膜 表 面.指出波 长为 193nm 的 激 光 特 别 适 合 于 金 刚 石 薄 膜 的 抛 [ ] 光。它的光子能 量 为 6 灡4eV.从 而 去 除 属的热扩散作用. 火花进行抛光实验.抛 光 盘 的 硬 度 对 抛 光 效 率 也 有 影响.在 此 波 长 范 围 内 金 刚石吸收光子的能力最强。最新的激光抛光技术 是采用两种或两种以上波长的激光来对金刚石膜 表面进行抛光.使 微量的金刚石.碳原子就从金刚石膜表面溅射出来.抛光表面质量较高。 5.随着入射角的增大.它 是 利 用 电 火 花 等非金刚石成分.但也越容易对膜 造成损坏。此外.抛光过程中抛光盘产生的弹塑性 变形越小.

比 离 片回转.膜 表 面 易 5. 5暋 磨料水射流抛光 磨料水射流抛光是将磨粒悬浮液高速喷向金 刚石 膜 表 面.这 种 离 子 枪 可 获 得 均匀稳定的 离 子 束。工 件 安 装 在 支 架 上.工件表面在射流的冲击 通过调整离子源的入射角可以抛光形状复杂 与摩 擦 作 用 下 被 抛 光。 的金刚石膜.得到金刚石膜的表面粗糙度 Ra 为 60nm.此种抛光方 法 要 求 工 作 台 和 抛 光 片 间 的 厚度要达到最优 值.并 观 待 于 进 一 步 改 善.它 能 有 效降低金 刚 石 表 面 的 粗 糙 度 而 对 膜 的 厚 度 影 响 不大。 5.研 究 了 不 同 工 作 条 件 对 刻蚀速率 的 影 响。 苟 立 等 [ 41] 研究微波等离子平 整金刚石膜的工艺 条 件.离子束抛光要求 膜 的 粗 中 抛 光. 3暋 等离子体抛光 等离 子 抛 光 又 称 电 子 束 辅 助 等 离 子 体 加 质量受到诸如水的压 率达 20nm/s。 工 [38]( e l e c t r onbe am-a s s i s t ed p l a smae t ch i ng.当 离 子 5.使其表面各部分均匀受离子束作用.喷嘴可沿径向移动.离 子束抛光只能抛光小尺寸样品。刻蚀速率与离子 其抛 光 装 置 如 图 8 所示。 能量有一定的关系.抛光速率高达 20~40毺m/h. 4暋 反应离子刻蚀 反应离 子 刻 蚀 比 离 子 束 刻 蚀 的 抛 光 速 率 要 束入射方向与膜片法线方向夹角毩=0 曘时.刻蚀速度越 该方法 用 于 金 刚 石 大.喷 管 的 直 径、长 度.郑先锋等 [40]利用 直 流 辉 光 等 离 子 体 对金刚石厚膜进 行 刻 蚀. 喷头移动 速 度、作 用 时 间.反应离子刻蚀 速 率 为 30~40毺m/mi n.由于离子束和离子腔尺寸的限制.得 出 微 波 功 率 为 400W、 氧流 量 为 50mL/mi n 是 较 好 的 刻 蚀 条 件.当毩曎0 曘时.刻 蚀 10mi n.且样品受等离子体尺寸的限制。 [ ] RIE11 是一种很 有 前 途 的 抛 光 方 法. · 122 · 产生裂纹。抛 光 的 表 面 图 8暋 磨料水射流 抛光装置 [43] 力.离子束能量越高.中国机械工程第 22 卷第 1 期 2011 年 1 月上半月 离子束抛光的离子源采用 ECR( e l e c t r onc y 灢 约为处理前的 1/2。 c l on t r onr e sonanc e)离 子 枪.对表面损伤也越严重。另外.高速 喷 出 的 射 流 到 达 膜 表 面 后 立 即 图 7暋 离子束抛光装置示意图 [36] 改变方向沿喷嘴边缘外泄。抛光过程中膜片不断 旋转. EDAPE)。这 种 抛 光 方 法 一 般 用 于 精 细 光 整 加 工.依 靠 射 流 的 冲 击、热 效 应 以 及 摩 擦、 挤压作用来达到抛光目的的一种抛光方法。其原 理是:水平放置的 磨 料 射 流 喷 嘴 与 金 刚 石 膜 处 于 准接触状态.金刚 石 表 面 容 易 被 污 染。辅 助 设 备 的 费 用也相当高.磨 粒 大 小 等 诸 多 因 素 影响。 6暋 其他抛光方法 除上述抛光方 法 外.再 者 [ 37] 由于抛光 时 金 刚 石 膜 受 察到氧离 子 以 47 曘入 射 角 轰 击 金 刚 石 时.金刚石 膜片固定不 动.这 样 才 能 在 膜 率较高。但 该 种 抛 光 方 表面得到较低的表面粗糙度值。 法对 设 备 的 要 求 较 高.以获 得无 方 向 性 的 光 滑 表 面。 其 抛 光 装 置 如 图 7 所示。 子束抛光速率大 3 倍。但由于等离子体需要加热 的原因. Sandhu 等 42 利 用 氧 气 和 氢 气 反 应 刻 蚀 金 刚 石膜.表面粗糙 度 Ra 值 达 10毺m。 漂 浮 抛 光 时 将 工 作 台 和 抛 光 片 浸入 含 有 硅 胶 的 水 基 悬 浊 液 中.厚 度 最 优 值 下 抛 光 后 的 表 面 粗糙度 Ra 值可达到 1nm。 .加 工 效 离子源需有稳定 均 匀 的 电 流 密 度.由 电 机 带 动 金 刚 石 膜 [ ] 大.表 面 平 均 粗 糙 度 从 1000nm 下降到了 71nm。 近年来.旋 转 速 率 为 /mi 1r n.可 用 于 处 理 最 小 厚 度 为 5毺m 极 薄 的 金 刚 石 膜.刻 蚀 速 到 较 大 冲 击.加工 速 度 约 为 10~40nm/mi n。Buchkr eme r [ ] -He rmanns 等 39 用 ECR 等 离 子 体 抛 光 金 刚 石 得到 2 灡5毺m/h 的 抛 光 速 率.有 关 学 者 还 提 出 了 其 他 一些抛光方法。如 S iO2 浆料抛 光 技 术、漂 浮 抛 光 等金刚石膜抛光方法。S iO2 浆料抛光技术可用于 精抛光. 一些学者研究了一定轰击能量离子和一定入 且抛光加 工 的 均 匀 性 有 射角下的刻蚀速率。Zhao 等 用 100eV 的 氩 离 子束轰击 金 刚 石 的 刻 蚀 速 率 为 11nm/mi n.

Oku z umiF. App l e..得 出:磨 粒 越 细、转 速 越 高.膜 表 面 基 本 能 达 到 镜 面 的 效 果.但 表 面质量较差.敢 于创新.没有哪一种抛 光 方 法 能 完 全 满 足 不 同 的 应 用 需求. [ 2]暋Bhu s h a nB.可以提高抛光效率.可大大 降低抛光反应温度。 ( 3)高 能 抛 光 中.有 效 地 提 高 了 粗 抛 光 的 效 率。 Ol l i s on 等 [14]先用机械抛光 法 抛 光 48h.Syn t h e s i sD i amond:US.但其抛 离子束 抛光 喷射、 刻蚀 室温 无 离子束 高 尺寸 等离子 抛光 喷射、 刻蚀 室温 无 等离子 中等 低 一般 尺寸 ( 4)实验证明.复合式抛光达到了良好的抛光 效果.但 其设备投入较高.e ta l.然后 抛光技术 和 金 刚 石 刀 具 的 刃 磨 工 艺 带 来 极 大 的 再采用机械的方 法 进 行 精 抛 光.在不影响抛光效率的前提下.CVD 金刚石膜抛光技术综述———焦可如 暋 黄树涛 暋 周 暋 丽等 反应离子刻蚀作为化学辅助机械抛光的预处 7暋 各类抛光方法的比较 不同的抛光方法有其各自的优缺点和适用范 围.提供新的抛光思路.更适合于金 刚石膜的精抛光.材料蚀除率越高.但其抛光过程需在较高的温度下进行.其关键在于不同抛光方法的合理搭配.Phy s.如对抛光盘施加微小 的振动等方式来改善抛光效果和采用超高速方法 国内外学者经 过 大 量 的 实 验 研 究 发 现:将 两 来提升膜表面温度来实现热化学抛光等。再者金 种抛光方法结合起来使用.抛光效率越高。 ( 2)热化学抛 光 是 一 种 有 前 途 的 高 效 率 的 抛 光方法.表 面 质 量 越 好. [ 4]暋Yo s h i k awa M.而热铁板在较高温度 下容易加剧金刚 石 表 面 的 氧 化 和 石 墨 化.1993.先用氧等离 子 体 刻 蚀 作 为 机 械 抛 光 的 预 处 理技 术.离子束抛光的表面质量较为理想.因此.适用于金刚石膜的快速粗中抛光.Su r f a c ea ndCo a t i ng · 123 · . 行 4h 的精抛光.最 理 想 的 微 观 表 面 粗 糙 度 值可达 2 灡8nm。 1962 飊 04 飊 17.先用电火花方法高效抛光金刚石膜.且 温度越高.不同 反应离子 刻蚀 喷射 700 无 等离子 高 尺寸 抛光阶段选择不同的抛光方法。在以后的工作中 磨料水 射流 冲击、摩 擦、挤压 室温 无 无 高 一般 高 较高 无 8暋 复合式抛光 光的均匀性有待于进一步改善。 应大胆尝试各种复合式抛光方法。 ( 5)应在各种抛光方法的基础上大胆构思.Sub r ama n i am V V.Mn、 Ce-Ni合 金 抛 光金刚石膜.Ma l s h eA. 1325:210 飊 221.粗抛光时效率较低.对 陈君 [ 44] 将电 火 花 抛 光 方 法 与 机 械 抛 光 方 法 金刚石膜新抛光方法的尝试必将会给金刚石膜的 相结合.可大大提高 CAMP 抛光的效率 [47]。 9暋 结论 ( 1)国内外学 者 对 影 响 机 械 抛 光 表 面 质 量 和 效率 的 因 素 进 行 了 研 究.3030188[ P].T r i 灢 的粗抛光.机 械 研 磨 相 结 合 的 办 法.然后用 机 械 抛 光 的 方 法 对 金 刚 石 膜 进 而若全部采用机械 法 抛 光.74( 6): 4174 飊 4180.De v e l opme n ta ndPe r f o rma n c eo faD i a 灢 mondF i lm Po l i s h i ng App a r a t u sw i t h Ho t Me t a l s[ J].Ho t-i r on-me t a lPo l i s 灢 h i ngMa c h i n ef o rCVDD i amondF i lmsa ndCh a r a c t e r i s 灢 t i c so ft h ePo l i s h e dSu r f a c e s[ J].磨 料 水 射 流 抛 光 对 设 备 的 要 求 也较高. 参考文献: 首先用等离子 刻 蚀 对 CVD 金 刚 石 膜 进 行 80mi n [ 1]暋Ev e r s o l eW G.达 刚石刀具的机械刃磨、放电刃磨、真空等离子刃磨 到理想的抛光效果。 等和金刚石膜的抛光在机理上是相通的. bo l og i c a l Pr op e r t i e so fPo l i s h e dD i amond F i lms[ J]. 1990.转 速 越 高、磨 粒 越 粗、面 积 越 小. SP IED i amondOp t i c s栿.激 光 抛 光 加 工 效 率 高.所以应依据金刚石膜的形状、最终表面质量 的要求、抛光效率 和 抛 光 设 备 的 限 制 来 选 择 不 同 的抛光方法。各种抛光方法的比较见表 1。 表 1暋 各种抛光方法的比较 抛光 方法 分类 抛光方式 抛光 机理 机械 抛光 机械抛光 微切削 热铁板 抛光 熔融金属 刻蚀 热化学 抛光 化学辅助 化学反应 >750 无 氧化 电火花 烧蚀 电蚀抛光 高能 抛光 室温 平面 无 低 低 较轻 石墨化、 800~ 抛光盘 平面 低 较高严重 扩散 大小 900 机械抛光 激光抛光 抛光 形状 尺寸 设备 抛光 表面 温度 限制 限制 费用 效率 污染 (曟 ) 曒350 平面 室温 无 蒸发、刻 室温 蚀、石墨化 无 低 较高严重 抛光盘 低 较高较轻 大小 无 高 高 一般 无 激光束 高 尺寸 高 一般 低 一般 理抛光方法.然 后 采 用 辅 助 机 械抛 光 法 抛 光 3~5h.因 此 国 内外学者 采 用 Ce-Fe、 Ce.则 需 15h 才 能 得 到 较 为平坦 的 膜 表 面。Zheng 等 [46]在 抛 光 金 刚 石 厚 膜时.得 到 了 较 高 质 量 进步。 的抛光膜。该方法成本 低、效 率 高。王 俊 峰 等 [45] 采用了等离子体 刻 蚀 . [ 3]暋Yo s h i k awaM.

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