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Henry Leonarth Ramrez, Alexander Olaya, Juan Camilo Seplveda.

Fuente Regulada Transistor Transistorizada con 2N3055 ( (Agosto 29 2009)


Henry Ramrez C, Juan Camilo Seplveda D, Alexander Olaya S. Estudiantes Ing. Electrnica
Es recomendado el uso de la fuente regulada transistorizada, torizada, ya que en una fuente regulada comn la disipacin de potencia es mayor, razn por la cual los costos de operacin se hacen mayores. mayores Teniendo en cuenta esto y con base a lo que un potencial cliente requiera se ha de desarrollar esta prctica. V. DESCRIPCIO DE EQUIPOS Fuente de 10 V. DC a 10 Amperios. Multmetro VI. LISTA DE MATERIALES 1 Diodo Zener de 6,2 Voltios Caimanes 1 Resistencia de 4.6 Ohmios a 12.4 Watios mnimo. 1 Resistencia de 193 Ohmios a 1 Watio recomendada. 1 Transistor 2N3055 1 Disipador de temperatura TO-3 TO VII. DIAGRAMA ELECTRICO Determinar los valores ms acordes de resistencias tanto de carga como limitadora para suministrar fijos 1.5 Amperios en la salida salida. Utilizar el Transistor adecuado para tal fin, teniendo en cuenta la potencia a disipar en este dispositivo. Realizar el clculo respectivo de potencia para las resistencias limitadoras y de carga con el objetivo que no se averen estos dispositivos por la Temperatura a disipar. MARCO TERICO Una fuente regulada transistorizada es muy im importante como dispositivo de alimentacin ya que nos permite el manejo cuando un voltaje se hace mnimo y cuando se hace mximo, esto con el fin de no tener alteraciones en la carga que se est manejando. Figura N1 Diagrama General tomado de Boylestad

ABSTRAC Power diodes play an important role in power electronics circuits. They are mainly used as uncontrolled rectifiers to convert single-phase or three-phase phase AC voltage to DC, fastener. They are also used to provide a path for the current flow in inductive loads. Typical types of semiconductor materials used to construct diodes are silicon and germanium. Power diodes are usually constructed using silicon because silicon diodes can operate at higher current and at higher junction temperatures than germanium diodes.

OBJETIVO GE ERAL Disear e implementar en el laboratorio una fuente regulada mediante la utilizacin del diodo Zener, resistencias y un Transistor tor 2N3055 que nos suministre una corriente de carga de 1.5 Amperios y nos sostenga este valor. OBJETIVOS ESPECIFICOS

Henry Leonarth Ramrez, Alexander Olaya, Juan Camilo Seplveda.


= R = 1.5 (4.6) = 10.35 W
VIII. DESARROLLO DEL LABORATORIO Para el desarrollo de esta prctica se realiz el montaje que se pudo observar en el diagrama elctrico, con el fin de verificar los datos pedidos en este caso como lo son mantener una corriente de 1.5 Amperios cuando el Voltaje es mnimo as como cuando el voltaje se hace mximo.

Nota: Si = 15V fijos = 267.2 = 30.31mA = 4.93mA = 255.5mW = 34.293mW


X. TABLA DE RESULTADOS

IX. CALCULOS MATEMTICOS Se trabajaron los clculos matemticos partiendo del hecho que tenemos el valor de corriente solicitada en la carga 1.5 A, el voltaje del Zener 6,2 la corriente mnima de activacin del Zener 5 mA y el factor de ganancia del Transistor 78 medidos; con base a est esto se procedi a realizar los siguientes clculos:

XI REGISTRO FOTOGRAFICO

= 1.5 A = Vz+0.7V= 6.9V = 15 15% Transistor 2N3055 = 78 = 12.75 V = 17.25 V = =


.

= 25.31mA

Para un diodo de 6.2 V la = 5mA para conducir. = + = 25.31mA + 5mA = 30.31Ma = =


. ... .

= 193
Figura N1. Montaje General de la Fuente

= =

. ...

= 52.62 mA

= - = 52.62mA-25.31mA 25.31mA = 28.31mA = (28.31mA)*(6.9V) = 195.33mW = ( ) = 53.62 (193) = 0.55 W =


= . = 4.6

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preocupacin el cmo descenda la Temperatura en la prctica a medida que se calentaban los dispositivos. . En el momento de la presentacin bajo de 1.5 A a un aproximado de 1.38 con el transcurrir del tiempo pero se mantuvo en este valor, como recomendacin principal se requiere de un disipador de temperatura para el transistor de mayor capacidad de disipacin y no el comercial para este tipo de dispositivos. Las resistencias tambin se recomienda comprarlas con un wattiaje mayor al calculado, todo esto con el fin de mejorar las capacidades cidades trmicas de nuestros dispositivos utilizados.

XII. CO CLUSIO ES Como primera instancia para este tipo de desarrollo se debe trabajar con base a lo que nos solicita un cliente, para este caso se pidi una corriente de 1.5 A a pesar de los cambios que se puedan tener en el Voltaje. Para el diseo de la fuente transistorizada se debe tener en cuenta el del transistor con el cual trabajamos, as como tambin la potencia que nos va a disipar d y la corriente que va a trabajar en el emisor. emisor Con lo mostrado en la prctica se confirmo la corriente solicitada en el emisor, realizando los cambios de voltaje requeridos, cabe anotar que el voltaje medido en la carga en nuestra prctica fue de 6.4 6 V. 3 es un disipador que se El encapsulado TO-3 uso en la prctica porque es el comercial, en futuras presentaciones se debe trabajar con otro tipo de disipador o mejor aun fabricarlo, ya que este encapsulado permiti un calentamiento considerable del dispositivo di que nos pudo llevar la prueba al fracaso. XIII. BIBLIOGRAFIA Figura N3 Corriente medida cuando el Voltaje de entrada es Mximo MALVINO, Albert Paul. Principios de Electrnica, 3ra Edicin en espaol, Pag. 888-897. 897. Mac Graw Hill. RASHID, Muhammad. Circuitos Microelectrnicos, anlisis y diseo. Editores Thomson. Thoms XII. OBSERVACIO ES Como principal observacin se puede decir que al realizar est prctica aunque tuvo un porcentaje de xito bastante apreciable, notamos con

Figura N2 Corriente medida cuando el Voltaje de entrada en Mnimo

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