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Teoria de Semicondutores

1. O cobre é um bom condutor. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

2. A orbita de valência define as propriedades elétricas do átomo. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

3. O núcleo de um átomo é composto por todas as órbitas exteriores. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso

4. O elétron de valência é denominado de elétron livre. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

5. Um semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as de um condutor e as de um isolante. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso

6. Quantos elétrons de valência existem em um semicondutor de germânio? A. 1 B. 2 C. 4 D. Nenhum

7. Além de germânio, qual é o outro tipo de material semicondutor geralmente usado? A. cobre B. hélio C. alumínio D. silício 8. Quando os átomos de silício se combinam para formar um sólido, eles se organizam em um padrão ordenado chamado A. órbita. B. camada de valência. C. cristal. D. condutor.

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B. A união de um elétron livre e uma lacuna é denominada de A. polarização reversa. milissegundo. C. C. Um semicondutor puro é também chamado de A. intrínseco. C. B. dispositivo de sala limpa. O termo usado para descrever o compartilhamento de elétrons de valência que dá uma solidez ao cristal é A. D. semana de trabalho. D. Nenhum 11. 16. 13. extrínseco. centígrados. atmosférica. O tempo entre a criação e o desaparecimento de um elétron livre é chamado de A. ambiente. íon negativo. 2 B. ponto de saturação. B. transistor. tempo de vida. A temperatura do ar circundante é chamada de A. 10. íon negativo. 14. restauração.9. 15. D. D. B. 2 . C. elétron polarizado. recombinação. envolvente. B. elétron vago. 12. ligação covalente. 8 D. D. Quantos elétrons estão na órbita de valência de um cristal de silício? A. lacuna. fusão. combinação. B. C. Quando a saída de um elétron produz um espaço vazio na órbita de valência. um cristal de silício se comporta como um isolante. 4 C. D. ano-luz. À temperatura ambiente. C. é chamado de A.

Um semicondutor intrínseco tem um número diferente de elétrons livres e lacunas. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso 18. um átomo doador. 24. cobre. positiva 23. trivalente C. cobre C. Que tipos de átomos são adicionados ao silício fundido. covalente D.( ) Verdadeiro ( X ) Falso 17. Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor intrínseco. um átomo aceitador. covalente D. Qual é o material semicondutor mais popular e útil? A. silício 3 . ( X ) Verdadeiro ( ) Falso 20. D. alumínio D. prata B. Que tipo de impureza é adicionado ao silício puro para obter um excesso de lacunas? A. B. Um átomo trivalente também é chamado de A. trivalente C. positivo 22. pentavalente B. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso 21. A energia térmica produz elétrons livres e lacunas em pares. A dopagem é um processo de adição de átomos de impureza em um cristal intrínseco para alterar a sua condutividade elétrica. íon negativo. pentavalente B. a fim de aumentar o número de elétrons livres? A. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso 19. C.

B. O silício que foi dopado com impureza pentavalente é chamado de A. semicondutor tipo p. lacunas.25. 26. dipolo D. D. C. Qual o outro nome dado a um cristal pn? A. Quando um elétron livre entra na região p de um diodo de junção. torna-se A. dispositivo de efeito de campo 30. 28. B. A fronteira entre uma região tipo p e uma tipo n em um cristal é chamada de A. 27. portadores majoritários. B. O silício que foi dopado com impureza trivalente é chamado de A. D. um portador de depleção. D. 29. D. ( ) Verdadeiro ( ) Falso 32. um portador minoritário. íons. semicondutor tipo n. 4 . um portador majoritário. diodo de junção B. ligação covalente. C. borda tipo p. B. D. Em um semicondutor tipo n os elétrons livres são chamados de A. junção pn. Junção p. portadores minoritários. C. C. junção pn. 31. bipolar transistor C. B. semicondutor tipo n. cria-se um par de íons. C. Cada vez que um elétron é difundido em uma junção pn. semicondutor tipo p. margem tipo n. condutor. Cada par de íons positivos e negativos na junção pn é chamada de dipolo. isolante. uma lacuna.

aumenta a corrente direta. zero. Qual é o resultado quando o terminal negativo da bateria é conectado ao lado p de uma junção pn. D. igual a 7. polarização B. A polarização reversa ocorre quando o terminal negativo da fonte está conectado ao material tipo n. Quando a polarização reversa é aumentada A. polarização reversa C.7 A D. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso 35. D. a camada de depleção aumenta. e o terminal positivo está conectado ao material tipo-p. B. 39. a camada de depleção se torna menor.7 mA B. ( ) Verdadeiro ( X ) Falso 34. Um diodo de silício permitirá a passagem de uma corrente contínua no sentido direto se a tensão da fonte for A. A corrente circula facilmente em um diodo polarizado diretamente.7 A C.7V. C. ruptura por avalanche D. 37. C. e o terminal positivo é conectado ao lado n? A. 0. B. a região próxima à junção pn é livre de cargas é chamada de camada de restauração. 0. um curto-circuito 38. ( X ) Verdadeiro ( ) Falso 36. zero 5 . o diodo fica polarizado. maior do que 0.7V. Conforme os dipolos são formados. menos de 0. 1.7V.( X ) Verdadeiro ( ) Falso 33. Qual é o nível de corrente aproximado de um diodo polarizado reversamente? A.

Em um diodo emissor de luz (LED). B. B. C. positiva 45. Em um semicondutor. D. o excesso de energia é A. C. 41. o que eleva os elétrons para níveis de energia mais altos? A. a luz 42. temperatura da junção 6 . uma fonte de corrente constante B.40. reversa B. D. irradiada em forma de som. temperatura pn D. direta C. temperatura ambiente B. quando um diodo é formado. tensão de ruptura. B. a energia térmica produz elétrons livres que vão para a próxima banda de energia mais alta chamada de A. 46. banda de elétrons. 43. quando um diodo é vendido pela primeira vez. Que tipo de polarização dá aos elétrons livres mais energia? A. D. perdido devido aos elétrons de valência. banda de condução. corrente de ruptura. banda de radiação. uma tensão aplicada C. B. irradiado na forma de calor e luz. logo na junção pn? A. Qual é o termo para a temperatura interna de um diodo. Quando os elétrons passam da banda de condução para a banda de valência. em diodos de junção pn. adquirida devido ao fluxo de lacunas. os elétrons valência D. banda de valência. C. 44. polarização direta. D. O limite de tensão reversa que um diodo pode suportar antes de ser destruído é chamado de A. negativa D. C. polarização reversa. A camada de depleção não existe A. até que as lacunas sejam injetados. temperatura do diodo C.

camada de depleção C. corrente direta excessiva 50. 48. Qual é o termo relativo à corrente reversa na superfície de um cristal? A. corrente de fuga de superfície D. Movem-se em direção a junção. gap de energia B. custo B. aparelhos eletrônicos e circuitos de comunicação? A. junção pn D. corrente de cristal B. corrente de ruptura por avalanche 7 . Quando a tensão reversa aumenta. recombinam-se. Qual a desvantagem de um dispositivo de germânio que evita que ele seja usado em computadores modernos. afastam-se da junção. Em um átomo de silício. corrente reversa excessiva D. peso C. C. lacunas e elétrons A.47. corrente reversa C. permanecem estacionários. qual é o nome dado a distância entre a banda de valência e a banda de condução? A. intrínseco 49. D. B.