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Fotodiodo

Mecatrónica, Universidad Tecnológica de Tijuana Tijuana B. C. México
Abstract— in the next project we see the photodiode and phototransistor; we will see its functions, Palabras claves— I. II. INTRODUCCION MARCO REFERENCIAL Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

A.

Descripción de proyecto

Esta practica más que nada se trata de conocer el funcionamiento del fotodiodo así como del fototransistor, sus características específicas sobre el voltaje máximo que soporta cada uno de los dispositivos. Realizaremos un diagrama sencillo para ver el funcionamiento del fotodiodo emisor de luz infrarroja así como la del fototransistor. Lo primero que hicimos fue conseguir cada unos de los materiales que mas adelante se verán en el formato, una vez hecho esto hay que implementar el diagrama que a continuación visualizaremos. fig. 1. Símbolo del fotodiodo Principio de operación Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de suficiente energía incide en el diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se llama polarización directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga foto generados ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.

B. C. D.

Objetivo general Objetivo particular Plan de trabajo

Composición El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualquier otro material semiconductor.

III.

MARCO TEÓRICO Material Silicio Longitud de onda (nm) 190–1100

Símbolo de fototransistor Un fototransistor es igual a un transistor común. La luz incide sobre la región de base. conectando en el colector del transistor el cátodo del fotodiodo y el ánodo a la base. Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. también identificado como PN2222. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor. recuperando la información grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejado en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. 4. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias. y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. 3. con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: fig. Configuración de transistor 2N2222 1. TO-5) provistas de una lente. normalmente a los infrarrojos. fig. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. lápices ópticos. generando portadores en ella. [1] Uso El 2N2222. aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watts). fig. Símbolo de transistor 2N2222 Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz. basta agregar a un transistor común un fotodiodo. por lo tanto. 3. 2. Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). es    A diferencia del LDR . Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión. que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Puede trabajar a frecuencias medianamente altas. Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. formando interruptores ópticos (opto-switch). pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Como fototransistor.Germanio 800–1900 Indio galio arsénico (InGaAs) 800–2600 sulfuro de plomo <1000-3900 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm). [1] Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72. . Usados en fibra óptica un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED. etc. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. Se usa en los lectores de CD. Ip (modo de iluminación). 2.

Su complementario PNP es el 2N2905 al igual que el 2N2907. pero su potencia es de 1w y es sólo para aplicaciones entre 50 y 100 MHz. Es uno de los transistores oficiales utilizados en el BITX. circuitos y sistemas Escrito por Michael M. los constructores aficionados de radios. hFe) del transistor es de por lo menos 100. el cual es el 2N3053. También existe otro transistor que es de similares características. SOT-23.Por todas esas razones.y ningún circuito integrado. La beta (factor de Fototransistor infrarrojo (receptor) Fuente de poder Transistor 2N2222 Resistores amplificación. DESARROLLO El 2N2222 es fabricado en diferentes formatos. Zbar. puede usarse como reemplazo del 2N2222 en caso de señales pequeñas. frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio por A. La frecuencia de transición es de 250 a 300 MHz. V. lo que permite utilizarlo en aplicaciones de radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz). por lo cual puede ser usado en transmisores y amplificadores para HF. Es un transistor en formato TO-39. ANALISIS Y RESULTADOS Su complemento PNP es el 2N2907. TO-18. Miller [3] Electrónica general Escrito por Pablo Alcalde San Miguel . con una frecuencia de transición de 300 MHz. pero de mayor potencia es el 2N2219. Michel A. es un transistor de uso general. sabiendo que la máxima potencia que puede llevar a cabo es de 3 watts. B. y hasta 500 milivatios de potencia. [2] IV. VII. Materiales: Elementos de la práctica Fotodiodo infrarrojo (emisor) Las hojas de especificaciones señalan como valores máximos garantizados 500 miliamperios. Área de trabajo Este tipo de sistemas es muy utilizado en establecimientos comerciales como sensores infrarrojos. CONCLUSIÓN Otro transistor de características similares. Cirovic [2] Prácticas de Electrónica Escrito por Paul B. El 2N3904 es un transistor de características similares pero que sólo puede transportar un décimo de la corriente que el 2N2222 puede transportar. y SOT-223. los más comunes son los TO-92. VHF y una cierta parte de UHF (300 MHz) con una potencia de salida de 1 a 2 watts. [3] [1] Electrónica fundamental: dispositivos. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS VI. 50 voltios de tensión de colector. Su versatilidad ha permitido incluso al club de radioaficionados Norcal lanzar en 1999 un desafío de construir un transceptor de radio utilizando únicamente hasta 22 ejemplares de este transistor . valores de 150 son típicos. Albert Paul Malvino.