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Contenido

Diodo Ideal Diodo de Unión
• Diagrama de  bandas de  energía • Curva  característica i-v • Ecuación de  Shockley • Circuitos  equivalentes en  primera, segunda  y tercera  aproximación aproximación. • Línea de carga de  corriente directa  y punto de  operación.

Especificaciones
• Hojas de datos de  los fabricantes

Otros Tipos de  Diodos
• Diodo Zener. • Varactor. • Diodo PIN. • Diodo emisor de  luz (LED). • Diodo LASER. • Diodo Gunn. • Diodo de señal o  RF. • Celda  otoe éct ca. fotoeléctrica. • Fotodiodo.

Circuitos de  aplicación
• Rectificadores. • Recortadores. • Sujetadores. • Multiplicadores. • Reguladores de  voltaje. • Sintonizadores  de RF. • Detector de  pico. Generadores e ado es de  • Ge señal. • Fuente de  energía  eléctrica.

Di d Diodo

• Operación • Análisis de  circuitos con el  diodo ideal

Introducción
• El diodo de unión es el elemento más simple de los dispositivos de estado sólido, sólido semiconductores semiconductores. • La unión de dos semiconductores, uno tipo-n y otro tipo-p, crea el diodo de unión. • La L relación l ió i-v hace h d del l diodo di d un elemento l de d circuito i i no-lineal. • Tiene dos terminales: ánodo y cátodo. • Su característica principal de operación es que la corriente fluye, de manera ideal, únicamente de ánodo a cátodo.

El Diodo Ideal
El diodo ideal puede ser considerado como el elemento más fundamental de los elementos de circuito no-lineales. Su curva característica i-v es como se muestra en la Figura 2. y puede ser interpretada como: • Si un voltaje negativo1 es aplicado en el diodo ideal, no fluye corriente a través de él, iD =0, y se comporta como un circuito abierto; se dice que el diodo opera en polarización inversa o se encuentra apagado (off). • Si una corriente positiva1 es aplicada al diodo ideal, un voltaje VD =0 aparece a través del diodo; Figura 2. (a) Convencionalidad de voltaje  se dice que el diodo opera en y corriente, corriente  (b) curva característica del  polarización directa o se encuentra diodo ideal, (c) y (d) circuito equivalente. encendido (on).
1. Se considera voltaje negativo ya que la terminal ánodo deber de ser siempre positiva en la convencionalidad de VD de la Figura 2,  de misma forma la corriente es positiva si va en sentido ánodo a cátodo, en caso contrario es negativa . 

Figura 1. Símbolo del diodo

V = 0 V El diodo D1 se encuentra apagado. es el mismo. . IT=(10 V -(-10 V))/15kΩ = 1. uno tipo-p y otro tipo-n. 0 V < VD 2. Relación i-v del diodo de unión. Circuitos con diodos ideales.33 mA. Diodo de Unión Operación Física del Diodo (a) (b) (c) g  3.Circuitos con Diodos Ideales Obtener los valores de V e I de los siguientes circuitos. el diodo D2 se encuentra encendido.33 V Diodo de Unión pn p El diodo de unión recibe su nombre debido a la construcción del mismo. . negativo específico para cada diodo. Característica i-v Curva característica del diodo semiconductor donde se muestran tres regiones de operación: 1 Polarización directa 1. V = +5 V El diodo se encuentra encendido. I = (5 V-(-5 V))/10kΩ = 1 mA Los diodos se encuentran encendidos. Región de ruptura VD ≤ -VZK La región de ruptura se caracteriza por exceder el valor de umbral de voltaje negativo. el diodo de unión presenta tres regiones como se muestra en la Figura 4: Directa Inversa y Ruptura El proceso de conducción y sus características principales son derivadas del funcionamiento y la reacción de los materiales semiconductores en presencia de un campo eléctrico. V = -3. I = 1 mA. Polarización inversa -VZK < VD ≤ 0 V 3. V = +5 V. Figura (d) (a) (b) (c) ( ) (d) El diodo se encuentra apagado. A este voltaje se le denomina -VZK Figura 4. A diferencia del diodo ideal. que sólo presenta dos regiones de operación (directa e inversa). El símbolo para el diodo de unión. presentado en la Figura 1. I = 0 A. I = 0 A. o para el diodo ideal. mismo es el diodo real fabricado con dos materiales semiconductores. llamado voltaje de ruptura.

Figura 7. Polarización Directa VD > 0 V • • • +VD atrae a los electrones del lado n ó –VD los repele. VD < 0 V. lo que compone la corriente de saturación inversa IS (fuga). los huecos del lado n son atraídos por –VD.38 X 10-23 J/K T ⇒ Temperatura absoluta en °Kelvin = 273. .IS • • • Figura 5 5. V  hay h  un flujo fl j  de d   portadores mayoritarios a través de la  unión ánodo‐cátodo. sin  embargo los portadores  minoritarios se mueven a  través de la unión. en las regiones de operación directa e inversa del diodo de unión. lo que produce más iones positivos desde la frontera hacia el lado n. Los portadores minoritarios se moverán por arrastre.  producido por el mecanismo de  difusión. Los huecos del lado p son atraídos por -VD. .VD atrae a los huecos del lado p ó +VD los repele. Los portadores  minoritarios se mueven a través de la  unión en sentido contrario. en función de vD . lo que propicia que se forme un región con carencia de portadores libres llamada “ “región ió de d agotamiento” i ”. La región de agotamiento se hace más á grande d . iD=. El flujo neto externo de  corriente es cero. el flujo de portadores  mayoritarios es cero.  Ecuación de Shockley y1 La ecuación de Shockley define el comportamiento de la corriente iD. t los l electrones l t del d l lado l d p son atraídos por +VD. directa. Polarización Inversa VD < 0 V • Los electrones del lado n son atraídos por +VD. premio Nobel en física en 1956. La  corriente neta a través de la unión es  ID = Imayoritarios – IS. ) La capacidad de conducción queda controlado por la cantidad de impurezas del material.3 273 3 + temperatura °C q ⇒ Magnitud de la carga del electrón = 1.Sin Polarización VD= 0 V El exceso de portadores mayoritarios en la frontera.6 X 10-19 C 1. p Los iones en la frontera desaparecerán parcialmente ya que los electrones del lado n se recombinan con los iones –’s del lado p y los huecos del lado p se recombinan con los iones +’s del lado n. Unión p pn con  polarización inversa. hace que estos se muevan debido al mecanismo de transporte de difusión. William Bradford Shockley.  Figura g  6. físico investigador en semiconductores. el único flujo es  en el instante de unir los materiales. lo l único ú i que queda d en la l frontera f es la acumulación de iones positivos del lado n y iones negativos del lado p. la l corriente i t d debida bid a portadores mayoritarios es cero. en caso opuesto. al momento de unir los materiales tipo-p y tipo-n. Unión pn con polarización  di t  VD > 0 V. polarización   VD = 0 V. iD = I S ( evD / nVT − 1) • IS ⇒ Corriente de saturación inversa vD ⇒ Voltaje en polarización directa en el diodo n ⇒ Factor de idealidad. La región de agotamiento se reduce por lo que ahora existe un flujo de carga de ánodo a cátodo formado por los portadores mayoritarios (Imayoritarios). varía entre 1 y 2 VT ⇒ Voltaje térmico VT = KT q K ⇒ Constante de Boltzmann = 1. que circula de cátodo a ánodo. Unión pn sin polarización. lo l que produce d más á iones i negativos ti desde la frontera hacia el lado p.

o su corriente iD. . para aproximación en el análisis de circuitos se considera VT ≈25mV La constante de idealidad depende del material y de la estructura física (para Si n=1. corriente el voltaje también cambia • V1D = nVT ln V2 D = nVT ln i1D IS i2 D IS iD  I S eVD / nVT • La relación también se puede expresar como Como se trata del mismo diodo. la característica  del diodo y el negativo de la pendiente de la recta  de la conductancia (‐1/R). Método modelo simplificado. Circuito con un diodo. para Ge n=2).3 2 3nV VT log l 2D i1D i1D Método Gráfico Obtener iD y vD del circuito que se muestra en la Figura 8. Existen tres métodos posibles: 1. si no se especifica el valor de n se toma por omisión n=1. los parámetros como IS y n permanecen constantes. En condiciones de operación de polarización directa. la corriente inversa de saturación IS es despreciable. IS es la misma. Análisis gráfico del circuito de la Figura 8. se reescribe la ecuación y se obtiene la diferencia de los valores de voltaje como VD = nV VT ln l iD IS V2 D − V1D = nV VT ln l i2 D i = 2. constantes lo cual permite calcular el voltaje o la corriente función de dichos cambios. Método gráfico 2. Figura 9.  La solución puede ser obtenida por el punto de  intersección de las dos gráficas.Práctico • • A temperatura de cuarto (20°C) el valor de VT es 25. despreciable por lo tanto la corriente en el diodo se puede aproximar como Cambio de VD en un Mismo Diodo Si se tiene un mismo diodo y cambia su voltaje vD. Método Iterativo p 3. El voltaje para un diodo depende de la corriente que circula a través de él él. dicho punto es llamado  punto de operación Q y son los valores de  corriente y voltaje a los cuales está operando el  diodo.2 mV. Figura 8. Para procesos de operación en condiciones normales el valor es n=1. si se le cambia la corriente.

b) dos rectas. (a) Aproximación de la curva del diodo en la región de polarización directa  con pendiente =1/rD y circuito equivalente. obtener los valores de operación ID y VD del diodo. el método iterativo hace uso de dos ecuaciones para aproximación numérica hasta que el error se mínimo. una vertical que intercepta al eje de vD en VD = 0. asumir que el diodo tiene un valor de VD = 0. Existen tres tipos de circuitos rectificadores para una fase: 1 Rectificador de media onda. La ecuación que define el valor de la corriente del circuito es V − VD 5 − 0. hasta reducir error = (V2D . Diagrama a bloques de una fuente completa de CA a CD  .3 4 3 mA R 1kΩ 2. Obtener V2D de acuerdo con el cambio de voltaje en función del cambio de la corriente Modelo Simplificado p La curva i-v del diodo se puede simplificar si la función exponencial se aproxima como una recta en la región de polarización directa. Repetir los pasos 1 y 2.7 V.7 I D = DD = = 4. (b) Característica con caída de voltaje  constante. La curva i-v característica tiene dos posibles formas: a) dos rectas.Método Iterativo Para el circuito mostrado en la Figura 8. Si R = 1 KΩ y VDD = 5 V. El circuito de la Figura 10 (a) muestra este modelo. una con pendiente = 1/rD (rD es un valor específico del fabricante por cada tipo de diodo). Rectificador de onda completa con derivación central.V1D) < 1 mV V. 1.7 V + 0.763 V 1 mA i1D i1D ( ) ( ) (a) (b) Figura 10. Obtener la corriente I1D de acuerdo con los datos del diodo. la otra en el eje horizontal hasta VD0.7 V. Solución ID=4.3 A ⇒ V2 D = V1D + nVT ln 2 D = 0. I2D ⇒ I1D y V2D ⇒ V1D. 3. VD=0. PWL (piecewise-linear). onda 2. 1.7 V cuando le circula una ID=1 mA. Rectificador el cual utiliza al diodo rectificador como elemento principal. como se muestra en la Figura 10 (b) V2 D − V1D = nVT ln i2 D i 4 3 mA 4. Figura 11. circuito equivalente. VD = 0. Sean los datos del diodo n = 1 y VT = 25 mV. Rectificador de onda completa tipo puente.762 V Diodo Rectificador en Fuentes de CA a CD Uno de los circuitos más importantes en la conversión de energía es el Rectificador.237 mA. 3.025ln = 0. la otra en el eje horizontal.

Sustituir la fuente vi por una fuente de CD en el instante de tiempo que se evalúa. el de C1 y el de entrada. cualquier valor negativo de la fuente polariza en directa a D2 y V0 será la suma de ambos voltajes. 2 Verificar 2. Multiplicadores p Duplicador de voltaje En el E l semiciclo i i l positivo iti el l capacitor C1se carga al valor de VP a través de D1.El circuito formado p por D1 y C1 es un sujetador. di directa e t o in inversa. . El semiciclo de 0 a T/2 polariza al diodo en directa. En el semiciclo negativo el valor de voltaje en C1 permanece. un rectificador de media onda es también un recortador. Resolver por cualquier técnica de análisis de circuitos eléctricos para vO. Ve ifi la l ope operación ión del diodo diodo. p . el capacitor p se carga g a un valor de vi.Rectificadores p para una Fase Rectificador de media onda +V ‐‐ P 0 a 180° D→on VO = VS 180° a 360° D→off VO = 0 V Rectificador onda completa con derivación central 0° a 180° D1→on y D2→off VO= VS 180° a 360° D1→off y D2→on VO=-VS Rectificador puente 0° a 180° D1 y D2→on D3 y D4→off VO=VS 180° a 360° D1 y D2→on D3 y D4→off VO=-VS Recortadores Los recortadores eliminan una porción de la forma de onda de la señal de entrada. el efecto del capacitor es el que desplaza la señal. permanece ya que no tiene trayectoria de descarga. El procedimiento de análisis es similar al procedimiento de análisis de recortadores. D1 queda en polarización inversa. El procedimiento para analizar los circuitos es: 1. El circuito formado por D2 y C2 es un rectificador de media onda detector de picos. e 3. +VP ‐‐ vO +VP ‐‐ vs ‐VP ‐‐ vO +VP ‐‐ vi ‐VP ‐‐ Sujetadores j Los sujetadores cambian el nivel de CD sin cambiar el aspecto de la forma de onda de entrada. En el semiciclo de T/2 a T el diodo se polariza en inversa.

(c) Calcular el cambio en VO resultado lt d d de conectar t la l resistencia de carga RL = 2 kΩ (d)Calcular el valor de VO cuando RL = 0. (a) Característica i‐v. (b)Calcular el cambio de VO cuando la fuente V+ cambia ± 1 V. Si el 1 lógico tiene un valor de entrada de 5 V y el 0 lógico un valor de 0 V. (b) AND. mA. (c) modelo equivalente . (b) El diodo  zener ha sido remplazado con su modelo equivalente (a) (b) (c) Figura 17. Diodo Zener. También es conocida como resistencia esistencia dinámica del zener. (b) símbolo.Circuitos Digitales g Las funciones lógicas básicas se pueden realizar en circuitos con diodos. (a)Obtener ( )Ob el l valor l d de VO sin carga y con la fuente V+ a su valor nominal.5 kΩ Figura 18. El cambio en corriente produce un pequeño cambio en voltaje. como se muestra en el circuito de la Figura 18 (a). Circuitos con diodos para  funciones lógicas (a) OR. lo que se refleja en una resistencia rz llamada resistencia incremental del diodo zener en el punto de operación. ene Diodo Zener El diodo Zener tiene especificado un VZ = 6.8 V a IZ = 5mA. 5 Diodo Zener El diodo zener hace uso de la región de ruptura para operar. El fabricante especifica el voltaje de operación VZ a una corriente de prueba dada IZT. rZ = 20 Ω e IZK = 0. las siguientes tablas definen la función de acuerdo a la Figura 16 vA 0 0 0 0 5 5 5 5 vB 0 0 5 5 0 0 5 5 (a) vC 0 5 0 5 0 5 0 5 vy 0 5 5 5 5 5 5 5 vA 0 0 0 0 5 5 5 vB 0 0 5 5 0 0 5 5 (b) vC 0 5 0 5 0 5 0 5 vy 0 0 0 0 0 0 0 5 Figura 16 16.2 mA La fuente de voltaje V+ tiene un valor nominal de 10 V y varía ± 1 V. (a) Circuito con diodo zener.

Tipos p de Diodos Diodo Zener LED LASER Varactor Diodo  Schottky Fotodiodo Hoja j de Datos (datasheet) ( ) Diodo Rectificador Diodo PIN Diodo Gunn Hoja j de Datos (datasheet) ( ) cont cont. Hoja j de Datos (datasheet) ( ) Diodo Zener cont cont. .

Adel S. Microelectronic circuits. 2009. and Kenneth C. . Louis Nashelsky . Referencias 1. Sedra.. 10a ed. México. Oxford University Press. Smith. New York. 6th ed. 2.Hoja j de Datos (datasheet) ( ) cont cont. 2009. Electrónica : teoría de circuitos y dispositivos electrónicos... Pearson Educación. Boylestad Robert L.