Yêu cầu

:
Loại mạch : OTL. Ngõ vào : Vi sai. Điện áp vào : 776mV.
Công suất : 60W. Trở kháng loa : 4Ω. Trở kháng vào : 100KΩ. Băng thông : 16Hz ÷
20KHz.
Méo phi tuyến : 1%.CMRR : 30dB.
V C C
Q 2
Q 1
C 1
D 4
1 N 9 1 4
D 5
1 N 9 1 4
R 2
D 1
R 2 4
R 3
D 2
R 4 D 3
R 7
Q 5
R 8
R 5
Q 4
R 6
R 1 2
Q 6
R 1 3
C 7
R 1 9
D 6
R 1 1
D 7
R 1 4
R 1 5
Q 7
R 1 6
V R 2 2
C 3
V R 1 0
C 5
1 0 u F
R 1
V R 9
C 2
S P E A K E R
S O U R C E
+ / - 3 5 V
1
2
3
V R 1 7
0 . 1 u F
V O L U M E
Q 9
R 2 6
Q 1 0
Q 1 1
R 2 0 R 2 1
R 2 3
R 1 8
Q 3
J 1
C O N 2
1
2
C 4
V R 2 5
Q 8
C 6
M A C H K H U E C H D A I C O N G S U A T O C L N G O V A O V I S A I
TÍNH TOÁN
1> Tầng nguồn:
1.1> Biên độ tín hiệu ra loa:
Tín hiệu vào của mạch khuyếch đại có dạng sin: . sin t V v ω ·
Xem hệ thống là tuyến tính thì tín hiệu ra trên tải:

0
0
sin
sin
C L L
CE L L
I t I i
V t V v
+ ·
+ ·
ω
ω
với : ,
L L
I V là biên độ điện áp và dòng ra trên tải.

: ,
0 0 C CE
I V
là điện áp và dòng điện DC trên tải.
Do tầng công suất làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh và điện áp tĩnh rơi trên tải không đáng kể .
Do vậy:
t I i
t V v
L L
L L
ω
ω
sin
sin
·
·
Gọi
: ,
Lhd Lhd
I V
là điện áp hiệu dụng và dòng điện hiệu dụng trên tải.

2
,
2
L
Lhd
L
Lhd
I
I
V
V · ·
Khi đó công suất trên tải :

) ( 475 , 5
4
9 , 21
) ( 9 , 21 4 . 60 . 2 2
2
.
2 2
2
A
R
V
I
V R P V
V
R
V
I R P
L
L
L
L L L
L
L
Lhd
Lhd L L
· · · ⇒
· · · ⇒
· · ·
1.2> Điện áp nguồn cung cấp:
Để đảm bảo về mặt năng lượng và tránh nhiễu phi tuyến thì điện áp nguồn phải bằng hai lần điện áp
trên loa. Mặc khác, vì
2 1
, Q Q làm việc ở chế độ AB nên chọn hệ số sử dụng nguồn là 0,8.
Do vậy:
) ( 75 , 54
8 , 0
9 , 21 . 2
8 , 0
2
V
V
V
L
CC
· · ·
Ta chọn nguồn cung cấp là :
. 60V V
CC
·
1.3> Công suất nguồn cung cấp:
- Dòng cung cấp trung bình:

π
ω
π
ω ω
π
π
π
L
L L CCtb
I
t I t d t I I · · ·
∫ 0
0
cos
1
. sin
2
1

-
-
- Công suất nguồn cung cấp:
W) ( 56 . 104
475 , 5
60 · · ·
π π
L
CC CC
I
V P
1.4> Hiệu suất của mạch:

% 38 , 57
56 , 104
60
· · ·
CC
L
P
P
η
2> Tầng khuyếch đại công suất:
Tầng khuyếch đại công suất có nhiệm vụ phát trên loa một tín hiệu âm tầng được xác định theo yêu cầu
thiết kế W 70 ·
L
P .
Các BJT làm việc ở mức điện áp cao, các dòng collector
2 1
, Q Q rất lớn. Vì vậy,
2 1
, Q Q phải được
chọn phù hợp đồng thời phải chọn nguồn, dòng nguồn khong được vượt quá giá trị cho phép của BJT
nhưng cúng phải đủ lớn để đảm bảo công suất và hiệu suất mạch.
Để tránh méo xuyên tâm đồng thời đảm bảo hiệu suất, ta chọn
2 1
, Q Q làm việc ở chế độ AB.Vì mạch
làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng mA 50 20 ÷ . Ở đây ta chọn
mA I I I
Q Q Q
E E E
50
2 1
· · ·
.
Dòng đỉnh qua
2 1
, Q Q là:

) ( 525 , 5 475 . 5 10 . 50
3
2 1
1
A I I I I
L E E E
Q P P
· + · + · ·


2.1> Tính chọn : ,
2 1
R R
2 1
, R R có tác dụng cân bằng dòng , ổn định nhiệt nên phải có kích thước lớn để chịu được công suất
lớn.
Dạng tín hiệu trên
2 1
, R R là:
t I i i
L e e
ω sin
2 1
· ·
.
Nếu chọn
2 1
, R R lớn thì tổn hao trên loa nhiều do đó phải chọn sao cho tín hiệu ra loa là lớn nhất. Để
tránh tổn thất tín hiệu ra loa ta thường chọn:

) ( 198 , 0
525 , 5
095 , 1
095 , 1
20
9 , 21
20 20
1
1
1
2 1
1
1
Ω · · · · ⇒
· · ≥ ⇒ ≥
P
E
R
L
R
L
R
I
V
R R
V
V
V
V
Ta chọn Ω · · 2 , 0
2 1
R R .
Công suất tiêu hao trên
2 1
, R R là:
W) ( 997 , 2
4
) 475 , 5 (
2 , 0
2 2
1
2
1
2 2
1
2
1 2 1
· · · · ·
L
Lhd R R
I
R I R P P
Vậy chọn
W 5
2 , 0
2 1

· · R R
2.2> Tính chọn cặp : ,
2 1
Q Q
Công suất nguồn cung cấp :
π
L
CC TB CC CC
I
V I V P · ·
Công suất loa:
2 2
2
1
L L Lhd L L
I R I R P · ·
Công suất tiêu tán của
2 1
, R R :
2
1 1
2
1
2
L R R
I R P P · ·
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT
2 1
, Q Q là :

2
1
2
2
1
2
1
L L L
L CC
R L CC tt
I R I R
I V
P P P P − − · − − ·
π
Công suất tiêu tán của một BJT, chẳn hạn BJT
1
Q là:

2
1 2 / 1 /
) (
4
1
2 2
L L
L CC tt
Q tt Q tt
I R R
I V P
P P + − · · ·
π
Ta thấy công suất tiêu tán của BJT
1
Q phụ thuộc vào
L
I theo hàm bậc hai. Để tìm công suất tiêu
tán cực đại ta lấy đạo hàm của 1 / Q tt
P
theo
L
I và cho bằng 0.

0 ) (
2
1
2
1
1 /
· + − ·
L L
CC
L
Q tt
I R R
V
dI
dP
π
W I R R
I V
P
A
R R
V
I
L L
L CC
Q tt
L
CC
L
71 , 21 ) 55 , 4 )( 2 , 0 4 (
4
1
14 , 3 . 2
55 , 4 . 60
) (
4
1
2
55 , 4
) 2 , 0 4 ( 14 , 3
60
) (
2 2
0 1
0
1 max/
1
· + − · + − · ⇒
·
+
·
+
· ⇒
π
π
Công suất tiêu tán tĩnh trên
1
Q :
W 5 , 1 05 , 0 .
2
60
2
.
1 / 1 / 1 /
· · ≈ ·
EQ
CC
Q C Q CE Q DC
I
V
I V P
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên
1
Q là:

W 21 , 23 5 , 1 71 , 21
1 / 1 max/ 1 max/
· + · + ·
∑ Q DC Q tt Q tt
P P P

2 1
, Q Q là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn
2 1
, Q Q thỏa mãn điều kiện:

W 21 , 23 ) 3 2 ( ) 3 2 (
60
525 , 5
max
0
1
÷ · ÷ >
· >
· >
∑ tt C
CC CE
p E C
P P
V V V
A I I
Tra cứu sổ tay Transistor Nhật Bản ta chọn được 1943 2 : ; 5200 2 :
2 1
SA Q SC Q .
Tên P(W) f
C T
o
CE
V
(V
)
C
I
(A)
β
2SC5200 150 30MHz 150 230 15 55/160
2SA1943 150 30MHz 150 230 15 55/160
2.3> Tính chọn
: ,
4 3
R R
Trong tính toán ta chọn:

55
min 2 1
· · · β β β
Q Q
Dòng Base tĩnh của :
1
Q

mA
I
I
Q EQ
Q BQ
89 , 0
55 1
50
h 1
fe1
1 /
1 /
·
+
·
+
·
Dòng Base cực đạI của :
1
Q
mA
I
I
Q Ep
Q BQp
67 , 98
56
525 , 5
1
1
1 /
1 /
· ·
+
·
β

Để 4 3
, R R
không ảnh hưởng đến dòng ra ở chế độ xoay chiều thì 4 3
, R R
phảI thỏa mãn điều
kiện:
Mdc B Mac B
Z R R Z
1 4 3 1
, << <<
.
: ,
1 4 3 Mdc B
Z R R <<
để rẽ dòng nhiệt.
: ,
1 4 3 Mac B
Z R R >>
để giảm tổn thất tín hiệu.
Với Mdc B Mac B
Z Z
1 1
,
: là điện trở xoay chiều và một chiều từ cực Base
1
Q đến M.
Từ đặc tuyến vào của ) 5200 2 (
1
SC Q ta có:

V V mA I
V V mA I
BEp Bp
BEQ BQ
1 67 , 98
6 , 0 89 , 0
· ⇒ ·
· ⇒ ·
Vậy:

) ( 26 , 14
10 ) 89 , 0 67 , 98 (
) 2 , 0 . 05 , 0 7 , 0 ( ) 525 , 5 . 2 , 0 1 (
) ( ) (
) ( 39 , 685
10 . 89 , 0
2 , 0 . 05 , 0 6 , 0
3
1
1 / 1 /
1 1 / 1 1 /
1 / 1 /
1 1
1
3
1 /
1 1 /
1 /
1
1
Ω ·

+ − +
·

+ − +
·


·
Ω ·
+
·
+
· ·


ac B
Q BQ Q Bp
R Q BEQ p R Q BEp
Q BQ Q Bp
MQ B Mp B
ac B
Q BQ
R Q BEQ
Q BQ
MQ B
Mdc B
Z
I I
V V V V
I I
V V
Z
I
V V
I
V
Z
Vậy:
39 , 685 , 26 , 14
4 3
<< << R R
Chọn
· ·
4 3
R R
200
) (Ω
2.4> Tính chọn cặp
: ,
4 3
Q Q
- Dòng tĩnh qua
:
3
R

mA
R
V V
I
R Q BEQ
Q R
05 , 3
200
2 , 0 . 05 , 0 6 , 0
3
1 1 /
3
·
+
·
+
·
- Dòng cực đại qua
:
3
R

mA
R
V V
I
p R Q BEp
p R
5 , 10
200
2 , 0 . 525 , 5 1
3
1 1 /
3
·
+
·
+
·
- Dòng emitter qua
:
3
Q

mA I I I
mA I I I
Q Bp p R Q Ep
Q BQ Q R Q EQ
17 , 109 67 , 98 5 , 10
94 , 3 89 , 0 05 , 3
1 / 3 3 /
1 / 3 3 /
· + · + ·
· + · + ·
Khi đó trỏ kháng xoay chiều từ 1 Q
B
xuống M lúc này là:

) ( 2 , 14
10 ) 94 , 3 17 , 109 (
) 2 , 0 . 05 , 0 6 , 0 ( ) 525 , 5 . 2 , 0 1 (
3
3 / 3 /
1 1 '
1
Ω ·

+ − +
·


·

Q EQ Q Ep
MQ B Mp B
Mac B
I I
V V
Z
So sánh với Mac B
Z
1 tính ở trước là ta thấy khi thêm 4 3
, R R
vào thì sai khác không đáng kể.
Như vậy, tải xoay chiều của 3
Q
là:

) ( 2 , 238 4 ). 55 1 ( 2 , 14 ) 1 (
1
'
1 3 /
Ω · + + · + + ·
L ac BM Q t
R Z Z β
Để tìm được 4 3
, Q Q
ta tìm công suất tiêu tán max của chúng. Gọi M E
I
3 là biên độ dòng AC chạy
qua 3
Q
, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho
:
3
Q

π
M E
Q tb
I
I
3
3 /
·
Công suất nguồn cung cấp cho 3
Q
:

π
M E CC
Q tb CC Q CC
I V
I V P
3
3 / 3 /
.
· ·
Công suất cung cấp cho tải của
:
3
Q

3 /
2
3
0
2
3 3 /
2
3 3 / 3 /
4
1
) sin (
2
1
.
Q t M E M E Q t M E Q t Q t
Z I t d t I Z I Z P · · ·

π
ω ω
π
Công suất tiêu tán xoay chiều trên
:
3
Q

2
3 3 / 3 3 / 3 / 3 /
4
1
M E Q t M E
CC
Q t Q CC Q tt
I Z I
V
P P P − · − ·
π
Lấy đạo hàm theo
M E
I
3
và cho bằng 0 ta được:

) ( 1604 , 0
2 , 238 . 14 , 3
60 . 2 2
3 /
0 3
A
Z
V
I
Q t
CC
M E
· · ·
π
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên 3
Q
là:

W 53 , 1 ) 1604 , 0 .( 2 , 238 .
4
1
14 , 3
1604 , 0 . 60
4
1
2 2
0 3 3 /
0 3
3 max/
· − · − ·
M E Q t
M E CC
Q tt
I Z
I V
P
π
Công suất tiêu tán tĩnh trên
:
3
Q
(W) 1182 , 0 10 . 94 , 3 .
2
60
2
3
3 / 3 /
· · ·

Q EQ
CC
Q dc
I
V
P
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên
:
3
Q

(W) 6482 , 1 53 , 1 1182 , 0
3 max/ 3 / max
· + · + ·
∑ Q tt Q dc tt
P P P
Vậy chọn
4 3
, Q Q
là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:

V V V
mA I I
P P
CC CE
Q Cp C
Q tt C
60
17 , 109
W 6482 , 1 ) 3 2 ( ) 3 2 (
0
3 /
3 /
· >
· >
÷ · ÷ >

Dựa vào sổ tay tra cứu Transistor Nhật Bản cột bổ phụ ta chọn:
940 2 : ; 2073 2 :
4 3
SA Q SC Q
T ên P(W) f(MHz)
C T
o
) (V V
CEo
) ( A I
C
β
2SC2073 25 4 150 150 1,5 40/75/140
2SA940 25 4 150 150 1,5 40/75/140
3> Tính tầng lái:
Để tính toán tầng lái ta chọn
75
3
·
Q
β
) ( 052 , 0
75 1
94 , 3
1
) ( 44 , 1
75 1
17 , 109
1
3
3 /
3
3
3 /
3
mA
I
I
mA
I
I
Q
Q EQ
Q B
Q
Q Ep
p B
·
+
·
+
· ⇒
·
+
·
+
· ⇒
β
β
3.1> Tính chọn
: , , ,
3 2 1 2
D D D VR
R

Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp BJT khuyếch đại công
suất thì các tổ hợp này pahỉ làm việc ở chế độ AB. Vì vậy, ta dùng 2 3 2 1
, , ,
R
V D D D
để tạo ra áp ban
đầu cho các BJT để khi có tín hiệu vào thì các BJT khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn
: , ,
3 2 1
D D D
là loại 1N4148 là loại diode thuỷ tinh.
Để
2 1
, Q Q làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp trên tiếp giáp BE của các tổ hợp BJT ở chế
độ tĩnh là 0,6V.
Ta có:
) ( 6 , 2 2 , 0 . 05 , 0 2 , 0 . 05 , 0 6 , 0 6 , 0 6 , 0 6 , 0
4 3
2 1 4 2 1 3 4 3
V V
V V V V V V V
Q B B
Q R Q R BE BE BE BE Q B B
· + + + + + ·
+ + + + + ·
Để dòng tĩnh
7
Q
ít thay đổi và tránh méo tín hiệu ta chọn
) ( 8 , 28 44 , 1 . 20 20
3 7
mA I I
p B CQ
· · ·

dùng Diode Zenner để ổn định áp phân cực cho tầng lái.
Như vậy, ba diode 3 2 1
, , D D D

1
VR đảm bảo cho 3 1
, Q Q

4 2
, Q Q làm việc ở chế độ AB, tức

V V
Q B B
6 , 2
4 3
·
ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp đặt lên diode hầu như không đổi.
Muốn được như vậy ta chọn sao cho điểm làm việc nằm trong đoạn tuyến tính nhất(đoạn thẳng)).
Lúc này:
) ( 78 , 27
10 . 8 , 28
6 , 0 . 3 6 , 2
3
3
7
4 3
1
Ω ·

·

·

CQ
D Q B B
I
V V
VR
Chọn Ω · 40
1
VR .sau đó hiệu chỉnh lại.
3.2> Tính toán transistor
8
Q
làm nguồn dòng:
8
Q
tạo dòng điện ổn định phân cực cho 7
Q
và ổn định điểm làm việc của cho hai cặp Dalington ở
tầng khuyếch đại công suất. Chính nội trở nguồn dòng ở chế độ xoay chiều lớn nên tăng hệ số
khuyếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng vào lớn của 2 cặp Dalington làm nâng cao
hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua 8
Q
:
mA I I
Q CQ Q CQ
· ·
7 / 8 /
- Chọn
4
D là 1N4148, chọn
1
Z là Zenner 3V.
Chọn dòng qua hai diode là dòng phân áp cho 8
Q
.
Vì diode Zenner hoạt động ổn định ở dòng là 20mA. Chọn dòng phân áp
mA I
pa
20 ·
. Dòng phân áp
rất lớn so với dòng Base của
8
Q
. Lúc này V V
D
7 , 0 · .
Sụt áp trên
9
R
là:
) ( 3 , 56 3 7 , 0 60
4 9
V V V V V
Z D CC R
· − − · − − ·

) ( 815 , 2
10 . 20
3 , 56
3
9
9
Ω · · · ⇒

K
I
V
R
pa
R
Chọn
Ω · K R 3
9 .
Tính chọn :
2
VR
) ( 155
10 . 20
6 , 0 3 7 , 0
3
8 /
1 4
2
Ω ·
− +
·
− +
·

Q CQ
BE Z D
I
V V V
VR
Chọn ·
2
VR 200 Ω sau đó hiệu chỉnh.
Do 8
Q
hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất tiêu tán lớn nhất của nó là công
suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của
8
Q
là:

W 513 , 0 10 . 20 . 69 , 25 .
) ( 69 , 25
2 , 0 . 05 , 0 6 , 0 6 , 0 ) 6 , 0 3 7 , 0 (
2
60
2
3
8 8 / 8 /
8 /
1 1 / 3 / 2 8 /
· · · ⇒
·
− − − − + − · − − − − ·

Q C Q CE Q DC
Q CE
R Q BE Q BE VR
CC
Q CE
I V P
V V
V V V V
V
V
Vậy ta chọn
8
Q
thỏa các điều kiện sau:

¹
¹
¹
'
¹
· >
· >
· >
W 513 , 0
69 , 25
20
8 /
8 /
8
Q DC C
Q CE CEo
Q C C
P P
V V V
mA I I
Dựa vào bảng tra cứu ta chọn 8
Q
: 2SA1013
Tên P(mW) f(MHz)
C T
0
) (V V
CE
) ( A I
C
β
2SA1013 900 15 150 160 1 60
3.3> Tính chọn BJT thúc 7
Q
:
Transistor 7
Q
làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc và đảo pha cho
tầng công suất. 7
Q
được chọn làm việc ở chế độ A. 7
Q
có tải lớn nên hệ số khuyếch đại lớn. ta phải
chọn điểm làm việc của
7
Q
sao cho khi không có tín hiệu vào điện thế vào cực E của 0 ,
2 1
≈ Q Q , lúc
này sụt áp trên tải ≈ 0.
Trở kháng tải của 7
Q
:
3 / 3 3 8 / 0 7 /
) 1 ( //(
Q t be Q C Q t
Z r R Z β + + ·

với
) ( 34 , 18 2 , 238 ). 75 1 (
94 , 3
25
. 75 ) 1 ( ) 1 (
3 / 3
3 /
3 3 / 3 3
Ω · + + · + + · + + K Z
I
V
Z r
Q t
Q EQ
T
Q t be
β β β

Do đó:
Ω · K Z
Q t
34 , 18
7 / vì
Ω >> K R
Q Co
34 , 18
8 /
Vì 7
Q
có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà gây méo tín hiệu, do đó cần phải mắc hồi
tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc. Điện trở
11 10
, R R
làm nhiệm vụ hồi tiếp
âm DC, riêng 10
R
còn làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho 7
Q
.
Do 7
Q
làm việc chế độ A, ta có thể chọn trước điện áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp một chiều 11 10
, R R

là 3V.
Ta có:
¹
¹
¹
'
¹
· +
·
V V V
V
V
R
R
R R
R
R
3
11 10
11
10
11
10
Để tránh hồi tiếp âm quá nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại của 7
Q
, ta chọn 11 10
R R <
11 10 R R
V V < ⇒
.
Chọn
¹
'
¹
·
·
V V
V V
R
R
2
1
11
10

¹
¹
¹
¹
¹
'
¹
Ω · · ·
Ω · · ·


) ( 100
20
2
) ( 50
10 . 20
1
7 / 0
11
11
3
7 / 0
10
10
Q C
R
Q C
R
I
V
R
I
V
R
Chọn
¹
'
¹
Ω ·
Ω ·
100
50
11
10
R
R
Với hai giá trị này của trở thì áp rơi trên hai điện trở này là:

V I R R V
Q C R R
3 10 . 20 ). 100 50 ( ) (
3
7 / 0 11 10 11 10
· + · + ·

Điện thế trên cực C, E của 7
Q
:
) ( 7 , 22 3 6 , 0 6 , 0 ) 6 , 0 3 7 , 0 (
2
60
2
11 10 2 / 4 / 2 7 /
V V V V V
V
V
R R Q EB Q EB VR
CC
Q CE
· − − − − + − · − − − − ·
Công suất tiêu tán tĩnh của
7
Q
:

W) ( 454 , 0 10 . 20 . 7 , 22 .
3
7 / 7 / 7 /
· · ·

Q C Q CE Q DC
I V P
Do ta chọn 7 / Q C
I
» 3 / Q BP
I
nên khi có tín hiệu vào thì dòng 3 / Q BP
I
không ảnh hưởng nhiều đến dòng
dòng cực đại qua 7
Q
.
mA I
Q C
20
7 max/
· ⇒

7
Q
làm việc ở chế độ A nên:

W) ( 454 , 0
7 / 7 max/
· ·
Q DC Q tt
P P
Từ những tính toán trên ta chọn 7
Q
phải thoã những điều kiện sau:

¹
¹
¹
'
¹
· >
· >
· >
V V V
mA I I
P P
CC CE
Q C C
Q tt C
60
20
W 454 , 0
7 max/
7 max/
Theo sách tra cứu 1000 transistor quốc tế ta chọn
:
7
Q
2SC2383 có các thông số sau:
Tên P(mW) f(MHz)
C T
o
) (V V
CE
) ( A I
C
β
2SC2383 900 20 150 160 1 60/320
3.4 Tính toán các điện trở
12
R
13
R
3
VR
:
Với
60
7
·
Q
β
ta có dòng tĩnh của 7
Q
là:

mA
I
I
Q
Q CQ
Q BQ
33 , 0
60
20
7
7 /
7 /
· · ·
β
Trở kháng vào của tầng thúc:

) ) 1 ( //( ) // // (
10 7 7 / 3 13 12 7 /
R r VR R R Z
Q Q be Q in
β + + ·
với
) ( 75
20
25
. 60
7 /
7 7 /
Ω · · ·
Q EQ
T
Q Q be
I
V
r β

) ( 3125 // ) // // ( ) 50 . 61 75 //( ) // // (
3 13 12 3 13 12 7 /
Ω · + · ⇒ VR R R VR R R Z
Q in
Áp tại cực B của 7
Q
:
'
2 /
3 13
3
7 /
) (
Z Z Q B
V
VR R
VR
V
+
·
với
'
/ Z Z
V : là điện áp làm việc của diode Zenner.
Theo công thức tính toán của lý thuyết ta có:
) ( 81 , 15 81 , 0 15
'
V V V V
Z Z Z
· + · ∆ + ·
V C C T T
V T
V
o o Z C
Z
81 , 0 ) 25 100 (
100
15 . 072 , 0
) (
100
0 1
· − · − · ∆
Mặc khác áp tại B của
7
Q
:
) ( 6 , 3 3 6 , 0
11 10 7 / 7
V V V V
R R Q BE BQ
· + · + ·
Chọn dòng phân áp cho
7
Q
thoả mãn pa
I
» 7 /
10
Q BQ
I
. Ta chọn
mA I I
Q BQ pa
3 , 3 10
7 /
· ·

) ( 09 , 1
3 , 3
6 , 3
7 /
13
Ω · · · ⇒ K
I
V
R
pa
Q B

Ω ·

·

· K
I
V V
VR
pa
Q B z z
7 , 3
3 , 3
6 , 3 81 , 15 7 /
'
/
3
Chọn
¹
'
¹
Ω ·
Ω ·
K VR
K R
5
1
3
13
sau đó hiệu chỉnh 3
VR
.

Ω ·
+

·
+

· K
I I
V V
R
pa Z Z
Z Z CC
93 , 1
3 , 3 20
15 60
2 /
'
2 /
12 . chọn Ω · K R 2
12
⇒ Trở kháng vào của tầng thúc:

Ω · · K Z
Q in
5 , 0 125 , 3 // ) 1 // 5 // 2 (
7 /
3.5> Hệ số khuyếch đại của tầng thúc:
Theo công thức ( ) ta có hệ số khuyếch đại của tầng thúc là:

1 , 352
50 ) 60 1 ( 75
18430
60
) 1 (
10 7 7 /
7 /
7
·
+ +
− ·
+ +
− ·
R r
Z
K
Q Q be
Q t
Q U
β
β
lần
Tính theo đơn vị dB:
dB dB K
U
51 ) 1 , 352 lg( 20 ) ( ≈ ·
4> Tính tầng khuyếch đại vi sai:
Do 10 9
, Q Q
là cặp BJT khuyếch đại vi sai tín hiệu đầu vào đầu tiên nên tầng này quyết định mức độ tạp
âm cho mạch. Để giảm tạp âm ta chọn 10 9
, Q Q
làm việc ở chế độ A và có hệ số khuyếch đại nhỏ.
Để mạch làm việc ổn định và 7
Q
không ảnh hưởng nhiều đến tầng này ta chọn 9 / Q C
I
» 7 / Q BQ
I
.
Với
·
7 / Q BQ
I
0,33mA chọn
mA I
Q C
2
9 /
·
) ( 84 , 17 16 , 42 60
'
4 / 14
V V V V
Z Z CC R
· − · − ·
Theo công thức tính toán của lý thuyết ta có:
V V V V
Z Z Z
16 , 42 16 , 2 40
'
· + · ∆ + ·
V T T
V T
V
Z C
Z
16 , 2 ) 25 100 (
100
40 . 072 , 0
) (
100
0 1
· − · − · ∆
Để phối hợp trở kháng giữa tầng thúc và tầng khuyếch đại vi sai ta chọn:

) ( 2
7 / 17 16
Ω · · · K Z R R
Q in
chọn
Ω · · K R R 2
17 16
Nếu bỏ qua sụt áp trên biến trở 5
VR
thì:

9 / 5 16 9 / 0
'
4 / 9 / 5 16 4 / ' 11 /
9 / 16 4 / ' 11 /
.
Q CE VR Q C Z Z Q CE VR R Z Z Q CE
Q C R Z Z Q CE
V V R I V V V V V V
V V V V
− − − · − − − ·
− − ·
Với 11 / 3 / ' 5 Q BE D Z Z VR
V V V V − + ·

W 07 , 0 10 . 2 . 898 , 34
898 , 34
) ( 898 , 34 898 , 34 262 , 3 10 . 2 . 10 . 2 16 , 42
262 , 3 6 , 0 7 , 0 162 , 3
) ( 162 , 3 ) 25 100 (
100
3 . 072 , 0
3 ) (
100
3
/ max max
max/
9 / 9 /
3 3
/
5
0 1
3 /
3 /
'
· · · ⇒
· ⇒
< − · − − − · ⇒
· − + · ⇒
· − + · − + ·


Q CQ CE
Q CE
Q CE Q CE Q CE
VR
Z Z C
Z
Z Z
I V P
V V
V V V V
V V
V T T
V T
V V
Do đó cần chọn 9
Q
và 10
Q
thỏa mãn những điều kiện sau:

¹
¹
¹
'
¹
· >
÷ · ÷ >
· >
V V V
mA I I
P P
Z Z CE
Q CQ C
C C
40
2 ). 5 3 ( ) 5 3 (
W 14 , 0 2
4 / '
9 /
max
Tra cứu sổ tay linh kiện 1000 transistor quốc tế ta chọn
9
Q

10
Q
như sau:

Tên P(mW) f(MHz)
C T
o
CE
V
(V) C
I
(mA)
β
2SC1815 400 80 125 50 150 250
Biến trở
4
VR dùng đểcân bằng dòng Emitor cho
9
Q

10
Q
do đó ta chọn
4
VR có giá trị nhỏ.
Chọn Ω ·100
4
VR
Xét tầng vi sai có mạch như hình vẽ:

Với
18 6
'
4 / 6
10 /
R VR
V VR
V
Z Z
Q B
+
·

Vì mạch khuyếch đại vi sai được thiết kế sao cho ở chế độ tỉnh hai nhánh cân bằng nhau.

¹
¹
¹
'
¹
·
·
15 6 18
10 /
//
2
R VR R
V
V
CC
Q B

¹
'
¹
·
·

15 6 18
18 6
//
30 10
R VR R
R VR
(1)
Mặc khác trong chế độ tín hiệu:
- Khi chưa có hồi tiếp âm thì trở kháng vào của tầng vi sai là ind
Z
- Khi có hồi tiếp âm điện áp nối tiếp thông qua 4 7 15
, , C VR R
thì trở kháng vào của tầng vi sai sẽ
tăng lên g lần với g là độ sâu hồi tiếp.
ind indf
gZ Z ·
với ht
A A g
0
1+ ·
0
A
: độ lợi vòng hở.
ht
A
: hệ số hồi tiếp.
Do đó, tổng trở vào của toàn mạch khi có hồi tiếp là:
6 18 6 18
// // ) // ( VR R Z VR R Z
indf in
≈ ·

) // (
6 18
VR R Z
indf
>>
Vì thế
6 18
//VR R
quyết định trở kháng vào của mạch. Theo yêu cầu thiết kế thì
Ω · K Z
in
350
nên
chọn
Ω · K VR R 350 //
6 18 (2)
Từ (1) và (2) ta tính được:
¹
¹
¹
'
¹
Ω ·
Ω ·
Ω ·
K R
K VR
K R
100
400
33 , 133
15
6
18
Chọn
¹
¹
¹
'
¹
Ω ·
Ω ·
Ω ·
K R
K VR
K R
100
500
150
15
6
18
sau đó hiệu chỉnh lạI 6
VR
.
5> Tính transistor nguồn dòng
11
Q :
Chọn 5
D
: là 1N4148 và Diode Zenner 3
Z
là 3V ứng với dòng mA I
D
20 · . Khi
mA I
D
20
5
·
thì
V V
D
7 , 0
5
·

V V
Z Z
3
3 /
·
.

11 /
11 / 3 / ' 5
5
'
Q E
Q BE Z Z D
I
V V V
VR
− +
·
Với
) ( 162 , 3 ) 25 100 (
100
3 . 072 , 0
3 ) (
100
'
6 , 0
4 2 . 2 2 2
0 1
/
3 / / '
11 /
9 / 9 / 11 / 11 /
V T T
V T
V V
V V
mA I I I I
Z Z C
Z Z Z Z
Q BE
Q C Q E Q C Q E
· − + · − + ·
·
· · ≈ · ≈
Vậy ) ( 5 , 815
10 . 4
6 , 0 162 , 3 7 , 0
3
5
Ω ·
− +
·

VR
Chọn
Ω · K VR 1
5 sau đó hiệu chỉnh lại.
Chọn dòng phân áp cho
11
Q là dòng làm việc của diode
5
D

mA I
D
20
5
·
.
Ω ·
− −
·
− −
· ⇒

K
mA
V V V
R
Z Z D D Z Z
8 , 1
10 . 20
262 , 3 7 , 0 40
20
3
4 / ' 5 / 4 / '
19
chọn
Ω · K R 2
19
Ta có
mA I I I
Q C Q pa R
24 4 20 . 2
9 / 11 / 14
· + · + ·

) ( 33 , 833
10 . 24
40 60 '
3
14
4 / '
14
Ω ·

·

·

R
Z Z CC
I
V V
R
Chọn Ω · K R 1
14
Mặc khác ta lại có:

5
4
9 / 15 11 /
2 2
VR
VR
Q BE R
CC
Q CE
V
V
V V
V
V − − − − ·
VớI
) ( 1 , 0 10 . 2 . 100 .
2
1
) . (
2
1
2
) ( 8 , 0 10 . 100 .
250
10 . 2
3
9 / 4
4
3
3
15
9
9 /
15 9 / 15
V I VR
V
V R
I
R I V
Q C
VR
Q
Q C
Q B R
· · ·
· · · ·


β

) ( 838 , 25 ) 6 , 0 162 , 3 7 , 0 ( 1 , 0 6 , 0 8 , 0
2
60
11 /
V V
Q CE
· − + − − − − · ⇒
Vậy công suất tiêu tán trên
11
Q là:

W 1033 , 0 10 . 4 . 838 , 25 .
3
11 / 11 / 11 /
· · ·

Q C Q CE Q tt
I V P
Chọn
11
Q thỏa các điều kiện sau:

¹
¹
¹
'
¹
· >
· >
· >
V V V
mA I I
m P P
Z Z CE
Q C C
Q tt C
40
8 2
W 3 , 103
4 / '
11 /
11 /
Tra sách 1000 transistor quốc tế ta chọn
11
Q như sau:
Tên P(mW) f(MHz)
C T
o
CE
V
(V) C
I
(mA)
β
2SC1815 400 80 125 50 150 250
Tính nội trở nguồn dòng:
) ( 5 , 1 )
100 10 . 5 , 1 85 // 10 . 2
100
250 1 ( 10
10
10
1 1
) ( 5 , 1
4
25
250
) ( 50
) ( 35
10 . 20
7 , 0
)
) // (
1 (
3 3
5
11 / 0
5
5
11 /
11
11 /
11 /
20
3
3
5
5
3 5
5 11 / 19
5
11 11 / 11 / 0
Ω ·
+ +
+ ·
· · ·
Ω · · ·
Ω ·
Ω · · ·
+ ·
+ +
+ ·

·

M R
h
r
K
I
V
r
R
I
V
R
R R R
VR r R R
VR
r R
Q C
Q oe
ce
Q EQ
T
Q be
mA I
Z
D
D
Z D D
Q be D
Q Q ce Q C
β
β
γ
6> Tính hệ số khuyếch đại và kiểm tra trở kháng vào:
6.1> Hệ số khuyếch đại:
- Hệ số khuyếch đại điện áp tầng thúc:
1 , 352 − · A
- Hệ số khuyếch đại tầng vi sai khi không có hồi tiếp:

10 4 10 / 7 15
7 / 16
10
. 2 //
) // (
Q Q be
Q in
Q d
VR r VR R
Z R
A
β
β
+ +
− ·
- Hệ số khuyếch đại toàn mạch khi chưa có hồi tiếp:

A A A
d
.
0
·
- Hệ số khuyếch đại toàn mạch khi có hồi tiếp âm điện áp nối tiếp:
Khi có hồi tiếp:

7 15
7
VR R
VR
v
v
A
o
ht
ht
+
· ·
Độ sâu hồi tiếp:
ht ht
A A A g ≈ + ·
0
1

1
0
>>
ht
A A
Hệ số khuyếch đại toàn mạch:

ht ht
A A A
A
A
1
1
0
0

+
·
Mặt khác ta có:
96 , 19
776 , 0 . 2
9 , 21
2
· · ·
in
L
V
V
A

) ( 27 , 5
96 , 18
100
96 , 18
96 , 19
1 1
15
7
7 15
7
Ω · · · ⇒
· · ·
+

K
R
VR
A
A VR R
VR
ht
Chọn
Ω · K VR 10
7 sau đó hiệu chỉnh lại cho phù hợp.
01 , 128
96 , 19
1
. 12 , 2535 1 1
12 , 2535 ) 1 , 352 .( 2 , 7
2 , 7
100 . 250
2
25
250 . 2 10 ). 10 // 100 (
10 ). 2 // 2 (
250
0
0
3
3
· + · + · ⇒
· − − · · ⇒
− ·
+ +
− · ⇒
ht
d
d
A A g
A A A
A
6.2> Trở kháng vào của mạch:
- Trở kháng vào tầng vi sai:
+ Khi chưa hồi tiếp:

Ω · Ω ·
+ + · + + ·
K Z
VR R VR r Z
ind
Q Q be ind
259 , 31 31259
10 ). 10 // 100 ( 100 . 250
2
25
. 250 . 2 ) // ( 2
3
7 15 4 10 10 /
β
+ Khi có hồi tiếp:

Ω · Ω · · · M K gZ Z
ind indf
4 4001 259 , 31 . 01 , 128
- Trở kháng vào toàn mạch:

Ω · · · K Z VR R Z
indf in
38 , 115 10 . 4 // ) 500 // 150 ( // ) // (
3
6 18
6.3> Hệ số khuyếch đại đồng pha:
4
3
11 / 0
16
10 . 67 , 6
10 . 5 , 1 . 2
2
2

· · ≈
Q C
CM
R
R
K
7> Tính các thông số còn lại:
7.1> Tính mạch bảo vệ:
7.1.1> Trường hợp quá tải:
Mạch quá tải tức
V V
in
776 , 0 >
lúc đó V V
L
9 , 21 > .
Xét trường hợp quá tải lớn nhất lúc
2 1
, Q Q dẫn bảo hòa. V
V
V
CC
L
30
2
60
2
· · ·
Dòng đỉnh qua tải:
A
R R
V
I
L
CC
Lp
14 , 7
4 2 , 0
30
2
1
·
+
·
+
·
Công suất loa:
W 102
2
4 . ) 14 , 7 (
) 2 (
2
2
2
'
· · ·
L Lp
L
R I
P
Công suất nguồn cung cấp:
W 4 , 136
14 , 3
14 , 7 . 60
.
'
· · ·
π
Lp CC
CC
I V
P

Công suất tiêu tán trên
1
R : W 55 , 2
4
) 14 , 7 .( 2 , 0
4
2
2
1 '
1
· · ·
Lp
R
I R
P <5W
⇒hai điện trở
2 1
, R R không bị hỏng.
Công suất tiêu tán trên hai BJT
2 1
, Q Q :
W 3 , 29 55 , 2 . 2 102 4 , 136 2 2
'
1
' ' '
· − − · − − ·
R L CC tt
P P P P
Công suất tiêu tán trên mỗi BJT là:
150W W 65 , 14
2
3 , 29
'
2 /
'
1 /
< · · ·
Q tt Q tt
P P
⇒2BJT vẫn làm việc bình thường.
7.7.2> Trường hợp ngắn mạch:
Xem như loa bị lấy ra khỏi mạch, lúc này
2 1
, R R là tải của
2 1
, Q Q . Trường hợp xấu nhất là điện
áp trên loa đặt hết trên
2 1
, Q Q .
Dòng qua
2 1
, R R :
) ( 5 , 109
2 , 0
9 , 21
1
'
R1
1
A
R
V
I
L
· · ·
Công suất tiêu tán trên
2 1
, R R :
W 5 , 559
4
) 5 , 109 .( 2 , 0
4
2
2
1
'
1 '
2
'
1
· · · ·
R
R R
I R
P P
Công suất nguồn cung cấp:
W 6 , 3993
14 , 3
5 , 109 . 60 .
1 '
· · ·
π
R CC
CC
I V
P
Công suất tiêu tán của hai BJT: W 6 , 2874 5 , 559 . 2 6 , 3993 2 2
'
1
' '
· − · − ·
R CC tt
P P P
Công suất tiêu tán trên mỗi BJT là:
W 3 , 1437
2
6 , 2874
'
2 /
'
1 /
· · ·
Q tt Q tt
P P
Trường hợp này thì hai BJT và hai điện trở đều bị hỏng. Phải có mạch bảo vệ.
7.1.3> Tính mạch bảo vệ:
Hoạt động: bình thường khi mạch khuyếch đạI công suất làm việc thì 6 5
, Q Q
tắt. Không ảnh
hưởng đến hoạt động của mạch. Khi xảy ra ngắn mạch dòng qua
2 1
, Q Q lớn sẽ đánh thủng BJT
công suất và điện trở
2 1
, R R . Vì vậy khi dòng qua hai BJT lớn sẽ kích thích mạch bảo vệ hoạt
động. Mạch này sẽ hút dòng làm cho dòng qua hai BJT và điện trở
2 1
, R R nhỏ đảm bảo cho hai
BJT làm việc an toàn.
- Dòng đỉnh qua
2 1
, R R :
A I
p E
525 , 5
1
·

- Chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động là: A I p E 7 1
'
·
- Sụt áp trên
1
R :
V R I V
p E R
4 , 1 2 , 0 . 7
1
'
1
'
1
· · ·
- Chọn dòng tĩnh
mA I I
Q C Q C
1
6 / 5 /
· ·
- Ta có
V V V V V V
R Q BE Q BE Q CE Q CE
6 , 2 4 , 1 6 , 0 6 , 0
'
1 1 / 3 / 6 / 5 /
· + + · + + · ·
- Công suất tiêu tán trên 6 5
, Q Q
là:
W 6 , 2 1 . 6 , 2
/ / 6 / 5 /
m I V P P
Q C Q CE Q tt Q tt
· · · ·
Chọn
6 5
, Q Q
thỏa những điều kiện sau:

¹
¹
¹
'
¹
÷ · ÷ >
· >
· >
W 6 , 2 ) 3 2 ( ) 3 2 (
2 , 5 2
1
/
/
/
m P P
mV V V
mA I I
Q tt
Q CE CE
Q C C
Dựa vào sách 1000 transistor quốc tế chọn:
Tên P(mW) f(MHz)
C T
o
) (V V
CE
) (mA I
C
β
2SC1815 400 80 125 50 150 250
2SC1015 400 80 125 50 150 250
7.1.4> Tính
8 7 6 5
, , , R R R R
:
Dòng tĩnh cực B của
5
Q
:
A
I
I
Q
Q C
Q B
µ
β
2
250
1
5
5 /
5 /
· · ·
Dòng qua 7 5
, R R
: 5 / 5
15 , 0
Q B pa R
I mA I I >> · ·
Khi mạch hoạt động bình thường thì 6 5
, Q Q
tắt nên
V V
Q BE
4 , 0
/
·

V R I V
A I I
R R
p R R
1 , 1 2 , 0 . 525 , 5
525 , 5
1 max 1 max 1
1 max 1
· · · ⇒
· ·

) ( 66 , 2
10 . 15 , 0
4 , 0
3 , 7
15 , 0
1 , 1
3
7
5 /
7
5
1
7 5
Ω · · ·
Ω · · · +

K
I
V
R
K
I
V
R R
R
Q BE
R
R
Chọn
Ω · K R 5 , 2
7

Ω · − · ⇒ K R 8 , 4 5 , 2 3 , 7
5 chọn
Ω · ⇒ K R 5
5
7.2> Tính các tụ:
- Tính tụ
1
C :
Ta chọn tụ
1
C sao cho ở tầng số thấp nhất thì sụt áp trên tụ rất nhỏ so với sụt áp trên loa để
không ảnh hưởng đến tín hiệu ra trên loa. Ta chọn
L C
R X
10
1
1
·

F C
R
C f
X
L C
µ
π
24880
4 , 0 . 16 . 14 , 3 . 2
1
4 , 0 4 .
10
1
10
1
1 . 2
1
1
min
1
· · ⇒
Ω · · · ·
chọn V F C 50 / 25000
1
µ ·
- Tính tụ
5
C
:
5
C
là tụ liên lac ngõ vào nên để sụt áp trên tụ không ảnh hưởng đến tín hiệu vào và chất lượng
của mạch ta chọn tụ C sao cho
in C
Z X
10
1
5
·

F
Z f
C
in
µ
π
99 , 0
10 . 100 . 16 . 14 , 3 . 2
10
. . 2
10
3
min
5
· · · ⇒
Chọn tụ
V F C 50 / 1
5
µ ·
- Tính tụ
2
C :
Tụ
2
C là tụ liên lạc giữa tầng vào vi sai và tầng lái nên chọn tụ
2
C sao cho sụt áp trên tụ không
ảnh hưởng đến tín hiệu vào tầng lái. Ta chọn tụ
2
C sao cho
7 / 2
10
1
Q in C
Z X ·

F
Z f
C
Q in
µ
π
76 , 49
10 . 2 . 16 . 14 , 3 . 2
10
. . 2
10
3
7 / min
2
· · · ⇒
Chọn V F C 50 / 56
2
µ ·
- Tính tụ
4
C :
Tụ
4
C kết hợp với 7 15
,VR R
tạo thành mạch hồi tiếp âm để ổn định thông số của mạch.Chọn tụ
4
C sao cho tỉ số hồi tiếp tín hiệu chỉ phụ thuộc vào 7 15
,VR R
và sụt áp xoay chiều trên
4
C nhỏ
hơn 7
VR
rất nhiều.
Chọn
F
VR f
C
VR X
C
µ
π
9 , 9
10 . 10 . 16 . 14 , 3 . 2
10
. . 2
10
10
1
3
7 min
4
7 4
· · · ⇒
·
Chọn F C µ 10
4
·
- Tính tụ
6
C
:
Tụ 6
C
cùng với
14
R tạo thành mạch lọc thông thấp lọc nhiễu (hài bậc cao) từ nguồn để tránh hồi
tiếp về tạo thành dao động tự kích.

F
R f
C
R X
C
µ
π
52 , 99
10 . 1 . 16 . 14 , 3 . 2
10
. . 2
10
10
1
3
14 min
6
14 6
· · · ⇒
·
Chọn
V F C 70 / 100
6
µ ·
- Tính tụ
3
C
:

F
R f
C
R X
C
µ
π
2 , 995
100 . 16 . 14 , 3 . 2
10
. . 2
10
10
1
11 min
3
11 3
· · · ⇒
·
Chọn
V F C 50 / 1000
3
µ ·
7.3> Tính mạch lọc Zobel
) , (
20 7
R C
:
Cấu tạo của loa gồm một cuộn cảm và một điện trở có L j R Z
L L
ω + · . Như vậy, trở kháng loa phụ
thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn dẫn đến méo tín hiệu.Mạch lọc Zobel là mạch
ổn định trở kháng loa không đổi ở tần số cao. C mắc nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải
L
R . Ở tần số cao tụ ngắn mạch giảm tải ngõ ra tức là
↓ ↑
C L
X X ,

L
R → không đổi.
Ta có:
) //( )
1
( L j R
c j
R Z
L td
ω
ω
+ + ·
Để không phụ thuộc vào tần số thì
Ω · · 4
20 L
R R
và chọn tụ
7
C
sao cho
L C
R X
10
1
7
·

F
R f
C
L
µ
π
9 , 19
4 . 10 . 20 . 14 , 3 . 2
10
. 2
10
3
. max
7
· · · ⇒
Với
KHz f 20
max
·
.
Chọn
V F C 50 / 25
7
µ ·
7.4> Kiểm tra độ méo phi tuyến:
Trong mạch hầu hết các linh kiện làm việc ở chế độ A chỉ có cặp
2 1
, Q Q làm việc ở chế độ AB nên
độ méo phi tuyến toàn mạch phụ thuộc chủ yếu ở
2 1
, Q Q .
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và
V V
in
776 , 0 ·
. Lúc này điện áp đặt lên tiếp giáp BE của
1
Q :
t V V t V
BEm Q BE BE
ω sin ) (
1 1
+ ·

Trong đó:
V V V V
V V
Q BE BEp BEm
Q BE
4 , 0 6 , 0 1
6 , 0
1
1
· − · − ·
·
Gọi
0 C
I
là dòng rỉ của
2 1
, Q Q .
T
BEm
T
BEQ
T
BE
V
t V
V
V
C
V
V
C C
e e I e I I
) sin(
0 0
ω
· ·
Khai triễn
T
BEm
V
t V
e y
) sin(ω
·
theo chuỗI Taylor:
..... ) ( sin
2
1
sin 1
2
2
+

,
_

¸
¸
+ + · t
V
V
t
V
V
y
T
BEm
T
BEm
ω ω
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến đổi
2
) 2 cos( 1
) ( sin
2
t
t
ω
ω

· ta được:
) 2 cos(
4
1
) sin(
4
1
1
2
2
2
t
V
V
t
V
V
V
V
y
T
BEm
T
BEm
T
BEm
ω ω

,
_

¸
¸
− + + ·
Theo định nghĩa méo phi tuyến:
m
n
i
im
I
I
1
2
2

·
· γ
Trong đó :
m
I
1
: thành phần dòng cơ bản.
im
I
: biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:

T
BEm
T
BEm
T
BEm
m
m
V
V
V
V
V
V
I
I
4
4
2
2
1
2
· · · γ
Khi chưa có hồi tiếp:
84 , 3
026 , 0 . 4
4 , 0
4
· · ·
T
BEm
V
V
γ
Khi có hồi tiếp:
g R g
L m
) 1 (
'
+
·
γ
γ
g: độ sâu hồi tiếp:
01 , 128 · g

:
m
g
hỗ dẫn.
mV
mA
V
I
r
g
T
Q E
Q be
Q
m
26
50
1
1 /
1
· · ·
β

% 1 % 33 , 0
01 , 128 ) 4 .
25
50
1 (
84 , 3
) 1 (
' < ·
+
·
+
·
g R g
L m
γ
γ