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Introducción

El transistor de unión bipolar es uno de los dos principales dispositivos de tres terminales. Es más útil que un dispositivo de dos terminales, tal como el diodo. Su aplicación es más amplia, desde un amplificador hasta circuitos lógicos. El flujo de corriente es controlado por una terminal. Aunque no es el más utilizado en la actualidad1, es el preferido en aplicaciones analógicas de alta frecuencia y circuitos lógicos de alta velocidad. Los componentes del flujo de corriente son huecos y electrones, debido a esto se le llama Bipolar. 2
1. El dispositivo de mayor uso es el MOSFET

Transistor de Unión Bipolar

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Analogía (flujo de agua-flujo de corriente)
La Figura 1 muestra una analogía del transistor de unión bipolar con el control del paso del flujo de un líquido. Es un dispositivo de tres terminales (EBC). El flujo del colector (C) hacia el emisor (E) es controlado por una pequeña terminal, la base (B). La base puede controlar de el flujo de dos maneras: continua y discreta.
C

Estructura

B E

Figura 2. Estructura simplificada de un BJT tipo npn

Figura 3. Estructura simplificada de un BJT tipo pnp

El transistor consta de dos uniones pn: la unión BE y la unión BC.

El transistor consta de dos uniones pn: la unión EB y la unión CB.

Figura 1. Flujo controlado de un líquido, analogía de un BJT.
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El colector rodea las regiones de la base y del emisor. Sección transversal de la construcción de un BJT tipo npn 7 Figura 5. Modos de operación del transistor BJT Modo Corte Activo Saturación Activo inverso Unión Base-Emisor Inversa Directa Directa Inversa Unión Base-Colector Inversa Inversa Directa Directa Aplicaciones El modo de operación activo se ocupa para que el transistor trabaje como amplificador. Los modos de operación corte y saturación se utilizan de manera conjunta para que el transistor trabaje como interruptor de estado sólido. lo que significa que el colector y el emisor no pueden ser intercambiados. Típicamente ISC es de 10 a 100 veces mayor que ISE (ISE = IS/α ≈ IS) Flujo de corriente en un transistor npn para operar en modo activo Figura 4. esto hace difícil que los electrones inyectados a la base escapen. 8 . por lo tanto. 5 6 Estructura de un transistor BJT npn Es un dispositivo no simétrico. lo que produce el que el factor α sea cercano a uno y el factor β sea muy grande.Modos de operación Tabla 1. Los modos de operación mostrados en la Tabla 1. para el modelo pnp se considera primero el lado p de la unión y sus nombres son: unión Emisor-Base y unión Colector-Base. son con base en el modelo del transistor tipo npn. La unión BC es mucho mas grande que la unión BE. Flujo de corriente en un BJT tipo npn polarizado para operar en modo activo. El diodo BC (DC) tiene una ISC mucho mas grande que la ISE del diodo BE (DE). por ejemplo en los circuitos digitales TTL.

12 . Esta corriente consta de dos componentes: electrones inyectados del emisor a la base y huecos del la base al emisor. La polarización directa en la unión Base-Emisor también causa un flujo de corriente a través de la unión. con lo que se forma la corriente de colector iC. iC = I S evBE /VT Corriente de base iB = iC β β⇒ Ganancia de corriente de emisor-común Corriente de emisor iE = iC + iB = iC + iC α⇒  β + 1  iC = iC  = β β   α Ganancia de corriente de base-común 10 Circuitos de modelos-equivalentes en gran señal Flujo de corriente en un transistor pnp para operar en modo activo Figura 6. La dirección de la corriente convencional es en sentido opuesto al 9 movimiento de los electrones. B. iC (a) control vBE. los electrones cruzan dicha unión. sus portadores mayoritarios son huecos. La polarización directa de la unión Base-Emisor hace que huecos de la base sean inyectados al emisor.Flujo de Corriente en BJT npn A. Circuitos de modelos-equivalentes de primer orden en gran señal (CD) de un BJT npn polarizado para operar en modo activo. El colector colecta lo emitido por el emisor. La corriente se denomina iE y es igual a la suma de ambos. E. El emisor está altamente dopado. (c) control vBE. algunos electrones difundidos del emisor a la base se recombinan. (d) control β. C. D. La base está ligeramente dopada. El exceso de electrones del emisor hace que se difundan hacia la base. pero como la concentración es muy alta y existe un potencial positivo en la unión Base-Colector (en polarización inversa). Flujo de corriente en un BJT tipo pnp polarizado para operar en modo activo. ambos producen la corriente de base iB. 11 Figura 7. El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT es difusión. sus portadores mayoritarios son Corrientes en el BJT modo activo Corriente de colector electrones. de colector a emisor. (b) control α.

D. Esta corriente consta de dos componentes: huecos inyectados del emisor a la base y electrones de la base al emisor. con lo que se forma la corriente de colector iC. ambos producen la corriente de base iB. (b) tipo pnp. (b) transistor tipo pnp. El exceso de huecos en el emisor hace que se difundan hacia la base. Figura 10. El principal mecanismo de transporte en la conducción del BJT es difusión. La polarización directa de la unión Emisor-Base hace que electrones de la base sean inyectados al emisor. sus portadores mayoritarios son huecos. a temperatura interior ambiente 16 q VT = voltaje térmico = .Flujo de Corriente en BJT pnp A. La corriente se denomina iE y es igual a la suma de ambos. Figura 8. E. El emisor está altamente dopado. Circuitos de modelos-equivalentes en gran señal La base está ligeramente dopada. pero como la concentración es muy alta y existe un potencial positivo en la unión Colector-Base (en polarización inversa). C. Símbolos: (a) transistor tipo npn. los huecos cruzan dicha unión. La dirección de la corriente convencional es en sentido del movimiento de 13 los huecos. sus portadores mayoritarios son electrones. La polarización directa en la unión Emisor-Base causa un flujo de corriente a través de la unión. iC (a) y (b) control vEB 14 Símbolos y polaridades Símbolos Polaridades Relaciones corriente-voltaje de un BJT en modo activo iC = I S evBE /VT iB = iE = iC = = IS evBE /VT evBE /VT β β α iC α IS Nota: para el transistor pnp remplzar vBE por vEB i iC = α iE iB = (1 − α ) iE = E β +1 iC = β iB iE = ( β + 1) iB Figura 9. algunos huecos difundidos del emisor a la base se recombinan. Circuitos de modelos-equivalentes de primer orden en gran señal (CD) de un BJT pnp polarizado para operar en modo activo. 15 β= α 1−α α= β β +1 kT ≅ 25mV. B. el colector colecta lo emitido por el emisor. Polarización para operar el transistor en modo activo (a) tipo npn.

Semiconductor Technical Data. Robert L.. 10a edición. Motorola.. 2010. Sixth edition. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos. México: Pearson Educación. 1998. Louis Nashelsky. 2009. 68 . Boylestad.. © Todas las figuras son propiedad de Microelectronics Circuits. Microelectronic Circuits.. MPS 2222/D. Oxford University Press. Oxford University Press. sixth Ed. Microelectronic Circuits. Smith Kenneth C. Smith Kenneth C.. Sedra Adel S. Fourth edition.Referencias Sedra Adel S.