You are on page 1of 5

Tranzistor

1

Tranzistor
Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puțin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legătura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica și a comuta semnale electronice și putere electrică. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care sunt destinate. În 2013 încă unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt găsite încorporate în circuite integrate.

Tranzistoare

Tranzistorul este componenta fundamentală a dispozitivelor electronice moderne, și este omniprezent în sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltării sale la începutul anilor 1950, tranzistorul a revoluționat domeniul electronicii, și a deschis calea pentru echipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere și altele.

Istoric
Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey în decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne.

Construcție
Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului.

Replica primului tranzistor, inventat de Laboratoarele Bell

video. Tranzistoare de înaltă frecvență Sunt tranzistoare destinate aplicațiilor la frecvențe peste 100kHz. filtre. circuite de comutație etc. . Simbolurile folosite în mod curent pentru tranzistori: Tranzistor bipolar PNP Fototranzistor NPN Tranzistor unijoncţiune (TUJ) Tranzistor JFET canal N Tranzistor IGFET canal P Tranzistor tetrodă IGFET canal N Tranzistoare de mică putere Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și nu sunt destinate montării pe radiator. în circuite audio și de control al puterii. Tranzistoare de joasă frecvență Sunt tranzistoare destinate utilizării până la frecvența de circa 100kHz. modulatoare si demodulatoare. amplificatoare de instrumentatie.Tranzistor 2 Utilizare Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio. surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate. oscilatoare. cum este domeniul radio –TV. circuite de microunde. Tranzistoare de putere Aceste tranzistoare sunt încapsulate în plastic sau metal și sunt destinate montării pe radiator. radio). tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori.

7 V (Si) sau 0. . este parcursă de un curent direct(curent de difuzie) IE. puterea disipată în cele două joncțiuni ale acestuia: PDT = PDE + PDC = UEB. Observație: La temperaturi mai mari decât cele menționate. Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. UEB  const.Tranzistor 3 Tranzistorul bipolar ‒ principiul de funcționare În funcționare normală joncțiunea emitor–bază este polarizată direct. fiind polarizată invers.IE + UCB. foarte mic.3V (Ge).6 .2 -0. fiind polarizată direct. mare în raport cu curentul invers (rezidual) și. [] [] Parametri specifici tranzistoarelor Cei mai importanți parametri ai unui tranzistor sunt: Temperatura maximă a joncțiunilor Valoarea temperaturii maxime a joncțiunilor până la care tranzistorul funcționează normal depinde de natura semiconductorului folosit. este caracterizată de un curent propriu. în timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate în funcționare în jurul valorii de 100 grade C. cu valori tipice de 0. El este indicat în cataloage și depinde de particularitățile tehnologice ale tranzistorului. Curentul de colector maxim Reprezintă valoarea maximă pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fără ca acesta să se distrugă. invers. tranzistoarele realizate din siliciu funcționează corect până spre 200 grade C. are loc creșterea extraordinar de rapidă a concentrației purtătorilor minoritari și semiconductorul se apropie de unul intrinsec. de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu și de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu. iar joncțiunea colector–bază este polarizată invers. Astfel. într-o plajă largă de curenți. • Joncțiunea colector–bază. dispozitivul pierzându-si proprietățile inițiale. O parte din această putere este radiată în mediul ambiant și o parte produce încălzirea tranzistorului. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții: • joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică. în principal. Puterea maximă disipată Puterea disipată de tranzistor apare datorită trecerii curentului prin dispozitiv. astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să ajungă practic în totalitate în regiunea de trecere a colectorului. adică impurificarea emitorului să fie mult mai puternică decât cea a bazei. Puterea disipată de un tranzistor este . • Joncțiunea emitor–bază.0.IC. • baza să fie foarte subțire.

circuiteelectrice. Heinrich. Reinhard (1971). Acest parametru are valori diferite în funcție de conexiunea tranzistorului și este prezentat în foile de catalog pentru fiecare situație în parte. Ștefan.www.Amplificatoare și oscilatoare. Sinnreich.pbs. Referințe și note Vezi și • • • • • • Automat finit Cablu electric Difuzor Dolby FPGA • • • • • • Ray Kurzweil PCB Poartă logică Tehnoton Tranzistor Tranzistor unipolar VHDL Digital Signal Processor • • • • • • • Computer Electronică Premiul Nobel pentru Fizică Muzică electronică Walter Schottky Tranzistor bipolar Legături externe • en The History of the Invention of the Transistor (http://www.Tranzistor 4 Tensiunea maximă admisă Reprezintă valoarea cea mai mare a tensiunii pe care o poate suporta un tranzistor fără ca acesta să se deterioreze.ro/documentatie/tranzistori. Roman.ro/electronica-analogica/tranzistorul/ introducere) • Catalog tranzistori: http://www. București: Editură technică .circuiteelectrice. Piringer. Această valoare este limitată de tensiunea de străpungere a joncțiunii colector bază (polarizată invers).ro (http://www. Stere. Anton.html Bibliografie • Vătășescu. Gavăt.org/transistor/) • ro Tranzistorul . Circuite cu semiconductoare în industrie .bobtech.

Chikipuki.0 Unported //creativecommons. Aghora17. Mahetin. Glenn.wikipedia.npn.wikipedia. Glenn. Elerium.org/licenses/by-sa/3. Topory. Nagy.wikipedia. Severino666 Fișier:Replica-of-first-transistor.php?title=Fișier:BJT_NPN_symbol_(case). Hdelacy.svg  Licență: Public Domain  Contribuitori: Aflafla1. Bunu vio. YaganZ. Ever. Lrb13615.wikipedia.php?title=Fișier:JFET_N-dep_symbol_(case). BAICAN XXX.wikipedia.JPG  Sursă: http://ro.0/ .svg  Sursă: http://ro.svg  Licență: Creative Commons Zero  Contribuitori: User:Aflafla1 Fișier:BJT NPN symbol (case). Minisarm.svg  Licență: Creative Commons Attribution-ShareAlike 3. Paddy.svg  Licență: Creative Commons Attribution-Share Alike  Contribuitori: Zedh Imagine:JFET N-dep symbol (case). Parvus7.symbol.svg  Sursă: http://ro. Ommiy-Pangaeus. WikipediaMaster.wikipedia.there. Zedh.svg  Licență: Creative Commons Attribution-Share Alike  Contribuitori: Zedh Imagine:Dual Gate N Channel IGFET.php?title=Fișier:Dual_Gate_N_Channel_IGFET.0 Unported  Contribuitori: Omegatron.org/w/index.php?oldid=7528692  Contribuitori: Adrianu85. Zedh. THEN WHO WAS PHONE?.org/w/index. BethOHara.php?title=Fișier:BJT_PNP_symbol_(case). 1 {{PLURAL:$1|modificare anonimă|modificări anonime|de modificări anonime}} Licență Creative Commons Attribution-Share Alike 3. KaRaKteR.svg  Sursă: http://ro. Ragesoss.org/w/index. 22 {{PLURAL:$1|modificare anonimă|modificări anonime|de modificări anonime}} Sursele.php?title=Fișier:IGFET_P-dep_symbol-2_(case). Mindmatrix. Mishuletz. Para.wikipedia.org/w/index. Rad Urs.wikipedia.svg  Sursă: http://ro.org/w/index. 5 {{PLURAL:$1|modificare anonimă|modificări anonime|de modificări anonime}} Imagine:BJT PNP symbol (case).svg  Licență: Creative Commons Attribution-Share Alike  Contribuitori: Zedh Imagine:IGFET P-dep symbol-2 (case).php?title=Fișier:Replica-of-first-transistor.svg  Licență: Creative Commons Attribution-Share Alike  Contribuitori: Zedh Imagine:Phototransistor.org/w/index.php?title=Fișier:UJT_N_symbol_(case). Gikü. Agymihai. Vlad. Sarang.svg  Sursă: http://ro.Sursele și contribuitorii articolelor 5 Sursele și contribuitorii articolelor Tranzistor  Sursă: http://ro. GEO. Carismagic.org/w/index.jpg  Sursă: http://ro. EugeneZelenko.wikipedia.org/w/index.org/w/index. Laur2ro. Rebel. WikipediaMaster Imagine:UJT N symbol (case).php?title=Fișier:Phototransistor.svg  Sursă: http://ro.jpg  Licență: Public Domain  Contribuitori: Daderot. licențele și contribuitorii imaginilor Fișier:Transistor-photo.npn. Tatoute. Ronline.org/w/index. Andrei Stroe.svg  Sursă: http://ro.php?title=Fișier:Transistor-photo.symbol.wikipedia.JPG  Licență: GNU Free Documentation License  Contribuitori: AKA MBG. Mnd. WikipediaMaster. Nicolae Coman. Strainu.