Curpins

Tema Proiect ……………………………………………….. 1 Cuprins……………………………………………………… 2 Capitolul I Notiuni Introductive………………………………….. 3 Capitolul II Memoria RAM………………………………………… 7 Capitolul III Memoria ROM………………………………………... 14 Concluzie …………………………………………………… 21 Argument ……………………………………….………....... 23 Anexe………………………………………………………… 24 Bibliografie………………………………………………….. 26

Memoria - notiuni introductive

1

Acest proiect prezinta memoria calculatorului dumneavoastra atat din punct de vedere logic, cat si din punct de vedere fizic. Proiectul contine o multime de informatii utile care ridica valul de pe misterele memoriei si va permit sa obtineti de le sistemul dumneavoastra performante cat mai bune. Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior stocate. Un circuit de memorare este un circuit electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam ca implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu memorii magnetice, memorii optice, memorii semiconductoare. In continuare avem in vedere numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare. Din punct de vedere al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma numerica mai precis a unor numere reprezentate sub forma binara, aceste numere nu au nici o importanta. Cel care doreste sa cunoasca sistemele PC trebuie sa se familiarizeze cu tipurile de memorie instalate pe un calculator personal - zone mici sau mari de memorie de diferite tipuri, unele putand fi accesate de programele de aplicatie, altele nu,o scema simpla a unui bloc de memorie este prezentat in Anexa nr. 1. In majoritatea sistemelor de calcul se utilizeaza urmatoarele tipuri de memorii : - memoria conventionala (de baza) - zona de memorie superioara (UMA) - zona de memorie inalta (HMA) - memoria extinsa - memoria expandata (actualmente depasita) - memoria RAM video - memoria ROM pentru adaptoare si memoria RAM cu destinatie speciala - componenta ROM BIOS de pe placa de baza

Dar exista mai multe clasificari ale acestora: • Memorii interne Caracterizate prin capacitate mica si viteza mare de operare ;

2

Arhitectura unitatii centrale de prelucrare si a placii de baza determina capacitatea memoriei fizice a sistemului. memoriile pot fi : • Statice • Dinamice Chiar si atunci cand sunt alimentate. stocheaza informatia un timp scurt Retin informatia cat timp memoria este alimentata . Industria memoriilor este una dintre cele mai dinamice aplicatii ale electronicii din zilele noastre.• Memorii externe De capacitate foarte mare si viteza redusa de operare (sau acces) . memoriile se mai pot clasifica in : • Memorii distructive • La care informatia este distrusa in urma citirii . • Memorii – tampon interne. Factorul principal care a dus la cresterea 3 . In ultimii ani chip-urile de memorie au avansat intr-un ritm alert. Dupa modul de functionare. memoriile pot fi : • Memorii numai citeste (ROM = READ ONLY MEMORY) • Continutul se inscrie la fabricarea circuitului integrat. Continutul poate fi citit si scris in timpul folosirii acesteia. Din punct de vedere al modificarii continutului memoriei. (1-2 ms) . ceea ce a dus la o scadere dramatica a pretului/MB. Memorii nedistructive La care informatia nu este alterata la citire. Memorii citeste-scrie (RWM = READ WRITE MEMORY sau RAM = RANDOM ACCES MEMORY – memorie cu acces aleatoriu). De capacitate medie si viteza de operare comparabila cu a memoriilor De asemenea. • Memorii semipermanente Reprogramabile ( READ MOSTLY MEMORY). continutul memoriei trebuie improspatat din timp in timp .

Toate aceste caracteristici au fost implementate din cauza mai multor factori de ordin tehnic. raportul pret/performanta. dupa cum multi dintre noi cunosc. Continutul memoriei se pastreaza chiar si atunci cand nu este alimentata cu energie. in acest mod se poate accesa o singura celula a memoriei fara ca acest lucru sa implice utilizarea altor celule. aceasta este utila pentru prelucrarea temporara a datelor. Prin acest proiect mi-am propus o scurta descriere a modului de functionare pentru cele mai raspandite memorii existente pe piata cat si avantajele/dezavantajele tehnologiilor existente. au scazut timpii de acces iar viteza bus-ului a crescut. dintre acestea doar o parte au reusit sa se impuna pe piata. unul dintre acestia ar fi evolutia procesoarelor. Avantajul principal pe care aceasta memorie il aduce este insensibilitatea fata de curentul electric. In lungul timpului memoriile au fost construite prin prisma mai multor tehnologii. Principalul motiv fiind. este memoria care poate fi citita ori scrisa in mod aleator.productiei fiind cererea de memorie. Cateva modele de memorie mai des intalnite in prezent 4 . RAM (Random Access Memory). In acelasi timp performantele noilor module au fost imbunatatite. Cu toate ca exista mai multe gategorii de memorii cele mai cunoscute si cele cu care ne intalnim mai mult sunt ROM (Read Only Memory) acest tip de memorie nu poate fi rescrisa ori stearsa. dupa care este necesar ca acestea sa fie stocate (salvate) pe un suport ce nu depinde direct de alimentarea cu energie pentru a mentine informatia. care prin cresterea frecventei introduc necesitatea cresterii performantelor pentru memorii. In practica este memoria de lucru a PC-ului. care a crescut datorita programelor ce utiulizeaza tot mai multa memorie dar si datorita avantajului (din punctul de vedere al performantelor) pe care memoria RAM il ofera in comparatie cu alte tehnologii de stocare a informatiei.

şirul de biţi de lungime opt a devenit atât de popular încât pe de o parte a dus la apariţia termenului octet. 5 . De fapt.Memoria RAM (RANDOM ACCES MEMORY) Circuitele de stocare din memoria principală a calculatorului sunt organizate în unităţi denumite celule (sau cuvinte). dimensiunea uzuală a unei celule fiind de opt biţi. iar pe de altă a impus pentru cuvântul byte sensul de şir de biţi de această lungime.

Astfel o memorie de 4 MB conţine 4. Pentru identificarea celulelor individuale din memoria principală a unui calculator. pentru termenul megabyte se foloseşte abrevierea MB. Pentru a fi mai precişi. O consecinţă importantă a modului de organizare a memoriei principale a calculatorului în celule de dimensiuni mici cu adresă este aceea că fiecare celulă poate fi apelată. adresele utilizate sunt în întregime numerice. utilizate pentru stocarea şi prelucrarea ansamblurilor de date de dimensiuni mari pot avea memoria principală alcătuită din miliarde de celule. O celulă de memorie cu o adresă mică este la fel de accesabilă ca una cu o adresă mare. Sistemul este analog cu tehnica de identificare – după adresă . . 2. În consecinţă. De observat că un astfel de sistem de adrese nu numai că ne oferă o cale de a identifica unic fiecare celulă. 6 .000. De aceea memoria principală a unui calculator este adesea denumită memorie cu acces aleator (random acces memory RAM). 1. Pentru a desemna această unitate de măsură se foloseşte termenul mega. respectiv 230 octeţi. denumit adresă.576 celule.192.048. Însă.au de obicei memorii ale căror dimensiuni sunt de sute de celule sau chiar mai puţin. fiecare are atribuit un nume unic.. permiţându-ne să facem referiri de tipul ″celula precedentă″ sau ″următoarea celulă″.576 este o putere a lui 2. Pentru a completa structura memoriei principale a unui calculator. în timp ce calculatoarele complexe.a caselor unui oraş şi utilizează aceiaşi terminologie.. Acest acces aleator la mici unităţi de date se deosebeşte radical de sistemele de stocare de masă în cazul cărora şiruri lungi de biţi trebuie manipulate ca blocuri. cercetată şi modificată individual. care este o putere a lui 10). Celulele dintr-un calculator cu 4MB de memorie vor avea astfel de adrese ca 0. fiecare dintre ele având un octet. circuitele care stocheazăbiţii sunt combinate cu circuitele necesare pentru a permite altor circuite să stocheze şi să recupereze datele din celulele de memorie. . celulele se consideră plasate toate pe un singur rând şi numerotate în ordine pornind de la valoarea 0.304 celule. mai precis 220 şi de aceea este mult mai natural să fie utilizat ca unitate de măsură în cadrul calculatoarelor decât 1. ci asociază în plus şi o relaţie de ordonare între celule.048. datele stocate în memoria principală aunui calculator pot fi prelucrate în orice ordine. Alte unităţi de măsură a dimensiunii memoriei sunt kilooctetul (kilobyte – prescurtat KB). în cazul celulelor de memorie.4192303. Adesea. (Numărul 1. care este egal cu 1024 octeţi (210 octeţi) şi gigaoctetul (gigabyte . Dimensiunea memoriei este măsurată în multipli de 1.000.prescurtat GB) care este egal cu 1024 MB. Astfel. alte circuite pot prelua date din memorie solicitând informaţii despre conţinutul unei anumite adrese (operaţie ce se numeşte citire) sau pot înregistra informaţii în memorie solicitând ca un anumit şir de biţi să fie plasat în celula aflată la o anumită adresă (operaţie ce poartă nimele de scriere). cum este cuptorul cu microunde.Calculatoarele simple utilizate în cadrul aparatelor casnice.

mai târziu. RDRAM (Rambus DRAM). urmat de cel pe 72 de pini. EDO DRAM. A existat si un numãr limitat de modele de DIMM bazate pe EDO DRAM dar ele nu au avut succes pentru cã trecerea de la SIMM la DIMM a coincis cu cea de la EDO la SDRAM.Circuitul SRAM este mai mare si de asemenea un circuit SRAM are mai putini biti decat unul DRAM cu acealasi dimensiuni.Memoria RAM(Ramdom Acces Memory)este folosita de catre procesor atunci cand foloseste infornatii.Din acest motiv SRAM este mai utilizat cand este necesara o accesare rapida a memoriei si capacitatea memoriei si consumul de resurse nu conteaza.dar SRAM consuma mai multe resurse. Chip-urile folosite au fost de tip DRAM. ele fiind variante de DRAM (primele douã). WRAM (Windows RAM). când chip-urile de memorie se înfigeau pur si simplu în placa de bazã. având la bazã un fel de dual-channel intern. BEDO RAM (Burst EDO DRAM). SIMM (Single Inline Memory Module). cu variantele DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) si DDR2 SDRAM. SIMM-ul pe 72 de pini a stat la baza generatiei 486. Mai sunt de amintit modulele 7 . dublã fatã de SIMM-urile pe 72 de pini. toate concepute în scopul cresterii performantelor DRAM-ului standard: FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM). dacã ni se permite comparatia. Dupã cum îi spune si numele. EDO DRAM (Extended Data Out DRAM). optimizate pentru a fi folosite ca memorie video. Diferentele de vitezã dintre ele corespund perfect perioadei de glorie: dacã prima versiune era uzualã pe timpul sistemelor 286 si 386. SGRAM (Synchronous Graphics RAM) si GDDR3. pentru plãcile grafice au fost concepute mai multe tipuri de memorie. Dupã perioada de început. în functie de tip: SDRAM sau DDR SDRAM. dimensiunea fizicã a SIMM-ului pe 30 de pini este de douã ori mai micã decât în cazul celeilalte variante. Calculatorul poate accesa date prin SRAM mai rapid decat DRAM. SDRAM si respectiv DDR2 SDRAM. Urmasul lui SIMM s-a chemat DIMM (Dual Inline Memory Module). De acest din urmã tip ne vom ocupa în continuare. Numãrul de pini este de 184 (ca si la DDR SDRAM) dar asemãnãrile se opresc aici. modulul prezentând o lãtime de bandã de 8 biti pentru prima versiune si de 32 pentru cea de-a doua. Numãrul de pini a fost de 168 sau de 184 de pini. De asemenea. primul model uzual a fost SIMM-ul pe 30 de pini. în prezent impunându-se SDRAM (Synchronous DRAM). memoria de tip SRAM este folositã cel mai adesea ca memorie cache pe când DRAM-ul este uzual în PC-urile moderne. RIMM (Rambus Inline Memory Module) este modelul constructiv al memoriilor RDRAM. Pentium si Pentium Pro.Circuitele folosite pentru a construi memoria RAM pot fi clasificate fie ca dynamic RAM(DRAM) sau static RAM (SRAM). enumerând tipurile uzuale de DRAM prezente de-a lungul istoriei. fiind prezent în primul rând ca memorie principalã a oricãrui sistem. printre care VRAM (Video RAM). configuratia pinilor si modul de lucru fiind total diferit. el oferã o lãtime de bandã de 64 de biti. În realitate. FPM si.

Numarul de tranzistoare pe celula de memorie este mult mai mic.pe cand la altele.in schimb consumul lor este mult mai mic.La unele procesoare cale de date poate face direct operatii aritmetice pe date din memorie.Memoriile RAM in tehnologiea TTL utilizeaza de regula tranzistoare multiemitator. Memoriile DRAM actuale au timpii de acces intre 61 si 80 nanosecunde. Memoriile RAM se realizeaza ata in tehnologie bipolara. destulã fortã) Timpul necesar care ii trebuie procesorului pentru a scrie un bit de memorie este foarte important pentru calculator. montarea modulelor SIMM era o operatie greoaie si necesita experientã si îndemânare.Se rot realeza memorii de capacitate mai mare pe cip.Puterea consumata in repaus este mult mai mica . fiind necesarã doar putinã atentie. Continutul acestora sunt trimise inapoi catre procesor printr-un cicuit numit data path.ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat al memoriilor cu tranzistori bipolari. 8 .cat si in tehnologie MOS.datele trebuie mai intai sa treaca prin registre.Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare. Odatã cu modulele DIMM (si RIMM. Montarea inversã a unui DIMM (care necesitã.Acest interval este numit timp de acces. totusi. care au acelasi sistem de prindere) chinul a fost dat uitãrii. Memoria RAM se clasifica in SRAM (Static) si DRAM (Dynamic).fie dinamice. Memoriile MOS dinamice au urmatoarele avantaje fata de cele statice : . destinate calculatoarelor portabile. Cicuitele de control folosesc adresele pentru a selecta bitii la locatia la din RAM.SO-DIMM. Cand calculatorul executa o comanda de citire. Memoria interna este impartita in locatii care au anumite adrese care se refera la un singur bit sau adrese care sunt specificate la un grup de biti.Circuitele de memorie pot tip MOS pot fi statice. . oricine putând monta o memorie.Adresa este trimisa de processor catre memorie printr-un address bus. Practic vorbind.Memoria SRAM are timpul de acces de patru ori mai rapid decat DRAM.la un prêt de cost mai mic. care detin un numãr diferit de pini: 184 pentru SDRAM si 200 pentru DDR SDRAM. tehnologic sunt mai usoare de realizat. Celulelede memorie bipolare sunt de tip static(retin informatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de tensiune). Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine.o parte a instructiunii specifica care parte a memoriei trebuie accesata.

Pentru identificarea si accesarea celulelor de memorie. acesta identifica celula de memorie care corespunde adresei primite si transmite continutul acesteia catre interfata de date iar aceasta mai departe. ori cu reconfigurarea matricei de tranzistori (in cazul SRAM). celulele de memorie sint organizate sub forma unor matrici. Aceasta metoda de citire a memoriei este denumita "citire distructiva". condensatorul se descarca. in functie de tehnologia utilizata. Din aceasta cauza celula de memorie trebuie sa fie reincarcata dupa fiecare citire. Este compusa din componente electronice discrete. Identificarea celulei de memorie se face prin transmiterea adresei acesteia prin BUS-ul de adrese catre decodorul de adrese (format din decodoare pentru linie si coloana). este cea mai mica unitate fizica a memoriei. este timpul de reimprospatare al memoriei. insa dupa o anumita perioada de timp energia inmagazinata scade in intensitate datorita pierderilor din dielectric. care micsoreaza performantele in ansamblu. Prin gruparea a opt bytes se obtine un cuvint (word). comutarea intre cele doua stari este foarte rapida. Cea mai mica unitate logica adresabila a memoriei este formata din opt biti si ia denumirea byte. acestea dispun de o adresa unica pentru fiecare celula in parte. La fiecare citire a celulei. La citirea unei celule de memorie informatia nu se pierde. Acestia colecteaza electroni care se afla in miscare la aplicarea unei tensiuni electrice. catre BUS-ul de date. Datorita utilizari matricei de tranzistori. Constructiv. Celula de memorie din punct de vedere logic este tratat ca fiind un bit. care este o procedura obligatorie si are loc la fiecare 64 ms. Schimbarea starii se face prin incarcarea/descarcarea condensatorului. Celula de memorie. am sa exemplific modul de functionare a celulei de memorie in baza acestei tehnologii. acesta receptioneaza adresa celulei de memorie pe care o imparte in doua. aceasta este puntea de legatura prin care adresele sunt transmise catre decodor. astfel se identifica celula de memorie corespunzatoare. 9 . prima parte fiind transmisa catre decodorul de linie iar a doua catre cel de coloana. Schimbarea starii intre 0 si 1 se realizeaza prin comutarea starii tranzistorilor. Reimprospatarea memoriei este o consecinta a principiului de functionare al condensatoriilor. Aceste probleme de ordin tehnic conduc la cresterea timpul de asteptare (latency) pentru folosirea memoriei. Acesta ofera posibilitatea obtineri a 256 combinatii (caractere). Decodorul de adrese este format din decodorul de linie si cel de coloana. acest tip de memorie utilizeaza in structura celulei de memorie 4 tranzistori si 2 rezistente. Datorita raspindiri vaste a memoriei de tip DRAM. Principiul de functionare este in fapt modificarea starii logice intre 0 si 1 care la nivel fizic. O alta problema. • DRAM are ca principiu constructiv celula de memorie formata dintr-un tranzistor si un condensator de capacitate mica. din motive ce tin de design.• SRAM. Magistrala pentru adrese (BUS adrese) este conexiunea intre chipset-ul placii de baza si memorie. corespunde cu inmagazinarea energiei electrice prin intermediul unui condensator (pentru DRAM).

Matricea de memorie este structura prin care celulele de memorie sunt ordonate pe linii si coloane. avind in vedere ca un modul de memorie detine numai 8 biti. acesta receptioneaza informatiile stocate in celulele de memorie. Ne punem intrebare. Pentru scriere procedeul se inverseaza. pentru care avem nevoie de 2/3 cicluri (in functie de calitatea memoriei utilizata). Acestea sint conectate la magistrala de adrese si la cea pentru date. transmiterea datelor catre chipset si apoi catre procesor. Magistrala pentru date (BUS date) este conexiunea intre chipset-ul placi de baza si memorie. Identificarea liniei din matrice. Pentru identificarea celulei de memorie se parcurg doua operatii. acest lucru este posibil datorita unui numarator intern care identifica urmatoarea coloana si transmite catre amplificator continutul. in acest mod sa obtinut o magistrala pentru date cu latimea de 16 biti. Dupa transmiterea informatiilor. In general celulele de memorie nu pot fi accesate individual. constructiv matricea de memorie este incapsulata intr-un chip. aceasta ofera posibilitatea transmiterii informatiilor ce trebuiesc prelucrate de catre procesor ori stocate in memorie. pentru efectuarea tuturor operatiilor ce aduc informatia in interfata pentru date este necesar un anumit timp. reincarca memoria si transmite informatia prin BUS-ul de date catre chipset (in cazul in care informatia este citita din memorie). de ce cite doua? Acest lucru se intimpla datorita procesorului. Modulele de memorie la randul lor sint organizate in bancuri de memorie. aceasta perioada se numeste RAS (Row Address Strobe) to CAS (Column Address Strobe) delay si identificarea coloanei (CAS latency) pentru care se consuma aproximativ acelasi timp ca si pentru prima operatie (2/3 cicluri). Chip-urile de memorie sunt asamblate pe un modul de memorie (circuit imprimat) in numar de opt. inca 2 cicluri. acestea sunt conectate intre ele in acelasi mod ca si chip-urile. pentru transmiterea adreselor intre procesor. doua astfel de module au fost conectate intre ele. formata din 8 biti (1 byte). din acest motiv. Interfata pentru date contine un amplificator de semnal. Pentru transmiterea informatiei catre interfata de date se consuma 1 ciclu iar pentru ultima operatie. care are nevoie de 16 biti pentru a umple magistrala de date. chipset si memorie se utilizeaza 2 cicluri de tact. Astfel ca. Timpul de asteptare. Daca luam ca exemplu un procesor ce lucreaza pe 16 biti si vechile module de memorie de tip SIMM care functionau numai in perechi. Astfel se obtine o celula de memorie virtuala. urmatoarele cuvinte sint transmise catre procesor in modul rafala "burst mode" la fiecare ciclu de tact. care este identificat sub numele "latency". 10 . in cazul in care cererea emisa de procesor este mai mai mare decit latimea magistralei pentru date. amplifica semnalul.

soclurile purtând denumirea de RIMM (Rambus In line Memory Module). SDRAM-urile nu vor opera la frecvenţe mai mari de 100 Mhz deoarece sloturile SIMM-urilor devin nesigure la frecvenţe mai înalte. Cache-ul este suficient de rapid pentru a transfera date în mod burst la o frecvenţă de 100 Mhz. ce permite transferul unei pagini de memorie în cache într-un singur ciclu. cipul iniţial de 4 MB avea încorporată o memorie cache de 2 K şi folosea două buffere de câte un cuvânt (16 biţi) pentru transferul dintre cache şi circuitele externe. dar există potenţial pentru crearea modulelor de 1 G şi 2 G care să funcţioneze pe magistrale ale sistemului de 200 Mhz. Cache-ul operează la viteză înaltă (în mod obişnuit 15 ns). memoria MDRAM (Multibank DRAM) produsă de MoSys Incorporated desparte informaţia stocată într-un număr de bank-uri de memorie separate. 11 . Memoriile DDR (Double Data Rate) sunt realizate într-o tehnologie SDRAM cu posibilitatea dublării frecvenţei de la 100 la 200 Mhz. Memoria CDRAM (Cached DRAM) realizată de Mitsubishi adaugă o memorie cache pe fiecare cip utilizând un model de tip asociativ pe set. Spre deosebire de EDRAM. Cache-ul este destul de rapid. Deocamdată sunt utile pentru sisteme care includ integrare video. Modelul RDRAM (Rambus DRAM) al firmei cu acelaşi nume foloseşte un cache RAM static de 2048 K cuplat la DRAM printr-o magistrală foarte largă. CDRAM permite atât cache-ului cât şi DRAM-ului principal să opereze independent una de cealaltă. orientându-se asupra modului în care sunt procesate datele intern – moduri ce constitue formatele logice ale memoriilor interne. furnizând datele la un timp de acces de 10 ns. astfel încât poate să acopere cererile de date ale microprocesorului fără a adăuga stări de aşteptare generate de operaţia de reîmprospătare. În locul unui bloc de memorie în care fiecare celulă este adresată de numărul liniei şi coloanei. 128 MB şi 256 MB/modul. fiind utilizabile pentru magistrale de memorie de 100 Mhz. Cipurile actuale au anumite limite care reduc frecvenţa la aproape 66 Mhz. Cipurile SDRAM au un timp de acces de 10 ns. proiectanţii au dezvoltat o serie de tehnologii care să depăşească aceste limite. Memoriile EDRAM (Enhanced DRAM) fac DRAM-urile companiei Ramtron mai rapide prin adăugarea unor blocuri mici de memorie cache statică pe fiecare cip. Capacităţile disponibile actual sunt de 64 MB.Formate logice ale memoriei RAM Pentru a mări performanţele memoriei. Rata de transfer poate ajunge la 800 Mb/sec dublu faţă de SDRAM. Modelul Rambus cere o modificare radicală a plăcii de bază pe care se instalează.

De altfel. Memoria ROM (READ ONLY MEMORY) 12 . Datorita pretului de cost mare pentru obtinerea unei celule SRAM. Datorita modului prin care se comuta intre starile 0 si 1 si a modului in care se executa citirea celulei de memorie. Memoria cache a fost introdusa ca un artificiu tehnologic. acesta este si singurul plus pe care aceasta memorie il are in comparatie cu SRAM. Memoria cache L1 functioneaza la aceasi frecventa cu cea a procesorului in timp ce pentru memoria cache L2 frecventa de lucru este jumatate fata de frecventa procesorului. acest tip de memorie este utilizat numai pentru fabricarea memoriei cache ce se implementeaza in placile de baza sub denumirea de cache level 2 (L2) ori pentru memoria cache level 1 (L1) ce este integrata in structura procesoarelor. SRAM nu are nevoie de rescriere a datelor dupa ce acestea au fost citite si nici de reimprospatarea celulei de memorie. In schimb performantele sint cu mult in urma memoriei statice (SRAM).Deosebiri SRAM/DRAM Principalul avantaj al memoriei dinamice (DRAM) este pretul foarte redus pentru obtinerea unei celule. Atfel ca timpii de acces sint mult mai mici iar viteza la care acest tip de memorie lucreaza depaste cu mult performantele memoriei dinamice. care trebuie sa suplineasca diferenta de frecventa dintre procesor si memorie.

etc) prin diverse tehnici. Scopul. evident.ori chiar pentru a repara unele imperfectiuni de functionare. la care unele elementedin celule nu sunt conectate sau lipsesc din schema. tranzistori bipolari sau tranzistori MOS. o data cu evolutia PC-urilor acest timp de memorie a suferit o serie de modificari care au ca rezultat rescrierea/arderea "flash" de catre utilizator a BIOSului. este de a actualiza functiile BIOS-ului pentru adaptarea noilor cerinte si realizari hardware . si memoriile ROM sunt de mai multe feluri.Ca regula generala ROM-BIOS egalizeaza toate diferentele constructive ale sistemului de calcul fata de conventiile DOS. 13 . Asa cum exista mai multe variante de memorii RAM. Memoria PROM . Componenta ROM-BIOS este livrata de catre firma producatoare a calculatorului in memoria ROM a sistemului de calcul. In practica. Imediat ce se porneste sistemul intra in lucru o rutina a acestei componente. acest lucru exprimand una din starile logice "0" sau "1". Aceste memorii se realizeaza sub forma unor matrici de diode. mai mult sau mai putin avantajoase in functie de gradul de complexitate al operarii acestora. Memoria EPROM .Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC. EPROM-Electricaly Eraseable Programmable Read Only Memory-. Astfel ca in zilele noastre exista o multitudine de astfel de memorii ROM programabile (PROM-Progamable Read Only Memory-. Putem clasifica memoriile ROM astfel: • • • Memoria ROM .

Ea este realizata cu matrici de tranzistori MOS si se programeaza prin aplicarea unei tensiuni (circa 5V). Aceasta face ca informatiile continute sa nu poata fi modificate. Este acea memorie nevolatila care este programata in momentul fabricarii. deosebirea apare in faptul ca fiecare tranzistor este conectat prin elemente fuzibile la linia de iesire. Generarea acestor impulsuri este realizata cu ajutorul unui aparat special numit programator. Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) este caracterizata de faptul ca se poate programa de catre utilizator o singura data (nu se poate reprograma). La memoriile bipolare. arderea elementelor fuzibile realizandu-se pe rand. producandu-i astfel modificari. ci doar citite. Refacerea starii initiale a memoriei (stergerea) se realizeaza prin iluminarea ei cu raze ultraviolete.• • Memoria EEPROM .5 . cipul de memorie este prevazut cu o fereastra care permite 14 . acesta reprezinta interfata intre componentele din sistem si sistemul de operare instalat (SO). BIOS-ul este un program de marime mica (<2 MB) fara de care computerul nu poate functiona. din fericire. aceasta ducand la ireversibilitatea programarii (in cel mai bun caz se mai pot arde o parte din elmentele care au ramas intregi in urma primei programari). Memoria EPROM (Eraseable Programmable ROM) elimina deazavantajul PROM-urilor de a fi utilizate (programate) numai o singura data. Structura acestei memorii este asemanatoare cu cea a memorie ROM. cu ajutorul unei masti prin care se stabileste configuratia circuitelor pe CIP. conform cerintelor produsului software care trebuie codificat in memoria PROM. In acest scop. Trecerea unui tren de impulsuri de curent mai mare prin aceste elemente (de obicei de 0. unul cate unul. dar care.1 A) conduce la arderea acestor elemente si la intreruperea conexiunii tranzistorului corespondent cu iesirea memoriei. intre sursa si drena tranzistorului. Memoria FLASH . sunt reversibile. nu poate fi refacut. Un element fuzibil o data ars. Memoria ROM este in general utilizata pentru a stoca BIOS-ul (Basic Input Output System) unui PC.

fara a fi necesara scoaterea din montajul in care a fost amplasata. Scrierea. in general. Spre deosebire de acestea. Memoria FLASH numita si FLASH ROM este o versiune mai noua a memoriilor EEPROM. desi performantele de viteza ale ei sunt foarte reduse. Memoriile EPROM se pot reprograma de un numar finit de ori (in general. Aceasta fereastra. Memoria flash este. La scriere. Memoria EEPROM (Electrically Eraseable Programmable ROM) se aseamana cu memoria EPROM. Pe langa memoriile RAM si ROM. Stergerea blocului preuspune ca valoarea zero logic sa se ragaseasca in toate celulele blocului. Aceasta a aparut din dorinta de a obtine o capacitate de memorie mai mare in conditiile in care circuitele de memorii aveau preturi foarte mari. in general. in special in primele generatii de calculatoare. precum si stergerea si modificarea unui singur octet. Un exemplu de celula de baza pentru un astfel de memorie este dat in figura de mai jos: 15 . in mod aleator. pe timpul utilizarii memoriei. cu diferenta ca stergerea se realizeaza electric. iar stergerea foloseste tensiunea de +12V. lucru care nu permite folosirea ei pe post de memorie utilizata in cadrul calculatoarelor (intr-un PC memoria se poate modifica de mii de ori pe secunda). impartita in blocuri. ca si citirile se pot face. citirea si scrierea (programarea) se realizeaza la tensiunea de +5V. Memoriile Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la fabricare si nu poate fi schimbat de utilizator. Acest lucru permite stergerea si reprogramarea. unitati de banda). Memoria virtuala este folosita pe o scara destul de larga. Eticheta se scoate doar cand se doreste stergerea si reprogramarea memoriei. Acest tip de memorie foloseste spatiul existent in sistemele de stocare masiva a datelor (hard-disk-uri. Astfel. se poate intalni un alt tip de memorie: "memoria virtuala". Pentru a modifica datele unui bloc este suficient a se sterge blocul respectiv. dar revenirea in zero se poate face numai prin stergerea blocului. celelalte blocuri ramanand neschimbate. o celula isi poate schimba continutul din zero in unu. de zeci sau sute de mii de ori). stergerea si programarea memoriei flash se realizeaza folosind tensiunile de alimentare dintr-un calculator si nu o tensiune speciala. se acopera cu o eticheta pentru a o proteja impotriva stergerii involuntare.iluminarea pastilei de siliciu. in general. prin aplicarea unei tensiuni mai mari decat cea normala. in timp ce memoria EPROM se sterge in totalitate.

aceasta acumuleaza sarcina pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie prin formarea canalului “n” intre drena si sursa.grila ) smulge electroni din grila a doua .Campul electric format intre grila si substrat (= substrat .una comanda si una izolata. trec prin stratul de oxid foarte subtire si se acumuleaza in grila izolata . Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin aplicarea unei tensiuni drena . Daca pe poarta izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului .Intr-o celula de memorie stearsa . 16 .Pentru stergereainformatiei din celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat)se expune circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Celula de memorie a unor astfel de circuite au la baza un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare . suficient de mare .Dupa inscriere informatia nu mai poate fi stearsa. produce arderea fuzibilului F . Programarea se face succesiv pe fiecare celula . Inscrierea informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL) si +18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la potential zero .Initial toate fuzibilele memoriei sunt scurtcircuitate .. Electronii din grila preiau energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul izolator. Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este programat o singura data de utilizator. informatia inscrisa fiind 0 logic. Stergerea informatiei din celula se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V) pe linia de selectie cuvant punand in conductie tranzistorul T. Memoriile EEPROM folosesc un principiu asemanator . daca ramane blocat atunci avem 1 logic . Structura tranzistorului de memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un TEC-MOS. Daca pe poarta izolata este acumulata sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a doua(Vc) nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul.Obtinerea unor tranzisotare cu tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de grosime corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si EPROM). si o tensiune pozitiva pe grila .Ea este constituita dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag difera in functie de continutul informational al locatiei respective .Curentul de emitor al tranzistorului . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se acumuleaza in grila izolata .iar linia de bit DL se mentine la potential coborat .selectia unei celule facandu-se prin liniile WL si DL.Datorita campului electric intern mare .formand o sarcina negativa . numai ca pentru trecerea electronilor stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Drena acestuia se conecteaza la potential zero si se aplica +20V pe linia de programare . grila izolata este incarcata cu sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat. Tensiunea Vds mare . Programarea unei celule inseamna arderea fuzibilului din nodul respectiv .Celula de baza a unei memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare. duce la campul electric intern intens . Pentru programare se aplica impuls pozitiv pe baza . Daca la aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se comporta ca un scurtcircuit drena sursa . Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand acesta conduce.Memoriile EPROM se folosesc pentru realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla poarta (grila) .

care se vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. iar coloanele cu ajutorul celor 8 multiplexoare cu câte 3 intrări de selecţie.Dacă accesul la memorie este permis atât pentru citire cât şi pentru scriere memoria se numeşte RAM (Random Access Memory . Acest lucru se face prin arderea unui fuzibil. Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche Injection MOS) adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă. Această sarcină electrică stocată în poartă determină crearea unui canal p în substrat şi tranzistorul 17 . o peliculă subţire de CrNi. electronii sunt injectaţi în poarta flotantă. sunt circuite la care harta memoriei se introduce în procesul de fabricaţie al circuitului integrat. Structura internă a unui cip de memorie ROM organizat pe 1024 cuvinte de câte 8 biţi. Evident că programarea nu se poate face decât o singură dată. Numărul lor depinde de amplitudinea şi durata impulsului. Prin dezactivare. izolată de substrat prin 10−7 m de 2 SiO . Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi înscrie singur. Programarea memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. pentru că ele pot fi “şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică. pregăteşte cipul de memorie în vederea unei operaţii de citire a datelor. Intrarea suplimentară CS (Chip Select). Memoriile EPROM (Erasable PROM) sunt programabile ca şi PROM-urile. valorile logice complementare. dacă aceasta este realizată în tehnologie MOS. Prin aplicarea unui impuls negativ de amplitudine mare pe drenă. este prezentată în figura urmatoare. dar de mai multe ori. Matricea de memorie se construieşte sub o formă cât mai apropiată de cea a unui pătrat. prin efect tunel. Există mai multe tipuri constructive de memorie ROM.memorie cu acces aleator). acolo unde doreşte. activă pe 0 logic. în serie mare. joncţiunea pn constituită de drenă şi substrat este străpunsă prin avalanşă şi. Desenul mai conţine şi aspectul unui element din matricea de memorie. acţionează asupra circuitelor din structură în scopul reducerii consumului. În această memorie se stochează informaţii referitoare la configuraţia hardware a sistemului electronic de calcul. Calculatoarele din familia IBM PC conţin şi o memorie CMOS (de tip RAM. Ele se realizează la comandă. alimentată în permanenţă de o baterie pentru a nu-şi pierde conţinutul informaţional. pentru că realizarea unei măşti “la cerere” costă câteva mii de dolari. sau mask ROM. Memoriile PROM (Programmable ROM) se fabrică cu toţi biţii poziţionaţi pe un anumit nivel logic. Liniile matricei sunt selectate cu ajutorul decodificatorului cu 7 intrări de selecţie. Memoriile ROM programabile prin mască. adică 1K ×8.Programele aflate în ROM sunt livrate odată cu calculatorul şi alcătuiesc aşa numitul firmware.

Memoria ROM. iar in Anexa 2 este o schema a acestora. mai jos este o poza cu acestea. ea insemna defapt cipurile din diversele aparate electronice si electrotehnice pe care le folosim (de ex. Fara sa ne dam seama memoria ROM este cea mai prezenta in viata de zi cu zi. 1986]).aparat radio-tv. dar se pare că circa 70% din sarcină este regăsită şi după 10 ani. Telefoane mobile/fixe. Radiaţia ultravioletă crează perechi electronigoluri şi permite descărcarea porţii ([Valachi. masina. cel mai des intalnit tip de memorie 18 .conduce. etc). Însă izolaţia nu este perfectă şi în timp se pierd electroni. in ea fiind scrise isntructiunile necesare pt o functionare corecta a acestora.

Bitii sunt grupati in – .numarul de celule continute de o memorie este totdeauna o putere a lui 2. Modul de acces.). Aici sunt pastrate (memorate) datele imediat necesare aplicatiilor care ruleaza pe un sistem oarecare. Cele doua tipuri de memorie utilizate in prezent sunt DDR si DDR2. .serie in care timpul de localizare a unei adrese depinde de pozitia ei in retea. Capacitatea de inmaganizare .Megabite(MB) = 2 la puterea 10 KB = 2 la puterea 20 a B . 4. in acest context. decat de inlocuirea procesorului cu unul mai performant. Trebuie precizat ca.Pentru a modela si manevra informatiile. deosebindu-se doua moduri de organizare a unei retele de celule de memorie: . de lucru a sistemului.1 mw/bit.Termenul in sine defineste suficient de bine rolul acestei componente intr-un sistem. Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se masoara in mw/bit. Adesea.BIT-ul este atomul informatiei iar zona de memorie adresabila este octetul.Principalele caracteristici ale memorieie: 1. . Tipuri de memorie: . cu atat mai bine. Cu cat o memorie este mai rapida si cu cat mai mult RAM este prezenta intr-un sistem. Modelarea fizica a sistemului binar este comutatorul.aleator (RANDOM ACCESS) ce nu depinde de pozitia adresei in retea.ROM 19 .reprezinta durata intre solicitarea unei celule (locatii) in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi citit (30-60 ns la memoriile TTL. ne referim la memoria "rapida". Memorii TTL .0.0.Byte(octet) = 8 biti .Kilobyte(KB) = 2 la a 10 a = 1024 B . performantele globale ale unui sistem sunt mult mai semnificativ ameliorate de instalarea de memorie in plus. Date – reprezentarea informatiilor in memoria interna(M. Datele supuse prelucrării sunt transformate în şiruri de cifre 0 şi 1. 100-500 ns la memoriile MOS). asa-zisa RAM (Random Access Memory).Gigabite(GB) = 2 la puterea 10 MB= 20 la puterea 20 KB = 2 la puterea 30 B . Capacitatea reprezinta produsul intre numarul de cuvinte din memorie si numarul de celule cuprinsein fiecare cuvant. 2.I. 3.1 mw/bit. .1}. calculatorului lucreaza cu date. Memoria internă este zona de stocare temporară a datelor într-un calculator.Timpul de acces (de adresare) . Memorii CMOS .Concluzie Dupa toate cele prezentate mai sus putem sa tragem urmatoarele concluzii: . . Performanta RAM are un impact major asupra performantei sistemului si este definita de doi parametri: viteza de acces si transfer (a datelor in si din memorie) si capacitatea.Cantitatea de informatie elementara e numeste BIT { 0. Memorii MOS .01 mw/bit.Se foloseste sistemul binar cu cifrele 0 si 1.

care pot fi modificate.(Read Only Memory) . nu poate fi \"scrisă\" de către utilizator. Memoria nu este numai interna ea fiind si externa. Această memorie (ROM) este folosită pentru stocarea permanentă a unor date. mici programe ce configurează diverse dispozitive . În această categorie însă există şi câteva excepţii. ce lucrează în mod optic cu raze laser (CD-ROM. cum ar fi PROM (Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate reprograma). aceasta fiind folosita pentru stocare datelor pentru o perioada mai lunga decat o sesiune de lucru.nu îşi pierde conţinutul la oprirea calculatorului. CD-RW şi DVD-ROM. CD-R. poate fi atât citită cât şi modificată şi este folosită pentru stocarea programelor şi datelor. DVD-RAM) şi pe suport magnetooptic 20 . este de capacitate redusă şi este folosită pentru stocarea informaţiilor despre hardware.este o memorie volatilă (se pierde la oprirea calculatorului). Industria memoriilor este intr-o continua dezvoltare data fiind cererea foarte mare de memorie care ste pe piata. EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory= Memorie pentru citire care se poate şterge şi reprograma). fiind considerată principala memorie de lucru a calculatorului.Memoria externă reutilizabilă prin prelucrări automate cu calculatorul poate fi pe suport sensibil la câmpul magnetic (hard disk şi floppz disk) pe suport sensibil la lumină.RAM (Random Access Memory) .in special de memorie RAM.

sa comunicam. Calculatorul este folosit.puteti foarte simplu sa ajungeti la destinatie cu ajutorul GPS-urilor care folosesc de asemnea memoria(FLASH) pentru a stoca hartile. ca si pentru distractie. cladiri. 21 . Acestea au devenit instrumente absolut necesare aproape in orice domeniu de activitate. Asa cum am mai precizat memoria este prezenta in viata noastra fara sa ne dam seama. Azi nu am mai putea concepe viata fara existenta calculatoarelor. nu ar fi putut proiecta si realiza cu precizia si rapiditatea pe care le asigura calculatorul masini. Fara existenta calculatoarelor omul nu ar mai fi putut ajunge pe Luna. sa ne instruim si.sau ganditiva ca trebuie sa plecati in vacanta intr-o tara in care nu ati mai fost.in domeniul bancar sau cel turistic. sa calatoreasca. acestora ramandu-le mai mult timp sa se instruiasca. in domeniul medical sau in cel artistic.Argument Epoca in care traim nu mai este posibila fara utilizarea calculatoarelor. Aceste posibilitati oferite de memorie fiind si motivul pentru care am ales ca tema pentru acest atestat MEMORIA unui calculator.insa totusi limitate de probleme de ordin tehnologic. Ele ne ajuta sa ne organizam mai eficient activitatea. pe mine personal fascinandu-ma aceasta posibilitate uriase de stocare a informatie. sa se ocupe de activitati pentru care si inteligenta si intuitia umana nu pot fi inca inlocuite de masini. sa ne informam. Ele contribuie in mod substantial la desfasurarea activitatilor din majoritatea domeniilor de activitate. de ce nu. insa se fac si in acest domeniu progrese foarte mari. Specialistii considera ca in viitor calculatoarele vor prelua toate activitatile de rutina pe care le realizeaza in momentul de fata oamenii. De exemplu putem avea o colectie de carti care in realitate ar ocupa o intreaga incapare pe un simplu Cd. posibilitatile oferite de memorie sunt foarte mari. echipamente. chiar sa ne distram. sa petreaca mai mult timp cu familia si cu prietenii. in cercetare sau in industrie. nu ar fi putut comunica asa cum o face azi pin Internet. sa indeplinim mai bine o serie de sarcini dificile sau de rutina.

Anexa 1 SCHEMA BLOC A UNUI SISTEM DE MEMORIE COMANDA DE SCRIERE A DATELOR DATELOR COMANDA DE CITIRE A INTRODUCEREA SI EXTRAGEREA A DATELOR INTRODUCEREA ADRESELOR 22 .

0’’.1’’ 23 .0’’.. scrie ... 14 13 12 11 10 9 8 4X W1 S1 S0 GND W0 4Y 3JH 7481 333333333 3 33 1 2 3 4 5 6 7 W0.Anexa 2 Tipuri reprezentative de memorii integrate • 7481 – memorie citeste – scrie (RAM) de 16 biti.scrie .S1.1’’ S0.citeste.W1..citeste.

BIBLIOGRAFIE 1. 24 . Notite de la orele de curs. 2. Diverse site-uri de internet.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful