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TRANSSTORES DE EFEITO DE CAMPO

Consideraes gerais
Dispositivo com trs terminais. Usados em mltiplas aplicaes: amplificao de sinais, dispositivos digitais. Princpio bsico: Uso de uma tenso entre dois terminais para controlar a corrente no terceiro terminal. Uso do sinal de controlo de modo a permitir que a corrente no terceiro terminal varie de zero a um valor elevado (dispositivo actuando como interruptor). FET Field Effect Transistor

Vantagens dos MOSFETs


Comparados com os BJT, os transstores MOS podem ser fabricados muito mais pequenos (i.e., ocupando uma rea de silcio muito mais pequena na pastilha de circuito integrado), alm de o seu processo de fabrico ser mais simples. O consumo de energia tambm inferior.
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Transstores 2 -50 50 - 5000 5000 - 100,000 100K - 10 million 10 million to 1000 million 1000 million Nvel de integrao small-scale integration medium-scale integration Large-scale integration very large scale integration ultra large scale integration super large integration scale Abreviatura SSI MSI LSI VLSI ULSI SLSI Intel 8086 (29,000) Pentium (3 million) Pentium million) III (30 Exemplo

Este nvel de integrao definido em termos de transstores por circuito.

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Estrutura do MOSFET
A Fig. 1 mostra a estrutura fsica do MOSFET do tipo canal-n enriquecido ( frente veremos o porqu desta designao). O transstor fabricado num substrato do tipo p. No substrato, foram criadas duas regies do tipo n fortemente dopadas, indicadas na Fig. 1 como regies n+, designadas por fonte (source) e dreno. Uma camada fina (tipicamente de 2-50 nm) de dixido de silcio (SiO2), (isolante elctrico), foi desenvolvida na superfcie do substrato, cobrindo a rea entre as regies da source e do dreno. Seguidamente, deposita-se metal por cima da camada de xido para formar o elctrodo gate do dispositivo. Finalmente, realizam-se contactos metlicos nas regies da source, dreno e substrato. Desta forma, foram criados quatro terminais: os terminais da gate (G), da source (S), do dreno (D) e do substrato ou corpo (B). O nome do transstor MOS (metal-xido-semicondutor) deriva da sua estrutura fsica.
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Fig.1

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Estrutura do MOSFET
O substrato forma junes pn com as regies da source e do dreno. Em funcionamento normal, estas junes pn so mantidas permanentemente inversamente polarizadas. Uma vez que o dreno vai estar com uma tenso positiva relativamente source, as duas junes pn podem ser efectivamente colocadas em corte, ligando simplesmente o terminal do substrato ao terminal da source. Admitese que esse o caso na descrio do funcionamento do MOSFET a seguir desenvolvida. Desta forma, o substrato poder ser considerado como no tendo nenhum efeito no funcionamento do dispositivo, e o MOSFET poder ser tratado como um dispositivo de trs terminais, i.e., a gate (G), a source (S) e o dreno (D). Iremos verificar que uma tenso aplicada gate controla o fluxo de corrente entre a source e o dreno. Esta corrente fli na direco longitudinal do dreno para a source na regio designada por canal. A regio do canal tem um comprimento L e uma largura W, dois importantes parmetros do MOSFET. Tipicamente, L tem valores entre 0.11 e 3 m, e W entre 0.2 e 100 m. O MOSFET normalmente construdo como um dispositivo simtrico. Assim, a source e o dreno podem ser trocados sem alterao das caractersticas do transstor. 4

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Funcionamento sem tenso na gate
Se no for aplicada qualquer tenso de polarizao gate, entre a source e o dreno existem dois dodos em srie opostos. Um dodo constitudo pela juno pn formada pela regio n+ do dreno e o substrato do tipo p e o outro pela juno formada pelo substrato e a regio n+ da source. Se se aplicar uma tenso vDS positiva entre o dreno e a source, a existncia destes dois dodos impede que flua corrente entre o dreno e a source. De facto, o percurso entre o dreno e a source tem uma resistncia muito elevada ( da ordem de 1012 ).

Criao de um canal para a conduo de corrente


Source e o dreno ligados massa. Aplicao de uma tenso positiva gate (Fig. 2). Uma vez que a source est massa, toda a tenso da gate aparece entre a gate e a source, pelo que foi designada por vGS. A tenso positiva da gate tem dois efeitos:
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Fig. 2 5

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A tenso positiva da gate tem dois efeitos:

Criao de um canal para a conduo de corrente

Por um lado, origina que as lacunas (cargas positivas) sejam repelidas da regio do substrato situada por baixo da gate (a regio do canal). Estas lacunas so empurradas para baixo, deixando atrs uma regio esvaziada de portadores. Esta regio de depleo contm ies negativos correspondentes aos tomos aceitadores que perderam as lacunas que foram repelidas. Por outro lado, a tenso positiva da gate atrai electres das regies n+ da source e do dreno (onde existem em abundncia) para a regio do canal. Quando o nmero de electres acumulado junto da superfcie do substrato por baixo da gate suficiente, constitui-se, de facto, uma regio n ligando a source e o dreno, como se indica na Fig. 2. Aplicando uma tenso positiva entre o dreno e a source, fli corrente nesta regio n induzida, transportada pelos electres mveis. A regio n induzida forma, assim, um canal por onde a corrente fli do dreno para a source, pelo que essa designao apropriada. O MOSFET da fig. 2 chamado MOSFET de canal n ou, alternativamente, transstor NMOS. Note-se que um MOSFET de canal n formado num substrato do tipo p e o canal criado invertendo a superfcie do substrato do tipo p para o tipo n. Por esta razo, o canal induzido , tambm, designado por camada de inverso.
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Criao de um canal para a conduo de corrente
O valor de vGS necessrio para que um nmero suficiente de electres mveis se acumulem na regio do canal para formar um canal condutor chamado tenso limiar e designado por Vt. Obviamente, Vt para um FET de canal n positiva. O valor de Vt controlado durante o fabrico do dispositivo e, tipicamente, toma valores compreendidos entre 0.5 e 1.0 V. A gate e o corpo do MOSFET formam um condensador de placas paralelas em que o dielctrico a camada de xido. A tenso positiva da gate faz com que se acumule carga positiva na placa superior do condensador (o elctrodo da gate). A correspondente carga negativa da placa inferior formada pelos electres do canal induzido. Desenvolve-se, assim, um campo elctrico vertical entre a gate e o substrato. este campo elctrico que controla a quantidade de carga no canal, determinando assim a sua condutividade e, consequentemente, a corrente que fli no canal quando se aplica uma tenso vDS.

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Funcionamento com pequeno valor de vDS
Tendo-se j induzido um canal, aplique-se agora uma tenso vDS positiva entre o dreno e a source (Fig. 3). Consideremos, primeiramente, o caso em que vDS pequena (digamos, 50mV). A tenso vDS faz com que flua uma corrente iD no canal n induzido. Esta corrente constituda por electres que viajam da source para o dreno (da os nomes source e dreno). Por conveno a direco da corrente contrria ao fluxo das cargas negativas, logo a corrente no canal do dreno para a source. A grandeza de iD depende da densidade de electres no canal, que, por sua vez, depende da grandeza de vGS.
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Fig.3

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Funcionamento com pequeno valor de vDS

Concretamente, para vGS =Vt o canal est limiarmente induzido pelo que a corrente ainda muito pequena. Para vGS > Vt mais electres so atrados para o canal (aumento da profundidade) dando origem a uma reduo da resistncia ou aumento da condutncia. A condutncia do canal proporcional tenso da gate em excesso (vGS - Vt) ou tenso de overdrive (VOV) (VOV= vGS Vt) A corrente iD ser proporcional a vGS - Vt e, obviamente, tenso vDS que origina iD.

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Funcionamento com pequeno valor de vDS
Esboo de iD versus vDS para vrios valores de vGS (Fig. 4). Vemos que o MOSFET funciona como uma resistncia linear cujo valor controlado por vGS. A resistncia infinita para vGS Vt, . O seu valor diminui medida que vGS se torna maior do que Vt. Fig.4

CONCLUSES IMPORTANTES A descrio anterior indica que para o MOSFET conduzir, necessrio induzir um canal. O aumento de vGS acima da tenso limiar Vt enriquece o canal, e da as designaes funcionamento em modo de enriquecimento e MOSFET de enriquecimento. Finalmente, notemos que a corrente que sai do terminal da source (iS) igual corrente que entra pelo terminal do dreno (iD) e que a corrente da gate iG = 0.
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Funcionamento com vDS superiores
Considere-se, agora, que vDS se torna maior, e que vGS mantida constante num valor maior do que Vt .

Note-se que vDS aparece como uma queda de tenso ao longo do canal, i.e., se percorrermos o canal desde a source at ao dreno, a tenso (medida em relao source) aumenta de 0 at vDS. Assim, a tenso entre a gate e pontos ao longo do canal diminui desde o valor vGS, na extremidade da source, at ao valor vGS - vDS, na extremidade do dreno. Fig. 5

Uma vez que a profundidade do canal depende desta tenso, conclumos que o canal no tem, agora, profundidade uniforme; pelo contrrio, exibe a forma afunilada que se v na Fig. 5, com maior profundidade do lado da source e menor do lado do dreno.
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Funcionamento com vDS superiores
Quando vDS aumenta, o canal torna-se mais afunilado e a sua resistncia aumenta correspondentemente. Assim, a curva iD - vDS deixa de ser rectilnea, encurvando como se mostra na fig. 6.

Curvatura devido ao aumento da resistncia do canal com vDS


A corrente satura porque o canal estrangulado na zona do dreno. vDS no afecta mais o canal.

Quase linha recta, com inclinao proporcional a (vGS Vt)

Fig. 6

Note-se que medida que vDS aumenta, a tenso vGD = vGS - vDS, diminui, i.e., a tenso entre a gate e o canal na extremidade do dreno. Quando vDS atinge o valor que reduz a tenso vGD ao valor Vt, i.e., vGS - vDS = Vt ou vDS = vGS Vt, a profundidade do canal do lado do dreno diminui para zero, dizendo-se ento que o canal est estrangulado (pinched off).
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Notas Importantes A tenso vDS para a qual ocorre a saturao designada por vDSsat Para cada valor de vGS Vt, h um valor correspondente de vDS,sat. O transstor opera na regio de saturao se vDS vDS,sat.

Funcionamento com vDS superiores

v DSsat = v GS V t

A regio das caractersticas iD-vDS obtidas para vDS < vDS,sat chamada regio de trodo, uma designao herdada do tempo das vlvulas. Esta regio tambm designada como regio hmica. Evoluo do canal medida que vDS aumenta enquanto vGS permanece constante.

Fig. 7
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Deduo da relao iD vDS. Assuma-se que a tenso vGS aplicada entre a gate e a source com vGS > Vt., para induzir o canal. Assuma-se, tambm, que a tenso vDS aplicada entre o dreno e a source. Considere-se a operao na regio trodo, para a qual o canal deve ser contnuo e assim vGS deve ser maior de que Vt, ou de forma equivalente, vDS < vGS Vt. O canal nestas circunstncias tem a forma ilustrada na Fig. 8. A regio do canal forma um condensador plano em que o SiO2 funciona como dielctrico. Capacidade por unidade de rea da gate

Cox =

ox
tox
Fig. 8

ox

= Permitividade do xido = 3.9 o = 3.45 x 10-11 F/m

tox a espessura do xido


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Deduo da relao iD vDS.

Exemplo

Para tox = 10 nm

Cox= 3.45 x 10-3 F/m2

Considere-se, agora, a faixa infinitesimal da gate a uma distncia x da fonte. A capacidade desta faixa Cox W dx. Para o clculo da carga armazenada nesta faixa infinitesimal da gate, multiplica-se a capacidade pela tenso efectiva entre a gate e o canal no ponto x (Q=CV), onde esta tenso a tenso que responsvel pela induo do canal no ponto x (dada por, vGS v(x) Vt ) onde v(x) a tenso no canal no ponto x. A carga do electro dq na poro infinitesimal do canal, no ponto x, :

dq = Cox (Wdx)[vGS v( x) Vt ]
O sinal negativo, refere-se ao facto da carga ser negativa.

(1)

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Deduo da relao iD vDS A tenso vDS produz um campo elctrico ao longo do canal na direco negativa x. No ponto x, este campo dado por:

E ( x) =

dv( x) dx

(2)

O campo elctrico E(x) leva a que a carga se movimente em direco ao dreno, com uma velocidade dx/dt

dx dv( x) = n E ( x) = n dt dx
Mobilidade dos electres A corrente resultante i pode ser obtida por Usando as equaes (1) e (3), vem:

(3)

i=

dq dq dx = dt dx dt

(4)

i = nCoxW [vGS v( x) Vt ]
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dv( x) dx

(5) 16

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Deduo da relao iD vDS Embora calculada num ponto especfico do canal, a corrente i tem de ser constante em todos os pontos, ao longo do canal. Assim, a corrente tem de ser igual corrente da source para o dreno (iD)

iD = i = nCoxW [vGS v( x) Vt ]
ou

dv( x) dx

(6)

iD dx = nCoxW [vGS v( x) Vt ] dv( x)


Integrando ambos os lados da equao, com limites de x=0 a x=L, correspondentemente, para v(0) = 0 a v(L)=vDS

i
0

dx =

v DS

C
n 0

ox

W [vGS v( x) Vt ] dv( x)
1 2 (vGS Vt )vDS vDS 2

W iD = nCox L

Expresso que representa a caracterstica iD-vDS na regio do trodo. (7) 17

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Deduo da relao iD vDS O valor da corrente no incio da regio de saturao, pode ser obtida substituindo vDS = vGS Vt

iD =

1 W ( n Cox ) (vGS Vt ) 2 2 L

(8)

Expresso que representa a caracterstica iD-vDS na regio de saturao.

Para um dado valor de vGS, obtm-se o correspondente valor de saturao iD nCox uma constante determinada pelo processo tecnolgico usado para fabricar o MOSFET canal n. designado por parmetro de transcondutncia do processo. Este parmetro determina o valor da transcondutncia do MOSFET, designado por kn e tem as dimenses de A/V2:
' kn = n Cox

(9) Regio de saturao

Substituindo (9) em (8) e (7), resulta: Regio de trodo

W iD = k L
' n

1 2 (vGS Vt )vDS vDS 2

iD =

1 'W k n (vGS Vt ) 2 2 L
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Deduo da relao iD vDS Das equaes (7) e (8), constata-se que a corrente de dreno proporcional relao entre largura do canal W e o comprimento do mesmo L, conhecido aspect ratio do MOSFET. Os valores de W e de L podem ser seleccionados pelo projectista de modo a obter a caracterstica i v desejada.

EXEMPLO 1 Considere um processo tecnolgico, tal que: Lmin = 0.4 m, tox= 8 nm, n=450 cm2/(Vs) e Vt = 0.7 V. a) b) Determine Cox e kn. Para um mosfet com W/L = 8 m / 0.8 m, calcule os valores de VGS e de VDSmin, necessrios para operar o transstor na regio de saturao com uma corrente dc ID= 100A. c) Para o dispositivo em (b), determine o valor de VGS necessrio para que o dispositivo opere como uma resistncia de 1000 para um valor muito pequeno de vDS.
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SOLUO a) Assim, (b) Para operao na regio de saturao

Resultando, ou e A resistncia do dreno para a source rDS, pode ser determinada:

(c) Para o mosfet na regio do trodo com vDS muito pequeno.

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O MOSFET de canal p

Um MOSFET de enriquecimento de canal p (transstor PMOS) fabricado num substrato do tipo n com regies p+ para o dreno e a source, e usa lacunas como portadores de carga. O dispositivo funciona da mesma maneira que o de canal n, excepto que vGS e vDS so negativas e a tenso limiar Vt negativa. A corrente iD entra pelo terminal da source e sai pelo terminal do dreno. De facto, como os portadores de carga nos NMOS so electres, e estes tm uma mobilidade cerca de trs vezes maior do que as lacunas, no silcio, os transstores NMOS podem ocupar uma rea menor e, assim, serem mais rpidos, alm de requererem menores tenses de alimentao. Todavia, no se deve ignorar os PMOS por duas razes: os PMOS continuam a ser fabricados para circuitos discretos, e principalmente porque os circuitos CMOS (MOS complementar) que so actualmente a tecnologia dominante, utilizam os dois tipos de transstores, NMOS e PMOS.

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MOS complementar ou CMOS A tecnologia MOS complementar utiliza transstores MOS das duas polaridades. De facto, actualmente, a tecnologia CMOS a mais usada de todas as tecnologias de circuitos integrados MOS, quer no que respeita a circuitos analgicos, quer digitais.

A Fig. 9 temos uma seco transversal duma pastilha CMOS ilustrando como os transstores PMOS e NMOS so fabricados.

Fig. 9 Note-se que enquanto o transstor NMOS implementado directamente no substrato do tipo p, o transstor PMOS fabricado numa regio n especialmente criada, conhecida como um poo n. Os dois dispositivos so isolados um do outro por uma espessa regio de xido que funciona como um isolante.
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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Smbolo de circuito A Fig. 10(a) mostra o smbolo de circuito para o MOSFET de enriquecimento de canal n. O espao entre as duas linhas verticais, que representam a gate e o canal, indica que o elctrodo da gate isolado do corpo do dispositivo. A polaridade do substrato do tipo p e o canal n indicado pela seta do trao que representa o substrato. Esta seta tambm indica a polaridade do transstor, i.e., que se trata de um dispositivo de canal n. Para identificar a source e o dreno (sem ter de escrever S e D), a simbologia do circuito modificada (ver fig.9b). Para o efeito uma seta colocada no terminal da source, distinguindo esta do terminal de dreno. A seta aponta na direco normal do fluxo de corrente, indicando assim a polaridade dispositivo (i.e. canal n)
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Fig. 10 23

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Embora o smbolo da Fig (b), claramente distinga a source do dreno, na prtica a polaridade da tenso aplicada atravs do dispositivo que determina a source e o dreno. O dreno sempre positivo relativo source num FET canal n. Em aplicaes onde a fonte est ligada ao corpo do dispositivo (situao mais comum), possvel simplificar ainda mais o smbolo do circuito ( Fig. 10 (c)). Fig. 10

Caractersticas iD - vDS

MOSFET de canal n enriquecido com tenses vGS e vDS aplicadas e indicando os sentidos normais das correntes (Fig.11 (a)). Fig. 11
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Caractersticas iD - vDS Este circuito conceptual pode ser usado para medir as caractersticas iD-vDS, que so uma famlia de curvas, cada uma medida com uma tenso vGS constante. de esperar que cada uma das curvas iD-vDS, tenha a forma mostrada na Fig. 6. Na realidade as curvas iD-vDS prticas tem o aspecto apresentado na Fig. 11 (b). As caractersticas da Fig. 11(b) indicam que h trs regies distintas de funcionamento: a regio de corte, a regio de trodo e a regio de saturao. A regio de saturao a regio usada para o funcionamento de FET como amplificador. Para funcionar como interruptor, utilizam-se as regies de corte e de trodo.

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Fig. 11

Fig. 11

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Caractersticas iD - vDS O dispositivo est em corte quando vGS < Vt.

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Para operar o MOSFET na regio de trodo, precisamos primeiro de induzir o canal, tenso gate-dreno :

(10)

e manter vDS suficientemente pequeno para que o canal permanea contnuo. Isto consegue-se assegurando que a
(11)

Esta condio pode ser representada explicitamente em termos de vDS.

vGD = vGS + vSD = vGS vDS

Assim,

ou (12)

As Eqs. (11) e (12) constituem as duas condies necessrias para assegurar o funcionamento da regio de trodo. Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de trodo quando vGS maior do que Vt e a tenso de dreno menor do que a tenso da gate pelo menos de Vt volt. Na regio de trodo, as caractersticas iD-vDS podem ser aproximadamente descritas pela relao.
' iD = k n

W L

1 2 ( v V ) v vDS GS t DS 2

(13) 26

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Caractersticas iD - vDS

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Se vDS for suficientemente pequena, por forma a podermos desprezar o termo vDS2, obtemos para as caractersticas iD-vDS junto da origem, a seguinte relao:
' iD k n

W [(vGS Vt )vDS ] L

(14)

Esta relao linear representa o funcionamento do transstor MOS como uma resistncia linear rDS, cujo valor controlado por vGS. Mais especificamente, para um valor em particular vGS = VGS, rDS dado por:

rDS

v = DS iD

DS

small

v GS = VGS

'W = k n (vGS Vt ) L

-1

(15)

Operao na regio de saturao Para operar o MOSFET na regio de saturao, o canal tem de ser induzido, (16)

e estrangulado na extremidade do dreno, elevando vDS a um valor que faa com que a tenso gate-dreno se torne inferior a Vt, (17)
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Caractersticas iD - vDS Operao na regio de saturao A condio pode ser expressa explicitamente em termos de vDS.

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

(Canal estrangulado)

(18)

Isto , o MOSFET de canal n enriquecido funciona na regio de saturao quando vGS maior do que Vt e a tenso de dreno no inferior tenso da gate mais do que Vt volt. A fronteira entre a regio de trodo e a regio de saturao caracterizada por (Fronteira) Substituindo este valor de vDS em (19)

W iD = k L
' n

1 2 v V v vDS ( ) GS t DS 2

iD =

1 'W k n (vGS Vt ) 2 2 L

(20)

Valor de saturao da corrente iD


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Caractersticas iD - vDS

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Operao na regio de saturao Como a corrente de dreno independente da tenso de dreno, o MOSFET saturado comporta-se como uma fonte de corrente ideal cujo valor controlado por vGS de acordo com a relao no linear da Eq. (20). A fig. 13 mostra uma representao do circuito em funcionamento na regio de saturao. Fig. 12

Assim, em saturao, o MOSFET fornece uma corrente de dreno cujo valor independente da tenso de dreno vDS e determinado pela tenso da gate vGS de acordo com a relao quadrtica da Eq. (20). Um esboo mostrado na fig. 12.

Fig.13

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Caractersticas iD - vDS Voltando s caractersticas iD-vDS da fig. 11(b), note-se que a fronteira entre as regies de trodo e de saturao est representada como uma curva a trao interrompido. Uma vez que esta curva caracterizada por vDS = vGS - Vt, a sua equao pode ser obtida substituindo vGS - Vt por vDS, quer na equao da regio de trodo (Eq. (13)), quer na equao da regio de saturao (Eq. (20)). Assim,

iD =

1 'W 2 k n vDS 2 L

Deve notar-se que as caractersticas representadas nas Figs. 4, 11 e 12 so para um MOSFET com kn(W/L) = 1.0 mA/V2 e Vt = 1 V. O diagrama da fig. 14 mostra os nveis relativos que as tenses terminais do transstor NMOS de enriquecimento devem ter para o funcionamento nas regies de trodo e de saturao.

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Fig. 14 Nveis de tenso relativos nos terminais para um NMOS para funcionamento na regio de trodo e saturao

Exerccio 1 Um transstor NMOS de enriquecimento com Vt=0,7 V tem a source ligada massa e uma tenso de 1,5 V aplicada gate. Quais as regies de funcionamento para: (a) VD=0,5 V; (b) VD=0,9 V; (b) VD=3 V. Exerccio 2 Se o transstor NMOS do Exerccio 2 tiver mnCox=100mA/V2, W=10mm e L=1mm, determine o valor da corrente de dreno para as trs situaes indicadas (a), (b) e (c).

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Resistncia de sada finita em saturao

A equao (14) e o circuito equivalente correspondente da Fig. 13, indicam que na saturao iD independente de vDS. A variao vDS na tenso dreno-source causa uma variao nula em iD, o que implica que a resistncia incremental na direco do dreno de um MOSFET saturado infinita. Isto no entanto uma idealizao baseada na premissa de que, uma vez o canal estrangulado na extremidade do dreno, posteriores aumentos de vDS no tm qualquer efeito sobre a forma do canal. Na prtica o aumento de vDS para alm de vDS,sat afecta um pouco o canal. Concretamente, medida que vDS aumenta, o ponto de estrangulamento do canal move-se ligeiramente do dreno em direco source. Tal ilustrado na Fig. 15, da qual se nota que a tenso ao longo do canal permanece constante:

vDSat = vGS Vt
e a tenso adicional aplicada ao dreno, surge como uma queda de tenso atravs da regio de depleo estreita, entre o fim do canal e a regio do dreno. 32

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Resistncia de sada finita em saturao

Esta tenso acelera os electres que atingem o fim do dreno do canal, varrendo-os para o dreno atravs da regio de depleo.

Com a largura da camada de depleo, o comprimento do canal reduzido de L para L-L Este fenmeno designado por modulao do comprimento do canal. Visto que iD inversamente proporcional ao comprimento do canal (eq. 20), com a diminuio deste, iD aumenta com o aumento de vDS. Fig. 15

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Resistncia de sada finita em saturao Para levar em considerao a dependncia de iD em funo de vDS, na saturao, substitui-se L, na eq. 20, por L - L, obtendo-se:

1 'W 1 1 ' W 2 (vGS Vt ) 2 iD = k n (vGS Vt ) = k n 2 L L 2 L 1 (L / L) 1 'W L 2 kn 1 + (vGS Vt ) 2 L L


(assumido que (L/L) <<1)

Assumindo que L proporcional a vDS

L = 'vDS
Usualmente /L designado por (21)

um parmetro relacionado com o processo tecnolgico, com dimenses de m/V. Substituindo na expresso de iD:

1 'W iD = k n 2 L

' 1 'W 2 1 + v ( v V ) = kn (vGS Vt ) 2 (1 + vDS ) t L DS GS 2 L

=
34

'
L

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Resistncia de sada finita em saturao A fig. 16 mostra um conjunto tpico de caractersticas iD-vDS exibindo o efeito da modulao do comprimento do canal. A dependncia linear observado entre iD e vDS, na regio de saturao, representada na equao (21) pelo factor (1 + vDS). Na fig. 16 notamos que prolongando para a esquerda a parte rectilnea das caractersticas iD-vDS na saturao, elas intersectamse num mesmo ponto do eixo vDS, caracterizado por vDS = -1/ = VA, onde VA uma tenso positiva. Da equao 21, se iD = 0, ento:

vDS = 1 /
1

VA =

Fig. 16 35

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Caractersticas tenso-corrente do MOSFET Resistncia de sada finita em saturao VA um parmetro do processo tecnolgico, com dimenses de Volt designada como tenso de Early. Para um dado processo, VA proporcional ao comprimento do canal L, que o projectista seleccione para um MOSFET. Pode-se representar VA=VA L, em que VA inteiramente dependente do processo tecnolgico, cujas unidades so V/m. Tipicamente, VA varia na gama de 5 V/m a 50 V/m. A equao 21, indica que quando a modulao do comprimento do canal considerada, os valores de saturao de iD dependem de vDS. Assim, para um dado vGS, uma variao vDS produz uma correspondente variao iD, na corrente de dreno iD. Uma consequncia bvia da modulao do comprimento do canal que a resistncia de sada em saturao finita. Definindo a resistncia de sada ro (resistncia em saturao) como, (22)

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Resistncia de sada finita em saturao

Caractersticas tenso-corrente do MOSFET

Usando as equaes (21) e (22) podemos obter

' kn W (vGS Vt ) 2 ro = 2 L

(23)

A equao (23) pode ser escrita de modo simplificado como

ro =

1 I D

(24)

ou

ro =

VA ID

(25)

Em que ID a corrente de dreno sem levar em considerao a modulao do comprimento do canal.

ID =

1 'W kn (vGS Vt ) 2 2 L

Assim a resistncia de sada inversamente proporcional corrente de dreno. Modelo de circuito equivalente, incorporando ro.
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Fig. 17 37