You are on page 1of 14

PABRIKASI RANGKAIAN TERINTEGRASI

I. Pendahuluan Empat puluh tahun terakhir, perkembangan teknologi elektronika berlangsung sangat cepat. Sebagian orang tidak hanya menyebutnya sebagai proses evolusi tetapi lebih tepat disebut sebagai revolusi teknologi. Permulaan proses ini ditandai dengan dikembangkannya piranti elektronika disebut sebagai transistor. Piranti ini berdemensi kecil, sebagai penguat dengan power rendah menggantikan generasi teknologi tabung yang kemudian ditinggalkan (lihat gambar 10.1). Pemikiran awal pada saat itu adalah bagaimana membuat komponenkomponen elektronika dari bahan semikonduktor ini agar berdimensi kecil dan lebih kompak. Jawaban dari pertanyaan ini adalah munculnya pemikiran dibuatnya rangkaian semikonduktor terintegrasi. Kemudian bahan semikonduktor seperti silikon dan germanium mulai diekploitasi untuk membuat transistor. Resistansi semikonduktor itu sendiri bersama dengan kapasitansi sambungan p-n dapat dikombinasi dengan transistor pada semikonduktor yang sama untuk menghasilkan transistor secara lengkap. Perkembangan selanjutnya didukung dengan adanya teknik untuk mendifinisikan komponen elektronika disebut sebagai fotolitografi dan dikembangkannya proses difusi untuk memasukkan impuritas membentuk material tipe-p atau tipe-n. Dengan kedua teknologi ini transistor dapat dibuat pada permukaan irisan silikon atau germanium yang disebut wafer, namun dalam bentuk terpisah satu sama lainnya. Baru pada tahun 1959 antar komponen transistor yang terpisah ini dan elemen yang lain dapat terhubung dan dibuat pada permukaan wafer yang sama.

Gambar 10.2 Ilustrasi prediksi jumlah komponen per rangkaian sebagai fungsi waktu

Akhirnya dengan semakin berkembangnya teknologi penumbuhan material maupun pabrikasi piranti elektronika, dengan dimensi yang makin kecil mampu menampung jumlam komponen per rangkaian semakin besar. Ukuran jumlah komponen per rangkaian ini kemudian dikenal kelompok SSI (small-scale integration), MSI (medium-scale integration), LSI (large-scale integration) dan akhirnya nanti sampai pada VLSI (very large-scale integration), secara grafis diperlihatkan pada gambar 10.2. Pada bab ini akan dibahas lebih dalam pengertian dasar rangkaian terintegrasi, bentuk elemen dalam rangkaian terintegrasi serta proses pabrikasi piranti ini. Rangkaian Terintegrasi (integrated circuit - IC) Kita dapat mendifinisikan rangkaian terintegrasi (integrated circuit - IC) sebagai komponen atau elemen mandiri di atas permukaan yang kontinu membentuk rangkaian yang terpadu. Komponen atau elemen tersebut dapat berupa diode, transistor, resistor, kapasitor dan lain-lainya terdifinisi di atas wafer silikon atau bahan semikonduktor yang lain. Setelah melalui proses pabrikasi yang kompleks akhirnya IC digunakan dalam rangkaian dalam bentuk yang terbungkus rapi dan mudah untuk digunakan IC Monolitik dan IC Hybrid Rangkaian terintegrasi termasuk kelompok monolitik jika semua komponen atau elemen (diode, transistor, resistor, kapasitor dan seterusnya) terbuat dan terdifinisi dalam satu permukaan keping semikonduktor yang disebut sebagai chip. Pada IC monolitik semua komponen tersebut dibuat dalam waktu yang bersamaan termasuk interkoneksi antar komponen.

Gambar 10.3 Bentuk tampilan luar IC komersial

Interkoneksi

(a)

(b)

Gambar 10.4 Skema rangkaian terintegrasi: a) monolitik dan b) hybrid

Bentuk lain adalah IC hybrid dimana komponen-komponen dibuat di atas substrat keramik, dihubungkan satu-dengan lainnya dengan kawat halus membentuk rangkaian Untuk dapat menghasilkan rangkaian yang kompak dan memerlukan catu daya yang rendah diperlukan desain yang tepat. Gambar A memperlihatkan suatu rangkaian logika diskrit dan untuk keperluan desain IC perlu dibuat rangkaian dengan kepastian posisi pin (gambar B). Dari rangkaian gambar B ini kemudian dapat dipindahkan ke pola rangkaian monolitik seperti diperlihatkan pada gambar C.

(C) Struktur IC adalah sangat kompleks baik dari sisi topografi permukaan maupun komposisi internalnya.Masing-masing elemen pada suatu piranti mempunyai arsitektur 3D yang harus dapat diproduksi secara sama untuk setiap rangkaian. Masing-masing komponen merupakan struktur yang terdiri dari banyak lapisan, masing-masing memiliki pola yang spesifik. Sebagian lapisan tertanam dalamsilikon dan sebagian lagi menumpuk di atasnya. Proses pabrikasi IC memerlukan urutan kerja yang tepat dan diperlukan desain rangkaian yang cermat. Teknik-teknik yang digunakan dalam manufaktur IC lebih dari satu metoda klasifikasi. Teknik manufaktur yang utama adalah 1. fabrikasi monolitik 2. thin-film 3. thick-film 4. Hybrid Di dalam IC Monolitik, semua komponen difabrikasi dengan proses difusi pada chip silikon tunggal. Interkoneksi di antara komponen dilakukan di atas permukaan struktur, dan pengawatan sambungan eksternal dihubungkan dengan terminal. II. Dasar-Dasar Pabrikasi IC

Rangkaian Terintegrasi adalah realisasi secara fisik dari komponen-komponen diskrit yang terpisah tapi merupakan satu kesatuan yang berada di atas atau di

dalam suatu substrat yang membentuk sebuah rangkaian terintegrasi yang bekerja dengan fungsi khusus. Bahan dasar sebuah substrat adalah semikonduktor kristal tunggal yang dipotong-potong menjadi beberapa keping wafer. Ukuran sekeping wafer mempunyai tebal 0,2 mm dan diameter 2 cm sampai 12 cm. Di atas keping wafer ini kemudian dibuat rangkaian-rangkaian yang diinginkan. Sekeping wafer dibagi menjadi sejumlah chip yang berukuran 10 mm x 10 mm. Chip-chip ini selanjutnya dirakit menjadi sebuah package (kemasan). Ada aturan disain (design rule) agar sesuai dengan toleransi peralatan proses fabrikasi. Disainer rangkaian terintegrasi menggambar pola berdasarkan aturan itu. Menggambar pola rangkaian dapat dilakukan secara manual atau dibantu komputer. Tujuannya agar disainer dapat menggunakan fasilitas proses fabrikasi dengan baik dalam merealisasikan IC. Divais dapat direalisasikan menjadi rangkaian terintegrasi dengan beberapa teknologi, antara lain teknologi bipolar dan teknologi MOS. Teknologi bipolar mempunyai keterbatasan untuk rangkaian yang padat. Teknologi MOS berkembang untuk rangkaian terintegrasi padat seperti VLSI. Langkah pengolahan dasar yang dipakai untuk fabrikasi beberapa divais silikon dapat dikategorikan sebagai berikut : 1. Ion implantation 2. Diffusion 3. Oxidation 4. Photolithography 5. Chemical-vapor depostion (termasuk epitaxy) 6. Metalization Layout/tata letak komponen akan dirancang berdasarkan aturan desain yang merupakan bagian dari proses pabrikasi. Aturan desain digunakan untuk hasil akhir dan kehandalan rangkaian yang tinggi (proses kerja setelah pabrikasi) dengan menggunakan material seminimal mungkin. Untuk desain yang sesuai dengan proses pabrikasi, tata letak harus sesuai dengan aturan desain tata letak (kecuali

untuk kondisi tertentu). Tata letak desain, selama dan setelah pembuatan, akan diperiksa oleh designer dengan menerapkan prosedur DRC (Design Rules Checking) III. Design Layout IC DRC merupakan akses aturan desain tata letak dan akan memeriksa semua kesalahan yang terjadi. Desaigner memerlukan DRC untuk memastikan tidak ada kesalahan pada proses desain tata letak. Aturan desain tata letak terdiri dari 2 bentuk : 1. Aturan Micron : ukuran tata letak didefinisikan dalam istilah dimensi absolut (m). 2. Aturan Lambda () : ukuran tata letak didefinisikan dalam satu parameter . Parameter ini memiliki dimensi absolut (m). Aturan Lambda memungkinkan tata letak yang linear, skala geometri yang proporsional dan pada awalnya dirancang untuk menyederhanakan aturan mikron, juga memungkinkan untuk penskalaan dari berbagai proses. Untuk proses pabrikasi, tata letak akan diolah kembali menggunakan CAD (Computer Aided Design) dan diubah dalam bentuk file yang berisikan tata letak rangkaian dalam format yang sesuai.

Format file yang digunakan adalah : 1.GDSII (Stream File Format) 2.CIF (Caltech Intermediate Format) IV. Proses Pabrikasi IC Sebuah LSIC (large-scale integrated circuit) dapat berisi puluhan ribu komponen/elemen. Elemen dalam LSIC sedemikian kecilnya sehingga keseluruhan rangkaian hanya menempati luasan kurang dari 1 cm 2Berawal dengan wafer silikon kristal tunggal sebagai bahan awal berdiameter sekitar 3 -4 inchi, pengolahan yang

tercantum di atas tadi dapat dipakai untuk menghasilkan divais diskrit yang berfungsi (yaitu, dioda dan transistor individual) dan IC. Divais atau IC ini dalam bentuk wafer, dengan puluhan, ratusan, atau bahkan ribuan divais atau IC pada wafer silikon yang sama. Wafer itu kemudian harus dipotong-potong untuk mendapatkan dice atau chip. Chip ini kemudian dijadikan kapsul (encapsulated) atau dikemas (packaged), dengan bermacam-macam kemasan dengan metoda pengemasan yang ada. Ada tiga tujuan dasar pengemasan : 1. Membuat kapsul pada chip untuk melindungi chip dari pengaruh lingkungan. 2. Memberikan kemudahan akses ke beberapa bagian dari chip melalui struktur pin sedemikian rupa sehingga divais dapat dengan mudah ditancapkan (plug) pada atau dihubungkan pada bagian yang lain dari suatu sistem. 3. Memberi fasilitas heat transfer untuk keluar dari divais ke udara. Proses fabrikasi biasanya diaplikasikan berkali-kali secara berturut-turut, terutama dalam kasus IC, dimana sebanyak 20 pengulangan dari langkah-langkah fotolitografi, oksidasi, implantasi ion, dan difusi yang bisa dilakukan. Gambar proses fabrikasi IC

Proses pabrikasi IC secara berturutan dapat dijelaskan sebagai berikut : 1. Proses desain rangkaian dengan komputer. 2. Pola yang dihasilkan digunakan sebagai dasar pembuatan masker. Paling tidak harus disediakan lima jenis masker, yaitu masker isolasi, masker polisilikon, masker pengangkatan-oksida, masker metalisasi dan masker pelindung. 3. Wafer silikon sebagai substrat dari rangkaian dihasilkan dari proses pengirisan batang kristal menjadi keping tipis, melalui proses penggosokan, pencucian dan oksidasi sehingga siap untuk proses langkah pertama. 4. Dilakukan uji-jolok terhadap wafer untuk menyeleksi rangkaian yang baik. Satu langkah penting dalam proses pendefinisian struktur elemen sesuai dengan desain rangkaian adalah proses fotolitografi yang merupakan proses dimana pola mikroskopik yang telah didesain dipindahkan dari masker ke permukaan wafer dalam bentuk rangkaian nyata. Proses fotolitografi pembentukan pola oksida : 1. Lapisan Oksida di atas wafer,

2. Deposisi lapisan peka cahaya (fotoresis), 3. Penyinaran dengan UV melalui masker, 4. Setelah melalui proses pengembangan bagian yang tersinari akan larut kemudian diikuti proses pengerasan fotoresis, 5. Proses etsa, yaitu penggerusan SiO2 dengan memasukkan ke larutan HCl, 6. Pengangkatan fotoresis melalui perlakuan kimia

Gambar. D

Gambar.D. Proses fotolitografi pembentukan pola oksida: 1) Lapisan Oksida di atas wafer, 2) Deposisi lapisan peka cahaya (fotoresis), 3) Penyinaran dengan UV melalui masker, 4) Setelah melalui proses pengembangan bagian yang tersinari akan larut kemudian diikuti proses pengerasan fotoresis, 5) Proses etsa, yaitu penggerusan SiO 2 dengan memasukkan ke larutan HCl dan 6) Langkah terakhir yaitu pengangkatan fotoresis melalui perlakuan kimia (misalkan dengan melarutkan ke acetone).

Gambar .E. Pabrikasi MOSFET saluran-n .

Proses pabrikasi gerbang-polisilikon MOSFET saluran-n melalui lima langkah masker. Secara berurutan langkah pabrikasi adalah sebagai berikut : 1. Deposisi lapisan silikon dioksida ke seluruh permukaan kristal, kemudian lapisan silikon nitrida dideposisi di atasnya. 2. Pengangkatan silikon nitrida pada bagian sesuai dengan pola masker pertama. 3. Implantasi dopan tipe-p dengan menggunakan masker silikon nitrida diikuti oksidasi menghasilkan lapisan tebal silikon dioksida pada daerah yang tidak tertutup. 4. Pengangkatan lapisan silikon nitrida dengan proses etsa yang tidak merusak silikon oksida atau wafer silicon sendiri. 5. Pembentukan lapisan polisilikon pertama dengan deposisi menggunakan masker kedua.

6. Deposisi lapisan oksida kedua diikuti dengan deposisi lapisan polisilikon kedua menggunakan masker ketiga. 7. Proses inplantasi tipe-p pada daerah terpilih pada jendela yang dibuat dengan menggunakan masker ke empat. 8. Akhirnya dengan menggunakan masker kelima, lapisan almunium dideposisi pada daerah terpilih. 9. Langkah terakhir adalah pelapisan pelindung silicon dioksida atau silikon nitrida, namun lapisan pelindung ini sebagian terbuka untuk memberikan akses bonding. Uji kelistrikan merupakan langkah yang dilakukan untuk menyeleksi rangkaian yang baik (dapat digunakan) dan siap untuk proses berikutnya sebelum dilakukan pemecahan wafer. Untuk proses pengujian digunakan kontak jarum yang sangat halus dan runcing. Uji kelistrikan ini biasanya dilakukan dengan bantuan komputer. Rangkaian yang tidak baik diberi tanda dengan tinta dan nantinya setelah dipotong akan dibuang. Proses berlangsung sampai semua rangkaian dalam wafer teruji seluruhnya.

a.

Gambar . Seleksi rangkaian dengan uji kelistrikan: a) Inspeksi dengan

mikroskop dan b) Foto hasil perbesaran rangkaian yang sedang diuji.

V.

Proses Fotolitografi Fabrikasi IC monolotik memerlukan proses pengikisan ( etching) lapisan silikon

dioksida secara selektif untuk membuat window sebagai lubang bukaan tempat dilakukanproses difusi impuriti. Metoda photoetching yang digunakan untuk pengikisan lapisan silikon dioksida itu seperti pada gambar di bawah ini.

Selama proses fotolitografi, wafer dilapisi rata dengan lapisan tipis fotoresist yang dinamakan photosensitive emulsion (emulsi peka cahaya). Kemudian membuat layout pola hitam putih yang besar untuk lubang bukaan yang diinginkan, kemudian diperkecil secara fotografis. Bentuk negatip, atau stensil, ini dari dimensi yang diinginkan diletakkan sebagai masker di atas lapisan fotoresist seperti gambar berikut ini.

Lapisan fotoresist yang tidak larut pada larutan developer menjadi fixed (mengeras) sehingga menjadi resistan pada proses pengikisan berikutnya. Kemudian chip itu dicelupkan ke dalam larutan etching yang terdiri dari hydrofluoric acid, untuk mengikis bagian lapisan silikon dioksida untuk tempat yang akan dilalui difusi dopant. Bagianbagian lapisan silikon dioksida yang terlindungi oleh fotoresist tidak terkikis oleh hydrofluoric acid. Sesudah proses etching, kemudian lapisan fotoresist harus dibuang dengan larutan kimia (H2SO4 panas) di dalam peralatan proses mechanical abrasion. Urutan proses fotolitografi dapat dirangkum sebagai berikut : 1. Pada permukaan subtrat dibuat lapisan tipis fotoresist, kemudian diletakkan masker pola untuk membuat lubang bukaan yang diinginkan, lalu dilakukan pencahayaan dengan sinar ultraviolet, terjadi perubahan kelarutan yang timbul pada pola. 2. Pada fotoresist positif, pencahayaan menambah kelarutan, pada fotoresist negatip, pencahayaan mengurangi kelarutan. Sehingga, menimbulkan pola yang berlainan sesudah dilakukan proses pengembangan (development). 3. Setelah proses pengembangan, dilanjutkan dengan proses etching (pengikisan) untuk menimbulkan pola pada substrat, dan diteruskan dengan pembersihan fotoresist.

DAFTAR PUSTAKA http://www.scribd.com/doc/74295031/Bab-4-Pabrikasi-IC diakses tanggal 23 April 2012. http://www.google.co.id/url?sa=t&rct=j&q=proses%20design%20pola %20ic&source=web&cd=5&ved=0CEYQFjAE&url=http%3A%2F %2Fstaffsite.gunadarma.ac.id%2Frobby.c%2Findex.php%3Fstateid%3Ddownload %26id%3D4802%26part %3Dfiles&ei=242OT57ZOobZrQfUhfS9CQ&usg=AFQjCNE5MhSqisA6jpVFZiYI9YtH dtC1zQ&cad=rja diakses tanggal 23 April 2012. http://id.m.wikipedia.org/wiki/Wafer

http://prosespembuatan.blogspot.com/2009/09/pembuatan-wafer.html

http://pengetahuan0909.blogspot.com/

http://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit_packaging

You might also like