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TEXAS INSTRUMENT

XTR110

SBOS141C - ENERO 1984 - REVISADO SETIEMBRE 2009

TRANSMISOR/CONVERTIDOR DE TENSION A CORRIENTE DE BUENA PRECISION


CARACTERISTICAS
TRANSMISOR DE 4mA A 20mA RANGOS DE ENTRADA SELECCIONABLES: Entradas de 0V a +5V, de 0V a +10V RANGOS DE SALIDA SELECCIONABLES: Salidas de 0mA a 20mA, 5mA a 25mA Otros Rangos de corriente ms. NO LINEALIDAD MAX 0.005%, 14 BIT TIENE UNA SALIDA DE REFERENCIA DE +10V PRECISA OPERACIN CON FUENTE DE ALIMENTACION DE UNA SOLA POLARIDAD. +VCC ACEPTA AMPLIO RANGO DE VALORES DE FUENTE DE ALIMENTACION Vcc: 13.5V a 40V

DESCRIPCION
El XTR110 es un convertidor monoltico (en una sola pieza) de voltaje-a-corriente de buena precisin diseado para la transmisin de seales analgicas. Acepta entradas de 0 a 5V de 0 a 10V y puede ser conectado para obtener salidas de 4mA a 20mA, de 0mA a 20mA, de 5mA a 25mA, y muchos otros rangos de corriente que son muy comnmente usados. Tiene una red de resistencias de pelcula metlica incorporada en el chip que permiten escalar la entrada y desplazar la corriente (la puesta a cero de la corriente). Posee una referencia de tensin interna 10 V que se puede

utilizar para energizar alguna otra circuitera externa.


Comercialmente se vende en los siguientes tipos de envoltura: plstica DIP de 16-pines, cermica DIP de 16 pines y de montaje superficial SOL-16. Tambin se encuentra en el mercado modelos con rango de temperatura industrial y con rango de temperatura comercial. DIP= Dual in Line Package = envoltura con doble fila de patillas; SOL= Small Outline-Large paquete= plano con 2 filas de pines. El transistor MOSFET externo requerido, mantiene la disipacin de calor fuera de la envoltura del XTR110 para optimizar su desempeo bajo todas las condiciones de salida. Tiene una referencia de voltaje interna de +10V de

alta precisin que se puede usar para excitar circuitos

MONITOREO DE SISTEMAS DE ENERGIA Y DE PLANTAS DE GENERACION DE ENERGIA ELECTRICA

APLICACIONES
CONTROL DE PROCESOS INDUSTRIALES TRANSMISORES DE PRESION/TEMPERATURA EXCITACION PARA PUENTES EN MODO CORRIENTE ACEPTA CIRCUITOS TRANSDUCTORES CON PUESTA A TIERRA (ATERRADOS) ES FUENTE DE CORRIENTE DE REFERENCIA PARA ADQUISICION DE DATOS FUENTE DE CORRIENTE PROGRAMABLE PARA EQUIPO DE PRUEBA FABRICACION AUTOMATIZADA

VRFF Force

15

V,N2 (5V)

externos de hasta 10 mA. Se le puede agregar un transistor externo para obtener ms corriente, por ejemplo 33 mA para puentes de 300 ohmios. El XTR110 es un componente clave en la adquisicin de datos diseado para transmisin de seales ya que tiene alta inmunidad al ruido causado por modo-corriente. Tambin es ideal como una fuente de corriente programable de alta precisin para circuitos transductores y equipos de prueba.

Proceso de prueba a altas temperaturas.- El proceso de prueba a altas temperaturas es una opcin disponible tanto para los envase plsticos como para los envases cermicos del XTR110. La duracin de este proceso de prueba es de 160 horas a las temperaturas que se indican a continuacin (o un equivalente de la combinacin tiempo y temperatura). Envase plstico- modelos con las letras -BI : +85C. Envase cermico- modelos con las letras -BI : +125C. Todas las unidades son probadas despus de este examen de quemado a altas temperatura para garantizar que se cumplan estas especificaciones para este grado. Para comprar con esta opcin de esta prueba de quemado, agregar las letras BI al nmero base del modelo.

Por favor tenga en cuenta que al final esta hoja de datos aparece una nota importante sobre los productos semiconductores de la Texas Instruments en lo que respecta a su disponibilidad comercial, garanta estndar y su uso en aplicaciones crticas, y la no- responsabilidad legal de las mismas. Todas las marcas registradas son propiedad de sus respectivos propietarios.
Copyright 1984-2009, Texas Instruments Incorporated
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

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VALORES ABSOLUTOS MAXIMOS< >


Fuente de Alimentacin, +VCC ................................................................ 40V Tensin de Entrada, V,N1, V,N2, VREF ,N..................................................... +VCC Ver en el texto lo concerniente al rango de tensiones de entrada negativas que se puede aplicar sin daar el IC. Rango de temperaturas de almacenamiento: A, B ........-55C a +125C K, U ..................................-40C a +85C Duracin del corto circuito en la salida, entre la excitacin de la compuerta del MOSFET y VREF Force ................ Continuo cuando es al comn y a +VCC Corriente de salida usando una Resistencia interna de 50 Q ........ 40mA NOTA: (1) Valores por encima de estos mximos pueden causar dao permanente. Si el dispositivo permanece sometido por periodos de tiempo extendido a las condiciones de valores mximos, se puede degradar la confiabilidad del dispositivo.

SENSIBILIDAD A LA DESCARGA ELECTROSTATICA


Este circuito integrado se puede malograr por ESD(ElectrosStaticDischarge, descarga electrostatica). Texas Instruments recomienda manipular todos los circuitos integrados con las precauciones adecuadas. El no observar los procedimientos adecuados de manipulacin e instalacin pueden causar dao. El dao por ESD puede variar desde la degradacion sutil (difciles de detectar, no permanentes) del desempeo hasta la falla total o permanente del dispositivo. Los circuitos integrados de precisin pueden ser mas suceptibles de daarse por ESD, porque inclusive cambios muy pequeos de sus parmetros podran originar que el dispositivo no cumpla con sus especificaciones publicadas en la hoja de datos tecnicos.

INFORMACION SOBRE ENVOLTURA/COMPRA(1)


DENOMINACION DE LA PRODUCTO XTR110AG XTR110BG XTR110KP XTR110KU ENVASE-PINES DIP-16 Ceramic DIP-16 Ceramic DIP-16 Plastic SOL-16 Surface-Mount RANGO DE TEMPERATURAS -40C a +85C -40C a +85C 0C a +70C 0C a +70C

ENVOLTURA
JD JD N DW

NOTA: (1)Para obtener la infotrmacion mas actual sobre las envolturas y forma de compra ver el apndice de opciones de envolturas que esta al final de este documento o ir a la pagina o sitio web www.ti.com.

CONFIGURACION DE LAS PATILLAS


VISTA DESDE ARRIBA

Source Resistor Common


V

1 2 3 4 5 6 7 8

16 +VCC 15 VREF Force 14 Gate Drive 13 Source Sense 12 VREF Sense 11 VREF Adjust 10 4mA Span 9 16mA Span

REF

ln

VIN1 (10V) VIN2 (5V) Zero Adjust Zero Adjust Span Adjust

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CARACTERISTICAS ELECTRICAS
A TA = +25C y Vcc = +24V y RL = 250Q**,a menos que se indique lo contrario. PARAMETRO CONDICIONES MIN TRANSMISOR Funcion de Transferencia 5 Rango de Entrada: V!N1( )
V|N2

XTR110AG, KP, KU TYP MAX MIN

XTR110BG TYP MAX

UNIDADES

Corriente, l0 Nolinealidad Corr. de desplazamiento, los Inicial vs Temperatura vs Fuente, Vcc Error de Max Rango Inicial vs Temperatura vs Alimentacion, Vcc Resistencia de Salida Resistencia de Entrada

Desempeo Especificado Desempeo Especificado 1 Desempeo Especificado( ) Operac a valores menores*1' 2 16mA/20mA Span< > l0 = 4mA<1>
(1) (1) (1)

0 0 4 0

l0 = 10 [(VREFln/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2)] /R SPAN + 10 * +5 * 20 * 40 * 0.01 0.025 0.2 0.0003 0.0005 0.3 0.0025 0.003 9 10 X 10 27 22 19 15 20 1.3 0.4 0.005 0.005 0.6 0.005 0.005

0.002 0.02

0.005 0.1 0.003

* * * *

V V mA mA % of Span % of Span % of Span/C % of Span/V % of Span % of Span/C % of Span/V k2

l0 = 20mA
(1) (1) (1)

* *
0.05 0.0009

*
0.2 0.003

Desde el Drenaje del (QEXT)


V|N1 V|N2 VREF I"

(3)

* * *

kn kn
US US mA/|is

Respuesta Dinamica Tiempo de Asentamiento Velocidad de cambio VOLTAGE REFERENCIA Voltage de Salida vs Temperatura vs Fuente, Vcc vs Corriente de salida vs Tiempo Rango de Ajuste Corriente de salida FUENTE DE ALIMENTAC. Voltage de Entrada, Vcc Corriente de reposo RANGOTEMPERATURAS Especificacion: AG, BG KP, KU Operacion: AG, BG KP, KU

a 0.1% del Rango a 0.01% del Rango

. *
+ 10.05 50 0.005 0.01 +0.25 +9.98 15

+9.95 Line Regulation Load Regulation -0.100 10 + 13.5 Excluding l0 -40 0 -55 -25

+ 10 35 0.0002 0.0005 100

* * * *

+ 10.02 30

* * * * * * *

Specified Performance

* * *

V ppm/C %/V %/mA ppm/1 k hrs V mA V mA C C

+40 4.5 +85 +70 + 125 +85

* * *

c c

* Las especificaciones son las mismas que las de los grados AG/KP ** Las especificaciones son validas para el rango de valores de RL mostrados en las curvas de desempeo tipicas NOTAS: (1) Incluyendo la referencia interna. (2) El Alcance o Span es el cambio que se produce en la corriente de salida cuando el voltage de entrada cambia en todo su rango. (3) Dentro de la observancia o cumplimiento del rango, limitado por (+VCC-2V) +VDS que es requerido para la operacin lineal del FET. (4) Para el circuito del ajuste de VREF vea la Figura 3. (5) Para el circuito de excitacion extendida de lREF vea la Figura 4. (5) Se puede daar la unidad. Ver la seccion Rango de tensiones de entrada.

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CURVAS DE DESEMPEO TIPICAS


OBTENIDAS A TA = +25C, Vcc = 24VDC, RL = 25CK2, a menos que se indique otros valores.

REGULACION DE LINEA DE VREF vs REQUENCY

10

>
0.01

REGULACION DE LA FUENTE vs FREQUENCIA

0.001 0.1

0.01

0.001
<3

10

100

1k

10k

100k

10

100

1k

10k

100k

Frequencia de Rizado (Hz)

Frequencia de Rizado (Hz)

AUMENTO DE LA TEMPERATURA vs LA CORRIENTE DE SALIDA DE VREF


ME x. Temp. R for +85C Amb 80 Max.Tj = +175C 9JA = 70C/W se ent Vcc = +40V ^

ERROR TOTAL EN LA SALIDA vs TEMPERATURA

Increm ento de 40 la temper 20 atura de la unin 0 por encima de la temper atura ambient e

60

Vcc = +24V

VCC = +15V

10 Corriente de Salida de VREF (mA) (l0UT tiene un efecto minimo sobre T,)

lcc vs TEMPERATURE
"o = 2 0mA

RL MAXIMO vs

cc

'oiw 1500 'o=_ 4 mA

xx

= 20mA

< E

1000 'oi* i,x = 40mA_ 500 0

-40

-20

20 Temperature (C)

40

60

80

15

20

25
+

30 VCC(V)

35

40

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CURVAS DE DESEMPEO TIPICAS (Continua)


Obtenidas a TA = +25C, Vcc = 24VDC, RL = 250C2, a menos que se indique otros valores.

V,N

TIEMPO DE ASENTAMIENTO CON UN ESCALON NEGATIVO EN VIN

OV

ov
l0 Error (0.01% of

MM

Span/Box)

RESPUESTA AL PULSO
TIEMPO DE ASENTAMIENTO CON UN ESCALON POSITIVO EN VIN ^MB M;.i 0V

0V l0 Error (0.01% of Span/Box)

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INFORMACION SOBRE LAS APLICACIONES


En la Figura 1 se muestran las conexiones bsicas que se requiere hacer para convertir una entrada de OV a 10V en una salida de 4ma a 20mA. En la tabla que est dentro de la Figura 1 se muestra que cambiando las conexiones de las patillas 3, 4, 5, 9 y 10 se pueden obtener otros rangos de corriente de salida para otros rangos de voltaje de entrada. La funcin de transferencia completa del XTR110 es: 10
CMNI.) f (V, REF IN) (.MN2.) -------------------------------- + -----16

tener un valor mximo de voltaje igual o mayor que el valor mximo del voltaje de la fuente de alimentacin Vcc. En la Tabla I se recomiendan varios tipos de transistores MOSFET.
FABRICANTE Ferranti PART NO. ZVP1304A ZVP1304B ZVP1306A ZVP1306B IRF9513 BVDSS<1> 40V 40V 60V 60V BVGS(D 20V 20V 20V 20V PACKAGE TO-92 TO-39 TO-92 TO-39 TO-220

International Rectifier Motorola

60V 80V
80V 80V 30V 30V 30V 80V 80V 80V 40V 40V 60V 60V

20V 20V
20V 20V 40V 40V 40V 40V 40V 40V 20V 20V 20V 20V

MTP8P08 RFL1P08 RFT2P08 VP0300B VP0300L VP0300M VP0808B VP0808L VP0808M VP1304N2 VP1304N3 VP1306N2 VP1306N3

TO-220 TO-39 TO-220 TO-39 TO-92 TO-237 TO-39 TO-92 TO-237 TO-220 TO-92 TO-220 TO-92

RCA

+ (1)

Siliconix (preferred)

R, RSPAN es la impedancia total, vista desde el emisor del transistor NPN interno con respecto al comn. Esta impedancia vara dependiendo de cmo se configuren las patillas 8, 9 and 10. En la Figura 1 se muestran configuraciones de las regiones de operacin tpicas. Tal como se explica ms adelante, se puede conectar una resistencia externa RSPAN para obtener otros rangos de corriente de salida. TRANSISTOR EXTERNO Como se muestra en la Figura 1, se requiere un transistor de paso externo, QEXT. Este transistor conduce la corriente de la seal de salida. Se recomienda usar un transistor MOSFET de canal P. Este transistor MOSFET debe
Supertex

NOTA: (1) BVDSSvoltaje de ruptura entre el Drenador-Surtidor del MOSFET. BVGS voltaje de ruptura entre la Compuerta-Surtidor del MOSFET.

TABLA I. MOSFETs de canal-P disponibles en el mercado.

5k2 Force 15 Sense 12

Adj. OV|N 0 to 10V

QEXT P-Channel MOSFET (see text)


16.25k2

4 to 20mA RL ; (250Q typ)

i 0 /ioj ( R ?

-O Span Adjust 10 O 4mA Span 9 16mA Span 6250Q

RR 1562.5Q

RANGO RANGO DE ENT (V) DE SAL(mA) 0-10 0-20

PIN 3 Com

PIN 4 Input

PIN 5 Com

PIN 9 Com

PIN 10 Com

2-10 0-10 0-10 0-5 1-5 0-5 0-5

4-20 4-20 5-25 0-20 4-20 4-20 5-25

Com +10V Ref +10V Ref Com Com + 10V Ref +10V Ref

Input Input Input Com Com Com Com

Com Com Com Input Input Input Input

Com Com Com Com Com Com Com

Com Open Com Com Com Open Com

FIGURA 1. Conexiones Circuitales Basicas.

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Si el voltaje de la fuente de alimentacin, +VCC, excede el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador VGD del QEXT, o si se rompe la conexin en la salida (drenador de QEXT), podra malograrse el transistor QEXT. Si en caso el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador del QEXT en menor que +VCC, QEXT puede ser protegido con un diodo zener de 12V conectado entre la compuerta y el drenador del MOSFET. En vez del MOSFET QEXT, se puede usar dos transistores PNP discretos (conectados como Darlington) vea la Figura 2. Observe que en este caso es necesario usar un condensador adicional por consideraciones de estabilidad. No se recomienda usar transistores Darlington en circuito integrado porque sus resistencias internas entre la base y el emisor originan errores muy grandes. DISIPACION DEL TRANSISTOR EXTERNO QEXT La disipacin mxima de potencia de QEXT depende del voltaje de la fuente de alimentacin y de la corriente de salida mxima. Asumiendo que la Resistencia de carga es pequea, la potencia disipada por QEXT est dada por: PMAX = (+Vcc) IFS (2) Para evitar sobrecalentamiento del transistor Qext, se debe elegir el tipo de transistor y el disipador segn la mxima disipacin de potencia. En la Tabla II se dan recomendaciones generales segn el tipo de envoltura.
TIPO DE ENVOLTURA TO-92 TO-237 TO-39 TO-220 TO-3 DISIPACION DE POTENCIA PERMISIBLE La ms baja: Use la Fuente mnima y a +25C. Aceptable: Compromiso entre fuente y temperatura. Buena: Adecuada para la mayora de diseos. Excelente: Cuando se usan los valores mximos por tiempo prolongado. Usar este envase si se require un envase hermetico.

' "cc 16 1 XTR110 47nF

13 14 2

0.047uF

I T
Common

ji

* -

TIP30B etc.

2N2907 " 'OUT etc.

,
L

>

FIGURE 2. QEXT usando dos Transistores PNP.

+Vn, VoFF Force R<1> VREF Adjust 15 12


O

XTR110 16

"REF

---- AV^1
Adjust Range 5% Optimum

-20k2

NOTA: (1) Rs da mas resolucin con rango reducido, para un rango ms grande ajustar Rs = 0Q.

FIGURE 3. Ajuste opcional del Voltaje de referencia.


Force 15

-o+vr

TABLA II. Tipo de envoltura del Transistor externo Qext y Disipacin que puede soportar. RANGO DE VOLTAGES DE ENTRADA El XTR110 se malogra si a las entradas se le aplica un tensin menor que la del pin 2 que es el COMUN. Se puede malograr el op amp Al si a la entrada no inversora (la entrada +, es un nodo interno) del op amp Al se le coloca una tension negativa mayor de 0.5V por debajo del comun (0V). Esta situacion podria ocurrir si las patillas de entrada 3, 4 or 5 fueran excitadas con un amplificador operacional cuya salida podria tener excursions negativas bajo condiciones anormales. El voltage en la entrada de Al es:
'Al (VJ

(VREFIN)

(VIN1) (3)

HOVo

XTR110

vA, = ------------ + ---------- + 16

Este voltaje VA1 no debe ser ms negativo que -0.5V. Si fuera necesario, se le puede conectar un diodo sujetador conectado entre la entrada que puede tener excursiones negativas y el comn, para sujetar la tensin de entrada. Viendo la funcin de transferencia, por ejemplo, asuma que se se esta usando la configuracin estndar que se muestra en la figura 1. En este caso, VREF IN = 10V y VIN2 =0V. La ecuacin se transforma en: (10/16) + (VIN1/4) + (0/2)=0 Re arreglando nos da: Vin1= -2.5V, el cual es el mximo

voltaje negativo el caul se le puede aplicar. Sin embargo note que esto solo se aplica nicamente sies que en VREF IN hay+10V presentes.Asi si por ejemplo por algn motivo se interrumpe la fuente de alimentacin del XTR110 , ya no se generaran los +10V en VREF y cualquier entrada negativa en VIN1 podria daar la unidad.

COMUN (Tierra) Se debe de prestar bastante atencin a la conexin adecuada de los comunes del circuito (las tierras). Todos los comunes deben de unirse en un punto que sea lo ms cercano posible al pin 2 del XTR110 que es el comn del integrado. La excepcin es el retorno de IOUT. Este comn (de IOUT) puede ser retornado a cualquier punto que no module al comn del XTR10 que es el pin 2. Para 100mA con Vcc hasta 40V
use el 2N3055 como QREF.

FIGURA 4. Aumentando la corriente de referencia.

VOLTAGE DE REFERENCIA El voltaje de referencia de 10V est regulado con mucha exactitud en el pin 12 (VREF SENSE)- PARA SEGUIR MANTENIENDO ESTA EXACTITUD, cualquier carga incluyendo oad including pin

el pin 3 (VREF IN) del divisor de tensin debe de conectarse a este punto. El circuito de la Figura 4 muestra como se puede variar el valor del voltaje de referencia usando el pin 11, aqu tambin se muestra como realizar los ajustes fino y grueso del voltaje de referencia. La corriente mxima de la referencia interna del XTRllO es 10mA. Esta corriente se puede hacer mayor, si es que se desea, adicionndole un transistor externo del tipo NPN entre los pines 15 y 12 tal como se muestra en la Figura 4. ADJUSTE DEL DESPLAZAMIENTO (CERO) Se puede variar la corriente de desplazamiento (del cero de corriente) usando el potencimetro, R1, (entre los pines 6 y 7), tal como se muestra en la Figura 5. El procedimiento consiste en hacer el voltaje de entrada (en el pin 4) igual a cero y luego variar la resistencia R1 hasta obtener 4mA en la salida. Esto en caso de un cero vivo. Para rangos que van a empezar en 0 mA, se recomienda seguir el siguiente procedimiento especial: colocar en la entrada (el pin 4) un pequeo valor de tensin, muy cercano a cero pero que no sea cero, y luego variar el valor de la resistencia R1 hasta obtener la corriente de salida que se necesita. Cuando la entrada sea cero, la salida tambin debe ser cero. En las figuras 6 y 7 se muestra grficamente como se ajusta el desplazamiento o cero.

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Offset Adjust 1 |jF Tantalum

Third Wire

24V . 13 XTR110

Span Adjust

FIGURA 6. Recta que muestra el Cero y el Mximo para la siguiente configuracin: entrada de 0V a +10V, Salida de 4mA a 20mA (vea la Figura 5).

FIGURA 5. Circuito para el ajuste del cero y del mximo cuando la entrada es OV a +10V , y la salida es 4mA a 20mA. AJUSTE DEL ALCANCE O MAXIMO El alcance o rango es ajustado hasta obtener la mxima corriente de salida usando el potencimetro, R2, tal como se muestra en la Figura 5. Este ajuste interacta con el ajuste del cero, y ser necesario realizar unas cuantas iteraciones hasta ajustar los dos valores, el cero y el mximo correctamente. Para el circuito mostrado, coloque el voltaje de entrada al mximo que es +10V y luego vari R2 hasta obtener una salida mxima de 20mA. Las Figuras 6 y 7 muestran grficamente como se ajusta el alcance o mximo. Los valores de R2, R3, y R4 para ajustar el mximo de la corriente de salida son determinados de la siguiente manera: elija un R4 en serie para que disminuya ligeramente el valor mximo de la corriente; luego elija R2 y R3 para que aumenten el mximo de tal manera que se pueda ajustar en torno a su valor central. OPERACION CON RESISTENCIAS DE BAJO COEFICIENTE DE TEMPERATURA Aunque las resistencias de precisin en el XTR110 estn dentro del rango de l ppm/C, la corriente de salida depende del coeficiente de temperatura absoluto (TC) de cualquiera de las resistencias, R6, R7, R8, y R9. Como el coeficiente de temperatura absoluto (TC) de las resistencias es 20ppm/C, como mximo, entonces el TC de la corriente de salida puede tener un corrimiento de 20ppm/C. Si se quiere operar con bajos coeficientes de temperatura TC, se pueden cambiar las resistencias internas (R6 or R7) que se usan para ajustar el mximo y el mnimo del rango, por resistencias con cero TC, o tambin la Resistencia de surtidor (Re,) por una resistencia con cero TC pero no las dos al mismo tiempo.

^
20 E 15 Vea valores en la Figura 6.Ademas junte los pines 9 y 10.

<

Adjuste del maximo

> 20mA Span 3 10

Ajuste del cero 0mA Offset 2 4 6 10

Input Voltage, V,N1 (V)

FIGURA 7. Recta que muestra el Cero y el Mximo para la siguiente configuracin : Entrada 0V a +10VIN, Salida 0mA a 20mA (Vea la Figura 5).

COMO AGRANDAR EL RANGO Para rangos mximos mayores de 40mA, se puede reemplazar la Resistencia interna de 50 (R9) por una resistencia externa conectada entre los pines 13 y16. Su valor puede ser calculado como sigue: REXT = R9 (SpanViejo/SpanNuevo) Como las resistencias internas de pelcula-delgada tienen un 20% de tolerancia en valor absoluto, antes de determinar el valor final de REXT hay que medir R9. El auto calentamiento de REXT puede originar no-linealidades. Por lo tanto, elegir un REXT que tenga un coeficiente de temperatura TC bajo y un valor de potencia adecuado. En la figura 10 se muestra esta aplicacin de rango extendido.

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APPLICACIONES TIPICAS
El XTR110 es ideal para una gran variedad de aplicaciones que requieran transmisin de seales con alta inmunidad al ruido causado por el modo comn. La referencia de precisin de +10V se puede usar para excitar circuitos puente y transductores. El hecho que se puedan seleccionar los rangos lo hacen muy til como una fuente de corriente programable de alta precisin. Su diseo compacto y su bajo precio hacen que el XTR110 sea muy verstil con un mnimo de componentes externos y con un mnimo de tiempo para el diseo de ingeniera. Las figuras de la 8 a la 10 muestran aplicaciones tipicas del XTR110.

Q +15V 2MQ 15 12 T, '-H + 10V Reference 16

WW^
14

\2n

R4

-V\AA-W\A-

I-1

T.

Offset Adjust

2k2 402Q

RH 50k2 Coarse Trim J

Span Adjust

"-In

200 l0 <mA) -200 VIN(V)

Ri, R2: R8. io. n


R

Resistencias de bajo TC para disipar 0.32W de

potencia continuamente. Para otros rangos de corriente, escale las dos resistencias 6. 7 proporcionalmente. A1 - A4: Usar potencimetro de 10 vueltas para obtener mayor Tr sensibilidad. T2: Resistencias de bajo TC . T,: 1/4 LM324 (alimentado con 15V). International Rectifier IR9513(1). International Rectifier IR513(1). International Rectifier IRFF9113(1).
R
R :

NOTA: (1)U OTRO transistor MOS con valor mximo de potencia adecuado.

FIGURE 8. Bomba de Corriente de +- 200mA.

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Barrera de aislamiento Isolation Barrier Fuente de Alimentacion Aislada Isolated Power Supply (722)

4-15V O

</ I t

I : I

1uF

-15V+15V ! -15V+15V

XTR110 15 0 to-10V 16

13 14 G

Salida de
4mA a 20mA

^OOQ(
IS0122

V
-o

FIGURA 9. Canal de 4mA a 20mA aislado.

+24V Q

' ^EXT

:o.m
O ------0Vto+10V Q XTR110 14 G OAto 10AOut

See extended span section. \/

FIGURA 10. Salida de OA a 10A del convertidor de voltaje a corriente.

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Historia de las Revisiones realizadas


FECHA REVISION 9/09 C PAGE 6 SECCION Pagina Frontal Informacion de Aplicaciones DESCRIPCION Se cambio la hoja frontal a formato estndar. Se cambio el texto del tercer prrafo.

NOTA: Los nmeros de las pginas de las revisiones anteriores pueden ser diferentes de los nmeros de pgina de la versin actual.

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APENDICE SOBRE LAS OPCIONES DE ENVOLTURAS QUE EXISTEN


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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device XTR110AD XTR110AG XTR110BG XTR110KP XTR110KPG4 XTR110KU XTR110KU/1K XTR110KU/1KG4 XTR110KUG4
(1)

Status (1) Package Type OBSOLETE DIESALE NRND NRND ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE CDIPSB CDIPSB PDIP PDIP SOIC SOIC SOIC SOIC

Package Drawing Y JD JD N N DW DW DW DW

Pins Package Eco Plan (2) Qty 0 16 16 16 16 16 16 16 16 1 1 TBD Green (RoHS & no Sb/Br) Green (RoHS & no Sb/Br)

Lead/Ball Finish Call Tl AU AU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU CU NIPDAU

MSL Peak Temp <3)

Call Tl N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type N /A for Pkg Type Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR Level-3-260C-168HR

25 Green (RoHS & no Sb/Br) 25 Green (RoHS & no Sb/Br) 40 Green (RoHS & no Sb/Br) 1000 Green (RoHS & no Sb/Br) 1000 Green (RoHS & no Sb/Br) 40 Green (RoHS & no Sb/Br)

The marketing status values are defined as follows: ACTIVE: Product device recommended for new designs. LIFEBUY: Tl has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect. NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but Tl does not recommend using this part in a new design. PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available. OBSOLETE: Tl has discontinued the production of the device.
(2)

Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please check http://www.ti.com/productcontent for the latest availability information and additional product content details. TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined. Pb-Free (RoHS): Tl's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6 substances, including the requirement that lead not exceed 0.1 % by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, Tl Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes. Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package, or 2) lead-based die adhesive used between the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible) as defined above. Green (RoHS & no Sb/Br): Tl defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1 % by weight in homogeneous material)
(3)

MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature. Important Information and DisclaimenThe information provided on this page represents Tl's knowledge and belief as of the date that it is provided. Tl bases its knowledge and belief on information provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. Tl has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals. Tl and Tl suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release. In no event shall Tl's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the Tl part(s) at issue in this document sold by Tl to Customer on an annual basis.

Addendum-Page 1

* 71 TEXAS

INSTRUMENT
S
www.ti.com

PACKAGE MATERIALS INFORMATION


8-Sep-2009

TAPE AND REEL INFORMATION


REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS

k-KO

-P1 -

I 4>
Reel Diameter

& <J> 0 # / AO

& & $

"1 'i

,*

O (BO

*1 ) Cavity

-/-I AO

4-

) I

J "
Dimension designed to accommodate the component width Dimension designed to accommodate the component length designed to accommodate the component thickness width of the carrier tape Pitch between successive cavity

BO KO Dimension W Overall P1 centers

Reel Width (W1) QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Sprocket Holes

User Direction of Feed

Pocket Quadrants *AII dimensions are nominal Device

Package Type SOIC

Package Drawing

Pins

SPQ

Reel Diameter (mm) 330.0

Reel AO Width (mm) W1 (mm) 16.4 10.85

BO (mm) 10.8

KO (mm)

P1 (mm) 12.0

W (mm) 16.0

Pin1 Quadrant

XTR110KU/1K

DW

16

1000

2.7

Q1

Pack Materials-Page 1

* 71 TEXAS

INSTRUMENT
S
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PACKAGE MATERIALS INFORMATION


8-Sep-2009

TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS

*AII dimensions are nominal Device XTR110KU/1K

Package Type SOIC

Package Drawing DW

Pins 16

SPQ 1000

Length (mm) 346.0

Width (mm) 346.0

Height (mm) 33.0

Pack Materials-Page 2

MECHANICAL DATA

JD (R-CDIP-T**)
20 PINS SHOWN

CERAMIC SIDE-BRAZE DUAL-IN-LINE PACKAGE

20

0.290 (7,37) TYP

0.065 (1,65) ~ 0.045 (1,14) 0.175 (4,45) 0.140 (3,56) 0.320 (8,13) 0.290 (7,36)"

0.075 (1,91) MAX X

4 Places

rx
i i

JL.

Seating Plane 0.020 (0,51)

iii

II
0.100 (2,54)

0.021 (0,53)
0.125(3,1

"*1^_ 0.015 (0,38)

0.012 (0,30)
0.008 (0,20)

^\PINS ** DIM ^\
A MAX

8
0.405 (10,29)

14
0.757 (19,23)

16
0.810 (20,57)

18
0.910 (23,11)

20
1.010 (25,65)

24
1.100 (27,94)

4040086-2/F 07/03 NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. C. This package is hermetically sealed with a metal lid. D. The terminals are gold plated. E. Falls within MIL STD 1835 CDIP2 - T8, T14, T16, T18, T20 and T24 respectively.

TEXAS INSTRUMENTS
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MECHANICAL DATA

N (R-PDIP-T**)
16 PINS SHOWN

PLASTIC DUAL-IN-LINE PACKAGE

16

DIM ^\

14

16

18

20

r-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir-n A MAX 0.775 (19,69) 0.745 (18,92) AA 0.775 (19,69) 0.745 (18,92) BB 0.920 (23,37) 0.850 (21,59) AC 1.060 (26,92) 0.940 (23,88) AD

0.260 (6,60) 0.240 (6,10) 1 0.070 (1,78) 0.045 (1,14)

T A

MIN

MS-001 VARIATIO N

A
0.045 (1,14) 0.030 (0,76)

0.020 (0,51) MIN

0.325 (8,26) 0.300 (7,62)

MAX

f 0.200 (5,08)
X____ Seating Plane

0.015 (0,38)| -iGauge Plane

0.015 (0,38)

1.125 (3,1

0.010 (0,25) NOM

T
|*H 0.100 (2,54)1
0.021 (0,53) 0.010 (0,25) 0.430 (10,92) MAX 14/18 Pin Only 20 Pin vendor option / D\

4040049/E NOTES: A A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. Falls within JEDEC MS-001, except 18 and 20 pin minimum body length (Dim A). /D\ The 20 pin end lead shoulder width is a vendor option, either half or full width.

12/2002

TEXAS INSTRUMENTS
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MECHANICAL DATA

DW (R-PDS0-G16)

PLASTIC SMALL-OUTLINE PACKAGE

0.413 (10,50) 0.398 (10,10) 16

Pin 1

0.419 (10,63) 0.393 (9,97) 0.299 (7,60) 0.291 (7,40)

| 0.050 (1,27)| Index Area

0.020 (0,51) 0.012 (0,31)

|-0-10.010 (0,25) @ |

F
-0.104 (2,65) Max

1L I
| 0.010 (0,25)| Gauge Plane ~ -

0.012 (0,30) 0.004 (0,10)

0.013 (0,33) 0.008 (0,20) ~|

^i 0.004 (0,10)

T
0.050 (1,27) 0.016 (0,40)

Seating Plane

NOTES:

A. All linear dimensions are in inches (millimeters). B. This drawing is subject to change without notice. C. Body dimensions do not include mold flash or protrusion not to exceed 0.006 (0,15). D. Falls within JEDEC MS-013 variation AA.

^ TEXAS INSTRUMENTS

4040000-2/F 06/2004

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Texas Instruments Incorporated y sus subsidiarias (Tl) se reservan el derecho de realizar correcciones, modificaciones, de aumentar su valor, de realizar mejoras, y realizar cualquier otro cambio que considere necesario a sus productos y servicios en cualquier momento y descontinuar cualquier producto o servicio sin previo aviso. Los usuarios debern de obtener la informacin actualizada relevante antes de colocar una orden de compra y debern verificar que esa informacin sea la ms actual o la ltima y completa. Todos los productos se venden sujetos a la aceptacin de los trminos, clausulas y condiciones de venta de la TI las cuales son suministradas al momento de la admisin de la orden.. Tl garantiza el desempeo de sus productos y partes electrnicos segn las especificaciones aplicables al momento de la venta, en concordancia con la garanta estndar de la TI. Las tcnicas de control de calidad y de pruebas se usan hasta el grado que TI considera necesario para ayudar a verificar que se cumpla esta garanta. Excepto cuando por orden expresa o por mandato de los requerimientos del gobierno, no necesariamente se realiza la prueba de todos y cada uno de los parmetros de cada producto. Tl no asume ninguna responsabilidad por asistencia tcnica de las aplicaciones o diseo del producto del usuario. Los usuarios que usan los componentes de la Tl son los nicos responsables de sus productos y de sus aplicaciones. Para minimizar los riesgos asociados con los productos y las aplicaciones de los usuarios, los usuarios deben aplicar salvaguardas de operacin y realizar diseos adecuados. Tl no da ningn tipo de autorizacin, ya sea expresa o implcita, sobre cualquier derecho de patente, derechos de autor, derechos de LITOGRAFIA O CERIGRAFIA PARA LOS SEMICONDUCTORES O CIRCIITOS IMPRESOS, u otro tipo de autora de propiedad intelectual que est relacionado a cualquier combinacin, maquina o proceso en la cual sean usados los productos o servicios de la TI. La informacin publicada por la TI en lo concerniente a productos o servicios de terceros no constituye una licencia dada por TI para usar esos productos o servicios ni constituye una autorizacin o apoyo de los mismos. El uso de este tipo de informacin podra requerir una autorizacin del tercero dueo de la patente u otro derecho de propiedad intelectual del tercero, o una autorizacin de TI bajo las patentes u otra propiedad intelectual de TI. Solo se permite la reproduccin de la informacin de la TI dada en las hojas de datos y en los libros de datos de la TI, si la reproduccin no presenta ninguna alteracin y es acompaada de todas las limitaciones, condiciones, garantas y notas asociadas. La reproduccin de esta informacin con alteraciones es una prctica de negocios engaosa y deshonesta. TI no es responsable o legalmente vinculada por tal documentacin alterada. La informacin de terceros puede estar sujeta a restricciones adicionales. La reventa de los productos o servicios de la TI con caractersticas diferentes o mejores de las que figuran en los parmetros publicados por la TI para ese producto o servicio deja sin efecto todas las garantas expresas o implcitas para el producto o servicio de la TI asociado y es una prctica de negocios engaosa y deshonesta. TI no es responsible civilmente ni esta legalmente vinculada por este tipo de publicaciones de caractersticas tcnicas. Los productos de la TI no estan autorizados para usarse en aplicaciones criticas para la seguridad (tal como por ejemplo en lo que es vida artificial o mantenimiento de la vida) donde una falla de algun producto de la Tl seria razonable esperar que cause un dao personal muy severo o la muerte, a no ser que las partes involucradas hayan firmado un acuerdo donde especificamente se reglamente este tipo de uso critico. Los compradores garantizan que ellos tienen toda la experiencia necesaria en las repercuciones o implicancias sobre la seguridad y las regulaciones gubernamentales de sus aplicaciones, y reconocen que ellos son los unicos responsables por todos los requerimientos relacionados con la seguridad, con las leyes gubernamentales y con los dispositivos legales en lo que respecta a sus productos y cualquier uso de los productos de la TI en tales tipos de aplicaciones criticas para la seguridad, aun cuando la TI pueda haber suministrado soporte o informacion relacionada a cualquier aplicacion. Ademas, los compradores deben de indemnizar en su totalidad a la TI y a sus representantes contra cualquier tipo de dao que pueda originarse por el uso de los productos de la TI en tales aplicaciones criticas para la seguridad. Los productos de la TI no han sido diseados ni han sido hechos para usarse en las aplicaciones o medio ambientes militares/aeroespaciales a no ser que los productos de la TI sean designados especificamente por la TI como que son de grado militar o que son fabricados de plastico mejorado. Solamente los productos que la TI ha designado como de grado-militar cumplen con las normas y especificaciones militares. Los compradores reconocen y aceptan que cualquiera de tales usos de los productos de la TI los cuales la TI no ha designado como de grado-militar es a cuenta y riezgo propio de los compradores, y que ellos son los unicos responsables de la observancia y cumplimiento de todos los requerimientos gubernamentales y legales en conexion con tal tipo de uso. Los productos de la TI no han sido diseados ni hechos para usarse en las aplicaciones o medio ambientes automotrices a no ser que explicitamente estos productos especificos de la TI sean designados por la TI como que cumplen los requerimientos de la norma ISO/TS 16949. Los compradores reconocen y aceptan que, si ellos usan cualquier producto de la TI que no ha sido designado para usarse en aplicaciones automotrices, la TI no sera responsable por cualquier falla por no haber cumplido con tales requerimientos. Los siguientes son los URLs donde se puede obtener informacion sobre otros productos y soluciones de aplicacion de la TI. Productos Amplifiers Data Converters DLP Products DSP Clocks and Timers Interface Logic Power Mgmt Microcontrollers RFID amplifier.ti.com dataconverter.ti.com www.dlp.com dsp.ti.com www.ti.com/clocks interface.ti.com logic.ti.com power.ti.com microcontroller.ti.com www.ti-rfid.com

RF/IF and ZigBee Solutions

www.ti.com/lprf

Applicaciones Audio Automotive Communications and Telecom Computers and Peripherals Consumer Electronics Energy Industrial Medical Security Space, Avionics & Defense Video and Imaging Wireless www.ti.com/consum er-apps www.ti.com/energy www.ti.com/industrial www.ti.com/medical www.ti.com/security www.ti.com/space-av ionics-defense www.ti.co m/video www.ti.com /wireless-a pps Direccion de correo Postal: Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265 Copyright 2010, Texas Instruments Incorporated www.ti.com/audio www.ti.com/automoti ve www.ti.com/communi cations www.ti.com/compute rs