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INDICE

INDICE................................................................................................................................1 1. Transistor de unión bipolar..............................................................................................2 1.2. Transistor de unión bipolar.......................................................................................2 1.3. Estructura..................................................................................................................3 1.3. Funcionamiento.........................................................................................................4 1.4. Control de tensión, carga y corriente........................................................................5 1.5. El Alfa y Beta del transistor......................................................................................5 1.6. Tipos de Transistor de Unión Bipolar.......................................................................5 1.6.1. NPN....................................................................................................................5 1.6.2. PNP....................................................................................................................6 1.7. Transistor Bipolar de Heterounión............................................................................7 1.8. Regiones operativas del transistor............................................................................7 1.9. Historia......................................................................................................................8 1.9. Teoría y Modelos Matemáticos................................................................................8 1.9.1. Modelos para señales fuertes.............................................................................8 1.9.1.1. El modelo Ebers-Moll.................................................................................8 1.9.2. Modelos para señales débiles...........................................................................10 1.9.2.1. Modelo de parámetro h.............................................................................10 2. Transistor uniunión........................................................................................................12 3. Transistor IGBT.............................................................................................................13 3.1. Características.........................................................................................................13 4. MOSFET........................................................................................................................15 4.1. Historia...................................................................................................................15 4.2. Funcionamiento.......................................................................................................16 4.3. Modelos matemáticos.............................................................................................17 4.4. Aplicaciones............................................................................................................17 4.5. Ventajas...................................................................................................................17 5. Transistor Darlington.....................................................................................................19 5.1. Comportamiento.....................................................................................................19

1. Transistor de unión bipolar

1.2. Transistor de unión bipolar.
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones: • • • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

denominado emisor (E). Estructura Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor. El colector rodea la región del emisor. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. y por eso. y tipo N en un transistor NPN. Estas regiones son. El transistor de unión bipolar. a diferencia de otros transistores. tipo P. lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector.3. La razón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados por la base. respectivamente. El emisor está altamente dopado. Para una gran ganancia de . La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad.1. Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN.5. según corresponda. tipo N y tipo P en un PNP. haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modo activo. no es usualmente un dispositivo simétrico. y tipo N. tipo P. mientras que el colector está ligeramente dopado. base (B) o colector (C). Cada región del semiconductor está conectada a un terminal. otorgarle al transistor un gran β. permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor. la región de la base y la región del colector. muchas veces el valor de α en modo inverso es menor a 0.

En un transistor NPN. especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea. En una operación típica. pero la mayoría de los BJT modernos están compuestos de silicio. cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensión. Actualmente. desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. por ejemplo. 1. la mayoría de los portadores inyectados en la unión base-emisor deben provenir del emisor. los cuales generan "hoyos" como portadores mayoritarios en la base. una pequeña parte de éstos (los transistores bipolares de heterojuntura) están hechos de arseniuro de galio. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una configuración normal. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensión o corriente de entrada. El bajo desempeño de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseñados simétricamente. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio. prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Estos electrones "vagan" a través de la base. Pequeños cambios en la tensión aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. A su vez. Funcionamiento Característica idealizada de un transistor bipolar. la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operación en modo activo y modo inverso. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. pero son caracterizados más simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente. . Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P.3. debido a la baja impedancia de la base. permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. o por amplificadores de corriente.corriente. la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa.

98 y 0.La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones. Tipos de Transistor de Unión Bipolar 1. Control de tensión. para que los portadores puedan difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor. La ganancia de corriente base común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa directa. la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir. para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión base-colector. El Alfa y Beta del transistor Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. que oscila entre 0.998.1. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base.5. En el diseño de circuitos analógicos. y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. 1.4. 1. Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión baseemisor es aproximadamente constante. La ganancia de corriente emisor común está representada por βF o por hfe. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.6. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad. o por la tensión base-emisor (control de voltaje). un diodo). carga y corriente La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente). para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad. se requiere el uso de modelos matemáticos del transistor como el modelo Ebers-Moll. el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. No obstante.6. NPN . Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor. Otro parámetro importante es la ganancia de corriente base común. αF. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un transistor NPN): 1. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100.

2. en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares. permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.6. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector. PNP El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. El símbolo de un transistor PNP. 1. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias. .El símbolo de un transistor NPN. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Pocos transistores usados hoy en día son PNP. La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo. debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores.

Regiones operativas del transistor Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas.(Ic = Ie = Imaxima) En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos. Con un transistor de unión convencional. ver ley de Ohm. el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo. Los transistores de heterojuntura tienen diferentes semiconductores para los elementos del transistor. Región de corte: Un transistor está en corte cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = 0. de hasta varios cientos de GHz. Debido a que la base debe estar ligeramente dopada para permitir una alta eficiencia de inyección de portadores. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal. de β (ganancia de corriente. Debido a que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo. (como no hay corriente circulando. Esto ayuda a reducir la inyección de portadores minoritarios desde la base cuando la unión emisor-base está polarizada en directa y esto aumenta la eficiencia de la inyección del emisor. En este modo. Usualmente el emisor está compuesto por una banda de material más larga que la base. definidas principalmente por la forma en que son polarizados: • Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia. la región activa. el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. lo que resulta en una menor resistencia. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. generalmente en sistemas de radiofrecuencia.1. 1.8. la eficiencia de la inyección de portadores desde el emisor hacia la base está principalmente determinada por el nivel de dopaje entre el emisor y la base. Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0) Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima. también conocido como transistor bipolar de homojuntura. La inyección de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib). su resistencia es relativamente alta. (recordar que Ic = β * Ib) • • • .7. es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. ver Ley de Ohm). no hay caída de voltaje. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos.(Ic = Ie = 0) En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. Transistor Bipolar de Heterounión El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del BJT que puede manejar señales de muy altas frecuencias. las regiones del colector y emisor intercambian roles.

Historia Replica del primer transistor. el uso de BJT ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados. Hoy en día. El modelo Ebers-Moll Las corrientes continuas en el emisor y el colector en operación normal son determinadas por: Modelo Ebers-Moll para transistores NPN Modelo Ebers-Moll para transistores PNP .1. Modelos para señales fuertes 1.9. Teoría y Modelos Matemáticos 1. 1.9.1.1.9.1.9. El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. inventada por Shockley en 1948. fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. La versión de unión.

En el transistor de unión bipolar una pequeña variación de la corriente base-emisor genera un gran cambio en la corriente colector-emisor. debido a que el valor de αT es muy cercano a 1. β está relacionada con α a través de las siguientes relaciones: Eficiencia del emisor: Otras ecuaciones son usadas para describir las tres corrientes en cualquier región del transistor están expresadas más abajo. En una configuración típica.La corriente interna de base es principalmente por difusión y Dónde: • • • • • • • IE es la corriente de emisor.998) IES es la corriente de saturación inversa del diodo base-emisor (en el orden de 10 −15 a 10−12 amperios) VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K). La corriente de colector es ligeramente menor a la corriente de emisor. IC es la corriente de colector. Un valor de β de 100 es típico para pequeños transistores bipolares. . W es el ancho de la base.0. Estas ecuaciones están basadas en el modelo de transporte de un transistor de unión bipolar. una señal de corriente muy débil circula a través de la unión base-emisor para controlar la corriente entre emisor-colector.98 a 0. β o hFE. (de 0. La relación entre la corriente colector-emisor con la base-emisor es llamada ganancia. αT es la ganancia de corriente directa en configuración base común. VBE es la tensión base emisor.

. el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. b o c para las topologías EC.2. VBE es la tensión base-emisor.2. BC y CC respectivamente. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito.1.9. Reemplazar x con e. Terminal 1 = Base Terminal 2 = Colector Terminal 3 = Emisor iin = Corriente de Base (ib) io = Corriente de Colector (ic) Vin = Tensión Base-Emisor (VBE) Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE) Y los parámetros h están dados por: • hix = hie . Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los valores específicos de: • • • • • • • • x = 'e' debido a que es una configuración emisor común. 1. Modelos para señales débiles 1. iB es la corriente de base. Modelo de parámetro h Modelo de parámetro h generalizado para un TBJ NPN. iE es la corriente de emisor.Dónde: • • • • • • • • • iC es la corriente de colector.La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del emisor re). Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. VBC es la tensión base-colector. βF es la ganancia activa en emisor común (de 20 a 500) βR es la ganancia inversa en emisor común (de 0 a 20) IS es la corriente de saturación inversa (en el orden de 10 −15 a 10−12 amperios) VT es el voltaje térmico kT / q (aproximadamente 26 mV a temperatura ambiente ≈ 300 K).9. Como se muestra.

La ganancia de corriente del transistor. Por esto los parámetros hoe y hre son ignorados (son tomados como infinito y cero. Como se ve. También debe notarse que el modelo de parámetro h es sólo aplicable al análisis de señales débiles de bajas frecuencias. hfx = hfe . hox = hoe . Este término es usualmente especificado como una admitancia.La impedancia de salida del transistor. respectivamente). Para análisis de señales de altas frecuencias este modelo no es utilizado debido a que ignora las capacitancias entre electrodos que entran en juego a altas frecuencias. Para condiciones de corriente continua estos subíndices son expresados en mayúsculas. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero). Este parámetro es generalmente referido como hFE o como la ganancia de corriente continua ( βDC) in en las hojas de datos. los parámetros h tienen subíndices en minúscula y por ende representan que las condiciones de análisis del circuito son con corrientes alternas.• • • hrx = hre .Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. . Para la topología emisor común. un aproximado del modelo de parámetro h es comúnmente utilizado ya que simplifica el análisis del circuito. debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

en la que se difunde una región tipo P+. Tiene tres terminales denominados emisor (E). el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que. búsqueda Símbolo del UJT. en algún punto a lo largo de la barra. Transistor uniunión Saltar a navegación. esta región se llama región de resistencia negativa. también baja el voltaje en el dispositivo. por lo que esta region no es estable. la resistencia de esta baja y por ello. . lo que determina el valor del parámetro η. lo que lo hace excelente para conmutar. Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura. El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. entre los terminales B1-B2. standoff ratio. base uno (B1) y base dos (B2). el emisor. conocido como razón de resistencias o factor intrínseco. este es un proceso reiterativo. al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo. para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación. Está formado por una barra semiconductora tipo N.2.

3.3. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar. búsqueda Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G). autobús. metro. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser .1. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor ) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. electrodoméstico. control de la tracción en motores y cocina de inducción. Características Sección de un IGBT El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada. sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6. colector (C) y emisor (E) El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT. tren. domótica. Transistor IGBT Saltar a navegación. ascensor. avión. barco. Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS). mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes. combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.000 voltios. etc. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. televisión.

En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. Circuito equivalentede un IGBT Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. . Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.igualmente altas.

1. la intercara entre el sustrato dopado y el aislante debe ser perfectamente lisa y lo más libre de defectos posible. Esto es algo que sólo se pudo conseguir más tarde. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. aunque debido a problemas de carácter tecnológico y el desconocimiento acerca de cómo se comportan los electrones sobre la superficie del semiconductor no se pudieron fabricar hasta décadas más tarde. Historia Fue ideado teóricamente por el alemán Julius von Edgar Lilienfeld en 1930. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. MOSFET Saltar a navegación. En concreto. búsqueda Transistor MOSFET de empobrecimiento canal N Transistor MOSFET de empobrecimiento canal P MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. 4.4. . Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. para que este tipo de dispositivos pueda funcionar correctamente. con el desarrollo de la tecnología del silicio.

Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. el MOSFET está en estado de no conducción: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: • • Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente. Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain). El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.2. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que. Funcionamiento Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de acumulación canal n. El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: Estado de corte. Conducción lineal. Curvas característica y de salida de un transistor MOSFET de deplexión canal n. Si esta tensión crece lo suficiente. . y el conductor entre ellos es la puerta(gate). huecos en nMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción.4. Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (pMOS) o positiva (nMOS). se crea una región de deplexión en la región que separa la fuente y el drenador. mediante técnicas de difusión de dopantes. El transistor pasa entonces a estado de conducción. aparecerán portadores minoritarios (electrones en pMOS. También se llama mosfet a los aislados por juntura de dos componentes. Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del sustrato. se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

etc). Efecto cuerpo: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión umbral que da lugar al canal de conducción Modulación de longitud de canal.5. Mezcladores de frecuencia. Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET. 4. con MOSFET de doble puerta. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe. pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite. FREDFET. debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: . 4. consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden. Ventajas La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados. ε es la permitividad eléctrica de la capa de óxido. la fórmula pasa a ser la siguiente: Estas fórmulas son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET. como por ejemplo: • • • Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto. n-mos y c-mos. Véase Tecnología CMOS Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son: • • • Resistencia controlada por tensión. • Cuando el transistor opera en la región de saturación.Saturación.3. 4.4. Aplicaciones La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS. μn la movilidad de los electrones. p-mos. L la longitud del canal y W el espesor de capa de óxido. Modelos matemáticos • Para un MOSFET de canal inducido tipo n en su región lineal: donde en la que b es el ancho del canal. el canal de conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. ya que es debida al campo eléctrico entre ambos.

Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). siendo del orden de los nanosegundos. Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias. Funcionamiento por tensión. con el ahorro de superficie que conlleva.• • • • • • • Consumo en modo estático muy bajo. son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios. La velocidad de conmutación es muy alta. Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia. . Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.

la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.1. el transistor Darlington es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo. búsqueda Diagrama de la configuración Darlington En electrónica. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él. La beta de un transistor o par darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales. de ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor. y para transistores de silicio es superior a 1. se da que: Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. al poder estar todo integrado. Si β1 y β2son suficientemente grandes. el voltaje base-emisor equivalente es la suma de ambas tensiones base-emisor: . Transistor Darlington Saltar a navegación. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales.5. requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuración. siendo la suma de ambas tensiones base-emisor. La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington. 5. Comportamiento Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente (parámetro β del transistor) y. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior. Ya que hay dos uniones entre la base y emisor de los transistores Darlington.2V. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor. pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.

VCE2 = VBE2 + VCE1. haciendo al dispositivo lento para apagarse. la tensión de saturación de un transistor Darlington es un V BE (alrededor de 0. en la que cada V BEi es de aproximadamente 0.65 V cuando el dispositivo está funcionando en la región activa o saturada.1 . que es normalmente 0. Otro problema es la reducción de la velocidad de conmutación. Para paliar esto. el segundo transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios conectada entre su base y emisor. permitiendo un rápido apagado.65 V en silicio) más alto que la tensión de saturación de un solo transistor. la tensión base-emisor necesaria de la pareja es de 1. ya que el primer transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda. este inconveniente se traduce en un aumento de la potencia disipada por el transistor Darlington comparado con un único transistor. Otro inconveniente del par Darlington es el aumento de su tensión de saturación. El transistor de salida no puede saturarse (es decir.Para la tecnología basada en silicio.) Por lo tanto. (En ecuaciones. su unión base-colector debe permanecer polarizada en inversa).0.2 V en el silicio. Esta resistencia permite una vía de descarga de baja impedancia para la carga acumulada en la unión base-emisor. . ya que su tensión colector-emisor es ahora igual a la suma de su propia tensión baseemisor y la tensión colector-emisor del primer transistor. Para corrientes de colector iguales. así VC2 > VB2 siempre. ambas positivas en condiciones de funcionamiento normal.3 V.