2.

FOTODETEKTORI I SOLARNE ]ELIJE
(a)
Iphoto VR ID Kao {to smo videli, LED diode emituju svetlost, {to je posledica

rekombinacije manjinskih nosilaca. Medjutim, postoje i diode apsorbuju VD R kojeVo svetlost, {to ima za posledicu generaciju elektrona i {upljina. Ovaj proces konverzije svetlosti u elektri~nu struju prakti~no se koristi za elektri~nu detekciju svetlosti, za {ta su dizajnirani fotodetektori. Ali, koristi se i za (b) konverziju solarne energije u elektri~nu energiju. Za tu svrhu specijalno se 20 dizajniraju P-N spojevi koji se zovu solarne }elije.
0 ID (mA) Idark Iphoto-1 -20 I

2.1 OSNOVNE PRIMENE

photo-2 Fotodetektori (fotodiode) tipi~no se koriste u re`imu inverzne lo

light

Iphoto-3 e polarizacije, kao {to je prikazano na -40 sl. 2.1. U mraku, strujno-naponske

ad

lin

karakteristike fotodioda su iste kao karakteristike ispravlja~kih dioda. To zna~i da u oblasti inverzne polarizacije te~e samo struja curenja. Kada se fotodioda izlo`i dejstvu svetlosti, inverzna struja
VD (V) -6 -4 -2 0

fotodiode

raste

proporcionalno intenzitetu svetlosti. Ta struja je ozna~ena kao fotostruja. Sa sl. 2.1 se vidi da fotostruja, kao i normalna struja inverzne polarizacije ne zavisi od napona inverzne polarizacije.

dioda ide ka re`imu direktne plarizacije.VD = 0.1 Kolo na sl. Dioda koja se koristi kao solarna }elija prikazana je na sl.b pokazuje da je maksimalni izlazni napon pribli`no ograni~en naponom inverzne polarizacije V R. 2. suprotno fotodetektorima. tako da se ova vrednost napona smatra naponom inverzne polarizacije. Solarne }elije. Kako raste intenzitet svetlosti. Ova dioda je direktno vezana sa otpornikom R. Ako intenzitet svetlosti raste iznad ove vrednosti. U mraku. Linija optere}enja na sl. pa je V0 (izlazni napon) jednak nuli. gde pojava normalne struje direktne polarizacije (koja te~e u suprotnom smeru) ograni~ava porast izlaznog napona. 0 mA. zbog toga je V0 = VR . 2. a takodje i pad napona na otporniku R.2 a.2 . rade u re`imu direktne polarizacije. odnosno izlazni napon V 0. 2.2. Sl. struja kroz kolo je pribli`no jednaka nuli i zbog toga je pad napona na otporniku R takodje jednak nuli. Naime.Fig. 2. Ovo je u vezi sa odgovaraju}im smanjenjem inverzne polarizacije fotodiode. tako raste i fotostruja. 2.1 konvertuje intenzitet svetlosti u napon V 0.1b se~e karakteristike diode u ta~ki -7V. linija optere}enja na sl.1.

normalna struja direktne polarizacije mo`e da postane jednaka fotostruji i tada je ukupna struja IDO jednaka nuli. snaga je ponovo jednaka nuli.a i 2. Ako se generacija elektrona i {upljine desila u oblasti osiroma{enja.Dva su ekstremna slu~aja polarizacije diode koja se koristi kao solarna } elija: kratko spojeno kolo (R=0) i otvoreno kolo (R= 4). dok struja IDO ostaje jo{ uvek negativna.2 a) ostaje negativna jer fotostruja dominira nad normalnom strujom direktne polarizacije.2b. pad napona na diodi VDO postaje pozitivan. U drugom slu~aju. postoje}e elektri~no polje ih uklanja iz te oblasti pre nego {to dobiju {ansu da se rekombinuju.3b. . 2.3. U ekstremnom slu~aju. Mada je ovaj uslov pogodan za merenje fotostruje. u prisustvu nekog optere}enja R. Iako ovaj uslov obezbedjuje maksimalan pad napona V DO. Kako je izvor direktne polarizacije fotostruja. Tako nastaje fotostruja. Struja IDO (na sl. jer je VDOIDO =0. 2. fotostruju predstavlja samo struja koja protekne kroz diodu. U slu~aju kratkog spoja (VDO = 0). Snaga koju ostvaruje dioda predstavljena je {rafurom na sl. U tom procesu apsorpcije svetlosti (koji je suprotan emisiji) energija fotona hν se koristi da raskine kovalentnu vezu oslobadjaju}i pri tome elektron i kreiraju}i {upljinu. respektivno. Ovo odgovara uslovu otvorenog strujnog kola. 2. Popre~ni preseci fotodetektora i solarne }elije prikazani su na sl. 2. O~igledno da vrednost otpornika R mo`e direktno da uti~e na proizvedenu snagu. Negativna vrednost Pd = VDOIDO ukazuje na to da dioda deluje kao generator snage. ukupna struja IDO nikad ne mo`e da bude pozitivna. pri njemu se ne ostvaruje snaga jer je VDOIDO=0.2 GENERACIJA NOSILACA Rad dioda koje se koriste kao fotodetektori i solarne }elije zasniva se na mehanizmu generacije nosilaca pod dejstvom svetlosti.

mogu se rasvetliti zna~ajni problemi. To je intrinzi~ni I sloj. Svetlost generi{e elektrone i {upljine i u neutralnim N i P-oblastima. Naj~e{}e kori{}eni fotodetektori se izradjuju sa takvim slojem izmedju oblasti P i N-tipa. ~ija je debljina takva da je taj sloj potpuno osiroma{en. 2. kre}u ka odgovaraju}im oblastima u kojima predstavljaju ve}inske nosioce. zbog elektri~nog polja u oblasti osiroma{enja.3 obezbedjuju dublji prodor u mehanizme generacije nosilaca i njihovo razumevanje u cilju kori{}enja za detekciju svetlosti kod fotodetektora i konverziju svetlosti u elektri~nu energiju kod foto}elija.D . . Ovo je za slu~aj strmog P-N spoja. doprinose}i fotostruji. U ranijim razmatranjima je pokazano da {irina oblasti osiroma{enja zavisi od nivoa dopiranja: wdepl ∝ 1 NA. Zbog toga je u pogledu maksimiziranja zapremine osirome{ene oblasti P-N spoja najpogodnije koristiti najni`e nivoe dopiranja koje je tehnolo{ki mogu}e ostvariti. Jasno je da pove}anje osetljivosti fotodiode zahteva i pove}anje {irine sloja osiroma{enja. a da se {upljine “penju” uz njih. Takva dioda se zove PIN dioda. Energetski dijagrami na sl.2. Uz ~injenicu da se elektroni “spu{taju” niz energetske zone.3a Vidi se da se elektroni i {upljine koji su generisani u oblasti osiroma{enja.Sl.

Ovaj nagib enrgetskih zona (tj. 2. elektri~no polje) posledica je prisustva jonizovanih atoma dopanata u osiroma{enoj oblasti.3. a {upljine prema neutralnoj oblasti P-tipa. {to ukazuje na to da je kod fotodetektora u pitanju inverzna polarizacija. a kod foto}elije direktna polarizacija. Medjutim. Medjutim. . a {upljine se “penju” ka oblasti P-tipa.Prvi problem se ti~e smera fotostruje: {ta je to {to vodi elektrone i {upljine (koji su nastali u procesu generacije.b) se pomeraju suprotno u poredjenju sa fotodetektorom (sl. krivljenje energetskih zona kod oba tipa dioda je u istom smeru.2. To zna~i da su i fotostruje usmerene na istu stranu i kod fotodetektora i kod foto}elije. Fermijevi nivoi (sl.2. pod dejstvom svetlosti) ako je samo otpornik priklju~en za diodu? U slu~aju fotodetektora dijagram energetskih zona nije neophodan da se odgovori na ovo pitanje: napon inverzne polarizacije V R (kome odgovara elektri~no polje E) vodi elektrone generisane u osiroma{enom sloju ka neutralnoj oblasti N-tipa.3b pokazuje da se energetske zone krive i da se elektroni “spu{taju” niz njih ka oblasti N-tipa.3a). situacija nije o~igledna u slu~aju solarnih }elija. Dijagram energetskih zona na sl.

Broj generisanih parova elektron-{upljina raste sa pove}anjem intenziteta svetlosti (sl.3b Mo`da se ~ini da je strujna efikasnost generacije kod fotodetektora bolja. maksimalna talasna du`ina svetlosti koja mo`e da generi{e par elektron-{upljina odredjena je kao λmax = hc . Solarne }elije imaju bitno ve}u oblast P-N spoja da bi se maksimizirala struja generacije pod dejstvom svetlosti.1 b). 2.5b) ne spre~ava apsorpciju svetlosti: kada foton preda svoju energiju . Eg (2. Pove}anje zakrivljenosti zona jedino omogu}ava lak{e kretanje nosilaca. Iako porast napona inverzne polarizacije pove}ava zakrivljenost zona na energetskom dijagramu (sl.1.b). Drugi problem koji mo`e da bude lako obja{njen preko dijagrama energetskih zona je ~injenica da fotostruja ne zavisi od primenjenog napona inverzne polarizacije (sl. Kako je gotovo ceo spektar solarnog zra~enja ispod ove vrednosti. 2. 1. 2.1 µm. To {to je silicijum indirektan poluprovodnik (sl.1) Energetski procep silicijuma odgovara vrednosti λmax=1. Iz uslova da je Eg=hvmin=hc/λmax. Tre}i problem je o~igledan . nisu u mogu}nosti da prebace elektron iz valentne u provodnu zonu i na taj na~in da generi{u par elektron-{upljina. fotostruja se ne menja jer nije ograni~ena stepenom zakrivljenosti energetskih zona.a). Ono {to ograni~ava fotostruju je brzina generacije parova elektron-{upljina pod dejstvom svetlosti.3.sa dijagrama energetskih zona vidi se da svetlost ~iji fotoni imaju energiju manju od E g {irine zabranjene zone poluprovodnika. 2. ali se mora imati na umu da su fotodetektori i foto}elije ipak razli~ito dizajnirane komponente. silicijum je izvanredan materijal za solarne }elije. kod fotodetektora je kapacitivnost minimizirana minimiziranjem povr{ine diode i pove}anjem {irine oblasti osiroma{enja umetanjem I-oblasti.Sl. Da bi se dobio brzi odziv.

2) Jedna~ina kontinuiteta mo`e da se primenjuje kako na manjinske. jednostavno se izostave indeksi p i n. da bi se uklju~io efekat rekombinacije nosilaca. kao {to je svetlost.8. prouzrokuju}i naglo slabljenje intenziteta svetlosti u poluprovodniku. izradjuju od razli~itih materijala kako bi se ostvarila maksimalna osetljivost na svetlost zadate boje. Za izradu solarnih }elija naj~e{}e se koristi silicijum. Ako postoji spolja{nji izvor generacije nosilaca. tako i na ve}inske nosioce naelektrisanja. najvi{e svetlosti apsorbuje se blizu povr{ine poluprovodnika. Vrlo ~esto. koncentracija nosilaca }e se pove}avati. ~lan rn/rp (koji predstavlja brzinu rekombinacije nosilaca) bio je uklju~en u jedna~inu kontinuiteta (j-na 1.valentnom elektronu. U slu~aju generacije nosilaca pod dejstvom svetlosti.7). Ako se `eli da se napi{e generalni oblik jedna~ine kontinuiteta. a minimalna na ostale boje. Zato je vrlo ~esto neophodno da se brzina generacije izrazi kao funkcija prostornih koordinata: gn(x) i gp(x). kao i LED diode. Fotodetektori se. dobija se kompletan oblik jedna~ine kontinuiteta primenjen na manjinske elektrone: ∂np ∂t = np ( x) − npe 1 ∂jn + gn ( x) − q ∂x τn (2. brzina generacije nije uniformna unutar poluprovodnika. a onda se pomera u provodnu zonu menjaju}i svoj impuls. Pove}anje koncentracije nosilaca u jedinici vremena analogno je nazvano brzina spolja{nje generacije i ozna~ena je sa gn za elektrone i gp za {upljine. on sko~i najpre na energetski nivo defekta. Ta jedna~ina predstavljala je smanjenje koncentracije nosilaca u jedinici vremena zbog efektivne rekombinacije. Kao {to je ve} ranije ∂ t∂ t diskutovano. koji ozna~avaju manjinske nosioce: n − ne ∂n 1 ∂jn = + gn ( x) − ∂t q ∂x τn . ∂ n ∂ p   . 2. Dodaju}i gn(x) i gp(x) ~lanove u j-nu 1.3 OP[TI OBLIK JEDNA^INE KONTINUITETA Analogno rekombinaciji i generacija mo`e da menja koncentraciju elektrona ({upljina) u jedinici vremena.

. Op{ta trodimenzionalna jedna~ina kontinuiteta za elektrone i {upljine mo`e se pisati u obliku: n − ne ∂n 1 = ∇jn + gn ( x. o~igledno.p − pe ∂p 1 ∂jp = + gp ( x) − ∂t q ∂x τp (2. z ) − ∂t q τp (2. y. z. uz pretpostavku da je generacija nosilaca oko P-N spoja uniformna. Najpre treba razmotriti fotostruju (I photo-d ) usled generacije nosilaca u osiroma{enoj oblasti. t). t). Sli~no. jn=jn(x. 2. y. t) i jp=jp(x.4) Koncentracija elektrona i {upljina. kao i gustina struje elektrona i {upljina su. t). p=p(x. odnosno p=p(x. da bi se re{ila jedna~ina kontinuiteta neophodno je poznavati funkciju gustine struje. t). y. Po{to sna`no elektri~no polje u osiroma{enom sloju trenutno razdvaja elektrone i {upljine.4 JEDNA^INA FOTOSTRUJE U ovom odeljku izvedena je jedna~ina fotostruje. z. y. y. odnosno jp=jp(x. z. z. t) . y. t). i gustine struja jn i jp se menjaju u prostoru i vremenu: jn=jn(x.3) Treba napomenuti da su koncentracije elektrona i {upljina n i p funkcije prostorne koordinate i vremena (x i t): n=n(x. Op{ti oblik jedna~ine kontinuiteta se koristi u numeri~kim programima razvijenim za simulacije poluprpovodni~kih komponenata. ~etvorodimenzionalne funkcije: n=n(x. Medjutim. z ) − ∂t q τn p − pe ∂p 1 = ∇jp + gp ( x. u osnovi je potrebno da se brzina generacije gn konvertuje u fotostruju. Re{enje jedna~ine kontinuiteta daje vremensku i prostornu zavisnost koncentracija elektrona i {upljina. t) .

npe ∂x ∂t = gnτn. to se za fotostruju mo`e pisati: I photo-d = qgnAJwd (2. generisanih u jedinici zapremine osiroma{enog sloja tokom jedne sekunde. uz ivice osiroma{enog ( VD / Vt ) ≈ 0 . Ovo zna~i da je nivo stacionarnog stanja vi{ka koncentracije elektrona zbog uniformne brzine generacije jednak g nτn. Medjutim. S obzirom da elektroni generisani u unutra{njosti zapremine osiroma{enog sloja doprinose fotostruji.2. To zna~i da oko P-N spoja sloja koncentracija je np ( wp ) = npe exp postoji gradijent koncentracije.4 . Brzina generacije pomno`ena elementarnim naelektrisanjem ( qgn) izra`ava naelektrisanje generisano u jedinici zapremine osiroma{enog sloja tokom jedne sekunde. Sl.2) mo`e se na}i da je n p . qg n se mno`i zapreminom osiroma{enog sloja AJwd.5) Nosioci generisani u neutralnoj oblasti daleko od P-N spoja se rekombinuju jer nema ni elektri~nog polja. Uz ∂np ∂jn =0 i = 0 . {to daje naelektrisanje generisano u jedinici vremena ( qgn AJwd). ni gradijenta koncentracije za drift ili struju difuzije. Kako je naelektrisanje u jedinici vremena ustvari struja (C/s=A). kao {to se mo`e videti na sl. 2.4. iz jedna~ine kontinuiteta (2.Brzina generacije gn izra`ava broj parova elektron-{upljina .

6) I S-n I photo-n Uzimaju}i da je L2 n = Dnτn . Tako ukupna fotostruja postaje: Iphoto = qAJ gn (wd + L n + L p ) (2. Generacija nosilaca podi`e koncentraciju do npe = gnτn+ npe. {to omogu}ava ne samo da se zadovolji uslov wd >> Ln + Lp . koja je dobro poznata kao struja zasi}enja diode. [irina “intrinzi~ne” oblasti je takva da potpuno osiroma{i pri vrlo malim naponima inverzne . po`eljno je da detektori sa brzim odzivom imaju wd >> Ln + Lp. koriste se PIN diode.U mraku. gradijent koncentracije je mali. fotostruja mo`e da se izrazi kao: I = qAJgnLn . {to dovodi do male difuzione struje inverzne polarizacije Is.7) photo-n Analogna jedna~ina mo`e da se dobije za difuzionu struju {upljina u oblasti N-tipa: I photo-p = qAJgpLp Pri ~emu je gp = gn ako je generacija nosilaca uniformna. pove}avaju}i gradijent koncentracije i dalje. ^ak i vrlo nizak nivo dopiranja “intrinzi~nog” sloja ima za posledicu vrlo {irok sloj osiroma{enja.8) reaguje gotovo Treba napomenuti da driftovska fotostruja Iphoto − d trenutno na promenu intenziteta svetlosti. mo`e se ponovo pretpostaviti linearni gradijent ∂np ∂x koncentracije u difuzionoj jedna~ini: ≈ ( gnτn + npe ) / L n Ovo dovodi do slede}eg rezultata: In = qAJ Dn npe Ln + qAJ Dn gnτn Ln (2. I photo-n . difuzionu struju inverzne polarizacije. (2. S druge strane. Da bi se ovo postiglo. ve} poja~ava vrednost fotostruje. Da bi se odredila komponenta fotostruje zbog difuzije vi{ka elektrona. odziv difuzione fotostruje Iphoto i Iphoto je ograni~en − n − p brzinom uspostavljanja profila koncentracije. tako da dominira driftovska fotostruja.

.polarizacije. tako da fotostruja gotovo ne zavisi od napona (struja kontrolisana svetlo{}u). To zna~i da je {irenje sloja osiroma{enja pod dejstvom napona inverzne polarizacije zanemarljivo.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful