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Instituto Tecnolgico de Puebla

Fsica de Semiconductores

Profesor: Vctor Manuel Perusqua Romero

Equipo 4

Tema: Mosfet de Enriquecimiento de Canal P



INTRODUCCIN

Por sus siglas en Ingls MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
Un transistor MOSFET es una barra de silicio con un sector oxidado (el xido de silicio se
conoce vulgarmente como vidrio) sobre el que se produce un metalizado.
Este metalizado est por lo tanto aislado de la barra de silicio pero suficientemente
cercano como para cambiar la magnitud de la corriente circulante por la barra.

Fig.5.1 Aislamiento DE OXIDO DE SILICIO COMPUERTA


Fig. 5.2 circuito de prueba




Existen diferentes versiones de MOSFET en funcin del tipo de barra de silicio (canal tipo P
y canal tipo N) y del funcionamiento del dispositivo, ya que existen MOSFET de
ensanchamiento de canal y otros de estrechamiento del canal (los primeros tiene una
resistencia intrnseca alta, que se reduce al aplicar tensin a la compuerta y los segundos
tienen una resistencia intrnseca baja, que aumenta al aplicar tensin a la compuerta). Los
cuatro tipos se individualizan por el smbolo, la flecha hacia el canal significa tipo N y la
flecha hacia el lado contrario al canal significa tipo P; los de ensanchamiento se
individualizan porque el smbolo del canal est cortado en contraposicin con los de
estrechamiento en donde el canal se dibuj completo. Tambin existen MOSFET de 4
patas en donde el substrato est desconectado del terminal de fuente y tiene su pata
individual. Para conocer los dibujos de cada MOSFET vea la siguiente figura (Figura 5.3).



FIGURA 5.3 DIFERENTES TIPOS DE MOSFET

El principio de funcionamiento de un transistor MOSFET es muy simple: de acuerdo a la
tensin existente entre los terminales de compuerta y fuente la barra de silicio se torna un
conductor de muy baja resistencia intrnseca o un aislador casi perfecto. Adems se debe
mencionar que la compuerta no consume energa ya que se trata de una lmina metlica
aislada. El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz de amplificar seal elctrica y de
hecho existen amplificadores de potencia basados en ellos; sin embargo en el caso que
nos ocupa solo se los utiliza como llave electrnica cerrada o abierta dejando la funcin de
amplificacin de potencia en manos de transistores Darlington complementarios que
tambin presentan excelentes caractersticas de excitacin (alta impedancia de entrada
aunque no tan elevada como los MOSFET).
Para entender el funcionamiento completo de las llaves reales, es conveniente primero
estudiar un circuito didctico que luego aplicaremos al caso real. Este circuito est basado
en un MOSFET de estrechamiento de canal N.















Figura 5.4

1. CONDICIONES PARA POLARIZAR:

Un MOS est constituido por un substrato de silicio N donde se han difundido dos
regiones P, llamadas respectivamente surtidor (S) y drenador (D).
Encima del espacio drenador-surtidor se deposita una capa delgada de xido, de 0.1 a 0.2
m de espesor aproximadamente, metalizada en superficie con aluminio para construir
laCompuerta (G). Las dems regiones no activas, se recubren de una capa gruesa de xido.
El sustrato.



Polaricemos el MOS aplicando
La masa a la conexin del surtidor
Una tensin negativa V
D
al drenador
Una tensin negativa variable V
G
al graduador
El substrato a masa

Hagamos varia V
G
a partir de una tensin nula. Mientras no se alcance cierto umbral
negativo, no llega corriente alguna al drenador: I
D
es nula y el MOS est cortado.
Al evolucionar negativamente la tensin V
G
, alcanza un nivel V
T
(tensin umbral) para el
cual el transistor entra en conduccin. El nivel de la tensin umbral es del orden de 4
para una I
D
= 10A, si V
G
sigue evolucionando, la corriente I
D
toma el aspecto de la curva
siguiente



Para V
G
> V
T
, el MOS est cortado.
Para V
G
< V
T
, el MOS conduce.

La conduccin se manifiesta porque la zona situada debajo de la puerta, llamada canal, se
enriquece de cargas positivas por accin de la polarizacin creciente delacompuerta. En
efecto: si se aplica una polarizacin negativa la compuerta repele los electrones libres del
substrato subyacente, pero, por el contrario, atrae las cargas positivas, o huecos P.
Cuando se ha acumulado en la superficie el suficiente nmero de huecos, esta zona, que
inicialmente era N, tiende a hacerse P: hay pues inversin de portadores. Y si V
G
es
suficiente, se forma un canal P entre el drenador y el surtidor que asegura la conduccin
del MOS. La corriente que atraviesa el transistor puede ahora tomar un camino continuo
P: surtidor, canal y drenador.
Advirtase que la polaridad del canal es (siempre) la inversa de la del sustrato.

















Condicin para el enriquecimiento de un MOS de canal P (a)
Caractersticas I
D
, V
D
de un MOS (b)


Distribucin de portadores y creacin del canal

Accin de la tensin del drenador.

La tensin V
G
puede controlar la conduccin. Pero tambin se puede hacer variar la forma
del canal actuando sobre la tensin V
D
(sobre la diferencia de tensin drenadorsurtidor
V
DS
). As manteniendo constante V
G
y variando V
D
se llega a distintas formas de canal.
- Si V
D
es nula y V
G
es suficientemente negativa, la capa de inversin a lo largo del
canal P, es prcticamente uniforme.
- Si V
D
se hace negativa, el canal se empieza a estrangularse. Se acerca a la superficie
de la zona de drenador pues la diferencia de tensin compuerta-sustrato
determina la anchura de la capa de inversin.
- Si V
D
se hace aun ms negativa, la capa de inversin desaparece de la zona de
drenador. El momento preciso en que el canal deja de unir el surtidor al drenador
se obtiene cuando V
G
V
D
= V
T
.
- Si V
D
sigue creciendo negativamente, el canal se interrumpe. En este momento se
tiene V
G
V
D
< V
T
. Sin embargo, y tenemos aqu un fenmeno importante, puede
todava circular entre esos dos electrodos una corriente prcticamente
independiente de la tensin surtidor-drenador, debido al empobrecimiento que
existe en la unin inversa drenador y sustrato.
Cuando la corriente del drenador aumenta al punto de que no existan portadores mviles
en la zona de drenador, hay saturacin. Si se incrementa la densidad de portadores
aumentando V
GS
, la corriente de saturacin aumenta.

En conclusin, las condiciones son, refiriendo las tensiones a la fuente:
I V
GS
V
T
I = I V
DS
I zona de transicin.
I V
GS
V
T
I s I V
DS
I regin de saturacin (pentodo)
I V
GS
V
T
I > I V
DS
I regin trodo (no saturada).


2. PROCEDIMIENTO ANALTICO PARA POLARIZAR Y PUNTO DE OPERACIN.

REGIN TRIODO.

La ecuacin para la corriente del drenador I
DS
(I drenador surtidor) en funcin de las
tensiones es:
( )
2
I
2
DS
DS GS T DS
W V
K V V V
L
| |
=
|
\ .


Dnde:
p
b
K
LW
c
=

b =Ancho del canal
p

= Movilidad de los electrones


c = Permitividad elctrica de la capa de
xido
L= Longitud del canal
W= el espesor de capa de xido.

REGIN PENTODO

En la regin del pentodo (saturacin), el valor de la corriente de drenador ya no depende
de la tensin VDS. Viene dada por:

( )
2
I
2
DS GS T
KW
V V
L
=

Puesto que la condicin de saturacin es V
DS
> V
GS
V
T
, tambin podemos escribir, en el
caso en que V
DS
= V
GS
V
T
.

( )
2
I
2
DS DS
KW
V
L
=

V
DS
< V
GD
V
TH
V
DS
> V
GS
V
TH



I
DS
= - KW (V
GS
-V
TH
)
2 L


R
DS
= d V
DS

d VDS


O para V
DS
0










3. OBTENCIN DEL PUNTO DE OPERACIN

Observe que las curvas superiores tiene una V
GS
superior negativa y la inferiores tiene un a
V
GS
positiva, la curva superior se da para V
GS
= V
GS
(OFF.). En esta curva de corte la
corriente drenador es prcticamente cero. Cuando V
GS
est entre V
GS
(OFF) ycero, tenemos
el modo de empobrecimiento. Mientras que un a V
GS
mayor que cero proporciona
funcionamiento en modo de enriquecimiento. Estas curvas presentan nuevamente una
zona hmica, una zona de fuente de corriente y una zona de corte. Al igual que el JFET, el
MOSFET de empobrecimiento tiene dos aplicaciones principales: como la de fuente de
corriente o como resistencia.

En la siguiente figura representa la curva de transferencia de un MOSFET de
empobrecimiento de canal P,I
DSS
es la corriente de drenador con la puerta en cortocircuito.
Como la curva se extiende a la derecha del origen, I
DSS
ya no es la mxima corriente posible
de drenador. Matemticamente esta curva es aun parte de una parbola y existe la misma
relacin de la ley cuadrtica que la que existe para el JFET. De hecho, el MOSFET de
empobrecimiento tiene una corriente de drenador dada por la misma ecuacin de
transferencia.



R
DS
= 1 . - 1 .
K W V
GS
-V
TH

L

g
m
= K W V
DS

L
I
DS
= -K W [(V
GS
V
TH
) VDS V
DS
2
]
L 2

R
DS
= 1 . - 1 .
K W V
GS
-V
TH
- V
DS

L 2
g
m
= K W V
GS
- V
TH

L






MOSFET de enriquecimiento de CANAL P
Responde a una estructura dual de la del MOS de canal N: intercambian las regiones
dopadas n por regiones dopadas p y viceversa. En este caso el canal se forma gracias a la
existencia de cargas positivas libres (huecos). El funcionamiento es similar. Es necesario
colocar el sustrato a la tensin positiva, formndose el canal para valores de V
GS
.
Negativo, atrayendo a cargas +. La corriente de drenador-fuente, I
SO
, se origina si V
DS
<O.

MOSFET de tipo de decremento de canal P

La construccin de este tipo es exactamente el inverso del que aparece en la construccin
bsica del canal N

Las caractersticas de drenaje podran aparecer iguales que el canal N, pero con valores
negativos de V
DS
, I
D
positiva como se define (debido a que la direccin definida ahora est
invertida y V
G
con las polaridades opuestas.











OPERACIONES BSICAS Y CARACTERSTICAS

Debido a que el canal no existe con V
GS
= 0 V y se forma al "incrementar" la conductividad
mediante la aplicacin de un voltaje compuerta-surtidor, este tipo de MOSFET se la llama
MOSFET de tipo incrementar. Tanto los MOSFET de tipo decremental como incrementar
tiene regiones de tipo incrementar, pero el nombre se aplic alultimo debido a que ese es
su nico modo de operacin, Cuando V
GS
se incrementa ms all del nivel de umbral, la
densidad de los portadores libres en el canal inducido se incrementa, dando por resultado
un nivel mayor de corriente del drenador. Sin embargo, si se mantiene V
GS
constante y slo
se aumenta el nivel de V
DS
, la corriente del drenador eventualmente alcanzar un nivel de
saturacin as como ocurri al JFET y al MOSFET de tipo decremental. La saturacin de I
DS

debe a un proceso de estrechamiento descrito por un canal ms angosto al final del
drenaje del canal inducido.






Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a los voltajes de las terminales del MOSFET se
encuentra que:

Las caractersticas del drenador revelan que para el dispositivo, el nivel de saturacin para
V
DS
est relacionado l con el nivel de V
GS
aplicado por:
V
DS
sat= V
GS
V
t



4.EJERCICIOS.
Ejercicio 1: Determine el voltaje drenaje-fuente en el circuito. La hoja de datos del
MOSFET proporciona V
GS (apag)
= -8V e I
DS
=12mA.



EJERCICIO 2
Disee el circuito de la siguiente figura para que el transistor opere en saturacin con

. Si el transistor PMOS del tipo de enriquecimiento tiene

. Suponga . Cul es el mayor valor que puede tener

mientras se mantiene la operacin en la regin de saturacin?


FIGURA

Solucin:
Debido a que el MOSFET habr de estar en saturacin, es posible escribir

) (


Si se sustituye

y y

y se recuerda que para un transistor


PMOS

es negativo, se obtiene
SOLUCIN:

V
DS
= V
DD
-I
DSS
R
D

V
DS
=18V-(12Ma) (620)
V
DS
=18v-7.44v
V
DS
=10.56v


Debido a que la fuente est en +5V, el voltaje de la compuerta debe establecerse en +3V.
Esto se logra mediante la seleccin apropiada de los valores de

. Una seleccin
posible es


El valor de

puede encontrarse con


La operacin en el modo de saturacin se mantendr hasta el punto en que

exceda


en

; es decir, hasta que


Este valor del voltaje del drenaje se obtiene con

dado por




EJERCICIO 3
Los transistores NMOS y PMOS del circuito de la figura a) son coincidentes con

. Suponiendo para ambos dispositivos,


encuentre las corrientes del drenaje

, adems del voltaje

para


y .

Solucin:
En la figura b) se muestra el circuito para el caso en que

Se observa que debido a


que

coinciden perfectamente y operan a igual

() El circuito es
simtrico, lo que define que

. Por tanto,

operan con

y, por
tanto, en saturacin. Ahora pueden encontrarse las corrientes del drenaje a partir

( )


A continuacin, considere el circuito con

El transistor

tendr un

de
cero y, por tanto, estar en corte, reduciendo el circuito al mostrando en la figura c).

Ser negativo y por ello,

ser mayor que

haciendo que

opere en la regin
del trodo. Por razones de simplicidad se supone que

es pequeo y, por tanto, se usa

) (


[) [

()]
Estas dos ecuaciones pueden resolverse por simultneamente para arrojar

() que es pequeo, como se puso.


Por ltimo, la situacin para el caso en que

(ver figura d)) ser el


complemento exacto del caso

el transistor

estar en corte. Por tanto,

operar en la regin del trodo con





EJERCICIO 4
El Transistor PMOS del circuito de la siguiente figura tiene


Encuentre los valores requeridos para W y R con fin de establecer una corriente de
drenaje de 115 y un voltaje

de 3.5V.

( ())




EJERCICIO 5
Empleando Un transistor PMOS del tipo de enriquecimiento con

y 0 = , disee un circuito empleando una fuente de alimentacin de 10V para un


voltaje de compuerta de +6V, una corriente de drenaje de 0.5mA y voltaje de drenaje de
+5V. Encuentre los valores de R
S
y R
D


1 2
6 4M , 6M
G G G
V V R R = = O = O
5
0.5 10K
0.5
D D
I mA R = = = O


2.5
GS
V = o 0.5
10 8.5
2.5 8.5 3K
0.5
GS S S
V V V R

= = = = O


EJERCICIO 6

Disee el circuito de la siguiente figura para que el transistor opere en saturacin con
V
D
polarizado en 1V a partir del extremo de la regin del trodo, con I
D=
1mA y V
D
= 3V, para
cada uno de los dispositivos siguientes (use una corriente de 10A en el divisor de voltaje)





a) 1V
T
V =
,
2
m
' 0.5
W A
k
L V
=
b) 2V
T
V =
,
2
m
' 1.25
W A
k
L V
=







Para MOSFET de canal P, siendo 1V el borde de saturacin; 1
DS GS T
V V V = ,desde
3
D
V V = y 1
D
I mA = ;
3
3
1
D
R K = = O,
1 2
10V
1M
10 A
R R

+ = = O
a) 1V
T
V = ,
2
m
' 0.5
W A
k
L V
=
( )
2 1
0.5 1 1 3V
2
D GS GS
I V V = + = =
3 1 1 3
DS
V V = + =
6V
S
V = , 3V
G
V = ,
10 6
4K
1
S
R

= = O

2
1
1 2
3
0.7M
10
R
R
R R
= = O
+
,
2
0.3M R = O
b) 2V
T
V = ,
2
m
' 1.25
W A
k
L V
=
( )
2 1
1 1.25 2 3.26V
2
GS GS
V V = + = o 0.74V

La segunda solucin no es aceptable

3.26V
GS
V =
3.26 2 1 2.26V
DS
V = + =
3 2.26 5.26V
S
V = + =
2V
G
V =
10 5.26
4.74K
1
S
R

= = O, 3K
D
R = O
2
2
1 2
2
0.2M
10
R
R
R R
= = O
+
,
1
0.8M R = O

EJERCICIO 7: Calcular la corriente de saturacin (regin pentodo) de un MOS con:
- W/L =15
- K = 30*10
-6

- V
T
= 4v
- V
GS
= 12 v


Solucin:
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 2 4 6 8 10 12 14
I
D

(
m
A
)

VDS (V)
RECTA DE CARGA

Aplicando la formula tenemos:

I
DS
= - *(3*10
-6
)*15*(12 4)
2
~1.5mA
























EJERCICIO 8
Hallar I
DS
y V
DS
para el circuito de la figura si I
DSS
= 5mA y V
T
= -3v y R
D
= 2KO

PUNTO Q
Q


La cual tiene dos soluciones:

Sol 1: Para V
DS1
= 2.4 v se obtiene I
DS1
= 3.8 mA y V
DS1
< V
T
= 3V.









Sol 2: Para V
DS2
= 4.5 V se obtiene I
DS2
= 3.75 mA y V
DS2
no es menor de 3v, por lo tanto

Esta solucin no es vlida.











PUNTO Q
0
1
2
3
4
5
6
0 1 2 3 4 5 6 7
I
D

(
m
A
)

VDS (V)
RECTADE CARGA
Solucin:
M1 esta es hmica. Se cumple entonces

( )
2
2
DS DS T
T
DSS
DS
V V V
V
I
I =
Y adems se cumple la ecuacin,
V
DD
= I
D
*R
D
+V
DS

Con ambas se llega a una ecuacin de segundo
grado en V
DS
,

( ) 0
) )( (
2
2
2
= +
|
|
.
|

\
|
+
DD DS
DSS D
T
T DS
V V
I R
V
V V

5. SIMULACIONES




CUESTIONARIO
(Preguntas)

1. Fsicamente,cmo se encuentra un transformador MOSFET?

2. El dispositivo MOSFET,Qu es lo que amplifica?

3. Cul es el smbolo de MOSFET con canal N?

4. Cul es el smbolo de MOSFET con canal P?

5. Qu ecuacin muestra los voltajes en las terminales del MOSFET?

6. Qu muestra la siguiente ecuacin V
DS
sat= V
GS
V
T
?

7. Cmo est constituido un MOSFET?


8. La siguiente ecuacin,qu es lo que demuestra?
I
DS
= -
P
C
O
W (V
GS
V
T
) V
DS
V
2
DS

L 2


9. Qu significa
p
?

10. Qu ocurre cuando la corriente aumenta al drenador?





















(Preguntas y respuestas)

1. Fsicamente, cmo se encuentra un transformador MOSFET?
Es una barra de silicio con un sector oxidado (oxido de silicio) se como vidrio.

2. El dispositivo MOSFET, Qu es lo que amplifica?
Amplifica seales elctricas y de hecho existen amplificadores de potencia basados en
ellos.

3. Cul es el smbolo de MOSFET con canal N?

4. Cul es el smbolo de MOSFET con canal P?

5. Qu ecuacin muestra los voltajes en las terminales del MOSFET?



6. Qu muestra la siguiente ecuacin V
DS
sat= V
GS
V
T
?

Muestra las caractersticas de drenaje revelan que para el dispositivo, el nivel de
saturacin para V
DS
est relacionado l con el nivel de V
GS.


7. Cmo est constituido un MOSFET?
Est constituido por un substrato de silicio N donde se han difundido dos regiones P,
llamadas respectivamente surtidor (S) y drenador (D).
Encima del espacio drenador-surtidor se deposita una capa delgada de xido, de 0.1 a 0.2
m de espesor aproximadamente, metalizada en superficie con aluminio para construir la
compuerta (G). Las dems regiones no activas, se recubren de una capa gruesa de xido.

8. La siguiente ecuacin, qu es lo que demuestra?
I
DS
= -
P
C
O
W (V
GS
V
T
) V
DS
V
2
DS

L 2

Determina la corriente del a drenador I
DS



9. Qu significa
p
?
Es la movilidad de los huecos en el canal

10. Qu ocurre cuando la corriente aumenta al drenador?
Al punto de que no existan portadores mviles en la zona de drenador, hay saturacin. Si
se incrementa la densidad de portadores aumentando V
GS
, la corriente de saturacin
aumenta.






FUENTES:

1. Henry J. Zimmermann (1967)
Teora de circuitos electrnicos.
Editorial: continental.
Primera edicin.
Nmero de captulos: 11.
Nmero de pginas: 628.
Impreso en Mxico.

2. H. Lilen (1980)
Circuitos integrados MOS y CMOS.
Editorial: Marcombo.
Segunda edicin.
Nmero de captulos: 20.
Nmero de pginas: 462.
Impreso en Espaa.

3. Sedra y Smith (1980)
Circuitos Microelectrnicos.
Editorial: McGraw Hill.
Quinta edicin.
Nmero de captulos: 14.
Nmero de pginas: 1283.
Impreso en Mxico.