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Methoden der Angewandten Physik II

Optischer Spektrumanalysator und Halbleiterlaser mit externer Kavit¨ at
Versuchstermin: 24.04.2013

Alexandra Haack (309955), Martin Kossick (319988), Oliver Kirsch (314717)

Betreuer: Dipl.-Phys. P. Moser

Berlin, 14. Mai 2013

. . . . . . . . .3 OSA . . . . . . . . . . . . . . ECL . . . . . . . . . . . . . .2 3. .4 4. . . .1 4. . 4 Auswertung 4. . . . . . .6 Zentralwellenl¨ ange und spektrale Breite einer FP-Laserdiode . . . . . . . . . . 13 Einfluss der Aufl¨ osung des OSA auf das Messsignal . . . . . . . . . . 13 ECL im Sweep-Mode . . . . . . . . Optischer Filter . . . . . . . External Cavity Laser (ECL) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3 3. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 18 18 5 Zusammenfassung 6 Literatur . . . . . . . . . . .1 2. . . . .3 4.1 3. . . . . . . . . . DFB Laser . . . . . . . . .4 Fabry Perot Laserdiode (FP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 4. . . 14 Ausmessen einer Filtercharakteristik . . . . . . . 2 3 3 3 4 6 7 7 7 7 7 8 8 3 Durchf¨ uhrung 3. . . Zentralwellenl¨ ange und Seitenmodenunterdr¨ uckung einer DFB-Laserdiode 11 ECL im Laserbetrieb . . . . . . . . . . .2 4. . . . . . .2 2. . . . . . .Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 Versuchsaufbau 2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Distributed Feedback Laserdiode (DFB) . . . . . . . . .

Der prinzipielle Aufbau eines optischen Spektrumanalysators ist in Abbildung 1 schematisch dargestellt. Ein OSA stellt ein vollst¨ andiges System aus Monochromator. 2 Versuchsaufbau 2.1 Einleitung In diesem Versuch besch¨ aftigen wir uns mit der spektralen Zerlegung und Untersuchung von Licht mittels eines optischen Spektrumanalysators (OSA: optical spectrum analyzer). schematisches Blockdiagramm eines OSA 3 .1 OSA Ein optischer Spektrumanalysator (OSA) erm¨ oglicht die Untersuchung elektrischer Signale im Frequenzbereich. elektronischer Ansteuerung und elektronischer Datenverarbeitung und auswertung dar. Als Lichtquelle stehen verschiedene Laserdioden zur Verf¨ ugung. Abb. insbesondere die eines Halbleiterlasers mit externer Kavit¨ at (ECL: external cavity laser). 1. Die Spektren werden numerisch u ¨ber die diskrete Fouriertransformation (DFT) aus den Abtastwerten der Signale berechnet. Es kann zudem eine Signalanalyse sowohl im Frequenzals auch im Zeitbereich durchgef¨ uhrt werden. Es lassen sich die in einem Signal vertretenen harmonischen Schwingungen ausfindig machen und deren Amplituden messen. Detektor.

insbesondere in der Spektroskopie und Daten¨ ubertragung. An diesem wird das Licht u ¨ber die Optik in den Chip zur¨ uckreflektiert. Dieses Verhalten ist in Abbildung 2 angedeutet. Licht einer bestimmten Wellenl¨ ange zur Optik zur¨ uckreflektiert. Das Gitter bildet in Zusammenhang mit der Optik den externen Resonator des Lasers. Dieser besteht zumeist aus einem Gittermonochromator. Uber eine externe Optik wird die austretende Strahlung geb¨ undelt und auf ein Beugungsgitter geleitet.Das Eingangssignal unserer Lichtquelle wird zun¨ achst durch einen wellenl¨ angenselektiven optischen Filter geleitet. ist es von herausragender Bedeutung nur eine einzige longitudinale Mode eines Halbleiterlasers anzuregen. Durch diese Oberfl¨ achenbeschaffenheit wird. Das Signal wird dann auf einem Bildschirm dargestellt. Bei diesem Versuch stehen verschiedene Lichtquellen zur Verf¨ ugung. so dass ¨ die Lichtwellen aus dem Kristall austreten k¨ onnen. Der grunds¨ atzliche Unterschied eines ECL zu einem herk¨ ommlichen Halbleiterlaser besteht darin. bei der die Leistung in Abh¨ angigkeit der Wellenl¨ ange abgebildet ist. Um dies zu erreichen. dass Licht unterschiedlicher Wellenl¨ angen in verschiedenen Winkeln reflektiert wird (Grating). muss ein wellenl¨ angenselektives Element in die Laserkavit¨ at eingebaut werden. Licht anderer Wellenl¨ angen wird in einem anderen Winkel abgestrahlt. Anschließend wird der Photostrom verst¨ arkt und mittels eines A/D-Wandlers digitalisiert. Nach der Wellenl¨ angenselektion f¨ allt das optische Signal auf einen Photodetektor. welches in einiger Entfernung zum Chip platziert ist. dass der Laserchip eines ECL’s auf einer Seite entspiegelt ist. 4 . Zur Durchf¨ uhrungen werden die entsprechenden Laserdioden mittels Glasfaserkabeln mit dem OSA verbunden. 2. abh¨ angig vom Winkel. Im folgenden Abschnitt wird nun genauer auf die verwendeten Laserdioden eingegangen. Die Oberfl¨ ache des Gitters ist so gestaltet.2 ECL F¨ ur viele Anwendungen. der das Signal in einen elektrischen Strom umwandelt.

Bei Ver¨ anderung des Gitterwinkels muss ebenfalls der Abstand des Gitters zum Laserchip in der Art ver¨ andert werden. Die Mechanik zur Winkelverstellung muss daher so gestaltet sein. liegen bei einem ECL durch die große Resonatorl¨ ange sehr nahe bei der Hauptmode. Diese Frequenz.Abb. Wellenl¨ angen¨ anderung ist durch die große absolute L¨ ange des externen Resonators sehr klein. schematischer Aufbau eines ECL mit Littrow-Gitter Die G¨ ute des Gratings ist daher maßgebend f¨ ur die spektrale Schmalbandigkeit des emittierten Lichtes. dass bei unterschiedlichen Wellenl¨ angen immer genau gleich viele Schwingungsz¨ uge zwischen Laserchip und Gitter passen. Die f¨ ur einen Laser typischen Nebenmoden auf denen der Laser. 5 . neben der Hauptmode. Des weiteren ist der Abstand des Gitters zum Laserchip maßgebend f¨ ur die Wellenl¨ ange des ausgesendeten Lichtes.bzw. die Wellenl¨ ange l¨ aßt sich hier¨ uber sehr fein einstellen. sehr stark ged¨ ampft schwingt. 2. dass gleichzeitig mit der Winkel¨ anderung eine Abstands¨ anderung stattfindet. ¨ Durch eine Anderung des Winkels kann somit das vom Laser abgegebene Licht in seiner Wellenl¨ ange ver¨ andert werden.

3. gibt es mehrere M¨ oglichkeiten. Hierzu wird in den Wellenleiter ein BraggGitter einge¨ atzt. ein λ\4-Segment in die Mitte der DFB-Struktur einf¨ ugen. als dass sie relevant w¨ aren. Es gibt immer zwei gleichberechtigte Moden.und r¨ ucklaufende Welle aneinander gekoppelt. wird als Stopband bezeichnet. Abb. So wird nur noch die Braggwellenl¨ ange λB verst¨ arkt.B. wodurch eine destruktive Intereferenz vorliegt. wodurch eine Brechungsindexvariation entlang der Ausbreitungsrichtung mit einer Periode von Λ realisiert wird. Dies ist in Abbildung 3 schematisch dargestellt. Das Plateau bei dem maximale Reflektivit¨ at vorliegt. Um nun doch nur eine Mode zu erhalten. tritt ein Phasenschub von insgesamt π auf. ist durch die folgende Beziehung gegeben: Λ=m·( λB ) 2nef f Hierbei entspricht Λ der Gitterperiode. bei der die maximale Reflexion auftritt. m der Ordnung der Bragg-Reflektion und nef f dem effektiven Brechungsindex der optischen Mode im Wellenleiterresonator. schematische Darstellung des Aufbaus einer DFB-Laserdiode Durch das Gitter werden hin.2. bei denen die Reflektivit¨ at Null ist und somit das Gitter keinerlei Effekt hat. Man kann z.3 DFB Laser Im Gegensatz zu dem ECL-Laser wird bei dem DFB-Laser das wellenl¨ angenselektive Element in den Laser selbst integriert. Der Grad der Reflexion h¨ angt von der Wellenl¨ ange ab. Da die Welle jedoch doppelt reflektiert wird. Bei jeder Reflexion erf¨ ahrt die Welle einen π \2-Phasenschub. 6 . Die Braggwellenl¨ ange λB . Theoretisch gibt es noch weitere Moden. in dem keine Emission m¨ oglich ist. jedoch ist hier meist der Gain zu schwach.

3. Es wurden ferner Messungen im Sweep-Modus sowie Messungen bei verschiedenen nominellen Aufl¨ osungen des OSA durchgef¨ uhrt.3 External Cavity Laser (ECL) Es wurde das Spektrum eines ECL-Lasers mit Hilfe des OSA vermessen.1 Fabry Perot Laserdiode (FP) Es wurde das Spektrum einer FP-Laserdiode bei verschiedenen Str¨ omen analysiert. die unterhalb der Laserschwelle betrieben wurde. dreifachen des Schwellstroms liegt.3 Durchfu ¨hrung 3.4 Optischer Filter Abschließend wurde die Durchlasskurve eines Filter analysiert unter Verwendung der FP-Laserdiode. 7 . Der eingestellte Sollwert der Zentralwellenl¨ ange des verwendeten ECL-Lasers betr¨ agt λECL = 1380 nm. 3. Mittels der gewonnenen Daten wurde dann die Zentralwellenl¨ ange und spektrale Breite f¨ ur die jeweiligen Betriebsstr¨ ome bestimmt.2 Distributed Feedback Laserdiode (DFB) Analog zur FP-Laserdiode wurde hier das Spektrum einer DFB-Laserdiode bei verschiedenen Str¨ omen untersucht und anschließend die jeweilige Zentralwellenl¨ ange und Seitenmodenunterdr¨ uckung bestimmt. 3. Die Messungen mit verschieden Aufl¨ osungen des OSA wurden anschließend mit einer breitbandig emittierenden Weißlichtquelle wiederholt. Die Weißlichtquelle hat im untersuchten Wellenl¨ angenbereich eine weitgehend konstante Spektrale Intensit¨ at. wobei die Gr¨ oße des Betriebsstroms jeweils zwischen dem Schwellstrom und dem ca.

Mit Hilfe der MarkerFunktion des OSA wurden jeweils Leistung und Wellenl¨ ange ermittelt.4 Auswertung 4. 20 mA. Spektrum einer FP-Laserdiode bei 11 mA Abb. Es ergeben sich folgende Spektren: Abb.1 Zentralwellenl¨ ange und spektrale Breite einer FP-Laserdiode Die FP-Laserdiode wurde bei 3 verschiedenen Str¨ omen (11 mA. 4. Es werden nur Moden ber¨ ucksichtigt. 5. 29 mA) betrieben und es wurde das jeweilige Spektrum aufgenommen. Spektrum einer FP-Laserdiode bei 20 mA 8 . die mehr als 10% der Leistung bezogen auf die maximale Mode aufweisen.

Andererseits ¨ andert sich mit der Temperatur auch das Verst¨ arkungsprofil des Lasers.67 nm λC (20 mA) = 1541. eine W¨ armeausdehnung des Diodenmaterials.38 nm Man erkennt deutlich. wodurch sich das Maximum des Verst¨ arkungsprofil zu l¨ angeren Wellenl¨ angen verschiebt.14 nm ∆λ(20 mA) = 0. werden je nach Temperatur unterschiedliche Resonatormoden verst¨ arkt. Spektrum einer FP-Laserdiode bei 29 mA Mit Hilfe der folgenden Formeln k¨ onnen nun die Zentralwellenl¨ ange und die spektrale Breite der FP-Laserdiode zu den jeweiligen Betriebsstr¨ omen berechnet werden: λc = ∆λ = Pi · λ i Pi (Pi · (λi − λC )2 Pi Es ergeben sich folgende Werte: λC (11 mA) = 1539. Erkl¨ art werden k¨ onnte dies einerseits durch eine Ausdehnung des Resonators. 6. Mit h¨ oherer Temperatur verringert sich der Bandabstand.01 nm ∆λ(11 mA) = 1. ¨ Da beide Anderungen verschieden stark Einfluß auf den Laser nehmen.82 nm ∆λ(29 mA) = 1. dass sich mit zunehmendem Strom die Zentralwellenl¨ ange zu h¨ oheren Wellenl¨ angen verschiebt. Dadurch nimmt die Wellenl¨ ange der verst¨ arkten Moden zu. induziert durch z.Abb. die in der N¨ ahe des Maximums 9 .B.85 nm λC (29 mA) = 1543. Es werden mit hoher Wahrscheinlichkeit immer jene Moden verst¨ arkt.

wobei bei 20 mA die Differenz zwischen den Moden weitaus signifikanter ist. Diese Anderung entspricht einer Variation der optischen Wegl¨ ange im Resonator. die spektrale Breite ist gr¨ oßer im Vergleich zu 11 mA und 20 mA. Dies spiegelt sich auch in den Spektren wieder. Die Schwankungen der spektralen Breite sind daher vermutlich die statistische Natur der Modenanregung oder thermische Effekte zur¨ uckzuf¨ uhren. was ebenfalls zu einer ¨ Anderung der Wellenl¨ ange f¨ uhrt. was die geringere spektrale Breite erkl¨ art. Um dies zu vermeiden sollten zur Auswertung statt einer Messung mehrere Messungen verwendet werden. Zu erwarten w¨ are eigentlich eine Zunahme der spektralen Breite mit zunehmendem Betriebsstrom. Bei 11 mA und 20 mA sind 4 leistungsstarke Moden erkennbar. Bei 20 mA sind 5 leistungsstarke Moden erkennbar.des Verst¨ arkungsprofils liegen. FP-Lasermoden statistische Schwankungen blabla erkl¨ aren. da sie ebenso wie die Zentralwellenl¨ ange durch die optische L¨ ange des Laserresonators. Die spektrale Breite f¨ allt mit zunehmendem Betriebstrom zuerst ab und steigt danach an. Dadurch kann es zu Modenspr¨ ungen nach Durchschreiten eines bestimmten Parameterbereichs kommen. Neben einer Erh¨ ohung der Temperatur durch zunehmenden Diodenstrom kommt es auch zur einer Erh¨ ohung der Ladungstr¨ agerkonzentration und somit zu einer ¨ ¨ periodischen Anderung des Brechungsindex im Lasermedium. seiner Brechzahl und geometrischer L¨ ange bestimmt wird. 10 .

Abb. Spektrum einer DFB-Laserdiode bei 20 mA 11 . In den folgenden Spektren wird die P logarithmische Leistungeinheit dBm (1 dBm = 10 · log ( 1 mW )) verwendet zur besse- ren Darstellung der Seitenmoden.2 Zentralwellenl¨ ange und Seitenmodenunterdr¨ uckung einer DFB-Laserdiode In diesem Versuchsabschnitt wurde das Spektrum einer DFB-Laserdiode zu je drei verschiedenen Betriebsstr¨ omen aufgenommen.4. Spektrum einer DFB-Laserdiode bei 11 mA Abb. 7. 8.

Anhand der Auswertung der Seitenmodenunterdr¨ uckung ist deutlich zu erkennen.09 dB Auch bei der DFB-Laserdiode verschiebt sich die Zentralwellenl¨ ange mit steigendem Strom zu h¨ oheren Wellenl¨ angen.06 nm Seitenmodenunterdr¨ uckung bei 11 mA: −28. Daher ist die Verschiebung der Zentralwellenl¨ ange mit steigendem Strom geringer als bei der FP-Laserdiode. Der Einfluss der Temperatur¨ anderung auf das Verst¨ arkungsprofil ist jedoch minimiert.29 dB λC (29 mA) = 1550. da Modenspr¨ unge durch das einge¨ atzte Gitter auszuschließen sind. Spektrum einer DFB-Laserdiode bei 29 mA Anschließend wurde die Zentralwellenl¨ ange analog zur FP-Laserdiode und die Seitenmodenunterdr¨ uckung ermittelt.20 dB λC (20 mA) = 1550. 9.Abb.28 nm Seitenmodenunterdr¨ uckung bei 29 mA: −44. dass mit zunehmenden Strom diese steigt und die Hauptmode st¨ arker dominiert. N ebenmode Es ergeben sich folgende Werte: λC (11 mA) = 1550. P 12 .14 nm Seitenmodenunterdr¨ uckung bei 20 mA: −41. Letztere berechnet sich aus dem Leistungsverh¨ altnis der Hauptmode zur intensit¨ atsst¨ arksten Seitenmode in dB (1dB = 10·log( PHauptmode ). Wie bei der FP-Laserdiode ist hierf¨ ur die stromin¨ duzierte Temperatur¨ anderung und damit einhergehend die Anderung der optischen Wegl¨ ange der Kavit¨ at als auch der Gitterkonstante verantwortlich.

Die beste Ubereinstimmung erhalten wir bei einem Profil mit 3 gaußf¨ ormigen Verteilungen. betreiben wir den OSA im Sweep-Mode.4 ECL im Sweep-Mode Um die Funktion der maximal m¨ oglichen Laserausgangsleistung des ECL in Abh¨ angigkeit der Wellenl¨ ange zu bestimmen. dass der ECL u ¨ber ein breites. Mit Hilfe des Programms Peak-O-Mat fit¨ ten wir das Profil an. ¨ Schaut man sich das Leistungsprofil genauer an.3 ECL im Laserbetrieb Der ECL wird in Laserbetrieb bei einer eingestellten Soll-Wellenl¨ ange von λECL = 1378. Am OSA messen wir eine Wellenl¨ ange von λOSA = 1377.98 nm. 10. 10 zu sehen.4. was der eingestellten Wellenl¨ ange sehr genau entspricht.00 nm genommen. gleicht es einer Uberlagerung aus mehreren gaußf¨ ormigen Verteilungen. 4. Die Einbr¨ uche im Kurvenlauf sind h¨ ochstwahrscheinlich auf Woods-Anomalien zur¨ uckzuf¨ uhren. Das Resultat ist in Abb. kontinuierliches Gewinnspektrum verf¨ ugt in einem Wellenl¨ angenbereich zwischen circa 1260 nm und 1380 nm mit einer deutlichen Abh¨ angigkeit der Ausgangsleistung von der Wellenl¨ ange. Abb. was auf verschiedene Diodenmaterialien hinwei13 . Die Differenz zwischen eingestellter und gemessener Wellenl¨ ange ist auf die Kalibrierung des OSA und des ECL zur¨ uckzuf¨ uhren. Spektrum des ECL Es ist ersichtlich. Hier kann ein automatisches Durchstimmen der Wellenl¨ ange vorgenommen werden.

Abb. 11.sen w¨ urde.5 Einfluss der Aufl¨ osung des OSA auf das Messsignal In dieser Versuchsdurchf¨ uhrung vermessen wir das Spektrum des ECL bei verschiedenen nominellen Aufl¨ osungen des OSA. Abb. bleiben unver¨ andert. wie Sweep Time und Sensitivity. 12. Spektrum des ECL bei verschieden Aufl¨ osungen des OSA 14 . Spektrum des ECL und Fit mit 3 gaußf¨ ormigen Verteilungen 4. dass der ECL im Bereich von 1330 nm die gr¨ oßte Ausgangsleistung besitzt. Es ergeben sich folgende Spektren. Eindeutig l¨ asst sich jedoch sagen. Alle anderen Parameter.

Je breiter der Eingangsspalt ist.Man erkennt deutliche eine Plateu-Bildung mit gr¨ oßer werdender Aufl¨ osung des OSA. Vergr¨ oßert man die Breite des Ausgangsspalts. so trifft bei einer bestimmten Stellung des Gitters ein gr¨ oßerer Winkelbereich der gebeugten Strahlung auf den Detektor. ¨berlappen sich die am Gitter gebeugten Bilder benachbarter Wellenl¨ Ferner ist aus den Spektren ersichtlich. Die Breite des Ausgangsspalts korreliert somit antiproportional mit der Aufl¨ osung des OSA.2 nm ausgedehnt ist. da die Maximalintensit¨ at hin zu geringerer Aufl¨ osung gr¨ oßer wird. zeigt diese bei verschieden eingestellten Aufl¨ osungen des OSA ein deutlich anderes Verhaltenderen. dass das vom ECL kommende Lasersignal auf einen gr¨ oßeren Spektralbereich als ∼ 0. Dies l¨ asst sich durch folgenden Sachverhalt veranschaulichen: Das am Austrittsspalt des OSA gemessene Bild entspricht einer Faltung des am Detektor eintreffenden Messsignals mit der Detektoraufl¨ osung. Allerdings muss hier auch die Breite des Eingangsspalts ber¨ ucksichtigt werden. desto mehr u angen. Erh¨ oht man die Aufl¨ osung des OSA. Lichtleistung einer Weißlichtquelle in Abh¨ angigkeit von der Aufl¨ osung des OSA 15 . dessen Breite proportional zur Breite des Ausgangsspalts ist. W¨ ahlt man nun als Lichtquelle Weißlicht. Abb. 13. da dieser auf den Ausgangsspalt abgebildet wird. Die Aufl¨ osung des Detektors h¨ angt dabei von der Spaltbreite ab. Dies ist in der folgenden Abbildung erkennbar. steigt die Lichtleistung linear an. Es bildet sich ein Plateau aus.

Aus dem Anstieg des Fits ergibt sich f¨ ur die spektrale Leistung der Weißlichtquelle ein Wert von (126 ± 4) pW/nm. In den folgendenen Abbildungen ist das gefilterte und ungefilterte Spektrum der Laserdiode dargestellt. 14.Dieses Verhalten liegt in der konstanten spektralen Intensit¨ at der Weißlichtquelle im untersuchten Wellenl¨ angenbereich begr¨ undet.6 Ausmessen einer Filtercharakteristik Im abschließenden Versuchsteil verwenden wir eine FP-Laserdiode um die Charakteristik eines Filters auszumessen. so f¨ allt relativ zu der feineren Aufl¨ osung eine gr¨ oßere Menge Weißlicht auf den Detektor und tr¨ agt zur gemessenen Intensit¨ at bei. Abb. gefiltert (schwarz) 16 . Die Laserdiode wird unterhalb des Schwellstroms bei 8 mA betrieben. Wird eine gr¨ obere Aufl¨ osung verwendet. 4. Spektrum einer FP-Laserdiode unterhalb der Laserschwelle: ungefiltert (rot). Auf Basis der 4 Messwerte haben wir einen Fit erstellt (siehe obige Abbildung).

0 nm und eine Halbwertsbreite von 12. Durchlasskurve eines Filters Um die Filterfunktion (Durchlasskurve) zu bestimmen.Abb.9 nm. Wie zu erkennen ist handelt es sich um einen optischen Bandpassfilter mit einer ann¨ ahernd gaußf¨ ormigen Durchlasskurve. Sie hat ein Maximum bei λ0 = 1552. 15. Das Ergebnis ist in der obigen Abbildung dargestellt. wird das gefilterte durch das ungefilterte Signal dividiert. 17 . Mit Hilfe des Programms Peak-O-Mat wurde die Filterfunktion angefittet.

Die tats¨ achlich gemessene Wellenl¨ ange des ECL weicht nur sehr gering mit ∆λ = 0. Die eingesetzte FP-Laserdiode hat eine Zentralwellenl¨ ange von λF P ≈ 1542 nm im Laserbetrieb. Die verwendete DFB-Laserdiode besitzt eine Zentralwellenl¨ ange von λDF B ≈ 1550 nm im Laserbetrieb bei einer relativ hohen Seite nmodenunterdr¨ uckung von ca. Laser: Bauformen.02mn von der eingestellten Sollwellenl¨ ange von λECL = 1378. Es handelt sich bei dem verwendeten Filter um einen optischen Bandpassfilter mit einer ann¨ ahernd gaußf¨ ormigen Durchlasskurve bei λ0 = 1552. Abschließend wurde eine Filter charakteristisch ausgemessen.5 Zusammenfassung Im Rahmen dieses Versuchs konnten erfolgreich verschiedene Spektren einer FPLaserdiode und einer DFB-Laserdiode aufgenommen und untersucht werden. Es ergibt sich f¨ ur die spektrale Leistung ein Wert von (126 ± 4) pW/nm. Eichler. Es konnte festgestellt werden.Auflage (Springer. Anwendungen“. [2] H.1 nm zur Plateau-Bildung kommt. Ein kontinuierlich-einstellbarer Laserbetrieb im Wellenl¨ angenbereich von 1260 nm bis 1380 nm ist mit einer gewissen Leistungsabh¨ angigkeit von der Wellenl¨ ange m¨ oglich. ” 7. J.2010). dass es ab einer Aufl¨ osung gr¨ oßer als 0.9 nm. −40 dB . 18 . Im Vergleich dazu wurde die spektrale Leistung einer Weißlichtquelle untersucht. Ferner wurde das spektrale Verhalten einer FP-Laserdiode mit externer Kavit¨ at (ECL) untersucht. Bei dieser steigt die Lichtleistung linear mit steigender Aufl¨ osung an.00 nm ab. 6 Literatur [1] AP-Skript. Optischer Spektrumanalysator und Halbleiterlaser mit externer Ka” vit¨ at”. Die gr¨ oßte Ausgangsleistung besitzt der ECL im Bereich von 1330 nm. Eichler.0 nm mit einer Halbwertsbreite von 12. J. Dar¨ uberhinaus wurde der Einfluss der Aufl¨ osung des OSA auf das Messsignal untersucht. Strahlf¨ uhrung.