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Teora de Semiconductores Diodo Semiconductor

1. Introduccin

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La electrnica hace uso de los dispositivos lineales en combinacin con los no lineales para producir un efecto o accin especfica que requiera de cierta precisin. Esta accin puede ser: generacin de seales, deteccin de frecuencias, amplificacin de seales, comparacin y deteccin de niveles de seal, etc. Un dispositivo no lineal es aquel cuyo comportamiento no puede representarse por medio de una lnea recta con pendiente constante en el tiempo, a diferencia de los dispositivos lineales como resistencias, condensadores, inductores. El dispositivo mas simple y de mayor utilidad en la electrnica es el diodo, el cual es un dispositivo electrnico no lineal de dos terminales cuyas caractersticas bsicas son: La no linealidad: Su comportamiento no puede describirse a travs de una lnea recta. La no bilateralidad: Lo que significa que tiene una baja resistencia si se polariza en una direccin y alta resistencia con la polarizacin contraria. Esta ltima caracterstica indica que el diodo es un dispositivo semiconductor y de hecho est construido en base a materiales semiconductores. 2. Teora de Semiconductores Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas. Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla peridica, caracterizados por ser tetravalentes. El modelo atmico de Bhor nos sugiere una idea del tomo formado por tres partculas fundamentales: electrn, protn y neutrn. Los protones y neutrones forman el ncleo y los electrones giran alrededor del ncleo en rbitas fijas. Los electrones que se ubican en la capa orbital externa se conocen como electrones de valencia. Los semiconductores ms conocidos el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, es el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado slido; el proceso del germanio es absolutamente similar, pero con frecuencia se har referencia aqu al silicio. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin

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de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocidos, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1 Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro. 2.1. Semiconductor Intrnseco

Cuando el material semiconductor se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco. Un material semiconductor consiste de una red de unidades repetidas, las cuales ocupan un espacio cbico, tal como se ilustra en la figura 3. Dentro de cada unidad cbica se encuentra un tomo localizado en el centro con cuatro tomos alrededor de l, ubicados cada uno de ellos en cuatro de los ocho vrtices del cubo. Cada electrn de valencia se comparte con otro electrn de valencia del tomo vecino formando as un enlace covalente.

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Una barra de material semiconductor puro est formada por la repeticin de esta unidad cbica repetida formando una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina. Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de las rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco y al mismo tiempo un electrn libre (figura 4). Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn.

El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene. Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos: Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor. Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

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Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductor es el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso. Los huecos no se mueven, slo parece que lo hacen. Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores identificaremos a los electrones libres y a los huecos como portadores, en vista de que su movimiento es capaz de provocar la conductividad. 2.2. Semiconductor Extrnseco

La pureza de los materiales intrnsecos es tan alta que existen muy pocos electrones libres, adems la movilidad de los portadores es muy baja y por consiguiente la conductividad. Por esta razn la utilidad de los materiales semiconductores intrnsecos es limitada slo a dispositivos especiales como por ejemplo: el termistor, el cual es un resistor dependiente de la temperatura. En vista de que la corriente que aparece en los materiales intrnsecos es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que se pueden arrancar de los enlaces covalentes, se tienen dos posibilidades para el aumento de esta corriente: Aplicar una tensin de valor superior. Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda. En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado" y el material semiconductor resultante se le llama extrnseco. El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de material puro semiconductor por tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores extrnsecos: Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P 2.2.1. Semiconductor Tipo N

Si en una red cristalina de material semiconductor intrnseco de silicio (figura 5) sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa

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exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre tal como se muestra en la figura 6.

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N". En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones libres. Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el fsforo. 2.2.2. Semiconductor Tipo P

Si en un material intrnseco de silicio, como el mostrado en la figura 5, se sustituye uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior (figura 7), resulta que estos tres electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro, quedar un hueco por ocupar.

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O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los electrones los portadores minoritarios. A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo P" 2.2.3. Representacin de los semiconductores extrnsecos Los semiconductores extrnsecos se representan indicando dentro de los mismos el tipo de portadores mayoritarios, tal como se muestra en la figura 8.

3. El Diodo Semiconductor El diodo semiconductor se forma con slo juntar los materiales tipo N y tipo P, dando como resultado un dispositivo de dos terminales (Figura 9), por lo que al dispositivo tambin se le conoce como diodo de Unin o simplemente Unin NP o Unin PN.

En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin, como se indica en la figura 10.

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A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin. La presencia de iones positivos y negativos en la zona de unin representa un potencial que dificulta el movimiento de portadores de una regin hacia la regin opuesta y por esta razn la regin de agotamiento representa una barrera de potencial que proporciona un equilibrio en cuanto a corriente debida al movimiento de portadores. Este equilibrio slo puede romperse sometiendo la unin a una tensin externa a travs de sus terminales, de tal forma que los portadores adquieran suficiente energa para romper la barrera de potencial. La aplicacin de una tensin entre los terminales de un dispositivo se conoce como polarizacin. Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje (VD) a travs de sus terminales permite tres posibilidades: No polarizacin, Polarizacin directa y Polarizacin inversa. 3.1. Diodo No Polarizado (VD = 0V) En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero. (Figura 11)

3.2. Polarizacin inversa (VD < 0V) Si un potencial externo de V voltios se aplica a la unin de tal forma que la regin tipo P est a un nivel de tensin menor que la regin tipo P, se dice que el diodo est polarizado inversamente. El efecto de esta polarizacin, como ilustra la figura 12, es ampliar la barrera de potencial a travs del exceso de electrones libres que son arrastrados hacia el terminal positivo de la fuente, aumentando el nmero de iones positivos en la unin y por consiguiente el de iones negativos tambin. Con esto se reduce la posibilidad de conduccin debido al movimiento de portadores mayoritarios a travs de la unin.

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No obstante, si el voltaje aplicado es demasiado alto puede ocurrir la conduccin debido al movimiento de portadores minoritarios tenindose as una corriente muy pequea llamada Corriente de Saturacin Inversa (IS). De todo esto se concluye entonces que en un diodo polarizado inversamente la corriente debido a portadores mayoritarios (ID) es cero o aproximadamente cero y un gran aumento en la tensin inversa aplicada slo producira una corriente muy pequea saturada, puesto que esta no variar significativamente con aumentos sucesivos de tensin. 3.3. Polarizacin Directa (VD > 0V) Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se aplica a la unin una tensin externa V tal que el material tipo P est a un nivel de tensin mayor que el material tipo N.

El efecto (mostrado en la figura 13) es contrario a la polarizacin inversa, ya que en la polarizacin directa se reduce la barrera de potencial provocando un mayor movimiento de portadores mayoritarios y por tanto de la conduccin. La corriente en circulacin (ID) depender de la magnitud de la tensin aplicada.

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Todo esto indica que existe una corriente en el dispositivo cuando ste est polarizado directamente. 3.4. Smbolo del Diodo de Unin PN

La estructura del diodo y su comportamiento ante la aplicacin de una seal de tensin entre sus terminales permite establecer su smbolo, mostrado en la figura 14.

En el smbolo circuital, el terminal identificado como A se conoce como nodo y corresponde en la unin al material tipo P; el terminal identificado como K, Ctodo, se relaciona con el material tipo N. La conduccin se presenta entonces de nodo a Ctodo durante la polarizacin directa. En un diodo comn comercial, la barra o marca cercana a uno de los terminales del dispositivo corresponde al Ctodo del diodo. 3.5. Caracterstica Ideal del Diodo

El comportamiento del diodo ante la seal de tensin aplicada entre sus terminales permite idealizar al dispositivo a travs de una grfica corriente-voltaje en el diodo. (Figura 15).

La caracterstica ideal del diodo indica que l mismo se comporta como un interruptor, que acta como circuito abierto para tensin inversa aplicada y como corto circuito para tensin inversa. La figura 16 muestra este comportamiento de forma grfica.

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De la figura 16 se estable el modelo ideal del diodo resumido en la tabla 1. Tabla 1. Modelo Ideal del Diodo de Unin PN Diodo Polarizacin Inversa VD < 0 V Directa VD > 0 V 3.6. Caracterstica Real del Diodo
+

Smbolo

Modelo Ideal

En la realidad la caracterstica corriente-voltaje del diodo no es tan determinante como en la caracterstica ideal, puesto que en realidad para la polarizacin inversa siempre habr un nivel de tensin tal que provocar la conduccin en el dispositivo. Este nivel de tensin se conoce como tensin de ruptura (Vrup) o de disrupcin inversa y la corriente para este nivel de tensin, aunque es de valores muy pequeos (por el orden de los A) vara significativamente ante pequeos aumentos en la tensin inversa aplicada. Una vez que la tensin aplicada supera este Vrup, el dispositivo entra en una zona de corriente descontrolada llamada zona de avalancha (figura 17).

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Adems en la realidad el dispositivo no conduce inmediatamente cuando se polariza directamente, sino que mas bien la corriente en el diodo para esta polarizacin aumenta en forma exponencial a partir de cierto nivel de tensin conocido como voltaje de conduccin (V) tal como muestra la figura 18.

El valor de V depende de las caractersticas del material, asumindose que: V 0.7 V para el Silicio y V 0.3 V para el Germanio La corriente en el diodo polarizado directamente es del orden de los mA y al igual que para la polarizacin inversa aumenta considerablemente ante pequeos aumentos en la tensin aplicada. La curva completa corriente-voltaje en el diodo se muestra en la figura 19.

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3.7.

Corriente del Diodo

La caracterstica real del diodo puede expresarse matemticamente a travs de la ecuacin para iD:

i D = I s (e qvD
Donde:

mKT

1)

iD: corriente a travs del diodo Is: corriente de saturacin inversa q: carga del electrn vD: voltaje en el diodo K: constante de Boltzman 1.38x10-23 J/K m: constante emprica del material, 1 para el Ge y 2 para el Si El factor KT/q se expresa en voltios y tiene un valor aproximado de 25 mV a temperatura ambiente 300K. Esta ecuacin permite obtener una grfica mas detallada de corriente-voltaje en el diodo tabulando los valores de corriente que se obtendran para diferentes valores de tensin aplicada a temperatura ambiente o cualquier otra. Si vD es negativa y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene entonces la corriente de saturacin inversa: iD = Is. Si vD es positiva y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene la corriente en sentido directo:

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iD = I s (e qvD
3.8. Resistencia del Diodo
mKT

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La curva real del diodo as como tambin la expresin para iD permiten determinar la resistencia del dispositivo. La resistencia de un dispositivo elctrico corresponde a la pendiente de la curva voltajecorriente del dispositivo. As para una resistencia comn se tiene de acuerdo a la figura 20:

En el caso del diodo la curva corriente-voltaje no es lineal, lo que indica que la resistencia del diodo no es variable, pero se puede obtener el valor de la resistencia del diodo en cualquier punto de operacin dentro de la grfica tomando en cuenta que la pendiente de la lnea tangente que pasa por el punto de operacin seleccionado es la derivada de la funcin iD(vD) en ese punto. La resistencia del diodo es entonces el inverso de la derivada de la funcin iD(vD) con respecto al voltaje:

diD d = I s (e qvD dv D dv D
Si I >> Is

mKT

1) =

q (I + I s ) mKT

diD q = I dv D mKT
di D I = dv D m 25mV

Y como KT/q =25mV a 300K, a esta temperatura se tiene:

m tiene un valor de 1 para el Ge y 2 para el Si, pero las curvas corriente-voltaje tanto para Ge como Si son iguales en la zona lineal y por tanto se toma m=1. De tal forma que:

diD I = dv D 25mV

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Y como la resistencia es el inverso de esta derivada, se calcula rD como:

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rD =
3.9. Modelo Linealizado del Diodo

dv D 25mV = di D I

en el pto de operacin

El anlisis de los circuitos con diodos requiere de la sustitucin del dispositivo por su circuito equivalente o modelo. Un modelo del diodo ideal se vi en la seccin 1.4: corto circuito para polarizacin directa y circuito abierto para polarizacin inversa. En el caso del diodo real debe tomarse en cuenta tanto la resistencia del diodo como el voltaje de conduccin del mismo. En vista de que la caracterstica del diodo real no es lineal y esto indica una resistencia variable, la especificacin de un modelo en base a la resistencia del diodo calculada en un punto determinado no ofrecera un resultado general para todo nivel de tensin aplicado al diodo, ni para todo tiempo. Por tal razn se recurre la linealizacin de la caracterstica real del diodo con lo cual se puede determinar un valor de resistencia aproximado del diodo valido para un cierto rango de operacin en voltaje y tiempo. (Ver figura 21).

La linealizacin divide a la caracterstica real en tres tramos, tomando en cuenta las zonas mas lineales dentro de la curva. As, tal como se muestra en la figura 21 se observan tres tramos de lnea recta con caractersticas de polarizacin asociadas:

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Polarizacin directa, vD > V Polarizacin inversa, Vrup < vD < V Zona de avalancha, vD < Vrup

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En base a la caracterstica linealizada del diodo, el voltaje de conduccin del dispositivo V, la resistencia para polarizacin directa RD y la resistencia para polarizacin inversa RR, se resume el modelo linealizado del diodo en la tabla 2. Tabla 2. Modelo Linealizado del Diodo Diodo Polarizacin Directa VD > V Inversa Vrup < VD < V Zona de Avalancha VD < Vrup
+ +

Smbolo

Modelo Linealizado
RD V

+
A RR

En la tabla se observa que para la zona de avalancha el modelo lineal del diodo est dado por un circuito abierto, puesto que para esta zona se considera el dao del dispositivo y por tanto la conduccin es nula. 4. Diodo Zener

El diodo zener es un dispositivo de unin pn diseado para utilizar al mximo la zona de avalancha. La zona de avalancha comienza para una tensin inversa tal que el incremento en la corriente es considerable comparado con los pequeos aumentos de tensin inversa aplicada. El diodo zener se obtiene aadiendo un mayor nmero de tomos de impurezas al material intrnseco durante el proceso de dopaje. La curva caracterstica del diodo zener (figura 22) es parecida a la curva caracterstica del diodo comn de Si o de Ge. La diferencia est en que para ciertos niveles de tensin inversa aplicada el diodo comn adquiere la caracterstica de circuito abierto, mientras que el diodo zener adopta un estado de conduccin para estas tensiones. Adems la conduccin en polarizacin inversa para un diodo zener est en el orden de los mA y comienza con niveles de tensin pequeos, mas no as para diodos comunes. La tensin inversa que provoca la conduccin del zener se conoce como Vz; este nivel de tensin es pequeo comparado con la tensin inversa (Vrup) que provoca la

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conduccin del diodo comn con niveles de corriente saturada (Is) por el orden de los A o nA.

La zona zener viene especificada en la hoja de datos del zener, dada por el fabricante, a travs de los valores de IZMIN e IZMAX, los cuales garantizan la operacin lineal del zener una vez superada la tensin Vz. El smbolo del diodo zener es muy parecido al smbolo del diodo comn de Si o Ge. La figura 23 muestra el smbolo del zener.

Figura 23

Y al igual que el diodo comn pn el diodo zener tambin tiene su modelo linealizado. En base a la linealizacin de su caracterstica, mostrada en la figura 24, se resume el modelo ideal y linealizado del zener en la tabla 3.

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Tabla 3. Modelo Linealizado del Zener Zener Polarizacin Directa VD > V Inversa Vz < VD < V Zona Zener VD < Vz Smbolo Modelo Linealizado
RD V

+ +

+
A RR

+
K

Rz Vz

De la tabla 3 se observa que una vez superado el voltaje del zener Vz, su modelo corresponde a una resistencia Rz en serie con una fuente de valor Vz, lo cual es un modelo muy parecido al modelo del diodo cuando este est polarizado directamente. La idealizacin del diodo zener, es sencilla. Para polarizacin directa e inversa se sigue el mismo modelo del diodo ideal, para la zona zener el modelo ideal del zener se representa slamente con una fuente de valor Vz.

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5. Otros Tipos de Diodos

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Adems del diodo comn, determinadas variantes de diodos de unin presentan en algunas circunstancias comportamientos singulares, que pueden aprovecharse en ciertas aplicaciones electrnicas. As tenemos una amplia gama de diodos: Diodo Schottky Diodo Varactor Diodo Tnel Diodo Emisor de Luz (LED) Fotodiodo Diodo PIN 5.1. Diodo Schottky El diodo Schottky se forma al enlazar un metal, como aluminio o platino, a silicio de tipo n. Se utiliza a menudo en circuitos integrados para aplicaciones de conmutacin de alta velocidad. El diodo Schottky tiene una caracterstica de tensin contra corriente similar a la del diodo de unin pn de silicio, excepto porque la tensin en directo, V, es 0.3 V en vez de 0.7V. La capacitancia asociada con el diodo es pequea. El diodo Schottky a veces se denomina diodo de barrera, ya que se forma una barrera a travs de la unin debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la interfaz metlica. 5.2. Diodo Varactor Los diodos de unin perenne normales exhiben capacitancia cuando se operan en modo de polarizacin inversa. El diodo varactor se fabrica especficamente para operar en este modo. La capacitancia es una funcin de la inversa de tensin. Por tanto, el diodo acta como capacitor variable, donde el valor de la capacitancia es una funcin de la tensin de entrada. Un uso comn de este diodo es en el oscilador controlado por tensin (VCO). 5.3. Diodo Tnel (Diodo Esaki) El diodo tnel est ms contaminado que el diodo zener, provocando que la zona de unin sea ms pequea. Esto aumenta la velocidad de operacin, por lo que el diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. Conforme aumenta la polarizacin directa, la corriente aumenta con mucha rapidez hasta que se produce la ruptura. Entonces la corriente cae rpidamente. Lo ms curioso es la zona de resistencia incremental negativa, es decir una regin en la que un incremento positivo de la tensin V se traduce en un incremento negativo de la intensidad I. Las aplicaciones de los diodos tnel aprovechan precisamente esta zona. El diodo tnel es til debido a esta resistencia negativa. La regin de resistencia negativa de un diodo tnel se desarrolla de manera caracterstica en el intervalo de 50 mV a 250 mV.

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5.4. Diodo Emisor de Luz (LED)

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Ciertos tipos de diodos son capaces de cambiar la fuente de energa elctrica en fuente de energa lumnica. El diodo emisor de luz (LED, ligth emitting diode) transforma la corriente elctrica en luz. Es til para diversas formas de despliegues, y a veces se puede utilizar como fuente de luz para aplicaciones de comunicaciones por fibra ptica. Los LEDs son diodos fabricados con un semiconductor compuesto. Su cpsula es transparente para dejar pasar la luz (fotones) emitida cuando se recombinan en la zona de unin huecos y electrones libres en trnsito. La intensidad de la luz emitida puede modularse variando la tensin directa aplicada. El color de la luz depende del semiconductor; as: Tabla 4. Colores en los LEDs Semiconductor Color AsGa PGa AsPGa infrarrojo verde Diferentes segn proporcin de As y P

Se utilizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays) alfanumricos. La tecnologa de los LED se est desarrollando continuamente. Se fabrican ya LED de luz blanca (mezcla de los colores fundamentales rojo, verde y azul) y de intensidad luminosa elevada, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de incandescencia y fluorescente en iluminacin urbana y domstica y otras aplicaciones. Por ejemplo, estn utilizndose cada vez ms en pilotos e intermitentes de coches, semforos y, por supuesto paneles murales de publicidad o informacin. El rendimiento (intensidad luminosa/watio) es mucho mayor, por lo que el consumo energtico es mucho menor que en los sistemas tradicionales. 5.5. Fotodiodo Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de energa lumnica en corriente elctrica. Se aplica polarizacin inversa al fotodiodo y la corriente de saturacin inversa se controla por la intensidad de luz que ilumina el diodo. La luz genera pares electrn-hueco, que inducen corriente. El resultado es una "fotocorriente" en el circuito externo, que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta como generador de corriente constante mientras la tensin no exceda la tensin de avalancha. 5.6. Diodo PIN El diodo que tiene la regin poco contaminada y casi intrnseca entre la zona de unin de las regiones p y n se llama diodo PIN. El nombre se deriva del material intrnseco entre las capas p y n, llamado regin i. Debido a su construccin, el diodo tiene baja

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capacitancia y, por tanto, encuentra aplicacin en frecuencias altas. Cuando se polariza en directo, la inyeccin de portadores minoritarios aumenta la conductividad de la regin intrnseca. Cuando se polariza en inverso, la regin i se vaca totalmente de portadores y la intensidad del campo a travs de la regin es constante. 6. Especificaciones del Fabricante

La construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico (VPI) que puede soportar sin daarse. A continuacin se lista los parmetros principales que se encuentran en la hoja de especificaciones del fabricante de un diodo rectificador: 1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico de los nmeros del fabricante. 2. Tensin inversa pico (VPI). 7. Mxima corriente inversa en VPI. 8. Mxima corriente de cd en directo. 5. Corriente promedio de media onda rectificada en directo. 6. Mxima temperatura de la unin. 7. Curvas de degradacin de corriente. 8. Curvas caractersticas para cambio en temperatura de tal forma que el dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas. En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en las hojas de especificaciones: 1. Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante. 2. Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha). 2. Tolerancia de tensin. 3. Mxima disipacin de potencia (a 25 c), PZMAX 5. Corriente de prueba, Izt. 6. Impedancia dinmica a Izt. 7. Corriente Mnima a travs del dispositivo que asegura la zona zener, IZMIN. 8. Mxima temperatura en la unin. 9. Coeficiente de temperatura. 10. Curvas de degradacin para altas temperaturas.