You are on page 1of 5

Silicon Wafer Fabrication Process More than 90% of the earth's crust is composed of Silica (SiO2) or Silicate, mak

ing silicon the second most abundant element on earth. When sand glitters in sun light, that's silica. Silicon is found in myriad compounds in nature and industr y. Most importantly to technology, silicon is the principle platform for semicon ductor devices. The most advanced semiconductor technologies of today and tomorr ow require monocrystalline Silicon with precise uniform chemical characteristics , for instance controlled dopant and oxygen content. The process to transform ra w silicon into a useable single-crystal substrate for modern semiconductor proce sses begins by mining for relatively pure Silicon Dioxide. Most silicon now is m ade by reduction of SiO2 with Carbon in an electric furnace from 1500 to 2000oC. With carefully selected pure sand, the result is commercial brown Metallurgical Grade Silicon of 97% purity or better. This is the silicon eventually used for semiconductors, but it must be further purified to bring impurities below the pa rts-per-billion level. MG-Si is reacted with HCl to form trichlorosilane (TCS) in a fluidized-bed react or (@300oC) according to the chemical reaction Si + 3HCl --> SiHCl3 + H2. TCS is an intermediate compound for polysilicon manufacturing. In the course of conver ting MG-Si to TCS, impurities such as Fe, Al and B are removed. This ultra-pure TCS is subsequently vaporized (distilling the TCS achieves an even higher level of purity), diluted with H2, and flowed into a deposition reactor where it is re transformed into elemental silicon. This polysilicon has typical contamination l evels of less than .001 ppb. Now that a high level of purity has been attained (99.999999999% eleven nines), the atomic structure of the silicon must be dealt with. A process known as Cryst al Growing transforms polycrystalline silicon into samples with a singular cryst al orientation, known as ingots. The Polysilicon is mechanically broken into 1 t o 3 inch chunks and undergoes stringent surface etching and cleaning in a cleanr oom environment. These chunks are then packed into quartz crucibles for meltdown (at 1420oC) in a CZ furnace. A monocrystalline Silicon seed is installed into a seed shaft in the upper chamber of the furnace. Slowly, the seed is lowered so that it dips approximately 2mm into the Silicon melt. Next, the seed is slowly r etracted from the surface allowing the melt to solidify at the boundary. As the seed pulls the Silicon from the melt, both the crucible and the seed are rotated in opposite directions to allow for an almost round crystal to form. CZ furnace s also must be very stable and isolated from vibrations. Once the proper crystal diameter is achieved, the seed lift is increased. This, along with the heat tra nsfer from heater elements will control the diameter of the crystal. (Images fro m Wacker - How To Make Silicon) During the growth process, the crucible slowly dissolves Oxygen into the melt th at is incorporated into the final crystal in typical concentrations of around 25 ppma. Intentional additions of dopants control the resistivity distribution of t he final crystal. In addition to pull speed and heat transfer at the solid-liqui d interface, heat dissipation during crystal cooling strongly determines microsc opic defect characteristics in the final crystal. For modern CZ pulling systems, those variables can be accurately predicted by numerical simulations which allo w designing the geometrical and thermal configuration of the CZ puller to the de sired outcome of the crystals. Once the growth process is complete, the crystal is cooled inside the furnace for up to 7 hours. This gradual cooling allows the crystal lattice to stabilize and makes handling easier before transport to the n ext operation. For some applications, it is important to have even lower concent rations of impurity atoms (eg. Oxygen) than what can be achieved by CZ crystal g rowth. In this case, Float Zone Crystal Growth is used. In this process the end of a long polysilicon rod is locally melted and brought in contact with a monocr ystalline Silicon seed. The melted zone slowly migrates through the poly rod lea

ving behind a final uniform crystal. Ingots coming from crystal growing are slightly over-sized in diameter and typic ally not round. Hence, a machine employing a grindwheel shapes the ingot to the precision needed for wafer diameter control. Other grinding wheels are then used to carve a characteristic notch or a flat in order to define the proper orienta tion of the future wafer versus a particular crystallographic axis. Wafer shaping involves a series of precise mechanical and chemical process steps that are necessary to turn the ingot segment into a functional wafer. It is dur ing these steps that the wafer surfaces and dimensions are perfected to exacting detail. Each step is designed to bring the wafer into compliance with each cust omer specification. The first of these critical steps is Multi-Wiring Slicing. T he dominant state of the art slicing technology is Multi-Wire Sawing (MWS). Here , a thin wire is arranged over cylindrical spools so that hundreds of parallel w ire segments simultaneously travel through the ingot. While the saw as a whole s lowly moves through the ingot, the individual wire segments conduct a translatio nal motion always bringing fresh wire into contact with the Silicon. The sawing effect is actually achieved by SiC or other grinding agents that run along the r otating wire. After MWS the wafers are cleaned and consolidated into process lot s and transported to the next operation. The sideward deflection of the wire saw can lead to marks or "waviness" on the wafer surface and wire-to-wire thickness variations cause wafer thickness variations of up to several microns. Wafers ar e thus exposed to a complex polishing process. State of the art front surface polishing is performed generally in a two step pr ocess. One mechanical polishing step (lapping) to create flatness followed by a chemical etch to create smoothness. After polishing, the wafers are subjected to a final clean. Lapping the wafers removes saw marks and surface defects from t he front and backside of the wafers, thins the wafer to spec and relieves much o f the stress accumulated in the wafer during the sawing process. Edge rounding i s normally done before or after lapping and is very important to the structural integrity of the wafer. The edges of 200mm and 300mm wafers are rounded even in the notch area. On the best prime wafers the edges themselves are also highly po lished, a step that can improve cleaning results on wafers and reduce breakage u p to 400%. Process Specialties has seen a notable yield differential between poo rly and perfectly edge rounded material. For many applications, the quality of a polished wafer is not sufficient. This i s mainly due to defects generated during crystal growth in the bulk of the wafer . These defects, when they are within a few microns to the surface, can deterior ate the performance of devices built on top. Presently, the best solution to thi s problem is to deposit an additional layer of high purity Silicon on the top of a polished wafer substrate (an Epi Layer). After a final clean and polish, wafers are ready for a final inspection before d elivery. Different Methods of Fabrication Horizontal gradient freeze method - gradient freeze technique is a static techni que where the melt is gradually solidified by the movement of a temperature grad ient along the melt. In this technique a sealed tube holds the starting material s, e.g. highly pure Ga and As (both 6-9 9s pure). The Ga is placed in a quartz c rucible at one end of the furnace, and the As is located at the other end. Separ ating the two substances is a porous barrier which will allow As vapor to react with the Ga. The quartz tube is placed in a two zone furnace where the section c ontaining the As is held at about 620oC, while the section with Ga is ramped bet ween 1238oC and 1270oC. The temperature in the second furnace is adjusted slight ly to melt only a portion of the seed crystal. When the crystal is formed, it mu

st be cooled slowly and evenly to avoid stress induced dislocations. Horizontal Bridgeman method - In this method the furnace is moved along the leng th of the quartz tube such that the solidification of the melt starting from the seed crystal is achieved as the seed moved from the hotter to the colder sectio n of the furnace. The shape of the crystal is constrained by the walls of the tu be. The crystals are typically D-shaped and are seeded in the <111> direction. I n general, significantly lower thermal stresses can be obtained in horizontal Br idgeman technique than with the CZ technique. Dislocation densities also tend to be less (~600 cm-2). Vertical Bridgeman method - In vertical Bridgeman growth the quartz or PBN cruci ble contains the seed in a well at the bottom and polycrystaline material above it. For growth to occur, the initial charge and a portion of the seed is melted and the crucible is lowered slowly into the bottom section of the furnace. Inste ad of moving the crucible the furnace can be moved relative to the crucible. Vertical Gradient Freeze - In vertical gradient freeze (VGF) technique, the cruc ible and the furnace are kept stationary and the growth is achieved y slowly coo ling the melt in an appropriate temperature gradient. One of the principal advan tages of the VGF technique is the reduced axial and radial temperature gradients which translate into low dislocation densities of ~ 20 cm-2. Czochralski Pulling Method - One of the most important techniques for the growth of large round single crystals. A seeded crystal is withdrawn from the melt and is rotated to maintain thermal geometry and cylindrical geometry. The seed is d ipped into the melt whose temperature is lowered until a small amount of crystal line material is solidified. The seed is then slowly withdrawn from the melt at the rate of 1 to 10 mm per hour. the melt temperature is lowered slowly and the diameter of the crystal increases. Once the desired diameter is reached, the low ering of the temperature is stopped. Growth at a constant diameter is maintained till the desired length is grown. CZ technique has difficulties when the melt i s composed of different elements. Decomposition of the melt can occur. The liqui d encapsulation technique can be utilized to provide counter pressure to element s within the melt trying to evaporate. The encapsulant must have low vapor press ure, low viscosity, density lower than that of the melt, and should not mix or r eact with the melt or the crucible, and should melt before significant decomposi tion of the poly material occurs. B2O3 is commonly used as an encapsulant. Silicon Wafer Proses Fabrikasi Lebih dari 90% dari kerak bumi terdiri dari silika (SiO2) atau silikat, membuat silikon unsur yang paling melimpah kedua di dunia. Ketika pasir berkilauan di ba wah sinar matahari, itu silika. Silikon ditemukan dalam senyawa segudang di alam dan industri. Yang paling penting untuk teknologi, silikon adalah platform prin sip untuk peralatan semikonduktor. Teknologi semikonduktor yang paling maju dari hari ini dan besok membutuhkan Silicon monocrystalline dengan tepat karakterist ik kimia seragam, untuk dopan misalnya terkontrol dan kadar oksigen. Proses untu k mengubah silikon baku menjadi substrat kristal tunggal bisa digunakan untuk pr oses semikonduktor modern dimulai dengan pertambangan untuk Dioksida Silicon rel atif murni. Silikon paling sekarang dibuat dengan mereduksi SiO2 dengan karbon d alam tanur listrik dari 1500 hingga 2000oC. Dengan pasir murni dipilih dengan ce rmat, hasilnya adalah cokelat komersial kelas Silicon Metalurgi kemurnian 97% at au lebih baik. Ini adalah silikon akhirnya digunakan untuk semikonduktor, tetapi harus dimurnikan lebih lanjut untuk membawa kotoran di bawah level bagian-per-m iliar. MG-Si direaksikan dengan HCl membentuk trichlorosilane (TCS) dalam reakto r fluidized-bed (@ 300oC) sesuai dengan reaksi kimia Si + 3HCl -> SiHCl3 + H2. T CS merupakan senyawa antara untuk pembuatan polysilicon. Dalam rangka mengkonver si MG-Si untuk TCS, kotoran seperti Fe, Al dan B akan dihapus. Ini ultra-murni T CS selanjutnya menguap (menyuling TCS mencapai tingkat yang lebih tinggi kemurni

an), diencerkan dengan H2, dan mengalir ke dalam reaktor deposisi mana retransfo rmed ke dalam silikon unsur. Polysilicon ini memiliki tingkat kontaminasi khas k urang dari 001 ppb. Sekarang bahwa tingkat tinggi kemurnian telah dicapai (99,99 9999999% sebelas sembilan), struktur atom silikon harus ditangani. Sebuah proses yang dikenal sebagai Crystal Growing mengubah silikon polikristalin menjadi sam pel dengan orientasi kristal tunggal, yang dikenal sebagai ingot. Polysilicon in i mekanis dibagi menjadi 1 sampai 3 inci dan potongan mengalami permukaan ketat etsa dan pembersihan di lingkungan Cleanroom. Potongan ini kemudian dikemas ke d alam cawan lebur kuarsa untuk krisis (di 1420oC) dalam tungku CZ. Sebuah benih S ilicon monocrystalline diinstal ke poros benih di ruang atas tungku. Perlahan-la han, benih diturunkan sehingga dips sekitar 2mm ke Silicon mencair. Selanjutnya, benih perlahan-lahan ditarik dari permukaan memungkinkan mencair untuk memperku at pada batas. Sebagai benih menarik Silicon dari mencair, baik wadah dan benih diputar dalam arah yang berlawanan untuk memungkinkan kristal hampir bulat untuk membentuk. Tungku CZ juga harus sangat stabil dan terisolasi dari getaran. Sete lah diameter kristal yang tepat tercapai, lift benih meningkat. Ini, bersama den gan perpindahan panas dari elemen pemanas akan mengontrol diameter kristal. (Gam bar dari Wacker - Cara Membuat Silicon) Selama proses pertumbuhan, wadah secara perlahan melarutkan Oksigen ke dalam lelehan yang dimasukkan ke dalam kristal ak hir dalam konsentrasi khas sekitar 25ppma. Disengaja penambahan dopan mengontrol distribusi resistivitas kristal akhir. Selain untuk menarik kecepatan dan perpi ndahan panas pada antarmuka padat-cair, pembuangan panas selama pendinginan kris tal sangat menentukan karakteristik cacat mikroskopis dalam kristal akhir. Untuk sistem CZ modern yang menarik, variabel tersebut dapat diprediksi secara akurat oleh simulasi numerik yang memungkinkan merancang konfigurasi geometris dan ter mal dari penarik CZ ke hasil yang diinginkan dari kristal. Setelah proses pertum buhan selesai, kristal didinginkan di dalam tungku hingga 7 jam. Ini pendinginan bertahap memungkinkan kisi kristal untuk menstabilkan dan membuat penanganan le bih mudah sebelum transportasi ke operasi berikutnya. Untuk beberapa aplikasi, a dalah penting untuk memiliki konsentrasi lebih rendah dari atom pengotor (Oksige n misalnya) dari apa yang dapat dicapai dengan pertumbuhan kristal CZ. Dalam kas us ini, Float Zona Pertumbuhan Crystal digunakan. Dalam proses ini akhir dari ba tang polysilicon panjang lokal meleleh dan dibawa dalam kontak dengan benih Sili con monocrystalline. Zona meleleh perlahan-lahan bermigrasi melalui batang poli meninggalkan kristal seragam akhir. Ingot yang berasal dari kristal tumbuh sedik it lebih dari ukuran diameter dan biasanya tidak bulat. Oleh karena itu, mesin m enggunakan sebuah bentuk grindwheel ingot ke presisi yang diperlukan untuk penge ndalian wafer diameter. Gerinda lainnya kemudian digunakan untuk mengukir takik karakteristik atau flat dalam rangka untuk menentukan orientasi yang tepat dari wafer masa depan versus sumbu kristalografi tertentu. Wafer membentuk melibatkan serangkaian langkah-langkah yang tepat proses mekanis dan kimia yang diperlukan untuk mengubah segmen ingot ke wafer fungsional. Hal ini selama ini langkah-lan gkah yang permukaan wafer dan dimensi yang disempurnakan untuk menuntut detail. Setiap langkah dirancang untuk membawa wafer menjadi sesuai dengan masing-masing spesifikasi pelanggan. Yang pertama dari langkah-langkah kritis adalah multi-Wi ring Mengiris. Keadaan dominan dari teknologi seni mengiris adalah multi-Wire Sa wing (MWS). Di sini, sebuah kawat tipis diatur lebih kelos silinder sehingga rat usan segmen kawat paralel bersamaan perjalanan melalui ingot. Sementara gergaji secara keseluruhan perlahan bergerak melalui ingot, segmen kawat individu melaku kan gerak translasi selalu membawa kawat segar ke dalam kontak dengan Silicon te rsebut. Efek menggergaji sebenarnya dicapai oleh agen grinding SiC atau lainnya yang berjalan sepanjang kawat berputar. Setelah MWS wafer dibersihkan dan dikons olidasikan ke banyak proses dan diangkut ke operasi berikutnya. Defleksi ke samp ing kawat melihat dapat menyebabkan tanda atau "waviness" pada permukaan wafer d an kawat-kawat ke-variasi ketebalan menyebabkan variasi ketebalan wafer hingga b eberapa mikron. Wafer demikian terkena proses polishing yang kompleks. Negara po lishing depan art permukaan dilakukan umumnya dalam proses dua langkah. Salah sa tu langkah polishing mekanik (lapping) untuk menciptakan kerataan diikuti oleh b ahan kimia etch untuk menciptakan kelancaran. Setelah polishing, wafer dikenakan bersih akhir. Memukul-mukul wafer menghilangkan tanda saw dan cacat permukaan d

ari depan dan belakang wafer, wafer menipis untuk spec dan mengurangi banyak str es terakumulasi dalam wafer selama proses menggergaji. Pembulatan tepi biasanya dilakukan sebelum atau setelah lapping dan sangat penting untuk integritas struk tural wafer. Tepi wafer 200mm dan 300mm dibulatkan bahkan di daerah notch. Di wa fer utama terbaik tepi sendiri juga sangat dipoles, langkah yang dapat meningkat kan hasil pembersihan pada wafer dan mengurangi kerusakan hingga 400%. Spesialis asi Proses telah melihat perbedaan yield terkenal antara buruk dan material bula t sempurna tepi. Untuk banyak aplikasi, kualitas wafer dipoles tidak cukup. Hal ini terutama disebabkan oleh cacat yang dihasilkan selama pertumbuhan kristal di sebagian besar wafer. Cacat ini, ketika mereka berada dalam beberapa mikron ke permukaan, dapat memburuk kinerja perangkat yang dibangun di atas. Saat ini, sol usi terbaik untuk masalah ini adalah untuk deposit lapisan tambahan Silicon kemu rnian tinggi di atas substrat wafer dipoles (Layer Epi). Setelah bersih dan semi r akhir, wafer siap untuk pemeriksaan akhir sebelum pengiriman. Metode yang berb eda dari metode freeze Fabrikasi gradien Horizontal - gradien teknik pembekuan a dalah teknik statis di mana lelehan secara bertahap dipadatkan oleh pergerakan g radien suhu sepanjang mencair. Dalam teknik ini sebuah tabung disegel memegang b ahan awal, misalnya sangat murni Ga dan As (baik 9s 6-9 murni). The Ga ditempatk an dalam cawan kuarsa di salah satu ujung tungku, dan As terletak di ujung lainn ya. Memisahkan dua zat adalah penghalang berpori yang akan memungkinkan Sebagai uap untuk bereaksi dengan Ga tabung kuarsa ditempatkan dalam tungku zona dua di mana bagian yang mengandung Seperti diadakan di sekitar 620oC, sedangkan bagian dengan Ga adalah menggenjot produksinya antara 1238oC dan 1270oC. Suhu di tungku kedua disesuaikan sedikit mencair hanya sebagian dari kristal benih. Ketika kri stal terbentuk, maka harus didinginkan perlahan dan merata untuk menghindari str es akibat dislokasi. Metode Bridgeman Horizontal - Dalam metode ini tungku terse but akan dipindahkan sepanjang tabung kuarsa sehingga pemadatan lelehan mulai da ri kristal benih dicapai sebagai benih dipindahkan dari panas ke bagian dingin d ari tungku. Bentuk kristal dibatasi oleh dinding-dinding tabung. Kristal-kristal tersebut biasanya D-berbentuk dan diunggulkan dalam arah <111>. Secara umum, te gangan termal lebih rendah secara signifikan dapat diperoleh dalam teknik Bridge man horizontal daripada dengan teknik CZ. Kepadatan Dislokasi juga cenderung kur ang (~ 600 cm-2). Metode Bridgeman Vertikal - Dalam pertumbuhan Bridgeman vertik al krus kuarsa atau PBN berisi benih di sumur di bagian bawah dan material polyc rystaline di atasnya. Untuk pertumbuhan terjadi, muatan awal dan sebagian benih tersebut meleleh dan wadah diturunkan perlahan-lahan ke bagian bawah tungku. Ali h-alih bergerak wadah tungku tersebut dapat dipindahkan relatif terhadap wadah t ersebut. Gradient Freeze Vertikal - Dalam beku gradien teknik vertical (VGF), ya ng wadah dan tungku disimpan stasioner dan pertumbuhan yang dicapai y perlahan p endinginan meleleh dalam gradien suhu yang sesuai. Salah satu keuntungan utama d ari teknik VGF adalah aksial berkurang dan gradien suhu radial yang diterjemahka n ke dalam kepadatan dislokasi rendah ~ 20 cm-2. Czochralski Menarik Metode - Sa lah satu teknik yang paling penting untuk pertumbuhan kristal tunggal besar bula t. Sebuah kristal unggulan ditarik dari mencair dan diputar untuk mempertahankan geometri termal dan geometri silinder. Benih dicelupkan ke dalam lelehan yang s uhunya diturunkan sampai sejumlah kecil bahan kristal dipadatkan. Benih tersebut kemudian perlahan-lahan ditarik dari mencair pada tingkat 1 sampai 10 mm per ja m. suhu mencair diturunkan perlahan dan diameter meningkat kristal. Setelah diam eter yang diinginkan tercapai, penurunan suhu dihentikan. Pertumbuhan pada diame ter konstan dipertahankan sampai panjang yang diinginkan tumbuh. Teknik CZ memil iki kesulitan ketika mencair terdiri dari unsur-unsur yang berbeda. Penguraian m encair dapat terjadi. Teknik enkapsulasi cair dapat dimanfaatkan untuk memberika n tekanan bertentangan dengan unsur-unsur dalam lelehan mencoba menguap. Encapsu lant harus memiliki tekanan uap rendah, viskositas rendah, kepadatan rendah dari pada mencair, dan sebaiknya tidak mencampur atau bereaksi dengan lelehan atau wa dah tersebut, dan harus mencair sebelum dekomposisi yang signifikan dari bahan p oli terjadi. B2O3 umumnya digunakan sebagai suatu encapsulant.