PROIECT Senzori optoelectronici.

Clasificare și aplicații

Cuprins:
Cuprins:............................................................................................................................................2 Capitolul 1....................................................................................................................................3 Introducere în tehnologia fotodetectoarelor semiconductoare.....................................................3 1.1. Scurta introducere a aplicațiilor fotodetecției..................................................................3 1.2. Considerații generale ale fotodetectorilor ....................................................................3 Capitolul 2....................................................................................................................................6 Fotodetectori................................................................................................................................6 2.1. Caracteristicile fundamentale ale fotodetectorilor...........................................................6 l1Sensibilitatea spectrală:.................................................................................................................6 2 Sensibilitatea integrală: ,....................................................................................................7 unde U reprezintă răspunsul fotodetectorului sub acţiunea fluxului luminos Ф cu o anumită compoziţie spectrală.........................................................................................................................7 dar şi iar ..........................................................................................................................7 , iar şi obţinem, ..........................................................................................7 4. Fluxul luminos de prag: ...........................................................................................................7 .........................................................................................................................................................8 6 Puterea de disipare maximă admisă limitează foarte mult regimul de funcţionare a fotodetectorilor. Dacă Tf este temperatura fotodetectorului şi Tm este temperatura mediului ambiant, puterea disipată este:.........................................................................................................9 2.2.Clasificarea fotodetectorilor............................................................................................10 2.3.Mărimi caracteristice detectorilor...................................................................................11 2.4.Principalele procese ce stau la baza funcţionării fotodetectorilor...................................13 Capitolul 3..................................................................................................................................14 Detectori fotoconductivi............................................................................................................14 3.1 Efectul fotoconductiv......................................................................................................14 Capitolul 4..................................................................................................................................17 Detectori fotovoltaici.................................................................................................................17 4.1. Fotodioda.......................................................................................................................18 4.2. Celulele solare................................................................................................................23

2

Aceste considerații de bază implică ca un număr de parametrii de performanță ceruți să fie indepliniți.2. pentru a putea satisface cerințele aplicației destinate. cu cât fluxul de fotoni este mai slab. fotodetector. Datorită acestui context. fotodiode MSM (metalsemiconductor-metal). Toate aceste aplicații sunt bazate pe același proces: transformarea puterii optice într-un semnal electric.1. au fost concepute o variație de structuri fotodetectoare: fotoconductori. joacă și el un rol important. fototranzistori. Considerații generale ale fotodetectorilor Orice dispozitiv care transformă semnalele luminoase din domeniul spectrului de radiaţie optică în semnale electrice se numeşte detector foto-electronic sau mai simplu. fotodiode Schottky. cu viteze foarte mari. Când informația trebuie să fie transmisă cât mai rapid. detectori de proximitate etc. fotodetectorul trebuie să reacționeze foarte repede. După cum se ştie spectrul radiaţiei optice este cuprins între 5 ⋅10 −3 şi 103µm şi se 3 . fotodiode cu avalansa. profesionale și de mare masă.Capitolul 1 Introducere în tehnologia fotodetectoarelor semiconductoare 1. Domeniul lungimilor de undă relevante pentru aplicație. acesta fiind necesar să fie cu atât mai mare. Există numeroase aplicații printre care: comunicațiile prin fibră optică dar și în spțtial liber. izolarea galvanică. celule solare. Scurta introducere a aplicațiilor fotodetecției Fotodetecția se gasește într-un număr foarte mare de sisteme industriale. fotodiode p-n și p-i-n. 1.

La baza funcţionării detectorilor electronici de radiaţie stă efectul fotoelectric.electroni şi fotodetectori electronici în care absorbţia radiaţiei optice determină excitarea electronilor pe nivele energetice superioare. Una din formele de manifestare a efectului fotoelectric intern constă în apariţia purtătorilor de sarcină şi deci. Fotodetectorii electronici sînt selectivi deoarece ei răspund numai la acei fotoni a căror energie minima depăşeşte o anumită energie de prag.) constă în separarea purtătorilor de sarcină în câmpurile interne şi apariţia unei tensiuni fotoelectromotoare .împarte în : (a) regiunea ultravioletă ( 5 ⋅10 −3 µm < λ < 0. semiconductorul cu gradient de impurităţi etc.n. Din acest punct de vedere fotodetectorii se împart în două grupe mari: fotodetectori termici în care absorbţia radiaţiei luminoase este însoţită de creşterea temperaturii sistemului reţea cristalină . Dacă radiaţia incidentă în urma absorbţiei.76µm < λ < 103µm). joncţiunea p . Pe baza acestui efect s-au construit diferite tipuri de celule fotoelectrice. Detectorii de radiaţie optică care au la bază efectul fotoelectric au primit denumirea generală de fotoelemente. determină ieşirea electronilor din solid şi formarea unui flux de electroni între catod şi anod atunci această formă de transformare a energiei luminoase se numeşte efect fotoelectric extern. lărgimea benzii interzise a semiconductorului. de exemplu. Excitarea internă a reţelei cristaline sub acţiunea radiaţiei absorbite care determină trecerea electronilor din stările legate în stările libere poartă denumirea de efect fotoelectric intern. Fotodetectorii termici nu sînt selectivi deoarece energia absorbită este transformată în energie termică.4µm < λ < 0. O altă formă de manifestare a efectului fotoelectric intern în semiconductorii cu diferite tipuri de neomogenităţi (contactul metal-semiconductor.efectul fotovoltaic. Modificarea conductivităţii electrice a semiconductorilor sub acţiunea radiaţiei optice poartă denumirea de fotoconducţie iar detectorii de radiaţie construiţi pe baza acestui fenomen se numesc fotorezistori.76µm). în creşterea conductivităţii electrice a semiconductorului. Din aceste motive detectorii termici au o inerţie mult mai mare decât detectorii electronici de radiaţie optică. (b) domeniul vizibil (0.4µm). 4 . În detectorii termici de radiaţie sînt utilizate acele proprietăţi ale solidelor care se modifică odată cu creşterea temperaturii în urma absorbţiei radiaţiei luminoase. Principiul de funcţionare al fotodetectorilor constă în absorbţia radiaţiei luminoase şi transformarea ei în alte forme de energie. (c) spectrul infraroşu (0.

În acest capitol vor fi analizaţi numai acei fotodetectori care prezintă interes actual şi în perspectivă atât în ce priveşte utilizarea lor ca elemente discrete cât şi ca părţi componente în circuitele şi sistemele optoelectronice integrate. Esenţa acestui fenomen constă în aceea că sub acţiunea presiunii fotonilor apare o mişcare ordonată a purtătorilor de sarcină liberi care determină apariţia unei tensiuni fotoelectromotoare pe direcţia de incidenţă a radiaţiei optice. 5 . Datorită faptului că electronii şi golurile au mobilităţi diferite va apare o tensiune fotoelectromotoare. Acest proces de apariţie a unei fototensiuni se numeşte fotoefect de difuzie sau efect Dember. Acest efect se caracterizează printr-un timp de răspuns foarte mic (10-10 . Toate aceste efecte stau la baza realizării unei game foarte largi de fotodetectori cu aplicaţii deosebite atât în procesele de automatizare şi control cât şi în sistemele optice de comunicaţie sau în aparatura de măsură. De asemenea.lO-11 s) şi se deosebeşte esenţial de celelalte efecte fotoelectrice. Un efect fotovoltaic poate să apară într-un semiconductor atunci când perpendicular pe direcţia de iluminare se aplică un câmp magnetic sau semiconductorul este deformat uniaxial.Dacă un semiconductor omogen este iluminat neuniform atunci şi generarea purtătorilor de sarcină va fi neuniformă şi deci purtătorii de sarcină vor difuza pe direcţia descreşterii concentraţiei. este cunoscut şi efectul de apariţie a unei tensiuni fotoelectromotoare datorită presiunii fotonilor. În primul caz efectul se numeşte fotoelectromagnetic iar în al doilea caz — fotopiezoelectric.

. . l1 Sensibilitatea spectrală: reprezintă răspunsul fotodetectorului sub acţiunea fluxului luminos monocromatic: ∂U λ Sλ = ∂Φ λ unde ∂U λ este reacţia fotodetectorului determinată de fluxul luminos monocromatic ∂Φ λ Pentru fotodetectorii selectivi Sλ = f(λ) şi are o valoare maximă S λm pentru o anumită lungime de undă. . .coeficientul de utilizare a radiaţiei luminoase. .caracteristici termice (coeficientul de temperatură şi puterea maximă de disipare admisă).sensibilitatea în curent sau tensiune. .Capitolul 2 Fotodetectori 2. . . .caracteristica energetică (luminoasă).sensibilitatea spectrală.1.caracteristica în frecvenţă.caracteristica curent – tensiune. 6 . .pragul cuantic de sensibilitate. Caracteristicile fundamentale ale fotodetectorilor Caracteristicile fundamentale ale fotodetectorilor sunt: .constanta de timp. .caracteristica în regim tranzitoriu. -eficienţa cuantică.fluxul luminos de prag sau detectivitatea.sensibilitatea integrală.

U . Se observă că sensibilitatea integrală a fotodetectorului depinde de densitatea spectrală Ф(λ) a sursei de radiaţie luminoasă. ∫ φ (λ )dλ S = Sλmξ iar s (λ ) = Sλ S şi obţinem. φ unde U reprezintă răspunsul fotodetectorului sub acţiunea fluxului luminos Ф cu o anumită compoziţie spectrală Între cele două sensibilităţi S şi Sλ există o legătură bine definită. 3.Determinarea sensibilităţii spectrale prezintă o serie de dificultăţi şi de aceea se utilizează S s (λ ) = λ noţiunea de sensibilitate spectrală relativă: Sλm şi reprezintă caracteristica spectrală a fotodetectorilor. Fluxul luminos de prag: φ p este fluxul luminos minim care determină la ieşirea fotodetectorului un semnal echivalent cu nivelul propriu de zgomot. Fluxul luminos minim care poate fi detectat este limitat de anumite fluctuaţii numite zgomote. S = Sλm ∫ φ (λ )sλ dλ o ∞ ∫ φ (λ )dλ 0 . 2 Sensibilitatea integrală: S= ∂U λ = Sλ ∂φλ dar ∂φ λ = φ (λ )∂λ şi U ∫ dU λ = ∫ φ (λ ) S (λ )dλ iar Sλ = s (λ ) Sλm 0 0 ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ U = S λm = ∫ φ (λ ) s(λ ) dλ = ∫ φ (λ )dλ 0 0 obţinem. S λm ξ Dacă sunt cunoscute sensibilitatea integrală şi coeficientul de utilizare în raport cu o anumită sursă de radiaţie optică atunci se poate determina şi sensibilitatea spectrală a fotodetectorului în unităţi absolute. 4. 7 .Fluxul luminos efectiv: φef = ∫ φ (λ ) s(λ )dλ 0 λ Coeficientul de utilizare a fluxului luminos de către fotodetector ∞ ξ= ∫ φ (λ )s(λ )dλ 0 . La ieşirea fotodetectorului întotdeauna se poate detecta un semnal aleator atât ca amplitudine cât şi ca frecvenţă cauzat de caracterul discret al proceselor fizice care au loc în fotodetector. Sλ = s (λ ) .

S U2 .λ λ = Sλ A∆f 1 S 1 D ∗ ∗ = λ Uneori se utilizează detectivitatea: D = şi detectivitatea specifică D = s = 2 φp φ p A∆ U ∗ ∗ care are ca unitate de măsură < D > = W-1 Hz1/2 cm sau < D > = lm-1 Hz1/2 cm.obţinem pentru φ fluxul luminos de prag . Sλ Pragul de sensibilitate a fotodetectorilor depinde de suprafaţa detectorului A expusă la iluminare şi de frecvenţa ∆f a amplificatorului utilizat la ieşirea fotodetectorului. 8 . λ = aceste influienţe se defineşte pragul specific de sensibilitate s φp = U2 A∆f = S φp A∆f şi: U2 φ pragul specific spectral A∆f s φp = p. iar pentru a elimina Analog se defineşte pragul de flux monocromatic φ p . detectivitatea spectrală specifică φ p.Zgomotele electrice sunt determinate de procesele aleatorii iar mărimea lor nu se poate prevedea pentru un anumit moment (decât prin metode statistice). U Înlocuind în S = . φp = U2 .λ 5 Caracteristica tranzitorie a fotodetectorului este reacţia fotodetectorului atunci când asupra lui acţionează un flux luminos unitar în treaptă: Ф(t) =1(t). răspunsul fotodetectorului U cu nivelul de zgomot U 2 . 1 S = λ Analog detectivitatea spectrală: Dλ = şi φλ U2 1 ∗ Dλ = s = Dλ A∆f . Mărimea fluctuaţiei este evaluată prin dispersia ?2 adică abaterea medie pătratică a mărimii aleatorii U de la valoarea medie U0 într-un interval de timp τ care este mult mai mare decât perioada fluctuaţiilor 1 − τ  2 = U (U − U 0 )2 dt ∫ Abaterea medie standard a semnalului la ieşirea fotodetectorului este U 2 şi caracterizează nivelul zgomotului.

unde funcţionează normal. Dacă Tf este temperatura fotodetectorului şi Tm este temperatura mediului ambiant. obţinem: ∂t S U (t ) φ (t ) =δ (t ) = Si (t ) = 0 e − t / τ . nu apar fenomene ce determină modificări ireversibile ale caracteristicilor fotodetectorului. τ Răspunsul fotodetectorului sub acţiunea unui flux luminos cu pulsaţia ω pentru semnalul de ieşire obţinem: e − (ωt +θ ) U (t ) = φ0 S0 1 − ω 2τ 2 (avem tgθ = . Din ecuaţia τ − t τ φ(tI 1 0. puterea disipată este: Pd = b (Tf – Tm) unde b este o constantă. U (t ) φ (t ) =1(t ) = St (t ) = S0 (1 − e ) .φ (t ) cu φ (t ) = δ (t ) funcţia delta. În intervalul de temperatură de lucru al fotodetectorilor. Depedenţa diferenţei de fază θ dintre componenta armonică a semnalului la ieşire şi componenta armonică a fluxului luminos incident poartă denumirea de caracteristică de fază a fotodetectorului: tgθ = . În general. constanta de timp se consideră ca fiind egală cu intervalul de timp în care semnalul la ieşirea fotodetectorului atinge 63% din valoarea sa staţionară. 6 Puterea de disipare maximă admisă limitează foarte mult regimul de funcţionare a fotodetectorilor.63 S(t) φt (t) St (t) S0 t τ ∂U + U (t ) = S0 .Pentru o caracteristică neliniară a fotodetectorului. Răspunsul fotodetectorului sub acţiunea unui impuls de flux luminos unitar Ф(t) = δ(t) poartă denumirea de caracteristică de impulsuri şi se notează cu Si(t). Mărimea τ poartă numele de conmstanta de timp a fotodetectorului. depedenţa de timp a răspunsului este ∂U + U (t ) = S0 (t )φ (t ) iar dacă fluxul incident are forma descrisă de ecuaţia diferenţială: τ ∂t unei funcţii treaptă atunci rezolvând ecuaţia pentru t > 0 se obţine. Modificările caracteristicilor fotodetectorior într-un interval de temperaturi sunt de obicei sub formă de grafice în care se dă variaţia sensibilităţii sau a fotocurentului cu temperatura.ωτ iar (1 – ω2 τ2) -1/2 arată cum variază amplitudinea semnalului cu pulsaţia ω). Depedenţa amplitudinii semnalului de frecvenţa fluxului luminos incident poartă denumirea de caracteristica de frecvenţă a fotodetectorului. Procesul tranzitoriu a fotodetectorului se termină după două sau trei constante de timp. Uneori fotodetectorii sunt caracterizaţi prin coeficientul de temperatură care exprimă variaţia relativă a fotocurentului sau variaţia sensibilităţii atunci când temperatura variază cu 1oC. 9 .ωτ.

deoarece nu se cunosc cu precizie coeficientul de temperatură şi constanta b. puterea primită de fotodetector Pp = Vf If trebuie să fie egală cu puterea disipată: Pp = Vf If = b (Tf – Tm).10-3s 10 . nu şi mărimi ∂t constante . I. 2. În general regimul termic de funcţionare a fotodetectorilor se face aproximativ.piroelectrici: dau un semnal e(t ) ~ αP (t ) .calorimetrici: Qabs = m c ∆T şi y~∆T • • • • • • • .În regim staţionar. y(t) = mărime de tip electric: U. pot măsura numai impulsuri. cât şi în prezenţa iluminării.Clasificarea fotodetectorilor Clasificare după principiul de funcţionare: detectori fotoelectrici: se bazează pe fenomenul fotoelectric fotoconductori celula fotovoltaică semiconductori fotodioda cu vid fotomultiplicatorii detectori termici: ∂T . 8 Caracteristicile curent-tensiune: I = f(V) atât la întuneric. sunt determinate nu numai de procesele fizice care au loc în fotodetectori ci şi de construcţia şi geometria lor. R xi yi detectori: -lenţi: 10-3-:.103s -rapizi: 10-9 -:. 7 Caracteristica energetică (luminoasă) a fotodetectorului: S = f(Ф) exprimă variaţia sensibilităţii integrale sau spectrale a fotodetectorului în funcţie de mărimea fluxului luminos incident.bolometre: ca detectorii calorimetrici doar că ∆T devine ∆R • clasificare după construcţie • clasificare după utilizare: y(t) x(t) • detectori bipol funcţional • detectori multifuncţionali: x(t) = mărime radiometrică sau fotometrică.2. Caracteristica în tensiune exprimă legătura dintre semnalul la ieşire şi tensiunea de alimentare a fotodetectorului. Uneori prin caracteristica energetică se înţelege depedenţa tensiunii sau a fotocurentului de la ieşire în funcţie de mărimea fluxului incident.

3.35 -3db • • • • din valoarea maximă • A= y2 y1 y2 (db) . responsivitatea spectrală: în intervalul (λ. putere P sau energie E y1 y 20. + tn2)1/2 fmax – fmin = B.3 τ .10-9s 2. y • Detectivitatea specifică (normalizată): D* = D(A. răspunsul creşte de la 10% la 90% timpul de cădere ``fall-time``: tr = (t12 + …. răspunsul devine 63% din valoarea maximă timpul de creştere ``rise –time``: tr = 2.-ultra rapizi: 10-12-:. • • 10.timpul pentru care la un semnal tip treaptă. ∆f) (A ∆f)1/2 unde A = aria de detecţie şi ∆f = lărgimea benzii de frecvenţă de măsurare <D*> = W-1 m Hz1/2 11 . pentru y = tensiune U sau curent I y1 zgomotul detectorilor: yN sau PN fmin fma x f Iradianţa echivalentă zgomotului (semnalul echivalent de zgomot): NEI = x Fluxul radiant echivalent zgomotului NEP = P (Nois Equivalent Power ). ln 2 (db). λ+ ?λ) s(λ) = ?y(λ) / ?x(λ) constanta de timp τ: este timpul pentru care la un semnal tip treaptă. <NEP> = W (watt) • Detectivitatea: D = 1 / NEP (W-1) yN y • yn unde P este puterea radiantă. ln B tr = 0.Mărimi caracteristice detectorilor • responsivitatea: s = y / x pentru detectorul ideal s = (y – yN) / x pentru detectorul real (cu zgomot) unde yN = zgomotul (pentru x = 0) responsivitatea relativă: sr = s / sref.

de fotoni incidenţi pe suprafaţă. ∗ Dλ = D(λ ) A∆f Eficienţa cuantică sau randamentul cuantic: η = numărul de evenimente elementare/ nr.Detectivitatea specifică de detecţie: D** = D*(∆Ω)1/2 unde ∆Ω = unghiul solid de detecţie <D**> = W-1 m Hz1/2 Sr1/2 Detectivitatea soectrală Dλ = D(λ ). Detectivitatea spectrală specifică. q sarcina elementară.D.directivitatea detectorului: F.Funcţia de transfer de modulaţie: MTF = (ymax – ymin) / (ymax + ymin) (atenuare la frecvenţe spaţiale din ce în ce mai mari) camerele de luat vederi: în funcţie de tubul vidiccn − vizibil  catodic avem.R  pilicon − pebaz[depirometyre  MTF x 12 centru margine .. Liniaritatea unui detector: Responsivitatea s trebuie să fie independentă de valoarea mărimii de intrare s abaterea de la liniaritate a detectorului x în realitate avem: xmin − : −xmax domeniul de liniaritate s xmax = dinamică xmin xmin xmax x . ( (η < 1) . unde h constanta lu Plank. . c viteza luminii. pentru o fotodiodă : • η (λ ) = s(λ ) hc /(λq ) . .Rezoluţia spaţială. sidicon − I .

Filmul fotografic Detectori cuantici de tip Bloembergen Efectul fotoelectromagnetic Efectul Dember Este posibilă amplificarea Alte efecte Intern Excitarea de purtători adiţionali din banda de valenţă în banda de conducţie cuantic Efect fotoemisiv Extern Electronii excitaţi de fotoni sunt emişi la suprafaţa materialului fotoemisiv cuantic Este posibilă amplificarea Intern Interacţii localizate 13 . Răspunsul fotodetectorului sub acţiunea unui flux φ0 S0ei (ωt +θ ) u ( t ) = luminos sinusoidal cu pulsaţia ω. pentru semnalul de ieşire se obţine .detectori foto-electromagnetici Fotomultiplicatori convenţionali şi cu afinitate electronică negativă Fotodiodele cu vid Fototuburi cu gaz. 2. . undefactorul arată cum variază amplitudinea sewmnalului cu 1 − ω 2τ 2 pulsaţia ω.du / dt + u (t ) = S 0φ (t ) S 1/τ Cu φ (t ) = δ (t ) = func ' iadelta . tgθ = −ωt reprezintă dependenţa de fază θ dintre cxomponenta armonică a semnalului la ieşire şi componenta armonică a fluxului luminos incident. rezultă u (t ) φ (t ) =δ (t ) = Si (t ) = 0 e . τ Caracteristica în frecvenţă a fotodetectorului: reprezintă dependenţa amplitudinii semnaluli de frecvenţa fluxului luminos oncident. 1 − ω 2τ 2 φo S0 tgθ = −ωτ .- - Caracteristica în impulsuri: Răspunsul fotodetectorului Sub acţinea unui impuls de flux luminos unitar φ (t ) = δ (t ) poartă numele de caracteristica în impulsuri şi se notează cu Si (t ) : din ecuaţia τ .Principalele procese ce stau la baza funcţionării fotodetectorilor Procesul fizic Efectul fotoconductiv Efectul fotovoltaic Natura procesului Categoria de detector Tipuri de detectori Detectori cu corp solid: -fotodiode cu joncţiuni p-n -fotodiode PIN -fotodiode cu avalanşă -fototranzistori -heterojoncţiuni -bariere Schottky -fotoconductori intrinseci .Caracteristica de fază a fotodetectorului.4. etc. .

Lungimea de undă critică este λ0 = h c / Eii unde Eii este energia de ionizare a impurităţilor. La semiconductorii extrinseci fotonii nu au suficientă energie pentru a produce perechi electroni-goluri. 14 .Absorbţia radiaţiei de cătreIntern Interacţii ale purtătorilor liberi reţea Efecte parametrice Intern Interacţii ale electromagnetice undelor termic parametric Substanţe luminiscente excitate în I. oxidmetal Capitolul 3 Detectori fotoconductivi 3. astfel că în prezenţa unui câmp electric apare o densitate de curent determinată de concentraţiile de purtători în exces şi de mobilităţile acestora.1 Efectul fotoconductiv Efectul fotoconductiv se manifestă prin creşterea conductivităţii unui material sub acţiunea radiaţiei incidente care crează purtători de sarcină în volumul materialului. La semiconductorii intrinseci efectul fotoconductiv se datoreşte apariţiei perechilor electroni-goluri sub acţiunea fotonilor incidenţi a căror energie depăşeşte energia benzii interzise a semiconductorului. etc. Condiţia hυ ≥ Ei determină o lungime de undă limită λ 0 = h c / Ei astfel încât pentru lungimi de undă mai mari decât lungimea de undă limită efectul fotoconductiv nu se produce. astfel că fotoexcitarea se face prin intermediul centrilor de impurităţi prezenţi în materialul semiconductor. Timpul de răspuns este relativ lent (10 -2-:-10 -7 s). Efectul fotoconductiv apare la numeroase materiale cristaline sau amorfe dar reprezentative sunt materialele semiconductoare.R. Bolometre Termocuple şi termopile Detectori piroelectrici. adică a numărului de purtători rezultaţi pentru fiecare foton absorbit. Cristale neliniare Joncţiuni Josephson Fotodiode metal-metal. iar creşterea vitezei de răspuns peste aceste valori duce la scăderea câştigului.

39 0.4 3.52 0.67 0.155 0.23 0.4 11 2.4 1.0706 0.8 1.09 Cd S Cd Se Cd Te Ga P Ga As Si Ge Pb S Pb Se In As In Sb Pbx Sn1-x Te 0.072 0.0537 0.92 1.24 1.4 1.9 5.42 0.045 0.1 0.15 0.83 0.033 0.23 0.EC EF Ei hν < Ei hν EV intrinsec extrinsec EC EF EV Ub hν material fotoconductiv Tipul Semiconductorului λ (μm) Ei = hc/λ0 (eV) Eii (eV) Tipul semiconductorului λ (μm) Ei = hc/λ0Eii (eV) (eV) 0.3 14 Hgx Cd1-x Te 12 Performanţele unor fotodetectori cu efect fotoconductiv intrinsec şi extrinsec utilizaţi în IR: 15 .56 0.1 Ge: Cd Ge: Cu Ge: Zn Ge: B Si: In Si: Ga Si: Bi Si: Al Si: As Si: P Ge: Au Ge:Hg 21 30 38 120 8 17 18 18 23 28 8.2 5.5 2.0685 0.041 0.06 0.8 2.35 1.12 0.0104 0.69 0.

3 0. μp – mobilităţile purtătorilor. timpul de viaţă trebuie să fie cât mai mare.2 4.130 λ (μm) Temperatur Eficienţa Timpul de Responsivit Rezistenţa tipică a (oK) cuantică (%) răspuns (s) atea (V/W) de întuneric(Ω) 2.14 11 .6 300 77 0. 16 .8Gd0.3 0. V = tensiunea electrică de polarizare. iar pentru obţinerea unor câştiguri mari.2 2 0.6 – 7.8 10 -4 3 10 -3 2 10 2 10 6 2 10 6 20 2 10 6 10 – 10 2 4 10 5 3 10 4 10 5 2.2 – 0. δE = variaţiile câmpului datorită purtătorilor fotoexcitaţi. Efectele de saturare ale fotoconducţiei la câmpuri electrice intense se explică prin scăderea puternică a timpului de tranzit sub valoarea timpului de viaţă astfel încât purtătorii minoritari nu au timp să se recombine în interiorul fotoconductorului.5 3 6.14 Ecuaţia fundamentală a efectului fotoconductiv în condiţii de echilibru este: V iSC = ηenλ gf C = ηenλ µτ 2 d unde: η = eficienţa cuantică.9 – 2.40 11 . N0. Pentru obţinerea unui răspuns bun în frecvenţă trebuie micşorat timpul de viaţă al purtătorilor.8 1.5 – 0. E = câmpul electric de polarizare. Δ = volumul semiconductorului. iSc = curentul de scurtcircuit în curent continuu.5 – 4. acest câştig creşte puternic cu tensiunea de polarizare dar aproape de tensiunea de străpungere pot apare efecte de saturare.8 3. gfc = τ/Tt = câştigul intern.Tipul λ (μm) semiconductorul limite ui Pb S Pb S In Sb Pb Se Ge –Au Ge: Hg Ge: Cd Ge: Zn Si: Sb Ge: B 0. μn. nλ = numărul de fotoni absorbiţi pe unitatea de timp.2 3-9 6 . P0 – densităţile de electroni şi goluri la echilibru. Variaţia curentului de ieşire al fotoconductorului este: dI = 1 d ∫ (eµ δnE + eµ δpE + e(µ N n p n ∆ 0 + µp P0 )δE + εε0∂δE / δt )dV unde: d = distanţa dintre electrozi.4 12 6 11 16 35 21 104 300 77 77 27 20 4. d = distanţa dintre electrozi. T t = timpul de tranzit al purtătorilor.2Te 8 . τ = timpul de viaţă al purtătorilor liberi.05 – 0. dV = elementul de volum.2 – 0.4 – 3.3 0. μ = mobilitatea purtătorilor majoritari.8 3.20 20 .23 70 .5 10 5 7 10 6 10 –6 –10-7 1 2 10 -6 10 -8 3 10 -8 < 10 -8 10 -7 2 10 -8 10 -7 < 10 -7 Hg0. Câştigul în curent al fotoconductorului: gfc = I / If unde I este curentul de ieşire şi If este curentul de fotoexcitare.

datorită depedenţei lor de gradul de dopare cu impurităţi. Capitolul 4 Detectori fotovoltaici Își bazează funcționarea pe efectul voltaic. caz în care. La nivele mici ale intensităţii radiaţiei incidente. semnalul măsurat nu mai este o tensiune ci un curent. zgomotul amplificării postdetecţie. pot lucra fără tensiune externă de polarizare. La utilizarea detectorilor fotoconductivi trebuie luat în considerare principalele tipuri de zgomot: zgomotul de generare – recombinare. în circuitele de fotodetecție uzuale se utilizeazå pentru îmbunătățirea performanțelor dispozitivului o tensiune inversă de polarizare a acestuia. Fotodetectorii cu efect fotovoltaic. structurile tipice sub care este întâlnit în fotodetectori fiind joncțiunile p-n și interfața metalsemiconductor. a timpului de răspuns şi a zgomotului. Caracteristica esențială a fotodetectorilor cu efect fotovoltaic o constitue prezența unei regiuni semiconductoare cu „epuizare“ (barierå de potențial) caracterizatå de un câmp electric puternic care separå purtåtorii de sarcinå electricå. însă. Un alt regim de funcționare caracteristic joncțiunilor cu efect fotovoltaic este cel de baterie solară.deci acest compromis se rezolvă luând un timp de viaţă optimizat rezultat din optimizarea produsului amplificare – bandă. 17 . câştigul şi timpul de viaţă al purtătorilor nu depinde de nivelul de fotoexcitare. există o dispersie largă a câştigului în curent. Efectul fotovoltaic poate fi atât extrinsec cât și intrinsec. generați sub acțiunea radiației incidente. zgomotul termic. etc. deosebindu-se în acest fel de celelalte tipuri de detectori cuantici. iar la nivele mari ale intensităţii radiaţiei incidente apare o scădere a acestora ce determină o deteriorare a răspunsului fotodetectorului. Teoria efectului fotovoltaic scoate în evidență posibilitatea utilizårii joncțiunii p-n ca fotodetector. Pentru fotodetectorii din acelaşi material semiconductor.

01. La realizarea contactului dintre regiunile semiconductoare n și p. Astfel. purtåtorii de sarcină majoritari (electronii din regiunea n cu concentrația nn și golurile din regiunea p cu concentrația pp) vor difuza spre regiunile unde concentrațiile purtåtorilor de același tip (electronii minoritari din regiunea p. polarizată invers. și al cărei curent în circuitul extern este controlat de fluxul luminos φ0 ce cade pe una din fețele joncțiunii.0. determinând apariția curenților de drift. Curenții determinați de mișcarea de difuzie a purtătorilor de sarcină majoritari se numesc curenți de difuzie. Circuitul de polarizare și simbolul fotodiodei sunt reprezentate în figura 4. Fotodioda Fotodioda este o diodă semiconductoare în care curentul invers depinde de intensitatea radiației incidente.1. în regiunea n rămân donorii ionizați iar în regiunea p rămân acceptorii ionizați și apare un câmp electric intern Ei care se opune difuziei. unde RL este rezistența de sarcină. Astfel. determinând formarea unei bariere de potențial qVb pentru purtåtorii de sarcină majoritari. cu concentrația np << nn și golurile minoritare din regiunea n cu concentrația pn << pp) sunt mici.: a) Conectarea fotodiodei în circuit b) simbolul fotodiodei.1. fotodioda nu este altceva decât o joncțiune p – n. Figura 4. Principiul de funcționare al fotodiodei Så consideråm o joncțiune p – n în absența iluminårii și nepolarizată. Odată cu formarea câmpului intern în joncțiunea p – n are loc o mișcare de drift a electronilor minoritari din regiunea p spre regiunea n și a golurilor minoritare din regiunea n spre regiunea p..4.1. 4. Dacă se neglijeazå generarea termică a purtătorilor de 18 .. Curentul total cauzat de mișcarea de drift a purtåtorilor de sarcină minoritari reprezintå curentul invers al joncțiunii.

Purtătorii de sarcină majoritari. va fi egal cu numărul purtătorilor de sarcină majoritari care trec peste bariera de potențial diminuată. Datorită mișcării barierei de potențial până la q(Vb – VL). Având în vedere faptul că pentru orice valoare a barierei de potențial curenții de drift vor crește după o lege de forma: 19 . va crește curentul de difuzie al purtătorilor de sarcină majoritari. Starea staționară a sistemului se atinge în momentul când. Purtătorii de sarcină minoritari care trec prin stratul de sarcină spațialå vor determina apariția unui curent suplimentar IL a cărui direcție de curgere coincide cu cea a curentului direct din joncțiunea p–n la echilibru. Astfel bariera de poten țial qVb se va micșora cu qVL ca și cum joncțiunea ar fi fost polarizată direct cu tensiunea VL. Deoarece fiecare purtător de sarcină minoritar care se apropie de stratul de sarcină spațială este imediat antrenat de câmpul intern al joncțiunii și trecut în regiunea opusă rezultă că. generați de lumină de-o parte și de alta a stratului de sarcină spațialåă sunt respinși de câmpul intern al joncțiunii în timp ce purtătorii de sarcină minoritari de neechilibru sunt accelerați de câmpul intern al joncțiunii spre regiuni cu purtători de sarcină majoritari de același tip. Echilibrul curenților este acum perturbat. Electronii de neechilibru care au trecut din regiunea p în regiunea n și golurile de neechilibru care trec din regiunea n în regiunea p vor determina apariția unui câmp electric orientat în sens opus câmpului intern din joncțiune. Dacå pe joncțiunea p-n cade un flux de fotoni a căror energie este mai mare sau egală cu lărgimea benzii interzise atunci. La echilibru termodinamic curentul prin joncțiunea p–n izolată trebuie să fie egal cu zero. datorită absorbției fotonilor. numărul perechilor de electroni și goluri. iar curentul din circuitul extern este egal cu zero. adică a purtătorilor de sarcină de neechilibru. adică curenții de difuzie trebuie să fie egali cu curen ții de drift care curg în sensuri opuse. pentru orice valoare a barierei de potențial Vb. curentul de drift al purtătorilor de sarcină minoritari este un curent de saturație. Dacă în circuitul joncțiunii p –n ideale se introduce rezistența de sarcină RL. va avea loc generarea perechilor de electroni și goluri.sarcină în interiorul stratului de sarcină parțială atunci curentul invers Is va fi determinat de purtătorii de sarcină minoritari de echilibru care sunt generați termic de o parte și de alta a stratului de sarcină spațială pânå la distanțe egale cu lungimile de difuzie corespunzătoare. atunci o parte din purtătorii de sarcină minoritari generati de lumină și antrenați de câmpul intern vor contribui la micșorarea barierei de potențial cu qVL iar o altă parte vor contribui la formarea în circuitul extern a curentului I. generate de radiația incidentă.

Regimul de fotodiodă Dacå joncțiunea p – n este polarizată invers cu tensiunea V. I. nu depinde de valoarea tensiunii de 20 .1. Relatia de mai sus reprezintă ecuația fundamentală a fotodetectorului ideal cu joncțiune p – n. În condiții de circuit deschis (I = 0) din relatia anterioara obținem: iar în regim de scurtcircuit (VL = 0) avem: ISC = -IL 4. atunci. se obține I = -Is . Așa cum rezultă din relatia de mai sus. curentul total. Curentul care trece prin rezistența de sarcină RL este format din curentul de întuneric Is și fotocurentul IL datorat generării optice a purtătorilor de sarcină minoritari.IL.2. pentru caracteristica curent-tensiune în condiții de iluminare obținem: Dacå V >> IRS și qV >> kT atunci.pentru curentul I se obtine expresia: unde IS este curentul de întuneric iar IL este fotocurentul datorat generării optice a purtătorilor de sarcină minoritari. Aceastå relație reprezintă caracteristicile curent-tensiune ale unui detector fotogalvanic în regim de fotodiodă.

Utilizarea joncțiunilor p – n ca detector de radiație luminoasă în regim de polarizare inversă prezint două avantaje importante: a) fotocurentul este proporțional cu intensitatea radiației incidente. iar cu randamentul cuantic al efectului fotoelectric intern atunci fotocurentul IL se poate exprima prin relația: unde mărimea Qc se numește coeficient de colectare și reprezintă raportul dintre numărul purtătorilor de sarcină separați de câmpul intern al joncțiunii și numărul total al purtătorilor de sarcină generați optic. Astfel. prin aplicarea unor tensiuni mari de polarizare inversă stratul de sarcină spațială se poate lărgi considerabil. Dacă notăm cu nf numărul de fotoni absorbiți în unitatea de timp și de volum a semiconductorului. Mai departe nu rămâne decât crearea condițiilor ca radiația incidentă să nu fie absorbită până la stratul de sarcină spațială.polarizare inversă. atunci grosimea semiconductorului dintre suprafața iluminată și stratul de sarcină spațială ( în condiții de polarizare inversă ) trebuie diminuată până la valoarea minimă posibilă. Lărgimea stratului de sarcină spațială crește odată cu tensiunea de polarizare inversă conform relației: unde Vb este diferența de potențial de contact. răspunsul fotodiodei este cu atât mai rapid cu cât purtătorii sunt generați mai aproape de stratul de sarcină spațială pentru a ajunge într-un timp cât mai scurt în regiunea de câmp intens pentru a fi separați. Din această relație se poate observa că. Liniaritatea fotocurentului cu intensitatea radiației incidente se păstrează până la tensiuni inverse apropiate de tensiunea de străpungere a fotodiodei. Coeficientul de proporționalitate Rλ caracterizează sensibilitatea cromatică a fotodetectorului și poartă denumirea de responsivitate. nf = φ0 (1− R) / hν. b) fotorăspunsul crește odată cu tensiunea de polarizare inversă. Dacă fotodetectorul este destinat pentru a funcționa la lungimi de undă pentru care absorbția este puternică. Unul din factorii care limiteazå viteza de răspuns a fotodiodelor este constanta de timp RC unde C este capacitatea diodei iar R reprezintă suma 21 . Creșterea vitezei de răspuns a fotodiodelor odată cu tensiunea de polarizare inversă se poate înțelege dacă ținem cont de mecanismul intim de formare a fotocurentului.

Această constantă se poate micșora crescând tensiunea de polarizare inversă deoarece capacitatea unei joncțiuniabrupte cu suprafața S satisface relația: Rezultă că parametri de funcționare ai fotodiodelor se îmbunătățesc odată cu creșterea tensiunii de polarizare inversă. cuprinse între 0. pierderile prin recombinare (factorul Qc) și randamentul cuantic η. este exprimat în lx. cuprinsă între 10 și 400 V.5 și 0. Coeficientul de colectare Qc.50 nA pentru tensiuni de polarizare inversă Dacă fluxul luminos incident. Domeniul spectral de sensibilitate maximă a fotodiodelor depinde atât de natura semiconductorului utilizat pentru realizarea joncțiunii p – n cât și de parametri constructivi sau de tensiunea de polarizare inversă. Pierderile prin reflexie se pot diminua mult prin depunerea de straturi antireflectante. atunci sensibilitatea spectrală în curent a fotodiodelor se msoară în A/lx.9. cauzat de pierderile prin recombinare.1. raportat la unitatea de suprafață. creștere care este limitată însă de fenomenele de străpungere. b) Sensibilitatea la iluminare Valorile tipice pentru Is în cazul fotodiodelor sunt cuprinse între 1. depinde de parametrii constructivi ai fotodiodelor și poate atinge valori destul de mari. 4. Acest parametru este determinat de pierderile prin reflexie [factorul (1 – R)]. c) Constantele de timp pentru creșterea fotocurentului (τi) și descreșterea fotocurentului 22 . Parametri fotodiodelor Principalii parametri cu ajutorul cărora sunt caracterizate fotodiodele în vedere aplicațiilor practice sunt: a) Curentul de întuneric Is care reprezintă curentul invers al joncțiunii p–n în absența iluminării la tensiunea de polarizare la care funcționează fotodioda.dintre rezistența fotodetectorului și rezistența de sarcină RL. Pentru regiunea spectrului cu lungimi de undă mici este dificil de realizat o fotodiodă cu coeficient de colectare mare datorită pierderilor care au loc prin procesele de recombinare la suprafață.3.

problema principală este aceea a convertirii cu eficiență mare a energiei solare în energie electrică.Această diferență între constantele de timp pentru cele două tipuri de dispositive se poate înțelege dacă ținem cont de natura proceselor fizice care au loc. Constantele de timp sunt aproximativ egale și au valori cuprinse între 0. depinde de tensiunea de polarizare inversă. astfel că avem câmp electric numai în regiunea de sarcină spațială. când fotodioda este iluminată cu impulsuri dreptunghiulare de lumină. să avem o lărgime a regiunii de sarcină spațială cât mai mare. Alți parametri care caracterizează funcționarea fotodiodelor se definesc ca în cazul celulelor fotovoltaice. d) Capacitatea joncțiunii depinde de parametri constructivi ai fotodiodei și. în cazul joncțiunilor abrupte. pentru fotodiodele obișnuite poate fi cuprinsă între 100 și 500 mW. iar recombinarea la suprafață a purtătorilor minoritari să fie cât mai mică. b) regiunile p și n sunt dopate neuniform.(τd). În cataloage acest parametru este dat pentru tensiunea de polarizare inversă recomandată de producător pentru funcționarea fotodiodei. la fel ca în cazul fotorezistorilor și. de regulå. radiația incidentă provenind de la soare. iar mobilitatea și timpul de via ță ale purtătorilor minoritari sunt constante. caz în care va exista un câmp electric și în regiunile laterale p și n ale joncțiunii iar mobilitatea și timpul de viață pot fi constante sau 23 . În cazul fotoconductorilor concentrațiile purtătorilor de sarcină sunt limitate de procesele de combinare în timp ce în cazul fotodiodelor purtătorii de sarcină generați de radiația incidentă nu mai așteaptă procesele de combinare și sunt antrenați rapid de către câmpul electric intens din stratul de sarcină spațială. Pentru obținerea unui curent de scurtcircuit cât mai mare trebuie să reducem reflexia radiației la suprafața semiconductorului. există două modele fizice de bază: a) regiunile p și n ale joncțiunii sunt dopate uniform.5 ns și 1ns. Regiunile n și p au o contribuție la rezistența serie a celulei solare care trebuie să fie cât mai mică. În construcția celulelor solare. 4. În cazul celulelor solare. se pot defini. Celulele solare Efectul fotovoltaic stă la baza funcționării unei celule solare. au valori cu 2 până la 4 ordine de mărime mai mici decât în cazul efectului fotoconductiv.2. e) Puterea disipată pe fotodiodă (Pd) este determinată de parametrii constructive și.

vor participa la curentul de scurtcircuit. Creșterea curentului de scurtcircuit este de ordinul a 5% datorată în principal diminuării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari ca urmare a barierei pp+ sau nn+ iar a tensiunii de circuit deschis este de 10%. În figura 4.5 până la 1μm. realizarea unei structuri de tipul n+pp+ sau p+pn+ înseamnă apariția unui câmp intern în regiunea bazei în imediata apropiere de suprafață. spre regiunea p+ puternic dopată. În regiunea neutră se creează un gradient al impurităților adică un câmp electric intern. unde: 24 . În figura 4. Figura 4. O parte din electronii fotogenerați în regiunea p. Pentru celulele cu joncțiune dopată neuniform. Structura de celulă solară cu câmp intern Pentru fiecare caz în parte se pot scrie relațiile analitice pentru curentul de scurtcircuit ele puntând fi interpretate conform cu situațiile de interes practic.dependente de valorile acestui câmp. acesta din urmă în principal prin micșorarea curentului de saturație Is. care va determina deplasarea mai rapidă a purtåtorilor minoritari spre joncțiune (datorită vitezei de drift). Celulele solare cu structura n+pp+ au concentrații ale impuritåților donoare mai mari de 1019 cm3 și grosimi ale regiunii p+ de 0. este prezentată schema echivalentă pentru o celulă solară. prezența câmpului electric intern conduce la creșterea curentului de scurcircuit. A fost necesară conceperea unor astfel de structuri în vederea diminuării fenomenului de recombinare a purtătorilor minoritari fotogenerați în regiunea bazei. este prezentată o structură de celulă solară cu câmp intern în regiunea bazei. S-a realizat astfel pe lângă o creștere a purtătorilor fotogenerați și optimizarea celulelor solare. Bariera de potențial care se creează la interfața regiunilor pp+ (sau nn+ la structurile ppn+) se opune deplasării purtătorilor minoritari fotogenerați.1. Deci.1. care s-ar fi pierdut prin recombinare la suprafață. în schimb nu se opune deplasării purtătorilor majoritari.2. respectiv deplasării golurilor.

pierderile prin absorbția radiației incidente în stratele de protecție ale celulei solare.reflexia radiației incidente la suprafața celulei solare.2.grosimile regiunilor p și n ale celulelor solare și distribuția impurităților în regiunile p și n.12 eV foarte apropiată de valoarea optimă de conversie fotovoltaică. Având o structură de benzi energetice indirecte Si are coeficientul de absorbție mic ceea ce permite o adâncime mai mare de pătrundere a radiației solare iar influența recombinării la suprafață va fi mai mică. fotogenerați.timpul de viață al purtătorilor minoritari. policristalină sau amorfă. . . Siliciul monocristalin are lărgimea benzii interzise de 1.G un generator de curent care reprezintă curentul IL datorat purtătorilor fotogenerați. . -coeficientul de absorbție al radiației incidente.: Scema echivalentă a unei celule solare . .procesele de recombinare la suprafață și în volum.Rs este rezistența serie datoraăå regiunilor p și n precum și contactelor. . Pentru realizarea celulelor solare. care duce la diferențe între tensiunea la bornele unei celule solare și tensiunea care cade pe joncțiunea p-n. titan. Costul ridicat al celulelor cu siliciu monocristalin a dus la căutarea și realizarea unor 25 . tantal și de siliciu. este cel mai utilizat semiconductor în oricare din stările.Rsh este rezistența șunt a joncțiunii p-n care influențează curentul de scurgere al joncțiunii p-n (curentul de întuneric). siliciul.intensitatea și distribuția spectrală a radiației incidente. .RL rezistența de sarcină.suprafața utilă a celulei solare.Figura 4. bioxid și nitrură de siliciu cu grosimea de sub un micron. . . Se depun strate dielectrice antireflectante care utilizează materiale ca oxizi de aluminiu. . monocristalină. Performanțele unei celule solare sunt determinate de o multitudine de factori și anume: . deci de câmpurile interne din aceste regiuni.

-se poate dopa atât cu impurități donoare cât și acceptoare. Siliciul amorf oferă avantajele: .coeficientul de absorbție în domeniul spectral al radiației solare este foarte mare.orientare fibroasă (în linie) a cristalitelor. etc. Utilizarea materialelor semiconductoare de tipul AlGaAs/GaAs fac ca influența acestor 26 . Funcționarea celulelor solare în radiație concentrată impune precauții speciale determinate în principal de doi factori fundamentali: . . cu și fără câmpuri interne. heterojoncțiuni. .tehnologiile de obținere sunt mult mai simple.lărgimea benzii interzise se plasează în intervalul (1. Siliciul policristalin se obține pentru diferite mărimi ale granulațiilor având o aranjare numită orientare fibroasă.5-2 eV).dimensiunile cristalitelor så fie mai mari decât lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari. metal-izolator-semicondictor (MIS). cu un ordin de mărime mai mare decât cel a siliciului policristalin. în special curentul de scurtcircuit și eficiența conversiei.se pot realiza celule solare în diverse variante – homojoncțiuni. grosimea celulelor solare fiind de ordinul a câtorva microni. . Celulele solare amorfe pe baza de siliciu amorf dopat cu hidrogen au dezavantajul că sunt instabile în timp și au o sensibilitate mare la vapori de apă ceea ce impune precauții mai mari la încapsularea acestora. în funcție de conținutul de hidrogen.materiale semiconductoare mai ieftine pentru conversia fotovoltaică și de aici cercetările pentru siliciul policristalin și amorf. Costul ridicat al semiconductorilor utilizați pentru realizarea celulelor solare a impus ca o soluție de ieftinire reducerea ariei active a celulelor solare iar pentru a menține sau cre ște puterea debitată se apelează la concentrarea radiației incidente. .temperatura ridicată pe care o capătă datorită concentrării care diminuează parametrii de bază. Schottky. . În utilizarea siliciului policristalin se scot în evidență câteva caracteristici: .rate foarte mari de fotogenerare ceea ce face să crească pierderile prin recombinare precum și prin căderile de tensiune pe rezistența internă.

Optoelectronic Sensors ISTE Ltd and John Wiley & Sons. Optoelectronica. Joseph Harari.Transilvania” Brașov. Didier Decoster.factori să fie mult redusă astfel că celulele solare pot fi utilizate până la concentrări foarte mari ale radiației solare.. Inc.. Sorin Constantin Zamfira. Bibliografie 1.2009 27 . Editura Universității .2004 2. chiar de 5000 de sori.