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COURS TGEL BUTS ET OBJECTIFS Utilisation simple, en commutation et en basses frquences dun transistor MOS

TRANSISTOR MOS
(Mtal, Oxyde, Semis conducteur )

TRANSISTOR MOS.doc 12/02/2002

PREREQUIS : Lois gnrales de llectricit. Notions d'lectrostatique ( condensateur ). Cours sur le transistor bipolaire. Notion de rsistance thermique ( pour la dernire question de l'exercice seulement )

Dure approximative de l'tude : Chapitre 1 Chapitre 2 Chapitre 3 Chapitre 4 et 5 : : : : 1/2H 1/4H 1/4H 1H

SOMMAIRE

1.) CONSTITUTION ______________________________________________________ 2


1.1.) Notion de dopage ________________________________________________________ 2 1.2.) Constitution simplifie d'un transistor MOS canal N___________________________ 3

2.) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES ___________________________________ 4 3.) EXPLOITATION DE FICHES TECHNIQUES ET SYMBOLE ________________ 5 4.) EXERCICE ( Commande de moteur ): _____________________________________ 7 5.) SOLUTION DE L'EXERCICE ___________________________________________ 8

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1.) CONSTITUTION
1.1.) NOTION DE DOPAGE
En lectronique nous utilisons principalement du silicium sous forme cristalline. Dans ce cristal chaque atome partage les lectrons de sa couche priphrique ( couche de valence ) avec ses voisins. Ceci a pour consquence de la complter, ce qui implique une mauvaise conduction du courant lectrique ( les lectrons ont du mal se dplacer ). lectron noyau

Pour faciliter la conduction on peu, introduire des atomes d'un matriau possdant 5 lectrons sur sa couche priphrique, l'lectron excdentaire sera mobile et pourra se dplacer facilement. Dans ce cas le cristal sera dop de type N.

On peu galement introduire des atomes d'un matriau ne possdant que 3 lectrons sur sa couche priphrique, l'lectron manquant fera un trou dans la structure pouvant accepter temporairement un lectron. Dans ce cas le cristal sera dop de type P. Une diode est la juxtaposition d'une zone dope N avec une zone dope P.

Zone N

Zone P

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1.2.) CONSTITUTION SIMPLIFIEE D'UN TRANSISTOR MOS CANAL N


Dans un semis conducteur dop P sont crs deux zones ( caissons ) dops N. Une mtallisation est cres sur chacun constituant ainsi les broches appeles respectivement Drain et Source. Une troisime broche est cre, la Gate ou Grille qui sera spare du semis conducteur par une couche isolante d'oxyde de silicium (SiO2). DRAIN GATE SOURCE

N P

Si nous polarisons ce cristal par une tension VGS positive, nous allons voir apparatre en regard de la mtallisation de grille des charges ngatives ( ne pas oublier que la mtallisation de grille est spare du cristal par une couche d'isolant, nous avons donc affaire aux deux armatures d'un condensateur).Ceci crera un canal de type N reliant le Drain la Source. De ce fait un courant lectrique pourra circuler du drain vers la source. La largeur du canal ( donc sa rsistivit ) sera contrl par la tension VGS . Plus celle-ci sera grande, plus le canal sera large, et donc plus le courant traversant le transistor pourra tre important.

IDS

VGS

VDS

Si nous polarisons ce cristal par une tension VGS ngative, nous allons voir apparatre en regard de la mtallisation de grille des charges positives. Celles-ci vont renforcer le caractre P du cristal. La diode en inverse cre par la jonction PN entre le Drain et la Source empche la circulation d'un courant. Le transistor est bloqu. VGS

VDS

CONCLUSIONS La structure d'entre de ce transistor est un condensateur. De ce fait ( une foi ce condensateur charg ) aucune nergie n'est demande au circuit de commande. Nous avons une commande en tension. Nous obtenons une sorte de rsistance entre drain et source ( RDS ) dont la valeur varie en fonction de la tension entre grille et source ( VGS ). Pour une tension de commande VGS suffisante la zone de conduction occupera la totalit du cristal, le transistor sera satur. On notera dans ce cas la rsistance entre drain et source obtenue RDS ON. En tudiant la structure de ce transistor on s'aperoit qu'il existe une jonction PN crant une diode parasite entre le drain et la source. Nous retrouverons cette diode sur certaines reprsentation de ce type de transistor.

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2.) CARACTERISTIQUES PRINCIPALES


Comme pour un transistor bipolaire nous pouvons tracer un rseau de caractristiques IDS en fonction de VDS pour diffrentes valeurs de VGS. Vous remarquerez que ib a t remplac par Vgs , la commande est donc une tension.

On donne la fonction de transfert ID = g VGS g sera assimil une admittance, l'unit sera le Siemens. Bien videmment on peut utiliser ce transistor en amplification dans sa zone linaire, mais le domaine d'application de ce type de transistor est surtout la commutation.. A la saturation ( la relation ID = g VGS n'est plus valable ) le transistor se comportera comme une faible rsistance. Du fait de la constitution de ce transistor, plus celui-ci est conut pour commuter un courant lev, plus le canal qui devra tre cre devra tre important. On peut donc en conclure que plus un transistor est de forte puissance, plus la rsistance RDS ON sera faible. De quelques centime d'ohms pour des transistors de fortes puissances quelques kilo ohms pour des transistors intgrs. Ceci est une application direct de la relation

R=

l
S

ou :

: est la rsistivit du matriau en m l : la longueur du conducteur ( paisseur du canal ) S : la surface du matriaux ( section du canal ) Plus le transistor est de forte puissance, plus S devra tre important ( pour laisser passer le courant ), de ce fait la rsistance sera d'autant plus faible. On peut remarquer qu'il n'y a pas de coefficients de sursaturation, le transistor sera satur quelque soit le courant demand pour une valeur de VGS suffisante.

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3.) EXPLOITATION DE FICHES TECHNIQUES ET SYMBOLE


Source Symbole d'un transistor MOS enrichissement, canal N Grille

ou
Drain Drain

Symbole d'un transistor MOS enrichissement, canal P

Grille

ou
Source

Certaines reprsentations font apparatre la diode parasite entre drain et source. C'est le cas de la fiche technique donne page suivante, remarquez le sens de la diode. Nous ne dtaillerons ici que les paramtres importants. Il est bien vident que tous ceux-ci ne seront pas forcment utiliss, cela dpendra de l'application. Absolute Maximum ratings : Caractristiques maximales ne pas dpasser sous peine de destruction du composant. Il est bien vident qu'on doit se tenir le plus loign possible de ces valeurs. Electrical caracteristiques : Caractristiques lectrique du circuit. I0: Courant de drain maximum supportable. Attention cette donne n'est valable que si le transistor peut dissiper toute la puissance qu'on lui demande d'vacuer. P0 : Attention , cette donne est totalement inutile, vous ne devrez jamais l'utiliser dans vos calculs. Elle ne peut servir que pour comparer deux transistors. En effet cette puissance que peut dissiper le transistor n'est que thorique, elle est donne par le constructeur pour une temprature du botier de 25C ( en gnral ), ce qui est impossible ( cela correspondrai un dissipateur de taille infini..). OFF Caractristics : caractristiques du transistors bloqu. BVDSS : tension maximum supportable entre drain et source lorsque le transistor est bloqu. Au del de cette valeur il y destruction par claquage ( breakdown ) du transistor. IDSS et IGSS : courant de fuite lorsque le transistor est bloqu. On peut not que cette valeur est assez faible et est rarement utile. Nota : en gnral lorsque la fiche technique d'un semis conducteur ne donne pas deux parties distinct pour les caractristiques du composants passant et bloqu, ces dernires portent l'indice 0 : BVDSS0 , IDSS0 et IGSS0 etc.. ON Caractristics : VGS(th) : Tension au de la de laquelle le transistor est considr comme satur. RDS(on) : Rsistance du canal drain/ Source lorsque la transistor est satur. Gfs : Transcondence, c'est le paramtre qui lie la grandeur 'entre ( VGS ) la grandeur de sortie ( IDS ) en linaire. L'unit est bien videmment le Siemens, nanmoins on peut trouver la plus grande fantaisie quant sa notation : S, pour Siemens, ou -1 ce qui peut s'expliquer, mais plus fantaisiste mho, ou peuvent galement se rencontrer. ton toff : Respectivement, temps ncessaire pour saturer ou bloquer le transistor.

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Rfrence - BS170 et type de transistor - MOS canal N

Brochage et symbole

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4.) EXERCICE ( COMMANDE DE MOTEUR ):


Alimentation des circuits logiques U1 et U2 en 5V Caractristiques du moteur : Un = 24 V Pn = 100 W R froid = 0,6 Caractristique des transistors : IRF640 MOS canal N VGS(th) = 2 V 4 V RDS(on) = 0,18 ID(on) = 18 A IDM = 72 A ( pulsed ) VDSS = 200 V ITOT = 125 W RTHJ-amb = 62,5 C/W RTHc-sink = 0,5 C/W amb = 105 C IRFZ28 MOS canal P VGS(th) = -2 V -4 V RDS(on) = 0,3 ID(on) = -11 A IDM = -55 A ( pulsed ) VDSS = -60 V ITOT = 125 W RTHJ-amb = 62,5 C/W RTHc-sink = 0,5 C/W amb = 105 C 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. ) Pourquoi avoir utiliser ici une porte collecteur ouvert pour U1. Utilit de la rsistance R1. ) Quel niveau logique doit-on avoir en VE1 et Ve2 pour commander le moteur. ) calculez le courant dans le moteur en rgime tabli. ) Ou est la diode de roue libre. ) Calculez le courant de pointe de dmarrage du moteur. ) Ce transistor est-il adapt pour l'usage voulu : ( tension et courant ) ) Ces transistors ont-ils besoin d'un dissipateur ?.

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5.) SOLUTION DE L'EXERCICE


1. L'alimentation du moteur est de 24 V, or le circuit de commande ( U1 ) est aliment en 5 V . De ce fait le transistor M1 sera toujours passant avec un circuit classique puisque sa tension maximum en sortie ne peut dpasser son alimentation. Le collecteur ouvert permet d'avoir une tension de sortie fix par la rsistance de tirage R1, ce qui permettra la blocage du transistor. Pour que le moteur tourne il faut que les deux transistors soit passant. - Pour M1, transistor MOS canal P : Le VGS de ce transistor doit tre ngatif, la sortie de la porte logique doit tre au niveau bas. Cette porte tant inverseuse, l'entre ( VE1 ) doit tre au niveau haut. - Pour M2, transistor MOS canal N : Le VGS de ce transistor doit tre positif, la sortie de la porte logique doit tre au niveau haut. Cette porte tant inverseuse, l'entre ( VE2 ) doit tre au niveau bas En rgime tabli le courant dans le moteur sera : I =

2.

3. 4.

P 100 = = 4.17 A Un 24

La diode de roue libre ( ncessaire pour dcharger la bobine du moteur au moment ou le courant s'interrompt ) est la diode parasite comprise dans les transistors MOS. En gnral cette diode n'est pas assez rapide et on place en parallle ( entre drain et source ) du transistor une diode rapide ( diode schottky ) Au dmarrage la force contre lectromotrice du moteur est nulle, de ce fait le courant n'est limit que par la rsistance du fil constituant les enroulements du moteur.

5.

I=

RDSON ( M 1)

Vcc 24 = = 22,2 A + RMoteur + RDSON ( M 2 ) 0,18 + 0,6 + 0,3

Remarque : Vous remarquez l'importance des rsistances des transistors. Dans le cas prsent celles-ci sont trs loin d'tre ngligeable. 6. Les transistor peuvent-ils convenir : nous comparerons donc les caractristiques demandes par le montage et celles du plus mauvais des transistors. - Courant dans le moteur en rgime tabli 4,17 A < 11A supportable continu admissible par M2. - Courant dans le moteur au dmarrage 22.2 A < 55 A supportable par M2 en impulsionnel. - Tension maximum sur les transistors 24 V < tension maximum supportable VDSS = 60 V par M2. Les transistors seront donc utilisables. Remarque : notez que le courant dans le drain du transistor est ngatif. Cela est du la convention des lectroniciens qui veut que les courants soient toujours compts positifs s'ils entrent dans le circuit. 7. Pour savoir si on a besoin d'un dissipateur il faut connatre la puissance dissiper, puis calculer la rsistance thermique ncessaire pour dissiper celle-ci. On comparera ensuite cette rsistance avec les donnes constructeur. La puissance dissipe lors du dmarrage du moteur ne correspond qu' un rgime transitoire trs bref. L'lvation de la temprature tant un phnomne trs lent, elle ne sera pas prise en compte.

On se basera sur le transistor ayant dissiper la plus grande puissance, donc celui avec la plus grande rsistance l'tat passant. P = R I 2 = 0,3 x 4,17 2 = 5,22 W

R=

J amb
P

J amb
P

150 50 = 19,16 C / W < 62,5 C/W 5,22

Un dissipateur est donc ncessaire : Rth = 19,16 - 0,5 = 18,66 C/W Le dissipateur doit donc avoir une rsistance thermique infrieur 18,66 C/W
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