TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET

)

1. MEDICIÓN DE LOS PARÁMETROS DE UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.

Circuito:

Fig. 2.1.a) Circuito de polarización de FET para medir IDss.

Fig. 2.1.b) Circuito de polarización de FET para medir VGSoff.

Materiales:

1 transistor FET 2N5457, MPF102 o similar 2 Fuentes de alimentación continua variables de 0v a 25v. 1 Plaqueta experimental. Conectores varios.

Procedimiento: a) Armar el circuito de la Fig. 2.1.a), variar el valor de VDS desde 0v hasta 15v, medir el valor de la corriente de drenador IDss. Completar la tabla 2.1.a) b) Armar el circuito de la Fig. 2.1.b), ajustar VDS = 10v y variar VGS= - Vgg desde 0v hasta -10v, medir el valor de la corriente de drenador ID. Completar la tabla 2.1.b)

4 12.1.c).26m 0.1.30m 10 90.1.6 73.2 86.b) c) Graficar la curva característica de salida para los datos de la tabla 2.6 17.58m 0.1.9 -10 0 TABLA 2.2 1.5m TABLA 2.3 -0.8 71.4 84. d) Graficar la curva característica de transferencia para los datos e la tabla 2.7u 0.a).5 -0.3 6V TABLA 2.a) VGS (v) ID (mA) 0 90.c).9 -1 67.7 -3 27.80m 1 38. VDS IDss VGSOFF 10v 90.Electrónica Analógica Tabla: Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 VDS (v) ID (A) 0 8.40m 15 90.60m 3 76.4 -5 5.40m 5 90.b). e) A partir de los gráficos realizados determinar los valores de I Dss y VGSOFF = VP para VDS = 10V.1.1.2 -0.8 -0. anotar los valores obtenidos en la tabla 2. Gráficos: Curva característica de salida Curva característica de transferencia 2 .

0274 0.0.2 -0.0904 0.2 .0719 0.0000087 0.0386 0.0719 0.4 0.0178 0.0902 0. -->PLOT(VGS.6 1 3 5 10 15 ] VDS = 0.0274 0.0733 0.10. .1. 3.0733 0.0.0000087 0.6 . . .6 1.6 -0.0903 0.2 0.00158 0.8 -1 -3 -5 -10] !--ERROR 4 UNDEFINED VARIABLE : VGS -->VGS=[0 -0.4 -0.0868 0.8 -1 -3 -5 -10] VGS = 0. -->ID=[0. 10.0.ID) DATOS INGRESADOS EN SCICOLAB PARA GRAFICAR CURVA DE TRANSFERENCIA -->VGS[0 -0.6 -0.0.0845 0.0845 0.8 .0677 0. 5.0905] ID = 0.0178 0.3.0902 0.0677 0. 15.2 -0.2 0.0868 0.0059 0. -->ID=[0. ID) 3 .01226 0.0905 0.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 DATOS INGRESADOS EN SCICOLAB PARA GRAFICAR CURVA DE SALIDA -->VDS=[0 0. 0.4 0.0903 -->PLOT(VDS.5.4 .00158 0.0764 0.0904 0.4 -0.0764 0.01226 0. .0386 0.0059 0] ID = 0.

1 Plaqueta experimental.2. MPF102 o similar 1 Resistencia RD = 1 Resistencia RS = 1 Resistencia RG =    1 Fuente de alimentación continua de 20V. d) Normalizar los valores de resistencias calculados y anotarlos a continuación. Circuito: Fig.2 calcular los valores de RD y RS para : ID = IDss/2 y VDS = 10V. Materiales: 1 transistor FET 2N5457. b) Calcular RG para que el amplificador en surtidor común tenga una impedancia de entrada (Zin) de 270K c) Realizar los cálculos necesarios para completar la fila de valores calculados en la tabla 2.2.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 CIRCUITO AUTOPOLARIZADO.2. Procedimiento: a) Para el circuito de la Fig. Calcular los valores de tensión y corriente necesarios para completar la tabla 2. Conectores varios. 2. RD =180  RS = 39   RG =270k e) Recalcular el punto Q para los valores de resistencias normalizados. en la fila valores recalculados.2 Circuito autopolarizado del transistor de efecto de campo FET. 4 .

8 VGS(v) -1.9 0 0 IG(mA) 5 .9 ID(mA) 45.2. g) Comprobar el funcionamiento del circuito usando un simulador para PC recomendado por el docente y anotar los valores en la fila simulación.1 49.1 50. y realizar las mediciones necesarias para completar la tabla 2. 2.6 VDS(v) 10 8. Tabla: Valores Calculados Medidos Simulación Tabla 2.5 IS(mA) 45.2.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 f) Armar el circuito de la Fig.75 1. en la fila de valores medidos. VDD(v) 20 19.75 -1.9 VRS(v) 1.2.

3. Procedimiento: a) Para el circuito de la Fig.2. Conectores varios. RS. MPF102 o similar 1 Resistencia RD = 1 Resistencia RS = 1 Resistencia R1 = 1 Resistencia R2 =     1 Fuente de alimentación continua de 20V. c) Normalizar los valores de resistencias calculados y anotarlos a continuación. en la fila valores recalculados. Calcular los valores de tensión y corriente necesarios para completar la tabla 2. 2. b) Realizar los cálculos necesarios para completar la fila de valores calculados en la tabla 2.3 calcular los valores de RD. R1 y R2 tomando ID = IDss/2 y VG = VDD/10 y VDS = VDD/2 . RD =  RS =  R1 =   R2 =  d) Recalcular el punto Q para los valores de resistencias normalizados. Circuito: Fig.3 Circuito de polarización por divisor de tensión para transistor de efecto de campo FET. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 2. Materiales: 1 transistor FET 2N5457.3. 1 Plaqueta experimental. 6 .

Tabla: Valores Calculados Recalculados Medido Simulación Tabla 2. 7 . Polarización por divisor de tensión. 2. valores recalculados. b) Junto con el docente y sus compañeros compare los resultados obtenidos y discútalos en el aula. valores medidos y valores con simulador. en la fila de valores medidos.Electrónica Analógica e) Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 Armar el circuito de la Fig. b) Marcar en cada gráfico el punto Q correspondiente a cada recta. Conclusiones: a) De los gráficos obtenidos analice las posibles variaciones de los puntos de trabajo y redáctelas.3. Circuito autopolarizado. c) Para realizar los gráficos usar los cuadros a continuación.3. y realizar las mediciones necesarias para completar la tabla 2. VDD(v) VDS(v) VGS(v) VRS(v) VG(v) ID(mA) IG(mA) Gráficos: a) Realizar para cada polarización la representación gráfica de la recta de carga en cada caso: valores calculados. f) Comprobar el funcionamiento del circuito usando un simulador para PC recomendado por el docente.3.

Conectores varios.4. ajustar VDD hasta que VDS = 1v. Tabla: VDS = 1v VGS 0 -1V -2V VGSOFF Tabla 2. Procedimiento: a) Armar el circuito de la Fig. medir ID y anotarlo en la tabla 2.4.4. APLICACIÒN COMO RESISTENCIA VARIABLE Circuito: Fig.4. Para cada conjunto de valores de VDS e ID calcular la resistencia equivalente del canal y anotarlo en la tabla 2. 1 Plaqueta experimental. b) Ajustar VGS = 0v. 2. ID RDS = VDS/ ID 8 . MPF102 o similar 2 Fuentes de alimentación continua variables de 0v a 25v.4 Circuito de polarización para determinar la resistencia equivalente del canal en el transistor de efecto de campo. ajustando previamente las dos fuentes a 0v. Materiales: 1 transistor FET 2N5457. 2. c) d) Repetir el paso anterior hasta completar la tabla 2.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 3.4.

Gráfico de RDS en función de VGS Conclusiones: a) Junto con el docente y sus compañeros analice los resultados obtenidos y discútalos en el aula.Electrónica Analógica Gráfica: Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 a) Realizar la gráfica de RDS en función de VGS. b) Utilice para el gráfico la cuadrícula a continuación. 9 .

1.1. 4. Zo impedancia de salida. 1 Plaqueta experimental. 4. Materiales: 1 transistor FET 2N5457. 10 . Circuito de amplificador en surtidor común con transistor de efecto de campo FET . AMPLIFICADOR EN SURTIDOR COMÚN. Circuito: Fig. C1 = C2 = C3 Capacitores de 10uF x 25v Frecuencia de 1kHZ Conectores varios. MPF102 o similar 1 Resistencia Rg = RG 1 Resistencia RL = Rd = 1 Resistencia Rs =   1 Fuente de alimentación continua de 20V. Procedimiento: a) Para el circuito de la Fig. calcular los valores de: Zi impedancia de entrada.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 Observación: Para los circuitos planteados determine Rd y Rs para: ID = IDSS/2 y VDS = 10V.

Vi.1.1.b) en la fila SIMULACIÓN. Zo AVO AVL Ai Vg Vi Vo VL 11 .1. 4. Vo (señal de salida sin carga. mantener el interruptor S1 abierto) y VL (señal de salida con carga. Utilizar los valores de resistencias de polarizaciòn de la práctica Nº 2. e) Anotar los valores medidos en la tabla 4.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) Agosto 2012 AVO ganancia de tensiòn sin carga (interruptor S1 abierto) AVL ganancia de tensiòn con carga (interruptor S1 cerrado). Zi CALCULADO MEDIDO SIMULACIÓN TABLA 4.d). h) Armar el circuito de la Fig. anotar los valores calculados en la tabla 4.1.b) i) Colocar un condensador en paralelo con la resistencia de surtidor (solicitar al docente del curso el valor del mismo o la forma de calcularlo) y repetir los pasos c) a h) para las tablas 4.a) f) Con los valores obtenidos en la tabla 4. d) Medir Vg.1. Zo.c) y 4.4. AVL y Ai. mantener el interruptor S1 cerrado). AiL ganancia de corriente con carga (interruptor S1 cerrado). g) Anotar estos valores en la tabla 4.1. c) Ajustar el valor de Vg hasta obtener la máxima señal de salida posible sin carga y sin distorsión (Sw1 abierto).b) en la fila de valores medidos.1.a) calcular los valores de: Zi.1 en un programa de simulación para PC y completar la tabla 4. AVO.1.b) b) Armar el circuito de la Fig.1.1.a) Vg Vi Vo VL TABLA 4.

c) TABLA 4.1.Electrónica Analógica Practica 1 (Transistores FET) TABLA 4.d) Agosto 2012 Zi CALCULADO MEDIDO SIMLACION Zo AVO AVL Ai Comparar y discutir los resultados obtenidos para los casos en que el amplificador está con carga y sin carga 12 .1.