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ELECTRNICA

CODIGO: G06211

LABORATORIO N 4

El Transistor bipolar

Alumno : Grupo Semestre Fecha de entrega D II

Flores Soto Edgar Guillermo Chambi Roque, Humberto Huamanquispe Vargas, Marcos Docente: Baker Carpio Cabrera Hora: Nota:

08 05 13

Laboratorio de Electrnica

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I.

INTRODUCCIN

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones: Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector, ligeramente dopada. Colector, de extensin mucho mayor, su dopaje es intermedio. En este laboratorio nos encargaremos a estudiar al transistor y cules son sus funciones. II. OBJETIVOS Obtener las curvas caractersticas de amplificacin de corriente. Analizar el modo de operacin del circuito de emisor comn como interruptor. III. MATERIAL Y EQUIPO

Protoboard

Multmetro digital.

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Transistor

Fuente 1/2W

de

tensin

continua

UB=0V

Resistencias

Conectores

IV.

Seguridad en la ejecucin del laboratorio

Tener cuidado con el tipo y niveles de voltaje que suministran a las tarjetas.

Antes de utilizar el multmetro, asegurarse que est en el rango y magnitud electrnica adecuada. Tener cuidado en la conexin y desconexin de los equipos usados

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Implementos de seguridad de uso obligatorio

V.

Fundamento Terico Los transistores bipolares son componentes semiconductores activos. Estos tienen dos junturas PN y por lo tanto tres capas consecutivas de materiales semiconductores dopados diferentemente. Las tres capas se denominan emisor, base y colector. El emisor (latnemitere) suministra los portadores de carga. El colector (latnemitere) suministra los portadores de carga. El colector (latn, colector) los recolecta nuevamente. La base (latn, basis) es el elemento de control. Para alcanzar un efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en direccin directa y la juntura base-colector en direccin inversa. Con una pequea corriente de control fluyendo en la base. Se puede influenciar una corriente principal considerablemente mayor fluyendo en el colector. La relacin entre la variacin de corriente de colector (lC) y la variacin de corriente de base (lB) se denomina Amplificacin de Corriente ()

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VI.

PROCEDIMIENTO 5.1 Verificacin del dispositivo Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales (base, emisor y colector) usando el ohmmetro, reporte las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente). Terminales Base-Emisor Base-Colector Colector-Emisor Zpol. directa() 5.66 M 5.50 M 0L Zpol. inversa() 0L 0L 0L

5.2 Obtencin esttica de la curva caracterstica base emisor Arme el circuito; coloque Vbb a cero y ajuste Vcc hasta tener un voltaje Vce=1V, mida Vbe e Ib (aplique ley de ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); para cada nuevo valor de Vbb reajuste Vcc para mantener Vce=1 V y complete la tabla.

Vbb (Volts) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Vbe (Volts) -0.005 0.460 0.547 0.569 0.579 0.589 0.595 0.599 0.603 0.607 0.610

Ib (A) 0.2 0.4 2.8 5.6 7.6 10.2 12.4 14.8 17.1 19.7 22.0

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Vce = 1V Grafique Vbe vs Ib

5.3 Curva caracterstica Colector-Emisor Arme el circuito; coloque Vcc a + 12 Volts y ajuste Vbb hasta tener una corriente de base Ib = 12A (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste Vcc a cero y complete la tabla.

Vcc(Volts) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Ib = 12 A

Vce (Volts) 0 0.294 0.495 0.717 1.696 2.619 3.554 4.577 5.588 6.534 7.55 8.44 9.46

Ic (mA) -0.01 0.38 0.78 1.17 1.19 1.21 1.21 1.22 1.24 1.24 1.24 1.28 1.29

-0.83 31.6 65 97.5 99.2 100.8 100.83 101.6 103.3 103.3 105 106.6 107.5

= -

= -0.83mA

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Grafique Vce vs Ic

5.4 Polarizacin del transistor La polarizacin de un transistor determina el punto de trabajo en el que se encuentra. Arme el circuito; determine tericamente el punto de trabajo del transistor. Si R1=10K, R2=2.2K, Rc=4.7K, Re=1K, Vcc=9V

Complete la tabla:

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Pgina MEDIDAS TEORICA VB VE VC VBE VCE VR2 VR1 VRC IB IC

1.62V 0.92V 4.67V 0.7V 3.75V 1.62V 7.38V 4.58V 8.94A 0.92mA

PRACTICA 1.62V 0.93V 8.98V 0.7V 3.44V 1.62V 7.38V 4.58V 3.56A 0.97mA

REALICE AQU TODOS LOS CLCULOS NECESARIOS: VBB= *9 = 1.62V

VE=1.62-0.7 =0.92V IE=

=0.92mA = Ic

Vc=9V-0.92mA*4.7K
Vc=4.67V VcE=4.67-0.92
VcE=3.75V

Grafique recta de carga y ubique el punto de operacin:

6. Aplicaciones de Transistor 6.1 El Transistor como interruptor Implemente el circuito de medicin segn este esquema y aplique la tensin de operacin UB=+6V

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Realizar las mediciones y anotarla en la tabla adjunta

Posicin S1 PARAMETRO Ic IB VBE VCE VRB TEORICO 64.8mA 5.3mA 0.7V 1.90V 5.3V PRACTICO 65.8mA 5.55mA 0.703V 1.833V 5.6V PARAMETRO Ic IB VBE VCE VRB

Posicin S2 TEORICO 0 0 0 3.6V 0 PRACTICO 0 0 0 3.6V 0

Para cada caso graficar la recta de carga

Explique el funcionamiento de este circuito, indicado que ocurre con las corrientes en la base y en el colector para cada posicin de la llave (S1 y S2).

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Pgina En el circuito mostrado vemos que la corriente busca tierra por lo tanto cuando est en circuito cerrado la lmpara no prendera

En la posicin S2 que representa la corriente Ic Representa la corriente del colector hacia la lmpara esta corriente colecta electrones de la base inyectadas por el emisor en esa zona se forma una malla.

VII.

OBSERVACIONES

VIII.

CONCLUSIONES

IX.

BIBLIOGRAFIA:

Profesores, (2013). Gua de LABORATORIO ELECTRNICA. Arequipa: TECSUP.