ESCUELA UNIVERSITARIA

DE

INGENIERÍA TÉCNICA INDUSTRIAL

ELECTRÓNICA ANALÓGICA – CUESTIONARIO

DE

DE

BILBAO

REPASO - (09-10-2007)

1er APELLIDO: ....................................................................................................................... .......
2º APELLIDO:

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NOMBRE:

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1. En el modelo de bandas de energía, ¿qué debe ocurrir para que un electrón salte de la
banda de valencia a la de conducción?
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2. Aislantes, conductores y semiconductores...
a) ¿Cuál es la característica principal del modelo de bandas de energía de un
metal?
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b) ¿En qué se parecen los modelos de bandas de energía de un aislante y un
semiconductor? ¿Y en qué se diferencian?
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c) Hablando de conducción de corriente, ¿cuál es la principal ventaja de un
semiconductor?
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3. Indica si las siguientes afirmaciones acerca de los semiconductores son verdaderas o falsas,
y en el caso de que sean falsas, razona la respuesta.
a) En un semiconductor intrínseco a temperatura ambiente, el número de
electrones es mayor que el número de huecos
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b) En cualquier tipo de semiconductor, la rotura de un enlace covalente ocasiona la
creación de un par electrón – hueco
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c) El proceso de recombinación de pares electrón – hueco se da cuando un electrón
ligado a un enlace covalente salta a un hueco de un enlace covalente incompleto
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d) En un semiconductor intrínseco, con T < 300ºK, los electrones provienen de las
impurezas donadoras y los huecos de las impurezas aceptadoras
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e) A temperatura ambiente, un semiconductor que no sufre ningún tipo de
perturbación externa se dice que está en equilibrio termodinámico
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f)

Un semiconductor extrínseco es un semiconductor al que se le han añadido
impurezas para alterar la probabilidad de ocupación de las bandas, y por lo
tanto, aumentar la conductividad

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g) Un semiconductor extrínseco de tipo n es un semiconductor en el que un
determinado porcentaje de sus átomos de silicio o germanio tiene un quinto
electrón
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h) Un semiconductor extrínseco de tipo n es un semiconductor con impurezas
aceptadoras, es decir, con tres electrones en la última capa
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i)

A altas temperaturas (T > 300ºK) un semiconductor extrínseco se comporta
como un semiconductor intrínseco

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j)

En un semiconductor extrínseco de tipo n, además de la formación de pares
electrón – hueco, se liberan también electrones no enlazados provenientes de la
impurezas

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k) En un semiconductor extrínseco de tipo n, el número de electrónes generados a
partir de la rotura de enlaces covalentes es igual al número de huecos
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l)

En un semiconductor extrínseco de tipo n, el huecos generados a partir de la
rotura de enlaces covalentes es menor que el número de electrones

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m) Un semiconductor de tipo p se obtiene eliminando todas las impurezas de un
semiconductor intrínseco
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n) Un semiconductor de tipo n tiene un mayor conductividad que uno de tipo p
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4. ¿Cuál es la causa que provoca el mecanismo de arrastre? ¿Y el de difusión?
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5. Explica qué es y cómo se forma la zona de deplexión de una unión PN en equilibrio

termodinámico
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6. Define la tensión umbral de un diodo
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7. ¿A qué se debe la inyección de portadores mayoritarios que tiene lugar en un diodo
directamente polarizado?
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8. Explica brevemente la naturaleza de la corriente inversa de saturación de un diodo
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9. Explica en qué consiste el fenómeno de ruptura por avalancha de un diodo
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10. A partir de la expresión que relaciona la corriente y tensión en un diodo, justifica que la
corriente que atraviesa un diodo inversamente polarizado es la corriente inversa de
saturación.

11. Indica cuál de las siguientes afirmaciones es cierta, y en el caso de que no lo sea, razona la
respuesta:
a) En una unión pn el ánodo es la región de material semiconductor de tipo n
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b) La acumulación de impurezas ionizadas no compensadas crea un dipolo
causante de un campo eléctrico que favorece el movimiento de portadores por
difusión
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c) La anchura de la zona de deplexión disminuye cuando la unión PN se polariza
inversamente
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d) La polarización directa de una unión PN provoca una inyección de portadores
minoritarios
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e) A una temperatura dada, al aumentar la tensión inversa aplicada, siempre
aumenta la corriente inversa de saturación
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f)

El valor de la corriente que atraviesa un diodo en polarización directa es similar
al de polarización inversa

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g) Un diodo polarizado en directa tiene menor tensión en el ánodo que en el cátodo
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