Politechnika Lubelska

w Lublinie
Laboratorium Teorii Pola
Ćw. nr 5
Nazwisko i imię:
Tryka Marcin
Szawuła Albert
Szalast Przemysław
Semestr:
IV
Grupa:
ED 4.5
Rok akademicki:
2008/2009
Temat ćwiczenia:
Modelowanie pól płaskich na papierze
elektroprzewodzącym.
Data wykonania:
26.03.2009
Ocena:
1. Cel ćwiczenia:
Zapoznanie się z kształtem pól i ich właściwościami dla różnych kształtów
przewodnika. Symulacja tych pól na komputerze i wyznaczanie różnych wielkości
polowych.
Układ pomiarowy:
Zasilacz
V
A
Wykonanie ćwiczenia:
1. Modelowanie pól płaskich na papierze elektroprzewodzącym.
Parametry papieru elektroprzewodzącego:
R

=1190 Ω; ρ=Rh; h=0,132 mm
Uzyskane wykresy linii ekwipotencjalnych są narysowane na załączonych kartkach
papieru kancelaryjnego. Wyznaczenie pola przeprowadziliśmy rysując wspólny obraz linii
ekwipotencjalnych modelu prostego i odwrotnego. (rys. nr 1)
Pomiary wykonano dla napięcia U=10V
Wartości prądu przy badaniu poszczególnych pól:
1. Układ walcowy ( metoda zadania odwrotnego ) I=3,3mA;
2. Układ walców współosiowych I=23mA;
a) Wykonuję potrzebne obliczenia do wykreślenia natężenie pola elektrycznego
oraz potencjału w funkcji odległości od osi symetrii układu E=f(r) oraz V=f(r).
Dla policzenia wartości natężenia pola elektrycznego korzystam ze wzoru:
r
V
E


·
ΔV[V] Δr[m] E[V/m]
2 0,015
133,333
3
1 0,006
166,666
7
1 0,007
142,857
1
1 0,009
111,111
1
1 0,01 100
1 0,013
76,9230
8
1 0,017
58,8235
3
1 0,018
55,5555
6
[ ]
[ ]
]
]
]

· ·


·
m
V
m
V
r
V
E 3333 , 133
015 , 0
2
Wykres zależności natężenia pola od środka symetrii układu
Wykres zależności potencjału od środka symetrii układu
b) Wyznaczam wykres gęstości prądu w funkcji promienia J=f(r)
K
S
I
J ·
;
h r S
K K
⋅ · π 2
S
K-
pole powierzchni walca o promieniu r
K
i wysokości h.
h=0,132 mm
I=23 mA
rk[m] J[A/m
2
]
0,015 1848,77
0,021 1320,55
0,028
990,412
3
0,037
749,501
2
0,047
590,032
8
0,06
462,192
4
0,077
360,149
9
0,094
295,016
4
Przykładowe obliczenia:
[ ]
[ ] [ ]
]
]
]

·
⋅ ⋅ ⋅
·

·
2
77 , 1848
000132 , 0 015 , 0 2
023 , 0
2 m
A
m m
A
h r
I
J
K
π π
Wykres zależności gęstości prądu od środka symetrii układu
l
r
r
I
U
R J J E
r
r
r
U
E
P
⋅ ⋅
· · ⋅ · · ·
γ π
ρ
γ 2
ln
1
ln
1
2
1
2
Rezystancja przejścia: R
p
=U/I=434,78[Ω]
3. Przewodnik o zmiennym przekroju I=2,6mA;
Na rys. nr 2 załączam rozkład linii ekwipotencjalnych dla tego przewodnika.
l
1
=0,022m s
1
=l
1
⋅h=0,022⋅0,132⋅10
-3
=2,9⋅10
-6
m
2
l
2
=0,02m s
2
=l
2
⋅h=0,02⋅0,132⋅10
-3
=2,64⋅10
-6
m
2
l
3
=0,018m s
3
=l
3
⋅h=0,018⋅0,132⋅10
-3
=2,38⋅10
-6
m
2
Rezystancja przejścia wyznaczona doświadczalnie:
Ω ·

,
`

.
|
+ + ⋅ · 3570
3
3
2
2
1
1
s
l
s
l
s
l
R
p
ρ
Rezystancja przejścia obliczona analitycznie:
[ ] Ω ·

· ·

2 , 3846
10 6 , 2
10
3
I
U
R
p
Wnioski:
Metoda modelowania pól płaskich na papierze elektroprzewodzącym jest bardzo łatwą i prostą
metodą do wyznaczania lini sił pola i lini ekwipotencjalnych . Z wyliczeń wynikających z powyższej
metody postępowania dowieść można iż metoda jest bardzo dokładna. W metodzie zadania
odwrotnego linie ekwipotencjalne są prostopadłe w porównaniu do metody normalnej, a
jednocześnie są równoległe do wektorów natężenia pola elektrycznego w tym przypadku. Natomiast
wektory natężenia pola elektrycznego w metodzie odwrotnej są prostopadłe do wektorów
wyznaczanych w metodzie normalnej a ich kierunki pokrywają się ze stycznymi linii
ekwipotencjalnych z metody normalnej. Z pomiarów wynika że im większa odległość od środka
symetrii układy tym potencjał, natężenie pola oraz gęstość prądu maleje.