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Diodos de Potencia

Diodos de uso general. Diodos de recuperación rápida. Diodos Schottky. Diodos de uso general
Estos tienen un tiempo de recuperación inversa relativamente grande, en el caso típico de unos 25 uS, y se usan en aplicaciones de baja velocidad, donde el tiempo de recuperación no es vital.

Características
IFAV: 1A – 6000 A VRRM: 400 – 3600 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) Trr: 10 µs

Aplicaciones:
Rectificadores de Red. Baja frecuencia (50Hz).

Diodos de recuperación rápida
Tienen tiempo de recuperación por debajo de los 5 uS. Se usan en circuitos convertidores de DC a Dc y de DC a AC, donde la velocidad de conmutación tiene importancia crítica.

Características:
IFAV: 30A – 200 A VRRM: 400 – 1500 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) Trr: 0,1 - 10 µs

Aplicaciones:
Conmutación a alta frecuencia (>20kHz). Inversores. UPS. Accionamiento de motores CA.

Diodos Schottky
El problema de almacenamiento de carga de una unión PN se puede eliminar o minimizar en un diodo Schottky. Esto se logra estableciendo un “potencial de barrera” con un contacto entre un metal y un semiconductor.

Diodos para alta corriente. Diodos de Carburo de Silicio El carburo de silicio es un material relativamente nuevo en la electrónica de potencia. La temperatura no influye sobre el tiempo de conmutación. Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Características IFAV: 50A – 7000 A VRRM: 400V – 2500V VF: 2V Trr:10 µs Aplicaciones Aplicaciones de alta corriente Las características más importantes a tomar en cuenta de los diodos las podemos agrupar de la siguiente forma: Características estáticas: Parámetros en bloqueo Tensión inversa de trabajo (VRWM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha. los diodos Schottky de SiC tienen perdidas ultrabajas de potencia. con duración de pico de 10ms. aunque sea por una vez. Diodos para alta tensión. La corriente de fuga de este tipo de diodo es mayor que la de uno de unión PN.45A – 2 A VR: 7.5kV – 18kV VRRM: 20V – 100V Trr: 150 ns Aplicaciones Aplicaciones de alta tensión.La carga recuperada de un Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de unión PN ya que solo se debe a la capacitancia de la unión es bastante independiente de la di/dt inversa. Características IFAV: 0. y gran fiabilidad. el diodo puede destruirse o al menos degradar sus características eléctricas. Tensión de ruptura (VR):Si es alcanzada. Parámetros en estado de conducción . También tienen las siguientes propiedades: No tienen tiempo de recuperación inversa. Por ejemplo. Tensión inversa de pico único (VRSM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o más. Sus propiedades físicas mejoran mucho las del Si y del GaAs. Son diodos con características muy definidas y especiales. Diodos de Aplicaciones especiales. Comportamiento ultrarapido en conmutación. Un diodo Schottky tiene una caída de voltaje relativamente baja en sentido directo.

con duración de pico de 1ms a determinada temperatura de la cápsula. debemos usar diodos de recuperación rápida. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF. en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. por tanto. La intensidad todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. Influencia del Trr en la conmutación: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Se limita la frecuencia de funcionamiento. resultará que después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt. Tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que ésta se anula. Trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb. y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. Influencia del Trr en la conmutación. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad almacenada. con duración de pico de 10ms Características dinámicas: Tiempo de recuperación inverso (Trr). la zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto mayor sea IF. Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido. Tiempo de recuperación inverso: El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa instantáneamente. Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa. Factores de los que depende Trr: A mayor IRRM menor Trr. . Ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. y por tanto mayor será Trr. La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento. Intensidad de pico único (IFSM):Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o más. Para altas frecuencias. Tiempo de recuperación directo.Intensidad media nominal (IFAV):Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada temperatura (110 ºC normalmente).