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PRÁCTICA DE LABORATORIO NºIV EL TRANSISTOR: ANÁLISIS EN DC Y AC

OBJETIVOS • • • • Determinar el punto de operación del transistor (punto Q) Determinar si el transistor se encuentra en el estado de corte, saturacion o lineal, para visualizar el estado de amplificacion del transistor Estudiar el trazado de la linea de la carga en C.C. de un amplifador Emisor comun y predecir las condiciones de funcionamiento del amplificador Medir la ganancia de tension de un amplificador EC con un condensador de desacoplamiento de emisor

MATERIALES • • • • • • • • • • • Transistor BC548 (1) Resistencia de 9.1 KΩ/1/2W (1) Resistencia de 1 KΩ/1/2W (2) Resistencia de 100Ω/1/2W (1) Condensador de 10 uF / 16V (2) Condensador de 150pF (1) Multimetro (1) Protoboard Osciloscopio Fuente de voltaje regulable 0-20 Vcd (1) Generador de funciones (1)

Ver figura. Este factor se llama β (beta) y es un dato propio de cada transistor. Entonces: . la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él.TIPOS DE TRANSISTOR Transistor Bipolar de Unión (BJT) Transistor de Efecto de Campo. esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base). una cantidad mayor a ésta.Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a β (factor de amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base). sólo que.Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic.Ic = β * Ib. de Unión (JFET) Transistor de Efecto de Campo. . en un factor que se llama amplificación. Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc). pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. el entregará por otra (emisor) . . de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) Fototransistor • El transistor bipolar Es un amplificador de corriente. o viceversa.

lo mismo que un transistor normal. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET) MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. (IP) (modo de iluminación).  Como fototransistor. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. • Transistor de Efecto de Campo. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. cesa la conducción en el canal • Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. .En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la curva es más alta • Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar. se producirá una puerta. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. en esencia. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:  Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. estableceremos una corriente. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Un fototransistor es. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. Prácticamente la totalidad de los procesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento: Simulación  Implemente el circuito de la siguiente figura: . Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain). Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje: • • Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. y el conductor entre ellos es la puerta(gate).Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que. Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. mediante técnicas de difusión de dopantes. se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.

1 Medición de la corriente que pasa por cada parte del transistor. . IB . VC. IC. VCE. IE. Tabla 4.Circuito 1 para analisis DC Realice las siguientes mediciones: VE. VB.

Medición del voltaje por cada pin del transistor Al circuito 1 agregue los condensadores de acople de la entraday a la salida de 10uf/16V y otro de 150pf en paralelo con la resistencia de emisor. El circuito pedido se representa en la figura siguiente: .

Circuito 2 amplificador de voltaje Coloque las puntas del osciloscopio en Vi y Vo y observe que sucede con la salida respecto a la entrada. Realice las respectivas mediciones de las amplitudes de Vi y Vo. Circuito 2 conectado con un osciloscopio . con estos valores obtenga la ganancia del amplificador.

6: Señales de entrada y salida .Figura 4.

tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. 2) ¿Cuál es la importancia de analizar el transistor en corriente continua? • Además de una resistencia de emisor para brindar una estabilidad de polarización mejorada. El sentido de las corrientes es el contrario al de los electrones. el emisor está mucho mas contaminado que el colector). dan como resultado transistores PNP. El emisor emite. donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base.CUESTIONARIO 1) ¿Cómo obtendría de manera práctica la configuración de un transistor pnp? • La configuración de uniones PN. el análisis en corriente continua tiene que ver con la . y las otras dos al emisor y al colector que si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. el colector recoge y la base recombina.

ver ley de Ohm. (recordar que Ic = β * Ib) Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador. En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (Ic = Ie = 0).retroalimentación de voltaje. ver Ley de Ohm). En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de los resistores conectados en el colector o el emisor o en ambos. la región activa. (como no hay corriente circulando. . (Ic = Ie = I máxima). no hay caída de voltaje. es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0). 3) ¿En que región es factible que el transistor opere? • Región de corte: Un transistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0. • • 4) ¿Qué se entiende por ganancia de tensión de un amplificador? Se entiende por ganancia de tensión a la relación que existe entre la tensión de salida del amplificador. con respecto a la tensión de entrada del mismo. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. que proporciona también una mejor estabilidad de polarización de cd. Región de saturación: Un transistor está saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima. de β (ganancia de corriente de un amplificador. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib).

.Amplificador base común  El transistor es muy sensible a los efectos electromagnéticos de las explosiones nucleares. cada una de ellas con características especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicación.  Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores. y se dice que el transistor no está conduciendo.Amplificador emisor común . y que no afectan en casi nada a los circuitos hechos con transistores. pero se toman como tal. Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)  . por lo que se siguieron utilizando válvulas termoiónicas en algunos sistemas de control-comando de cazas de fabricación soviética. debido a la pequeña diferencia que existe entre ellas.Amplificador colector común .CONCLUSIONES Al termino de la practica de laboratorio N°4 se pudo comprobar experimentalmente que la corriente de colector y corriente de emisor no son exactamente iguales.