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Estructura interna Un transistor bipolar consiste fundamentalmente en dos uniones por contrapues-tos contenidas en un mismo cristal semiconductor

. Las dos uniones dan lugar a tres regiones diferenciadas que reciben el nombre de emisor, base y colector. El emisor y el colector son del mismo tipo de semiconductor y se encuentran situados en los extremos. La base es de tipo contrario, está situa-da entre las dos anteriores y es mas estrecha.De lo dicho se desprende que hay dos únicas maneras de formar el transistor.

Obsérvese que 1a flecha, que indica e1 sentido convencional de Ia corriente, está siempre en el terminal emisor. Puesto que ambos transistores tienen la misma disposición pero con semiconductores de tipo contrario, el funcionamiento es el mis-mo en los dos. Solo que todas las tensiones y corrientes son de sentido contrario. Basta entonces con estudiar uno de ellos y así por contraposición conocernos el funcionamiento del otro. Funcionamiento del Transistor: Nos centraremos en un transistor NPN. Dividiremos el estudio en cuatro etapas. En vacio como en toda unión PN, aparecen las llamadas “Barrera de Potencial Interna”(BPI)

a)

Polarización: El método normal de polarización es el de la figura .

b) Efecto Transistor: Al aplicar el polo negativo de la batería E1 al emisor. Así es como se polariza para que pueda realizar su función como amplificador. Ie= Ib + Ic= d) Factor de amplificación. cruzan está llegando a la base favorecidos por su polarización directa. -Corriente de colector (Ic). tienen dos posibilidades: a. El flujo en estos electrones constituyen la corriente emisor. lleguen a la región del colector. sus electrones son repelidos hacia la unión. y dirigirse al potencial positivo de E1 b.-1- Le aplicamos una Vcc externa de forma que polarizamos el diodo baseemisor directamente (E1).-Recombinarse con los huecos que hay en la base. -Corriente de base (Ib).-Formada por los electrones procedentes de la región del emisor que no tienen la suficiente energía como para llegar a la región del colector. b-e. por el llamado efecto avalancha.-Por cada electrón que desde el emisor se inyecta base . c) Corrientes en el transistor: -Corriente emisor( Ie). tienen la suficiente energía como para alcanzar la región del colector atraídos por el potente potencial positivo al que hemos dispuesto E2.lo que equivale a una resistencia de pequeño valor.y el diodo colector-base inversamente (E2). y atravesando la zona vacía de cargas (ZVC) por el llamado efecto avalancha. Una vez allí. la batería E1 le suministrara otro desde su polo negativo. La primera posibilidad dará origen a la aparición de una corriente de base.-Formada por los electrones que procedentes de la región del emisor una vez alcanzada la región de la base.-Llegar a la región del colector atraídos por la fuerte tensión positiva al que hemos dispuesto E2.que equivale a una resistencia de gran valor . apareciendo en la región de la unión una zona vacía de cargas eléctricas(ZVC). La cual no interesa que sea elevada. atravesando la zona vacía de cargas.- . Interesa que prácticamente el 98% de los electrones inyectados en la región de la base desde el emisor. dirigiéndose al positivo de la batería E1. Para evitarlo la zona de la base es único es muy estrecha y con poco huecos.

-Vce máxima. Recta de carga.El circuito de la figura nos indica los puntos de medición.Por lo que la Vce mx=Vcc. La unión de estos puntos nos indica la Recta de Carga.Este punto está representado en la grafica (punto A) B. x mas se moverán en la región del colector. de tal forma que.su funcio.namiento.Se produce cuando el transistor se comporta como un interruptor abierto.Para conseguir una mayor ganancia los fabricantes distribuyen las regiones.De todas ellas la mas importante. de tal forma que la región del colector se hace más grande y se le proporciona un mayor dopaje.representan gráficamente.que puede circular por el transistor.porciona.desde donde ex traeremos los valores de V e I.-Nos indica la máxima Ic.que nos permitirán trazar la grafica.Estos valores son: A.-Es la máxima tensión que puede soportar en el circuito.Este punto está representado en la rafica (punto B).se produce cuando el transistor se comporta como un cortocircuito.trabajando en un circuito determinado. por cada electrón que llega desde la región de la base al colector.-Ic máxima.por ser la que mas información nos pro. . Nos define los valores máximos que puede soportar un transistor. Esta proporción no la indica el fabricante se denomina beta del transistor Curva característica del Transistor: Las curvas características de los componentes.

el circuito de la figura.guiente forma: -Primero determinaremos la recta de carga: Para ello necesitamos saber: Valores a.tendremos una Vce .nos definirá el punto Q. Es decir cuando alimentamos el circuito y transcurrido un tiempo.en reposo.Punto Q. Este lo podemos definir de la si-. esta será: Ib= Vb/R1= 3 / 33 K = 100 µA. Supongamos un ejemplo básico. Vcc=V2=15v // Vb= 3v Rc=1´8Kohm.trabajando en un circuito determinado(en reposo). Estos valores son: Vce= 9v y la Ic= 3 mA.el tran. // Rb=33Kohm Supongamos que el transistor tiene la familia de curvas características de la figura.definimos el punto Q.ra su punto Q.-Icmax=Vcc/Rc= 15/ 1´8K = 8 mA (punto” Y” en la grafica) Una vez obtenida la recta de carga. En primer lugar al alimentar el circuito. Aplicando la ley de Ohm.-Nos define los valores.Es decir el transistor se ajusta.Este proceso se realizará.sin señal.podemos conocer la Ic y la Vce.Trazando la línea de puntos suspensivos vertical y horizontal.En función de los valores resis.-Vcemx=Vcc= 15v e Ic= 0 (punto “Z” en la grafica) Recta carga b.sección con la Recta de Carga.Para definir el punto Q necesitamos saber la Ib en reposo.que puede soportar un transistor. Buscaremos su grafica representativa. Transferencia de la señal en el transistor: La principal función del transistor es la de amplificar señales eléctricas.mediante la transferencia de energía generada en el interior del transistor. y el punto de inter.es decir una unidad amplifi-cadora de la que conocemos sus datos.Condicionada por la polarización aplicada al transistor. Para ello necesitamos saber la Ib.trazando la horizontal y la vertical respectivamente y allí donde se corten con el eje de Ic y Vce esos serán los valores en reposo del transistor.tivos del circuito.sistor ira adquiriendo los valores de polarización correspondientes. Una vez definida Ib podremos conocer la Vce y la Ic.Una vez definido el punto Q.

la VRC=6v.por lo que aumenta la Vce= 14v y disminuye la Ic=0´5 mA. a)0´5v(Vent) + 1´5v( VbQ) = 2 V y 100µA(Ient) + 100µA(IbQ) = 200 µA.(P1) Estos valores quedaran representados en la grafica por el punto P1.Produciendose la transferencia de la señal de la Base al Colector.la VRc cae a 6v.que cuando la Vce aumenta.Por lo que la Ic aumen ta.Este se sumara a los valores que tiene el transistor en reposo. Es decir que la señal de entrada procedente de una” fuente de señal” va a ir de forma automática sumándose o restándose a los valores de la base en el punto Q.supongamos también que la Vb= 1´5v.Esto supone que durante la aplicación del semiciclo la Vb(aumenta)=2v y la Vce(disminuye)=5v Lo cual se debe a que el Db-e y el Db-c quedan polarizados mas directamente por lo que el transistor se hace mas conductor y la zona vacia de cargas de la unión C-B disminuye y por lo tanto la resistencia interna del transistor. Supongamos que primero llega el semiciclo positivo.Ic de 3 mA y una Ib de 100µA.que se generaran de forma simultanea.o viceversa.por lo que la Vb y la Ib.) -En segundo lugar aplicaremos una señal de entrada(Ve) y veremos la amplifi cacion (Vs) :Supongamos que aplicamos una señal de 1vpp/200 µA pp Eso quiere decir. esta pasa a 5 ´5 mA y la Vce disminuye siendo su valor de 5V.e(en reposo.Tengamos en cuenta la función de Rc.Por ello a esta resistencia se le denomina.equivale al semiciclo negativo de la señal de salida) Cuando llegue el semiciclo negativo(ocurre lo contrario) se restara a los valores en reposo del transistor obteniendo los siguientes datos: b)-0´5v(Vent) + 1´5v( VbQ) =1 V y -100µA(Ient) + 100µA(IbQ) = 0 µA(P2) Es decir el Db-e y el Db-c quedan polarizados menos directamente el transistor.conduce menos y la resistencia interna aumenta.pasa a 15. sin señal.Estas variaciones de la Vb provocaran otras variaciones de la Vce.pasaran a tener estos valores.que tendremos 0´5v/100 µA del semiciclo positivo y -0´5v/-100µA del semiciclo negativo. ”resistencia de carga” del colector.Esta disminución de la Vce(de 9v desciende a 5v. observemos que si la Vce=9v.de 9v. En resumen se puede decir que amplificación es el proceso mediante el .

Es la máxima tensión de corriente continua que puede aplicarse al colector sin dañar al transistor. Esta situada entre el incio de las graficas de la Ib y el eje vertical. – Region de saturación.genera grandes variaciones de la Vs/Is.Este dato no es visible en la grafica Region de corte.cual. destruyéndolo.la Ic=máxima y la Vce=0.El transistor se encuentra en esta región. Es la situada por debajo de la Ibmn(Ibo=0). Máxima .ñas variaciones de la Ve/Ie.y se cumplirá la relación fundamental del transistor Ic= beta Ib Fg A -Frecuencia de corte. Suele venir especificada por los fabricantes.El transistor estará trabajando en esta región siempre que se la siguiente polarización Dbe pd y Dbc pi. Es la correspondiente al punto en el cual la ganancia de corriente cae el 0.. La tensión de ruptura es tan. La tensión inmediatamente superior a dicho valor máximo se llama tensión de ruptura. para que el transistor amplifique.cuando el Dbe y el Dbc están pd.cuando el Dbe y el Dbc están polarizados inver samente.el transistor se comporta como un interruptor abierto situada por debajo de la característica correspondiente a una corriente de entrada cero se le llama región de corte. Limites de funcionamiento del transistor Región en la que debe estar el punto Q. la cual produce una corriente muy elevada debido a que rompe la estructura cristalina del transistor.En este caso 1vpp en la entrada.El transistor se en. Tensión máxima de colector. y una Ientrada de 200µA pp genera una I de salida de 5mA pp. En esta condiciones.cuentra trabajando en esta región.generan 12vpp en la salida.2v. En ella el transistor se comporta como un interruptor cerrado.707 de su ganancia máxima.to menor cuanto mayor es la corriente de base. peque.

Estas zonas son: A. Rendimiento 90%.Dependiendo de la zona el transistor presentara distintas características. Amplifica todo el ciclo..rendimiento 75% Clase A-B. si el fabricante señala una disipación máxima de dos vatios el producto Vce x Ic.Con esta pola -rización se cumple el efecto transistor (Ic=βIb). estaremos haciendo que el transistor se comporte como un interruptor cerrado y abierto.Amplifica un semiciclo y parte del otro.El transistor está polarizado de la siguiente forma.B.A-B y C Clase A. no debe exceder de dos vatios.(Codigo binario tiene dos estados “1”.-Esta situada entre las descritas anteriormente.Dbe pd y Dbc pi. Representa el límite del producto de los potenciales de corriente continua entre colector-emisor y las corrientes de colector.Es la máxima potencia que puede disipar el colector antes de su destruccion.para realizar el proceso de amplificación. mas cercana a B.Dentro de la región activa.y negativo PNP). Consume I en reposo.El transistor amplifica Si hacemos trabajar al transistor de forma alternativa en corte y saturación.Amplifica un semiciclo (positivo si es NPN.En otras palabras..Consume una pequeña Ic en reposo(aproximadamente la 1/100 de la Ic máxima).se consigue con el transistor cortado y “0” se consigue con el transistor saturado Clases de polarización.el punto Q puede ocupar distintas zonas.Este forma de trabajo se denomina “conmutación” es la forma de generar código binario utilizado en los sistemas digitales.-Punto Q situado entre clase A y B..Rendimiento aproximado 72% Clase C.en la región activa. . No consume I en reposo.Punto Q situado en el centro de la recta de carga.El punto Q del transistor debe de estar ubicado.-Punto Q situado en la región de corte. Rendimiento 50% Clase B.disipación de potencia en el colector. Amplifica la parte proporcional de un semiciclo.-Punto Q situado en la intersección de la recta de carga con la grafica de Ibmn. Region activa o directa .

b.Circuitos típicos de polarización activa.Ic y Vce. deno minada “malla de salida”.-Inconvenientes Hay cuatro circuitos típico: -Circuito con Rb y Rc.Para ello configuraremos el circuito en mallas.dividiremos el estudio en tres apartados:a.-Ventajas.La malla que polariza la base denominada “malla de entrada” y la que polariza el colector y emisor. ..Ib. Para definir el punto Q del transistor necesitamos conocer. por resistencias que polarizaran las distintas uniones con los potenciasles deseados para conseguir la clase de polarización deseada.Es el circuito mas sencillo .Calculo punto Q.Para poder analizar las características de los circuitos.Vamos a sustituir las baterías iniciales. c. .

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son mas fáciles de medir. - - . Tienen dos polos de entrada y dos de salida.que sustituya las uniones por elementos equivalentes de mas fácil comprensión (Modelo lineal) Los parámetros a utilizar en nuestro modelo son los denominados parámetros “h” o hibrido.Sus valores proporcionan rápidamente una estimación del funcionamiento del transistor.determinan el punto Q y una vez establecido el punto de trabajo.se recurre a la extracción de un circuito equivalente.En un circuito tenemos dos tipos de tensiones:las de polarización. En apartados anteriores hemos + + Ve Vs analizado la estructura interna Cuadripolo Vs Vs del transistor y su polarización Ahora vamos a analizar la res- puesta del transistor ante las señales alternas.Base y Emisor.Tiene tres terminales..Colector.aplicamos tensiones alternas para conseguir uno de los efectos que buscamos en los circuitos transistorizados que es la de amplificar.El transistor quedara configurado en la estructura de cuadripolo.Los circuitos en CA se consideran cuadripolos.Transistor en CA.Para un análisis mas profundo de las características amplificadoras del transistor.En función del terminal utilizado como común.tendremos distintas características.

En CC .de esta forma podemos enunciar la relación fundamental del transistor en: CC Ic=βIb y en CA Ic=hfeIb En función del terminal utilizado como común a la malla de entrada y salida. Emisor Comun.. es el mas simple Identificación del parámetro.intro. Caracteristicas: Impedancia de entrada(Ze): Ze=Rb=Rb1//Rb2 Impedancia de salida (Zs): Ganancia de tensión(Gv): Zs=Rc Gv= .cuando la señal de entrada(Ve) se aplica entre base y masa y la señal de salida se extrae entre colector y masa. El parámetro Hfe es como la β.-Representa el generador de corriente que tenemos en la región del colector hoe.sur gen.duce una pequeña variante. el circuito “c”.Modelos de circuitos equivalentes.Rc/Re Señal de salida 180º desfasada con respecto a la entrada Emisor común con Ce.R de pequeño valor(Dbe esta PD) hfe.Ce es un condensador de desacoplo. respecto al circuito anterior.-Representa la R del Dbe del transistor.-Se dice que el circuito está en emisor común.hie.La β es para CC y el Hfe para CA.Este circuito .tres circuitos o configuraciones básicas.-Representa la R interna equivalente entre colector y emisor.

no actua.Este amplifica tensión .el Base común.Como esta en paralelo con Re.por lo que afecta a las características de las impedancias y aumenta la ganancia de V: Gv= .Se dice que el transistor está en Colector común. porque la señal de salida(tomada desde el emisor).Rc/Xc =nº abstracto Colector Comun (Cc).en CA ofrece una baja Xc(reactancia capa citiva) a las frecuencias de trabajo. cuando la señal de entrada(Ve) se aplica entre Base y masa y la señal de salida(Vs) se extrae entre emisor y masa.Como: Ventrada=Vb=Ve=Vsalida..y estas actúan sobre dos impedancias de distinto valor.cada vez menos utilizado. tendremos que: -I entrada = V entrada / -I salida = V salida Ze(valor alto) = A(valor pequeño) / Zs(valor pequeño) = A(valor alto) Este circuito también se denomina “Seguidor de emisor”. prácticamente la anula. Hay un tercer circuito. Caracteristicas -Impedancia de entrada(Ze)=alta=Rb=Rb1//Rb2 -Impedancia de salida(Zs)=baja=Re -Ganancia de tensión(Gv)=1 (Ve=Vs) -Ganancia de corriente(Gi)= buena=Is/Ie La Gi se debe al desfase de impedancias que ofrece el circuito. sigue las variaciones de la señal de entrada.